CN218995827U - 一种显示面板 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种显示面板。本实用新型在彩膜基板远离背光模组的一侧设置阵列基板，在阵列基板的金属层靠近所述背光模组的一侧设置第一遮光层，利用第一遮光层的低反射率防止背光模组的光线穿过彩膜基板照射至在阵列基板的金属层后反射至液晶层，避免由于液晶层的折射率不均匀导致发生散射现象，避免增加杂散光的比例，提升显示面板的对比度；利用第一遮光层的低反射率防止背光模组的光线穿过彩膜基板照射至在阵列基板的金属层后反射至阵列基板的薄膜晶体管的沟道附近，避免造成薄膜晶体管的开关漏电，避免导致亮度串扰问题。

Description

一种显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。
背景技术
显示技术发展日新月异，从阴极射线显像管(Cathode Ray Tube，简称CRT)显示到液晶显示、有机发光二级管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示以及近两年推出的次毫米发光二极管(mini LED)显示已形成量产化，未来的微米发光二极管(microLED)显示也在加快布局。尽管显示行业越来越多样化，但是显示技术围绕的主要指标并未改变，各厂商追求的仍然是亮度、色度、对比度、屏占比及外观形态的变化，如曲面屏、挖孔屏、柔性屏、折叠屏等。
显示亮度的提升是永恒的追求，特别是对于液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，简称LCD)。液晶显示器是通过背光光源，利用偏振片和液晶组合进行显示。常用的分辨率为400PPI(Pixels Per Inch)的LCD产品的透过率约为5％，亮度效率极低，当分辨率提升时，开口率会随之下降，产品透过率会进一步降低，在导致亮度降低的同时，功耗会增加，续航时间会减少，不利于超高分辨率产品的应用，如虚拟现实(Virtual Reality，简称VR)等。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种显示面板，其能够解决现有显示面板中存在的透过率低、光能利用率低、亮度低、功耗增加，续航时间少以及不利于超高分辨率产品的应用等问题。
为了解决上述问题，本实用新型提供一种显示面板，其包括：
背光模组；彩膜基板，设置于所述背光模组的一侧；以及阵列基板，设置于所述彩膜基板远离所述背光模组的一侧；其中，所述阵列基板包括：第一衬底；金属层，设置于所述第一衬底靠近所述背光模组的一侧；以及第一遮光层，设置于所述金属层靠近所述背光模组的一侧的表面。
进一步的，所述阵列基板还包括：第二遮光层，设置于所述金属层远离所述背光模组的一侧的表面。
进一步的，所述第一遮光层和所述第二遮光层的反射率均小于10％。
进一步的，所述阵列基板还包括：第一有源层，设置于所述第一衬底靠近所述背光模组的一侧；第一源漏极层，设置于所述第一有源层靠近所述背光模组的一侧，所述第一源漏极层包括分别电连接于所述第一有源层的两端的第一源极和第一漏极；第二有源层，与所述第一有源层同层且间隔设置；第二源漏极层，与所述第一源漏极层同层且间隔设置，所述第二源漏极层包括分别电连接于所述第二有源层的两端的第二源极和第二漏极；其中，所述金属层包括所述第一源漏极层及所述第二源漏极层中的至少一个。
进一步的，当所述第一遮光层的材料为绝缘材料时，所述第一漏极上的所述第一遮光层上均设有第一通孔；当所述第一遮光层的材料为导电材料时，所述阵列基板还包括设置于所述金属层与所述第一遮光层之间的第一绝缘层，所述第一漏极与所述第一遮光层之间的所述第一绝缘层上均设有第二通孔，所述第一漏极穿过所述第二通孔电连接至所述第一遮光层。
进一步的，所述阵列基板还包括：第一栅极，设置于所述第一有源层靠近所述背光模组的一侧，且与所述第一有源层对应设置；第二栅极，与所述第一栅极同层且间隔设置，且与所述第二有源层对应设置；当所述第一遮光层的材料为绝缘材料时，所述第二栅极上的所述第一遮光层上均设有第三通孔；当所述第一遮光层的材料为导电材料时，所述阵列基板还包括设置于所述金属层与所述第一遮光层之间的第一绝缘层，所述第二栅极与所述第一遮光层之间的所述第一绝缘层上均设有第四通孔，所述第二栅极穿过所述第四通孔电连接至所述第一遮光层。
