CN110660356B - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决显示基板中，发光检测电路整体占用面积较大，导致的显示基板的开口率降低的问题。所述显示基板，包括基底以及阵列分布在该基底上的多个子像素，每个所述子像素均包括：发光元件，与该发光元件耦接的子像素驱动电路，以及用于检测该发光元件发光亮度的发光检测电路，所述发光检测电路包括：沿远离所述基底的方向依次层叠设置的第一控制晶体管和PIN型光电二极管，所述第一控制晶体管的第一极与所述PIN型光电二极管的阴极耦接，所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，与所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影至少部分交叠。本发明提供的显示基板用于显示。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示基板以其低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，被广泛应用在手机、平板电脑、数码相机等显示领域。
OLED显示基板包括阵列分布的多个子像素，每个子像素包括耦接的子像素驱动电路和发光元件，工作时，子像素驱动电路为对应的发光元件提供驱动电流，以驱动发光元件发出对应颜色的光。由于OLED显示基板在使用过程中，发光元件的发光亮度会变化，为了改善发光元件发光亮度变化对显示效果的不利影响，一般会在子像素中设置对发光元件发出的光的亮度进行检测的发光检测电路，该发光检测电路主要包括检测开关晶体管和PIN型光电二极管，在利用发光检测电路对发光元件发出的光的强度进行检测时，PIN型光电二极管接收发光元件发出的光，并将接收的光转换为电信号，以实现通过转换后的电信号对发光元件发光进行补偿。
在实际应用中，为了保证较高的补偿精度和信噪比，PIN型光电二极管的面积一般较大，但是设置PIN型光电二极管面积较大，会导致发光检测电路整体占用面积较大，进而导致显示基板的开口率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，用于解决显示基板中，发光检测电路整体占用面积较大，导致的显示基板的开口率降低的问题。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明的第一方面提供一种显示基板，包括基底以及阵列分布在该基底上的多个子像素，每个所述子像素均包括：发光元件，与该发光元件耦接的子像素驱动电路，以及用于检测该发光元件发光亮度的发光检测电路，所述发光检测电路包括：沿远离所述基底的方向依次层叠设置的第一控制晶体管和PIN型光电二极管，所述第一控制晶体管的第一极与所述PIN型光电二极管的阴极耦接，所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，与所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述PIN型光电二极管包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的阴极、光电转换结构和阳极；
所述阴极采用遮光材料，所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，位于所述阴极在所述基底上的正投影的内部。
可选的，所述多个子像素分为阵列分布的多个子像素组，每个所述子像素组包括阵列分布的至少四个子像素，所述至少四个子像素位于相邻的两行，同一所述子像素组的子像素复用同一个所述发光检测电路；该发光检测电路中的所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影，分别与其对应的所述子像素组中各所述子像素包括的发光元件在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述显示基板还包括基准信号线、第一感测信号线和第一控制信号线，所述基准信号线与所述PIN型光电二极管的阳极耦接，所述第一感测信号线与所述第一控制晶体管的第二极耦接，所述第一控制信号线与所述第一控制晶体管的栅极耦接；
所述多个子像素包括多个子像素行和多个子像素列；每个所述子像素行均包括沿第一方向依次排列的多个所述子像素，每个所述子像素列均包括沿第二方向依次排列的多个所述子像素，所述第一方向与所述第二方向相交；
沿所述第一方向，位于同一行的所述发光检测电路复用同一条所述基准信号线和同一条所述控制信号线；
沿所述第二方向，位于同一列的所述发光检测电路复用同一条所述感测信号线。
可选的，所述基准信号线在所述基底上的正投影，与其耦接的各所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影均交叠；
和/或，
所述第一控制信号线在所述基底上的正投影，与其耦接的各所述发光检测电路中的PIN型光电二极管在所述基底上的正投影均交叠。
可选的，所述发光检测电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述PIN光电二极管的阳极耦接，所述存储电容的第二极板与所述PIN光电二极管的阴极耦接；
所述第一极板与所述第一控制晶体管的第一极和第二极同层同材料设置；
所述PIN光电二极管的阴极复用为与其耦接的所述存储电容的第二极板，所述第一极板在所述基底上的正投影，位于所述第二极板在所述基底上的正投影的内部。
可选的，所述显示基板还包括：第二感测信号线和第二控制信号线；
