CN110021709B - 柔性基板及包含其的柔性显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种柔性显示装置。该柔性显示装置包括：柔性基板；在所述柔性基板上的薄膜晶体管；以及与所述薄膜晶体管相连的发光二极管或液晶电容器。所述柔性基板包括：第一基层；在所述第一基层的第一表面上的第二基层；以及在所述第一基层的第二表面上的第三基层。所述第二基层的表面硬度大于所述第三基层的表面硬度，并且所述第三基层的粘附强度大于所述第二基层的粘附强度。

Description

柔性基板及包含其的柔性显示装置
本申请要求2017年12月5日提交的韩国专利申请No.10-2017-0165799的优先权和权益，该申请实际上通过引用全文结合于此，如同在这里被完全阐述了一样。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，具体说，涉及一种重量轻、厚度薄以及硬度高的柔性基板以及包含其的柔性显示装置。
背景技术
随着信息技术的快速发展，正在开发用于显示大量信息的显示装置。近来，已经提出并广泛应用了外形薄、重量轻以及功耗低的平板显示装置，诸如液晶显示装置或电致发光显示装置。
一种平板显示装置为液晶显示装置，其包括液晶面板。液晶面板包括彼此附接的上基板和下基板以及插在两者之间作为基本部件的具有液晶分子的液晶层。液晶层的液晶分子由像素电极和共同电极之间产生的电场驱动。这个过程就显示图像。
另一种平板显示装置为电致发光显示装置，其包括发光二极管。发光二极管包括相互面对的阳极和阴极以及插在两者之间作为基本部件的发光层。分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发光层中复合，从而发光并显示图像。
近来，对使用柔性基板的柔性显示装置的需求增加了。这是因为，柔性显示装置可以在折叠状态中携带，并在展开状态中显示图像，其优点是，屏幕大而且容易携带。
图1是相关技术的柔性显示装置的剖视图。
如图1所示，相关技术的柔性显示装置包括显示面板10、在显示面板10下方的背板20、以及在显示面板10上方的盖窗30。
通过将载体基板(图1中未示出)附接到柔性基板(图1中未示出)的背面、然后在柔性基板的正面形成包含多个元件的元件层并从柔性基板释放载体基板，可以获得显示面板10。盖窗30附接到显示面板10的上表面，以保护显示面板10免受外部冲击。另外，由于显示面板10的柔性基板非常薄，因此，将背板20附接到柔性基板的背面，以保护柔性基板免受外部环境的影响。
通常，背板20由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成。背板20的厚度为100微米(μm)或更大，以防止如划痕等损害。然而，这增加了柔性显示装置的厚度并降低了柔性显示装置的柔性。此外，背板20通过合片工艺附接到显示面板10的柔性基板上，而合片工艺是不容易应用到大显示装置上的。因此，当柔性显示装置的面积增大时，包括背板20的相关技术的柔性显示装置受到限制。
另外，由于柔性基板和背板20易受水分渗透的侵害，因此，水分能够渗透，从而形成在柔性基板上的元件会退化。因此，为了防止或减少水分渗透到所述元件，可以在柔性基板上形成缓冲层。然而，由于缓冲层具有无机层的多层结构，因此制造工艺和制造时间会增加。
最后，柔性基板与载体基板的粘附性较低。因此，在显示面板10的制造过程中，柔性基板和载体基板之间会发生脱离。
发明内容
因此，本公开的示例性实施例指向一种柔性基板和一种柔性显示装置，其实质上消除了由于相关技术的局限和不利而引起的一个或多个问题。
本公开的一个方面是，提供一种减小厚度且增加柔性的柔性显示装置。本公开的另一方面是，提供一种具有较大面积的柔性显示装置。本公开的再一方面是，提供一种减少制造工艺和制造时间的柔性显示装置。本公开的又一方面是，提供一种提高柔性基板和载体基板之间的粘附性的柔性显示装置。
