CN107577380B - 具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，包括：一下基板；一薄膜晶体管层，设置于下基板上，包括多个薄膜晶体管；一公共电极层，设置于薄膜晶体管层上，包括多个公共电极，该等公共电极彼此电性连接；一电极整合层，设置于公共电极层上，包括多个像素电极及多个触控感应电极；一显示材料层，设置于电极整合层上，包括一显示材料；以及一上基板，设置于显示材料层上。

Description

具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备
技术领域
本发明关于触控显示设备，特别是关于嵌入式触控显示设备。
背景技术
嵌入式触控技术目前主要的发展方向可分为On-Cell及In-Cell两种技术。On-Cell Touch的技术是将触控面板的感应装置(Sensor)制作在薄膜上，然后贴合在最上层的上基板的玻璃上。In-Cell Touch技术则是将触控元件整合于显示面板之内，使得显示面板本身就具备触控功能，因此不需要与触控面板贴合或组装的额外制程。
而触控原理则包括光学式、电阻式及电容式等类型。根据光学式触控原理，透过光学传感器侦测因触控所致的光学变化，即可得知触控的位置；根据电阻式触控原理，分开的上感应电极层及下感应电极层因触控的压力而彼此接触导通而产生电流变化，透过侦测此一电流变化即可得知触控的位置；根据电容式触控原理，感应电极层因触控的静电感应而产生电压变化，透过侦测此一电压变化即可得知触控的位置。
为追求电子装置的小型化、元件的整合及制程的便利，嵌入式触控显示设备蔚为发展。然而，这些目标尚存在若干问题必须克服。在嵌入式触控显示设备中，触控元件由于设置在显示设备之内，触控信号与显示信号容易互相干扰。在采用互电容(mutual-capacitance)感应的情况下，触控感应层(Rx)与触控驱动层(Tx)将引发大量噪声，并增加布局的复杂度，而难以整合触控元件与显示设备。因此，目前亟需一种新的嵌入式触控显示设备，以满足上述需求，并避免上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种嵌入式触控显示设备，其具有一电极整合层，以将像素电极及触控电极整合于同一层，使得触控元件及显示设备在结构上及制程上可被整合，进而达到触控显示设备的小型化及制程的简化，其中所谓同一层是指实质上处于同一平面。此外，本发明采用自电容感应，以降低线路之间彼此干扰。在某些实施例中，本发明考虑到触控感应电极的敏感性，透过设置反射遮蔽电极及赋予其特定信号，以避免其他元件干扰触控感应电极。据此，嵌入式触控显示器的噪声问题可获得改善。
据此，根据本发明的一实施例，本发明提供一种嵌入式触控显示设备，包括：一下基板；一薄膜晶体管层，设置于该下基板上，该薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管；一公共电极层，设置于该薄膜晶体管层上，该公共电极层包括多个公共电极，该等公共电极彼此电性连接；一电极整合层，设置于该公共电极层上，该电极整合层包括多个像素电极及多个触控感应电极，其中，一触控感应电极为多个围绕像素电极的透明导电网格所组成；以及一显示材料层，设置于该电极整合层上，该显示材料层包括一显示材料。
此外，根据本发明的另一实施例，本发明提供一种嵌入式触控显示设备，包括：一下基板；一薄膜晶体管层，设置于该下基板上，该薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管；一电极整合层，设置于该薄膜晶体管层上，该电极整合层包括多个公共电极、多个像素电极及多个触控感应电极，该多个公共电极彼此电性连接，其中，一触控感应电极为多个围绕像素电极的透明导电网格所组成；以及一显示材料层，设置于该电极整合层上，并包括一显示材料。
优选地，该薄膜晶体管层还包括多条扫描线、多条数据线及多条感应电极走线。
优选地，该等触控感应电极处于同一平面，且只有该等触控感应电极参与一触控感应。
优选地，该像素电极、该公共电极与该触控感应电极的材料是选自ITO、ZnO、IZO、GZO、导电高分子、纳米碳管、石墨烯或厚度小于50nm的银膜。
优选地，该公用电极、该像素电极及该触控感应电极采用同一材料。
