CN110824797A - 透明显示面板、显示面板及其显示装置 - Google Patents

透明显示面板、显示面板及其显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110824797A
CN110824797A CN201911100581.5A CN201911100581A CN110824797A CN 110824797 A CN110824797 A CN 110824797A CN 201911100581 A CN201911100581 A CN 201911100581A CN 110824797 A CN110824797 A CN 110824797A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
low
display panel
transparent display
transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911100581.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110824797B (zh
Inventor
蔡俊飞
周晓梁
刘如胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd filed Critical Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201911100581.5A priority Critical patent/CN110824797B/zh
Publication of CN110824797A publication Critical patent/CN110824797A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110824797B publication Critical patent/CN110824797B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G02F1/136245—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel having complementary transistors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明提供了一种透明显示面板、显示面板及其显示装置，透明显示面板包括：若干第一子像素与下方的第一像素驱动电路，第一像素驱动电路包括若干第一晶体管与第一存储电容；若干第一晶体管至少包括低温多晶氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管中的一种；低温多晶氧化物晶体管和/或低温多晶硅晶体管与第一存储电容在透明显示面板的正投影至少部分重叠。上述上下堆叠可以减小低透光率区域所占面积，保证透明显示面板的透光率。

Description

透明显示面板、显示面板及其显示装置
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种透明显示面板、显示面板及其显示装置。
背景技术
随着显示装置的快速发展，用户对屏幕占比的要求越来越高，由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件，因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件，例如苹果手机iphoneX的前刘海区域，影响了屏幕的整体一致性，全面屏显示受到业界越来越多的关注。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种用于全面屏的透明显示面板、显示面板及其显示装置。
为实现上述目的，本发明的第一方面提供一种透明显示面板，包括：若干第一子像素与位于每一第一子像素下方的第一像素驱动电路，每一所述第一像素驱动电路包括若干第一晶体管与第一存储电容，若干第一晶体管至少包括低温多晶氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管中的一种；所述低温多晶氧化物晶体管和/或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
可选地，当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶氧化物晶体管时，所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶硅晶体管时，所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；
当所述若干第一晶体管包括所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管时，所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
可选地，所述第一子像素包括：第一电极、位于所述第一电极上的第一发光结构块，以及位于所述第一发光结构块上的第二电极；所述第一电极为反光电极；
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶氧化物晶体管时，所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶硅晶体管时，所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；