其他特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分地从该描述中变得显然，或者可以通过实践本文提供的发明构思来得知。发明构思的其他特征和方面可以通过在书面说明书、以及本公开的权利要求书和附图中具体指出的或可从其导出的结构来实现和获得。
为了实现发明构思的这些和其他方面，如具体呈现和概括描述的，根据本公开的目的，一种柔性基板包括第一基层；在所述第一基层的第一表面上的第二基层；以及在所述第一基层的第二表面上的第三基层，其中，所述第二基层的表面硬度大于所述第三基层的表面硬度，并且所述第三基层的粘附强度大于所述第二基层的粘附强度。
另一方面，一种柔性显示装置包括：柔性基板；在所述柔性基板上的薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管相连的发光二极管或液晶电容器，其中，所述柔性基板包括：第一基层；在所述第一基层的第一表面上的第二基层；以及在所述第一基层的第二表面上的第三基层，其中，所述第二基层的表面硬度大于所述第三基层的表面硬度，并且所述第三基层的粘附强度大于所述第二基层的粘附强度。
应当理解，上述一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。
附图说明
所含附图提供对本发明的进一步理解，其结合在本说明书中并作为本说明书的一部分。附图显示了本发明的示例性实施例，连同说明书一起用来解释本发明的各种原理。在附图中：
图1是相关技术的柔性显示装置的剖视图；
图2是本公开的一个示例性实施例所述的柔性显示装置的剖视图；
图3A和3B是剖视图，示出了本公开的示例性实施例所述的柔性显示装置的显示面板的例子；
图4是本公开的一个示例性实施例所述的柔性基板的剖视图；
图5A-5E是剖视图，示出了本公开的一个示例性实施例所述的柔性显示装置的制造方法的各步骤中的柔性显示装置的显示面板。
具体实施方式
下面将详细说明本公开的示例性实施例，其例子示于附图中。
图2是本公开的一个示例性实施例所述的柔性显示装置的剖视图。
如图2所示，本公开的一个示例性实施例所述的柔性显示装置可以包括显示面板100和在显示面板100上方的盖窗130。显示面板100可以包括柔性基板110和在柔性基板110上的元件层120。
图3A和3B是剖视图，示出了本公开的示例性实施例所述的柔性显示装置的显示面板的例子。
如图3A所示，在示例性实施例中，显示面板100可以是电致发光显示面板。显示面板100可以包括柔性基板110、设置在柔性基板110上的薄膜晶体管Tr、与薄膜晶体管Tr连接的发光二极管D、以及覆盖发光二极管D的封装膜180。柔性基板110可以具有较大的表面硬度和/或粘附强度。优选地，柔性基板110的下表面可以比柔性基板110的上表面具有更大的表面硬度，而柔性基板110的上表面可以比柔性基板110的下表面具有更大的粘附强度。这种柔性基板110可以具有多层结构，如下面所详细描述的那样。
在柔性基板110上可以形成半导体层144。在一些示例性实施例中，半导体层144可以由氧化物半导体材料和/或多晶硅形成。当半导体层144由氧化物半导体材料形成时，可以在半导体层144的下方形成光阻挡图案(图3A中未示出)。光阻挡图案可以阻挡光入射到半导体层144上，从而防止或减小了半导体层144因光而退化。当半导体层144由多晶硅形成时，在半导体层144的两个端部可以掺杂杂质。
在半导体层144上可以形成由绝缘材料形成的栅绝缘层146。栅绝缘层146可以由无机绝缘材料形成，诸如氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)。
在栅绝缘层146上可以形成由导电材料(如金属)形成的栅电极150，其与半导体层144的实质上的中心部对应。
