CN104123054B - 触控显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种触控显示装置，该触控显示装置包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板、设置在该第一基板与该第二基板之间的显示介质层以及设置在该第一基板朝向该显示介质层的一表面的触控感应层。该触控感应层上形成有多个感测电极，该第一基板的尺寸大于该第二基板以同时作保护玻璃之用。该触控显示装置无需保护玻璃，制程简单，不仅可节省生产时间，还可节省生产成本，并减小了厚度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种触控显示装置。
背景技术
随着科学技术的日益发展，移动电话、个人数字助理、笔记本电脑等数字化工具得到了广泛的应用，其中显示屏幕是这些工具中不可或缺的人机沟通界面。为了达到更便利、更轻巧以及更人性化的目的，许多信息产品已经由传统的键盘或鼠标等，转为使用触控面板(Touch Panel)作为其输入装置。
触控面板依照触控感应原理的不同可分为电阻式、电容式、光学式、声波式以及电磁式等多种类型，其中，由于电容式触控面板具有反应速度快、灵敏度高、可靠度佳以及耐用度高等优点，目前已被广为使用。依照组成方式的不同，电容式触控面板具有多种类型，如：直接在保护玻璃上形成透明电极层的类型(One Glass Solution，OGS)；在保护玻璃与显示面板之间的两层薄膜上分别形成透明电极层的类型(Glass/Film/Film，GFF)；将触控感应层设置在显示面板的偏光片与彩色滤光片基板之间的类型(On-Cell)；以及将触控感应层嵌入到显示面板的像素结构之中的类型(In-Cell)等。
然而，因为触控装置表面为人机介面互动最频繁的区块，触控显示装置无论在中央点或是四角位置，都必须维持一定程度的硬度与保护效果，以达到保护内部的触控感应层与显示面板的目的，不管是OGS、On-cell或In-cell类型的触控显示装置，在制作过程中，都需要采用全贴合工艺以形成触控显示装置，如OGS类型的触控显示装置需要采用全贴合工艺将带有透明电极层的保护玻璃与显示面板组合在一起，On-Cell或In-Cell类型的触控显示装置需要采用全贴合工艺将保护玻璃与带有触控感应层的显示面板组装在一起，保护玻璃的存在增加了触控显示装置的整体厚度，而且全贴合工艺良率较低，易造成保护玻璃、甚至显示面板等在贴合过程中消耗、报废，直接导致生产成本上升。
发明内容
本发明的目的包括提供一种触控显示装置以实现工序简单、成本减少并且生产效率高的目的。
具体地，本发明实施例提供一种触控显示装置，包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板、设置在该第一基板与该第二基板之间的显示介质层以及设置在该第一基板朝向该显示介质层的一表面的触控感应层，该触控感应层上形成有多个感测电极。该第一基板的尺寸大于该第二基板以同时作保护玻璃之用。
优选地，该第一基板上还设置有显示芯片与接口区，该显示芯片与该接口区均设置于该第一基板朝向该显示介质层的表面上。
在本发明的一个实施例中，该多个感测电极包括多个用于接收触控驱动信号的触控驱动电极与多个用于提供触控感应信号的触控感应电极，该多个触控驱动电极与该多个触控感应电极相间排列。
优选地，该多个触控驱动电极与该多个触控感应电极为楔形电极，该多个触控驱动电极较宽的一端均位于该触控显示装置的同一侧，该多个触控感应电极较宽的一端均位于该触控显示装置的另一侧。
优选地，该多个触控驱动电极较宽的一端分别通过设置在该触控显示装置一侧的多条触控信号引线连接至该接口区，该多个触控感应电极较宽的一端分别通过设置在该触控显示装置另一侧的多条触控信号引线连接至该接口区。
优选地，该多个感测电极的材料为透明导电材料。
在本发明的一个实施例中，该触控显示装置进一步包括设置在第一基板上的多条平行设置的扫描线与多条平行设置的数据线，该多个感测电极分别与该多条数据线平行且重叠设置，并与该多条扫描线绝缘相交以在相交处形成多个触控电容，该触控显示装置在每帧时段内分别具有显示时段和触控时段，在显示时段内，该扫描线用于提供扫描信号给对应的像素单元，该数据线用于提供数据信号给对应的像素单元；在触控时段内，该扫描线用于提供触控驱动信号给该多个触控电容，该多个感测电极用于提供触控感应信号。
优选地，该触控感应层由金属材质形成，该第一基板上进一步设置有黑矩阵图案层，该黑矩阵图案层设置在该第一基板与该触控感应层之间。
优选地，该多条扫描线形成于第一金属层中，该多条数据线形成于第二金属层中，该第一金属层设置在该触控感应层与该显示介质层之间，该第二金属层设置在该第一金属层与该显示介质层之间，该触控显示装置进一步包括存储电容电极层，该存储电容电极层设置在该触控感应层与该第一金属层之间，该存储电容电极层包括多个对应该多条扫描线的开口。
优选地，该第一基板进一步设置有平坦层和偏光片，该平坦层设置在该触控感应层与该存储电容电极层之间，该偏光片设置在该平坦层与该存储电容电极层之间。
在本发明的一个实施例中，该第一基板进一步设置有平坦层和公共电极层，该平坦层设置在该触控感应层与该显示介质层之间，该公共电极层设置在该平坦层与该显示介质层之间。
优选地，该第一基板进一步设置有偏光片，该偏光片设置在该平坦层与该公共电极层之间。
优选地，该触控显示装置进一步包括多条相互平行的扫描线，该第二基板朝向该显示介质层的表面设置有包括该扫描线的薄膜晶体管阵列。
优选地，该多个感测电极为平行设置的条形电极且与该多条扫描线绝缘相交，该多个感测电极分别通过设置在该第一基板上的多条触控信号引线连接至接口区，该接口区用于连接触控芯片。
优选地，该第一基板进一步设置有引脚区，该引脚区用于连接外部电路与该第二基板上的薄膜晶体管阵列，该引脚区设置在该第一基板朝向该显示介质层的表面上，该显示芯片通过设置在该第一基板上的多条显示信号引线连接至该引脚区。
优选地，该触控感应层为透明导电材料制成，该多条显示信号引线与该触控感应层在同一道光罩制程工艺中蚀刻而成。
优选地，该第二基板朝向该显示介质层的表面设置有连接薄膜晶体管阵列的引脚区，该触控显示装置进一步包括用于封住该显示介质层的胶框，该第一基板的引脚区、该第二基板上的引脚区与该胶框对应设置，该胶框内分布有多个金球，该第一基板的引脚区与该第二基板上的引脚区内的对应引脚分别经由该多个金球进行连接以实现电导通。
优选地，每个金球包括塑料内核、包裹该塑料内核的镍层、包裹该镍层的金层以及包裹该金层的绝缘层。
优选地，该扫描线沿第一方向延伸，该感测电极沿第二方向延伸，该触控显示装置进一步包括时序控制器，该时序控制器预先根据每一条扫描线在该触控显示装置的触摸屏上的沿第二方向所分布的位置与该扫描线被扫描的时间点之间的对应关系制作所有扫描线的位置与被扫描的时间点的对应关系查找表，当该触控显示装置的触摸屏被触摸时，该触控芯片侦测到触摸动作引起对应触摸点的感测电极所在处的电容变化的同时提供一表示有触摸动作发生的信号给该时序控制器，并根据电容的变化状况确定触摸点在第一方向上的坐标位置，该时序控制器在接收到该触控芯片所提供的信号之后，通过内部计数器记下该触摸动作发生的时间点，通过在该查找表中查找与该时间点对应的扫描线的位置，以确定该触摸点在第二方向上的坐标位置。
在本发明的一个实施例中，该第一基板上进一步设置有黑矩阵图案层和彩色滤光片层，该黑矩阵图案层设置在该第一基板与该触控感应层之间，该彩色滤光片层设置在该触控感应层与该显示介质层之间，该第二基板朝向该显示介质层的表面设置有公共电极。