当所述若干第一晶体管包括所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管时，所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
可选地，所述第一像素驱动电路至少包括开关晶体管与驱动晶体管，所述开关晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管中的一个，所述驱动晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管中的另一个。
可选地，所述低温多晶氧化物晶体管中的栅极为顶栅或底栅。
可选地，所述第一像素驱动电路还包括发光晶体管，所述发光晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管。
本发明的第二方面提供一种显示装置，包括：
壳体，具有器件区；
以及如上述任一项所述的透明显示面板，覆盖在所述壳体上；
其中，所述器件区位于所述透明显示面板下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示面板发射或者采集光线的感光器件。
可选地，所述感光器件包括：摄像头、红外传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器中的至少一种。
本发明的第三方面提供一种显示面板，包括透明显示区与非透明显示区，所述透明显示区设置有上述任一项所述的透明显示面板。
可选地，所述非透明显示区包括：若干第二子像素与位于每一第二子像素下方的第二像素驱动电路，每一所述第二像素驱动电路包括若干第二晶体管与第二存储电容，具有相同功能的所述第一晶体管与所述第二晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管，且具有相同功能的所述第一晶体管与所述第二晶体管中的相应对应层位于同一层。
可选地，相应对应层包括所述第一晶体管与所述第二晶体管中相应的栅极、低温多晶氧化物层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、源极以及漏极中的至少一种。
可选地，所述第二像素驱动电路至少包括开关晶体管；所述第二像素驱动电路的开关晶体管与所述第一像素驱动电路的开关晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管；且各个第一子像素与各个第二子像素的开关晶体管的栅极电连接的扫描信号线位于同一层。
可选地，所述第二像素驱动电路还至少包括驱动晶体管；所述第二像素驱动电路的驱动晶体管与所述第一像素驱动电路的驱动晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管；且各个第一子像素与各个第二子像素的驱动晶体管的栅极受控的数据信号线位于同一层，源极电连接的电源信号线位于同一层。
可选地，或所述第二像素驱动电路还至少包括发光晶体管；所述第二像素驱动电路的发光晶体管与所述第一像素驱动电路的发光晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管；且各个第一子像素与各个第二子像素的发光晶体管的栅极受控的发光信号线位于同一层。
本发明的第四方面提供一种显示装置，包括：
壳体，具有器件区；
以及如上述任一项所述的显示面板，覆盖在所述壳体上；
其中，所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
可选地，所述感光器件包括：摄像头、红外传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器中的至少一种。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1)透明显示面板中，通过将低温多晶氧化物晶体管与存储电容在上下方向上堆叠，或将低温多晶硅晶体管与存储电容在上下方向上堆叠，减小低透光率区域所占面积，提高高透光率区域与低透光率区域的面积比，从而保证透明显示面板的透光率，提高像素密度(PPI)。
2)可选方案中，第一子像素包括：第一电极、位于第一电极上的第一发光结构块，以及位于第一发光结构块上的第二电极；第一电极为反光电极；通过将低温多晶氧化物晶体管与存储电容设置在第一电极的正下方，或将低温多晶硅晶体管与存储电容设置在第一电极的正下方，进一步减小低透光率区域所占面积，提高高透光率区域与低透光率区域的面积比，从而进一步保证透明显示面板的透光率。
3)显示面板中，通过将透明显示区的第一子像素连接的第一像素驱动电路与非透明显示区的第二子像素连接的第二像素驱动电路中，具有相同功能的晶体管选择同为低温多晶氧化物晶体管或同为低温多晶硅晶体管，且具有相同功能的晶体管中的相应对应层设置于同一层；可以使得透明显示区的数据信号线、电源信号线、发光信号线与非透明显示区对应的数据信号线、电源信号线、发光信号线设置于同一层，避免各信号线出现绕线、层间换线，减少寄生电容，避免信号延迟与信号串扰，也可以简化工艺。
附图说明
图1是本发明第一实施例的透明显示面板的俯视图；
图2是图1中部分区域的截面结构示意图；
图3是一种2T1C结构的第一像素驱动电路的电路图；
图4是本发明第二实施例的透明显示面板的部分区域的截面结构示意图；
图5是本发明第三实施例的透明显示面板的部分区域的截面结构示意图；
图6是本发明第四实施例的透明显示面板的第一像素驱动电路的电路图，其中，第一像素驱动电路为3T1C结构；
图7是本发明第五实施例的显示面板的俯视图；
图8是图7中部分区域的截面结构示意图；