如图3A所示，栅绝缘层146可以形成在实质上整个柔性基板110的上方。在一些示例性实施例中，栅绝缘层146可以图案化，以与栅电极150具有相同或实质上相似的形状。
在栅电极150上可以形成由绝缘材料形成的层间绝缘层152。层间绝缘层152可以形成在实质上整个柔性基板110的上方。层间绝缘层152可以由无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx))和/或有机绝缘材料(诸如苯并环丁烯和/或光丙烯酸)形成。
层间绝缘层152可以包括第一接触孔154和第二接触孔156，以分别露出半导体层144的两个端部的上表面。第一接触孔154和第二接触孔156可以与栅电极150分开，栅电极150可以设置在第一接触孔154和第二接触孔156之间。第一接触孔154和第二接触孔156也可以形成在栅绝缘层146中。在一些示例性实施例中，当栅绝缘层146图案化为与栅电极150具有相同或实质上相似的形状时，第一接触孔154和第二接触孔156可以只形成在层间绝缘层152中。
在层间绝缘层152上可以形成由导电材料(诸如金属)形成的源电极160和漏电极162。源电极160和漏电极162可以相对于栅电极150彼此隔开。源电极160和漏电极162可以分别通过第一接触孔154和第二接触孔156与半导体层144的两个端部接触。
半导体层144、栅电极150、源电极160和漏电极162可以构成薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr可以用作驱动元件。在一些示例性实施例中，薄膜晶体管Tr可以具有共面结构，其中栅电极150和源电极160以及漏电极162设置在半导体层144上方的同一平面上。在另一个示例性实施例中，薄膜晶体管Tr可以具有反交错结构，其中栅电极设置在半导体层下方，而源电极和漏电极则设置在半导体层上方。在这种情形中，半导体层可以由非晶硅形成。
尽管在图3A中没有示出，但可以形成彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线、以及与栅线和数据线连接的切换元件。切换元件也可以与作为驱动元件的薄膜晶体管Tr连接。切换元件可以与薄膜晶体管Tr具有同样的结构。另外，电源线可以进一步形成为平行于栅线或数据线，并与其隔开，存储电容器可以进一步形成为在一帧期间恒定保持薄膜晶体管Tr的栅电极电压。
钝化层164可以形成为覆盖薄膜晶体管Tr，并可以具有露出漏电极162的漏接触孔166。第一电极170可以形成在钝化层164上，并可以通过漏接触孔166与薄膜晶体管Tr的漏电极162连接。第一电极170可以单独设置在每个像素区域中。第一电极170可以是阳极，并可以由功函数较高的导电材料形成。例如，第一电极170可以由诸如氧化铟锡(ITO)和/或氧化铟锌(IZO)等透明导电材料形成。
在一些示例性实施例中，本公开的显示面板100可以是顶部发光型电致发光显示面板，其中，发光层所发出的光通过与第一电极170相对的第二电极输出到外部。反射电极或反射层可以进一步形成在第一电极170下方。例如，反射电极或反射层可以由铝钯铜(APC)合金形成。
堤层176可以形成在第一电极170和钝化层164上。堤层176可以覆盖第一电极170的边缘。堤层176可以露出与像素区域相对应的第一电极170的中心部。
发光层172可以形成在未被堤层176覆盖的第一电极170上。在一些示例性实施例中，发光层172可以具有单层结构的发光材料层。在其他示例性实施例中，为了提高发光效率，发光层172可以具有多层结构，并可以包括顺序层叠在第一电极170上的空穴注入层、空穴输运层、发光材料层、电子输运层和电子注入层。发光材料层的发光材料可以是有机发光材料或无机发光材料，如量子点等。
