CN111584603B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区，所述显示区包括显示结构层、设置在显示结构层上的保护层，以及设置在保护层上的反射层，所述显示结构层包括在基底上叠设的驱动结构层、发光结构层和封装结构层；所述绑定区包括绑定结构层、设置在绑定区靠近显示区一侧的绑定结构层上的保护层，以及设置在保护层上的反射层，所述绑定结构层包括在基底上设置的引线结构层、设置在引线结构层上的绑定焊垫和无机封装层；所述保护层是采用第一开放式掩膜板形成并具有第一开口，所述第一开口位于绑定区远离显示区的一侧，所述第一开口暴露出所述绑定焊垫。本申请实施例的显示基板制备工艺简单。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(英文：Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示基板以其低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，被广泛应用在手机、平板电脑、数码相机等显示领域。

随着显示技术的快速发展，各种新兴技术不断涌现，具有多功能的显示装置已成为人们追求的目标之一。目前，市场上出现的镜面显示装置由于能同时实现显示功能和镜子功能，得到广泛的应用。镜面显示是指使用者在使用镜子的同时，可以从镜子的显示器中看到显示画面，从而满足人们的多种需求，例如公共场所广告显示屏、车载后视镜、ATM取款机显示屏等。

一些镜面显示基板采用设置在封装结构层上的反射层来反射光线以起到镜子的功能。在制备反射层的过程中需要进行图案化工艺以形成反射层的透光孔，反射层的透光孔与显示区的发光单元对应。一些技术中，为了防止在制备反射层的图案化工艺过程中所存在的刻蚀风险，在封装结构层和反射层之间设置保护层，但是，制备保护层的工艺较为复杂。

发明内容

本申请实施例所要解决的技术问题为：解决上述的一些技术中保护层的制备工艺复杂的问题。

本申请实施例提供一种显示基板，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区，所述显示区包括显示结构层、设置在所述显示结构层上的保护层，以及设置在所述保护层上的反射层，所述显示结构层包括在基底上叠设的驱动结构层、发光结构层和封装结构层；所述绑定区包括绑定结构层、设置在所述绑定区靠近所述显示区一侧的所述绑定结构层上的保护层，以及设置在所述保护层上的反射层，所述绑定结构层包括在基底上设置的引线结构层、设置在所述引线结构层上的绑定焊垫和无机封装层；所述保护层是采用第一开放式掩膜板形成并具有第一开口，所述第一开口位于所述绑定区远离所述显示区的一侧，所述第一开口暴露出所述绑定焊垫。

可选地，所述引线结构层包括设置在所述引线结构层内部并远离所述基底的第二金属层，所述第二金属层包括第二引线，所述保护层在所述基底上的正投影包含所述第二引线在所述基底上的正投影。

可选地，所述发光结构层包括多个发光单元，所述反射层开设有与所述发光单元对应的透光孔和将所述绑定焊垫暴露的暴露孔。

可选地，所述保护层在所述基底上的正投影还包含所述封装结构层和所述无机封装层在所述基底上的正投影。

可选地，所述保护层的材料包括氮化硅、氧化硅中的任一种或多种。

可选地，所述绑定结构层还包括设置在所述引线结构层上的隔离坝，所述无机封装层包裹所述隔离坝。

本申请实施例还提供一种显示装置，包括所述的显示基板。

本申请实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区，所述制备方法包括：

在所述显示区和所述绑定区分别形成显示结构层和绑定结构层，所述显示结构层包括在基底上叠设的驱动结构层、发光结构层和封装结构层，所述绑定结构层包括在基底上设置的引线结构层、设置在所述引线结构层上的绑定焊垫和无机封装层；

采用第一开放式掩膜板形成具有第一开口的保护层，所述保护层覆盖所述显示区的所述显示结构层，以及覆盖所述绑定区靠近所述显示区一侧的所述绑定结构层，所述第一开口位于所述绑定区远离所述显示区的一侧，所述第一开口暴露出所述绑定焊垫；

在所述保护层上形成反射层。

可选地，所述引线结构层包括设置在所述引线结构层内部并远离所述基底的第二金属层，所述第二金属层包括第二引线，所述保护层在所述基底上的正投影包含所述第二引线在所述基底上的正投影。