所述子像素还包括电学检测电路，所述电学检测电路包括第二控制晶体管，所述第二控制晶体管的第一极与所述发光元件的阳极耦接，所述第二控制晶体管的第二极与所述第二感测信号线耦接，所述第二控制晶体管的栅极与所述第二控制信号线耦接；
沿所述第一方向，位于同一行的所述电学检测电路复用同一条所述第二控制信号线；
沿所述第二方向，位于同一列的所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线。
可选的，相邻的至少两列所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线。
可选的，所述第一感测信号线和所述第二感测信号线交替设置，相邻的所述第一感测信号线和所述第二感测信号线之间包括至少两列所述子像素列。
可选的，所述显示基板还包括与各所述子像素列一一对应的数据线，每条所述数据线与其对应的子像素列中各子像素包括的子像素驱动电路分别耦接；
所述数据线与所述第一感测信号线之间包括至少一列所述子像素；
所述数据线与所述第二感测信号线之间包括至少一列所述子像素。
可选的，所述第一控制晶体管包括氧化物薄膜晶体管。
可选的，所述显示基板还包括第一平坦层，所述第一平坦层位于所述第一控制晶体管和所述PIN型光电二极管之间。
基于上述显示基板的技术方案，本发明的第二方面提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
基于上述显示基板的技术方案，本发明的第三方面提供了一种显示基板的制作方法，用于制作上述显示基板，所述制作方法包括在基底上制作阵列分布的多个子像素的步骤，该步骤具体包括：
在基底上制作各子像素包括的子像素驱动电路和发光检测电路中的第一控制晶体管；
在所述第一控制晶体管背向所述基底的一侧制作各所述发光检测电路中的PIN型光电二极管，所述第一控制晶体管的第一极与对应的所述PIN型光电二极管的阴极耦接，所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，与对应的所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影至少部分交叠；
在所述PIN型光电二极管背向所述基底的一侧制作各子像素包括的发光元件，所述发光元件与对应的所述子像素驱动电路耦接。
本发明提供的技术方案中，将各子像素中发光检测电路包括的第一控制晶体管和PIN型光电二极管，沿远离所述基底的方向依次层叠设置，并设置所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，与所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影至少部分交叠，使得所述PIN型光电二极管能够对所述第一控制晶体管的至少部分进行遮挡，减小了所述发光检测电路在平行于所述基底的方向上占用的面积，从而有效提升了各子像素的开口率。而且，本申请提供的技术方案中，将所述第一控制晶体管设置在所述基底和所述PIN型光电二极管之间，将所述发光元件设置在所述PIN型光电二极管背向所述基底的一侧，实现了在提升所述显示基板的开口率的同时，保证了PIN型光电二极管对光线的感测精度，从而更有利于提升所述显示基板的亮度均一性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的发光检测元件的第一截面示意图；
图2为本发明实施例提供的发光检测元件的第二截面示意图；
图3为本发明实施例提供的发光检测元件的俯视示意图；
图4为本发明实施例提供的发光检测元件的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示基板的俯视示意图。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的显示基板及其制作方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
请参阅图1-图3，本发明实施例提供了一种显示基板，包括基底10以及阵列分布在该基底10上的多个子像素，每个所述子像素均包括：发光元件，与该发光元件耦接的子像素驱动电路，以及用于检测该发光元件发光亮度的发光检测电路，所述发光检测电路包括：沿远离所述基底10的方向依次层叠设置的第一控制晶体管T1和PIN型光电二极管17，所述第一控制晶体管T1的第一极151与所述PIN型光电二极管17的阴极170耦接，所述第一控制晶体管T1在所述基底10上的正投影，与所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影至少部分交叠。
具体地，所述显示基板中的基底10可包括玻璃基底10，但不限于此。所述显示基板中各子像素包括的发光元件的发光颜色均可根据实际需要设置，示例性的，可设置所述显示基板中各子像素包括的发光元件均发白光，在这种情况下，可设置所述显示基板还包括彩膜结构，所述彩膜结构可包括至少三种颜色的色阻图形，例如：红色色阻图形、绿色色阻图形和蓝色色阻图形，将所述色阻图形与所述发光元件一一对应，使得所述发光元件发出的光能够穿过其对应的色阻图形后射出所述显示基板，从而实现所述显示基板的显示功能。
另外值得注意，可设置位于同一列的子像素对应同种颜色的色阻图形，如图5所示，从左边起第一列子像素对应红色色阻图形，对应的数据线为DR，第一列子像素发出的光为红光；第二列子像素对应绿色色阻图形，对应的数据线为DG，第二列子像素发出的光为绿光；第三列子像素对应蓝色色阻图形，对应的数据线为DB，第三列子像素发出的光为蓝光；第四列子像素对应白色色阻图形，对应的数据线为DW，第四列子像素发出的光为白光。