进一步的，所述第一栅极及第二栅极上的第一遮光层和第二遮光层均包括氧化钼膜层。
进一步的，所述第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极上的第一遮光层和第二遮光层均包括钼膜层和氧化钼膜层；所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的总厚度范围为100nm-150nm；所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的厚度的比值范围为1/6-1/2。
进一步的，所述彩膜基板包括：第二衬底；反射层，设置于所述第二衬底远离所述背光模组的一侧；第三遮光层，设置于所述反射层远离所述背光模组的一侧；多个开口，贯穿所述第三遮光层和所述反射层；以及多个滤光单元，一一对应填充所述开口。
进一步的，所述反射层在所述第二衬底上的投影与所述第三遮光层在所述第二衬底上的投影重合。
进一步的，所述反射层的反射率大于60％。
本实用新型的优点是：本实用新型在彩膜基板远离背光模组的一侧设置阵列基板，在阵列基板的金属层靠近所述背光模组的一侧设置第一遮光层，利用第一遮光层的低反射率防止背光模组的光线穿过彩膜基板照射至在阵列基板的金属层后反射至液晶层，避免由于液晶层的折射率不均匀导致发生散射现象，避免增加杂散光的比例，提升显示面板的对比度；利用第一遮光层的低反射率防止背光模组的光线穿过彩膜基板照射至在阵列基板的金属层后反射至阵列基板的薄膜晶体管的沟道附近，避免造成薄膜晶体管的开关漏电，避免导致亮度串扰问题。
本实用新型在彩膜基板远离背光模组的一侧设置阵列基板，在阵列基板的金属层远离所述背光模组的一侧设置第二遮光层，利用第二遮光层的低反射率防止环境光照射阵列基板内的金属层后发生反射产生眩光现象，提升显示面板的对比度。
本实用新型在彩膜基板远离背光模组的一侧设置阵列基板，在彩膜基板的第三遮光层与第二衬底之间设置反射层，利用反射层的高反射率将现有技术中照射至第三遮光层的光线反射至背光模组中，通过背光模组中的反射片反射至彩膜基板重新利用，进而提升背光模组的光能利用率，提高显示面板的亮度，降低功耗，增加续航时间，有利于超高分辨率产品的应用。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型的显示面板的结构示意图；
图2是本实用新型的彩膜基板的仰视图；
图3是本实用新型的彩膜基板的俯视图；
图4是本实用新型的彩膜基板的反射层和第三遮光层的侧视图；
图5是本实用新型的背光模组的光线在彩膜基板和反射片之间的光路图；
图6是本实用新型的阵列基板上的金属层远离背光模组的一侧未设置第二遮光层时的光路图；
图7是本实用新型的阵列基板上的金属层远离背光模组的一侧设置第二遮光层时的光路图；
图8是本实用新型的阵列基板上的金属层靠近背光模组的一侧未设置第一遮光层时的光路图；
图9是本实用新型的阵列基板上的金属层靠近背光模组的一侧设置第一遮光层时的光路图；
图10是本实用新型的阵列基板的金属层、第一遮光层和第二遮光层的侧视图；图11是本实用新型的显示面板的光路图；
图12是本实用新型的阵列基板的结构示意图；
图13是本实用新型的阵列基板的金属层的俯视图。
附图标记说明：
100、显示面板；
1、背光模组；2、第一偏光片；
3、彩膜基板；4、液晶层；
5、阵列基板；6、第二偏光片；
7、盖板；
11、底板； 12、反射片；
13、光源； 14、导光板；
15、光学膜片；
31、第二衬底；32、反射层；
33、第三遮光层；34、开口；
35、滤光单元；
501、金属层；502、第一遮光层；
503、第二遮光层；
511、第一衬底；512、第一有源层；
513、遮光单元；514、第一栅极；
515、第一源漏极层；516、第二有源层；
517、第二栅极；518、第二源漏极层；
519、导电单元；520、触控层；
521、公共电极；522、像素电极；
523、第一通孔；524、第三通孔；