在本发明的另一个实施例中，该触控显示装置进一步包括彩色滤光片层，该彩色滤光片层设置在该第二基板与该显示介质层之间。
优选地，该彩色滤光片层中的相邻两彩色滤光片部分重叠，该重叠区域用于避免两个相邻像素区域的混光或者漏光现象。
根据本发明实施例所提供的触控显示装置，该触控显示装置可以无需保护玻璃，减小了厚度，并且由于该触控显示装置的触控感应层形成在第一基板朝向显示介质层的内侧，无需使用现有技术中形成触控显示面板所需要的全贴合工艺，因此可避免因全贴合工艺所带来的生产损失。并且感测电极形成在第一基板上仅需要一道光罩制造工艺，可以与第一基板上的其他元件在同一制作流程上完成，无需增加额外的贴合设备，制程简单，不仅可节省生产时间，同样可节省生产成本。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的一种触控显示装置的平面结构示意图。
图2是图1所示的触控显示装置沿II-II的方向上的部分剖面结构示意图。
图3a至图3k是图1所示的触控显示装置在制造过程中的部分剖面结构示意图。
图4是本发明第二实施例提供的一种触控显示装置的平面结构示意图。
图5是图4所示的触控显示装置沿V-V的方向上的部分剖面结构示意图。
图6是图4所示的触控显示装置沿VI-VI的方向上的部分剖面结构示意图。
图7a至图7k是图4所示的触控显示装置在制造过程中的部分剖面结构示意图。
图8是本发明第三实施例提供的一种触控显示装置的部分剖面结构示意图。
图9是本发明第四实施例提供的一种触控显示装置的平面结构示意图。
图10是图9所示的触控显示装置沿X-X的方向上的部分剖面结构示意图。
图11是图9所示的触控显示装置沿XI-XI的方向上的部分剖面结构示意图。
图12是图11所示的一个金球的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的触控显示装置其具体实施方式、方法、步骤、结构、特征及功效，详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例详细说明中将可清楚的呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
请参考图1，图1是本发明第一实施例提供的一种触控显示装置的平面结构示意图。如图1所示，触控显示装置10为自容式电容触控显示装置，该触控显示装置10包括显示区100与非显示区101，非显示区101围绕在显示区100的四周。在显示区100内，该触控显示装置10包括多个感测电极1110，该多个感测电极1110包括多个用于接收触控驱动信号的触控驱动电极1111与多个用于提供触控感应信号的触控感应电极1112，该多个触控驱动电极1111与该多个触控感应电极1112相间排列且均为楔形电极，楔形电极的一端较宽，另一端较窄。该多个触控驱动电极1111的较宽的一端均位于该触控显示装置10的同一侧，该多个触控感应电极1112的较宽的一端均位于该触控显示装置10的另一侧。在显示区100的相对两边处的非显示区101内分别设置有多条触控信号引线102，该多个触控驱动电极1111的较宽的一端分别与一边非显示区101内的多条触控信号引线102对应连接，该多个触控感应电极1112的较宽的一端分别与另一边非显示区101内的多条触控信号引线102对应连接。该非显示区101内的多条触控信号引线102连接至接口区103，用于将与接口区103连接的触控芯片(图未示)输出的触控驱动信号提供给该多个触控驱动电极1111，并将该多个触控感应电极1112上产生的触控感应信号传送至触控芯片，以由触控芯片进行处理。
请一并参考图2，图2是图1所示的触控显示装置10沿II-II的方向上的部分剖面结构示意图，需要说明的是，在显示区100内，图2仅绘示出两个像素为例进行说明。如图2所示，触控显示装置10包括第一基板11、与第一基板11相对设置的第二基板12、设置在第一基板11与第二基板12之间的显示介质层13。在本实施例中，该显示介质层13为液晶层，在其他实施方式中，该显示介质层13还可为有机发光层或者其他可作为显示用的介质层。
在本实施例中，触控显示装置10采用扭转向列型(Twisted Nematic，TN)显示架构。在其他实施方式中，该触控显示装置10也可以采用平面内切换型(In-PlaneSwitching，IPS)、边缘电场切换型(Fringe Field Switching，FFS)或者垂直取向型(Vertical Alignment，VA)等显示架构。
第一基板11的材质可为强化玻璃，且该第一基板11的尺寸大于第二基板12，因此该第一基板11可同时作保护玻璃之用从而使该触控显示装置10无需采用额外的保护玻璃以减小该触控显示装置10的厚度。触控显示装置10的薄膜晶体管阵列与彩色滤光片均设置在第一基板11上，具体而言，在第一基板11朝向显示介质层13的一表面依次设置有黑矩阵图案层104、触控感应层111、彩色滤光片层105、平坦层106、偏光片107、存储电容电极层112、第一绝缘层121、第一金属层131、第二绝缘层122、沟道层108、第二金属层132、第三绝缘层123以及像素电极层113。该触控感应层111、该存储电容电极层112以及该像素电极层113均由透明导电材料制成。在本实施例中，触控感应层111设置在黑矩阵图案层104与彩色滤光片层105之间，但并不以此为限，在其他实施方式中，触控感应层111还可设置在第一基板11朝向显示介质层13的表面与黑矩阵图案层104之间，或者设置在彩色滤光片层105与平坦层106之间。
在本实施例中，偏光片107设置在平坦层106与存储电容电极层112之间，可通过将偏光材料涂布于平坦层106的方式形成在平坦层106上，但并不以此为限。在本实施例中，由于该第一基板11同时作保护玻璃之用，因此，将偏光片107设置在该第一基板11朝向显示介质层13的内侧，可以使偏光片107受到第一基板11的保护而避免受到损伤。
在其他实施方式中，该偏光片107也可以通过偏光片贴附的方式设置于该第一基板11远离该显示介质层13的另一表面。
请再一并参考图1与图2，其中，触控感应层111包括该多个感测电极1110。彩色滤光片层105包括多个红、绿、蓝彩色滤光片和/或白色滤光片或者其他合适颜色的滤光片，但不限于此。存储电容电极层112包括存储电容电极，且该存储电容电极层112同时作为信号屏蔽层，在该存储电容电极层112上施加固定电压，由于该存储电容电极层112位于触控感应层111与像素电极层113之间，因此当触控感应层111上的触控信号发生变化或者当像素电极层113上的显示信号发生变化时，因该存储电容电极层112上施加有固定电压，触控信号与显示信号不会干扰对方。第一金属层131包括栅极1310、扫描线(图未示)、公共电极线1312以及触控信号引线102。第二绝缘层122为栅极绝缘层。第二金属层132包括源极、漏极(未标示)以及数据线(图未示)。像素电极层113包括多个像素电极(未标示)。
第一绝缘层121上设置有多个第一通孔141，该第一通孔141贯穿该第一绝缘层121，存储电容电极层112上的存储电容电极经由该第一通孔141连接至公共电极线1312。该第一绝缘层121与该平坦层106上设置有多个第二通孔142，该第二通孔142贯穿该第一绝缘层121与该平坦层106，触控感应层111上的感测电极1110经由该第二通孔142连接至触控信号引线102。第三绝缘层123上设置有多个第三通孔143，该第三通孔143贯穿该第三绝缘层123，像素电极层113上的像素电极经由第三通孔143连接至对应的源极或漏极。
