CN104867450A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上且构成发光区的多个发光单元；设置于所述衬底基板上且与所述多个发光单元电连接的显示区驱动电路；以及设置于所述衬底基板上并且设置于所述驱动电路周边的外围电路，至少一个所述发光单元位于所述外围电路之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述外围电路在所述衬底基板上的正投影有重叠部分。该阵列基板可以充分利用外围电路区域的空间，从而扩大显示区域的范围，实现窄边框设计。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示技术是一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色来实现显示的技术。OLED具有轻、薄、低功耗、高对比度、可实现柔性显示等优点，因此OLED显示技术被认为是最具有发展前途的新一代显示技术。
按照驱动方式分类，OLED显示技术包括PMOLED(Passive MatrixOLED，PMOLED)和AMOLED(Active Matrix OLED，AMOLED)显示技术。通常，用于PMOLED显示的阵列基板需要外接驱动电路(例如阵列基板行驱动电路)，用于AMOLED显示的阵列基板上设置有扫描驱动电路、数据驱动电路等驱动电路。
目前，AMOLED显示的实现方式主要包括：主要应用于小尺寸面板(例如，手机等应用)的低温多晶硅(LTPS)背板+精细金属掩膜(FMM Mask)方式，和主要应用于大尺寸面板(例如显示器和电视等应用)的氧化物半导体背板+WOLED+彩色滤光片等方式。
发明内容
本发明的至少一个实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以充分利用外围电路区域的空间，从而扩大显示区域的范围，实现窄边框设计。
本发明的至少一个实施例提供了一种阵列基板，其包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上且构成发光区的多个发光单元，设置于所述衬底基板上且与所述多个发光单元电连接的以驱动所述多个发光单元的显示区驱动电路，以及设置于所述衬底基板上且设置于所述显示区驱动电路周边的外围电路；至少一个所述发光单元位于所述外围电路之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述外围电路在所述衬底基板上的正投影之间有重叠部分。
例如，所述外围电路包括扫描驱动电路、数据驱动电路和静电释放电路中的至少一种或几种。
例如，所述扫描驱动电路包括多个阵列基板行驱动电路单元，至少一个所述发光单元位于至少一个所述阵列基板行驱动电路单元之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述至少一个阵列基板行驱动电路单元在所述衬底基板上的正投影之间有重叠部分。
例如，所述多个发光单元彼此并列设置，所述显示区驱动电路包括与所述多个发光单元分别对应的彼此并列设置的多个驱动电路单元；所述多个发光单元位于所述多个驱动电路单元之上。
例如，至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与至少两个驱动电路单元在所述衬底基板上的正投影分别有重叠部分。
例如，所述多个发光单元中靠近所述阵列基板边部的发光单元的面积大于所述多个发光单元中位于所述阵列基板中部的发光单元的面积。
例如，所述多个发光单元的面积从中部到边部逐渐增加。
例如，所述多个发光单元中靠近所述阵列基板边部的发光单元的面积等于所述多个发光单元中位于所述阵列基板中部的发光单元的面积。
例如，每个发光单元包括靠近对应的驱动电路单元的第一电极、远离所述驱动电路单元的第二电极以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；所述多个发光单元与对应的驱动电路单元通过引线电连接。
例如，所述至少一个发光单元中的每个与对应的驱动电路单元电连接的引线包括沿平行于所述衬底基板的方向延伸且与对应的发光单元电连接的部分。
例如，所述引线还包括沿垂直于所述衬底基板的方向延伸且与所述驱动电路单元电连接的部分。
例如，所述多个发光单元为顶发光模式。
本发明的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明的至少一个实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，其包括：在衬底基板上形成显示区驱动电路和设置于所述显示区驱动电路周边的外围电路；以及在所述衬底基板上形成多个发光单元，使所述多个发光单元构成发光区且与所述显示区驱动电路电连接。在该制作方法中，所述显示区驱动电路用于驱动所述多个发光单元，至少一个所述发光单元位于所述外围电路之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述外围电路在所述衬底基板上的正投影之间有重叠部分。
例如，所述外围电路包括扫描驱动电路、数据驱动电路和静电释放电路中的至少一种或几种的组合。
例如，所述扫描驱动电路包括多个阵列基板行驱动电路单元，至少一个所述发光单元位于至少一个所述阵列基板行驱动电路单元之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述至少一个阵列基板行驱动电路单元在所述衬底基板上的正投影之间有重叠部分。
例如，形成所述显示区驱动电路包括：形成彼此并列设置的多个驱动电路单元。形成所述多个发光单元包括：在所述多个驱动电路单元上形成彼此并列设置且与所述多个驱动电路单元分别对应的多个第一电极；在所述多个第一电极上分别形成发光层；以及在所述发光层上分别形成多个第二电极。
例如，在形成所述显示区驱动电路和所述外围电路之后，形成覆盖所述显示区驱动电路和所述外围电路的第一平坦层，并在所述第一平坦层中的分别对应所述驱动电路单元的位置处形成第一过孔以暴露出所述驱动电路单元；在所述第一平坦层上形成分别对应所述驱动电路单元的引线，使所述引线通过所述第一过孔与所述驱动电路单元电连接；在形成所述第一电极时，使所述第一电极与所述引线对应地电连接。
例如，在形成所述多个发光单元之前，形成覆盖所述引线的第二平坦层，并在所述第二平坦层中形成分别暴露出所述引线的第二过孔；在形成所述多个第一电极时，使所述多个第一电极分别通过所述第二过孔与对应的引线电连接。
例如，所述至少一个发光单元中的每个与对应的驱动电路单元连接的引线包括沿平行于所述衬底基板的方向延伸且与对应的发光单元电连接的部分。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1a为一种显示装置的局部剖面示意图；
图1b为一种显示装置的俯视示意图；
图1c为图1a所示的显示装置中的发光单元所占区域与显示区驱动电路所占区域的关系图；
图2a为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部剖面示意图；
图2b为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；