525、第五通孔。
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本实用新型的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本实用新型的技术内容，以举例证明本实用新型可以实施，使得本实用新型公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本实用新型。然而本实用新型可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本实用新型的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本实用新型的范围。
本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本实用新型，而不是用来限定本实用新型的保护范围。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本实用新型并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
实施例1
如图1所示，本实施例提供了一种显示面板100。显示面板100包括：背光模组1、第一偏光片2、彩膜基板3、液晶层4、阵列基板5、第二偏光片6以及盖板7。
显示面板100的显示原理为：背光模组1发出的白光通过第一偏光片2后变为线偏振光，在通过液晶层4的调制，偏振方向旋转90°，白色的线偏光通过彩膜基板3后变成红、绿、蓝三色光，再通过偏振方向相同的第二偏光片6出射，形成不同颜色的图画。
其中，背光模组1包括：底板11、反射片12、光源13、导光板14以及光学膜片15。
其中，反射片12设置于所述底板11靠近所述彩膜基板3的一侧。所述反射片12主要用于将照射至反射片12的光线进行反射，提升背光模组1的光线利用率，增加显示面板100的显示亮度。
其中，光源13设置于所述反射片12靠近所述彩膜基板3的一侧，主要用于提供光线。
其中，导光板14设置于所述光源13的一侧，主要用于将导光板14侧面的光源13发出的光线转换成面光源入射至导光板14上面的光学膜片15中。在其他实施例中，背光模组1也可以采用直下式光源。
其中，光学膜片15设置于导光板14靠近所述彩膜基板3的一侧。其中光学膜片15包括：下扩散片、棱镜片以及上扩散片。所述下扩散片设置于导光板14靠近所述彩膜基板3的一侧；所述棱镜片设置于所述下扩散片上；所述上扩散片设置于所述棱镜片上。其中下扩散片、上扩散片可以将导光板14收到的光进行扩散，棱镜片可以将扩散的光集中在一定角度内射出，以达到提高显示面板100亮度的目的。
其中，第一偏光片2设置于所述背光模组1的一侧。具体的，第一偏光片2设置于光学膜片15远离所述底板11的一侧。第一偏光片2的基本结构包括：PVA(聚乙烯醇)和分别设置于PVA两侧的TAC(三醋酸纤维素)。其中，起到偏振作用的是PVA层，但是PVA极易水解，为了保护偏光膜的物理特性，因此在PVA的两侧各复合一层具有高光透过率、耐水性好又有一定机械强度的(TAC)薄膜进行防护。
其中，彩膜基板3设置于第一偏光片2远离所述背光模组的一侧。彩膜基板3包括：第二衬底31、反射层32、第三遮光层33、多个开口34以及多个滤光单元35。
其中，图2是彩膜基板3的仰视图，具体指的是从背光模组1侧看向彩膜基板3的平面示意图。图3是彩膜基板3的俯视图，具体指的是从阵列基板5侧看向彩膜基板3的平面示意图。结合图1、图2、图3以及图4可知，反射层32设置于所述第二衬底31远离所述背光模组1的一侧，具体的，反射层32设置于第三遮光层33与所述第二衬底31之间。
其中，反射层32的反射率大于60％。反射层32的材质可以采用铝、钛等高反射金属，也可以采用高反射油墨。
其中，第三遮光层33设置于反射层32远离背光模组1的一侧。其中，第三遮光层33主要用于防止相邻的滤光单元35的光线发生串扰现象。其中，第三遮光层33的反射率小于10％。第三遮光层33可以采用BM光阻材料制备形成，也可以采用黑化金属制备形成。黑化金属可以是氧化钼(MoOx)、钼(Mo)和氧化钼的叠层结构；也可以是氧化钼(MoOx)、铝(Al)和氧化钼的叠层结构，还可以是氧化钼(MoOx)、钛(Ti)和氧化钼的叠层结构，利用不同膜层间的相干相消作用降低干扰光，提升显示面板100的对比度。