在第二基板12朝向显示介质层13的表面设置有公共电极层114，该公共电极层114由透明导电材料制成。
此外，请再参考图1，该第一基板11上还设置有显示芯片110，该显示芯片110位于非显示区101内且邻近该接口区103，该显示芯片110与接口区103均设置于触控显示装置10的第一基板11朝向显示介质层13的表面上。该显示芯片110用于为该显示区100内的多个像素提供扫描信号、数据信号等显示信号。在本实施例中，显示芯片110位于非显示区101内且邻近接口区103，即显示芯片110与接口区103均设置于触控显示装置10的第一基板11上同一侧的非显示区101内，但并不以此为限，在其他实施方式中，显示芯片110与接口区103也可以设置于触控显示装置10的第一基板11不同侧的非显示区101内。进一步的，可将触控芯片与显示芯片110集成在一个集成芯片上，在此情形下，触控信号引线102可直接连接至该集成芯片，由该集成芯片提供触控驱动信号给触控驱动电极1111，并对触控感应电极1112上产生的触控感应信号进行处理。
由于该第一基板11采用强化玻璃，且第一基板11的尺寸大于第二基板12，因此该第一基板11可以取代现有技术中的彩色滤光片基板、触控面板以及保护玻璃的组合，无需另外通过贴合一层保护玻璃来增加触控显示装置10的触控面板的强度，在节省成本的同时，省去了全贴合工艺制程，增加了产品良率，并减小了触控显示装置10的厚度。
请一并参考图3a至图3k，图3a至图3k是图1所示的触控显示装置在制造过程中的部分剖面结构示意图。该制造过程主要以在第一基板11上形成各元件为例进行说明，该制造过程包括以下步骤：
步骤S31，请参考图3a，提供第一基板11并在该第一基板11上形成黑矩阵图案层104。其中，该第一基板11为透明基板，其材料可采用强化玻璃，但不限于此。该黑矩阵图案层104形成在第一基板11上，形成该黑矩阵图案层104的方法例如是转印法或喷墨法，但不限于此。
步骤S32，请参考图3b，形成触控感应层111。在本步骤中，通过第一道光罩制造工艺形成触控感应层111，即，先在第一基板11形成有黑矩阵图案层104的一侧上形成一第一透明导电层，然后图案化该第一透明导电层以形成具有多个感测电极1110的触控感应层111。举例来说，图案化该第一透明导电层的步骤包括先在该第一透明导电层上全面形成光致抗蚀剂层；接着利用一光掩模对光致抗蚀剂层进行一道曝光工艺，以形成图案化的光致抗蚀剂层；再利用图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模以蚀刻该第一透明导电层以形成具有多个感测电极1110的触控感应层111。此外，需去除图案化的光致抗蚀剂层，再进行清洗与干燥等蚀刻后续工艺。
第一透明导电层的材料可包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化镉锡(Cadmium Tin Oxide,CTO)、氧化铝锡(Aluminum TinOxide,ATO)、氧化铟锌锡(Indium Tin Zinc Oxide,ITZO)、氧化锌(Zinc Oxide)、氧化镉(Cadmium Oxide)、氧化铪(Hafnium Oxide)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)、氧化铟镓锌镁(Indium Gallium Zinc Magnesium Oxide,IGZMO)、氧化铟锌镁(Indium Zinc Magnesium Oxide,IZMO)或氧化铟镓铝(Indium Gallium Aluminum Oxide,IGAO)等透明导电材料。
步骤S33，请参考图3c，形成彩色滤光片层105。其中，彩色滤光片层105形成在第一基板11形成有触控感应层111的一侧上，形成彩色滤光片层105的方法可以是喷墨法，但不限于此。
步骤S34，请参考图3d，依次形成平坦层106与偏光片107。其中，平坦层106形成在第一基板11形成有彩色滤光片层105的一侧上，形成平坦层106的方法例如是低温化学气相沉积法或旋转涂布法，而平坦层106的材料例如是无机材料(例如为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝等)或有机材料(例如为光致抗蚀剂、苯并环丁烯(Enzocyclobutane，BCB)、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类等)，在此并不限定平坦层106的形成方法与材料。
偏光片107形成在平坦层106上，可将偏光材料通过旋转涂布法形成在平坦层106上以形成该偏光片107，但不限于此。
步骤S35，请参考图3e，形成存储电容电极层112。在本步骤中，通过第二道光罩制造工艺形成存储电容电极层112，即，先在第一基板11形成有偏光片107的一侧上形成一第二透明导电层，然后图案化该第二透明导电层以形成具有存储电容电极的存储电容电极层112。
步骤S36，请参考图3f，依次形成第一绝缘层121与第一通孔141、第二通孔142。其中，第一绝缘层121可通过低温化学气相沉积法或旋转涂布法形成在第一基板11形成有存储电容电极层112的一侧上，但不限于此。第一绝缘层121的材料例如是无机材料(例如为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝等)或有机材料(例如为光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类等)。
在本实施例中，在第一绝缘层121形成之后，通过第三道光罩制造工艺形成贯穿该第一绝缘层121的第一通孔141以及贯穿该第一绝缘层121与该平坦层106的第二通孔142。具体地，先于第一绝缘层121上全面形成光致抗蚀剂层，接着利用灰阶光掩模、半色调光掩模、或是相位移光掩模对光致抗蚀剂层进行一道曝光工艺，使得光致抗蚀剂层成为图案化光致抗蚀剂层并具有两种厚度，其中厚的图案化光致抗蚀剂层对应用于形成第一通孔141的位置，薄的图案化光致抗蚀剂层对应用于形成第二通孔142的位置，其后，利用该图案化光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模而对第一绝缘层121与平坦层106进行蚀刻工艺，分别形成多个第一通孔141与多个第二通孔142。之后去除图案化光致抗蚀剂层，再进行清洗与干燥等蚀刻后续工艺。
在其他实施例中，也可先通过一道光罩制造工艺在第一绝缘层121形成第一通孔141以及第二通孔142在第一绝缘层121上的部分，然后再通过另一道光罩制造工艺在平坦层106上形成第二通孔142的剩下部分。
步骤S37，请参考图3g，形成第一金属层131。其中，第一金属层131的形成可以先通过溅镀法形成一层金属在第一绝缘层121上，然后再通过第四道光罩制造工艺图案化该层金属以形成具有栅极1310、扫描线、公共电极线1312以及触控信号引线102等的第一金属层131。该第一金属层131的材料例如是金、银、铜、铝、钼、钛、钽、镉、或其他金属导电材料。
第一金属层131形成之后，公共电极线1312经由第一通孔141连接至存储电容电极层112上的存储电容电极，触控信号引线102经由第二通孔142连接至触控感应层111上的感测电极1110。