优选地，嵌入式触控显示设备还包括一触控感应控制电路；该触控感应控制电路包括一自电容侦测电路，该自电容侦测电路输出一电容激励信号至该等该触控感应电极之一，并自该触控感应电极接收一触控感应信号；该电容激励信号为一交流信号。
优选地，该公共电极层还包括多个反射遮蔽电极，该等反射遮蔽电极的位置对应于该等触控感应电极的位置。
优选地，该触控感应控制电路输出一反射遮蔽信号至该反射遮蔽电极。
优选地，该反射遮蔽信号是与该电容激励信号同相位或与该触控感应信号同相位。
附图说明
图1为本发明第一实施例的触控显示设备的剖面图。
图2为本发明第一实施例的薄膜晶体管层及电极整合层的上视图。
图3A、3B、3C分别为本发明第一实施例、第二实施例、第三实施例的像素电极及公共电极之间的电场图。
图4为本发明第一实施例的彩色滤光层及黑矩阵层的上视图。
图5为本发明第一实施例的触控显示设备的电路图。
图6A、6B分别为本发明第一实施例的第一例、第二例的自电容侦测电路的电路图。
图7为本发明第二实施例的触控显示设备的剖面图。
图8为本发明第三实施例的触控显示设备的剖面图。
附图标记说明：
100 嵌入式触控显示设备
101 下偏光层
102 下基板
103 薄膜晶体管层
1031 薄膜晶体管
1032 扫描线
1033 数据线
1034 感应电极走线
104 公共电极层
1041 公共电极
1042 反射遮蔽电极
105 电极整合层
1051 像素电极
1052 触控感应电极
106 显示材料层
1061 显示材料
107 彩色滤光层
1071、1072、1073 彩色滤光片
108 黑矩阵层
109 上基板
110 上偏光层
200 像素
201、202、203 子像素
510 显示控制电路
511 栅极驱动电路
512 源极驱动电路
520 触控感应控制电路
521 开关
600 自电容侦测电路
611 交流信号源
621、622 放大器
631 电容激励驱动电路
632 电容读取电路
X1、X2 节点
具体实施方式
兹以多个实施例举例说明本发明的技术内容。
图1为本发明第一实施例的具有透明网格触控电极的触控显示设备100的剖面图。如图1所示，嵌入式触控显示设备100依序包括一下偏光层101、一下基板102、一薄膜晶体管层103、一公共电极层104、一电极整合层105、一显示材料层106、一彩色滤光层107、一黑矩阵层108、一上基板109及一上偏光层110。
下基板102平行于上基板109。下基板102及上基板109可采用玻璃基板、高分子材料基板。
下偏光层101设置于下基板层102之下；上偏光层110设置于上基板109上。光在通过下偏光层101后会成为偏振光。当像素为暗态时，偏振光不可通过上偏光层110；当像素为亮态时，偏振光可通过上偏光层110。像素为暗态或亮态则取决于显示材料层106的状态。
请一并参照图2，薄膜晶体管层103包括多个薄膜晶体管1031、多个扫描线1032、多个数据线1033及多个感应电极走线1034。在本实施例中，薄膜晶体管1031为下栅极结构；在其他实施例中，其亦可为上栅极结构。在本实施例中，薄膜晶体管1031为非晶硅半导体；在其他实施例中，其亦可为多晶硅半导体，例如：低温多晶硅半导体(LTPS)。
图2为本发明第一实施例的薄膜晶体管层103及电极整合层105的上视图。如图2所示，多条扫描线1032及多条数据线1033大致上垂直交错，在各交错点设置有至少一薄膜晶体管1031及一像素电极1051，薄膜晶体管1031的栅极连接至扫描线1032。扫描线1032可控制薄膜晶体管1031的开关。薄膜晶体管1031的源极连接至数据线1033，其漏极则连接至像素电极1051。当开启时，薄膜晶体管1031可将数据线1033的信号传送至像素电极1051。感应电极走线1034可将电容激励信号传送至触控感应电极1052，或自触控感应电极1052接收触控感应信号。每一触控感应电极是由多个像素电极周遭的透明网格组成，每一触控感应电极连接至少一感应电极走线1034，该感应电极走线1034是由同层的透明导电材料所构成，或是由下方薄膜晶体管层的数据线1033及/或扫描线1032金属子层的导电金属所构成。该些感应电极走线1034以金属走线为优选。
请参照图1、2，公共电极层104包括多个公共电极1041及反射遮蔽电极1042。值得注意的是，各公共电极1041之间具有间隔，然而，在图1的剖面以外之处，其等可相连或不相连。同理，各像素电极1051之间具有间隔，然而，在图1的剖面以外之处，其等可相连或不相连。