第二电极174可以形成在形成有发光层172的柔性基板110上。第二电极174可以形成在实质上整个显示区域上。第二电极174可以由功函数较低的导电材料形成，并可以用作阴极。例如，第二电极174可以由铝(Al)、镁(Mg)、和/或其合金形成，但第二电极174不限于此。
第一电极170、发光层172和第二电极174可以构成发光二极管D。
封装膜180形成在第二电极174上，以防止外部的水分渗透到发光二极管D。封装膜180可以包括第一无机绝缘层182、有机绝缘层184和第二无机绝缘层186，但封装膜180不限于此。
在一些实施例中，当本公开的显示面板100为顶部发光型电致发光显示面板时，偏振片(图3A中未示出)可以附接到封装膜180，以减少外部光的反射。例如，偏振片可以是圆偏振片。
如图3B所示，在一个示例性实施例中，本公开的显示面板100可以是液晶显示面板。显示面板100可以包括彼此面对的第一柔性基板110和第二柔性基板250。显示面板100还可以包括在第一柔性基板110和第二柔性基板250之间作为元件层120(图2)的薄膜晶体管Tr和连接到薄膜晶体管Tr的液晶电容器。
在一个示例性实施例中，第一柔性基板110和第二柔性基板250中的至少一个可以具有较大的表面硬度和粘附强度。优选地，柔性基板110的下表面可以比柔性基板110的上表面具有更大的表面硬度，柔性基板110的上表面可以比柔性基板110的下表面具有更大的粘附强度。这种柔性基板110可以具有多层结构，如后面详细描述的那样。
薄膜晶体管Tr可以形成在第一柔性基板110的内表面。就是说，栅电极222可以形成在第一柔性基板110上，而栅绝缘层224可以形成为覆盖栅电极222。另外，连接到栅电极222的栅线(图3B中未示出)可以形成在第一柔性基板110上。
半导体层226可以形成在栅绝缘层224上以对应栅电极222。在一些示例性实施例中，半导体层226可以由氧化物半导体材料形成。在其他示例性实施例中，半导体层226可以包括本征非晶硅有源层和掺杂非晶硅欧姆接触层。
源电极230和漏电极232可以形成在半导体层226上，并可以彼此分开。另外，连接到源电极230的数据线(图3B中未示出)可以形成在栅绝缘层224上，并可以与栅线交叉以限定像素区域。
栅电极222、半导体层226、源电极230和漏电极232可以构成薄膜晶体管Tr。钝化层234可以形成在薄膜晶体管Tr上。钝化层234具有露出漏电极232的漏接触孔236。
像素电极240和共同电极242可以形成在钝化层234上。像素电极240的部分和共同电极242的部分可以相互交替。像素电极240可以通过漏接触孔236连接到漏电极232。
黑矩阵254可以形成在第二柔性基板250的内表面上。黑矩阵254可以屏蔽非显示区域，诸如薄膜晶体管Tr、栅线和/或数据线。滤色器层256可以形成在第二柔性基板250上，对应像素区域，在这种情形中，黑矩阵254可以省略。
第一柔性基板110和第二柔性基板250可以彼此附接，液晶层260插入其间。液晶层260中的液晶分子262可以由像素电极240和共同电极242之间所产生的电场来驱动。像素电极240、共同电极242和液晶层260可以构成液晶电容器，该液晶电容器可以连接到薄膜晶体管Tr。
尽管在图3B中未示出，但取向层可以形成在第一柔性基板110和第二柔性基板250中的每个上，与液晶层260相邻。此外，光透射轴(light transmission axis)彼此垂直的第一偏振片和第二偏振片可以分别附接到第一柔性基板110和第二柔性基板250的外表面上。柔性背光单元可以设置在柔性基板110下方以提供光。
在一些示例性实施例中，共同电极242可以形成在第一柔性基板110上，并可以包括与像素电极240的部分交替的部分。在其他示例性实施例中，共同电极可以形成在第二柔性基板250的整个或实质上整个表面上，并且像素电极可以形成在第一柔性基板110上，具有与像素区域对应的板形。
参看图2，盖窗130可以设置在显示面板100上方。例如，盖窗130可以由透明塑料形成，并可以通过粘合层(图2中未示出)附接到显示面板100。