图2c为本发明实施例提供的一种阵列基板中发光单元所占区域与显示区驱动电路所占区域的关系图；
图3为本发明实施提供的一种显示装置的局部剖面示意图；
图4a和图4b为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中形成背板电路后的结构示意图；
图5为本发明实施提供的阵列基板的制作方法中形成第一平坦层后的结构示意图；
图6a和图6b为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中形成引线后的结构示意图；
图7a和图7b为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中形成第二平坦层和第一电极后的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1a为一种显示装置的局部剖视示意图。如图1a所示，该显示装置包括相对设置的下基板10和上基板20，以及用于密封连接下基板10和上基板10的密封结构30。下基板10上设置有彼此并列设置的多个发光单元14以及设置于所述多个发光单元14下方的背板电路(即设置在下基板10上的电路)；多个发光单元14构成显示区域，如图1b中的线框A所示；背板电路所占的区域如图1b中的线框B所示，背板电路可以包括用于驱动所述多个发光单元的显示区驱动电路11和设置在显示区驱动电路11周边的外围电路12。显示区驱动电路11可以包括与所述多个发光单元14一一对应的驱动电路单元11a，外围电路12设置于密封结构30的内侧，可以包括扫描驱动电路(例如包括多个阵列基板行驱动电路单元)、数据驱动电路或静电释放电路等。每个发光单元14包括发光层和设置在发光层两侧的电极。
图1a和图1b所示的显示装置的制作过程可以包括：在背板电路(包括显示区驱动电路11和外围电路12)形成之后，在背板电路上的分别对应各驱动电路单元11a的位置处分别制作发光单元14的下层电极(例如阳极)，之后在该下层电极上依次制作发光单元14的发光层和上层电极(例如阴极)。
如图1c所示，采用上述方式制作的显示装置中，各像素(PXL 1，PXL2，…，PXL n)的显示单元(即发光单元)所占的区域Area 1(即最外侧发光单元所围成的区域，也即图1b中线框A所示的显示区)与各像素对应的驱动电路单元所占的区域Area 2(即最外侧驱动电路单元所围成的区域，也即显示区驱动电路11所占的区域)在下基板10上的正投影大致相同。
在图1b中，线框B、C之间的区域表示密封结构30所在的区域。图1b中外围电路12所在的位置仅作为示例性说明。外围电路12可以设置于显示区驱动电路11的至少一侧，即设置于显示装置的至少一边所在的位置处。
在研究中，本申请的发明人注意到：上述使各发光单元的下层电极设置在该发光单元对应的驱动电路单元正对的位置处的设计是沿用液晶显示器(LCD)的设计理念，不利于实现窄边框设计等；但是，LCD需要背光源提供光，而发光单元本身具有自发光特性，因而设置在OLED的下层电极下方的显示区驱动电路不需要采用类似于LCD中的均匀设计，即不需要将各像素驱动电路(即各驱动电路单元)设计在对应的发光单元的下层电极的正下方。
下面结合附图具体说明本发明实施例，附图中各层薄膜厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明实施例的内容。
如图2a和图2b所示，本发明的至少一个实施例提供一种阵列基板100，其包括：衬底基板101；设置于衬底基板101上且彼此并列设置的多个发光单元140，所述多个发光单元140构成发光区(例如，如图2b中的线框A'所示的区域)；设置于衬底基板101上且与多个发光单元140电连接的以驱动多个发光单元140的显示区驱动电路110；以及设置于衬底基板101上且设置于显示区驱动电路110周边的外围电路120(例如，阵列基板行驱动电路单元1211)，至少一个发光单元140位于外围电路120之上，且所述至少一个发光单元140在所述衬底基板101上的正投影与外围电路120在所述衬底基板上的正投影有重叠部分。
正投影是指由相互平行且垂直于投影面(衬底基板101所在平面)的投射线(投射线的方向如图2a中的箭头所示)所产生的投影。
本发明实施例通过使至少部分发光单元与外围电路交叠，即在衬底基板上的正投影有重叠部分，与图1a和图1c所示的发光单元设置在其对应的驱动电路单元的正上方且与外围电路无交叠部分的情形相比，可以更有效利用OLED或LED等发光单元的自发光优势，充分利用外围电路区域的空间，从而扩大显示区域的范围，实现窄边框设计。
例如，多个发光单元140可以彼此并列设置，但本发明不限于此；显示区驱动电路110包括与发光单元140分别对应的彼此并列设置的多个驱动电路单元111，并且多个发光单元140设置于多个驱动电路单元111之上。每个驱动电路单元111主要有两个功能：一是作为相应的发光单元的开关，二是在寻址期之后继续提供电流以保证各个像素连续发光，即进行驱动。例如，每个驱动电路单元111可以包括与其对应的发光单元电连接的晶体管，例如MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)，和电容器。
例如，发光单元140可以为OLED器件或LED器件等。以发光单元为OLED器件为例，每个发光单元140可以包括有机功能层以及分别设置在有机功能层两侧的阳极和阴极。例如，如图2a所示，每个发光单元140包括靠近其对应的驱动电路单元111的第一电极141、远离该驱动电路单元111的第二电极142以及设置在第一电极141和第二电极142之间的发光层143。第一电极141为阳极且第二电极142为阴极，或者，第一电极141为阴极且第二电极142为阳极。
通常，发光单元的阴极材料可以采用低功函数的金属，例如Li、K、Al等，或者为了克服低功函数的金属的化学活性高的问题可以采用低功函数的金属与抗腐蚀金属的合金，例如Mg/Ag合金(Ag起到反射作用及调节功函数及稳定Mg的作用)或者Ca/Ag合金等。例如，还可以在阴极上利用开放掩膜板(Open Mask)沉积阴极保护层(CPL)，以保护整个器件避免受到腐蚀和氧化。
通常，发光单元的阳极可以选用具有较好的导电性和透光性的材料，例如，ITO(铟锡氧化物)等透明导电氧化物、ITO/Ag/ITO复合层等多层结构或其他具有高功函数的金属材料。
由于至少部分发光单元140设置于外围电路上并与外围电路垂直交叠，为避免外围电路对与其交叠的发光单元140发出的光造成影响，在至少一个实施例中，发光单元140可以采用顶发光模式，即发光单元的发光层产生的光从发光单元的顶部发射出去。例如，可以在多个发光单元140的第一电极141所在的层处设置反射层，使从发光单元140底部发出的光被反射后从发光单元140的顶部射出。本发明实施例不限定顶发光的方式，只要能够实现顶发光模式的发光单元即可。
如图2b所示，阵列基板100上可以设置有位于发光单元140的显示区驱动电路110周边的扫描驱动电路121和数据驱动电路122，扫描驱动电路121用于产生扫描信号，将扫描信号提供给栅线使每一行像素(图中未示出)依次导通，数据驱动电路122用于完成图像信号串行-并行的转换和提供适当的数据信号给数据线来实现显示。此外，阵列基板100上还可以设置有位于发光单元140的显示区驱动电路110周边的静电释放电路(ESD电路)123，用于将阵列基板100上的静电及时释放掉或导出至阵列基板100之外。