图9是一种7T1C结构的第二像素驱动电路的电路图。
为方便理解本发明，以下列出本发明中出现的所有附图标记：
透明显示面板 1、2、3 基底 10
第一子像素 40 第一存储电容 C
第一电极 41 像素定义层 PDL
第一发光结构块 42 第二电极 43
低温多晶硅半导体有源层 11 第一栅极绝缘层 12
第一栅极 13 第一源极 14a
第一漏极 14b 低温多晶氧化物半导体有源层 31
第二栅极绝缘层 32 第二栅极 33
第二源极 34a 第二漏极 34b
下极板 21 电容介质层 22
上极板 23 第一绝缘层 15
第二绝缘层 35 平坦化层 PLN
开关晶体管 X1 驱动晶体管 X2
扫描信号线 Sn-1、Sn 数据信号线 VData
电源信号线 VDD 发光晶体管 X3
发光信号线 EM 显示面板 4
透明显示区 4a 非透明显示区 4b
第二子像素 50 第三电极 51
第二发光结构块 52 第四电极 53
第二存储电容 C' 第一子晶体管 M1
第二子晶体管 M2 第三子晶体管 M3
第四子晶体管 M4 第五子晶体管 M5
第六子晶体管 M6 第七子晶体管 M7
初始电压信号线 Vinit
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明第一实施例的透明显示面板的俯视图。图2是图1中部分区域的截面结构示意图。图3是一种2T1C结构的第一像素驱动电路的电路图。
参照图1至图3所示，透明显示面板1，包括：若干第一子像素40与位于每一第一子像素40下方的第一像素驱动电路，每一第一像素驱动电路包括若干第一晶体管与第一存储电容C，若干第一晶体管至少包括低温多晶氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管中的一种；低温多晶氧化物晶体管和/或低温多晶硅晶体管与第一存储电容C在透明显示面板1的正投影至少部分重叠。
具体地，当若干第一晶体管仅包括低温多晶氧化物晶体管时，低温多晶氧化物晶体管与第一存储电容C在透明显示面板1的正投影至少部分重叠；
当若干第一晶体管仅包括低温多晶硅晶体管时，低温多晶硅晶体管与第一存储电容C在透明显示面板1的正投影至少部分重叠；
当若干第一晶体管包括低温多晶氧化物晶体管与低温多晶硅晶体管时，低温多晶氧化物晶体管与第一存储电容C在透明显示面板1的正投影至少部分重叠；或低温多晶硅晶体管与第一存储电容C在透明显示面板1的正投影至少部分重叠。
低温多晶硅晶体管(Low Temperature Poly Silicon TFT，LTPS TFT)，是基于低温多晶硅材料作为半导体有源层的晶体管。低温多晶氧化物晶体管(Low TemperaturePoly Silicon-Oxide TFT，LTPO TFT)，是基于低温多晶氧化物材料作为半导体有源层的晶体管。低温多晶氧化物材料例如可以为IGZO(即Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)、IGTO(即Indium Gallium Tin Oxide，铟镓锡氧化物)、IZTO(即Indium Zinc TinOxide，铟锌锡氧化物)中的至少一种。低温多晶硅晶体管可以为P型晶体管(PMOS)，低温多晶氧化物晶体管可以为N型晶体管(NMOS)。
图2中，基底10上具有第一电极41，第一电极41以及未覆盖第一电极41的基底10上设置有像素定义层PDL；像素定义层PDL具有暴露第一电极41的部分区域的开口，开口内设置有第一发光结构块42，第一发光结构块42以及像素定义层PDL上设置有第二电极43。第一电极41、第一发光结构块42以及第二电极43构成第一子像素40。第一发光结构块42可以为红、绿或蓝，也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的第一子像素40构成一个第一像素单元。第一发光结构块42可以为有机发光材料层(OLED)。第一电极41可以为阳极，具体可以为透光阳极，材料例如氧化铟锡(ITO)；也可以为反光阳极，例如为ITO、金属银、ITO的叠层结构。第二电极43可以为阴极，具有部分透光、部分反光的功能，材料例如为金属镁、金属银中的一种或混合物。各第一子像素40的第二电极43可以连接成一面电极。
参照图2所示，低温多晶硅晶体管自下而上包括：低温多晶硅半导体有源层11(包括第一源区、第一漏区，以及第一源区与第一漏区之间的第一沟道区)、第一栅极绝缘层12、第一栅极13、连接第一源区的第一源极14a以及连接第一漏区的第一漏极14b。
第一存储电容C自下而上包括：下极板21、电容介质层22以及上极板23。下极板21与上极板23的材料可以为金属，也可以为透明导电金属氧化物(ITO)。
第一栅极13上具有电容介质层22，电容介质层22与上极板23上具有第一绝缘层15。第一绝缘层15可以为层间介质层或钝化层。
低温多晶氧化物晶体管自下而上包括：低温多晶氧化物半导体有源层31(包括第二源区、第二漏区，以及第二源区与第二漏区之间的第二沟道区)、第二栅极绝缘层32、第二栅极33、连接第二源区的第二源极34a以及连接第二漏区的第二漏极34b。
第一绝缘层15上具有第二栅极绝缘层32，第二栅极绝缘层32与第二栅极33上可以具有第二绝缘层35。第二绝缘层35可以为层间介质层或钝化层。
第二绝缘层35上具有平坦化层PLN。平坦化层PLN层内具有连接低温多晶硅晶体管的第一漏极14b与第一电极41的层间电连接结构。
图2中，低温多晶硅晶体管的第一栅极13位于低温多晶硅半导体有源层11的上方，为顶栅结构。低温多晶氧化物晶体管的第二栅极33位于低温多晶氧化物半导体有源层31的上方，也为顶栅结构。
图3是一种2T1C结构的像素驱动电路的电路图。
参照图3所示，第一像素驱动电路包括开关晶体管X1、驱动晶体管X2以及第一存储电容C。