本公开的柔性基板110可以具有较大的表面硬度和/或粘附强度。优选地，柔性基板110的下表面可以比柔性基板110的上表面具有更大的表面硬度，柔性基板110的上表面可以比柔性基板110的下表面具有更大的粘附强度。因此，本公开的示例性实施例所述的柔性显示装置可以不包括背板。柔性基板110的下表面可以具有3H或更大的表面硬度，柔性基板110的上表面可以具有0.7N/cm或更大的粘附强度。
本公开的柔性基板110可以具有较小的水汽透过率(WVTR)。因此，本公开的示例性实施例所述的柔性显示装置可以不包括柔性基板110和元件层120之间的缓冲层。
图4是本公开的一个示例性实施例所述的柔性基板的剖视图。
如图4所示，本公开的一个示例性实施例所述的柔性基板110可以包括第一基层112、在第一基层112的第一表面(例如第一基层112的下表面)上的第二基层114、以及在第一基层112的第二表面(例如第一基层112的上表面)上的第三基层116。
第一基层112可以由热稳定性较高的塑料形成。例如，第一基层112可以由聚酰亚胺形成，但不限于此。
第二基层114和第三基层116每个可以包括硅烷化合物和硅氧烷化合物。第二基层114和第三基层116中的硅烷化合物和硅氧烷化合物的含量可以彼此不同。
在第二基层114中，硅氧烷化合物的含量可以大于硅烷化合物的含量。在第三基层116中，硅氧烷化合物的含量可以小于或等于硅烷化合物的含量。另外，第二基层114中的硅氧烷化合物的含量可以大于第三基层116中的硅氧烷化合物的含量，而第三基层116中的硅烷化合物的含量可以大于第二基层114中的硅烷化合物的含量。
第二基层114可以包括70wt％至90wt％的硅氧烷化合物和10wt％至30wt％的硅烷化合物。第三基层116可以包括10wt％至50wt％的硅氧烷化合物和50wt％至90wt％的硅烷化合物。在一些示例性实施例中，硅氧烷化合物可以是由分子式(1)表示的聚硅氧烷。
Figure GDA0002207522940000091
在分子式(1)中，R可以是氢、甲基或乙基，n可以为1至30，但分子式(1)不限于此。
硅烷化合物可以是由分子式(2)表示的甲氧基硅烷、由分子式(3)表示的异丁基硅烷、由分子式(4)表示的氨基硅烷、或由分子式(5)表示的正辛基硅烷。
Figure GDA0002207522940000092
在分子式(2)至(5)中，R可以是氢、甲基或乙基，但分子式(2)至(5)不限于此。
在本公开的一个示例性实施例所述的柔性基板110中，第二基层114可以比第三基层116具有更大的表面硬度，而第三基层116可以比第二基层114具有更大的粘附强度。
第二基层114的表面硬度可以等于或大于3H，这大于图1所示的相关技术中的背板20的表面硬度2H或更小。因此，在本公开的柔性显示装置中，通过省略背板，可以减小厚度并增加柔性。因此，就提高了抗划痕特性。在一些示例性实施例中，柔性基板110的厚度可为15μm至50μm，但不限于此。
在一些示例性实施例中，第三基层116的粘附强度可以为0.7N/cm或更大，优选地，0.74N/cm至2.0N/cm。在这个例子中，第三基层116可以是无机层，并且可以是非晶硅层。由于硅烷化合物可以用作有机和无机耦接剂，因此，第三基层116可以提高对形成在柔性基板110上的无机层的界面粘附性，使得可以形成图2中的元件层120。
在一些示例性实施例中，第二基层114的粘附强度可以大于0.07N/cm，优选地，0.08N/cm至0.45N/cm。更优选地，第二基层114的粘附强度可以为0.3N/cm至0.4N/cm。
在其他示例性实施例中，由不含任何添加剂的聚酰亚胺形成的柔性基板的粘附强度可以为0.05N/cm至0.07N/cm。在这个例子中，柔性基板可以由包含助粘剂作为添加剂以提高粘附性的聚酰亚胺形成，其中，所述助粘剂的粘附强度可以为0.15N/cm至0.2N/cm。因此，可以防止本公开的柔性基板110在显示面板100的制造过程中从载体基板上剥离，而不用添加任何添加剂。