在本发明的至少一个实施例中，如图2b所示，上述与至少一个发光单元140交叠的外围电路可以包括扫描驱动电路121、数据驱动电路122和静电释放电路123中的至少一种或几种。
需要说明的是，图2b仅用于示例性说明，本发明实施例包括但不限于此。例如，设置有外围电路120的显示区驱动电路的周边可以是显示区驱动电路的至少一侧的周边，也即阵列基板的至少一条边所在的区域。
例如，本发明实施例提供的一种阵列基板的效果图可以如图2b和图2c所示，如图2b和图2c所示，各像素(PXL 1，PXL 2，…，PXL n)的显示单元(即发光单元)所占的区域Area 1(即最外侧发光单元所围成的区域，也即发光区，如图2b中的线框A'所示)可以大于各像素对应的驱动电路单元所占的区域Area 2(即最外侧驱动电路单元所围成的区域，也即显示区驱动电路110所占的区域，如图2b中的线框D所示)，因而本发明实施例提供的阵列基板可以实现利用较小的显示区驱动电路区域驱动较大的显示区域。
图2b以外围电路区域中的扫描驱动电路121、数据驱动电路122和静电释放电路123都被显示区域覆盖为例进行说明，但这些外围电路也可以与显示区域部分交叠。图2b中线框B'、C'之间的区域为阵列基板与对置基板相对设置形成显示面板时设置密封结构的区域(B'表示密封结构的内壁所在位置，C'表示密封结构的外壁所在位置)，该区域可以称为密封区域，外围电路120设置于该密封区域的内侧。
GOA(Gate Driver on Array,阵列基板行驱动)电路技术是目前液晶显示器中常用的一种扫描驱动电路技术。在该技术中，扫描驱动电路被直接制作在阵列基板上，从而可以节省外围布线空间并降低成本。通常，GOA电路(阵列基板行驱动电路)包括多个阵列基板行驱动电路单元(GOA电路单元)，每个GOA电路单元的输出端连接一条栅线，该栅线连接到显示区中的一行像素，即每个GOA电路单元对应一行像素；另外，每一GOA电路单元的输出端还连接到下一GOA电路单元的输入端，用以开启下一GOA电路单元。
本发明的至少一个实施例提供的阵列基板100可以采用GOA电路技术。例如，如图2a和图2b所示，扫描驱动电路121包括多个GOA电路单元1211，至少一个发光单元140可以位于至少一个GOA电路单元1211之上，且该至少一个发光单元140在衬底基板101上的正投影与该至少一个GOA电路单元1211在衬底基板101上的正投影分别有重叠部分。
通常，在图1a～图1b所示的情形中，GOA电路区域12a的宽度w1可达到400～500μm，而密封结构30的封装宽度w2为700μm左右，再加上GOA区域和密封结构30距离显示区驱动电路11分别有一定的距离，因而整体边框宽度约为1.5mm。在本发明实施例中，当扫描驱动电路121采用GOA电路技术时，通过使发光单元覆盖GOA区域，可以有效扩大显示区域的范围，实现窄边框设计。例如，沿GOA区域(即扫描驱动电路121所在的区域)的宽度方向(如图2b中的箭头所示)，发光单元完全覆盖GOA区域，在这种情况下，边框宽度可减小500～600μm，则边框宽度可减小约1/3。
图2b仅以扫描驱动电路121(例如包括多个GOA电路单元1211，图2b仅示出了8个GOA电路单元)设置于阵列基板的侧边101a、101c处、ESD电路123和数据驱动电路122设置在阵列基板的底边101b处为例进行说明。本发明实施例包括但不限于此。例如，GOA电路单元也可以设置于阵列基板的底边101b处，ESD电路设置于阵列基板的侧边101a、101c或顶边101d处。通常，阵列基板的顶边101d所在区域中可以设置有驱动IC(Integrated Circuit)和柔性印刷电路板(FPC)。当然，阵列基板的顶边101d所在区域中也可以设置例如ESD电路等外围电路，并且ESD电路等外围电路设置于密封区域的内侧(即，线框B'的内侧)。
在至少一个实施例中，为了实现外围电路与至少一个发光单元交叠，可以采用以下方式，下面进行详细介绍。
为了便于描述，以下以图1a所示的情形中所有发光单元的尺寸为a为例进行说明。
方式一：与图1a所示的情形相比，在本发明实施例提供的阵列基板中，可以增大发光单元阵列中的靠近阵列基板边部的发光单元的尺寸。
例如，在制作发光单元的过程中，使靠近阵列基板边部的发光单元的下层电极延伸到外围电路对应的区域，从而在该下层电极上形成的发光层和上层电极等结构也相应地延伸到外围电路对应的区域，以实现外围电路与发光单元的交叠。在这种情况下，多个发光单元中靠近阵列基板边部的发光单元的面积大于多个发光单元中位于阵列基板中部的发光单元的面积。例如，如图2a所示，靠近阵列基板边部的发光单元的尺寸b可以大于位于阵列基板中部的发光单元的尺寸c，而中部发光单元的尺寸c可以保持原来的尺寸不变，即：b＞c＝a。
方式二：与图1a所示的情形相比，在本发明实施例提供的阵列基板中，可以增大靠近阵列基板边部的发光单元以及部分或全部位于阵列中部的发光单元。
例如，阵列基板上的所有发光单元的尺寸都被同等程度地增大，即阵列基板中每个发光单元的面积相等，并且靠近阵列基板边部的发光单元延伸到外围电路区域，从而实现外围电路与发光单元的交叠；在这种情况下，b＝c＞a。
例如，阵列基板上的多个发光单元的面积从中部到边部逐渐增加，在这种情况下，例如，b＞c＞a。例如，可以采用按照等差数列的方式从中部到边部等来增加发光单元的面积。
方式二与方式一相比，方式二中各发光单元的面积相等或逐渐变化，因而具有较好的显示效果。
需要说明的是，第一，图2a以阵列基板上所有发光单元的面积相等(即b＝c)为例进行说明。
第二，本发明实施例中，发光单元的面积是指发光单元的大致平行于衬底基板的表面的面积(例如发光层的面积)。例如，以图2b所示的发光单元140为例(图2b仅示出了三个发光单元)，发光单元140的面积＝第一边长L×第二边长W。每个发光单元的大致平行于衬底基板的表面的形状可以为正方形、长方形或六边形等，图2b仅用于示例性说明发光单元的面积，但不用于限定本发明的保护范围。
第三，上述发光单元的尺寸b、c可以为发光单元的沿图2b所示的阵列基板的左右方向(即平行于阵列基板的底边101b或顶边101d的方向)的尺寸(例如W)，也可以是上下方向(即平行于阵列基板的侧边101a或101c的方向)的尺寸(例如L)。这可以根据与发光单元交叠的外围电路所在的位置而定，例如，若发光单元与设置于侧边101a和101c所在区域的外围电路交叠时，上述发光单元的尺寸b、c为发光单元的沿阵列基板左右方向的尺寸，例如图2b中的W所示。
由于发光单元140采用OLED或LED等自发光器件，每个驱动电路单元111不需要设置在其对应的发光单元140覆盖的区域中，因此，在至少一个实施例中，如图2a和图2c所示，至少一个发光单元140在衬底基板101上的正投影可以与至少两个驱动电路单元111在衬底基板上的正投影分别有重叠部分。
在图1a所示的情形中，由于每个驱动电路单元11a设置在其对应的发光单元14的正下方，为节省工艺，可以在形成每个发光单元14的下层电极的构图工艺中形成连接该发光单元14及其对应的驱动电路单元11a的引线13，因此，引线13通常是沿垂直于下基板20的方向延伸。
在本发明实施例中，由于至少部分发光单元140占据的区域与其对应的驱动电路单元111占据的区域可以不交叠，在这种情况下，如图2a所示，发光单元140与其对应的驱动电路单元111可以通过弯折的引线130电连接，以使与外围电路交叠的发光单元的设置位置更灵活，进而使发光单元可以覆盖外围电路中的更多电路。