可选地，所述发光结构层包括多个发光单元，所述在所述保护层上形成反射层，包括：

在所述保护层上沉积反射薄膜；

对所述反射薄膜进行图案化处理以形成与所述发光单元对应的透光孔和将所述绑定焊垫暴露的暴露孔，从而形成反射层。

可选地，所述封装结构层包括依次层叠设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述无机封装层包括依次层叠设置的第一无机封装层和第二无机封装层，所述在所述显示区和所述绑定区分别形成显示结构层和绑定结构层，包括：

在基底上形成所述显示区的驱动结构层，以及形成所述绑定区的引线结构层和绑定焊垫；

在所述驱动结构层上形成发光结构层；

利用第二开放式掩膜板在所述发光结构层和所述引线结构层上沉积第一无机封装薄膜，从而形成具有第二开口的所述第一无机封装层，所述第二开口将所述绑定焊垫暴露出；

在所述第一无机封装层上形成所述有机封装层；

利用第三开放式掩膜板在所述显示区的所述有机封装层上和所述绑定区的所述第一无机封装层上沉积第二无机封装薄膜，从而形成具有第三开口的所述第二无机封装层，所述第三开口将所述绑定焊垫暴露出。

可选地，所述保护层的材料包括氮化硅、氧化硅中的任一种或多种。

本申请实施例的显示基板的制备方法，保护层是利用开放式掩膜板直接沉积保护薄膜而形成的，因此，保护层的制备过程中不需要进行图案化工艺以形成使绑定焊垫暴露的暴露孔，相较于一些技术中先在整个显示基板表面沉积保护薄膜，然后对保护薄膜进行图案化处理以形成保护层的方法，工艺简单并且节省成本，实际生产中具备更大的量产性。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为本申请一实施例的显示基板的俯视结构示意图；

图2为在一些示例性实施例中图1的A-A截面结构示意图；

图3为图2的显示基板中形成显示区的驱动结构层及绑定区的引线结构层和绑定焊垫后的截面结构示意图；

图4为图2的显示基板中形成发光结构层和隔离柱后的截面结构示意图；

图5为图2的显示基板中形成封装结构层和无机封装层后的截面结构示意图；

图6a为图2的显示基板中形成保护层后的截面结构示意图；

图6b为图2的显示基板中形成保护层后的俯视结构示意图；

附图标记：

12—基底；             13—驱动结构层；       20—发光结构层；

21—像素定义层；       22—第一电极；         23—有机发光层；

24—第二电极层；       30—封装结构层；       31—第一无机封装层；

32—有机封装层；       33—第二无机封装层；   40—反射层；

41—透光孔；

70—保护层；           90—隔离坝；           91—第一坝基；

92—第二坝基；         93—隔离柱；           100—显示区；

120—复合衬底；        124—缓冲层；          131—有源层；

132—第一绝缘层；      133a—栅电极；         133b—第一电容电极；

133c—第一引线；       134—第二绝缘层；      135a—第二电容电极；

135b—第二引线；       136—第三绝缘层；      137a—源电极；

137b—漏电极；         138—第四绝缘层；      200—边框区；

201—发光单元；        300—绑定区；          301—绑定焊垫；

110—封装边缘。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

图1为本申请一实施例的显示基板的俯视结构示意图，如图1所示，显示基板包括显示区100和位于显示区100一侧的绑定区300，绑定区300包括绑定焊垫301，绑定焊垫301设置为与外部的柔性线路板(Flexible Printed Circuit，简称FPC)、驱动集成电路(简称驱动IC)绑定连接。显示区100包括多个像素单元400，多个像素单元400呈阵列式排布。每个像素单元400包括多个发光单元。像素单元400也称为像素点，每个像素单元400可以显示各种不同的颜色。在一些示例中，发光单元为OLED发光单元，发光单元可以包括阳极、有机发光层和阴极。在一些示例性实施例中，像素单元400包括第一发光单元401、第二发光单元402、第三发光单元403和第四发光单元404。在一些示例性实施例中，第一发光单元401设置为红光发光单元，第二发光单元402和第三发光单元403均可以设置为绿光发光单元，第四发光单元404可以设置为蓝光发光单元。在其他示例中，像素单元400可以包括三个发光单元，分别为红光发光单元、绿光发光单元和蓝光发光单元。在另一些示例中，显示基板可以为白光OLED显示基板。本文中的一些示例中，显示区100内任一个发光单元可以统称发光单元201。本申请实施例中，发光单元的形状可以不受限制，比如可以为矩形、六边形等。发光单元的排布方式也不受限制。