步骤S38，请参考图3h，依次形成第二绝缘层122与沟道层108。其中，该第二绝缘层122作为栅极绝缘层形成在第一基板11形成有第一金属层131的一侧上，该第二绝缘层122的形成方法和材料与该第一绝缘层121相似，在此不再赘述。
在第二绝缘层122形成之后，在第二绝缘层122上通过例如是化学气相沉积法形成一半导体层。在本实施例中，半导体层可以包括一沟道材质层，沟道材质层的材质例如是非晶硅或多晶硅。在其他实施例中半导体层还可进一步包括一欧姆接触材质层，使沟道材质层位于该欧姆接触材质层与第二绝缘层122之间，欧姆接触材质层的材质例如是经掺杂的非晶硅。然后再通过第五道光罩制造工艺图案化该半导体层以形成沟道层108。
步骤S39，请参考图3i，形成第二金属层132。其中，该第二金属层132的形成可先通过溅镀法形成一层金属在第一基板11形成有沟道层108的一侧上，然后再通过第六道光罩制造工艺图案化该层金属以形成具有源极、漏极以及数据线等的第二金属层132。该第二金属层132的材料与第一金属层131相似，在此不再赘述。
步骤S40，请参考图3j，依次形成第三绝缘层123以及第三通孔143。其中，第三绝缘层123形成在第一基板11形成有第二金属层132的一侧上，该第三绝缘层123的形成方法和材料与该第一绝缘层121相似，在此不再赘述。
在第三绝缘层123形成之后，通过第七道光罩制造工艺形成贯穿该第三绝缘层123的第三通孔143。第七道光罩制造工艺与上述第一道光罩制造工艺相似，在此不再赘述。
步骤S41，请参考图3k，形成像素电极层113。其中，通过第八道光罩制造工艺形成像素电极层113，即，先在第一基板11形成有第三绝缘层123的一侧上形成一第三透明导电层，然后图案化该第三透明导电层以形成具有多个像素电极的像素电极层113。该第三透明导电层的材料与该第一透明导电层的材料相似，在此不再赘述。
该像素电极层113形成之后，像素电极层113上的像素电极经由第三通孔143连接至对应的源极或漏极。
至此，该触控显示装置10的第一基板11上的各元件的制作基本完成。
综上所述，由于本实施例中的触控显示装置10将具有感测电极1110的触控感应层111形成在第一基板11朝向显示介质层13的内侧，无需使用现有技术中形成触控显示面板所需要的全贴合工艺，因此可避免因全贴合工艺所带来的生产损失。并且感测电极1110形成在第一基板11上仅需要一道光罩制造工艺，且与第一基板11上的其他元件在同一制作流程上完成，无需增加额外的贴合设备，制程简单，不仅可节省生产时间，同样可节省生产成本。
图4是本发明第二实施例提供的一种触控显示装置的平面结构示意图，图5是图4所示的触控显示装置20沿V-V的方向上的剖面结构示意图，图6是图4所示的触控显示装置20沿VI-VI的方向上的剖面结构示意图，需要说明的是，图5和图6仅绘示出两个像素为例以进行说明。请一并参考图4、图5与图6，触控显示装置20为互容式电容触控显示装置，触控显示装置20包括显示区200与非显示区201，非显示区201围绕在显示区200的四周。在显示区200内，该触控显示装置20包括多条平行设置的扫描线2311、多条平行设置的数据线2321(见图5)以及多个平行设置的感测电极2110。该多个感测电极2110分别与该多条数据线2321平行且重叠设置，且该多个感测电极2110与该多条扫描线2311绝缘相交，并在相交处形成多个触控电容。扫描线2311的一端与数据线2321通过对应的引线连接至位于非显示区201内的显示芯片210，扫描线2311的另一端与该多个感测电极2110分别通过非显示区201内的多条触控信号引线202连接至接口区203，具体的，在本实施例中，显示芯片210与接口区203位于该触控显示装置20的同一侧，但并不以此为限。
该触控显示装置20在每帧时段内分别具有显示时段和触控时段，在显示时段内，显示芯片210通过扫描线2311提供扫描信号给对应的像素单元，通过数据线2321提供数据信号给对应的像素单元；在触控时段内，触控芯片通过扫描线2311提供触控驱动信号提供给触控电容，而当有触摸动作发生时，对应的感测电极2110上产生的触控感应信号经由接口区203传送至触控芯片，以由触控芯片进行处理。在其他实施方式中，触控芯片也可以与显示芯片210集成在一个集成芯片上，在此情形下，触控信号引线202可直接连接至该集成芯片，由该集成芯片提供触控驱动信号给触控电容，并对对应感测电极2110上产生的触控感应信号进行处理。
请再参考图5与图6，需要说明的是，在显示区200内，图5和图6仅绘示出两个像素为例以进行说明。如图5和图6所示，触控显示装置20包括第一基板21、与第一基板21相对设置的第二基板22、设置在第一基板21与第二基板22之间的显示介质层23。在本实施例中，该显示介质层23为液晶层，在其他实施方式中，该显示介质层23还可为有机发光层或者其他可作为显示用的介质层。
在本实施例中，该触控显示装置20采用扭转向列型显示架构，但并不以此为限，在其他实施方式中，该触控显示装置20也可以采用平面内切换型、边缘电场切换型或者垂直取向型等显示架构。
第一基板21的材质可为强化玻璃，且第一基板21的尺寸大于第二基板22，因此该第一基板21可同时作保护玻璃之用从而使该触控显示装置20无需采用额外的保护玻璃以减小该触控显示装置20的厚度。触控显示装置20的显示芯片210与接口区203均设置在该第一基板21朝向显示介质层23的表面上。
该触控显示装置20的薄膜晶体管阵列与彩色滤光片同样均设置在第一基板21上，具体而言，在第一基板21朝向显示介质层23的表面依次设置有黑矩阵图案层204、触控感应层211、彩色滤光片层205、平坦层206、偏光片207、存储电容电极层212、第一绝缘层221、第一金属层231、第二绝缘层222、沟道层208、第二金属层232、第三绝缘层223以及像素电极层213。存储电容电极层212以及该像素电极层213均由透明导电材料制成。
在本实施例中，偏光片207设置在平坦层206与存储电容电极层212之间，在其他实施方式中，该偏光片207也可设置于该第一基板21远离该显示介质层23的另一表面。
在本实施例中，触控感应层211由金属材质形成，触控感应层211包括该多个感测电极2110，该多个感测电极2110均被黑矩阵图案层204所遮蔽。彩色滤光片层205包括多个红、绿、蓝彩色滤光片和/或白色滤光片或者其他合适颜色的滤光片，但不限于此。存储电容电极层212上形成有存储电容电极以及多个开口2120，该存储电容电极层212同时作为信号屏蔽层，用以屏蔽触控信号与显示信号之间的相互干扰。第一金属层231上形成有栅极2310、扫描线2311、公共电极线2312以及触控信号引线202。第二绝缘层222为栅极绝缘层。第二金属层232上形成有源极、漏极(图中未标示)以及数据线2321，该数据线2321与对应的感测电极2110重叠设置。第二透明像素电极层213上形成有多个像素电极。
第一绝缘层221上设置有多个第一通孔241，该第一通孔241贯穿该第一绝缘层221，存储电容电极层212上的存储电容电极经由该第一通孔241连接至公共电极线2312。该第一绝缘层221与该平坦层206上设置有多个第二通孔242，该第二通孔242贯穿该第一绝缘层221与该平坦层206，触控感应层211上的感测电极2110经由该第二通孔242连接至触控信号引线202。第三绝缘层223上设置有多个第三通孔243，该第三通孔243贯穿该第三绝缘层223，像素电极层213上的像素电极经由第三通孔243连接至对应的源极或漏极。