例如，该弯折的引线可以通过另外增加一次构图工艺的方式制作，也就是说，如图2a所示，分别连接各发光单元140和相应的驱动电路单元111的引线130可与各发光单元140的第一电极141在不同的构图工艺中制作。
由于引线130可以与第一电极在不同的构图工艺中制作，在一些实施例中，引线130的材料与第一电极141的材料可以不同。例如，引线130可以采用低电阻的金属(例如Al、Ag等)材料制作。
例如，电连接与所述外围电路交叠的每个发光单元和对应的驱动电路单元的弯折的引线130可以包括沿平行于所述衬底基板的方向延伸且与对应的发光单元电连接的部分。例如，弯折的引线130还可以包括沿垂直于衬底基板的方向延伸且与驱动电路单元电连接的部分。例如，引线130可以采用如图2a所示的形状，即，引线130可以包括彼此连接的第一部分131和第二部分132，第一部分131沿大致平行于衬底基板101的方向延伸且与对应的发光单元140连接，第二部分132沿大致垂直于衬底基板101的方向延伸且与对应的驱动电路单元111连接。
本发明的上述实施例提供的阵列基板可以采用主动矩阵式，例如，该阵列基板为AMOLED阵列基板。
本发明的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任一实施例提供的阵列基板100。
例如，如图3所示，该显示装置可以包括相对设置的阵列基板100和对置基板200及用于密封连接阵列基板100和对置基板200的密封结构300。例如，阵列基板100上可以设置有OLED阵列或LED阵列；例如，对置基板200可以为玻璃基板、石英基板、塑料基板等；例如，密封结构300可以为玻璃料烧结形成的玻璃薄膜。
本发明实施例提供的显示装置可以为：电子纸、显示面板(例如OLED面板或LED面板等)、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例中，显示装置中的并列设置的多个发光单元构成的发光区可以与该显示装置的显示区相同(例如，所述多个发光单元全部用于显示时)，或者发光区与显示区也可以不同(例如，所述多个发光单元发出的光用作显示装置的背光时)。
本发明的至少一个实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括：在衬底基板上形成显示区驱动电路和设置于显示区驱动电路周边的外围电路；以及在衬底基板上形成多个发光单元构成发光区且与显示区驱动电路电连接，显示区驱动电路用于驱动所述多个发光单元，至少一个发光单元位于外围电路之上，且该至少一个发光单元在衬底基板上的正投影与外围电路在衬底基板上的正投影有重叠部分。
例如，外围电路可以包括扫描驱动电路、数据驱动电路和静电释放电路中的至少一种或几种的组合。
例如，扫描驱动电路可以包括多个阵列基板行驱动电路单元，至少一个发光单元位于至少一个阵列基板行驱动单元之上，且该至少一个阵列基板行驱动单元在衬底基板上的正投影与该至少一个发光单元在衬底基板上的正投影分别有重叠部分。
例如，形成显示区驱动电路包括：形成彼此并列设置的多个驱动电路单元。
例如，形成显示区驱动电路包括：形成彼此并列设置的多个驱动电路单元。形成多个发光单元包括：在多个驱动电路单元上形成彼此并列设置且与多个驱动电路单元分别对应的多个第一电极；在多个第一电极上分别形成发光层；以及在发光层上分别形成多个第二电极。
例如，在形成显示区驱动电路和外围电路之后，形成覆盖显示区驱动电路和外围电路的第一平坦层，并在第一平坦层中的分别对应驱动电路单元的位置处形成第一过孔以暴露出驱动电路单元；在第一平坦层上形成分别对应驱动电路单元的引线，使引线通过第一过孔与驱动电路单元电连接；在形成第一电极时，使第一电极与引线对应地电连接。
例如，在形成多个发光单元之前，还可以形成覆盖引线的第二平坦层，并在第二平坦层中形成分别暴露出引线的第二过孔；在形成多个第一电极时，使多个第一电极分别通过第二过孔与对应的引线电连接。
构图工艺是指形成设定图案的工艺，例如包括光刻胶涂敷、光刻胶曝光、光刻胶显影、利用光刻胶图案刻蚀薄膜层等步骤。
例如，正投影与外围电路的正投影重叠的每个发光单元与对应的驱动电路单元连接的引线可以包括沿平行于衬底基板的方向延伸且与对应的发光单元电连接的部分。
下面结合附图，具体介绍本发明实施例提供的阵列基板的制作方法。
步骤1：如图4a和图4b所示，在阵列基板上形成背板电路。
背板电路可以包括以薄膜晶体管(例如低温多晶硅/非晶硅/氧化物/有机薄膜晶体管)形成的CMOS/NMOS/PMOS的顶栅/底栅等结构及其所延伸出来的其他结构。例如，背板电路可以包括用于与发光单元电连接的显示区驱动电路110(图4b仅示出了一个驱动电路单元111)以及设置在该显示区驱动电路110周边的外围电路，外围电路可以包括扫描驱动电路(例如包括多个GOA电路单元1211)、数据驱动电路和静电释放电路中的至少一种或几种的组合。
步骤2：如图5所示，在显示驱动电路110和外围电路(例如GOA电路单元1211)上形成第一平坦层150，并在对应各驱动电路单元111的位置处形成第一过孔151以暴露出相应的驱动电路单元111。
例如，第一平坦层150的材料可以为亚克力或者其他高透光材料。例如，第一平坦层150可以覆盖显示区驱动电路110和外围电路，例如，第一平坦层150覆盖的区域如图4a中的线框A'所示。
步骤3：如图6a和图6b所示，在第一平坦层150上形成与各驱动电路单元111电连接的引线130，引线130通过第一过孔151与相应的驱动电路单元111电连接。
例如，可以采用溅射(sputter)方式在第一平坦层150上形成金属层(例如Mo或Ag等低电阻金属的膜层)；然后，采用曝光和刻蚀工艺制作引线130或者采用蒸镀工艺和与引线图案相对应的掩膜板(mask)制作引线130。
在该步骤中，至少部分引线130可以具有弯折形状。例如，包括彼此连接的第一部分131和第二部分132，第一部分131沿大致平行于衬底基板的方向延伸，第二部分132沿大致垂直于衬底基板的方向延伸且与对应的驱动电路单元连接。
步骤4：如图7a和图7b所示，形成覆盖引线130的第二平坦层160；在第二平坦层160中形成暴露出各引线130的第二过孔161；之后在第二平坦层160上形成各发光单元的第一电极141，各第一电极141通过第二过孔161与对应的引线130电连接。
例如，第二平坦层160可以采用与第一平坦层150相同的材料或不同的材料制作，具体材料依据实际需求而定。
例如，第一电极可以为发光单元的阳极，其材料可以为ITO/Ag/ITO或者其他具有高功函数的金属。如图7a所示，该第一电极可以覆盖外围电路，例如扫描驱动电路(例如GOA电路单元)、数据驱动电路和静电释放电路中的至少一种或几种。
步骤5：如图2a所示，制作阵列基板的其他结构，例如，像素界定层(图中未示出)、发光单元的发光层143和第二电极142等。
例如，以发光单元为OLED为例，发光单元140的第一电极141和第二电极142之间为有机功能层，其可以包括空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)、发光层(EML)143、电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)等。例如，有机功能层可以利用精细金属掩膜板(FMM Mask)制作。有机功能层的材料可以选用本领域技术人员常用的材料，此处不再赘述。