包含第二基层114和第三基层116的柔性基板110可以具有较低的WVTR，并且可以具有较大的相对于液体的接触角。在一些示例性实施例中，柔性基板110的WVTR可以为约10-4g/m2/天，其低于图1中的相关技术的背板20的WVTR(约101g/m2/天)。另外，柔性基板110的WVTR可以低于包含缓冲层的现有技术的柔性基板的WVTR(约10-3g/m2/天)。因此，通过省略缓冲层可以简化工艺，并且与缓冲层相比，可以提高水分阻挡特性。
在一些示例性实施例中，本公开的柔性基板110的接触角约为100°至110°，其可以大于没有缓冲层的现有技术的柔性基板的接触角(约为50°至53°)。另外，本公开的柔性基板110的接触角可以大于包含缓冲层的现有技术的柔性基板的接触角(约为25°至30°)。因此，与现有技术的柔性基板相比，本公开的柔性基板110可以减少由于水分或异物导致的污染，从而提高了抗污性。
图5A-5E是剖视图，示出了本公开的一个示例性实施例所述的柔性显示装置的制造方法的各步骤中的柔性显示装置的显示面板。
如图5A所示，在载体基板310上形成牺牲层320。牺牲层320可以是无机层，其可以通过沉积过程形成。在一些示例性实施例中，牺牲层320可以由非晶硅形成，而载体基板310可以由玻璃形成，但不限于此。
如图5B所示，包括第一基层112、第二基层114和第三基层116的柔性基板110可以形成牺牲层320上。可以将包含硅氧烷化合物和硅烷化合物的树脂涂覆到牺牲层320，并且进行固化，从而形成第二基层114。硅氧烷化合物的含量可以大于硅烷化合物的含量。可以将聚酰亚胺树脂应用到第二基层114，并进行固化，从而形成第一基层112。可以将包含硅氧烷化合物和硅烷化合物的树脂涂覆到第一基层112，并进行固化，从而形成第三基层116。硅烷化合物的含量可以大于或等于硅氧烷化合物的含量。
然后，如图5C所示，可以在柔性基板110的第三基层116上形成元件层120。元件层120可以包括薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的发光二极管或液晶电容器。第二基层114到无机层的粘附强度可以为约0.08N/cm至0.45N/cm。因此，可以防止柔性基板110在形成元件层120的过程中从牺牲层320剥离。另外，第三基层116到无机层的粘附强度可以约为0.74N/cm至2.0N/cm。因此，可以在第三基层116上形成元件层120。
接着，如图5D所示，可以用激光从载体基板310的背面照射牺牲层320，从而牺牲层320的结晶度会改变。因此，形成有元件层120的柔性基板110可以从载体基板310上的牺牲层320脱离。
然后，如图5E所示，可以制造出包含柔性基板110和元件层120的显示面板。可以将盖窗130(图2)附接到元件层120的上表面，从而完成柔性显示装置。
在本发明的一个示例性实施例所示的包括柔性基板110的柔性显示装置中，可以省略背板，使得柔性显示装置的厚度得以减小，并可以防止柔性降低。另外，由于不需要合片工艺，因此可以解决对面积的限制，柔性显示装置可以具有较大的面积。此外，可以省略缓冲层，使得制造工艺得以简化。最后，由于不用添加剂也可以增强到牺牲层320的粘合性，因此，在制造过程中可以防止柔性基板110和载体基板之间的剥离。
显然，对本领域技术人员来说，在不脱离本公开的技术思想或范围的情况下，可以在本公开的柔性基板和柔性显示装置中进行各种修改和变化。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变化，只要它们在所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (21)

1.一种柔性基板，包括：