所述显示基板中，每个子像素还包括子像素驱动电路和发光检测电路，所述子像素驱动电路和所述发光检测电路的位置布局可根据实际需要设置，示例性的，如图5所示，在每个所述子像素中，所述子像素驱动电路的第一布局区域20和所述发光检测电路的第二布局区域22相对设置，所述子像素的开口区21位于所述子像素驱动电路的第一布局区域20和所述发光检测电路的第二布局区域22之间。
所述子像素驱动电路可包括至少一个驱动薄膜晶体管和多个开关薄膜晶体管，这些薄膜晶体管相互配合工作，使所述驱动薄膜晶体管产生驱动信号并传输至对应的发光元件，以驱动对应的发光元件实现发光功能。
所述发光检测电路包括所述第一控制晶体管T1和所述PIN型光电二极管17，所述第一控制晶体管T1的第一极151与所述PIN型光电二极管17的阴极170耦接，在布局所述发光检测电路时，本发明实施例将所述第一控制晶体管T1和所述PIN型光电二极管17层叠设置，并将所述第一控制晶体管T1设置在所述基底10与所述PIN型光电二极管17之间，使得所述第一控制晶体管T1在所述基底10上的正投影，与所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影至少部分交叠，这样在垂直于所述基底10的方向上，所述PIN型光电二极管17能够对所述第一控制晶体管T1的至少部分进行遮挡。
需要说明，本发明实施例提供的显示基板可选为底发射，即从所述显示基板的基底10所在一侧出光，所述显示基板在布局所述第一控制晶体管T1和所述PIN型光电二极管17时，采用了类似顶发射的技术，即将所述第一控制晶体管T1设置在所述基底10和所述PIN型光电二极管17之间。另外，如图1所示，所述显示基板中还包括遮光层11、缓冲层120、第一绝缘层121、第一钝化层122、第二钝化层123、第二平坦层125、栅极绝缘层126和像素界定层PDL；所述第一控制晶体管T1还包括有源层13和栅极图形14；所述发光元件包括发光元件的阳极180，发光元件的阴极19和有机发光材料层EL。
所述发光检测电路在工作时，PIN型光电二极管17接收其对应的发光元件发出的光线，并将其转化为电信号后，经所述第一控制晶体管T1传输至所述显示基板的芯片，该芯片基于所述电信号对所述显示基板中发光元件的发光亮度进行补偿，从而实现所述显示基板的显示亮度均一性。
根据上述显示基板的具体结构可知，本发明实施例提供的显示基板中，将各子像素中发光检测电路包括的第一控制晶体管T1和PIN型光电二极管17，沿远离所述基底10的方向依次层叠设置，并设置所述第一控制晶体管T1在所述基底10上的正投影，与所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影至少部分交叠，使得所述PIN型光电二极管17能够对所述第一控制晶体管T1的至少部分进行遮挡，减小了所述发光检测电路在平行于所述基底10的方向上占用的面积，从而有效提升了各子像素的开口率。而且，本发明实施例提供的显示基板中，将所述第一控制晶体管T1设置在所述基底10和所述PIN型光电二极管17之间，将所述发光元件设置在所述PIN型光电二极管17背向所述基底10的一侧，实现了在提升所述显示基板的开口率的同时，保证了PIN型光电二极管17对光线的感测精度，从而更有利于提升所述显示基板的亮度均一性。
在一些实施例中，所述PIN型光电二极管17包括沿远离所述基底10的方向依次层叠设置的阴极170、光电转换结构171和阳极172；所述阴极170采用遮光材料，所述第一控制晶体管T1在所述基底10上的正投影，位于所述阴极170在所述基底10上的正投影的内部。
具体地，所述PIN型光电二极管17的阴极170选用遮光材料，具体可选用具有遮光性能的金属材料，所述PIN型光电二极管17的阳极172选用透光材料，具体可选用氧化铟锡材料，但不仅限于此。
所述光电转换结构171具体包括：PN结和在该PN结中间掺入的一层浓度很低的I型半导体，由于掺入的I型半导体浓度低，近乎本征(Intrinsic)半导体，因此也可称为I层，在I层两侧是掺杂浓度很高的P型半导体和N型半导体，即形成为P层和N层，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小，使得绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对，而I层较厚，几乎占据了整个耗尽区，从而可实现通过增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高光电二极管响应速度的目的。
上述实施例中，通过设置所述阳极采用透光材料，使得PIN型光电二极管17能够很好的接收对应的发光元件发出的光线，从而保证了所述发光检测电路的检测精度。而且，上述实施例中，通过设置所述阴极采用遮光材料，以及所述第一控制晶体管T1在所述基底10上的正投影，位于所述阴极在所述基底10上的正投影的内部，使得所述第一控制晶体管T1完全被所述PIN型光电二极管17覆盖，这样不仅最大限度的缩小了所述发光检测电路在平行于所述基底10的方向上占用的面积，使得所述发光检测电路在平行于所述基底10的方向上占用的面积仅为所述PIN型光电二极管17占用的面积，而且，避免了所述第一控制晶体管T1受光照的影响，保证了所述发光检测电路较小的暗电流(即所述第一控制晶体管T1在关态下的电流)，进而有效提升了所述发光检测电路的信噪比。
如图5所示，在一些实施例中，所述多个子像素分为阵列分布的多个子像素组，每个所述子像素组包括阵列分布的至少四个子像素，所述至少四个子像素位于相邻的两行，同一所述子像素组的子像素复用同一个所述发光检测电路；该发光检测电路中的所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影，分别与其对应的所述子像素组中各所述子像素包括的发光元件在所述基底10上的正投影交叠。
具体地，所述显示基板中，可将所述多个子像素划分为多个子像素组，所述多个子像素组呈阵列分布，且每个所述子像素组中包括阵列分布、且相邻设置的至少四个子像素，所述至少四个子像素可位于相邻的两行；示例性的，所述子像素组包括8个子像素，所述8个子像素包括位于同一行的4个子像素，以及位于相邻的下一行的4个子像素。更详细地说，所述位于同一行的4个子像素可一一对应红色色组单元、绿色色组单元、蓝色色组单元和白色色组单元，使得所述位于同一行的4个子像素组成所述显示基板中的一个像素单元。同样的，所述位于相邻的下一行的4个子像素也可一一对应红色色组单元、绿色色组单元、蓝色色组单元和白色色组单元，使得所述位于相邻的下一行的4个子像素也组成所述显示基板中的一个像素单元。
上述实施例提供的显示基板中，设置同一所述子像素组的子像素复用同一个所述发光检测电路时，可设置该发光检测电路中的所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影，分别与其对应的所述子像素组中各所述子像素包括的发光元件在所述基底10上的正投影交叠，这样该发光检测电路就能够接收其对应的子像素组中各子像素包括的发光元件所发出的光线，从而实现对其对应的子像素组中各子像素包括的发光元件进行发光检测。
上述实施例提供的显示基板中，设置同一所述子像素组的子像素复用同一个所述发光检测电路，使得所述显示基板中，所述发光检测电路占用的面积进一步缩小，从而更有利于提升所述显示基板的开口率。
而且，设置同一所述子像素组的子像素复用同一个所述发光检测电路，还减少了所述显示基板中，包括的所述发光检测电路中所述PIN型光电二极管17的定点数，从而进一步减小了所述发光检测电路的暗电流。更详细地说，以一个所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影为四边形(即对应4个顶点)为例，当所述8个子像素共用一个所述发光检测电路时，则该8个子像素对应一个PIN型光电二极管17，即对应4个顶点，而当所述8个子像素对应8个PIN型光电二极管17时，则该8个子像素对应32个顶点。
如图3和图4所示，上述实施例提供的显示基板还包括基准信号线REF、第一感测信号线SL1和第一控制信号线G1，所述基准信号线REF与所述PIN型光电二极管17的阳极172通过过孔via0耦接，所述第一感测信号线SL1与所述第一控制晶体管T1的第二极150耦接，所述第一控制信号线G1与所述第一控制晶体管T1的栅极耦接；所述第一控制晶体管T1的第一极151通过图3中的虚线框图形与所述PIN型光电二极管17的阴极170耦接。
如图5所示，所述多个子像素包括多个子像素行和多个子像素列；每个所述子像素行均包括沿第一方向依次排列的多个所述子像素，每个所述子像素列均包括沿第二方向依次排列的多个所述子像素，所述第一方向与所述第二方向相交；沿所述第一方向，位于同一行的所述发光检测电路复用同一条所述基准信号线REF和同一条所述第一控制信号线G1；沿所述第二方向，位于同一列的所述发光检测电路复用同一条所述第一感测信号线SL1。
具体地，所述显示基板包括的所述多个子像素呈阵列分布，所述多个子像素可划分为多个子像素行，也可划分为多个子像素列；其中每个所述子像素行均包括沿第一方向依次排列的多个所述子像素，每个所述子像素列均包括沿第二方向依次排列的多个所述子像素，所述第一方向可与所述第二方向相交，示例性的，所述第一方向与所述第二方向垂直。
所述显示基板还包括多条基准信号线REF，多条第一感测信号线SL1和多条第一控制信号线G1，所述显示基板中包括的每个所述发光检测电路中，所述PIN型光电二极管17的阳极172与所述基准信号线REF耦接，所述第一控制晶体管T1的第二极150与所述第一感测信号线SL1耦接，所述第一控制晶体管T1的栅极与所述第一控制信号线G1耦接。
值得注意，所述多条基准信号线REF，所述多条第一感测信号线SL1和所述多条第一控制信号线G1的具体布局方式多种多样，示例性的，如图5所示，可将沿所述第一方向，位于同一行的所述发光检测电路复用同一条所述基准信号线REF和同一条所述第一控制信号线G1；沿所述第二方向，位于同一列的所述发光检测电路复用同一条所述感测信号线；在这种设置方式下，可采用类似显示基板中栅线和数据线的驱动方式，通过所述第一控制信号线G1逐行控制所述第一控制晶体管T1开启，且在某一行所述第一控制晶体管T1开启时，通过所述多条第一感测信号线SL1传输该行PIN型光电二极管17感测到的感测信号。
需要说明，上述设置方式适用于多个子像素复用一个所述发光检测电路的情况，以及每个子像素包括单独的所述发光检测电路的情况。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置沿所述第一方向，位于同一行的所述发光检测电路复用同一条所述基准信号线REF和同一条所述第一控制信号线G1，以及设置沿所述第二方向，位于同一列的所述发光检测电路复用同一条所述感测信号线，使得所述显示基板中设置的所述基准信号线REF，所述第一感测信号线SL1和所述第一控制信号线G1的数量大大减少，从而降低了所述显示基板布局的复杂程度，进一步提升了所述显示基板的分辨率。
如图3和图5所示，在一些实施例中，可设置所述基准信号线REF在所述基底10上的正投影，与其耦接的各所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影均交叠；和/或，所述第一控制信号线G1在所述基底10上的正投影，与其耦接的各所述发光检测电路中的PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影均交叠。
具体地，当沿所述第一方向，位于同一行的所述发光检测电路复用同一条所述基准信号线REF和同一条所述第一控制信号线G1，沿所述第二方向，位于同一列的所述发光检测电路复用同一条所述感测信号线时，所述基准信号线REF和所述第一控制信号线G1均沿所述第一方向延伸，所述第一感测信号线SL1沿所述第二方向延伸。
值得注意，所述基准信号线REF和所述第一控制信号线G1的具体布局方式可根据实际需要设置，只需满足所述基准信号线REF能够分别与其对应的一行发光检测电路中的各PIN型光电二极管17的阳极172耦接，所述第一控制信号线G1能够分别与其对应的一行发光检测电路中的各第一控制晶体管T1的栅极耦接即可；示例性的，设置所述基准信号线REF在所述基底10上的正投影，与其耦接的各所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影均交叠；和/或，所述第一控制信号线G1在所述基底10上的正投影，与其耦接的各所述发光检测电路中的PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影均交叠；这种设置方式使得所述基准信号线REF和/或所述第一控制信号线G1，能够在垂直于所述基底10的方向上，与述PIN型光电二极管17交叠，在保证各所述发光检测电路正常工作的同时，更有利于提升所述显示基板的开口率。
进一步地，可将所述基准信号线REF和所述第一控制信号线G1均设置在所述基底10和所述PIN型光电二极管之间，以避免所述基准信号线REF和所述第一控制信号线G1对所述PIN型光电二极管的受光面产生遮挡。
如图1、图2和图4所示，在一些实施例中，所述发光检测电路还包括存储电容C1，所述存储电容C1的第一极板152与所述PIN型光电二极管17的阳极172耦接，所述存储电容C1的第二极板与所述PIN型光电二极管17的阴极170耦接；所述第一极板152与所述第一控制晶体管T1的第一极151和第二极同层同材料设置；所述PIN型光电二极管17的阴极170复用为与其耦接的所述存储电容C1的第二极板，所述第一极板152在所述基底10上的正投影，位于所述第二极板在所述基底10上的正投影的内部。
具体地，所述显示基板中的各所述发光检测电路还包括存储电容C1，该存储电容C1耦接在所述PIN型光电二极管17的阳极172和阴极170之间，用于存储所述PIN型光电二极管17转换得到的电信号。
所述存储电容C1的具体布局方式可根据实际需要选择，示例性的，可将所述存储电容C1的第一极板152与所述第一控制晶体管T1的第一极151和第二极同层同材料设置；将所述PIN型光电二极管17的阴极170复用为与其耦接的所述存储电容C1的第二极板；这种设置方式不仅避免了增加专门用于制作所述存储电容C1的第二极板的工艺流程，还使得所述存储电容C1的第一极板152能够与所述第一控制晶体管T1的第一极151和第二极150在同一次工艺中形成，从而很好的简化了所述存储电容C1的制作工艺流程，有效节约了所述显示基板的制作成本。另外，还可设置所述第一极板152在所述基底10上的正投影，位于所述第二极板在所述基底10上的正投影的内部，这样不仅使得所述存储电容C1的第一极板152和第二极板之间在垂直于所述基底10的方向上，能够形成正对面积，还使得所述存储电容C1能够完全被所述PIN型光电二极管17覆盖，使得所述存储电容C1不会增加所述发光检测电路在平行于所述基底10的方向上的占用面积，从而保证了在平行于所述基底10的方向上，所述发光检测电路的占用面积即为其包括的PIN型光电二极管17的受光面积。
需要说明，所述PIN型光电二极管17包括的阴极170、光电转换结构171和阳极172在平行于所述基底10的方向上的面积大致相同，且所述阴极170在所述基底10上的正投影、所述光电转换结构171在所述基底10上的正投影和所述阳极172在所述基底10上的正投影基本重合。所述PIN型光电二极管的受光面积可为所述阳极172在平行于所述基底10的方向上的面积，或者所述光电转换结构171在平行于所述基底10的方向上的面积。
如图5所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括：第二感测信号线SL2和第二控制信号线；所述子像素还包括电学检测电路，所述电学检测电路包括第二控制晶体管，所述第二控制晶体管的第一极与所述发光元件的阳极180耦接，所述第二控制晶体管的第二极与所述第二感测信号线SL2耦接，所述第二控制晶体管的栅极与所述第二控制信号线耦接；沿所述第一方向，位于同一行的所述电学检测电路复用同一条所述第二控制信号线；沿所述第二方向，位于同一列的所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线SL2。
具体地，所述显示基板还包括多条第二感测信号线SL2和多条第二控制信号线，所述显示基板中的各子像素还包括电学检测电路，所述电学检测电路可包括多种结构，示例性的，所述电学检测电路包括第二控制晶体管，该第二控制晶体管的栅极与所述第二控制信号线耦接，所述第二控制晶体管的第一极与所述发光元件的阳极180耦接，所述第二控制晶体管的第二极与所述第二感测信号线SL2耦接，所述电学检测电路的具体工作过程如下：