例如，第二电极142可以为发光单元的阴极。例如，该阴极的材料可以采用Mg/Ag、Li、K、Ca/Ag、AL等。
例如，阴极上可以设置阴极保护层，其例如利用开放掩膜板(Open Mask)沉积在阴极上，以保护整个发光器件避免受到腐蚀和氧化。
上述制作方法以采用两层平坦层为例进行说明，但本发明实施例中也可以设置一层平坦层(例如设置第一平坦层)或多层平坦层，此处不再赘述。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (20)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
多个发光单元，设置于所述衬底基板上并且构成发光区；
显示区驱动电路，设置于所述衬底基板上，并且与所述多个发光单元电连接以驱动所述多个发光单元；以及
设置于所述衬底基板上且设置于所述显示区驱动电路周边的外围电路，
其中，至少一个所述发光单元位于所述外围电路之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述外围电路在所述衬底基板上的正投影之间有重叠部分。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述外围电路包括扫描驱动电路、数据驱动电路和静电释放电路中的至少一种或几种。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其中，所述扫描驱动电路包括多个阵列基板行驱动电路单元，至少一个所述发光单元位于至少一个所述阵列基板行驱动电路单元之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述至少一个阵列基板行驱动电路单元在所述衬底基板上的正投影之间有重叠部分。
4.如权利要求1～3任一项所述的阵列基板，其中，所述多个发光单元彼此并列设置，所述显示区驱动电路包括与所述多个发光单元分别对应的彼此并列设置的多个驱动电路单元；所述多个发光单元位于所述多个驱动电路单元之上。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其中，至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与至少两个驱动电路单元在所述衬底基板上的正投影分别有重叠部分。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述多个发光单元中靠近所述阵列基板边部的发光单元的面积大于所述多个发光单元中位于所述阵列基板中部的发光单元的面积。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其中，所述多个发光单元的面积从中部到边部逐渐增加。
8.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述多个发光单元中靠近所述阵列基板边部的发光单元的面积等于所述多个发光单元中位于所述阵列基板中部的发光单元的面积。
9.如权利要求4所述的阵列基板，其中，每个所述发光单元包括靠近对应的所述驱动电路单元的第一电极、远离所述驱动电路单元的第二电极以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；
所述多个发光单元与对应的驱动电路单元通过引线电连接。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其中，所述引线包括沿平行于所述衬底基板的方向延伸且与对应的所述发光单元电连接的部分。
11.如权利要求10所述的阵列基板，其中，所述引线还包括沿垂直于所述衬底基板的方向延伸且与所述驱动电路单元电连接的部分。
12.如权利要求1～3任一项所述的阵列基板，其中，所述多个发光单元为顶发光模式。
13.一种显示装置，包括如权利要求1～12任一项所述的阵列基板。
14.一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成显示区驱动电路和设置于所述显示区驱动电路周边的外围电路；以及
在所述衬底基板上形成多个发光单元，所述多个发光单元构成发光区且与所述显示区驱动电路电连接；
其中，所述显示区驱动电路用于驱动所述多个发光单元，至少一个所述发光单元位于所述外围电路之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述外围电路在所述衬底基板上的正投影之间有重叠部分。
15.如权利要求14所述的制作方法，其中，所述外围电路包括扫描驱动电路、数据驱动电路和静电释放电路中的至少一种或几种的组合。
16.如权利要求15所述的制作方法，其中，所述扫描驱动电路包括多个阵列基板行驱动电路单元，至少一个所述发光单元位于至少一个所述阵列基板行驱动电路单元之上，且所述至少一个发光单元在所述衬底基板上的正投影与所述至少一个阵列基板行驱动电路单元在所述衬底基板上的正投影之间有重叠部分。
17.如权利要求14～16任一项所述的制作方法，其中，
形成所述显示区驱动电路包括：形成彼此并列设置的多个驱动电路单元；
形成所述多个发光单元包括：
在所述多个驱动电路单元上形成彼此并列设置且与所述多个驱动电路单元分别对应的多个第一电极；
在所述多个第一电极上分别形成发光层；以及
在所述发光层上分别形成多个第二电极。
18.如权利要求17所述的制作方法，其中，
在形成所述显示区驱动电路和所述外围电路之后，形成覆盖所述显示区驱动电路和所述外围电路的第一平坦层，并在所述第一平坦层中的分别对应所述驱动电路单元的位置处形成第一过孔以暴露出所述驱动电路单元；
在所述第一平坦层上形成分别对应所述驱动电路单元的引线，使所述引线通过所述第一过孔与所述驱动电路单元电连接；
在形成所述第一电极时，使所述第一电极与所述引线对应地电连接。
19.如权利要求18所述的制作方法，其中，
在形成所述多个发光单元之前，形成覆盖所述引线的第二平坦层，并在所述第二平坦层中形成分别暴露出所述引线的第二过孔；
在形成所述多个第一电极时，使所述多个第一电极分别通过所述第二过孔与对应的引线电连接。
20.如权利要求18所述的制作方法，其中，所述至少一个发光单元中的每个与对应的驱动电路单元连接的引线包括沿平行于所述衬底基板的方向延伸且与对应的发光单元电连接的部分。
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105405865A (zh) * 2015-12-31 2016-03-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Amoled显示屏及像素排列方法
WO2016192256A1 (zh) * 2015-06-05 2016-12-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
JP2017167403A (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107342045A (zh) * 2017-08-25 2017-11-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled显示面板及显示装置