如图2所示，图2示出了本申请实施例中图1的显示基板的A-A截面结构示意图，显示区100包括显示结构层、设置在所述显示结构层上的保护层70，以及设置在保护层70上的反射层40，所述显示结构层包括在基底12上叠设的驱动结构层13、发光结构层20和封装结构层30；绑定区300包括绑定结构层、设置在绑定区300靠近显示区100一侧的绑定结构层上的保护层70，以及设置在保护层70上的反射层40，所述绑定结构层包括在基底12上设置的引线结构层、设置在所述引线结构层上的绑定焊垫301和无机封装层；保护层70是采用第一开放式掩膜板形成并具有第一开口，所述第一开口位于绑定区300远离显示区100的一侧，所述第一开口暴露出绑定焊垫301。驱动结构层13内部设置有像素驱动电路，像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管和存储电容。发光结构层20包括多个发光单元201，发光单元201与像素驱动电路连接。图2中的显示区100以一个薄膜晶体管、一个发光单元201为例示意。

本申请实施例中，保护层70的第一开口是指在绑定区300内保护层70的未覆盖绑定区300的部分，第一开口的作用是为了暴露绑定焊垫301。在一些示例中，第一开口可以是保护层70的不规则边缘所形成的凹槽结构。

在一些示例性实施例中，所述引线结构层包括设置在所述引线结构层内部并远离基底12的第二金属层，所述第二金属层包括第二引线，保护层70在基底12上的正投影包含所述第二引线在基底12上的正投影。这样，在后续制备反射层40过程中的图案化工艺不会刻蚀到引线结构层，从而减小将引线结构层内部的远离基底12的第二引线暴露的风险。

在一些示例性实施例中，保护层70的材料可以为氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合材料。在一些示例性实施例中，保护层70的材料为SiNx。保护层70的厚度可以为0.2μm至0.4μm，例如，保护层70的厚度可以为0.3μm。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述绑定结构层还包括设置在所述引线结构层上的隔离坝90，所述无机封装层包裹隔离坝90。隔离坝90位于绑定区300，可以阻挡外界水汽进入显示区100，减少显示区100内发光单元201受水汽侵袭的风险。

在一些示例性实施例中，显示基板还包括光学胶层和盖板。盖板通过光学胶层贴合在反射层40的背离基底12的一侧。

在一些示例性实施例中，反射层40开设有与发光单元201一一对应的透光孔41，发光单元201发出的光线可以通过透光孔41出射，提高了显示装置的透光率，同时，在显示区100的非发光区域，外界光线照射到反射层40上后反射，实现了镜子的功能，因此显示基板为镜面显示基板，兼有显示和镜子的功能。并且，由于外界光线不会透过反射层40，则发光单元201发出的光线不受外界光线的影响，提高了显示装置的显示对比度。反射层40还开设有位于绑定区300的暴露孔，暴露孔暴露出绑定焊垫301，以便于绑定焊垫301与驱动IC、柔性线路板绑定连接。

在一些示例性实施例中，如图2所示，基底12作为显示基板的载体。基底12可以包括复合衬底和设置在复合衬底上的缓冲层。复合衬底可以为柔性衬底或者刚性衬底。复合衬底可以包括依次叠层设置的第一衬底、第二衬底和第三衬底，缓冲层设置在第三衬底上并朝向驱动结构层13。在其它示例性实施例中，基底12可以包括一层或两层衬底。示例性地，第一衬底、第二衬底和第三衬底均可以采用压敏胶(Pressure Sensitive Adhesive，简称PSA)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。在一些示例性实施例中，第一衬底的材料为压敏胶，第二衬底和第三衬底的材料均为聚酰亚胺。缓冲层的材料可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合材料。在一些示例性实施例中，驱动结构层13设置在基底12的缓冲层上。

