CN113035887B - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种显示面板。显示面板具有显示区及环绕显示区的非显示区。显示面板包括阵列基板、第一电极、像素定义层、发光层、第一隔离部及至少一第二隔离部。第一电极位于阵列基板上且位于显示区。像素定义层位于第一电极上，像素定义层具有和第一电极重叠的开口。发光层位于开口内。第一隔离部位于阵列基板上且位于非显示区。第二隔离部位于第一隔离部上，第二隔离部的形状为上宽下窄，且第二隔离部的最大宽度小于第一隔离部的宽度。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)显示面板因为具有高色彩饱和度、应答速度快及高对比的性能展现，受到了广泛的应用。为了避免有机发光二极管受到环境中的水气和氧气所影响，会对其进行封装。封装包括在其上方覆盖有机层，并会采用双堤防(dam)来防止此有机层溢流到外面。然而，双堤防局限了显示面板的边框大小，使得边框无法向内缩减。若欲将双堤防变为单堤防，又会遇到有机层溢流的问题。因此，如何在避免有机层溢流下，并缩减边框实为相关领域的开发重点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板，可防止有机层溢流(overflow)。
本发明的显示面板具有显示区及环绕显示区的非显示区。显示面板包括阵列基板、第一电极、像素定义层、发光层、第一隔离部及至少一第二隔离部。第一电极位于阵列基板上且位于显示区。像素定义层位于第一电极上，像素定义层具有和第一电极重叠的开口。发光层位于开口内。第一隔离部位于阵列基板上且位于非显示区。第二隔离部位于第一隔离部上，第二隔离部的形状为上宽下窄，且第二隔离部的最大宽度小于第一隔离部的宽度。
本发明的显示面板具有显示区及环绕显示区的非显示区。显示面板包括阵列基板、第一电极、像素定义层、发光层、第一隔离部及无机封装层。第一电极位于阵列基板上且位于显示区。像素定义层位于第一电极上，像素定义层具有和第一电极重叠的开口。发光层位于开口内。第一隔离部位于阵列基板上且位于非显示区。无机封装层自第一隔离部的侧面延伸至第一隔离部的顶面，无机封装层具有重叠于第一隔离部的顶面的至少一开口。
本发明的显示面板具有显示区及环绕显示区的一非显示区。显示面板包括阵列基板、第一电极、像素定义层、发光层、第一隔离部及至少一第二隔离部。第一电极位于阵列基板上且位于显示区。像素定义层位于第一电极上，像素定义层具有和第一电极重叠的开口。发光层位于开口内。第一隔离部位于阵列基板上且位于非显示区。第二隔离部位于第一隔离部上，第二隔离部的最大宽度和第一隔离部的宽度的比值为0.1至0.95，且第二隔离部的上表面具有波浪形状。
基于上述，在本发明一实施例的显示面板中，显示面板包括第一隔离部及第二隔离部，第一隔离部位于阵列基板上且位于非显示区。第二隔离部位于第一隔离部上。第二隔离部的形状为上宽下窄，且第二隔离部的最大宽度小于第一隔离部的宽度，可避免有机封装层因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部和第二隔离部，提升侧向封装的可靠度。
在本发明另一实施例的显示面板中，无机封装层自第一隔离部的侧面延伸至第一隔离部的顶面，无机封装层具有重叠于第一隔离部的顶面的至少一开口。开口如水沟般可以将有机封装层局限于开口中，可避免有机封装层因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部和第二隔离部，提升侧向封装的可靠度。
在本发明另一实施例的显示面板中，第二隔离部的最大宽度和第一隔离部的比值为0.1至0.95，且第二隔离部的上表面具有波浪形状，可避免有机封装层因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部和第二隔离部，提升侧向封装的可靠度。
本发明的有益效果在于，显示面板包括第一隔离部及第二隔离部，第一隔离部位于阵列基板上且位于非显示区。第二隔离部位于第一隔离部上。第二隔离部的形状为上宽下窄，且第二隔离部的最大宽度小于第一隔离部的宽度，通过有机封装层跨过障碍体(即第一隔离部及第二隔离部)的位能增加去抵消有机封装层与第一无机封装层的内聚力，可避免有机封装层因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部和第二隔离部，提升侧向封装的可靠度。