CN107731144A (zh) * 2016-08-12 2018-02-23 三星显示有限公司 显示装置
JP2018063398A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108490707A (zh) * 2018-03-23 2018-09-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN108711370A (zh) * 2018-05-14 2018-10-26 昆山国显光电有限公司 显示面板及其显示装置
CN109192751A (zh) * 2017-06-29 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN109448566A (zh) * 2018-09-27 2019-03-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109585491A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 曜凌光电股份有限公司 窄边框的有机发光二极管显示器
CN109817658A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 超微晶科技(深圳)有限公司 微型led显示面板
CN109859649A (zh) * 2019-04-09 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制备方法和显示装置
CN110660356A (zh) * 2019-09-30 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN110689848A (zh) * 2019-12-10 2020-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示装置和驱动方法
CN110858463A (zh) * 2018-08-23 2020-03-03 弘凯光电(深圳)有限公司 显示设备
CN111584603A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111754927A (zh) * 2020-02-04 2020-10-09 友达光电股份有限公司 像素结构与显示面板
US10901280B2 (en) 2018-03-23 2021-01-26 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
CN113327536A (zh) * 2021-06-11 2021-08-31 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示设备
CN113539130A (zh) * 2021-07-19 2021-10-22 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组和显示设备
WO2021258457A1 (zh) * 2020-06-22 2021-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US11257879B2 (en) 2018-05-14 2022-02-22 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Display panels and display devices thereof
CN114255703A (zh) * 2020-09-21 2022-03-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
KR102718848B1 (ko) 2016-08-12 2024-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015151855A1 (ja) * 2014-03-31 2017-04-13 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンスモジュール及び情報機器
CN107275465B (zh) * 2017-06-29 2019-01-04 华中科技大学鄂州工业技术研究院 Led封装及其制作方法
CN107818993B (zh) * 2017-11-30 2020-07-03 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2019109316A1 (en) * 2017-12-07 2019-06-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus, and method of fabricating display panel
CN111566551B (zh) * 2018-01-04 2023-06-02 成都奕斯伟系统集成电路有限公司 具有嵌入式ic系统的无边框lcd显示器及其制造方法
CN208489194U (zh) * 2018-05-23 2019-02-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
TWI691104B (zh) * 2018-07-18 2020-04-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
CN110942746B (zh) * 2018-09-21 2022-07-01 北京小米移动软件有限公司 有机发光二极管显示屏、显示控制方法和电子设备
TWI694581B (zh) * 2018-12-26 2020-05-21 財團法人工業技術研究院 靜電放電防護裝置與具有電容的整合被動元件
CN110148592B (zh) * 2019-05-21 2020-12-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、包含其的显示装置
EP4095923A4 (en) * 2020-01-20 2023-03-22 BOE Technology Group Co., Ltd. NETWORK SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
US20220199734A1 (en) * 2020-05-27 2022-06-23 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
KR20210157512A (ko) * 2020-06-19 2021-12-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200034A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
CN102183860A (zh) * 2011-04-15 2011-09-14 福建华映显示科技有限公司 画素数组基板及显示面板