该存储电容电极层212上的开口2120与第一金属层231上的扫描线2311对应设置，该开口2120的设置是为了避免当扫描线2311在触控时段内传送触控驱动信号时，该触控驱动信号被存储电容电极层212所屏蔽而影响触控效果。
在第二基板22朝向显示介质层23的一表面设置有公共电极214，该公共电极214为透明导电材料制成。
由于第一基板21采用强化玻璃制成，且该第一基板21的尺寸大于第二基板22，因此该第一基板21可以取代现有技术中的彩色滤光片基板、触控面板以及保护玻璃的组合。也就是说，本发明的触控显示装置20至少可以无需保护玻璃，因此，至少可以节省保护玻璃所需的成本。而且，第一基板21采用强化玻璃，因此第一基板21可以取代现有技术中的彩色滤光片基板、触控面板以及保护玻璃的组合，无需另外通过贴合一层强化玻璃来增加触控显示装置20的触控面板的强度，在节省成本的同时，省去了全贴合工艺制程，增加了产品良率，并减小了触控显示装置20的厚度。
请一并参考图7a至图7k，7a至图7k是图4所示的触控显示装置在制造过程中的部分剖面结构示意图。该制造过程主要以在第一基板21上形成各元件为例进行说明，该制造过程包括以下步骤：
步骤S71，请参考图7a，提供第一基板21并在该第一基板21上形成黑矩阵图案层204。其中，该第一基板21为透明基板，其材料可采用强化玻璃，但不限于此。该黑矩阵图案层204形成在第一基板21上，形成该黑矩阵图案层204的方法例如是转印法或喷墨法，但不限于此。
步骤S72，请参考图7b，形成触控感应层211。在本步骤中，通过第一道光罩制造工艺形成触控感应层211，即，先在第一基板21形成有黑矩阵图案层204的一侧上通过例如是溅镀法形成一层金属，然后图案化该层金属以形成具有多个感测电极2110的触控感应层211。该触控感应层211的材料例如是金、银、铜、铝、钼、钛、钽、镉、或其他金属导电材料。举例来说，图案化该层金属的步骤包括先在该层金属上全面形成光致抗蚀剂层；接着利用一光掩模对光致抗蚀剂层进行一道曝光工艺，以形成图案化的光致抗蚀剂层；再利用图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模以蚀刻该层金属以形成具有多个感测电极2110的触控感应层211。此外，需去除图案化的光致抗蚀剂层，再进行清洗与干燥等蚀刻后续工艺。
步骤S73，请参考图7c，形成彩色滤光片层205。其中，该彩色滤光片层205形成在第一基板21形成有触控感应层211的一侧上，形成彩色滤光片层205的方法可以是喷墨法，但不限于此。
步骤S74，请参考图7d，依次形成平坦层206与偏光片207。其中，该平坦层206形成在第一基板21形成有彩色滤光片层205的一侧上，形成平坦层206的方法例如是低温化学气相沉积法或旋转涂布法，而平坦层206的材料例如是无机材料(例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝等)或有机材料(例如是光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类等)，在此并不限定平坦层206的形成方法与材料。
偏光片207形成在平坦层206上，可将偏光材料通过旋转涂布法形成在该平坦层206上以形成该偏光片207，但不限于此。
步骤S75，请参考图7e，形成存储电容电极层212。在本步骤中，通过第二道光罩制造工艺形成存储电容电极层212，即，先在第一基板21形成有偏光片207的一侧上形成一第一透明导电层，然后图案化该第一透明导电层以形成具有存储电容电极以及开口2120的存储电容电极层212。
第一透明导电层的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化镉锡、氧化铝锡、氧化铟锌锡、氧化锌、氧化镉、氧化铪、氧化铟镓锌、氧化铟镓锌镁、氧化铟锌镁或氧化铟镓铝等，但不限于此。
步骤S76，请参考图7f，依次形成第一绝缘层221与第一通孔241、第二通孔242。其中，该第一绝缘层221可通过低温化学气相沉积法或旋转涂布法形成在第一基板21形成有存储电容电极层212的一侧上，但不限于此。该第一绝缘层221的材料例如是无机材料(例如为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝等)或有机材料(例如为光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类等)，但不限于此。
在本实施例中，在第一绝缘层221形成之后，通过第三道光罩制造工艺形成贯穿该第一绝缘层221的第一通孔241以及贯穿该第一绝缘层221与该平坦层206的第二通孔242。具体地，先于第一绝缘层221上全面形成光致抗蚀剂层，接着利用灰阶光掩模、半色调光掩模、或是相位移光掩模对光致抗蚀剂层进行一道曝光工艺，使得光致抗蚀剂层成为图案化光致抗蚀剂层并具有至少两种厚度，其中厚的图案化光致抗蚀剂层对应用于形成第一通孔241的位置，薄的图案化光致抗蚀剂层对应用于形成第二通孔242的位置，其后，利用该图案化光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模而对第一绝缘层121与平坦层106进行蚀刻工艺，分别形成多个第一通孔241与多个第二通孔242。之后去除图案化光致抗蚀剂层，再进行清洗与干燥等蚀刻后续工艺。
在其他实施例中，也可先通过一道光罩制造工艺在第一绝缘层221形成第一通孔241以及第二通孔242在第一绝缘层221上的部分，然后再通过另一道光罩制造工艺在平坦层206上形成第二通孔242的剩下部分。
步骤S77，请一并参考图7g和图6，形成第一金属层231。其中，第一金属层231的形成可以先通过溅镀法形成一层金属在该第一绝缘层221上，然后再通过第四道光罩制造工艺图案化该层金属以形成具有栅极2310、扫描线2311、公共电极线2312以及触控信号引线202等的第一金属层231。该第一金属层231的材料与该触控感应层211相似，在此不再赘述。
第一金属层231形成之后，公共电极线2312经由第一通孔241连接至存储电容电极层212上的存储电容电极，触控信号引线202经由第二通孔242连接至触控感应层211上的感测电极2110。
步骤S78，请参考图7h，依次形成第二绝缘层222与沟道层208。其中，该第二绝缘层222作为栅极绝缘层形成在第一基板21形成有第一金属层231的一侧上，该第二绝缘层222的形成方法和材料与该第一绝缘层221相似，在此不再赘述。
在该第二绝缘层222形成之后，在该第二绝缘层222上通过例如是化学气相沉积法形成一半导体层。在本实施例中，半导体层可以包括一沟道材质层，沟道材质层的材质例如是非晶硅或多晶硅。在其他实施例中半导体层还可进一步包括一欧姆接触材质层，使沟道材质层位于该欧姆接触材质层与第二绝缘层222之间，欧姆接触材质层的材质例如是经掺杂的非晶硅。然后再通过第五道光罩制造工艺图案化该半导体层以形成沟道层208。
步骤S79，请参考图7i，形成第二金属层232。其中，该第二金属层232的形成可先通过溅镀法形成一层金属在第一基板21形成有沟道层208的一侧上，然后再通过第六道光罩制造工艺图案化该层金属以形成具有源极、漏极以及数据线2321等的第二金属层232。该第二金属层232的材料与触控感应层211相似，在此不再赘述。
步骤S80，请参考图7j，依次形成第三绝缘层223以及第三通孔243。其中，该第三绝缘层223形成在第一基板21形成有第二金属层232的一侧上，该第三绝缘层223的形成方法和材料与该第一绝缘层221相似，在此不再赘述。
在第三绝缘层223形成之后，通过第七道光罩制造工艺形成贯穿该第三绝缘层223的第三通孔243。第七道光罩制造工艺与上述第一道光罩制造工艺相似，在此不再赘述。
步骤S81，请参考图7k，形成像素电极层213。其中，通过第八道光罩制造工艺形成像素电极层213，即，先在第一基板21形成有第三绝缘层223的一侧上形成一第二透明导电层，然后图案化该第二透明导电层以形成具有多个像素电极的像素电极层213。该第二透明导电层的材料与该第一透明导电层的材料相似，在此不再赘述。
该像素电极层213形成之后，像素电极层213上的像素电极经由第三通孔243连接至对应的源极或漏极。
至此，该触控显示装置20的第一基板21上的各元件的制作基本完成。
综上所述，由于本实施例中触控显示装置20的第一基板21采用强化玻璃，因此第一基板21可以取代现有技术中的彩色滤光片基板、触控面板以及保护玻璃的组合，无需使用现有技术中形成触控显示装置所需要的全贴合工艺，因此可避免因全贴合工艺所带来的生产损失。并且感测电极2110形成在第一基板21上仅需要一道光罩制造工艺，且与第一基板21上的其他元件在同一制作流程上完成，无需增加额外的贴合设备，制程简单，不仅可节省生产时间，同样可节省生产成本。
此外，在其他实施方式中，感测电极2110并不限于采用金属材料制成，也可采用透明导电材料制成。
在其他实施例中，本发明的彩色滤光片层也可形成在第二基板上。请参考图8，图8是本发明第三实施例提供的一种触控显示装置的部分剖面结构示意图。如图8所示，该触控显示装置30与第二实施例中的触控显示装置20相似，其区别主要在于：彩色滤光片层305形成在第二基板32朝向显示介质层33的表面。在本实施例中，彩色滤光片层305中的相邻两彩色滤光片可部分重叠，利用重叠区域来避免两个相邻像素区域的混光或者漏光现象。在其他实施例中，也可在第二基板32上另设一黑矩阵层，以避免上述混光或者漏光现象。
同样，在其他实施例中，第一实施例中的触控显示装置10的彩色滤光片层105可形成在第二基板12朝向显示介质层13的表面。
请参考图9，图9是本发明第四实施例提供的一种触控显示装置的平面结构示意图。如图9所示，触控显示装置40为自容式电容触控显示装置，该触控显示装置40包括显示区400与非显示区401，非显示区401围绕在显示区400的四周。在显示区400内，该触控显示装置40包括多个平行设置的感测电极4110以及多条平行设置的扫描线4311。该多个感测电极4110为条形电极，且与该多条扫描线4311绝缘相交。该多个感测电极4110分别通过非显示区401内的多条触控信号引线402连接至接口区403，该接口区403通过软性电路板440连接触控芯片450。
如图9所示，在本实施例中，扫描线4311沿第一方向X延伸，感测电极4110沿第二方向Y延伸。该触控显示装置40在进行触控点位置的确认时需利用为其提供时序控制信号、影像信号等显示信号的时序控制器(图未示)，由于在一帧影像显示时段内，每一条扫描线4311在该触控显示装置40的触摸屏上的沿第二方向Y所分布的位置与该扫描线4311被扫描的时间点之间存在一定的对应关系，该时序控制器可预先根据该对应关系制作所有扫描线4311的位置与被扫描的时间点的对应关系查找表。当触控显示装置40的触摸屏被触摸时，该触摸动作引起对应触摸点的感测电极4110所在处的电容变化，触控芯片450侦测到该电容变化的同时提供一表示有触摸动作发生的信号给时序控制器，并根据电容的变化状况确定触摸点在第一方向X上的坐标位置，而时序控制器在接收到该触控芯片450所提供的信号之后，通过其内部的计数器记下触摸动作发生的时间点，通过在上述查找表中查找与该时间点对应的扫描线4311的位置，从而确定触摸点在第二方向Y上的坐标位置。该触控显示装置40通过上述第一、第二方向X、Y上的坐标位置即可得到触摸点在触摸屏上的准确位置。
请一并参考图10，图10是图9所示的触控显示装置沿X-X的方向上的部分剖面结构示意图，需要说明的是，在显示区400内，图10仅绘示出两个像素为例进行说明。该触控显示装置40包括第一基板41、与第一基板41相对设置的第二基板42、设置在第一基板41与第二基板42之间的显示介质层43。在本实施例中，该显示介质层43为液晶层，在其他实施方式中，该显示介质层43还可为有机发光层或者其他可作为显示用的介质层。
在本实施例中，该触控显示装置40适用于第一基板41为彩色滤光片基板并且设置有公共电极的显示架构，比如扭转向列型、垂直取向型等显示架构。
该第一基板41的材质可为强化玻璃，且该第一基板41的尺寸大于第二基板42，因此该第一基板41可同时作保护玻璃之用从而使该触控显示装置40无需采用额外的保护玻璃以减小该触控显示装置40的厚度。在第一基板41朝向显示介质层43的表面依次设置有黑矩阵图案层404、触控感应层411、彩色滤光片层405、平坦层406、偏光片407以及公共电极层412。
在本实施例中，触控感应层411设置在黑矩阵图案层404与彩色滤光片层405之间，但并不以此为限，在其他实施方式中，触控感应层411还可设置在第一基板41朝向显示介质层43的表面与黑矩阵图案层404之间，或者设置在彩色滤光片层405与平坦层406之间。
在本实施例中，偏光片407设置在平坦层406与公共电极层412之间，可通过将偏光材料涂布于平坦层406的方式形成在平坦层406上，但并不以此为限。在其他实施方式中，该偏光片407也可设置于该第一基板41远离该显示介质层43的另一表面。由于在本实施例中，该第一基板41同时作保护玻璃之用，因此，将偏光片407设置在该第一基板41朝向显示介质层43的内侧，以更好地受到该第一基板41的保护而避免受到损伤。
与第一、第二实施例不同的是，本实施例的薄膜晶体管阵列设置在第二基板42上。如图10所示，在第二基板42朝向显示介质层43的表面依次设置有第一金属层431、第二绝缘层422、沟道层408、第二金属层432、第三绝缘层423以及像素电极层413。
该触控感应层411、该公共电极层412以及该像素电极层413均由透明导电材料制成。
请再一并参考图9与图10，其中，触控感应层411包括该多个感测电极4110以及多条触控信号引线402。彩色滤光片层405包括多个红、绿、蓝彩色滤光片和/或白色滤光片或者其他合适颜色的滤光片，但不限于此。公共电极层412为面电极，且同时作为信号屏蔽层，用以屏蔽触控信号与显示信号之间的相互干扰。第一金属层431包括栅极4310与扫描线4311(见图9)。第二绝缘层422为栅极绝缘层。第二金属层432包括源极、漏极(未标示)以及数据线(图未示)。像素电极层413包括多个像素电极(未标示)。
请再参考图9，该触控显示装置40还包括引脚区460和多个显示芯片410，该多个显示芯片410通过多条显示信号引线461连接至该引脚区460，该引脚区460可通过软性电路板与外部电路，如电源电路、时序控制器等连接。在本实施例中，该多个显示芯片410用于为该显示区100内的多个像素提供扫描信号、数据信号等显示信号。在其他实施例中，该多个显示芯片410为源极驱动芯片，用于为该显示区100内的多个像素提供数据信号，而可在第一基板41上另外设置栅极驱动芯片，或者将栅极驱动所需的元件集成在第二基板42中。在本实施例中，该显示信号引线461可与该触控感应层411在同一道光罩制程工艺中蚀刻而成，也就是说，该显示信号引线461与该触控感应层411是同一层透明导电材料制成。在其他实施例中，该显示信号引线461也可采用金属材料，通过增加一道光罩制程工艺蚀刻形成。