附图说明
阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本公开的多个方式。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。
图1是依照本发明一实施例的显示面板的俯视示意图。
图2是沿着图1的剖线I-I’的剖面示意图。
图3是依照本发明一实施例的第一隔离部及第二隔离部的其他方式的剖面示意图。
图4是依照本发明一实施例的第一隔离部及第二隔离部的其他方式的剖面示意图。
图5是依照本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。
图6是依照本发明一实施例的第一隔离部及第二隔离部的其他方式的剖面示意图。
图7是依照本发明一实施例的第一隔离部及第二隔离部的其他方式的剖面示意图。
图8是依照本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。
图9是依照本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。
图10是依照本发明另一实施例的第一隔离部及第二隔离部的其他方式的剖面示意图。
图11是依照本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。
图12是依照本发明另一实施例的第一隔离部及第一无机封装层的其他方式的剖面示意图。
图13是依照本发明另一实施例的第一隔离部及第一无机封装层的其他方式的剖面示意图。
附图标记如下：
10,10a,10b,10c,10d:显示面板
100:阵列基板
102:基板
104:像素阵列
105:缓冲层
106:栅绝缘层
108:层间绝缘层
112:平坦层
114:像素定义层
116:发光层
118:空穴传输层
120:电子传输层
122:发光单元
124:封装结构
126:第一无机封装层
126a:边界
128:有机封装层
130:第二无机封装层
130a:边界
132:第一隔离部
132w:宽度
134:第二隔离部
134T:上表面
134w1:最大宽度
134w2:最小宽度
136:沟槽
138:开口
AA:显示区
CH:通道区
D:漏极
D1:第一方向
D2:第二方向
DR:漏极区
E1:电极
E2:第二电极
G:栅极
I-I’:剖线
NA:非显示区
PS:间隙物
PX:像素
S:源极
SC:半导体图案
SR:源极区
T1:有源元件
具体实施方式
图1是依照本发明一实施例的显示面板10的俯视示意图，图2是沿着图1的剖线I-I’的剖面示意图。请一并参照图1及图2，显示面板10具有显示区AA及环绕显示区AA的非显示区NA。阵列基板100包括基板102及设置于基板102上的像素阵列104，像素阵列104配置于显示区AA。在本实施例中，基板102例如是可挠性基板，例如聚合物基板或塑胶基板。举例而言，基板102的材质为聚酰亚胺(polyimide；PI)。
像素阵列104包括多个像素PX。为了方便说明，图1中示出了第一方向D1与第二方向D2，且第一方向D1与第二方向D2相异，例如第一方向D1与第二方向D2分别为图1的横向方向与纵向方向，且其彼此呈正交关系。各像素PX沿着第一方向D1及第二方向D2排列。各像素PX可包括有源元件T1。有源元件T1配置于基板102上，且具有栅极G、源极S、漏极D以及半导体图案SC。阵列基板100还可包括缓冲层105、栅绝缘层106、层间绝缘层108及平坦层112。栅绝缘层106配置于半导体图案SC及栅极G之间。举例而言，有源元件T1的栅极G可选择性地配置于半导体图案SC的上方，以形成顶部栅极型薄膜晶体管(top gate TFT)，但本发明不以此为限。根据其他的实施例，有源元件T1的栅极G也可配置在半导体图案SC的下方，即栅极G位于半导体图案SC与基板102之间，以形成底部栅极型薄膜晶体管(bottom gate TFT)。
缓冲层105设置于基板102与有源元件T1之间。缓冲层105的材质例如是氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO)。举例而言，缓冲层105例如是由下至上为氮化硅、氧化硅、氮化硅及氧化硅的叠层结构。
在本实施例中，半导体图案SC可包括源极区SR、通道区CH以及漏极区DR。于其他实施例中，半导体图案SC还可包括位于源极区SR及通道区CH之间的轻掺杂源极区(未示)以及位于漏极区DR与通道区CH之间的轻掺杂漏极区(未示)。且栅极G重叠于半导体图案SC的通道区CH，但本发明不以此为限。根据其他的实施例，半导体图案SC可仅包括源极区SR、通道区CH及漏极区DR。