CN102640200A (zh) * 2009-12-03 2012-08-15 夏普株式会社 图像显示装置、面板和面板的制造方法
CN102760010A (zh) * 2012-05-22 2012-10-31 友达光电股份有限公司 触控显示面板与触控液晶显示面板
CN102903732A (zh) * 2012-10-12 2013-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管器件及相应的显示装置
CN203150553U (zh) * 2013-03-29 2013-08-21 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光阵列基板、显示装置
CN103926722A (zh) * 2014-03-28 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US20140246668A1 (en) * 2013-03-01 2014-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN104600200A (zh) * 2014-12-26 2015-05-06 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示面板

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3655947B2 (ja) * 1995-07-19 2005-06-02 パイオニア株式会社 面放電型プラズマディスプレイパネル
TWI220045B (en) * 2003-08-06 2004-08-01 Au Optronics Corp LCD display of slim frame design
US8659220B2 (en) * 2010-06-07 2014-02-25 Nec Lighting, Ltd. Organic electroluminescent lighting device
CN102385200B (zh) 2010-08-27 2016-01-13 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
JP5618939B2 (ja) * 2011-07-29 2014-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN103217843B (zh) 2013-03-25 2016-02-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶面板
US9406705B2 (en) * 2014-02-25 2016-08-02 Lg Display Co., Ltd. Display backplane having multiple types of thin-film-transistors
CN104253147B (zh) * 2014-09-18 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示设备
CN104537993B (zh) * 2014-12-29 2018-09-21 厦门天马微电子有限公司 有机发光显示面板
CN104867450B (zh) * 2015-06-05 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200034A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
CN102640200A (zh) * 2009-12-03 2012-08-15 夏普株式会社 图像显示装置、面板和面板的制造方法
CN102183860A (zh) * 2011-04-15 2011-09-14 福建华映显示科技有限公司 画素数组基板及显示面板
CN102760010A (zh) * 2012-05-22 2012-10-31 友达光电股份有限公司 触控显示面板与触控液晶显示面板
CN102903732A (zh) * 2012-10-12 2013-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管器件及相应的显示装置
US20140246668A1 (en) * 2013-03-01 2014-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN203150553U (zh) * 2013-03-29 2013-08-21 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光阵列基板、显示装置
CN103926722A (zh) * 2014-03-28 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN104600200A (zh) * 2014-12-26 2015-05-06 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示面板

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9985085B2 (en) 2015-06-05 2018-05-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate for narrow frame design, manufacturing method thereof and display device
WO2016192256A1 (zh) * 2015-06-05 2016-12-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105405865A (zh) * 2015-12-31 2016-03-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Amoled显示屏及像素排列方法
JP2017167403A (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107203078A (zh) * 2016-03-17 2017-09-26 株式会社日本显示器 显示装置
CN112233561A (zh) * 2016-03-17 2021-01-15 株式会社日本显示器 显示装置
US11914237B2 (en) 2016-03-17 2024-02-27 Japan Display Inc. Display device
KR102718848B1 (ko) 2016-08-12 2024-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107731144A (zh) * 2016-08-12 2018-02-23 三星显示有限公司 显示装置