开关晶体管X1的栅极与一行扫描信号线Sn电连接，该行扫描信号为开启电压时，开关晶体管X1将一列数据信号线VData上的数据信号保持在第一存储电容C的一个极板；扫描信号为关断电压时，第一存储电容C上保持的数据信号保持驱动晶体管X2打开，使得一列电源信号线VDD上的电源信号对第一子像素40持续供电。
参照图2与图3所示，可以看出，开关晶体管X1为低温多晶氧化物晶体管，驱动晶体管X2为低温多晶硅晶体管。
开关晶体管X1与第一存储电容C在透明显示面板1(基底10)的正投影至少部分重叠，相对于开关晶体管X1、驱动晶体管X2、第一存储电容C在基底10的正投影互不重叠的方案，可以减小低透光率区域所占面积，提高高透光率区域(例如平坦化层PLN)与低透光率区域的面积比，从而保证透明显示面板1的透光率，也可以提高第一子像素40的像素密度。此外，当第一电极41为反光电极时，开关晶体管X1与第一存储电容C在透明显示面板1(基底10)的正投影与第一电极41在透明显示面板1(基底10)的正投影至少部分重叠。换言之，将开关晶体管X1与第一存储电容C设置在第一电极41的正下方，能进一步减小低透光率区域所占面积，提高高透光率区域(例如平坦化层PLN)与低透光率区域的面积比，从而进一步保证透明显示面板1的透光率。
图2所示实施例中，第一像素驱动电路包括：低温多晶氧化物晶体管与低温多晶硅晶体管。其它实施例中，开关晶体管X1与驱动晶体管X2可以都为低温多晶氧化物晶体管，或都为低温多晶硅晶体管，即第一像素驱动电路仅包括低温多晶氧化物晶体管，或仅包括低温多晶硅晶体管。相对于后一实施例，图2实施例中的低温多晶氧化物晶体管与低温多晶硅晶体管可以在上下层上堆叠，不受两低温多晶氧化物晶体管之间最小间距限制，或两低温多晶硅晶体管之间最小间距限制，能进一步减小低透光率区域所占面积。
图2所示实施例中，低温多晶氧化物晶体管与第一存储电容C在透明显示面板1(基底10)的正投影至少部分重叠。其它实施例中，也可以低温多晶硅晶体管与第一存储电容C在透明显示面板1(基底10)的正投影至少部分重叠。
图3中可以看出，一个第一子像素40连接一条扫描信号线Sn、一条数据信号线VData与一条电源信号线VDD。因而，第一像素驱动电路包括若干条数据信号线VData、若干条扫描信号线Sn，以及若干条电源信号线VDD。若干条数据信号线VData与若干条电源信号线VDD可以位于同一层，若干条扫描信号线Sn可以位于另一同层。一些实施例中，各条电源信号线VDD上的电源信号可以相同。
一些实施例中，摄像头通过透明显示面板1采集图像时，为降低光线在穿过各第一子像素40之间时的衍射问题，第一电极41在基底10所在平面的正投影可以呈圆形、椭圆形、哑铃形或葫芦形。上述各种图案相对于矩形，更能解决衍射问题。
图4是本发明第二实施例的透明显示面板的部分区域的截面结构示意图。参照图4所示，本实施例的透明显示面板2与图1至3中的透明显示面板1大致相同，区别仅在于：开关晶体管X1为低温多晶硅晶体管，驱动晶体管X2为低温多晶氧化物晶体管。
图5是本发明第三实施例的透明显示面板的部分区域的截面结构示意图。参照图5所示，本实施例的透明显示面板3与图1至3中的透明显示面板1大致相同，区别仅在于：低温多晶氧化物晶体管中的第二栅极33位于低温多晶氧化物半导体有源层31的下方，为底栅结构。
其它实施例中，低温多晶硅晶体管中的第一栅极13也可以位于低温多晶硅半导体有源层11的下方，为底栅结构。
本实施例三的方案也可以与实施例二的方案结合，即驱动晶体管X2为底栅结构的低温多晶氧化物晶体管。开关晶体管X1为底栅结构或顶栅结构的低温多晶硅晶体管。
图6是本发明第四实施例的透明显示面板的第一像素驱动电路的电路图，其中，第一像素驱动电路为3T1C结构。参照图6所示，本实施例的透明显示面板与图1至3中的透明显示面板1大致相同，区别仅在于：第一像素驱动电路还包括发光晶体管X3，发光晶体管X3的栅极受控于发光信号线EM，源极连接于驱动晶体管X2的漏极，漏极连接于第一子像素40的第一电极41。
发光晶体管X3可以为低温多晶氧化物晶体管或低温多晶硅晶体管。发光晶体管X3与第一存储电容C在透明显示面板1(基底10)的正投影也可以至少部分重叠。发光晶体管X3可以为顶栅结构，也可以为底栅结构。
图7是本发明第五实施例的显示面板的俯视图。图8是图7中部分区域的截面结构示意图。参照图7与图8所示，本实施例的显示面板4包括透明显示区4a与非透明显示区4b，透明显示区4a设置有上述的任一透明显示面板1、2、3。
参照图8所示，非透明显示区4b可以包括若干个第二像素单元，第二像素单元包括若干个第二子像素50。第二子像素50包括第三电极51、位于第三电极51上的第二发光结构块52及位于第二发光结构块52上的第四电极53。第二发光结构块52可以为红、绿或蓝，也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的第二子像素50构成一个第二像素单元。第二发光结构块52可以为有机发光材料层(OLED)。第三电极51可以为反光阳极，例如为ITO、金属银、ITO的叠层结构。第四电极53可以为阴极，具有部分透光、部分反光的功能，但透光率小于第二电极43，材料例如为金属镁、金属银中的一种或混合物。各第二子像素50的第四电极53可以连接成一面电极。
图8中，每一第二子像素50下方具有第二像素驱动电路，每一第二像素驱动电路包括若干第二晶体管与第二存储电容C'，具有相同功能的第一晶体管与第二晶体管同为低温多晶氧化物晶体管或同为低温多晶硅晶体管，且具有相同功能的第一晶体管与第二晶体管中的相应对应层位于同一层。相应对应层可以包括栅极、低温多晶氧化物层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、源极、以及漏极中的至少一种。示例性地，具有相同功能是指：第一晶体管与第二晶体管都为开关晶体管，或都为驱动晶体管，或都为发光晶体管。