在复位时段，所述第二感测信号线SL2写入复位信号，在所述第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下，所述第二控制晶体管导通，将所述复位信号传输至所述发光元件的阳极180，实现对所述发光元件的复位。
在感测时段，在所述第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下，所述第二控制晶体管导通，将所述发光元件的阳极180的电压信号传输至所述第二感测信号线SL2，并由所述第二感测信号线SL2将该电压信号传输至所述显示基板的芯片中，以供后续电学补偿使用。
值得注意，所述多条第二感测信号线SL2和所述多条第二控制信号线的具体布局方式多种多样，示例性的，沿所述第一方向，位于同一行的所述电学检测电路复用同一条所述第二控制信号线；沿所述第二方向，位于同一列的所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线SL2；在这种设置方式下，可采用类似显示基板中栅线和数据线的驱动方式，通过所述第二控制信号线逐行控制所述第二控制晶体管开启，且在某一行所述第二控制晶体管开启时，通过所述多条第二感测信号线SL2传输的复位信号为该行发光元件的阳极180复位，或者通过所述多条第二感测信号线SL2传输该行发光元件的阳极180的电压信号至所述显示基板的芯片。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置沿所述第一方向，位于同一行的所述电学检测电路复用同一条所述第二控制信号线，以及沿所述第二方向，位于同一列的所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线SL2，使得所述显示基板中设置的所述第二感测信号线SL2和所述第二控制信号线的数量大大减少，从而降低了所述显示基板布局的复杂程度，进一步提升了所述显示基板的分辨率。
在一些实施例中，相邻的至少两列所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线SL2。
具体地，相邻的至少两列所述电学检测电路中，位于同一行的所述电学检测电路对应的子像素可组成像素单元，示例性的，相邻的四列所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线SL2，在该相邻的四列所述电学检测电路中，位于同一行的所述电学检测电路对应的子像素可一一对应红色色组单元、绿色色组单元、蓝色色组单元和白色色组单元，使得位于同一行的4个子像素组成所述显示基板中的一个像素单元。
上述实施例中设置相邻的至少两列所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线SL2，使得所述显示基板中设置的所述第二感测信号线SL2的数量进一步减少，从而进一步降低了所述显示基板布局的复杂程度，提升了所述显示基板的分辨率。
如图5所示，在一些实施例中，所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2交替设置，相邻的所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2之间包括至少两列所述子像素列。
具体地，上述实施例提供的显示基板中，所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2均沿所述第二方向延伸，在布局所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2时，可将所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2交替设置，并设置相邻的所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2之间包括至少两列所述子像素列，这种设置方式使得所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2之间保持较大的距离，从而很好的避免了相邻的所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2之间产生串扰，有效提升了所述发光检测电路和所述电学检测电路的信噪比。
如图5所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括与各所述子像素列一一对应的数据线(如图5中的DR、DG、DB和DW)，每条所述数据线与其对应的子像素列中各子像素包括的子像素驱动电路分别耦接；所述数据线与所述第一感测信号线SL1之间包括至少一列所述子像素；所述数据线与所述第二感测信号线SL2之间包括至少一列所述子像素。
具体地，所述显示基板还包括与各所述子像素列一一对应的数据线，该数据线用于为其对应的子像素列中各子像素包括的子像素驱动电路提供数据信号，以使所述子像素驱动电路基于该数据信号产生驱动发光元件发光的驱动信号。
上述实施例通过设置所述数据线与所述第一感测信号线SL1之间包括至少一列所述子像素，以及所述数据线与所述第二感测信号线SL2之间包括至少一列所述子像素，使得所述数据线能够与所述第一感测信号线SL1和所述第二感测信号线SL2均相距较远，从而很好的避免了相邻的所述数据线和所述第一感测信号线SL1之间产生串扰，以及避免了相邻的所述数据线和所述第二感测信号线SL2之间产生串扰，有效提升了所述显示基板的工作稳定性。
在一些实施例中，可设置所述第一控制晶体管T1包括氧化物薄膜晶体管。
具体地，由于氧化物薄膜晶体管具有迁移率高、大面积均匀性好等优点，因此，当设置所述第一控制晶体管T1包括氧化物薄膜晶体管时，使得所述发光检测电路具有更好的检测性能，更有利于提升所述发光检测电路的检测准确性。
如图1和图2所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括第一平坦层124，所述第一平坦层124位于所述第一控制晶体管T1和所述PIN型光电二极管17之间。
具体地，由于所述第一控制晶体管T1背向所述基底10的表面存在段差，因此，为了保证后续制作的所述PIN型光电二极管17的平坦性，可在所述第一控制晶体管T1和所述PIN型光电二极管17之间设置第一平坦层124，该第一平坦层124可采用有机绝缘材料SOG(英文：Silicon On Glass，中文：硅-玻璃键合结构材料)。
上述在所述第一控制晶体管T1背向所述基底10的一侧制作第一平坦层124，并在所述第一平坦层124背向所述基底10的一侧制作所述PIN型光电二极管17，使得所述PIN型光电二极管17具有较高的平坦度，从而更有利于所述PIN型光电二极管17实现良好的工作性能。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。
上述实施例提供的显示基板中，将各子像素中发光检测电路包括的第一控制晶体管T1和PIN型光电二极管17，沿远离所述基底10的方向依次层叠设置，并设置所述第一控制晶体管T1在所述基底10上的正投影，与所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影至少部分交叠，使得所述PIN型光电二极管17能够对所述第一控制晶体管T1的至少部分进行遮挡，减小了所述发光检测电路在平行于所述基底10的方向上占用的面积，从而有效提升了各子像素的开口率。而且，上述实施例提供的显示基板中，将所述第一控制晶体管T1设置在所述基底10和所述PIN型光电二极管17之间，将所述发光元件设置在所述PIN型光电二极管17背向所述基底10的一侧，实现了在提升所述显示基板的开口率的同时，保证了PIN型光电二极管17对光线的感测精度，从而更有利于提升所述显示基板的亮度均一性；因此，本发明实施例提供的显示装置在包括上述实施例提供的显示基板时，同样具有该显示基板所能够实现的全部有益效果，此处不再赘述。
需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，用于制作上述实施例提供的显示基板，所述制作方法包括在基底10上制作阵列分布的多个子像素的步骤，该步骤具体包括：
在基底10上制作各子像素包括的子像素驱动电路和发光检测电路中的第一控制晶体管T1；
在所述第一控制晶体管T1背向所述基底10的一侧制作各所述发光检测电路中的PIN型光电二极管17，所述第一控制晶体管T1的第一极151与对应的所述PIN型光电二极管17的阴极170耦接，所述第一控制晶体管T1在所述基底10上的正投影，与对应的所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影至少部分交叠；
在所述PIN型光电二极管17背向所述基底10的一侧制作各子像素包括的发光元件，所述发光元件与对应的所述子像素驱动电路耦接。
采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示基板中，将各子像素中发光检测电路包括的第一控制晶体管T1和PIN型光电二极管17，沿远离所述基底10的方向依次层叠设置，并设置所述第一控制晶体管T1在所述基底10上的正投影，与所述PIN型光电二极管17在所述基底10上的正投影至少部分交叠，使得所述PIN型光电二极管17能够对所述第一控制晶体管T1的至少部分进行遮挡，减小了所述发光检测电路在平行于所述基底10的方向上占用的面积，从而有效提升了各子像素的开口率。而且，采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示基板中，将所述第一控制晶体管T1设置在所述基底10和所述PIN型光电二极管17之间，将所述发光元件设置在所述PIN型光电二极管17背向所述基底10的一侧，实现了在提升所述显示基板的开口率的同时，保证了PIN型光电二极管17对光线的感测精度，从而更有利于提升所述显示基板的亮度均一性。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示基板，包括基底以及阵列分布在该基底上的多个子像素，每个所述子像素均包括：发光元件，与该发光元件耦接的子像素驱动电路，以及用于检测该发光元件发光亮度的发光检测电路，其特征在于，所述发光检测电路包括：沿远离所述基底的方向依次层叠设置的第一控制晶体管和PIN型光电二极管，所述第一控制晶体管的第一极与所述PIN型光电二极管的阴极耦接，所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，与所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影至少部分交叠；
所述PIN型光电二极管包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的阴极、光电转换结构和阳极；
所述阴极采用遮光材料，所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，位于所述阴极在所述基底上的正投影的内部。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个子像素分为阵列分布的多个子像素组，每个所述子像素组包括阵列分布的至少四个子像素，所述至少四个子像素位于相邻的两行，同一所述子像素组的子像素复用同一个所述发光检测电路；该发光检测电路中的所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影，分别与其对应的所述子像素组中各所述子像素包括的发光元件在所述基底上的正投影交叠。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板还包括基准信号线、第一感测信号线和第一控制信号线，所述基准信号线与所述PIN型光电二极管的阳极耦接，所述第一感测信号线与所述第一控制晶体管的第二极耦接，所述第一控制信号线与所述第一控制晶体管的栅极耦接；
所述多个子像素包括多个子像素行和多个子像素列；每个所述子像素行均包括沿第一方向依次排列的多个所述子像素，每个所述子像素列均包括沿第二方向依次排列的多个所述子像素，所述第一方向与所述第二方向相交；
沿所述第一方向，位于同一行的所述发光检测电路复用同一条所述基准信号线和同一条所述控制信号线；
沿所述第二方向，位于同一列的所述发光检测电路复用同一条所述感测信号线。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，
所述基准信号线在所述基底上的正投影，与其耦接的各所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影均交叠；
和/或，
所述第一控制信号线在所述基底上的正投影，与其耦接的各所述发光检测电路中的PIN型光电二极管在所述基底上的正投影均交叠。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述发光检测电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述PIN光电二极管的阳极耦接，所述存储电容的第二极板与所述PIN光电二极管的阴极耦接；
所述第一极板与所述第一控制晶体管的第一极和第二极同层同材料设置；
所述PIN光电二极管的阴极复用为与其耦接的所述存储电容的第二极板，所述第一极板在所述基底上的正投影，位于所述第二极板在所述基底上的正投影的内部。
6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：第二感测信号线和第二控制信号线；
所述子像素还包括电学检测电路，所述电学检测电路包括第二控制晶体管，所述第二控制晶体管的第一极与所述发光元件的阳极耦接，所述第二控制晶体管的第二极与所述第二感测信号线耦接，所述第二控制晶体管的栅极与所述第二控制信号线耦接；
沿所述第一方向，位于同一行的所述电学检测电路复用同一条所述第二控制信号线；
沿所述第二方向，位于同一列的所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，相邻的至少两列所述电学检测电路复用同一条所述第二感测信号线。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一感测信号线和所述第二感测信号线交替设置，相邻的所述第一感测信号线和所述第二感测信号线之间包括至少两列所述子像素列。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与各所述子像素列一一对应的数据线，每条所述数据线与其对应的子像素列中各子像素包括的子像素驱动电路分别耦接；
所述数据线与所述第一感测信号线之间包括至少一列所述子像素；
所述数据线与所述第二感测信号线之间包括至少一列所述子像素。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一控制晶体管包括氧化物薄膜晶体管。
11.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一平坦层，所述第一平坦层位于所述第一控制晶体管和所述PIN型光电二极管之间。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～11中任一项所述的显示基板。
13.一种显示基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～11中任一项所述的显示基板，所述制作方法包括在基底上制作阵列分布的多个子像素的步骤，该步骤具体包括：
在基底上制作各子像素包括的子像素驱动电路和发光检测电路中的第一控制晶体管；
在所述第一控制晶体管背向所述基底的一侧制作各所述发光检测电路中的PIN型光电二极管，所述第一控制晶体管的第一极与对应的所述PIN型光电二极管的阴极耦接，所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，与对应的所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影至少部分交叠；
在所述PIN型光电二极管背向所述基底的一侧制作各子像素包括的发光元件，所述发光元件与对应的所述子像素驱动电路耦接；
所述PIN型光电二极管包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的阴极、光电转换结构和阳极；
所述阴极采用遮光材料，所述第一控制晶体管在所述基底上的正投影，位于所述阴极在所述基底上的正投影的内部。
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