层间绝缘层108配置于栅绝缘层106上，且覆盖有源元件T1的栅极G。有源元件T1的源极S与漏极D配置于层间绝缘层108上，且分别重叠于半导体图案SC的源极区SR及漏极区DR。举例而言，有源元件T1的源极S与漏极D都贯穿层间绝缘层108以及栅绝缘层106，以分别电性连接半导体图案SC的源极区SR及漏极区DR。
在本实施例中，半导体图案SC的材质例如是低温多晶硅(low temperature polysilicon；LTPS)半导体，也就是说，有源元件T1可以是低温多晶硅薄膜晶体管。然而，本发明不限于此，于其他实施例中，有源元件T1也可以是非晶硅薄膜晶体管(amorphous siliconTFT，a-Si TFT)、微晶硅薄膜晶体管(micro Si TFT)或金属氧化物晶体管(metal oxidetransistor)。
平坦层112覆盖有源元件T1的源极S、漏极D以及层间绝缘层108的部分表面，并可选择性地具有重叠于有源元件T1的漏极D的开口。平坦层112覆盖层间绝缘层108与漏极D的部分表面。平坦层112的材料包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、其它合适的材料或上述的组合)、其它合适的材料或上述的组合。
显示面板10还包括第一电极E1、像素定义层114及发光层116。第一电极E1位于阵列基板100上且位于显示区AA。像素定义层114位于平坦层112上，换言之，平坦层112配置于基板102及像素定义层114之间。像素定义层114具有和第一电极E1重叠的开口，发光层116位于开口内。显示面板10还包括空穴传输层(hole transfer layer，HTL)118、电子传输层(electron transfer layer，ETL)120及第二电极E2。第一电极E1、空穴传输层118、发光层116、电子传输层120及第二电极E2依序堆叠于平坦层112上并共同构成发光单元122。
在本实施例中，第一电极E1可作为发光单元122的阳极(anode)，第二电极E2可作为发光单元122的阴极(cathode)，但本发明不以此为限。发光层116例如包括红色发光层、蓝色发光层及绿色发光层。
第一电极E1可对应地连接有源元件T1。第一电极E1贯穿平坦层112与有源元件T1的漏极D电性连接。于一些实施例中，第一电极E1例如是光穿透式电极，光穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层，但本发明并不以此为限。于其他实施例中，第一电极E1也可以是反射式电极，反射式电极的材质包括金属、合金、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
各发光单元122的空穴传输层118及发光层116例如是通过喷墨涂布技术(Ink JetPrinting；IJP)形成于开口中。于本实施例中，第二电极E2例如是光穿透式电极，光穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层，但本发明并不以此为限。在其他实施例中，第二电极E2也可以是反射式电极，反射式电极的材质包括金属、合金、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
显示面板10还可包括间隙物PS，间隙物PS设置于像素定义层114及平坦层112上上，且配置用以支撑基板102。第二电极E2还覆盖像素定义层114的部分表面及间隙物PS。当显示面板10被使能(enabled)时，第一电极E1与第二电极E2之间因分别具有高电位与接地电位而产生电流，致使发光单元122发出用以显示画面的图像光束。
显示面板10还包括封装结构124。举例而言，封装结构124可以是薄膜封装(thinfilm encapsulation；TFE)结构，且包括依序设置于阵列基板100上的第一无机封装层126、有机封装层128及第二无机封装层130。第一无机封装层126可以阻隔水气和氧气进入发光单元122和阵列基板100。第一无机封装层126在基板102的垂直投影面积大于有机封装层128在基板102的垂直投影的面积，且第二无机封装层130在基板102的垂直投影面积大于有机封装层128在基板102的垂直投影的面积，可避免侧向的水气自有机封装层128入侵发光单元122。
第一无机封装层126及第二无机封装层130的形成方式可以是化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)，有机封装层128的形成方式可以是喷墨印刷(ink jetprinting；IJP)。于本实施例中，第一无机封装层126的边界(border)126a及第二无机封装层130的边界130a是通过蚀刻工艺所定义，可使第一无机封装层126的边界126a及第二无机封装层130的边界130a往内缩减，换言之，可以大幅缩短第一无机封装层126及第二无机封装层130在显示面板10的非显示区NA的长度，使显示面板10具有窄边框，有利于使显示面板10应用于可延展(stretchable)显示面板。
于本实施例中，显示面板10还包括第一隔离部132及至少一第二隔离部134。第一隔离部132位于阵列基板100上且位于非显示区NA。第二隔离部134位于第一隔离部132上。第一隔离部132可用于定义有机封装层128的喷涂范围。第一隔离部132和第一无机封装层126的边界126a及第二无机封装层130的边界130a的距离为1微米至1000微米。于一实施例中，第一隔离部132和第一无机封装层126的边界126a及第二无机封装层130的边界130a的距离为1微米至240微米。
于本实施例中，第一隔离部132具有子部132A及位于子部132A上的子部132B，子部132A及子部132B的材料包括正型光刻胶。举例而言，子部132A和像素定义层114可为同一膜层，换言之，子部132A和像素定义层114具有相同厚度及相同材料。子部132B和间隙物PS可为同一膜层，换言之，子部132B和间隙物PS具有相同厚度及相同材料。于本实施例中，第一隔离部132和第二隔离部134的材料不同。
由于第一无机封装层126的边界126a及第二无机封装层130的边界130a往内缩减，使得边界126a及边界130a和有机封装层128之间的距离缩短。于本实施例中，第二隔离部134的形状为上宽下窄，且第二隔离部134的最大宽度134w1小于第一隔离部的宽度132w，通过有机封装层128跨过障碍体(即第一隔离部132及第二隔离部134)的位能增加去抵消有机封装层128与第一无机封装层126的内聚力，可避免有机封装层128因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部132和第二隔离部134，提升侧向封装的可靠度。举例而言，第二隔离部134的最大宽度134w1为10微米至100微米。第一隔离部132的宽度132w为10微米至100微米，举例而言，宽度132w为50微米。第二隔离部134的最大宽度134w1和第二隔离部134的最小宽度134w2的比值为1.1至2。
第一无机封装层126的材料包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料或上述至少二种材料的堆叠层。
有机封装层128的材料包括有机材料，例如聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、其它合适的材料或上述的组合。
第二隔离部134的剖面形状呈烟囱状，换言之，第二隔离部134的宽度由下往上先呈定值(例如最小宽度134w2)再逐渐变大再呈定值(例如最大宽度134w1)。这样的多重障碍的设计可以有效阻隔毛细现象的发生。
于本实施例中，像素定义层114、间隙物PS及第一隔离部132的材料包括正型光刻胶，第二隔离部134的材料包括负型光刻胶。举例而言，第二隔离部134例如是通过整面地沉积负型光刻胶材料，再通过曝光显影所形成的，使得第二隔离部134的形状可通过曝光时间所控制。于本实施例中，第二隔离部134的数量为单个。
图3及图4是依照本发明一实施例的第一隔离部132及第二隔离部134的其他方式的剖面示意图，请先参照图3，第二隔离部134的数量为多个，举例而言，图3中示出第二隔离部134的数量为两个，相邻的两个第二隔离部134之间形成沟槽136，沟槽136有如蓄水池般可以将有机封装层128局限于沟槽136中，可避免有机封装层128因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部132和第二隔离部134，提升侧向封装的可靠度。于其他实施例中，第二隔离部134的数量为三个(见图4)。然而本发明不限于此，于其他实施例中，第二隔离部134的数量可大于三个。
于本实施例中，沟槽136的宽度由下往上自定值(例如最大宽度136w1)而逐渐变小再变为定值(例如最小宽度136w2)。
如前所述，第二隔离部134可通过曝光显影所形成，第二隔离部134的形状可通过曝光时间所控制，如此一来，可使得第二隔离部134具有其他形状。
图5是依照本发明另一实施例的显示面板10a的剖面示意图，请参照图5，第二隔离部134的剖面形状呈倒梯形，换言之，第二隔离部134的宽度由下往上逐渐变大，即第二隔离部134的宽度由下往上自最小宽度134w2变为最大宽度134w1。于本实施例中，第二隔离部134的数量为单个。
图6及图7是依照本发明一实施例的第一隔离部132及第二隔离部134的其他方式的剖面示意图，请先参照图6，第二隔离部134的数量为多个，举例而言，图6中示出第二隔离部134的数量为两个，相邻的两个第二隔离部134之间形成沟槽136，沟槽136的宽度由下往上逐渐变小，即沟槽136的宽度由下往上自最大宽度136w1逐渐变小为最小宽度136w2，沟槽136有如蓄水池般可以将有机封装层128局限于沟槽136中，可避免有机封装层128因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部132和第二隔离部134，提升侧向封装的可靠度。于其他实施例中，第二隔离部134的数量为三个(见图7)。然本发明不限于此，于其他实施例中，第二隔离部134的数量可大于三个。
图8是依照本发明另一实施例的显示面板10b的剖面示意图，请参照图8，本实施例的显示面板10b与图2的显示面板10的主要差异在于：第二隔离部134的形状不同。在本实施例中，第二隔离部134位于第一隔离部132上，第一隔离部132的宽度132w为10微米至100微米，举例而言，宽度132w为50微米，第二隔离部134的最大宽度134w1和第一隔离部132的宽度132w的比值为0.1至0.95，且第二隔离部134的上表面134T具有波浪形状。
于本实施例中，第一隔离部132和第二隔离部134的材料相同，且两者材料例如是正型光刻胶，其中第二隔离部134和第一隔离部132可通过先沉积正型光刻胶材料，接着进行第一次曝光以形成第一隔离部132，再进行第二次曝光以形成第二隔离部134，其中第二次曝光的曝光范围的宽度小于第一次曝光的曝光范围的宽度，举例而言，第一次曝光的曝光范围的宽度为10微米至100微米，第二次曝光的曝光范围的宽度为10微米至95微米。
第一隔离部132及第二隔离部134共同形成双层阶梯式的侧壁，通过有机封装层128跨过障碍体(即第一隔离部132及第二隔离部134)的位能增加去抵消有机封装层128与第一无机封装层126的内聚力，可避免有机封装层128因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部132和第二隔离部134，提升侧向封装的可靠度。第一隔离部132和第一无机封装层126的边界126a及第二无机封装层130的边界130a的距离为1微米至1000微米。于一实施例中，第一隔离部132和第一无机封装层126的边界126a及第二无机封装层130的边界130a的距离为1微米至240微米。于本实施例中，第二隔离部134的数量为单个。
图9是依照本发明另一实施例的显示面板10c的剖面示意图，请参照图9，本实施例的显示面板10c与图8的显示面板10b的主要差异在于：第二隔离部134的数量为多个，举例而言，图9中示出第二隔离部134的数量为两个，第二隔离部134的最大宽度134w1为10微米，相邻的两个第二隔离部134之间形成沟槽136，沟槽136有如蓄水池般可以将有机封装层128局限于沟槽136中，可避免有机封装层128因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部132和第二隔离部134，提升侧向封装的可靠度。于其他实施例中，第二隔离部134的数量为三个(见图10)。然本发明不限于此，于其他实施例中，第二隔离部134的数量可大于三个。
图11是依照本发明另一实施例的显示面板10d的剖面示意图，请参照图11，本实施例的显示面板10d与图2的显示面板10的主要差异在于：第一无机封装层126自第一隔离部132的侧面延伸至第一隔离部132的顶面，第一无机封装层126具有重叠于第一隔离部132的顶面的至少一开口138。
第一无机封装层126的开口138可通过掩模(mask)工艺或是蚀刻工艺所制作。开口138如水沟般可以将有机封装层128局限于开口138中，可避免有机封装层128因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部132，提升侧向封装的可靠度。于本实施例中，第一隔离部132的宽度132w为10微米至100微米，举例而言，宽度132w为50微米。开口138的两个侧壁垂直于第一隔离部132的顶面，也就是说，开口138的断差无缓坡，换言之，开口138具有垂直面，可提高有机封装层128溢流的难度。于本实施例中，开口138的数量为单个。
于本实施例中，第一隔离部132具有子部132A及子部132B，其相关叙述相同于图2，故于此不再赘述。
图12及图13是依照本发明一实施例的第一无机封装层126及第一隔离部132的其他方式的剖面示意图。请先参照图12，开口138的数量为多个，举例而言，图12中示出开口138的数量为两个。接着请参照图13，开口138的数量为三个。然而本发明不限于此，于其他实施例中，开口138的数量可大于三个。
综上所述，在本发明一实施例的显示面板中，显示面板包括第一隔离部及第二隔离部，第一隔离部位于阵列基板上且位于非显示区。第二隔离部位于第一隔离部上。第二隔离部的形状为上宽下窄，且第二隔离部的最大宽度小于第一隔离部的宽度，通过有机封装层跨过障碍体(即第一隔离部及第二隔离部)的位能增加去抵消有机封装层与第一无机封装层的内聚力，可避免有机封装层因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部和第二隔离部，提升侧向封装的可靠度。在本发明另一实施例的显示面板中，第二隔离部的最大宽度和第一隔离部的比值为0.1至0.95，且第二隔离部的上表面具有波浪形状，使第一隔离部及第二隔离共同形成双层阶梯式的侧壁，通过有机封装层跨过障碍体(即第一隔离部及第二隔离部)的位能增加去抵消有机封装层与第一无机封装层的内聚力，可避免有机封装层因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部和第二隔离部，提升侧向封装的可靠度。在本发明另一实施例的显示面板中，无机封装层自第一隔离部的侧面延伸至第一隔离部的顶面，无机封装层具有重叠于第一隔离部的顶面的至少一开口。无机封装层的开口可通过掩模(mask)工艺或是蚀刻工艺所制作。开口如水沟般可以将有机封装层局限于开口中，可避免有机封装层因为毛细现象而溢流(overflow)出第一隔离部和第二隔离部，提升侧向封装的可靠度。
Claims (5)
1.一种显示面板，具有一显示区及环绕该显示区的一非显示区，且包括：
一阵列基板；
一第一电极，位于该阵列基板上且位于该显示区；及
一像素定义层，位于该第一电极上，其中该像素定义层具有和该第一电极重叠的一开口；
一发光层，位于该开口内；
一第一隔离部，位于该阵列基板上且位于该非显示区；及
至少一第二隔离部，位于该第一隔离部上，该第二隔离部的形状为上宽下窄，且该第二隔离部的最大宽度小于该第一隔离部的宽度；
其中该第二隔离部的数量为多个，且相邻的两个所述第二隔离部之间形成一沟槽，该沟槽的宽度由下往上逐渐变小，该沟槽的宽度由下往上自一第一定值而逐渐变小再变为一第二定值。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二隔离部的最大宽度和该第二隔离部的最小宽度的比值为1.1至2。
3.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二隔离部的材料包括负型光刻胶。
4.一种显示面板，具有一显示区及环绕该显示区的一非显示区，且包括：
一阵列基板；
一第一电极，位于该阵列基板上且位于该显示区；及
一像素定义层，位于该第一电极上，其中该像素定义层具有和该第一电极重叠的一开口；
一发光层，位于该开口内；
一第一隔离部，位于该阵列基板上且位于该非显示区；及
第一无机封装层，自该第一隔离部的侧面延伸至该第一隔离部的顶面，该第一无机封装层具有重叠于该第一隔离部的顶面的至少一开口，该第一无机封装层的该至少一开口自该第一无机封装层的顶面延伸至该第一无机封装层的底面；以及
第二无机封装层，位于该第一无机封装层上，且填入该至少一开口，该第二无机封装层自该非显示区延伸至该显示区。
5.如权利要求4所述的显示面板，其中该开口的两个侧壁垂直于该第一隔离部的顶面。
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