图9是一种7T1C结构的第二像素驱动电路的电路图。参照图9所示，第二像素驱动电路包括：第一子晶体管M1、第二子晶体管M2、第三子晶体管M3、第四子晶体管M4、第五子晶体管M5、第六子晶体管M6、第七子晶体管M7和第二存储电容C'；
其中，第一子晶体管M1的栅极与第二子像素50所在像素行的扫描信号线Sn和第二子晶体管M2的栅极连接，第一子晶体管M1的第一极与第六子晶体管M6的第一极和第七子晶体管M7的第二极连接，第一子晶体管M1的第二极与第七子晶体管M7的栅极和第二存储电容C'的第二极板连接；
第二子晶体管M2的第一极与数据信号线VData连接，第二子晶体管M2的第二极与第七子晶体管M7的第一极和第三子晶体管M3的第一极连接；
第三子晶体管M3的栅极与第六子晶体管M6的栅极连接，第三子晶体管M3的第一极与第七子晶体管M7的第一极连接，第三子晶体管M3的第二极与第二存储电容C'的第一极板连接；
第四子晶体管M4的栅极与上一像素行的扫描信号线Sn-1连接，第四子晶体管M4的第一极与第二子像素50的第三电极51连接，第四子晶体管M4的第二极与初始电压信号线Vinit和第五子晶体管M5的第二极连接；
第五子晶体管M5的栅极与上一像素行的扫描信号线Sn-1连接，第五子晶体管M5的第一极与第七子晶体管M7的栅极和第二存储电容C'的第二极板连接，第五子晶体管M5的第二极与初始电压信号线Vinit连接；
第六子晶体管M6的栅极与发光信号线EM连接，第六子晶体管M6的第一极与第七子晶体管M7的第二极连接，第六子晶体管M6的第二极与第四子晶体管M4的第一极连接；
第二存储电容C'的第一极板与电源信号线VDD连接。
第一极为源极与漏极中的一个，第二极为源极与漏极中的另一个。第一极板为下极板21与上极板23中的一个，第二极板为下极板21与上极板23中的另一个。
第一子晶体管M1为开关晶体管，第六子晶体管M6为发光晶体管，第七子晶体管M7为驱动晶体管。
图8所示实施例中，第一像素驱动电路的开关晶体管X1为低温多晶氧化物晶体管，第二像素驱动电路的第一子晶体管M1也为低温多晶氧化物晶体管。此外，第一像素驱动电路的开关晶体管X1中的低温多晶氧化物半导体层31与第一子晶体管M1中的低温多晶氧化物半导体层31位于同一层，第一像素驱动电路的开关晶体管X1中的第二栅极33与第一子晶体管M1中的第二栅极33位于同一层，第一像素驱动电路的开关晶体管X1中的第二源极34a/第二漏极34b与第一子晶体管M1中的第二源极34a/第二漏极34b位于同一层，能使各个第一子像素40与各个第二子像素50的扫描信号线Sn位于同一层，避免扫描信号线Sn出现绕线、层间换线，减少寄生电容，避免信号延迟与信号串扰，也可以简化工艺。位于同一行的各个第一子像素40与各个第二子像素50共用一条扫描信号线Sn。
图8所示实施例中，第一像素驱动电路的驱动晶体管X2为低温多晶硅晶体管，第二像素驱动电路的第七子晶体管M7也为低温多晶硅晶体管。此外，第一像素驱动电路的驱动晶体管X2中的低温多晶硅半导体层11与第七子晶体管M7中的低温多晶硅半导体层11位于同一层，第一像素驱动电路的驱动晶体管X2中的第一栅极13与第七子晶体管M7中的第一栅极13位于同一层，第一像素驱动电路的驱动晶体管X2中的第一源极14a/第一漏极14b与第七子晶体管M7中的第一源极14a/第一漏极14b位于同一层，能使各个第一子像素40与各个第二子像素50的数据信号线VData位于同一层，电源信号线VDD位于同一层，避免数据信号线VData、电源信号线VDD出现绕线、层间换线，减少寄生电容，避免信号延迟与信号串扰，也可以简化工艺。
当第一像素驱动电路的发光晶体管X3为低温多晶氧化物晶体管时，第二像素驱动电路的第六子晶体管M6也为低温多晶氧化物晶体管。此外，第一像素驱动电路的发光晶体管X3中的低温多晶氧化物半导体层31与第六子晶体管M6中的低温多晶氧化物半导体层31位于同一层，第一像素驱动电路的发光晶体管X3中的第二栅极33与第六子晶体管M6中的第二栅极33位于同一层，第一像素驱动电路的发光晶体管X3中的第二源极34a/第二漏极34b与第六子晶体管M6中的第二源极34a/第二漏极34b位于同一层，能使各个第一子像素40与各个第二子像素50的开关信号线EM位于同一层，避免开关信号线EM出现绕线、层间换线，减少寄生电容，避免信号延迟与信号串扰，也可以简化工艺。
当第一像素驱动电路的发光晶体管X3为低温多晶硅晶体管时，第二像素驱动电路的第六子晶体管M6也为低温多晶硅晶体管。此外，第一像素驱动电路的发光晶体管X3中的低温多晶硅半导体层11与第六子晶体管M6中的低温多晶硅半导体层11位于同一层，第一像素驱动电路的发光晶体管X3中的第一栅极13与第六子晶体管M6中的第一栅极13位于同一层，第一像素驱动电路的发光晶体管X3中的第一源极14a/第一漏极14b与第六子晶体管M6中的第一源极14a/第二漏极14b位于同一层，也能使各个第一子像素40与各个第二子像素50的开关信号线EM位于同一层，避免开关信号线EM出现绕线、层间换线，减少寄生电容，避免信号延迟与信号串扰，也可以简化工艺。
7T1C结构的像素电路在发光过程中具有对第二子像素50的阈值电压补偿过程，因此能够保证第二子像素50发光的均匀性。一些实施例中，第二像素驱动电路也可以为6T1C结构，6T1C结构相对于7T1C结构，省略了发光晶体管(第六子晶体管M6)。一些实施例中，第二像素驱动电路也可以为2T1C或3T1C结构，3T1C结构相对于2T1C结构，增加了发光晶体管X3。
一些实施例中，第二像素驱动电路中的低温多晶氧化物晶体管为底栅结构，和/或低温多晶硅晶体管为底栅结构。