下面结合图2的显示基板的结构来说明本申请实施例显示基板的制备方法。为了详细说明显示基板的掩膜次数，下文中用“图案化工艺”表示每次形成图案化的过程，每一次图案化工艺对应一次掩膜工艺。对于无机材质(例如金属层、无机层等)，“图案化工艺”可以包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等工序；对于有机材质(例如光刻胶、有机树脂等)，“图案化工艺”可以包括掩膜曝光、显影等工序。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成。膜层的“厚度”为膜层在垂直于基板方向上的尺寸。

(1)在基底12上形成显示区100的驱动结构层13和绑定区300的引线结构层和绑定焊垫301。如图3所示，该步骤可以包括：

第一次图案化工艺：在基底12(包括复合衬底120和设置在复合衬底120上的缓冲层124)的缓冲层124上形成有源层131，有源层131位于显示区100。该步骤可以包括：在缓冲层124上沉积有源薄膜，通过图案化工艺对有源薄膜进行图案化，形成有源层131，如图3所示。在一些示例性实施例中，有源薄膜的材料可以为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)或微晶硅材料，也可以是金属氧化物材料，金属氧化物材料可以是铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)或铟锡锌氧化物(Indium Tin Zinc Oxide，ITZO)。

第二次图案化工艺：在有源层131背离基底12的一侧形成第一金属层。该步骤可以包括：在有源层131背离基底12的一侧沉积第一绝缘薄膜而形成第一绝缘层132，第一绝缘层132位于显示区100和绑定区300；在第一绝缘层132背离基底12的一侧沉积第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成第一金属层，第一金属层包括位于显示区100的栅电极133a、第一电容电极133b、栅线(图中未示出)和位于绑定区300的第一引线133c。在一些示例性实施例中，第一金属薄膜可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。第一绝缘薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。

第三次图案化工艺：在第一金属层背离基底12的一侧形成第二金属层。该步骤可以包括：在第一金属层背离基底12的一侧沉积第二绝缘薄膜而形成第二绝缘层134，第二绝缘层134位于显示区100和绑定区300。在第二绝缘层134背离基底12的一侧沉积第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成第二金属层，第二金属层包括位于显示区100的第二电容电极135a和位于绑定区300的第二引线135b，如图3所示。其中，第二电容电极135a与第一电容电极133b相对应，第二电容电极135a与第一电容电极133b形成存储电容的两个极板。在一些示例性实施例中，第二金属薄膜可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。第二绝缘薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。

第四次图案化工艺：在第二金属层背离基底12的一侧形成第三绝缘层136，第三绝缘层136位于显示区100和绑定区300。第三绝缘层136开设有贯穿第三绝缘层136、第二绝缘层134和第一绝缘层132的第一过孔和第二过孔，第一过孔用于暴露有源层131的一端，第二过孔用于暴露有源层131的另一端。该步骤可以包括：在第二金属层背离基底12的一侧沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺对第三绝缘薄膜、第二绝缘层134和第一绝缘层132进行图案化，形成第一过孔和第二过孔，第一过孔暴露出有源层131的一端，第二过孔暴露出有源层131的另一端，从而形成第三绝缘层136，如图4所示。在一些示例性实施例中，第三绝缘薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。

第五次图案化工艺：在第三绝缘层136背离基底12的一侧形成第三金属层，第三金属层包括位于显示区100的源电极137a、漏电极137b和数据线(图中未示出)、位于绑定区300的绑定焊垫301。源电极137a通过第一过孔与有源层131的一端连接，漏电极137b通过第二过孔与有源层131另一端连接。该步骤可以包括：在第三绝缘层136背离基底12的一侧沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，形成第三金属层。