其中，多个开口34贯穿所述第三遮光层33和所述反射层32。
其中，多个滤光单元35一一对应填充所述开口34。本实施例中，滤光单元35包括红色滤光单元351、绿色滤光单元352以及蓝色滤光单元353。
其中，所述反射层32在所述第二衬底31上的投影与所述第三遮光层33在所述第二衬底31上的投影重合。本实施例中，所述反射层32在所述第二衬底31上的投影与所述第三遮光层33在所述第二衬底31上的投影完全重合。由此防止穿透第三遮光层33的光线被反射层32挡住，提升光线穿透率。
如图5和图11所示，在彩膜基板3远离背光模组1的一侧设置阵列基板5，在彩膜基板3的第三遮光层33与第二衬底31之间设置反射层32。第一光线A穿过开口34照射滤光单元35，然后进入液晶层4；第二光线B照射至开口34周围的反射层32，被反射层32反射至背光模组1中的反射片12；利用反射层32的高反射率将现有技术中照射至第三遮光层33的光线反射至背光模组1中，通过背光模组1中的反射片12反射至彩膜基板3重新利用，进而提升背光模组1的光能利用率，提高显示面板100的亮度，降低功耗，增加续航时间，有利于超高分辨率产品的应用。例如，在VR等产品中分辨率通常达到1500ppi以上，第三遮光层33的面积占比达到60％以上，更加适合采用上述方案提升亮度。
如图1所示，阵列基板5设置于所述彩膜基板3远离所述背光模组1的一侧。
如图6所示，阵列基板5包括金属层501。具体的，金属层501设置于所述第一衬底511靠近所述背光模组1的一侧。当阵列基板5上的金属层501远离背光模组1的一侧未设置第二遮光层503时，环境光C照射至金属层501，被金属层501反射，容易产生眩光现象，导致显示面板100的对比度低。
如图7、图10及图11所示，在阵列基板5的金属层501远离所述背光模组1的一侧设置第二遮光层503。其中，所述第二遮光层503的反射率小于10％。第二遮光层503可以采用BM光阻材料制备形成，也可以采用黑化金属制备形成。黑化金属可以是氧化钼(MoOx)、钼(Mo)和氧化钼的叠层结构；也可以是氧化钼(MoOx)、铝(Al)和氧化钼的叠层结构，还可以是氧化钼(MoOx)、钛(Ti)和氧化钼的叠层结构，利用不同膜层间的相干相消作用降低干扰光，提升显示面板100的对比度。利用第二遮光层503的低反射率降低环境光在金属层501表面的反射，防止环境光照射阵列基板5内的金属层501后发生反射产生眩光现象，提升显示面板100的对比度。
如图8所示，背光模组1发出的穿过彩膜基板3的光线D照射至在阵列基板5的金属层501后反射至液晶层4，由于液晶层4的折射率不均匀导致发生散射现象，增加杂散光的比例，导致显示面板100对比度降低；背光模组1发出的穿过彩膜基板3的光线D照射至在阵列基板5的金属层501后反射至阵列基板5的薄膜晶体管的沟道附近，造成薄膜晶体管的开关漏电，关闭不严容易导致亮度串扰问题。
如图9、图10及图11所示，在阵列基板5的金属层501靠近所述背光模组1的一侧设置第一遮光层502。其中，所述第一遮光层502的反射率小于10％。第一遮光层502可以采用BM光阻材料制备形成，也可以采用黑化金属制备形成。黑化金属可以是氧化钼(MoOx)、钼(Mo)和氧化钼的叠层结构；也可以是氧化钼(MoOx)、铝(Al)和氧化钼的叠层结构，还可以是氧化钼(MoOx)、钛(Ti)和氧化钼的叠层结构，利用不同膜层间的相干相消作用降低干扰光，提升显示面板100的对比度。利用第一遮光层502的低反射率防止背光模组1的光线穿过彩膜基板3照射至在阵列基板5的金属层501后反射至液晶层4，避免由于液晶层4的折射率不均匀导致发生散射现象，避免增加杂散光的比例，提升显示面板的对比度；利用第一遮光层502的低反射率防止背光模组1的光线穿过彩膜基板3照射至在阵列基板5的金属层501后反射至阵列基板5的薄膜晶体管的沟道附近，避免造成薄膜晶体管的开关漏电，避免导致亮度串扰问题。