图8所示实施例中，第二存储电容C'与低温多晶氧化物晶体管在基底10的正投影至少部分重叠。一些实施例中，第二存储电容C'还可以与低温多晶硅晶体管在基底10的正投影至少部分重叠。再一些实施例中，第二存储电容C'与低温多晶氧化物晶体管在基底10的正投影不重叠，或第二存储电容C'与低温多晶硅晶体管在基底10的正投影不重叠。图8所示实施例中，第二存储电容C'与低温多晶氧化物晶体管位于第三电极51的正下方。一些实施例中，第二存储电容C'、和/或低温多晶氧化物晶体管、和/或低温多晶硅晶体管不位于第三电极51的正下方。
一些实施例中，第二像素驱动电路中的第二晶体管仅包括低温多晶氧化物晶体管，或仅包括低温多晶硅晶体管。
图7所示实施例中，透明显示区4a的一边紧邻边框。另外一些实施例中，透明显示区4a也可以完全设置在非透明显示区4b内。此外，图7所示实施例中，透明显示区4a呈水滴状，其它实施例中，透明显示区4a也可以呈矩形、圆形、椭圆形、刘海状等。
基于上述透明显示面板1、2、3、显示面板4，本发明一实施例还提供一种显示装置。
该显示装置可以为手机、平板电脑、车载显示屏等的显示装置。
显示装置包括：
壳体，具有器件区；
以及上述任一的透明显示面板1、2、3或显示面板4，覆盖在壳体上；
其中，器件区位于透明显示面板1、2、3下方或显示面板4的透明显示区4a下方，且器件区中设置有透过透明显示面板1、2、3或透明显示区4a发射或者采集光线的感光器件。
感光器件可以包括：摄像头、红外传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器中的至少一种。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种透明显示面板，其特征在于，包括：若干第一子像素与位于每一第一子像素下方的第一像素驱动电路，每一所述第一像素驱动电路包括若干第一晶体管与第一存储电容，若干第一晶体管至少包括低温多晶氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管中的一种；所述低温多晶氧化物晶体管和/或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶氧化物晶体管时，所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶硅晶体管时，所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；
当所述若干第一晶体管包括所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管时，所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
3.根据权利要求2所述的透明显示面板，其特征在于，所述第一子像素包括：第一电极、位于所述第一电极上的第一发光结构块，以及位于所述第一发光结构块上的第二电极；所述第一电极为反光电极；
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶氧化物晶体管时，所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶硅晶体管时，所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；
当所述若干第一晶体管包括所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管时，所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠；或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
4.根据权利要求1至3任一项所述的透明显示面板，其特征在于，所述第一像素驱动电路至少包括开关晶体管与驱动晶体管，所述开关晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管中的一个，所述驱动晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管中的另一个；
优选地，所述低温多晶氧化物晶体管中的栅极为顶栅或底栅。
5.根据权利要求4所述的透明显示面板，其特征在于，所述第一像素驱动电路还包括发光晶体管，所述发光晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管。
6.一种显示面板，其特征在于，包括透明显示区与非透明显示区，所述透明显示区设置有权利要求1至5任一项所述的透明显示面板。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述非透明显示区包括：若干第二子像素与位于每一第二子像素下方的第二像素驱动电路，每一所述第二像素驱动电路包括若干第二晶体管与第二存储电容，具有相同功能的所述第一晶体管与所述第二晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管，且具有相同功能的所述第一晶体管与所述第二晶体管中的相应对应层位于同一层；
可选地，所述相应对应层包括栅极、低温多晶氧化物层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、源极以及漏极中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素驱动电路至少包括开关晶体管；所述第二像素驱动电路的开关晶体管与所述第一像素驱动电路的开关晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管；且各个第一子像素与各个第二子像素的开关晶体管的栅极电连接的扫描信号线位于同一层。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素驱动电路还至少包括驱动晶体管；所述第二像素驱动电路的驱动晶体管与所述第一像素驱动电路的驱动晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管；且各个第一子像素与各个第二子像素的驱动晶体管的栅极受控的数据信号线位于同一层，源极电连接的电源信号线位于同一层；