JP2018063398A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN109192751A (zh) * 2017-06-29 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN107342045A (zh) * 2017-08-25 2017-11-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled显示面板及显示装置
CN109585491A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 曜凌光电股份有限公司 窄边框的有机发光二极管显示器
CN109585491B (zh) * 2017-09-29 2020-11-03 曜凌光电股份有限公司 窄边框的有机发光二极管显示器
CN109817658A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 超微晶科技(深圳)有限公司 微型led显示面板
CN108490707A (zh) * 2018-03-23 2018-09-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
US10901280B2 (en) 2018-03-23 2021-01-26 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
CN108490707B (zh) * 2018-03-23 2020-09-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11257879B2 (en) 2018-05-14 2022-02-22 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Display panels and display devices thereof
CN108711370A (zh) * 2018-05-14 2018-10-26 昆山国显光电有限公司 显示面板及其显示装置
WO2019218585A1 (zh) * 2018-05-14 2019-11-21 昆山国显光电有限公司 显示面板及其显示装置
CN110858463A (zh) * 2018-08-23 2020-03-03 弘凯光电(深圳)有限公司 显示设备
CN109448566A (zh) * 2018-09-27 2019-03-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109859649A (zh) * 2019-04-09 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制备方法和显示装置
US11563068B2 (en) 2019-04-09 2023-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Substantially transparent display substrate, substantially transparent display apparatus, and method of fabricating substantially transparent display substrate
CN110660356A (zh) * 2019-09-30 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN110660356B (zh) * 2019-09-30 2021-03-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US11730035B2 (en) 2019-09-30 2023-08-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method thereof, and display device
CN110689848B (zh) * 2019-12-10 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 显示装置和驱动方法
CN110689848A (zh) * 2019-12-10 2020-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示装置和驱动方法
CN111754927A (zh) * 2020-02-04 2020-10-09 友达光电股份有限公司 像素结构与显示面板
CN111754927B (zh) * 2020-02-04 2021-09-28 友达光电股份有限公司 像素结构与显示面板
US11217158B2 (en) 2020-02-04 2022-01-04 Au Optronics Corporation Pixel structure and display panel
CN111584603A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111584603B (zh) * 2020-05-28 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021258457A1 (zh) * 2020-06-22 2021-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US11974471B2 (en) 2020-06-22 2024-04-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel having a gate driving device and source driving device on different substrates
CN114255703A (zh) * 2020-09-21 2022-03-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN114255703B (zh) * 2020-09-21 2023-06-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN113327536A (zh) * 2021-06-11 2021-08-31 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示设备
WO2023000830A1 (zh) * 2021-07-19 2023-01-26 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组和显示设备
CN113539130A (zh) * 2021-07-19 2021-10-22 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组和显示设备

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