在本实施例中，公共电极1041彼此电性连接，故其等处于等电位。公共电极1041及像素电极1051之间可形成电场，以控制显示材料层106的显示材料1061。由于公共电极1041及反射遮蔽电极1042处于同一层，两者优选可在同一制程步骤中形成。具体而言，两者可采用同一透明导电材料，例如：ITO、ZnO、IZO、GZO、导电高分子、纳米碳管、石墨烯或厚度小于50nm的银膜。两者亦可透过同一光罩形成。据此，制程可被简化。然而，在其他实施例中，公共电极1041及反射遮蔽电极1051可在不同制程步骤中形成，亦可采用不同透明导电材料或透过不同光罩形成。
反射遮蔽电极1042的位置对应于触控感应电极1052的位置。具体而言，反射遮蔽电极1042位在触控感应电极1052的下方，且触控感应电极1052的至少一部份重叠于反射遮蔽电极1042的至少一部份。由于触控感应电极1052甚为敏感，若有线路(例如：数据线1033)设置在其下方，则其容易受到干扰。因此，在触控感应电极1052及线路之间设置反射遮蔽电极1042，反射遮蔽电极1042可产生屏蔽效应，而避免下方线路干扰触控感应电极1052。在本实施例中，公共电极1041及反射遮蔽电极1042并不电性连接，因此可赋予两者不同信号，例如：赋予公共电极1041直流信号，而赋予反射遮蔽电极1042交流信号。
电极整合层105包括多个像素电极1051及多个触控感应电极1052。如图1所示，像素电极1051及触控感应电极1052实质上被整合于同一层。具体而言，像素电极1051的至少一部分及触控感应电极1052的至少一部分处于同一平面。据此，触控元件及显示设备可被内嵌式地整合，而触控显示设备亦可被小型化。由于像素电极1051及触控感应电极1052处于同一层，两者优选可在同一制程步骤中形成。具体而言，两者可采用同一透明导电材料，例如：ITO、ZnO、IZO、GZO、导电高分子、纳米碳管、石墨烯或厚度小于50nm的银膜。两者亦可透过同一光罩形成。据此，制程可被简化。然而，在其他实施例中，像素电极1051及触控感应电极1052可在不同制程步骤中形成，亦可采用不同透明导电材料或透过不同光罩形成。
薄膜晶体管层103、公共电极层104及电极整合层105之间可设置绝缘层，以支撑各层，并使各层电性绝缘。若各层需要电性连接，则可透过通孔为之。
如图2所示，各像素200是由三子像素201、202、203所组成。子像素201、202、203可分别显示红、绿、蓝，但不限于此。在本实施例中，像素电极1051优选位在子像素的中央，而触控感应电极1052优选位在子像素的周边，而围绕像素电极1051。如此可维持像素200的开口率及透光率。在其他实施例中，触控感应电极1052可位在子像素的一边或数边，亦可被黑矩阵层108覆盖。在如此配置下，多个触控感应电极1052整体呈现网格状，且每一触控感应电极1052可含盖多个像素电极1051周遭范围，例如一触控感应电极1052含盖500个像素电极1051周遭。电极走线1034由同层的透明导电材料构成，也可由位在反射遮蔽电极1042下方金属层的导电金属构成，以降低阻抗并免于干扰其他感应电极1052。
本发明的嵌入式触控显示设备，采用的感应原理是自电容(self-capacitance)感应。自电容(C)定义为使一单独导体增加一单位电压(V)所需的电荷量(Q)。互电容感应需要双层触控感应电极，在其间建立电容，始可进行触控感应。相较于互电容感应，自电容感应只需要单层触控感应电极，以其自电容，即可进行触控感应，且其感应灵敏性与信号噪声比皆优于互电容方式，特别适用于内嵌式触控装置。因此，在图1中，触控感应电极1052处于同一平面，且只有触控感应电极1052参与一触控感应。在图2中，触控感应电极1052自感应电极走线1034接收电容激励信号，亦自感应电极走线1034传送触控感应信号。触控感应电极1052透过自电容感应将电容激励信号转换成触控感应信号，例如：当人体接近或触碰触控感应电极1052时，触控感应信号会因人体的静电感应而大幅衰减或增强。从而，触控感应控制电路520可透过侦测触控感应信号判断触控感应电极1052是否被接近或触碰。
回到图1，显示材料层106包括显示材料1061。显示材料1061可具有极性。在本实施例中，显示材料1061为液晶。
本实施例采用的显示技术是边缘电场转换(fringe field switching，FFS)显示技术。如图1所示，像素电极1051平行于公共电极1041，两者上下交错排列，亦即，两相邻像素电极1051之间的间隔下方具有公共电极1041，或两相邻公共电极1041之间的间隔上方具有像素电极1051。