如图12及图13所示，阵列基板5包括：第一衬底511、第一有源层512、遮光单元513、第一栅极514、第一源漏极层515、第二有源层516、第二栅极517、第二源漏极层518、导电单元519、触控层520、公共电极521以及像素电极522。
其中，第一有源层512设置于所述第一衬底511靠近所述背光模组1的一侧。
其中，遮光单元513设置于所述第一有源层512与所述第一衬底511之间。遮光单元513主要用于防止光线照射第一有源层512，避免影响阵列基板5。
其中，第一栅极514设置于所述第一有源层512靠近所述背光模组1的一侧。
其中，第一源漏极层515设置于所述第一栅极514靠近所述背光模组1的一侧。其中，所述第一源漏极层515包括分别电连接于所述第一有源层512的两端的第一源极5151和第一漏极5152。
其中，第二有源层516与所述第一有源层512同层且间隔设置。
其中，第二栅极517与所述第一栅极514同层且间隔设置，且与所述第二有源层516对应设置。
其中，第二源漏极层518与所述第一源漏极层515同层且间隔设置，所述第二源漏极层518包括分别电连接于所述第二有源层516的两端的第二源极5181和第二漏极5182。
其中，导电单元519设置于所述第二源极5181和所述第二漏极5182之间，且与所述第二源极5181同层设置，且电连接至所述第二栅极517。
其中，触控层520设置于所述第一源漏极层515靠近所述背光模组1的一侧。
其中，公共电极521设置于所述触控层520远离所述背光模组1的一侧。其中，公共电极521可以采用氧化铟锡(ITO)制备形成。
其中，像素电极522设置于所述触控层520靠近所述背光模组1的一侧。其中，像素电极522可以采用氧化铟锡(ITO)制备形成。所述像素电极522电连接至所述第一漏极5152。
如图12所示，其中，所述金属层501包括所述遮光单元513、所述第一栅极514、所述第一源漏极层515、所述第二栅极517、所述第二源漏极层518、导电单元519及所述触控层520中的至少一个。本实施例中，金属层501包括所述遮光单元513、所述第一栅极514、所述第一源漏极层515、所述第二栅极517、所述第二源漏极层518、导电单元519及所述触控层520。即，本实施例中，在所述遮光单元513、所述第一栅极514、所述第一源漏极层515、所述第二栅极517、所述第二源漏极层518、导电单元519及所述触控层520靠近背光模组的一侧均设置第一遮光层502，在所述遮光单元513、所述第一栅极514、所述第一源漏极层515、所述第二栅极517、所述第二源漏极层518、导电单元519及所述触控层520远离背光模组的一侧均设置第二遮光层503。
本实施例中，第一遮光层502的材料为绝缘层材料。所述第一漏极5152上的第一遮光层502上均设有第一通孔523。第一通孔523主要用于所述第一漏极5152与公共电极521进行电连接。在其他实施例中，所述第一遮光层502的材料也可以是导电材料。当所述第一遮光层502的材料为导电材料时，所述阵列基板5还包括设置于所述金属层501与所述第一遮光层502之间的第一绝缘层(图未示)；所述第一漏极5152与所述第一遮光层502之间的所述第一绝缘层上均设有第二通孔(图未示)，所述第一漏极5152穿过所述第二通孔电连接至所述第一遮光层502。利用第一绝缘层防止第一遮光层502与金属层501直接接触，避免金属层501的电性产生不良现象。
本实施例中，第一遮光层502的材料为绝缘层材料。所述第二栅极517上的第一遮光层502上均设有第三通孔524。第三通孔524主要用于所述第二栅极517与导电单元519进行电连接。在其他实施例中，所述第一遮光层502的材料也可以是导电材料。当所述第一遮光层502的材料为导电材料时，所述阵列基板5还包括设置于所述金属层501与所述第一遮光层502之间的第一绝缘层(图未示)；所述第二栅极517与所述第一遮光层502之间的所述第一绝缘层上均设有第四通孔(图未示)，所述第二栅极517穿过所述第四通孔电连接至所述第一遮光层502。利用第一绝缘层防止第一遮光层502与金属层501直接接触，避免金属层501的电性产生不良现象。本实施例中，第二遮光层503的材料为绝缘材料，所述第一源极5151、所述第一漏极5152、所述第二源极5181、所述第二漏极5182、所述导电单元519上的所述第二遮光层503上均设有第五通孔525。第五通孔525主要用于所述第一源极5151、所述第一漏极5152、所述第二源极5181、所述第二漏极5182及所述导电单元519与其他元件进行电连接。