第六次图案化工艺：在第三金属层背离基底12的一侧形成第四绝缘层138，第四绝缘层138开设有用于暴露漏电极137b的第三过孔，且包括位于绑定区300的第一坝基91。该步骤可以包括：在第三金属层背离基底12的一侧涂覆第四绝缘薄膜，采用图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成第四绝缘层138。至此，完成了显示区100的驱动结构层13和绑定区300的引线结构层、绑定焊垫301的制备，如图3所示。在一些示例性实施例中，第四绝缘层138的材质为有机材质，例如光刻胶、树脂材料等。第四绝缘层138也称作平坦层，第四绝缘层138背离基底12一侧的表面呈平坦表面。

(2)在显示区100的驱动结构层13的背离基底12的一侧形成发光结构层20，在绑定区300形成隔离坝90。如图4所示，发光结构层20包括位于显示区100的第一电极层(包括多个第一电极22)、像素定义层21、有机发光层23和第二电极层24。发光结构层20包括多个发光单元201，发光单元201包括第一电极22、有机发光层23和第二电极层24。该步骤可以包括：

第七次图案化工艺：在显示区100的第四绝缘层138背离基底12的一侧形成第一电极层，第一电极层包括多个第一电极22。该步骤可以包括：在第四绝缘层138背离基底12的一侧沉积第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成包括多个第一电极22的第一电极层。每个第一电极22位于一个发光单元201所在区域，第一电极22通过第四绝缘层138上开设的第三过孔与漏电极137b连接，如图4所示。第一导电薄膜可以采用本领域常用材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者ITO/Al(铝)/ITO多层复合材料，在此不作具体限定。第一电极22可以为OLED发光单元的阳极。

第八次图案化工艺：在显示区100的第一电极层背离基底12的一侧形成像素定义层21，在绑定区300形成位于第一坝基91上的第二坝基92。像素定义层22在每个发光单元201所在区域开设有像素开口，第一电极22通过像素开口暴露出来。该步骤可以包括：在前述全部结构的表面上形成像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化处理，从而形成像素定义层21和第二坝基92，如图4所示。在一些示例性实施例中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚力克或聚对苯二甲酸乙二醇酯等材料制作。

第九次图案化工艺：形成隔离柱(PS)93，该步骤可以包括：在显示基板的前述全部结构的表面涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光和显影工序，形成隔离柱(PS)93。其中，可以在绑定区300的第二坝基92上形成隔离柱(PS)93，从而形成隔离坝90(包括第一坝基91、第二坝基92和隔离柱93)。

随后，在显示区100内依次沉积有机发光材料和第二导电材料，分别形成有机发光层23和第二电极层24，有机发光层23通过像素定义层22的像素开口与第一电极22连接，第二电极层24位于有机发光层23背离基底12的一侧表面上，如图4所示。其中，有机发光层23主要包括发光层(EML)。有机发光层23可以包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。为了提高电子和空穴注入发光层的效率，第二导电材料可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、锂(Li)等金属材料中的一种或多种。第二电极层24可以为发光单元201的阴极，所有发光单元的阴极为一体结构，即第二电极层24为一体结构。

(3)在显示区100的发光结构层20上形成封装结构层30，在绑定区300的靠近显示区100的区域形成无机封装层，如图5所示。封装结构层30包括依次层叠设置的第一无机封装层31、有机封装层32和第二无机封装层33。第一无机封装层31、有机封装层32和第二无机封装层33在基底12上的正投影均包括显示区100。在一些示例性实施例中，第一无机封装层31和第二无机封装层33均位于显示区100、边框区200和绑定区300，有机封装层32位于显示区100。无机封装层包括位于边框区200和绑定区300的层叠设置的第一无机封装层31和第二无机封装层33。该步骤可以包括：

在显示区100、边框区200和绑定区300形成第一无机封装层31。该步骤可以包括：利用第二开放式掩膜板(Open Mask)在整个显示区100、边框区200的靠近显示区100的区域和绑定区300的靠近显示区100的区域沉积第一无机封装薄膜而形成具有第二开口的第一无机封装层31，第二开口将绑定焊垫301暴露出。在沉积第一无机封装薄膜过程中第二开放式掩膜板将绑定焊垫301遮盖，第二开放式掩膜板的将绑定焊垫301遮盖的部分用来形成第一无机封装层31的第二开口。在一些示例性实施例中，第一无机封装薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。在一些示例性实施例中，第一无机封装薄膜采用氮氧化硅SiON。

在显示区100的第一无机封装层31上形成有机封装层32。该步骤可以包括：采用喷墨打印工艺在显示区100的第一无机封装层31上喷墨打印有机封装材料，固化成膜后，形成无机封装层32。

在显示区100、边框区200和绑定区300形成第二无机封装层33。该步骤可以包括：利用第三开放式掩膜板(Open Mask)在整个显示区100、边框区200的靠近显示区100的区域和绑定区300的靠近显示区100的区域沉积第二无机封装薄膜而形成具有第三开口的第二无机封装层33，第三开口将绑定焊垫301暴露出。在沉积第二无机封装薄膜过程中第三开放式掩膜板将绑定焊垫301遮盖，第三开放式掩膜板的将绑定焊垫301遮盖的部分用来形成第二无机封装层33的第三开口。第三开放式掩膜板可以与第二开放式掩膜板相同。在一些示例性实施例中，第二无机封装薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。在一些示例性实施例中，第二无机封装薄膜采用氮化硅SiNx。由上述过程可知，无机封装层包括叠设的第一无机封装层31和第二无机封装层33，边框区200的靠近显示区100的区域和绑定区300的靠近显示区100的区域均形成有无机封装层。

在一些示例性实施例中，第一无机封装层31的厚度可以为1μm，有机封装层32的厚度可以为12μm，第二无机封装层33的厚度可以为500nm至700nm(例如600nm)。

(4)在显示区100、边框区200和绑定区300的靠近显示区100的区域形成保护层70，如图6a、6b所示。该步骤可以包括：

利用第一开放式掩膜板(Open Mask)，在显示基板的前述全部结构表面的预定区域内沉积保护薄膜，所述的预定区域可以包括整个显示区100、整个边框区200，以及绑定区300的靠近显示区100的区域。所述的预定区域可以由第一开放式掩膜板(Open Mask)的开口部分在显示基板上的位置确定。沉积保护薄膜过程中，第一开放式掩膜板的遮挡部分将绑定焊垫301遮盖(第一开放式掩膜板的遮挡部分用来形成保护层70的第一开口)，然后在显示区100的封装结构层30上、边框区200和绑定区300的无机封装层上，以及绑定区300内无机封装层边缘外侧的引线结构层上沉积保护薄膜，从而形成具有第一开口的保护层70，第一开口将绑定焊垫301暴露出。如图6a、6b所示。

在一些示例性实施例中，如图6a、6b所示，保护层70在基底12上的正投影包含第二引线135b(图3也有示出)在基底12上的正投影。这样，在后续制备反射层40过程中的图案化工艺不会刻蚀到引线结构层，从而减小将引线结构层内部的远离基底12的第二金属层的第二引线135b暴露的风险。

在一些示例性实施例中，保护层70的材质可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。在一些示例性实施例中，保护层70的材质为SiNx。保护层70的厚度可以为0.2μm至0.4μm，例如，保护层70的厚度可以为0.2μm、0.3μm或0.4μm。

一些技术中，为了避免在制备反射层的图案化工艺过程中存在的刻蚀风险(即在刻蚀过程中易发生过刻而导致引线结构层被刻蚀，从而存在将引线结构层内部的引线暴露的风险)，在封装结构层和反射层之间设置保护层，保护层的形成过程是：先在显示基板的整个表面沉积保护薄膜，然后利用图案化工艺在保护薄膜上形成暴露绑定焊垫的暴露孔。此方法工艺复杂，并且在图案化工艺中需要进行曝光等工序，曝光工序还要用到特定的掩膜板，工艺复杂且增加了生产成本。而本申请实施例中，由于保护层70是利用开放式掩膜板在预定区域直接沉积形成，因此，相较于上述一些技术中保护层的制备方法，不需要进行图案化工艺，工艺简单，还可节省图案化工艺的曝光工序中所采用的特定掩膜板，节省了成本，实际生产中具备更大的量产性。