图3A为本发明第一实施例的像素电极1051及公共电场1041之间的电场图。如图3A所示，当像素电极1051及公共电极1041被施加电压时，两者之间会形成电场。举例而言，若以像素电极1051作为正电极，而以公共电极1041作为负电极，则电场自像素电极1051指向公共电极1041。其中，自像素电极1051的上表面指向公共电极1041的上表面的电场，会影响显示材料1061。在图1中，显示材料1061会根据电场而旋转至特定方向。根据显示材料1061的旋转方向，偏振光可能通过、部分通过或不通过上偏光层110。据此，像素的灰阶可被决定。
回到图1，彩色滤光层107包括多个彩色滤光片。如图4所示，其包括红色彩色滤光片1071、多个绿色彩色滤光片1072、多个蓝色彩色滤光片1073，且如图2所示，其等分别对应至子像素201、202、203。由下方背光装置(图未示)发出的白光在通过彩色滤光层107时即可显示出颜色。
黑矩阵层108包括不透明区域1081。不透明区域1081可以多个黑色线条所构成。不透明区域1081优选是位在薄膜晶体管1031与数据线及扫描线的上方，更佳是又含盖触控感应电极1052的上方。如此可避免环境光直射薄膜晶体管1031或触控感应电极1052，而可维护此等元件的特性，进而可维持触控显示设备的显示质量。
图4为本发明第一实施例的彩色滤光层及黑矩阵层的上视图。如图4所示，不透明区域1081围绕彩色滤光片1071、1072、1073，而呈现网格状。在制程上，黑矩阵层108可用于定义彩色滤光片1071、1072、1073的区域。在其他实施例中，黑矩阵层108可被省略。在此情况下，配合透明基板、透明晶体管、透明线路等透明元件，透明显示器可被实现。
图5为本发明第一实施例的触控显示设备的电路图。如图5所示，嵌入式触控显示设备100包括一栅极驱动电路511、一源极驱动电路512及一触控感应控制电路520。栅极驱动电路511及源极驱动电路512属于一显示控制电路510。栅极驱动电路511自扫描线1032控制薄膜晶体管1031的栅极，源极驱动电路512自数据线1033传送信号至薄膜晶体管1031，以对于像素电极进行充放电。触控感应控制电路520包括自电容侦测电路600及多个开关521。自电容侦测电路600透过感应电极走线1034，将电容激励信号传送至触控感应电极1052，然后自触控感应电极1052接收触控感应信号。触控感应控制电路520透过开关521选择将电容激励信号传送至哪个触控感应电极1052或自哪个触控感应电极1052接收触控感应信号。
图6A为本发明第一实施例的第一例的自电容侦测电路的电路图。如图6A所示，自电容侦测电路600包括一交流信号源611、二放大器621、622及一电容读取电路632。此外，二节点X1、X2亦被标示。
放大器621的增益大于0，其输入端连接至交流信号源611，其输出端则连接至节点X1。放大器621及交流信号源611构成一电容激励驱动电路631，以自节点X1输出一电容激励信号至触控感应电极1052。从而，电容激励信号为一交流信号。电容激励信号可被依序或随机输出至多个触控感应电极1052。具体而言，为了避免电容激励信号与显示信号互相干扰，电容激励信号可依序或随机与显示信号错开，例如：当显示信号依序地扫描时，电容激励信号亦依序地扫描，而透过延迟错开；或者，当显示信号随机地扫描时，电容激励信号亦随机地扫描，而在大部分时间错开。
放大器622的增益大于0，其输入端连接至节点X1，其输出端则连接至节点X2。放大器622在输入电容激励信号或触控感应信号后，自节点X2输出一反射遮蔽信号至反射遮蔽电极1042。因此，反射遮蔽信号的相位可相同于电容激励信号的相位或触控感应信号的相位。根据开关521的切换，反射遮蔽信号的相位可在第一时间相同于电容激励信号的相位，而在第二时间相同于触控感应信号的相位。由于电容激励信号或触控感应信号与反射遮蔽信号具有同一相位，感应电极走线1034及反射遮蔽电极之间的电容耦合效应即被降低，进而在感应电极走线1034传送的电容激励信号、触控感应信号可不被干扰，而被维持。
电容读取电路632连接至节点X1，以读取触控感应信号。在一触控过程中，电容激励信号自电容激励驱动电路631输出，透过感应电极走线1034前往触控感应电极1052，被触控感应电极1052转换成触控感应信号，再透过感应电极走线1034回到电容读取电路632。电容读取电路632可比较电容激励信号及触控感应信号的差异，进而判断触控感应电极1052是否被触控。