在其他实施例中，所述第二遮光层503的材料也可以是导电材料。当所述第二遮光层503的材料为导电材料时，所述阵列基板5还包括设置于所述金属层501与所述第一遮光层502之间的第二绝缘层(图未示)；所述第一源极5151、所述第一漏极5152、所述第二源极5181、所述第二漏极5182、所述导电单元519与所述第二遮光层503之间的所述第二绝缘层上均设有第六通孔(图未示)，所述第一源极5151、所述第一漏极5152、所述第二源极5181、所述第二漏极5182及所述导电单元519均通过所述第六通孔电连接至所述第二遮光层503。利用第二绝缘层防止第二遮光层503与金属层501直接接触，避免金属层501的电性产生不良现象。
其中，所述遮光单元513、所述第一栅极514、所述第一源漏极层515、所述第二栅极517、所述第二源漏极层518、导电单元519及所述触控层520均由金属材料制备形成。例如：Ti或Mo或Mo和Al的组合结构或Mo和Cu的组合结构或Mo、Cu及IZO的组合结构或IZO、Cu及IZO的组合结构或Mo、Cu及ITO的组合结构或Ni、Cu及Ni的组合结构或MoTiNi、Cu及MoTiNi的组合结构或NiCr、Cu及NiCr组合结构或CuNb等。
本实施例中，遮光单元513、第一栅极514及第二栅极517的材质为钼，所述遮光单元513、第一栅极514及第二栅极517上的第一遮光层502和第二遮光层503均包括氧化钼膜层。通过钼材质形成的遮光单元513、第一栅极514及第二栅极517与氧化钼材质形成的第一遮光层502和第二遮光层503之间进行相干相消的方式来降低反射光。
本实施例中，第一源极5151、第一漏极5152、第二源极5181、第二漏极5182以及导电单元519为钛/铝/钛的叠构，所述第一源极5151、第一漏极5152、第二源极5181、第二漏极5182以及导电单元519上的第一遮光层502和第二遮光层503除了氧化钼膜层，还需要在氧化钼膜层和金属层之间加上钼膜层。通过钼膜层和氧化钼膜层两者之间进行相干相消的方式来降低反射光。具体的，光线穿过氧化钼膜层后在钼膜层发生反射，穿过氧化钼膜层的透射光和经过钼膜层反射后的反射光之间发生干涉效应，实现干涉消光，降低反射光强。所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的总厚度范围为100nm-150nm。考虑到工艺上的可行性，所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的总厚度应当尽可能降低，以方便后期平坦化处理，如果所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的总厚度过大，难以实现平坦化，会影响后续膜层的平整性。本实施例中，所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的总厚度为120nm。所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的厚度的比值范围为1/6-1/2。通常，氧化钼膜层的厚度越厚，透光效果越差，为保证穿过氧化钼膜层的光线不会穿透钼膜层，因此钼膜层的厚度一般大于50nm。
如图1所示，液晶层4设置于所述阵列基板5与所述彩膜基板3之间。
如图1所示，第二偏光片6设置于所述阵列基板5远离所述背光模组1的一侧。第二偏光片6的基本结构包括：PVA(聚乙烯醇)和分别设置于PVA两侧的TAC(三醋酸纤维素)。其中，起到偏振作用的是PVA层，但是PVA极易水解，为了保护偏光膜的物理特性，因此在PVA的两侧各复合一层具有高光透过率、耐水性好又有一定机械强度的(TAC)薄膜进行防护。其中，第二偏光片6的偏振方向与所述第一偏光片2的偏振方向垂直。