在一些示例性实施例中，保护层70在基底12上的正投影还包含封装结构层30和无机封装层在基底12上的正投影。如图6b所示，封装结构层30和无机封装层的边缘即封装边缘110，保护层70(填充区域代表保护层70)覆盖封装边缘110。

(5)第十次图案化工艺：在显示基板的前述全部结构的表面上形成反射层40，反射层40开设有与发光单元201一一对应的透光孔41，反射层40还开设有暴露出绑定焊垫301的暴露孔，以便于绑定焊垫301与外部的驱动IC、柔性线路板绑定连接，如图2所示。该步骤可以包括：在显示基板的前述全部结构的表面上沉积反射薄膜，通过图案化工艺对反射薄膜进行图案化处理以形成透光孔41以及暴露出绑定焊垫301的暴露孔，从而形成反射层40。

在一些示例性实施例中，反射层40上的所有透光孔41的面积占显示基板显示区100面积的10％至40％，即在平行于显示基板的平面上，反射层40的正投影的面积为显示基板显示区100面积的60％至90％。透光孔41的面积与发光单元201的面积(发光单元201的面积为发光单元201在基底上正投影的面积，或者为发光单元201所对应的像素定义层21的像素开口的面积)大小不作限定。透光孔41的面积可以大于、小于或等于发光单元201的面积。透光孔41的面积增大，镜面效果会减弱，但显示基板的亮度提高，透光孔41的面积减小，镜面效果会增强，但显示基板的亮度减弱。透光孔41的形状在此不作限定，可以根据实际需要设置为方形、圆形等，透光孔41的形状可与发光单元201的形状一致。

在一些示例性实施例中，反射层40的材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、钛(Ti)、ITO/Ag/ITO多层复合材料、Ti/Al/Ti多层复合材料中的一种或多种。在一些示例性实施例中，反射层的厚度可以为0.25μm至0.4μm。在一些示例性实施例中，反射层的材料为铝，厚度为0.33μm。

随后，可以在反射层40背离基底12的一侧贴合光学胶层和盖板。该步骤可以包括：在反射层40背离基底12的表面贴合光学胶层，采用贴合工艺在光学胶层背离基底12的一侧贴合盖板。

根据上述显示基板的制备过程，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区，所述制备方法包括：

在所述显示区和所述绑定区分别形成显示结构层和绑定结构层，所述显示结构层包括在基底上叠设的驱动结构层、发光结构层和封装结构层，所述绑定结构层包括在基底上设置的引线结构层、设置在所述引线结构层上的绑定焊垫和无机封装层；

采用第一开放式掩膜板形成具有第一开口的保护层，所述保护层覆盖所述显示区的所述显示结构层，以及覆盖所述绑定区靠近所述显示区一侧的所述绑定结构层，所述第一开口位于所述绑定区远离所述显示区的一侧，所述第一开口暴露出所述绑定焊垫；

在所述保护层上形成反射层。

在一些示例性实施例中，所述引线结构层包括设置在所述引线结构层内部并远离所述基底的第二金属层，所述第二金属层包括第二引线，所述保护层在所述基底上的正投影包含所述第二引线在所述基底上的正投影。

在一些示例性实施例中，所述发光结构层包括多个发光单元，所述在所述保护层上形成反射层，包括：

在所述保护层上沉积反射薄膜；

对所述反射薄膜进行图案化处理以形成与所述发光单元对应的透光孔和将所述绑定焊垫暴露的暴露孔，从而形成反射层。

在一些示例性实施例中，所述封装结构层包括依次层叠设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述无机封装层包括依次层叠设置的第一无机封装层和第二无机封装层，所述在所述显示区和所述绑定区分别形成显示结构层和绑定结构层，包括：

在基底上形成所述显示区的驱动结构层，以及形成所述绑定区的引线结构层和绑定焊垫；

在所述驱动结构层上形成发光结构层；

利用第二开放式掩膜板在所述发光结构层和所述引线结构层上沉积第一无机封装薄膜，从而形成具有第二开口的所述第一无机封装层，所述第二开口将所述绑定焊垫暴露出；

在所述第一无机封装层上形成所述有机封装层；

利用第三开放式掩膜板在所述显示区的所述有机封装层上和所述绑定区的所述第一无机封装层上沉积第二无机封装薄膜，从而形成具有第三开口的所述第二无机封装层，所述第三开口将所述绑定焊垫暴露出。