第一基层；
在所述第一基层的第一表面上的第二基层；以及
在所述第一基层的第二表面上的第三基层，
其中，所述第二基层的表面硬度大于所述第三基层的表面硬度，并且所述第三基层的粘附强度大于所述第二基层的粘附强度。
2.如权利要求1所述的柔性基板，其中，所述第二基层和所述第三基层中的每个包括硅烷化合物和硅氧烷化合物。
3.如权利要求2所述的柔性基板，其中，所述第二基层和所述第三基层中的每个包括不同含量的所述硅烷化合物和所述硅氧烷化合物。
4.如权利要求3所述的柔性基板，其中，所述第二基层中的所述硅氧烷化合物的含量大于所述第三基层中的所述硅氧烷化合物的含量，所述第二基层中的所述硅烷化合物的含量小于所述第三基层中的所述硅烷化合物的含量。
5.如权利要求3所述的柔性基板，其中，所述第二基层中的所述硅氧烷化合物的含量大于所述第二基层中的所述硅烷化合物的含量，而所述第三基层中的所述硅氧烷化合物的含量小于或等于所述第三基层中的所述硅烷化合物的含量。
6.如权利要求2所述的柔性基板，其中，所述硅氧烷化合物包括由下列分子式表示的化合物：
Figure FDA0002948550530000011
其中，R为氢、甲基或乙基，n为1至30的整数。
7.如权利要求2所述的柔性基板，其中，所述硅烷化合物包括由下列分子式之一表示的化合物：
Figure FDA0002948550530000021
其中，R为氢、甲基或乙基。
8.如权利要求1所述的柔性基板，其中，所述第一基层由聚酰亚胺形成。
9.如权利要求1所述的柔性基板，其中，所述柔性基板相对于液体的接触角为100度至110度。
10.如权利要求1所述的柔性基板，其中，所述第二基层的表面硬度等于或大于3H。
11.一种柔性显示装置，包括：
柔性基板；
在所述柔性基板上的薄膜晶体管；
与所述薄膜晶体管相连的发光二极管或液晶电容器，
其中，所述柔性基板包括：
第一基层；
在所述第一基层的第一表面上的第二基层；以及
在所述第一基层的第二表面上的第三基层，
其中，所述第二基层的表面硬度大于所述第三基层的表面硬度，并且所述第三基层的粘附强度大于所述第二基层的粘附强度。
12.如权利要求11所述的柔性显示装置，其中，所述第三基层设置在所述第一基层和所述薄膜晶体管之间。
13.如权利要求11所述的柔性显示装置，其中，所述第二基层和所述第三基层中的每个包括硅烷化合物和硅氧烷化合物。
14.如权利要求13所述的柔性显示装置，其中，所述第二基层和所述第三基层中的每个包括不同含量的所述硅烷化合物和所述硅氧烷化合物。
15.如权利要求14所述的柔性显示装置，其中，所述第二基层中的所述硅氧烷化合物的含量大于所述第三基层中的所述硅氧烷化合物的含量，所述第二基层中的所述硅烷化合物的含量小于所述第三基层中的所述硅烷化合物的含量。
16.如权利要求14所述的柔性显示装置，其中，所述第二基层中的所述硅氧烷化合物的含量大于所述第二基层中的所述硅烷化合物的含量，而所述第三基层中的所述硅氧烷化合物的含量小于或等于所述第三基层中的所述硅烷化合物的含量。
17.如权利要求13所述的柔性显示装置，其中，所述硅氧烷化合物包括由下列分子式表示的化合物：
Figure FDA0002948550530000031
其中，R为氢、甲基或乙基，n为1至30的整数。
18.如权利要求13所述的柔性显示装置，其中，所述硅烷化合物包括由下列分子式之一表示的化合物：
Figure FDA0002948550530000041
其中，R为氢、甲基或乙基。
19.如权利要求11所述的柔性显示装置，其中，所述第一基层由聚酰亚胺形成。
20.如权利要求11所述的柔性显示装置，其中，所述柔性基板相对于液体的接触角为100度至110度。
21.如权利要求11所述的柔性显示装置，其中，所述第二基层的表面硬度等于或大于3H。
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