图6B为本发明第一实施例的第二例的自电容侦测电路的电路图。如图6B所示，在本例中，自电容侦测电路600包括一交流信号源611、二放大器621、622及一电容读取电路632。本例不同于第一例之处在于：放大器622的输入端不连接至节点X1，而连接至交流信号源611。在此配置下，反射遮蔽信号的相位亦可相同于电容激励信号的相位或触控感应信号的相位，使得电容激励信号、触控感应信号可不被干扰，而被维持。
第二实施例
图7为本发明第二实施例的具有透明网格触控电极的触控显示设备的剖面图。如图7所示，嵌入式触控显示设备100依序包括一下偏光层101、一下基板102、一薄膜晶体管层103、一公共电极层104、一电极整合层105、一显示材料层106、一彩色滤光层107、一黑矩阵层108、一上基板109及一上偏光层110。在本实施例中，除了公共电极层104之外，其他元件的材料、结构、配置、功能均如同第一实施例者。
如图7所示，在本实施例中，公共电极层104仅包括公共电极1041，而不具有反射遮蔽电极。以另一观点而言，在第一实施例中的反射遮蔽电极1042，在本实施例中被取代为公共电极1041。在本实施例中，公共电极1041优选为一整片。对于像素电极1051而言，若公共电极1041为一整片，则两者之间的电容较大，如此有助于显示。对于触控感应电极1052而言，若公共电极1041为一整片，则其可产生屏蔽效应，而避免下方线路干扰触控感应电极1052。
本实施例采用的显示技术是边缘电场转换显示技术。如图7所示，相较于第一实施例，本实施例的公共电极1041为一整片。像素电极1051平行于公共电极1041。两相邻像素电极1051之间具有间隔。图3B为本发明第二实施例的像素电极1051及公共电极1041之间的电场图。如图3B所示，第二实施例的电场形状相似于第一实施例的电场形状。
第二实施例的电路，可采用第一实施例的电路500，在此不再赘述。
第三实施例
图8为本发明第三实施例的触控显示设备的剖面图。如图8所示，嵌入式触控显示设备100依序包括一下偏光层101、一下基板102、一薄膜晶体管层103、一电极整合层105、一显示材料层106、一彩色滤光层107、一黑矩阵层108、一上基板109及一上偏光层110。相较于第一实施例，本实施例不具有公共电极层，且在本实施例中，除了整合电极层105之外，其他元件的材料、结构、配置、功能均如同第一实施例者。
在本实施例中，公共电极1041被整合于电极整合层105。如图8所示，公共电极1041、像素电极1051及触控电极1052均在同一层。具体而言，公共电极1041、像素电极1051及触控电极105各至少一部分处于同一平面。据此，触控元件及显示设备可被内嵌式地整合，而触控显示设备亦可被小型化。由于公共电极1041、像素电极1051及触控电极1052处于同一层，三者优选可在同一制程步骤中形成，例如：采用同一透明导电材料，或透过同一光罩形成。据此，制程可被简化。
本实施例采用的显示技术是平面转换(in-plane switching，IPS)显示技术。如图8所示，像素电极1051及公共电极1041处于同一平面并交错排列，亦即，两相邻像素电极1051之间的间隔具有公共电极1041，或两相邻公共电极1041之间的间隔具有像素电极1051。
图3C为本发明第一实施例的像素电极及公共电场之间的电场图。如图3C所示，当像素电极1051及公共电极1041被施加电压时，两者之间会形成电场。举例而言，若以像素电极1051作为正电极，而以公共电极1041作为负电极，则电场自像素电极1051指向公共电极1041。其中，自像素电极1051的上表面指向公共电极1041的上表面的电场，会影响显示材料1061。在图8中，显示材料1061会根据电场而旋转至特定方向。根据显示材料1061的旋转方向，偏振光可能通过、部分通过或不通过上偏光层110。据此，像素的灰阶可被决定。
第三实施例的电路，可采用第一实施例的电路500，在此不再赘述。
综上所述，本发明提供电极整合层，将像素电极及触控电极整合于同一层，使得触控元件及显示设备在结构上及制程上可被整合，进而达到触控显示设备的小型化及制程的简化。此外，本发明采用自电容感应，以降低线路之间彼此干扰。在某些实施例中，本发明考虑到触控感应电极的敏感性，透过设置反射遮蔽电极及赋予其特定信号，以避免其他元件干扰触控感应电极。据此，嵌入式触控显示器的噪声问题获得改善。
本领域技术人员基于本发明精神，可将本发明的技术内容进行各种结合或修饰。上述实施例只是便于说明而举例，本发明所主张的权利范围以申请专利范围为准。

Claims (11)

1.一种具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，包括：
一下基板；
一薄膜晶体管层，设置于该下基板上，该薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管；
一公共电极层，设置于该薄膜晶体管层上，该公共电极层包括多个公共电极，该多个公共电极彼此电性连接；
一电极整合层，设置于该公共电极层上，该电极整合层包括多个像素电极及多个触控感应电极，其中，每一个触控感应电极为多个围绕像素电极的透明导电网格所组成；
一显示材料层，设置于该电极整合层上，该显示材料层包括一显示材料；以及
一触控感应控制电路，该触控感应控制电路包括一自电容侦测电路，该自电容侦测电路输出一电容激励信号至该多个触控感应电极之一，并自该触控感应电极接收一触控感应信号，该电容激励信号为一交流信号；
其中，该多个触控感应电极处于同一平面作为一单层自电容触控感应结构，只有该多个触控感应电极参与一触控感应。
2.根据权利要求1所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该薄膜晶体管层还包括多条扫描线、多条数据线及多条感应电极走线。
3.根据权利要求1所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该像素电极、该公共电极与该触控感应电极的材料是选自ITO、ZnO、IZO、GZO、导电高分子、纳米碳管、石墨烯或厚度小于50nm的银膜。
4.根据权利要求1所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该公共电极、该像素电极及该触控感应电极采用同一材料。
5.根据权利要求1所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该公共电极层还包括多个反射遮蔽电极，该多个反射遮蔽电极的位置对应于该多个触控感应电极的位置。
6.根据权利要求5所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该触控感应控制电路输出一反射遮蔽信号至该反射遮蔽电极。
7.根据权利要求6所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该反射遮蔽信号是与该电容激励信号同相位或与该触控感应信号同相位。
8.一种具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，包括：
一下基板；
一薄膜晶体管层，设置于该下基板上，该薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管；
一电极整合层，设置于该薄膜晶体管层上，该电极整合层包括多个公共电极、多个像素电极及多个触控感应电极，该多个公共电极彼此电性连接，其中，一触控感应电极为多个围绕像素电极的透明导电网格所组成；一显示材料层，设置于该电极整合层上，并包括一显示材料；以及
一触控感应控制电路，该触控感应控制电路包括一自电容侦测电路，该自电容侦测电路输出一电容激励信号至该多个触控感应电极之一，并自该触控感应电极接收一触控感应信号，该电容激励信号为一交流信号；
其中，该多个触控感应电极处于同一平面作为一单层自电容触控感应结构，只有该多个触控感应电极参与一触控感应。
9.根据权利要求8所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该薄膜晶体管层还包括多条扫描线、多条数据线及多条感应电极走线。
10.根据权利要求8所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该像素电极、该公共电极与该触控感应电极的材料是选自ITO、ZnO、IZO、GZO、导电高分子、纳米碳管、石墨烯或厚度小于50nm的银膜。
11.根据权利要求8所述的具有透明网格触控电极的嵌入式触控显示设备，其中，该公共电极、该像素电极及该触控感应电极采用同一材料。
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