基于前述实施例的发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述实施例的显示基板。该显示装置可以为柔性OLED镜面显示装置。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区，其特征在于，

所述显示区包括显示结构层、设置在所述显示结构层上的保护层，以及设置在所述保护层上的反射层，所述显示结构层包括在基底上叠设的驱动结构层、发光结构层和封装结构层；

所述绑定区包括绑定结构层、设置在所述绑定区靠近所述显示区一侧的所述绑定结构层上的保护层，以及设置在所述保护层上的反射层，所述绑定结构层包括在基底上设置的引线结构层、设置在所述引线结构层上的绑定焊垫和无机封装层；所述引线结构层包括设置在所述引线结构层内部并远离所述基底的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层包括第一引线，所述第二金属层包括第二引线，所述保护层在所述基底上的正投影包含所述第二引线在所述基底上的正投影；

所述保护层是采用第一开放式掩膜板形成并具有第一开口，所述第一开口位于所述绑定区远离所述显示区的一侧，所述第一开口暴露出所述绑定焊垫。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括多个发光单元，所述反射层开设有与所述发光单元对应的透光孔和将所述绑定焊垫暴露的暴露孔。

3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护层在所述基底上的正投影还包含所述封装结构层和所述无机封装层在所述基底上的正投影。

4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硅、氧化硅中的任一种或多种。

5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绑定结构层还包括设置在所述引线结构层上的隔离坝，所述无机封装层包裹所述隔离坝。

6.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求1-5任一项所述的显示基板。

7.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区，其特征在于，所述制备方法包括：

在所述显示区和所述绑定区分别形成显示结构层和绑定结构层，所述显示结构层包括在基底上叠设的驱动结构层、发光结构层和封装结构层，所述绑定结构层包括在基底上设置的引线结构层、设置在所述引线结构层上的绑定焊垫和无机封装层；所述引线结构层包括设置在所述引线结构层内部并远离所述基底的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层包括第一引线，所述第二金属层包括第二引线，保护层在所述基底上的正投影包含所述第二引线在所述基底上的正投影；

采用第一开放式掩膜板形成具有第一开口的保护层，所述保护层覆盖所述显示区的所述显示结构层，以及覆盖所述绑定区靠近所述显示区一侧的所述绑定结构层，所述第一开口位于所述绑定区远离所述显示区的一侧，所述第一开口暴露出所述绑定焊垫；

在所述保护层上形成反射层。

8.如权利要求7所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述发光结构层包括多个发光单元，所述在所述保护层上形成反射层，包括：

在所述保护层上沉积反射薄膜；

对所述反射薄膜进行图案化处理以形成与所述发光单元对应的透光孔和将所述绑定焊垫暴露的暴露孔，从而形成反射层。

9.如权利要求7所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述封装结构层包括依次层叠设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述无机封装层包括依次层叠设置的第一无机封装层和第二无机封装层，所述在所述显示区和所述绑定区分别形成显示结构层和绑定结构层，包括：

在基底上形成所述显示区的驱动结构层，以及形成所述绑定区的引线结构层和绑定焊垫；

在所述驱动结构层上形成发光结构层；

利用第二开放式掩膜板在所述发光结构层和所述引线结构层上沉积第一无机封装薄膜，从而形成具有第二开口的所述第一无机封装层，所述第二开口将所述绑定焊垫暴露出；

在所述第一无机封装层上形成所述有机封装层；

利用第三开放式掩膜板在所述显示区的所述有机封装层上和所述绑定区的所述第一无机封装层上沉积第二无机封装薄膜，从而形成具有第三开口的所述第二无机封装层，所述第三开口将所述绑定焊垫暴露出。

10.如权利要求7所述的显示基板的制备方法，其特征在于：所述保护层的材料包括氮化硅、氧化硅中的任一种或多种。

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