CN111900186B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括阵列基板、像素定义层、第一阳极层、发光层和阴极层,阵列基板包括一阵列区和一空置区,像素定义层覆盖阵列基板的阵列区,像素定义层包括第一区域,第一区域位于空置区的侧边,像素定义层包括若干第一通孔,第一通孔位于第一区域贯穿像素定义层以暴露阵列基板,第一阳极层设置于像素定义层的第一区域上,第一阳极层位于第一通孔中的像素定义层朝向空置区的表面,发光层包括若干第一发光部,每一第一发光部设置于一第一通孔中并电连接第一阳极层,阴极层设置于像素定义层和发光层上。以提高空置区的光透过性的同时,使得显示面板的空置区正常显示,进而实现全面屏显示。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
目前,为了提高显示面板屏占比,屏内挖孔等产品相继出现,在挖孔下方设置前置摄像头,通过去除前置摄像头区域的相应功能膜层,使得前置摄像头成像时具备足够的光线,从而使得前置摄像头正常成像,但去除前置摄像头区域的功能膜层,使得该区域无法显示画面,进而不能实现显示面板的全面屏。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术中空置区无法正常显示和成像的问题。
本申请提供一种显示面板,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括一阵列区和一空置区;
像素定义层,所述像素定义层覆盖所述阵列基板的阵列区,所述像素定义层包括第一区域,所述第一区域位于所述空置区的侧边,所述像素定义层包括若干第一通孔,所述第一通孔位于所述第一区域贯穿所述像素定义层以暴露所述阵列基板;
第一阳极层,所述第一阳极层设置于所述像素定义层的第一区域上,所述第一阳极层位于所述第一通孔中的所述像素定义层朝向所述空置区的表面;
发光层,所述发光层包括若干第一发光部,每一所述第一发光部设置于一所述第一通孔中并电连接所述第一阳极层;以及
阴极层,所述阴极层设置于所述像素定义层和所述发光层上,所述阴极层与所述发光层电连接。
在本申请所提供的显示面板中,所述第一阳极层包括若干第一阳极,每一所述第一阳极包括一延伸部,所述延伸部位于所述像素定义层的上表面,在所述延伸部和所述阴极层之间具有绝缘层。
在本申请所提供的显示面板中,所述第一区域围绕所述空置区。
在本申请所提供的显示面板中,所述显示面板还包括第二阳极层,所述第二阳极层位于所述像素定义层和所述阵列基板之间,所述像素定义层还包括第二区域,所述第一区域位于所述第二区域和所述空置区之间,所述像素定义层还包括若干第二通孔,所述第二通孔位于所述第一区域和所述第二区域,所述第二通孔贯穿所述像素定义层以暴露所述第二阳极层。
在本申请所提供的显示面板中,所述发光层还包括若干第二发光部,每一所述第二发光部设置于一所述第二通孔中并电连接所述第二阳极层。
在本申请所提供的显示面板中,所述第一发光部位于所述第一阳极层上,所述第一发光部发出的光线从所述空置区出射,所述第二发光部位于所述第二阳极层上,所述第二发光部发出的光线从所述第一区域和所述第二区域出射。
在本申请所提供的显示面板中,所述阵列层基板包括若干第一晶体管和若干第二晶体管,每一所述第一晶体管电连接所述第一阳极层,所述第二晶体管电连接所述第二阳极层。
本申请还提供一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
提供一阵列基板,所述阵列基板包括阵列区和空置区;
在所述阵列基板的阵列区上形成像素定义层,所述像素定义层包括第一区域,所述第一区域位于所述空置区的侧边,所述像素定义层包括若干第一通孔,所述第一通孔贯穿所述像素定义层以暴露所述阵列基板;
在所述像素定义层的第一区域上形成第一阳极层,所述第一阳极层位于所述第一通孔中的所述像素定义层朝向所述空置区的表面;
在所述第一通孔中形成发光层,所述发光层包括若干第一发光部,每一所述第一发光部设置于一所述第一通孔中,所述第一发光部电连接所述第一阳极层;
在所述像素定义层和所述发光层上形成阴极层,所述阴极层与所述发光层电连接。
在本申请所提供的显示面板的制备方法中,在所述像素定义层的第一区域上形成阳极层,所述阳极层位于所述第一通孔中的所述像素定义层朝向所述空置区的表面的步骤和在所述第一通孔中形成发光层,所述发光层包括若干第一发光部,每一所述第一发光部设置于每一所述第一通孔中,所述第一发光部电连接所述第一阳极层的步骤中,还包括:
在所述第一阳极层上形成绝缘层,所述第一阳极层包括若干第一阳极,每一所述第一阳极包括一延伸部,所述延伸部位于所述像素定义层的上表面,所述绝缘层覆盖于所述延伸部上。
在本申请所提供的显示面板的制备方法中,所述提供一阵列基板,所述阵列基板包括阵列区和空置区的步骤之后和所述在所述阵列基板的阵列区上形成像素定义层,所述像素定义层包括第一区域,所述第一区域位于所述空置区的侧边,所述像素定义层包括若干第一通孔,所述第一通孔贯穿所述像素定义层以暴露所述阵列基板的步骤之前,还包括:
在所述阵列基板上形成第二阳极层。
本申请提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括阵列基板、像素定义层、第一阳极层、发光层和阴极层,阵列基板包括一阵列区和一空置区,像素定义层覆盖阵列基板的阵列区,像素定义层包括第一区域,第一区域位于空置区的侧边,像素定义层包括若干第一通孔,第一通孔位于第一区域贯穿像素定义层以暴露阵列基板,第一阳极层设置于像素定义层的第一区域上,第一阳极层位于第一通孔中的像素定义层朝向空置区的表面,发光层包括若干第一发光部,每一第一发光部设置于一第一通孔中并电连接第一阳极层,阴极层设置于像素定义层和发光层上,阴极层与发光层电连接。在本申请中,通过去除空置区的阵列基板上的相应膜层,提高了空置区的光透过性,并在阵列区上增加像素和调整电路设计,使得显示面板的空置区正常显示和正常成像,进而实现全面屏显示。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的阳极膜层的平面图。
图2为本申请所提供的显示面板沿I-II线的第一种截面图。
图3为本申请所提供的显示面板的光线路径图。
图4为本申请所提供的显示面板沿I-II线的第二种截面图。
图5为本申请所提供的显示面板的像素平面图。
图6为本申请所提供的显示面板沿III-IV线的截面图。
图7为本申请所提供的显示面板的制备方法流程图。
图8-16为本申请所提供的显示面板的制备方法流程剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
请查阅图1和图2,图1为本申请所提供的阳极膜层的平面图。图2为本申请所提供的显示面板沿I-II线的截面图。本申请提供一种显示面板10。所述显示面板10包括阵列基板100、像素定义层200、第一阳极层300、发光层400和阴极层500。
所述阵列基板100包括一空置区110和一阵列区120。具体的,所述空置区110用于放置摄像头装置。所述阵列基板100包括柔性基板130、缓冲层140和设置于阵列区120的晶体管层150。所述缓冲层140设置于所述柔性基板130上。所述缓冲层140用于阻隔水氧的侵蚀。所述晶体管层150设置于所述阵列区120的缓冲层140上。所述晶体管层150包括若干第一晶体管151和若干第二晶体管152。所述第一晶体管151包括第一有源层1511、第一栅极绝缘层1512、第一栅极1513、第一源极1514和第一漏极1515。所述第一有源层1511包括N型掺杂部15111、半导体部15112和P型掺杂部15113。所述N型掺杂部15111和所述P型掺杂部15113位于所述半导体部15112的两侧。所述第一栅极绝缘层1512设置于所述第一有源层1511上。所述第一栅极1513位于所述第一栅极绝缘层1512上。所述第一源极1514位于所述第一有源层1511的一侧,并与所述第一有源层1511电连接。所述第一漏极1515位于所述第一有源层1511的另一侧,并与所述第一有源层1511电连接。所述第二晶体管152包括第二有源层1521、第二栅极绝缘层1522、第二栅极1523、第二源极1524和第二漏极1525。所述第二有源层1521包括N型掺杂部15211、半导体部15212和P型掺杂部15213。所述N型掺杂部15211和所述P型掺杂部15213位于所述半导体部15212的两侧。所述第二晶体管152中的结构及其相应位置与所述第一晶体管151中的相同,此处不再赘述。所述晶体管层150还包括若干第一凹槽153。所述第一凹槽153位于所述第二漏极1525上,并暴露所述第二漏极1525。
在另一实施例中,所述显示面板10还包括第二阳极层600。所述第二阳极层600设置于所述第一凹槽153中及所述晶体管层150上,并与所述第二漏极1525电连接。
所述像素定义层200覆盖所述阵列基板100的阵列区120。所述像素定义层200包括第一区域210和第二区域220。所述第一区域210位于所述空置区110的侧边。在本实施例中,所述第一区域210围绕所述空置区110。所述像素定义层200包括若干第一通孔230和若干第二通孔240。所述第一通孔230位于所述第一区域210贯穿所述像素定义层200以暴露所述阵列基板100。所述第二通孔240位于所述第一区域210和所述第二区域220。所述第二通孔240贯穿所述像素定义层200以暴露所述第二阳极层600。在本实施例中,所述第一通孔230与所述第二通孔240在所述第一区域210交替设置。
在另一实施例中,所述像素定义层200还包括若干第三通孔250。所述第三通孔250位于所述第一区域210上。所述第三通孔250贯穿所述像素定义层200及部分晶体管层150以暴露所述第一漏极1515。
所述第一阳极层300设置于所述像素定义层200的第一区域210上。所述第一阳极层300位于所述第一通孔230中的所述像素定义层200朝向所述空置区110的表面。所述第一阳极层300与所述第二阳极层600相互绝缘。所述第一阳极层300与所述第一晶体管电连接。具体的,所述第一阳极层300包括若干第一阳极310。每一所述第一阳极310包括一延伸部311。所述延伸部311位于所述像素定义层200的上表面及所述第三通孔250中。所述第一阳极层300通过所述第三通孔250与所述第一漏极1515电连接。
在另一实施例中,所述显示面板10还包括绝缘层700。所述绝缘层700设置于所述延伸部311上,并覆盖所述延伸部311。
请参阅图3,图3为本申请所提供的显示面板的光线路径图。所述发光层400包括若干第一发光部410。每一所述第一发光部410设置于一所述第一通孔230中并电连接所述第一阳极层300。所述第一发光部410位于所述第一阳极层300上。所述第一发光部410发出的光线从所述空置区110出射。所述若干第一发光部410包括红光发光部、绿光发光部和蓝光发光部。
在另一实施例中,所述发光层400还包括若干第二发光部420。每一所述第二发光部420设置于一所述第二通孔240中并电连接所述第二阳极层600。所述第二发光部420位于所述第二阳极层600上。所述第二发光部420发出的光线从所述第一区域210和所述第二区域220出射。所述若干第二发光部420包括红光发光部、绿光发光部和蓝光发光部。
在本申请中,所述第一发光部电连接所述第一阳极层及所述阴极层,所述第一晶体管驱动所述第一发光部发出光线,所述第一发光部发出的光线为斜出射光线,斜出射至空置区,斜出射光线使得空置区正常显示,并去除空置区中相应的膜层,提高了空置区的光透过性,进一步使得放置于空置区的屏下摄像头捕捉到足够的外界光线用于正常成像,并使得显示面板中的空置区正常显示。
所述阴极层500设置于所述像素定义层200和所述发光层400上。所述阴极层500与所述发光层400电连接。
在本申请中,在所述第一阳极层300上设置绝缘层700,用于隔离第一阳极层300和阴极层500,防止电性短路。
在另一实施例中,所述显示面板10还包括封装层800。所述封装层800设置于所述阵列基板100和位于阵列区120的阴极层500上。所述封装层800包括第一无机层810、有机层820和第二无机层830。所述有机层820设置于所述第一无机层810上。所述第二无机层830设置于所述有机层820上。在本实施例中,所述封装层800为三层层叠结构。
请参阅图4,图4为本申请所提供的显示面板沿I-II线的第二种截面图。图3与图4的区别在于,所述第一发光部410仅设置于未被所述绝缘层700覆盖的第一阳极310上,降低了显示面板的生产成本。
请参阅图5和图6,图5为本申请所提供的显示面板的像素平面图。图6为本申请所提供的显示面板沿III-IV线的截面图。
需要说明的是,图5所示出是本申请所显示面板空置区及其周围的像素层分布,为了便于理解,图6中仅示出发光层的第一发光部及第一发光部的光线路径图。
本申请提供一种显示面板,显示面板包括阵列基板、像素定义层、第一阳极层、发光层和阴极层,阵列基板包括一阵列区和一空置区,像素定义层覆盖阵列基板的阵列区,像素定义层包括第一区域,第一区域位于空置区的侧边,像素定义层包括若干第一通孔,第一通孔位于第一区域贯穿像素定义层以暴露阵列基板,第一阳极层设置于像素定义层的第一区域上,第一阳极层位于第一通孔中的像素定义层朝向空置区的表面,发光层包括若干第一发光部,每一第一发光部设置于一第一通孔中并电连接第一阳极层,阴极层设置于像素定义层和发光层上,阴极层与发光层电连接。在本申请中,通过去除空置区的阵列基板上的相应膜层,提高了空置区的光透过性,并在阵列区上增加像素和调整电路设计,所增加像素发出的光线出射至空置区,用于显示面板空置区成像和显示,进而实现全面屏显示。
请参阅图7和图8-16,图7为本申请所提供的显示面板的制备方法流程图。图8-16为本申请所提供的显示面板的制备方法流程剖视图。本申请还提供一种显示面板10的制备方法,所述方法包括:
20、提供一阵列基板100,所述阵列基板100包括阵列区120和空置区110。
请参阅图8、图9和图10,具体的,所述阵列基板100包括柔性基板130、缓冲层140和晶体管层150。在所述柔性基板130上形成缓冲层140。所述缓冲层140用于阻隔水氧的侵蚀。在所述缓冲层140上形成晶体管层150,通过光罩或蚀刻的方式去除空置区110上的晶体管层150。所述晶体管层150包括若干第一晶体管151和若干第二晶体管152。所述第一晶体管151包括第一有源层1511、第一栅极绝缘层1512、第一栅极1513、第一源极1514和第一漏极1515。所述第一有源层1511包括N型掺杂部15111、半导体部15112和P型掺杂部15113。所述N型掺杂部151和所述P型掺杂部15113位于所述半导体部15112的两侧。所述第一栅极绝缘层1512设置于所述第一有源层1511上。所述第一栅极1513位于所述第一栅极绝缘层1512上。所述第一源极1514位于所述第一有源层1511的一侧,并与所述第一有源层1511电连接。所述第一漏极1515位于所述第一有源层1511的另一侧,并与所述第一有源层1511电连接。所述第二晶体管152包括第二有源层1521、第二栅极绝缘层1522、第二栅极1523、第二源极1524和第二漏极1525。所述第二晶体管152中的结构及其相应位置与所述第一晶体管151中的相同,此处不再赘述。所述晶体管层150还包括若干第一凹槽153。所述第一凹槽153位于所述第二漏极1525上,并暴露所述第二漏极1525。
在所述第一凹槽153中及所述晶体管层150上设置第二阳极层材料蚀刻形成第二阳极层,并与所述第二漏极1525电连接。
30、在所述阵列基板100的阵列区120上形成像素定义层300,所述像素定义层200包括第一区域210,所述第一区域210位于所述空置区110的侧边,所述像素定义层200包括若干第一通孔230,所述第一通孔230贯穿所述像素定义层200以暴露所述阵列基板100。
请参阅图11。具体的,在所述阵列基板100上涂覆像素定义层材料,通过蚀刻或光罩发方式去除空置区110的像素定义层材料形成像素定义层200。再对所述像素定义层200进行蚀刻形成若干第一通孔230、若干第二通孔240和若干第三通孔250。所述像素定义层200包括第一区域210和第二区域220。所述第一区域210位于所述空置区110的侧边。在本实施例中,所述第一区域210围绕所述空置区110。所述第一通孔230位于所述第一区域210贯穿所述像素定义层200以暴露所述阵列基板100。所述第二通孔240位于所述第一区域210和所述第二区域220。所述第二通孔240贯穿所述像素定义层200以暴露所述第二阳极层600。所述第三通孔250位于所述第一区域210上。所述第三通孔250贯穿所述像素定义层200及部分晶体管层150以暴露所述第一漏极1515。在本实施例中,所述第一通孔230与所述第二通孔240在所述第一区域210交替设置。
40、在所述像素定义层200的第一区域210上形成第一阳极层300,所述第一阳极层300位于所述第一通孔230中的所述像素定义层200朝向所述空置区110的表面。
请参阅图12和图13。在所述像素定义层200的第一区域210上设置第一阳极层材料,通过蚀刻或光罩方式处理形成第一阳极层300。所述第一阳极层300位于所述第一通孔230中的所述像素定义层200朝向所述空置区110的表面。所述第一阳极层300与所述第二阳极层600相互绝缘。所述第一阳极层300与所述第一晶体管电连接。具体的,所述第一阳极层300包括若干第一阳极310。每一所述第一阳极310包括一延伸部311。所述延伸部311位于所述像素定义层200的上表面及所述第三通孔250中。所述第一阳极层300通过所述第三通孔250与所述第一漏极1515电连接。
在形成所述第一阳极层300的步骤之后,还包括所述延伸部311上设置绝缘层700。所述绝缘层700覆盖所述延伸部311。
50、在所述第一通孔230中形成发光层400,所述发光层400包括若干第一发光部410,每一所述第一发光部410设置于一所述第一通孔230中,所述第一发光部410并电连接所述第一阳极层300。
请参阅图14。具体的,在所述第一通孔230和所述第二通孔240中采用光罩方式设置发光层材料,以形成发光层400。所述发光层400包括若干第一发光部410和若干第二发光部420。每一所述第一发光部410设置于一所述第一通孔230中并电连接所述第一阳极层300。所述第一发光部410位于所述第一阳极层300上。所述第一发光部410发出的光线从所述空置区110出射。每一所述第二发光部420设置于一所述第二通孔240中并电连接所述第二阳极层600。所述第二发光部420位于所述第二阳极层600上。所述第二发光部420发出的光线从所述第一区域210和所述第二区域220出射。所述第一发光部410和所述若干第二发光部420包括红光发光部、绿光发光部和蓝光发光部。
60、在所述像素定义层200和所述发光层400上形成阴极层500,所述阴极层500与所述发光层400电连接。
请参阅图15。具体的,在所述阵列基板100、像素定义层200、绝缘层700和发光层400上设置阴极层材料,通过光罩或蚀刻的方式去除阵列基板100的空置区110上的阴极层材料,形成阴极层500。
在本申请中,在所述第一阳极层300上设置绝缘层700,用于隔离第一阳极层300和阴极层500,防止电性短路。
请参阅图16。在形成所述阴极层500的步骤之后,还包括在所述阵列基板100和位于阵列区120的阴极层500上依次层叠形成第一无机层810、有机层820和第二无机层830。所述第一无机层810、所述有机层820和所述第二无机层830组成显示面板10的封装层800。在本实施例中,所述封装层800为三层层叠结构。
本申请提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括阵列基板、像素定义层、第一阳极层、发光层和阴极层,阵列基板包括一阵列区和一空置区,像素定义层覆盖阵列基板的阵列区,像素定义层包括第一区域,第一区域位于空置区的侧边,像素定义层包括若干第一通孔,第一通孔位于第一区域贯穿像素定义层以暴露阵列基板,第一阳极层设置于像素定义层的第一区域上,第一阳极层位于第一通孔中的像素定义层朝向空置区的表面,发光层包括若干第一发光部,每一第一发光部设置于一第一通孔中并电连接第一阳极层,阴极层设置于像素定义层和发光层上,阴极层与发光层电连接。在本申请中,通过去除空置区的阵列基板上的相应膜层,提高了空置区的光透过性,并在阵列区上增加像素和调整电路设计,使得显示面板的空置区正常显示,进而实现全面屏显示。
以上仅为本申请的实施例,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括一阵列区和一空置区;
像素定义层,所述像素定义层覆盖所述阵列基板的阵列区,所述像素定义层包括第一区域,所述第一区域位于所述空置区的侧边,所述像素定义层包括若干第一通孔,所述第一通孔位于所述第一区域贯穿所述像素定义层以暴露所述阵列基板;
第一阳极层,所述第一阳极层设置于所述像素定义层的第一区域上,所述第一阳极层位于所述第一通孔中的所述像素定义层朝向所述空置区的表面;
发光层,所述发光层包括若干第一发光部,每一所述第一发光部设置于一所述第一通孔中并电连接所述第一阳极层;以及
阴极层,所述阴极层设置于所述像素定义层和所述发光层上,所述阴极层与所述发光层电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阳极层包括若干第一阳极,每一所述第一阳极包括一延伸部,所述延伸部位于所述像素定义层的上表面,在所述延伸部和所述阴极层之间具有绝缘层。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一区域围绕所述空置区。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二阳极层,所述第二阳极层位于所述像素定义层和所述阵列基板之间,所述像素定义层还包括第二区域,所述第一区域位于所述第二区域和所述空置区之间,所述像素定义层还包括若干第二通孔,所述第二通孔位于所述第一区域和所述第二区域,所述第二通孔贯穿所述像素定义层以暴露所述第二阳极层。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述发光层还包括若干第二发光部,每一所述第二发光部设置于一所述第二通孔中并电连接所述第二阳极层。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光部位于所述第一阳极层上,所述第一发光部发出的光线从所述空置区出射,所述第二发光部位于所述第二阳极层上,所述第二发光部发出的光线从所述第一区域和所述第二区域出射。
7.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括若干第一晶体管和若干第二晶体管,每一所述第一晶体管电连接所述第一阳极层,所述第二晶体管电连接所述第二阳极层。
8.一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
提供一阵列基板,所述阵列基板包括阵列区和空置区;
在所述阵列基板的阵列区上形成像素定义层,所述像素定义层包括第一区域,所述第一区域位于所述空置区的侧边,所述像素定义层包括若干第一通孔,所述第一通孔贯穿所述像素定义层以暴露所述阵列基板;
在所述像素定义层的第一区域上形成第一阳极层,所述第一阳极层位于所述第一通孔中的所述像素定义层朝向所述空置区的表面;
在所述第一通孔中形成发光层,所述发光层包括若干第一发光部,每一所述第一发光部设置于一所述第一通孔中,所述第一发光部电连接所述第一阳极层;
在所述像素定义层和所述发光层上形成阴极层,所述阴极层与所述发光层电连接。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述像素定义层的第一区域上形成阳极层,所述阳极层位于所述第一通孔中的所述像素定义层朝向所述空置区的表面的步骤和在所述第一通孔中形成发光层,所述发光层包括若干第一发光部,每一所述第一发光部设置于每一所述第一通孔中,所述第一发光部电连接所述第一阳极层的步骤中,还包括:
在所述第一阳极层上形成绝缘层,所述第一阳极层包括若干第一阳极,每一所述第一阳极包括一延伸部,所述延伸部位于所述像素定义层的上表面,所述绝缘层覆盖于所述延伸部上。
10.如权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述提供一阵列基板,所述阵列基板包括阵列区和空置区的步骤之后和所述在所述阵列基板的阵列区上形成像素定义层,所述像素定义层包括第一区域,所述第一区域位于所述空置区的侧边,所述像素定义层包括若干第一通孔,所述第一通孔贯穿所述像素定义层以暴露所述阵列基板的步骤之前,还包括:在所述阵列基板上形成第二阳极层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010551728.9A CN111900186B (zh) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010551728.9A CN111900186B (zh) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111900186A CN111900186A (zh) | 2020-11-06 |
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Family
ID=73206766
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010551728.9A Active CN111900186B (zh) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 显示面板及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111900186B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111900185B (zh) | 2020-06-17 | 2021-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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2020
- 2020-06-17 CN CN202010551728.9A patent/CN111900186B/zh active Active
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CN111223909A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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PB01 | Publication | ||
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