引脚区460、显示芯片410与接口区403均设置于触控显示装置40的第一基板41朝向显示介质层43的表面上，该引脚区460与显示芯片410设置于触控显示装置40的第一基板41上同一侧的非显示区401内。在本实施例中，该显示芯片410与接口区403并且分别设置于触控显示装置40的第一基板41相对两侧的非显示区401内，但并不以此为限，在其他实施方式中，显示芯片410与接口区403也可均设置于触控显示装置40的第一基板41上同一侧的非显示区401内。
在本实施例中，由于引脚区460、显示芯片410设置在第一基板41上，而薄膜晶体管阵列设置在第二基板42上，因此需要将第二基板42上的薄膜晶体管阵列中的扫描线4311和数据线与引脚区460连接起来以实现通过引脚区460为扫描线4311和数据线提供对应的显示信号。请一并参考图9和图11，其中，图11是图9所示的触控显示装置40沿XI-XI的方向上的部分剖面结构示意图。该触控显示装置40进一步包括用于封住显示介质层43的胶框44，该第二基板42在非显示区401内同样设置有连接扫描线4311和数据线的引脚区470。该引脚区460、470与该胶框44对应设置，该胶框44内分布有多个金球(Au ball)490，该引脚区460、470内的对应引脚经由该金球490进行连接以实现电导通。
请参考图12，图12是一个金球490的结构示意图。该金球490包括塑料内核491、包裹该塑料内核491的镍(Ni)层492、包裹该镍层492的金层493以及包裹该金层493的绝缘层494。在该触控显示装置40的制造过程中，将第一基板41与第二基板42进行压合时，该金球490最外面的绝缘层494由于被压时产生张力而破裂，而使与引脚区460、470接触的金层493曝露出来，因此可使金球490在水平方向上不导通，而在垂直方向上导通的特性，从而可连接引脚区460、470内的对应引脚而实现电导通。
由于该触控显示装置40的第一基板41采用强化玻璃，且第一基板41的尺寸大于第二基板42，因此该第一基板41可以取代现有技术中的彩色滤光片基板、触控面板以及保护玻璃的组合，无需另外通过贴合一层保护玻璃来增加触控显示装置40的触控面板的强度，在节省成本的同时，省去了全贴合工艺制程，增加了产品良率，并减小了触控显示装置40的厚度。
以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (22)
1.一种触控显示装置，包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板以及设置在该第一基板与该第二基板之间的显示介质层，其特征在于：该触控显示装置进一步包括触控感应层与存储电容电极层，该触控感应层设置在该第一基板朝向该显示介质层的一表面，该触控感应层上形成有多个感测电极，在该第一基板朝向该显示介质层的一表面上形成一第一透明导电层，并图案化该第一透明导电层以形成具有该多个感测电极的该触控感应层，该存储电容电极层位于该触控感应层与该显示介质层之间，该存储电容电极层包括存储电容电极，该存储电容电极层同时作为信号屏蔽层，在该存储电容电极层上施加固定电压，该第一基板的尺寸大于该第二基板以同时作保护玻璃之用。
2.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于：该第一基板上还设置有显示芯片与接口区，该显示芯片与该接口区均设置于该第一基板朝向该显示介质层的表面上。
3.根据权利要求2所述的触控显示装置，其特征在于：该多个感测电极包括多个用于接收触控驱动信号的触控驱动电极与多个用于提供触控感应信号的触控感应电极，多个触控驱动电极与多个触控感应电极相间排列。
4.根据权利要求3所述的触控显示装置，其特征在于：该多个触控驱动电极与该多个触控感应电极为楔形电极，该多个触控驱动电极较宽的一端均位于该触控显示装置的同一侧，该多个触控感应电极较宽的一端均位于该触控显示装置的另一侧。
5.根据权利要求4所述的触控显示装置，其特征在于：该多个触控驱动电极较宽的一端分别通过设置在该触控显示装置一侧的多条触控信号引线连接至该接口区，该多个触控感应电极较宽的一端分别通过设置在该触控显示装置另一侧的多条触控信号引线连接至该接口区。
6.根据权利要求3所述的触控显示装置，其特征在于：该多个感测电极的材料为透明导电材料。
7.根据权利要求2所述的触控显示装置，其特征在于：该触控显示装置进一步包括设置在第一基板上的多条平行设置的扫描线与多条平行设置的数据线，该多个感测电极分别与多条数据线平行且重叠设置，并与多条扫描线绝缘相交以在相交处形成多个触控电容，该触控显示装置在每帧时段内分别具有显示时段和触控时段，在显示时段内，该扫描线用于提供扫描信号给对应的像素单元，该数据线用于提供数据信号给对应的像素单元；在触控时段内，该扫描线用于提供触控驱动信号给该多个触控电容，该多个感测电极用于提供触控感应信号。
8.根据权利要求7所述的触控显示装置，其特征在于：该触控感应层由金属材质形成，该第一基板上进一步设置有黑矩阵图案层，该黑矩阵图案层设置在该第一基板与该触控感应层之间。
9.根据权利要求8所述的触控显示装置，其特征在于：该多条扫描线形成于第一金属层中，该多条数据线形成于第二金属层中，该第一金属层设置在该触控感应层与该显示介质层之间，该第二金属层设置在该第一金属层与该显示介质层之间，该存储电容电极层设置在该触控感应层与该第一金属层之间，该存储电容电极层包括多个对应该多条扫描线的开口。
10.根据权利要求9所述的触控显示装置，其特征在于：该第一基板进一步设置有平坦层和偏光片，该平坦层设置在该触控感应层与该存储电容电极层之间，该偏光片设置在该平坦层与该存储电容电极层之间。
11.根据权利要求2所述的触控显示装置，其特征在于：该第一基板进一步设置有平坦层和公共电极层，该平坦层设置在该触控感应层与该显示介质层之间，该公共电极层设置在该平坦层与该显示介质层之间。
12.根据权利要求11所述的触控显示装置，其特征在于：该第一基板进一步设置有偏光片，该偏光片设置在该平坦层与该公共电极层之间。
13.根据权利要求11所述的触控显示装置，其特征在于：该触控显示装置进一步包括多条相互平行的扫描线，该第二基板朝向该显示介质层的表面设置有包括该扫描线的薄膜晶体管阵列。
14.根据权利要求13所述的触控显示装置，其特征在于：该多个感测电极为平行设置的条形电极且与多条扫描线绝缘相交，该多个感测电极分别通过设置在该第一基板上的多条触控信号引线连接至接口区，该接口区用于连接触控芯片。
15.根据权利要求14所述的触控显示装置，其特征在于：该第一基板进一步设置有引脚区，该引脚区用于连接外部电路与该第二基板上的薄膜晶体管阵列，该引脚区设置在该第一基板朝向该显示介质层的表面上，该显示芯片通过设置在该第一基板上的多条显示信号引线连接至该引脚区。
16.根据权利要求15所述的触控显示装置，其特征在于：该触控感应层为透明导电材料制成，该多条显示信号引线与该触控感应层在同一道光罩制程工艺中蚀刻而成。
17.根据权利要求15所述的触控显示装置，其特征在于：该第二基板朝向该显示介质层的表面设置有连接薄膜晶体管阵列的引脚区，该触控显示装置进一步包括用于封住该显示介质层的胶框，该第一基板的引脚区、该第二基板上的引脚区与该胶框对应设置，该胶框内分布有多个金球，该第一基板的引脚区与该第二基板上的引脚区内的对应引脚分别经由该多个金球进行连接以实现电导通。
18.根据权利要求17所述的触控显示装置，其特征在于：每个金球包括塑料内核、包裹该塑料内核的镍层、包裹该镍层的金层以及包裹该金层的绝缘层。
19.根据权利要求14所述的触控显示装置，其特征在于：该扫描线沿第一方向延伸，该感测电极沿第二方向延伸，该触控显示装置进一步包括时序控制器，该时序控制器预先根据每一条扫描线在该触控显示装置的触摸屏上的沿第二方向所分布的位置与该扫描线被扫描的时间点之间的对应关系制作所有扫描线的位置与被扫描的时间点的对应关系查找表，当该触控显示装置的触摸屏被触摸时，该触控芯片侦测到触摸动作引起对应触摸点的感测电极所在处的电容变化的同时提供一表示有触摸动作发生的信号给该时序控制器，并根据电容的变化状况确定触摸点在第一方向上的坐标位置，该时序控制器在接收到该触控芯片所提供的信号之后，通过内部计数器记下该触摸动作发生的时间点，通过在该查找表中查找与该时间点对应的扫描线的位置，以确定该触摸点在第二方向上的坐标位置。
20.根据权利要求3、7或者13所述的触控显示装置，其特征在于：该第一基板上进一步设置有黑矩阵图案层和彩色滤光片层，该黑矩阵图案层设置在该第一基板与该触控感应层之间，该彩色滤光片层设置在该触控感应层与该显示介质层之间，该第二基板朝向该显示介质层的表面设置有公共电极。
21.根据权利要求3或者7所述的触控显示装置，其特征在于：该触控显示装置进一步包括彩色滤光片层，该彩色滤光片层设置在该第二基板与该显示介质层之间。
22.根据权利要求21所述的触控显示装置，其特征在于：该彩色滤光片层中的相邻两彩色滤光片部分重叠，重叠区域用于避免两个相邻像素区域的混光或者漏光现象。
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| CN106249959B (zh) * | 2016-08-15 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触摸屏及显示装置 |
| CN106200077A (zh) | 2016-08-31 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种触控面板及其制作方法 |
| CN106483705B (zh) * | 2016-12-26 | 2019-06-11 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 彩色滤光片及其制造方法 |
| CN111966241B (zh) * | 2017-01-11 | 2023-05-30 | 群创光电股份有限公司 | 触控显示装置 |
| CN107085336A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-08-22 | 昆山龙腾光电有限公司 | 有源元件阵列基板及触控显示面板 |
| CN107230699A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及其驱动方法 |
| CN110782776B (zh) * | 2019-01-10 | 2022-02-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法及显示设备 |
| KR20200087905A (ko) * | 2019-01-11 | 2020-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN110488522A (zh) | 2019-07-29 | 2019-11-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种触控屏及其制备方法 |
| CN110764660B (zh) | 2019-09-26 | 2022-04-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 触控电极层及触控显示装置 |
| CN110989859B (zh) * | 2019-11-19 | 2023-08-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 触控面板及其制造方法 |
| TWI710941B (zh) * | 2019-11-29 | 2020-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 觸控顯示裝置 |
| CN111309175B (zh) * | 2020-01-19 | 2022-07-29 | 业成科技（成都）有限公司 | 触控面板及其制备方法、触控显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201293893Y (zh) * | 2008-10-23 | 2009-08-19 | 天马微电子股份有限公司 | 一种具有触摸屏功能的显示装置 |
| CN102466907A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-23 | 三星移动显示器株式会社 | 具有内置式触摸屏面板的液晶显示器 |
| CN102749747A (zh) * | 2012-05-11 | 2012-10-24 | 友达光电股份有限公司 | 触控显示面板及其制造方法 |
| WO2013105566A1 (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-18 | シャープ株式会社 | タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置 |
| CN103777801A (zh) * | 2012-10-22 | 2014-05-07 | 乐金显示有限公司 | 集成有触摸屏的显示装置及其驱动方法 |
-
2014
- 2014-07-22 CN CN201410350778.5A patent/CN104123054B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201293893Y (zh) * | 2008-10-23 | 2009-08-19 | 天马微电子股份有限公司 | 一种具有触摸屏功能的显示装置 |
| CN102466907A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-23 | 三星移动显示器株式会社 | 具有内置式触摸屏面板的液晶显示器 |
| WO2013105566A1 (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-18 | シャープ株式会社 | タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置 |
| CN102749747A (zh) * | 2012-05-11 | 2012-10-24 | 友达光电股份有限公司 | 触控显示面板及其制造方法 |
| CN103777801A (zh) * | 2012-10-22 | 2014-05-07 | 乐金显示有限公司 | 集成有触摸屏的显示装置及其驱动方法 |
Also Published As
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