或所述第二像素驱动电路还至少包括发光晶体管；所述第二像素驱动电路的发光晶体管与所述第一像素驱动电路的发光晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管；且各个第一子像素与各个第二子像素的发光晶体管的栅极受控的发光信号线位于同一层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
壳体，具有器件区；
以及如权利要求1至5任一项所述的透明显示面板或如权利要求6至9任一项所述的显示面板，覆盖在所述壳体上；其中，所述器件区位于所述透明显示面板下方或所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示面板或所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
CN201911100581.5A 2019-11-12 2019-11-12 透明显示面板、显示面板及其显示装置 Active CN110824797B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911100581.5A CN110824797B (zh) 2019-11-12 2019-11-12 透明显示面板、显示面板及其显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911100581.5A CN110824797B (zh) 2019-11-12 2019-11-12 透明显示面板、显示面板及其显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110824797A true CN110824797A (zh) 2020-02-21
CN110824797B CN110824797B (zh) 2022-05-06

Family

ID=69554286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911100581.5A Active CN110824797B (zh) 2019-11-12 2019-11-12 透明显示面板、显示面板及其显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110824797B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112130371A (zh) * 2020-09-30 2020-12-25 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112201160A (zh) * 2020-10-10 2021-01-08 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏、显示控制方法、电子设备及存储介质
CN114217465A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法和显示装置
CN114530458A (zh) * 2022-01-27 2022-05-24 长沙惠科光电有限公司 显示面板和显示面板的制造方法
WO2022141444A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
EP4141946A4 (en) * 2021-02-07 2023-10-04 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030038837A (ko) * 2001-11-06 2003-05-17 피티플러스(주) Ｌｃｄ용 결정질 실리콘 박막트랜지스터 패널 및 제작 방법
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN107004682A (zh) * 2014-02-25 2017-08-01 乐金显示有限公司 具有多种类型的薄膜晶体管的显示器背板
CN110189706A (zh) * 2019-06-28 2019-08-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、及显示装置
CN110211975A (zh) * 2019-06-27 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030038837A (ko) * 2001-11-06 2003-05-17 피티플러스(주) Ｌｃｄ용 결정질 실리콘 박막트랜지스터 패널 및 제작 방법
CN107004682A (zh) * 2014-02-25 2017-08-01 乐金显示有限公司 具有多种类型的薄膜晶体管的显示器背板
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN110211975A (zh) * 2019-06-27 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置