如图1所示，盖板7设置于所述第二偏光片6远离所述背光模组1的一侧。本实施例中，盖板7通过光学胶(OCA)8粘贴于所述第二偏光片6远离所述背光模组1的一侧。盖板7主要用于保护其下的膜层，防止被外力损伤。
以上对本申请所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
背光模组；
彩膜基板，设置于所述背光模组的一侧；以及
阵列基板，设置于所述彩膜基板远离所述背光模组的一侧；
其中，所述阵列基板包括：
第一衬底；
金属层，设置于所述第一衬底靠近所述背光模组的一侧；以及
第一遮光层，设置于所述金属层靠近所述背光模组的一侧的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第二遮光层，设置于所述金属层远离所述背光模组的一侧的表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光层和所述第二遮光层的反射率均小于10％。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一有源层，设置于所述第一衬底靠近所述背光模组的一侧；
第一源漏极层，设置于所述第一有源层靠近所述背光模组的一侧，所述第一源漏极层包括分别电连接于所述第一有源层的两端的第一源极和第一漏极；
第二有源层，与所述第一有源层同层且间隔设置；
第二源漏极层，与所述第一源漏极层同层且间隔设置，所述第二源漏极层包括分别电连接于所述第二有源层的两端的第二源极和第二漏极；
其中，所述金属层包括所述第一源漏极层及所述第二源漏极层中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，当所述第一遮光层的材料为绝缘材料时，所述第一漏极上的所述第一遮光层上均设有第一通孔；
当所述第一遮光层的材料为导电材料时，所述阵列基板还包括设置于所述金属层与所述第一遮光层之间的第一绝缘层，所述第一漏极与所述第一遮光层之间的所述第一绝缘层上均设有第二通孔，所述第一漏极穿过所述第二通孔电连接至所述第一遮光层。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一栅极，设置于所述第一有源层靠近所述背光模组的一侧，且与所述第一有源层对应设置；
第二栅极，与所述第一栅极同层且间隔设置，且与所述第二有源层对应设置；
当所述第一遮光层的材料为绝缘材料时，所述第二栅极上的所述第一遮光层上均设有第三通孔；
当所述第一遮光层的材料为导电材料时，所述阵列基板还包括设置于所述金属层与所述第一遮光层之间的第一绝缘层，所述第二栅极与所述第一遮光层之间的所述第一绝缘层上均设有第四通孔，所述第二栅极穿过所述第四通孔电连接至所述第一遮光层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极及第二栅极上的第一遮光层和第二遮光层均包括氧化钼膜层。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极上的第一遮光层和第二遮光层均包括钼膜层和氧化钼膜层；
所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的总厚度范围为100nm-150nm；所述氧化钼膜层的厚度与所述钼膜层的厚度的比值范围为1/6-1/2。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：
第二衬底；
反射层，设置于所述第二衬底远离所述背光模组的一侧；
第三遮光层，设置于所述反射层远离所述背光模组的一侧；
多个开口，贯穿所述第三遮光层和所述反射层；以及
多个滤光单元，一一对应填充所述开口。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述反射层在所述第二衬底上的投影与所述第三遮光层在所述第二衬底上的投影重合。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述反射层的反射率大于60％。
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