CN110189706A (zh) * 2019-06-28 2019-08-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、及显示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112130371A (zh) * 2020-09-30 2020-12-25 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112130371B (zh) * 2020-09-30 2022-05-10 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112201160A (zh) * 2020-10-10 2021-01-08 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏、显示控制方法、电子设备及存储介质
WO2022141444A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
EP4141946A4 (en) * 2021-02-07 2023-10-04 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS
CN114217465A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法和显示装置
CN114217465B (zh) * 2021-12-31 2023-11-10 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法和显示装置
CN114530458A (zh) * 2022-01-27 2022-05-24 长沙惠科光电有限公司 显示面板和显示面板的制造方法
CN114530458B (zh) * 2022-01-27 2022-11-29 长沙惠科光电有限公司 显示面板和显示面板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110824797B (zh) 2022-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110824797B (zh) 透明显示面板、显示面板及其显示装置
CN108010942B (zh) 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置
US11737327B2 (en) Display panel and electronic device
US11968862B2 (en) Display substrate and display device
CN113853643B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US11620953B2 (en) Display substrate and display device
CN110581144B (zh) 薄膜晶体管组件、阵列基板和显示面板
US20230329037A1 (en) Display base plate and method for manufacturing the same, and display panel
US11875752B2 (en) Display panel comprising initialization signal line with protruding portion, display device and manufacture method for the same
JP2021513106A (ja) 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末
CN113272963B (zh) 显示基板及其制作方法、驱动方法、显示装置
CN115552617A (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置
CN110853512B (zh) 显示装置及其显示面板
CN114902320A (zh) 显示基板及其驱动方法、显示装置
US20230133301A1 (en) Display panel and display device
CN112740421A (zh) 显示装置及其制备方法
US20220328597A1 (en) Display substrate and display device
CN114207696B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112740317A (zh) 显示装置及其制备方法
US20240074266A1 (en) Display panel and display device
WO2023137766A1 (zh) 显示面板、显示模组及显示装置
US20240130193A1 (en) Display device and display panel
WO2022226973A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN114616616B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US20230337493A1 (en) Display panel and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant