KR102092538B1 - 디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 디스플레이 기판을 제조하는 방법 - Google Patents

디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 디스플레이 기판을 제조하는 방법 Download PDF

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KR102092538B1
KR102092538B1 KR1020187019693A KR20187019693A KR102092538B1 KR 102092538 B1 KR102092538 B1 KR 102092538B1 KR 1020187019693 A KR1020187019693 A KR 1020187019693A KR 20187019693 A KR20187019693 A KR 20187019693A KR 102092538 B1 KR102092538 B1 KR 102092538B1
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Abstract

본 출원은 베이스 기판 및 베이스 기판 상의 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 갖는 디스플레이 기판을 개시한다. 화소 정의층은 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면을 가지고, 제2 측면은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 측면의 한 측면 상에 있다. 화소 정의층은 베이스 기판에 실질적으로 평행한 평면을 따른 제1 단면을 가지고, 제1 단면은 제1 측면과 제2 측면 사이에 있다. 베이스 기판 상의 제1 단면의 정사 투영은 베이스 기판 상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버한다.

Description

디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 디스플레이 기판을 제조하는 방법
본 출원은 2017년 6월 23일자로 출원된 중국 특허 출원 제201710485645.2호의 우선권을 주장하고, 그 내용은 전체가 참조에 의해 통합된다.
본 발명은 디스플레이 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED: organic light emitting diode) 디스플레이 장치는 자체 방출형 디바이스이며, 백라이트를 필요로 하지 않는다. OLED 디스플레이 장치는 또한 종래의 액정 디스플레이(LCD) 장치와 비교하여 더 선명한 색 및 더 넓은 색 영역을 제공한다. 또한, OLED 디스플레이 장치는 전형적인 LCD보다 더 플렉시블하고, 더 얇고, 더 가볍게 만들어질 수 있다. OLED 디스플레이 장치는 전형적으로 애노드, 발광층을 포함하는 유기층, 및 캐소드를 포함한다. OLED들은 배면 발광형(bottom-emissin type) OLED 또는 전면 발광형(top-emission type) OLED일 수 있다. 배면 발광형 OLED들에서, 광은 애노드 측으로부터 추출된다. 배면 발광형 OLED들에서, 애노드는 일반적으로 투명하지만, 캐소드는 일반적으로 반사성을 갖는다. 전면 발광형 OLED에서, 광은 캐소드 측으로부터 추출된다. 캐소드는 광학적으로 투명하지만, 애노드는 반사성을 갖는다.
일 양태에 있어서, 본 발명은 베이스 기판 및 베이스 기판 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 포함하는 디스플레이 기판을 제공하고, 상기 화소 정의층은 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면을 가지고, 상기 제2 측면은 상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 상기 제1 측면의 한 측상에 있고, 상기 화소 정의층은 상기 베이스 기판에 실질적으로 평행한 평면을 따른 제1 단면을 가지고, 상기 제1 단면은 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 있고; 및 베이스 기판 상의 제1 단면의 정사 투영(orthographic projection)은 베이스 기판 상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버한다.
선택적으로, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 화소 정의층의 제2 단면은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 실질적으로 역 사다리꼴의 한 측면 상에 실질적으로 사다리꼴을 포함하는 형상을 갖는다.
선택적으로, 화소 정의층은 제1 서브층 및 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 서브층의 측면 상의 제2 서브층을 포함하고; 제1 서브층은 베이스 기판에 인접하고 제2 서브층으로부터 멀리 있는 제1 측면, 제2 서브층에 인접하고 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제5 측면, 및 제1 측면과 제5 측면을 연결하는 제3 측면을 갖고; 제2 서브층은 서로 대향하는 제6 측면과 제2 측면, 및 제6 측면과 제2 측면을 연결하는 제4 측면을 가지고, 제2 측면은 제1 서브층으로부터 멀리 있는 제6 측면의 한 측상에 있고; 베이스 기판 상의 제5 측면의 정사 투영은 베이스 기판 상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하고; 및 베이스 기판상의 제6 측면의 정사 투영은 베이스 기판상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버하도록 형성된다.
선택적으로, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층의 단면이 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖고; 및 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층의 단면은 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖는다.
선택적으로, 화소 정의층은 빛을 차단하기 위해 제1 서브층과 제2 서브층 사이의 광 차단 서브층을 추가로 포함하며; 및 광 차단 서브층은 제1 서브층과 제2 서브층의 광 투과율보다 낮은 광 투과율을 갖는다.
선택적으로, 베이스 기판 상의 광 차단 서브층의 정사 투영은 베이스 기판 상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버한다.
선택적으로, 베이스 기판상의 광 차단 서브층의 정사 투영은 베이스 기판 상의 제5 측면 및 제6 측면의 정사 투영들과 실질적으로 중첩된다.
선택적으로, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층의 단면이 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖고; 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층의 단면은 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖고; 및 제1 측면으로부터 제2 측면으로의 방향을 따라 실질적으로 연장되는 평면을 따른 광 차단 서브층의 단면은 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다.
선택적으로, 광 차단 서브층은 제1 서브층의 두께보다 작고 제2 서브층의 두께보다 작은 두께를 갖는다.
선택적으로, 제1 서브층은 약 0.5 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛ 범위의 두께를 가지며; 제2 서브층은 약 0.5㎛ 내지 약 2.5㎛ 범위의 두께를 가지며; 및 광 차단 서브층은 제1 서브층의 두께의 약 1/10 내지 약 1/5의 두께를 갖는다.
선택적으로, 제1 서브층, 광 차단 서브층, 및 제2 서브층 각각은 포토레지스트 재료를 포함한다.
선택적으로, 디스플레이 기판은 복수의 서브 화소 영역에 유기층을 추가로 포함하며; 복수의 서브 화소 영역 각각에서의 유기층은 광 차단 서브층의 측면이 유기층에 의해 실질적으로 커버되도록 하는 두께를 갖는다.
선택적으로, 디스플레이 기판은 베이스 기판에 인접한 유기층의 한 측면 상의 제1 전극 및 베이스 기판으로부터 멀리 있는 유기층의 한 측면 상의 제2 전극을 추가로 포함하고; 제2 전극은 유기층 및 제2 서브층과 직접 접촉하지만 광 차단 서브층과는 직접 접촉하지 않는다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 본 명세서에 설명되거나 또는 본 명세서에 설명된 방법에 의해 제조된 디스플레이 기판을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 제공하는데, 이 방법은 베이스 기판 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 형성하는 단계를 포함하고; 화소 정의층은 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면을 갖도록 형성되고, 제2 측면은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 측면의 한 측상에 존재하며; 화소 정의층은 베이스 기판의 표면에 실질적으로 평행한 평면을 따른 제1 단면을 가지도록 형성되고 - 평면은 제1 측면과 제2 측면 사이에 있음 -; 및 화소 정의층은 베이스 기판 상의 제1 단면의 정사 투영이 베이스 기판 상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하도록 형성된다.
선택적으로, 화소 정의층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 제1 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 포토레지스트 재료층의 한 측면 상에 광 차단 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 멀리 있는 광 차단 포토레지스트 재료층의 한 측면 상에 제2 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 및 제1 포토레지스트 재료층, 광 차단 포토레지스트 재료층, 및 제2 포토레지스트 재료층을 패터닝하여 제1 서브층, 광 차단 서브층, 및 제2 서브층을 형성하는 단계를 포함한다.
선택적으로, 제1 포토레지스트 재료층, 광 차단 포토레지스트 재료층, 및 제2 포토레지스트 재료층을 패터닝하는 단계는 제1 포토레지스트 재료층으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 제1 포토레지스트 재료층 및 광 차단 포토레지스트 재료층을 노광하는 단계; 제2 포토레지스트 재료층으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 제2 포토레지스트 재료층 및 광 차단 포토레지스트 재료층을 노광하는 단계; 및 제1 포토레지스트 재료층, 제2 포토레지스트 재료층, 및 광 차단 포토레지스트 재료층을 현상하여 제1 서브층, 제2 서브층, 및 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함한다.
선택적으로, 제1 포토레지스트 재료층을 노광하고 제2 포토레지스트 재료층을 노광하는 것은 동일한 마스크 플레이트를 이용하여 수행된다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 디스플레이 기판을 제공하고, 디스플레이 기판은 베이스 기판 및 베이스 기판 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 포함하고; 화소 정의층은 베이스 기판 상의 제1 서브층 및 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 서브층의 한 측면상의 광을 차단하는 광 차단 서브층을 포함하고; 및 광 차단 서브층은 제1 서브층보다 낮은 광 투과율을 갖는다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 제공하는데, 이 방법은 베이스 기판 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 형성하는 단계를 포함하고; 여기서 화소 정의층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 제1 서브층을 형성하는 단계; 및 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 서브층의 한 측면상의 광을 차단하는 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함하고; 광 차단 서브층은 제1 서브층보다 낮은 광 투과율을 갖도록 형성된다.
다음의 도면은 다양하게 개시된 실시예에 따른 예시적인 목적을 위한 예일 뿐이고, 본 발명의 범위를 제한하고자하는 것은 아니다.
도 1은 종래의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 2는 종래의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 3a는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 3b는 도 3a의 디스플레이 기판의 평면도이다.
도 4는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 5는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 6은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 7은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 8은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 9는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 10 내지 도 13은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 기판을 제조하는 공정을 도시한 것이다.
도 14는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
본 개시내용이 이하의 실시예를 참조하여 보다 구체적으로 설명될 것이다. 일부 실시예에 대한 이하의 설명은 단지 예시 및 설명을 위한 목적으로 본 명세서에 제시된 것임을 유의해야 한다. 이것은 본 발명을 하나도 빠짐없이 제시하려고 하거나 또는 개시된 정확한 형태로만 제한하려는 것이 아니다.
도 1은 종래의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다. 도 1을 참조하면, 디스플레이 기판은 베이스 기판(011), 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층(012), 및 복수의 서브 화소 영역에서의 유기층(013)을 포함한다. 화소 정의층(012)은 통상적으로 수지 재료로 만들어지고, 통상적으로 이등변 사다리꼴 형상의 단면을 갖도록 만들어진다. 화소 정의층(012)을 만드는 재료의 자유 에너지는 복수의 서브 화소 영역에 유기 재료층을 인쇄하기 위한 잉크 용액의 자유 에너지와 매우 큰 차이를 갖는다. 인쇄 공정 동안, 잉크 용액은 통상적으로 화소 정의층(012)의 측벽들을 타고 올라가서 불균일한 두께를 갖는 유기층(013)을 낳는다. 전형적으로, 종래의 디스플레이 기판에서의 유기층(013)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 가장자리가 더 두껍고 중심이 더 얇다(예를 들어, "커피링 효과(coffee-ring effect)"). 커피링 효과를 감소시키거나 방지하기 위한 많은 시도가 있었는데, 예를 들어, 보다 우수한 성질을 갖는 화소 정의층 재료를 사용하고, 잉크 용액의 조성을 조정하고, 건조 온도, 건조 압력, 및 건조 분위기를 포함하는 유기층 형성 조건을 미세 조정하는 것이 있다. 이러한 시도가 약간의 개선을 가져올 수 있지만 제조 공정을 상당히 복잡하게 하고 제조 비용을 증가시킨다.
도 2는 종래의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다. 도 2를 참조하면, 화소 정의층(023)은 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖는 단면을 갖는다. 화소 정의층(023)의 측면은 애노드(022)의 표면과 이루는 끼인각이 90도 미만이다. 화소 정의층(023)의 측면 및 애노드(022)의 표면은 모세관 구조를 형성하여 유기층(024)을 인쇄하는 공정에서 잉크 용액의 균일한 분포를 가능하게 하고, 그에 의해 커피링 효과를 감소시킨다. 그러나, 캐소드(025)를 형성하는 후속 공정에서, 캐소드(025)는 화소 정의층(023)의 실질적으로 역 사다리꼴 형상으로 인해 결함이 발생하기 쉽고, 종종 캐소드(025)에서 라인이 개방되는 결과를 낳는다. 이 문제는 캐소드(025)의 두께가 상대적으로 작고 복수의 서브 화소 영역에서 리세스를 완전히 충전하기에 불충분할 때 특히 문제가 된다. 따라서, 캐소드(025)에서의 결함의 발생을 방지하기 위해, 더 두꺼운 캐소드가 요구되고, 때로는 수십 배의 양의 캐소드 재료가 복수의 서브 화소 영역에서의 리세스를 완전히 충전하기 위해 요구된다. 이는 디스플레이 기판에서 더 낮은 광 투과율 및 훨씬 더 높은 제조 비용을 초래한다.
따라서, 본 개시내용은, 특히, 관련 기술의 한계 및 단점으로 인한 문제점들 중 하나 이상을 실질적으로 제거하는 디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판 제조 방법을 제공한다. 일 양태에서, 본 개시내용은 베이스 기판 및 베이스 기판 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 갖는 디스플레이 기판을 제공한다. 일부 실시예에서, 화소 정의층은 베이스 기판 상의 제1 서브층 및 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 서브층의 한 측면상의 광을 차단하는 광 차단 서브층을 포함한다. 선택적으로, 광 차단 서브층은 제1 서브층의 광 투과율보다 더 낮은 광 투과율을 갖는다.
도 3a는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다. 도 3a를 참조하면, 일부 실시예의 디스플레이 기판은 베이스 기판(11) 및 베이스 기판(11) 상에 복수의 서브 화소 영역(S)을 한정하는 화소 정의층(100)을 포함한다. 화소 정의층(100)은 서로 대향하는 제1 측면(S1)과 제2 측면(S2)을 갖는다. 제2 측면(S2)은 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제1 측면(S1)의 한 측상에 있다. 화소 정의층(100)이 제1 측면(S1)과 제2 측면(S2)에서 좁고 중앙이 넓도록 화소 정의층(100)은 제1 측면(S1)과 제2 측면(S2) 사이에 돌출부를 갖는다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 화소 정의층(100)은 베이스 기판(11)에 실질적으로 평행한 평면을 따라 단면(M)을 가지고, 단면(M)은 제1 측면과 제2 측면 사이에 있다(예를 들어, 중간 부분을 통과한다). 선택적으로, 베이스 기판(11)상의 단면(M)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제1 측면(S1) 및 제2 측면(S2)의 정사 투영들을 실질적으로 커버한다. 선택적으로, 베이스 기판(11)상의 단면(M)의 정사 투영은 단면(M)에 대응하는 복수의 서브 화소 영역(S) 중 하나에서의 유기층의 가장자리 부분의 정사 투영을 실질적으로 커버한다. 선택적으로, 유기층은 가장자리 부분 바깥에서 실질적으로 균일한 두께를 가지며, 화소 정의층(100)은 가장자리 부분에서의 임의의 두께 불균일성으로 인한 발광 불균일성을 방지한다. 선택적으로, 디스플레이 기판은 유기층 상에 제2 전극(예를 들어, 캐소드)을 추가로 포함한다. 선택적으로, 돌출부(예를 들어, 단면(M))는, 예를 들어 제2 전극에서 어떠한 결함도 형성하지 않고 화소 정의층(100)에 대응하는 영역으로부터 유기층에 대응하는 영역으로 전이하는 제2 전극을 브리징하기 위한 지지를 제공하도록 구성된다.
도 3b는 도 3a의 디스플레이 기판의 평면도이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S)의 두 개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 화소 정의층(100)의 단면(N)은 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 실질적으로 역 사다리꼴의 한 측면 상에 적층된 실질적 사다리꼴을 포함하는 형상을 갖는다. 단면(M)은 실질적으로 사다리꼴과 실질적으로 역 사다리꼴 사이에 있다. 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이에서 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 단면(N)은 제1 측면(S1) 및 제2 측면(S2)에서 좁고 그리고 중앙에서 넓은 형상을 갖는다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S)의 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이에서 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 화소 정의층(100)의 단면(N)은 실질적으로 육각형 형상이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 화소 정의층(100)은 제1 측면(S1)과 제2 측면(S2)을 연결하는 함께 조합된 제3 측면(S3)과 제4 측면(S4)을 갖는다. 제3 측면(S3)은 제1 측면(S1)과 단면(M)을 연결하고, 제4 측면(S4)은 제2 측면(S2)과 단면(M)을 연결한다. 선택적으로, 제3 측면(S3)은 베이스 기판(11)의 표면과 끼인각 α를 갖고, 끼인각 α는 예각이다. 선택적으로, 끼인각 α는 약 5도 내지 약 90도, 예컨대 약 15도 내지 약 89도, 약 35도 내지 약 89도, 약 55도 내지 약 89도, 약 75도 내지 약 89도, 및 약 60도 내지 약 85도의 범위에 있다. 선택적으로, 제4 측면(S4)은 베이스 기판(11)의 표면과 끼인각 β를 갖고, 끼인각 β는 둔각이다. 선택적으로, 끼인각 β는 약 90도 내지 약 175도, 예를 들어 약 91도 내지 약 165도, 약 91도 내지 약 145도, 약 91도 내지 약 125도, 약 91도 내지 약 105도, 및 약 95도 내지 약 120도의 범위에 있다.
선택적으로, 화소 정의층(100)은 일체형 층이다. 선택적으로, 화소 정의층(100)은 다수의 서브층을 포함한다.
도 4는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다. 도 4를 참조하면, 일부 실시예에서의 디스플레이 기판은 베이스 기판(11) 및 베이스 기판(11) 상에 복수의 서브 화소 영역(S)을 정의하는 화소 정의층(100)을 포함한다. 화소 정의층(100)은 제1 서브층(12) 및 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제1 서브층(12)의 한 측면상의 제2 서브층(14)을 포함한다. 제1 서브층(12)은 베이스 기판(11)에 인접하고 제2 서브층(14)으로부터 멀리 있는 제1 측면(S1), 제2 서브층(14)에 인접하고 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제5 측면(S5), 및 제1 측면(S1)과 제5 측면(S3)을 연결하는 제3 측면(S3)을 갖는다. 제2 서브층(14)은 서로 대향하는 제6 측면(S6) 및 제2 측면(S2)과 제6 측면(S6) 및 제2 측면(S2)을 연결하는 제4 측면(S4)을 갖는다. 제2 측면(S2)은 제2 서브층(14)으로부터 멀리 있는 제6 측면(S6)의 한 측상에 있다.
선택적으로, 베이스 기판(11)상의 제5 측면(S5)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제1 측면(S1) 및 제2 측면(S2)의 정사 투영을 실질적으로 커버한다. 선택적으로, 베이스 기판(11)상의 제6 측면(S6)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제1 측면(S1) 및 제2 측면(S2)의 정사 투영들을 실질적으로 커버한다.
선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖는다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층(14)의 단면은 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖는다.
선택적으로, 제3 측면(S3)은 베이스 기판(11)의 표면과 끼인각 α를 갖고, 끼인각 α는 예각이다. 선택적으로, 끼인각 α는 약 5도 내지 약 90도, 예컨대 약 15도 내지 약 89도, 약 35도 내지 약 89도, 약 55도 내지 약 89도, 약 75도 내지 약 89도, 및 약 60도 내지 약 85도의 범위에 있다. 선택적으로, 제4 측면(S4)은 베이스 기판(11)의 표면과 끼인각 β를 갖고, 끼인각 β는 둔각이다. 선택적으로, 끼인각 β는 약 90도 내지 약 175도, 예를 들어 약 91도 내지 약 165도, 약 91도 내지 약 145도, 약 91도 내지 약 125도, 약 91도 내지 약 105도, 및 약 95도 내지 약 120도의 범위에 있다.
도 5는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다. 도 5를 참조하면, 일부 실시예에서의 디스플레이 기판은 베이스 기판(11)과 베이스 기판(11) 상의 복수의 서브 화소 영역(S)을 정의하는 화소 정의층(100)을 포함한다. 화소 정의층(100)은 베이스 기판(11) 상의 제1 서브층(12) 및 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제1 서브층(12)의 한 측면상의 광을 차단하는 광 차단 서브층(13)을 포함한다. 광 차단 서브층(13)은 제1 서브층(12)보다 더 낮은 광 투과율을 갖는다. 선택적으로, 광 차단 서브층(13)은 예를 들어 흑색 재료와 같은 광 차단 재료로 만들어진다. 선택적으로, 제1 서브층(12)은 실질적으로 투명한 재료, 예컨대 수지 재료로 만들어진다.
제1 서브층은 베이스 기판(11)에 인접하고 또한 광 차단 서브층(13)으로부터 멀리 있는 제1 측면(S1), 광 차단 서브층(13)에 인접하고 또한 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제5 측면(S5), 및 제1 측면(S1)과 제5 측면(S5)을 연결하는 제3 측면(S3)을 갖는다. 베이스 기판(11)상의 제5 측면(S5)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제1 측면(S1)의 정사 투영을 실질적으로 커버한다. 선택적으로, 베이스 기판(11)상의 광 차단 서브층(13)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제1 측면(S1)의 정사 투영을 실질적으로 커버한다. 선택적으로, 베이스 기판(11)상의 광 차단 서브층(13)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제5 측면(S5)의 정사 투영과 실질적으로 중첩된다.
선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 제5 측면(S5)에서 넓고 제1 측면(S1)에서 좁은 형상을 갖는다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖는다. 이 구성에 의해, 제1 서브층(12)의 제3 측면(S3)은 베이스 기판(11)의 표면과 끼인각 α를 갖고, 끼인각 α는 예각이다. 선택적으로, 끼인각 α는 약 5도 내지 약 90도, 예컨대 약 15도 내지 약 89도, 약 35도 내지 약 89도, 약 55도 내지 약 89도, 약 75도 내지 약 89도, 및 약 60도 내지 약 85도의 범위에 있다. 예각인 끼인각 α를 가짐으로써, 제1 서브층(12)과 화소 정의층(100) 아래의 구조의 표면 사이에(예를 들어, 제3 측면(S3)과 제1 전극(17)의 표면 사이에) 모세관 구조가 형성된다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 실질적으로 역 이등변 사다리꼴 형상을 갖는다.
선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 광 차단 서브층(13)의 단면은 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다.
유기 재료(예를 들면, 유기 발광 재료)를 복수의 서브 화소 영역(S)에 인쇄하는 후속 공정에서, 복수의 서브 화소 영역(S)에 분배되는 유기 재료를 함유하는 잉크는 위킹 작용(wicking action)(즉, 모세관력)에 의해 제3 측면(S3)과 제1 전극(17)의 표면 사이의 모세관 구조 내로 용이하게 위킹될 수 있다. 모세관 구조의 위킹 작용 덕분에, 잉크는 보다 균일하게, 예를 들어, 잉크에 의해 커버된 전체 영역에 걸쳐서 더 균일한 두께를 가지며 (제1 전극(17)의 표면 상의) 복수의 서브 화소 영역(S) 각각에 분배될 수 있다. 위킹 작용이 잉크가 제3 측면(S3)의 표면을 따라 올라가는 것을 방지하기 때문에, 커피링 효과는 실질적으로 방지되거나 감소될 수 있어서, 잉크가 건조될 때 전체 영역에 걸쳐서 실질적으로 균일한 두께를 갖는 유기층을 형성하게 된다. 게다가, 광 차단 서브층(13)은 유기층의 가장자리 주위에서 방출되는 광을 차단할 수 있다. 유기층에 여전히 커피링 효과가 존재한다 하더라도, 복수의 서브 화소 영역(S)은 여전히 광 차단 서브층(13)에 의해 노광되고 정의된 광 방출면에 걸쳐서 실질적으로 균일한 광 강도를 갖는 광을 방출할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 광 차단 서브층(13)은 유기층의 측면으로부터 방출되는 광(도 5에서 점선으로 도시됨)을 효과적으로 차단하여, 디스플레이 기판에서 광 누설 및 혼색을 효과적으로 방지한다. 결과적으로, 본 디스플레이 기판을 갖는 디스플레이 패널에서 디스플레이 품질이 상당히 향상될 수 있다.
도 6은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다. 도 6을 참조하면, 일부 실시예의 디스플레이 기판은 베이스 기판(11) 및 베이스 기판(11) 상에 복수의 서브 화소 영역(S)을 정의하는 화소 정의층(100)을 포함한다. 화소 정의층(100)은 베이스 기판(11) 상의 제1 서브층(12), 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제1 서브층(12)의 한 측면상에서 광을 차단하는 광 차단 서브층(13), 및 제1 서브층(12)으로부터 멀리 있는 광 차단 서브층(13)의 한 측면상의 제2 서브층(14)을 포함한다. 광 차단 서브층(13)은 제1 서브층(12) 및 제2 서브층(14)의 것보다 더 낮은 광 투과율을 갖는다. 선택적으로, 광 차단 서브층(13)은 예를 들어 흑색 재료와 같은 광 차단 재료로 만들어진다. 선택적으로, 제1 서브층(12)은 실질적으로 투명한 재료, 예컨대 수지 재료로 만들어진다. 선택적으로, 제2 서브층(14)은 실질적으로 투명한 재료, 예컨대 수지 재료로 만들어진다.
제1 서브층은 베이스 기판(11)에 인접하고 또한 광 차단 서브층(13)으로부터 멀리 있는 제1 측면(S1), 광 차단 서브층(13)에 인접하고 또한 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제5 측면(S5), 및 제1 측면(S1)과 제5 측면(S5)을 연결하는 제3 측면(S3)을 갖는다. 제2 서브층(14)은 서로 대향하는 제6 측면(S6) 및 제2 측면(S2)과 제6 측면(S6) 및 제2 측면(S2)을 연결하는 제4 측면(S4)을 갖는다. 제2 측면(S2)은 광 차단 서브층(13)으로부터 멀리 있는 제6 측면(S6)의 한 측상에 있다. 베이스 기판(11)상의 제5 측면(S5)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제1 측면(S1) 및 제2 측면(S2)의 정사 투영들을 실질적으로 커버한다. 베이스 기판(11)상의 제6 측면(S6)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제1 측면(S1) 및 제2 측면(S2)의 정사 투영들을 실질적으로 커버한다. 선택적으로, 베이스 기판(11) 상의 광 차단 서브층(13)의 정사 투영은 베이스 기판(11) 상의 제1 측면(S1) 및 제2 측면(S2)의 정사 투영들을 실질적으로 커버한다. 선택적으로, 베이스 기판(11) 상의 광 차단 서브층(13)의 정사 투영은 베이스 기판(11)상의 제5 측면(S5) 및 제6 측면(S6)의 정사 투영들과 실질적으로 중첩된다.
선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 제5 측면(S5)에서 넓고 제1 측면(S1)에서 좁은 형상을 가지고, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이며 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층(14)의 단면은 제6 측면(S6)에서 넓고 제2 측면(S2)에서 좁은 형상을 갖는다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 가지고, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층(14)의 단면은 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖는다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 실질적으로 역 이등변 사다리꼴 형상을 가지고, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층(14)의 단면은 실질적으로 이등변 사다리꼴 형상을 갖는다.
선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 광 차단 서브층(13)의 단면은 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다.
이 구성(예를 들어, 역 사다리꼴 형상을 갖는 제1 서브층(12)의 단면 및 사다리꼴 형상을 갖는 제2 서브층(14)의 단면)을 가짐으로써, 제1 서브층(12) 및 제2 서브층(14)의 두께들은 중심 부분에서 가장자리 부분으로 점차 감소된다. 전술한 바와 같이, 제1 서브층(12)은 제1 전극(17)과 모세관 구조를 형성하여 실질적으로 균일한 두께를 갖는 유기층의 형성을 촉진한다. 게다가, 이러한 구성은 결함(예를 들어, 제2 전극층의 결함)이 없는 후속 층들(예를 들어, 유기층 상의 제2 전극층)을 형성하는데 특히 도움이 된다. 제2 서브층(14)이 중심 부분에서 가장자리 부분으로 점차 감소하는 두께를 가짐으로써, 제2 서브층(14) 상에 형성된 후속 층이 제2 서브층(14)을 점차적으로 통과하여 복수의 서브 화소 영역 중 하나로 들어감으로써, 화소 정의층(100)에 대응하는 영역과 복수의 서브 화소 영역(S) 중 인접하는 서브 화소 영역 사이의 후속 층에서의 결함 발생 문제를 회피할 수 있도록 한다.
일부 실시예에서, 광 차단 서브층(13)은 실질적으로 직사각형인 단면을 가지고, 광 차단 서브층(13)의 두께는 실질적으로 균일하다. 화소 정의층(100)에 광 차단 서브층(13)을 구비하는 것에 의해, 광 차단 서브층(13)은 유기층의 가장자리 주변에서 방출되는 광, 예를 들어 제3 측면(S3)과 제1 전극층(17)의 표면 사이에 샌드위치되는 유기층 부분으로부터 방출되는 광을 효과적으로 차단할 수 있다. 복수의 서브 화소 영역(S)으로부터 방출되는 광은 광 차단 서브층(13)에 의해 노광되고 정의된 광 방출면에 걸쳐서 실질적으로 균일한 광 강도를 가질 수 있다. 종래의 디스플레이 기판에서 관찰되는 광 누설 및 혼색의 문제점은 실질적으로 제거될 수 있다. 결과적으로, 본 디스플레이 기판을 갖는 디스플레이 패널에서 디스플레이 품질이 상당히 향상될 수 있다.
일부 실시예에서, 광 차단 서브층(13)은 제1 서브층(12)의 두께보다 작고 제2 서브층(14)의 두께보다 작은 두께를 갖는다. 선택적으로, 제1 서브층(12)은 약 0.5 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛, 예를 들어 약 0.5 ㎛ 내지 약 1.0 ㎛, 약 1.0 ㎛ 내지 약 1.5 ㎛, 약 1.5 ㎛ 내지 약 2.0 ㎛, 및 약 2.0 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛ 범위의 두께를 갖는다. 선택적으로, 제2 서브층(14)은 약 0.5 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛, 예를 들면, 약 0.5 ㎛ 내지 약 1.0 ㎛, 약 1.0 ㎛ 내지 약 1.5 ㎛, 약 1.5 ㎛ 내지 약 2.0 ㎛, 및 약 2.0 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛ 범위의 두께를 갖는다. 선택적으로, 광 차단 서브층(13)은 제1 서브층(12)의 두께의 약 1/10 내지 약 1/5의 두께를 갖는다. 선택적으로, 광 차단 서브층(13)은 약 0.05 ㎛ 내지 약 0.5 ㎛, 예를 들어 약 0.05 ㎛ 내지 약 0.1 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 0.2 ㎛, 약 0.2 ㎛ 내지 약 0.3 ㎛, 약 0.3 ㎛ 내지 약 0.4 ㎛, 및 약 0.4 ㎛ 내지 약 0.5 ㎛ 범위의 두께를 갖는다.
일부 실시예에서, 제1 서브층(12), 광 차단 서브층(13), 및 제2 서브층(14) 각각은 포토레지스트 재료, 예를 들어 유기 포토레지스트 재료, 포토레지스트 수지 재료, 또는 유기 포토레지스트 수지 재료를 포함한다. 선택적으로, 제1 서브층(12) 및 제2 서브층(14)은 동일한 포토레지스트 재료로 만들어진다. 선택적으로, 제1 서브층(12) 및 제2 서브층(14)은 상이한 포토레지스트 재료로 만들어진다. 선택적으로, 제1 서브층(12) 및 제2 서브층(14)은 포지티브 포토레지스트 재료로 만들어진다. 선택적으로, 광 차단 서브층(13)은 광 차단 포지티브 포토레지스트 재료로 만들어진다.
일부 실시예에서, 디스플레이 기판은 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판이다. 도 7은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 기판의 구조를 도시하는 개략도이다. 도 7을 참조하면, 일부 실시예에서의 디스플레이 기판은 복수의 서브 화소 영역(S)에서의 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)를 추가로 포함한다. 복수의 유기 발광 다이오드(OLED) 각각은 베이스 기판(11) 상의 제1 전극(17), 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제1 전극(17)의 한 측면상의 유기층(18), 및 제1 전극(17)으로부터 멀리 있는 유기층(18)의 한 측면상의 제2 전극층(19)을 포함한다. 선택적으로, 유기층(18)은 유기 발광층을 포함한다. 선택적으로, 유기층(18)은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 장벽층, 전자 주입층, 전자 수송층, 및 전자 장벽층 중 하나 이상을 추가로 포함한다.
일부 실시예에서, 복수의 서브 화소 영역(S) 각각의 유기층(18)은 광 차단 서브층의 측면이 유기층(18)에 의해 실질적으로 커버되도록 하는 두께를 갖는다. 선택적으로, 유기층(18)의 두께는 제1 서브층(12)과 광 차단 서브층(13)의 두께들의 합보다 작지 않다. 선택적으로, 제2 전극(19)은 유기층(18) 및 제2 서브층(14)과 직접 접촉하지만 광 차단 서브층(13)과 직접 접촉하지는 않는다. 이 설계에 의해, 그리고 베이스 기판(11)상의 제2 서브층(14)의 제6 측면(S6)의 정사 투영이 베이스 기판(11)상의 제2 서브층(14)의 제2 측면(S2)의 정사 투영을 커버하기 때문에, 제2 전극(19)은 어떠한 결함도 없이 제2 서브층(14) 및 유기층(18)의 표면을 실질적으로 커버할 수 있다. 따라서, 제2 전극(19)은 복수의 서브 화소 영역(S)을 완전히 커버하기 위해 큰 두께를 갖도록 형성될 필요가 없다. 상대적으로 얇은 제2 전극(19)은 디스플레이 기판을 통한 광 투과율을 증가시키고, 제조 비용을 낮춘다.
선택적으로, 제2 전극(19)은 유기층(18) 및 제2 서브층(14)과 직접 접촉하고, 광 차단 서브층(13)의 측면과 직접 접촉한다.
일부 실시예에서, 유기층(18)은 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 측면(US)(예를 들어, 상부 측면)을 갖는다. 선택적으로, 측면(US)은 제5 측면(S5)과 제6 측면(S6)의 높이들 사이의 베이스 기판(11)에 대한 높이를 갖는다. 선택적으로, 측면(US)은 제5 측면(S5)의 높이와 실질적으로 동일한 베이스 기판(11)에 대한 높이를 갖는다. 선택적으로, 측면(US)은 제6 측면(S6)의 높이와 실질적으로 동일한 베이스 기판(11)에 대한 높이를 갖는다. 선택적으로, 측면(US)은 제2 측면(S2)과 제6 측면(S6)의 높이들 사이의 베이스 기판(11)에 대한 높이를 갖는다. 선택적으로, 측면(US)은 제1 측면(S1)과 제5 측면(S5)의 높이들 사이의 베이스 기판(11)에 대한 높이를 갖는다.
일부 실시예에서, 유기층(18)은 유기 발광층, 및 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 장벽층, 전자 주입층, 전자 수송층 및 전자 장벽층 중 하나 이상을 포함한다.
선택적으로, 유기층(18)은 베이스 기판(11)에 인접한 유기 발광층의 측면 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 장벽층 중 하나 이상을 포함한다. 선택적으로, 유기층(18)은 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 유기 발광층의 한 측면상의 전자 주입층, 전자 수송층, 및 정공 장벽층 중 하나 이상을 포함한다. 선택적으로, 유기 발광층은 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 측면(예를 들어, 상부 측면)을 갖는데, 베이스 기판(11)에 대한 이 측면의 높이는 베이스 기판(11)에 대한 제5 측면(S5)의 높이보다 작다. 선택적으로, 유기층(18)의 측면(US)(예를 들어, 상부 측면)은 베이스 기판(11)에 대한 제6 측면(S6)의 높이보다 크다. 선택적으로, 유기층(18)의 측면(US)은 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 전자 수송층의 측면(예를 들어, 상부 측면)이다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 제공한다. 일부 실시예에서, 화소 정의층은 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면을 가지도록 형성되고, 제2 측면은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 측면의 한 측상에 있다. 선택적으로, 화소 정의층은 베이스 기판의 표면에 실질적으로 평행한 평면을 따르는 제1 단면을 가지도록 형성되고, 평면은 제1 측면과 제2 측면 사이에 있다. 선택적으로, 화소 정의층은, 베이스 기판상의 제1 단면의 정사 투영이 베이스 기판상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버하도록 형성된다.
일부 실시예에서, 화소 정의층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 화소 정의층의 단면이 베이스 기판으로부터 멀리 있는 실질적으로 역 사다리꼴의 측면상에 적층된 실질적 사다리꼴을 포함하는 형상을 갖도록 형성된다. 베이스 기판의 표면에 실질적으로 평행한 평면을 따른 단면은 실질적으로 사다리꼴과 실질적으로 역 사다리꼴 사이에 있다. 선택적으로, 화소 정의층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따르는 단면이 제1 측면 및 제2 측면에서 좁고 중앙이 넓은 형상을 갖도록 형성된다. 선택적으로, 화소 정의층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 화소 정의층의 단면이 실질적으로 육각형 형상을 갖도록 형성된다.
일부 실시예에서, 화소 정의층은 제1 측면과 제2 측면을 연결하는 함께 조합된 제3 측면 및 제4 측면을 갖도록 형성된다. 제3 측면은 제1 측면과 단면을 연결하고, 제4 측면은 제2 측면과 단면을 연결한다. 선택적으로, 제3 측면은 베이스 기판의 표면과 끼인각 α를 갖고, 끼인각 α는 예각이다. 선택적으로, 끼인각 α는 약 5도 내지 약 90도, 예컨대 약 15도 내지 약 89도, 약 35도 내지 약 89도, 약 55도 내지 약 89도, 약 75도 내지 약 89도, 및 약 60도 내지 약 85도의 범위에 있다. 선택적으로, 제4 측면은 베이스 기판의 표면과 끼인각 β를 갖고, 끼인각 β는 둔각이다. 선택적으로, 끼인각 β는 약 90도 내지 약 175도, 예를 들어 약 91도 내지 약 165도, 약 91도 내지 약 145도, 약 91도 내지 약 125도, 약 91도 내지 약 105도, 및 약 95도 내지 약 120도의 범위에 있다.
일부 실시예에서, 방법은 베이스 기판 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하기 위한 화소 정의층을 형성하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 화소 정의층을 형성하는 단계는 제1 서브층을 형성하는 단계 및 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 서브층의 측면상에 제2 서브층을 형성하는 단계를 포함한다. 제1 서브층은 베이스 기판에 인접하고 또한 제2 서브층으로부터 멀리 있는 제1 측면, 제2 서브층에 인접하고 또한 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제5 측면, 및 제1 측면과 제5 측면을 연결하는 제3 측면을 갖도록 형성된다. 제2 서브층은 서로 대향하는 제6 측면 및 제2 측면과 제6 측면 및 제2 측면을 연결하는 제4 측면을 갖도록 형성된다. 제2 측면은 제2 서브층으로부터 멀리 있는 제6 측면의 한 측상에 있다.
선택적으로, 화소 정의층은 베이스 기판상의 제5 측면의 정사 투영이 베이스 기판상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하도록 형성된다. 선택적으로, 화소 정의층은 베이스 기판상의 제6 측면의 정사 투영이 베이스 기판상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버하도록 형성된다.
선택적으로, 화소 정의층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층의 단면이 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖도록 형성된다. 선택적으로, 화소 정의층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층의 단면이 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖도록 형성된다.
선택적으로, 화소 정의층은 제3 측면이 베이스 기판의 표면과 끼인각 α를 이루고, 끼인각 α는 예각이 되도록 형성된다. 선택적으로, 끼인각 α는 약 5도 내지 약 90도, 예컨대 약 15도 내지 약 89도, 약 35도 내지 약 89도, 약 55도 내지 약 89도, 약 75도 내지 약 89도, 및 약 60도 내지 약 85도의 범위에 있다. 선택적으로, 화소 정의층은 제4 측면이 베이스 기판의 표면과 끼인각 β를 이루고 끼인각 β가 둔각이 되도록 형성된다. 선택적으로, 끼인각 β는 약 90도 내지 약 175도, 예를 들어 약 91도 내지 약 165도, 약 91도 내지 약 145도, 약 91도 내지 약 125도, 약 91도 내지 약 105도, 및 약 95도 내지 약 120도의 범위에 있다.
일부 실시예에서, 방법은 베이스 기판 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하기 위한 화소 정의층을 형성하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 화소 정의층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 제1 서브층을 형성하는 단계; 및 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 서브층의 한 측면에 광을 차단하는 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함한다. 광 차단 서브층은 제1 서브층의 광 투과율보다 더 낮은 광 투과율을 갖도록 형성된다.
일부 실시예에서, 제1 서브층은 베이스 기판에 인접하고 광 차단 서브층으로부터 멀리 있는 제1 측면, 광 차단 서브층에 인접하고 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제5 측면, 및 제1 측면과 제5 측면을 연결하는 제3 측면을 갖도록 형성된다. 선택적으로, 제1 서브층은 베이스 기판상의 제5 측면의 정사 투영이 베이스 기판상의 제1 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하도록 형성된다. 선택적으로, 제1 서브층 및 광 차단 서브층은, 베이스 기판 상의 광 차단 서브층의 정사 투영이 베이스 기판상의 제1 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하도록 형성된다. 선택적으로, 제1 서브층 및 광 차단 서브층은, 베이스 기판 상의 광 차단 서브층의 정사 투영이 베이스 기판상의 제5 측면의 정사 투영과 실질적으로 중첩되도록 형성된다.
선택적으로, 제1 서브층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층의 단면이 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖도록 형성된다. 선택적으로, 광 차단 서브층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 광 차단 서브층의 단면이 실질적으로 직사각형 형상을 갖도록 형성된다.
일부 실시예에서, 화소 정의층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 제1 서브층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 서브층의 한 측면상에 광을 차단하는 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함하고; 및 제1 서브층으로부터 멀리 있는 광 차단 서브층의 한 측면상에 제2 서브층을 형성하는 단계를 포함한다. 광 차단 서브층은 제2 서브층의 것보다 낮은 광 투과율을 갖도록 형성된다.
일부 실시예에서, 제1 서브층은, 베이스 기판에 인접하고 광 차단 서브층으로부터 멀리 있는 제1 측면, 광 차단 서브층에 인접하고 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제5 측면, 및 제1 측면과 제5 측면을 연결하는 제3 측면을 갖도록 형성되고; 및 제2 서브층은 서로 대향하는 제6 측면 및 제2 측면과 제6 측면과 제2 측면을 연결하는 제4 측면을 가지도록 형성되고, 제2 측면은 광 차단 서브층으로부터 멀리 있는 제6 측면의 한 측상에 있다. 선택적으로, 제1 서브층 및 제2 서브층은, 베이스 기판상의 제5 측면의 정사 투영이 베이스 기판상의 제1 측면 및 상기 제2 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하고; 및 베이스 기판상의 제6 측면의 정사 투영은 베이스 기판상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버하도록 형성된다. 선택적으로, 제1 서브층, 제2 서브층, 및 광 차단 서브층은 베이스 기판 상의 광 차단 서브층의 정사 투영이 베이스 기판상의 제1 측면 및 제2 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하도록 형성된다. 선택적으로, 제1 서브층, 제2 서브층, 및 광 차단 서브층은 베이스 기판상의 광 차단 서브층의 정사 투영이 베이스 기판상의 제5 측면 및 제6 측면의 정사 투영과 실질적으로 중첩되도록 형성된다.
선택적으로, 제1 서브층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층의 단면이 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖도록 형성된다. 선택적으로, 제2 서브층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층의 단면이 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖도록 형성된다. 선택적으로, 광 차단 서브층은, 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 광 차단 서브층의 단면이 실질적으로 직사각형 형상을 갖도록 형성된다.
일부 실시예에서, 광 차단 서브층은 제1 서브층의 두께보다 작고 제2 서브층의 두께보다 작은 두께를 갖도록 형성된다. 선택적으로, 제1 서브층은 약 0.5 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛ 범위의 두께를 갖도록 형성되고; 제2 서브층은 약 0.5㎛ 내지 약 2.5㎛의 범위의 두께를 갖도록 형성되고; 및 광 차단 서브층은 제1 서브층의 두께의 약 1/10 내지 약 1/5의 두께를 갖도록 형성된다.
일부 실시예에서, 화소 정의층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 제1 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 포토레지스트 재료층의 한 측면 상에 광 차단 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 상기 광 차단 포토레지스트 재료층으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 제1 포토레지스트 재료층 및 광 차단 포토레지스트 재료층을 노광하는 단계; 및 제1 포토레지스트 재료층 및 광 차단 포토레지스트 재료층을 현상하여 제1 서브층 및 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함한다.
도 8은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 8을 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 베이스 기판을 제공하는 단계; 베이스 기판 상에 제1 화소 정의 재료층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 화소 정의 재료층의 한 측면상에 광 차단 재료층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 멀리 있는 광 차단 포토레지스트 재료층의 한 측면상에 제2 화소 정의 재료층을 형성하는 단계; 및 제1 화소 정의 재료층, 광 차단 재료층, 및 제2 화소 정의 재료층을 패터닝하여 제1 서브층, 제2 서브층, 및 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함한다.
다양하고 적절한 재료 및 다양하고 적절한 제조 방법이 베이스 기판을 만들기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 투명한 무기 베이스 기판 재료는 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공정에 의해 퇴적될 수 있다. 베이스 기판을 만들기에 적합한 재료의 예로는 유리, 석영, 폴리이미드, 폴리에스테르, 및 실리콘 함유 무기 재료 및 금속 재료가 있는데, 이것들에만 제한되지는 않는다. 실리콘 함유 무기 재료의 예는 실리콘 나이트라이드(SiNx), 비정질 실리콘, 및 다결정질 실리콘을 포함한다.
다양하고 적절한 재료 및 다양하고 적절한 제조 방법이 제1 화소 정의 재료층을 만드는데 사용될 수 있다. 선택적으로, 제1 화소 정의 재료층은 제1 포토레지스트 재료, 예컨대 제1 유기 포토레지스트 재료, 제1 포토레지스트 수지 재료, 및 제1 유기 포토레지스트 수지 재료로 만들어진다. 유기 포토레지스트 수지 재료의 예는 플루오로-폴리이미드, 플루오로-폴리메틸메타크릴레이트, 및 폴리-디메틸실록산과 같은 포지티브 포토레지스트 재료를 포함한다. 선택적으로, 제1 화소 정의 재료층은 약 0.5㎛ 내지 약 2.5㎛의 범위, 예를 들면 약 0.5㎛ 내지 약 1.0㎛, 약 1.0㎛ 내지 약 1.5㎛, 약 1.5㎛ 내지 약 2.0㎛, 약 2.0 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛ 범위의 두께를 갖도록 형성된다.
일부 실시예에서, 제1 서브층을 형성하기 전에, 방법은 디스플레이 기판에서 화상 디스플레이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터, 예컨대 복수의 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 선택적으로, 제1 서브층을 형성하기 전에, 방법은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 복수의 박막 트랜지스터의 한 측면상에 패시베이션층을 형성하는 단계; 및 베이스 기판으로부터 멀리 있는 패시베이션층의 한 측면상에 제1 전극(예를 들어, 애노드)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
다양하고 적절한 재료 및 다양하고 적절한 제조 방법이 광 차단 재료층을 만들기 위해 사용될 수 있다. 선택적으로, 광 차단 재료층은 광 차단 포토레지스트 재료, 예를 들어 광 차단 유기 포토레지스트 재료, 광 차단 포토레지스트 수지 재료, 및 광 차단 유기 포토레지스트 수지 재료로 만들어진다. 유기 포토레지스트 수지 재료의 예는 광 차단 포지티브 포토레지스트 재료(예를 들어, 블랙 매트릭스 포지티브 포토레지스트 재료)와 같은 포지티브 포토레지스트 재료를 포함한다. 선택적으로, 광 차단 재료층은 제1 화소 정의 재료층의 두께의 약 1/10 내지 약 1/5의 두께를 갖도록 형성된다. 선택적으로, 광 차단 재료층은 약 0.05 ㎛ 내지 약 0.5 ㎛의 범위, 예를 들면, 약 0.05 ㎛ 내지 약 0.1 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 0.2 ㎛, 약 0.2 ㎛ 내지 약 0.3 ㎛, 약 0.3 ㎛ 내지 약 0.4 ㎛, 및 약 0.4 ㎛ 내지 약 0.5 ㎛ 범위의 두께를 갖도록 형성된다.
다양하고 적절한 재료 및 다양하고 적절한 제조 방법이 제2 화소 정의 재료층을 만드는데 사용될 수 있다. 선택적으로, 제2 화소 정의 재료층은 제2 포토레지스트 재료, 예컨대 제2 유기 포토레지스트 재료, 제2 포토레지스트 수지 재료, 및 제2 유기 포토레지스트 수지 재료로 만들어진다. 유기 포토레지스트 수지 재료의 예는 플루오로-폴리이미드, 플루오로-폴리메틸메타크릴레이트, 및 폴리-디메틸실록산과 같은 포지티브 포토레지스트 재료를 포함한다. 선택적으로, 제2 화소 정의 재료층은 약 0.5㎛ 내지 약 2.5㎛의 범위, 예를 들어 약 0.5㎛ 내지 약 1.0㎛, 약 1.0㎛ 내지 약 1.5㎛, 약 1.5㎛ 내지 약 2.0㎛, 약 2.0 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛ 범위의 두께를 갖도록 형성된다.
선택적으로, 제1 화소 정의 재료층, 광 차단 재료층, 및 제2 화소 정의 재료층은 약 1.0㎛ 내지 약 5.0㎛의 범위의 총 두께, 예를 들어 약 1.0㎛ 내지 약 2.0㎛, 약 2.0 ㎛ 내지 약 3.0 ㎛, 약 3.0 ㎛ 내지 약 4.0 ㎛, 및 약 4.0 ㎛ 내지 약 5.0 ㎛ 범위의 총 두께를 갖도록 만들어진다. 선택적으로, 총 두께는 약 2.5㎛이다.
선택적으로, 제1 화소 정의 재료층 및 제2 화소 정의 재료층은 동일한 포토레지스트 재료로 만들어진다. 선택적으로, 제1 화소 정의 재료층 및 제2 화소 정의 재료층은 상이한 포토레지스트 재료로 만들어진다.
일부 실시예에서, 제1 서브층, 광 차단 서브층, 및 제2 서브층 각각은 포토레지스트 재료를 사용하여 형성된다. 일부 실시예에서, 화소 정의층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 제1 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 포토레지스트 재료층의 한 측면 상에 광 차단 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 베이스 기판으로부터 멀리 있는 광 차단 포토레지스트 재료층의 한 측면 상에 제2 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 및 제1 포토레지스트 재료층, 광 차단 포토레지스트 재료층, 및 제2 포토레지스트 재료층을 패터닝하여 제1 서브층, 제2 서브층, 및 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함한다.
도 9는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 9를 참조하면, 일부 실시예에서 제1 포토레지스트 재료층, 광 차단 포토레지스트 재료층, 및 제2 포토레지스트 재료층을 패터닝하는 단계는 제1 포토레지스트 재료층으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 제1 포토레지스트 재료층 및 광 차단 포토레지스트 재료층을 노광하는 단계; 제2 포토레지스트 재료층으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 제2 포토레지스트 재료층 및 광 차단 포토레지스트 재료층을 노광하는 단계; 및 제1 포토레지스트 재료층, 제2 포토레지스트 재료층, 및 광 차단 포토레지스트 재료층을 현상하여 제1 서브층, 제2 서브층, 및 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함한다.
도 10 내지 도 13은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 기판을 제조하는 공정을 도시한 것이다. 도 10을 참조하면, 베이스 기판(11) 상에 복수의 박막 트랜지스터(15)가 형성되고, 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 복수의 박막 트랜지스터(15)의 한 측면상에 패시베이션층(16)이 형성되고, 및 제1 전극(17)(예를 들어, 애노드)은 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 패시베이션층(16)의 한 측면상에 형성된다. 도 11을 참조하면, 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제1 전극(17)의 한 측면상에 제1 포토레지스트 재료층(121)이 형성되고, 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제1 포토레지스트 재료층(121)의 한 측면상에 광 차단 포토레지스트 재료층(131)이 형성되고, 및 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 광 차단 포토레지스트 재료층(131)의 한 측면상에 제2 포토레지스트 재료층(141)이 형성된다.
일부 실시예에서, 제1 포토레지스트 재료층(121) 및 광 차단 포토레지스트 재료층(131)의 포토레지스트 재료는 모두 포지티브 포토레지스트 재료이고, UV 조사에 의해 노광될 필요가 있는 제1 포토레지스트 재료층(121) 및 광 차단 포토레지스트 재료층(131)에서의 영역들(O)은 복수의 서브 화소 영역(S)에 실질적으로 대응한다. 도 12를 참조하면, 제1 포토레지스트 재료층(121)으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층(131) 방향으로 조사되는 UV 광을 이용하여 제1 포토레지스트 재료층(121)과 광 차단 포토레지스트 재료층(131)을 노광시키기 위해 제1 마스크 플레이트(2)가 사용된다. 도 12에 도시된 바와 같이, UV 조사는 어떠한 층도 형성되지 않은 베이스 기판(11)의 한 측면으로부터 제1 포토레지스트 재료층(121) 및 광 차단 포토레지스트 재료층(131)을 노광시킨다. 포토레지스트 재료 자체가 UV 조사 등의 광을 흡수할 수 있기 때문에, 베이스 기판(11)에 인접한 제1 측면으로부터 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제5 측면으로의 제1 포토레지스트 재료층(121)의 노광 정도는, 제1 포토레지스트 재료층(121)으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층(131)으로의 방향을 따라 조사되는 UV 광에 제1 포토레지스트 재료층(121)이 노광될 때 점차적으로 감소된다. 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 포토레지스트 재료층(121)의 노광된 영역들(O)의 그레이 레벨은 노광의 정도에 대응하는데, 즉 그레이 레벨이 높을수록 노광 정도가 높다. 이 노광 단계 동안, 광 차단 포토레지스트 재료층(131)도 부분적으로 노광된다. 그러나, 광 차단 포토레지스트 재료층(131)은 광이 제2 포토레지스트 재료층(141)으로 침투하는 것을 차단하여, 제2 포토레지스트 재료층(141)이 이 단계에서 노광되는 것을 방지한다.
복수의 박막 트랜지스터(15), 데이터 라인 및 게이트 라인과 같은 다양한 신호 라인은 노광된 영역들(O) 외부의 서브 화소 간 영역에 실질적으로 배치되고, 이들은 이 노광 단계에서 UV 노광에 지장을 주지 않는다.
도 13을 참조하면, 제2 포토레지스트 재료층(141)으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층(131) 방향을 따라 조사되는 UV 광을 이용하여 제2 포토레지스트 재료층(141)과 광 차단 포토레지스트 재료층(131)을 노광시키기 위해 제2 마스크 플레이트(3)가 사용된다. 도 13에 도시된 바와 같이, UV 조사는, 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제2 포토레지스트 재료층(141)의 제1 측면으로부터 베이스 기판(11)에 인접한 제2 포토레지스트 재료층(141)의 제5 측면으로의 방향을 따라 제2 포토레지스트 재료층(141) 및 광 차단 포토레지스트 재료층(131)을 노광시킨다. 포토레지스트 재료 자체가 UV 조사 등의 광을 흡수할 수 있기 때문에, 베이스 기판(11)에 인접한 제1 측면으로부터 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제5 측면으로의 제2 포토레지스트 재료층(141)의 노광 정도는, 제2 포토레지스트 재료층(121)으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층(131)으로의 방향을 따라 조사되는 UV 광에 제2 포토레지스트 재료층(141)이 노광될 때 점차적으로 감소된다. 도 13에 도시된 바와 같이, 제2 포토레지스트 재료층(141)의 노광된 영역들(O)의 그레이 레벨은 노광의 정도에 대응하는데, 즉 그레이 레벨이 높을수록 노광 정도가 높다. 이 노광 단계 동안, 광 차단 포토레지스트 재료층(131)도 부분적으로 노광된다. 광 차단 포토레지스트 재료층(131)은 이미 다른 측면으로부터 부분적으로 노출되어 있으므로, 광 차단 포토레지스트 재료층(131)은 이 노광 단계 동안 실질적으로 노광될 수 있다. 그러나, 광 차단 포토레지스트 재료층(131)은 광이 제1 포토레지스트 재료층(121)으로 침투하는 것을 차단하여, 제1 포토레지스트 재료층(121)이 이 단계에서 노광되는 것을 방지한다.
선택적으로, 제1 포토레지스트 재료층을 노광하고 제2 포토레지스트 재료층을 노광하는 것은 동일한 마스크 플레이트를 이용하여 수행된다. 예를 들어, 제1 마스크 플레이트(2)와 제2 마스크 플레이트(3)는 동일한 마스크 플레이트일 수 있다. 2회의 노광 단계에 대해 동일한 마스크 플레이트를 사용하는 것에 의해, 제조 공정이 단순화될 수 있고 제조 비용이 감소될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 포토레지스트 재료층(121), 제2 포토레지스트 재료층(131), 및 광 차단 포토레지스트 재료층(141)을 현상하는 단계에 후속하여, 제1 서브층(12), 제2 서브층(14), 및 광 차단 서브층(13)이 획득될 수 있다. 선택적으로, 동일한 마스크 플레이트가 전술한 2회의 노광 단계에 사용되는 경우, 광 차단 서브층(13), 제1 서브층(12)의 제5 측면(S5), 및 제2 서브층(14)의 제6 측면(S6)의 베이스 기판(11)상의 정사 투영들은 서로 실질적으로 중첩된다. 도 2를 참조하면, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 제5 측면(S5)에서 넓고 제1 측면(S1)에서 좁은 형상을 갖는다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제1 서브층(12)의 단면은 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 가지고; 및 제1 서브층(12)의 제3 측면(S3)은 베이스 기판(11)의 표면과 끼인각 α를 이루고, 끼인각 α는 예각이다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 제2 서브층(14)의 단면은 실질적으로 사다리꼴 형상을 가지고; 및 제2 서브층(14)의 제4 측면(S4)은 베이스 기판(11)의 표면과 끼인각 β를 이루고, 끼인각 β는 둔각이다. 선택적으로, 베이스 기판(11)의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 복수의 서브 화소 영역(S) 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 화소 정의층(100)의 연장 방향(ED)에 실질적으로 수직인 평면을 따른 광 차단 서브층(13)의 단면은 실질적으로 직사각형 형상을 갖고, 광 차단 서브층(13)은 비교적 작은 두께를 갖는다.
제1 포토레지스트 재료층(121)이 UV 광에 노광될 때 베이스 기판(11)에 인접한 제1 측면으로부터 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제5 측면으로의 방향을 따라 제1 포토레지스트 재료층(121)에서의 노광 정도가 점차적으로 감소하기 때문에, 제1 포토레지스트 재료층(121)의 재료와 현상액과의 반응도는 베이스 기판(11)에 인접한 제1 측면으로부터 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제5 측면으로의 방향을 따라 점차적으로 감소한다. 결과적으로, 현상 단계에서 제1 포토레지스트 재료층(121)으로부터 제거되는 포토레지스트 재료의 부분도 베이스 기판(11)에 인접한 제1 측면으로부터 베이스 기판(11)으로부터 멀리 있는 제5 측면으로의 방향을 따라 점차적으로 감소한다. 따라서, 현상 단계 후에 형성되는 제1 서브층(12)은 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖는다. 유사한 이유로, 현상 단계 후에 형성된 제2 서브층(14)은 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖는다.
본 제조 방법에 있어서, 제1 포토레지스트 재료층(121)과 광 차단 포토레지스트 재료층(131)은 제1 포토레지스트 재료층(121)으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층(131)으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 노광되고, 제2 포토레지스트 재료층(141)과 광 차단 포토레지스트 재료층(131)은 제2 포토레지스트 재료층(141)으로부터 광 차단 포토레지스트 재료층(131)으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 노광된다. 본 방법은 UV 조사의 입사각을 제어하는 데 있어서의 어려운 문제를 회피하여, 화소 정의층(100)의 형성을 용이하게 한다. 게다가, 광 차단 포토레지스트 재료층(131)은 제1 노광 공정에서 제2 포토레지스트 재료층(141)으로 광이 침투하는 것을 차단하고 제1 노광 공정에서 제2 포토레지스트 재료층(141)이 노광되는 것을 방지하고, 광 차단 포토레지스트 재료층(131)은 제2 노광 단계에서 제1 포토레지스트 재료층(121)으로 광이 침투하는 것을 차단하고 제2 노광 단계에서 제1 포토레지스트 재료층(121)이 노광되는 것을 방지한다. 이러한 설계를 가짐으로써, 제1 서브층(12) 및 제2 서브층(14)이 원하는 형상으로 형성될 수 있음을 보장할 수 있다.
본 제조 방법에 따르면, 제1 서브층(12)은 베이스 기판(11)상의 제5 측면(S5)의 정사 투영이 베이스 기판(11)상의 제1 측면(S1)의 정사 투영을 실질적으로 커버하고, 제1 서브층(12)의 제3 측면(S3)은 베이스 기판(11)의 표면과 끼인각 α를 이루고, 끼인각 α는 예각이도록 형성된다. 예각인 끼인각 α를 가짐으로써, 제1 서브층(12)과 화소 정의층(100) 아래의 구조의 표면 사이에(예를 들어, 제3 측면(S3)과 제1 전극(17)의 표면 사이에) 모세관 구조가 형성된다. 유기 재료(예를 들면, 유기 발광 재료)를 복수의 서브 화소 영역(S)에 인쇄하는 후속 공정에서, 복수의 서브 화소 영역(S)에 분배되는 유기 재료를 함유하는 잉크는 위킹 작용(wicking action)(즉, 모세관력)에 의해 제3 측면(S3)과 제1 전극(17)의 표면 사이의 모세관 구조 내로 용이하게 위킹될 수 있다. 모세관 구조의 위킹 작용 덕분에, 잉크는 보다 균일하게, 예를 들어, 잉크에 의해 커버된 전체 영역에 걸쳐서 더 균일한 두께를 가지며 (제1 전극(17)의 표면 상의) 복수의 서브 화소 영역(S) 각각에 분배될 수 있다. 위킹 작용이 잉크가 제3 측면(S3)의 표면을 따라 올라가는 것을 방지하기 때문에, 커피링 효과는 실질적으로 방지되거나 감소될 수 있어서, 잉크가 건조될 때 전체 영역에 걸쳐서 실질적으로 균일한 두께를 갖는 유기층을 형성하게 된다. 게다가, 광 차단 서브층(13)은 유기층의 가장자리 주위에서 방출되는 광을 차단할 수 있다. 유기층에 여전히 커피링 효과가 존재한다 하더라도, 복수의 서브 화소 영역(S)은 여전히 광 차단 서브층(13)에 의해 노광되고 정의된 광 방출면에 걸쳐서 실질적으로 균일한 광 강도를 갖는 광을 방출할 수 있다. 광 차단 서브층(13)은 또한 유기층 측면으로부터 방출된 광을 효과적으로 차단하여, 디스플레이 기판에서의 광 누설이나 혼색을 효과적으로 방지할 수 있다. 그 결과, 본 방법으로 제조된 디스플레이 기판을 갖는 디스플레이 패널에서 디스플레이 품질이 상당히 향상될 수 있다.
도 14는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 14를 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 베이스 기판을 제공하는 단계, 베이스 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제1 전극의 한 측면 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 형성하는 단계, 복수의 서브 화소 영역에 유기층을 형성하는 단계, 및 제1 전극으로부터 멀리 있는 유기층의 한 측면 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 선택적으로, 유기층을 형성하는 단계는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함한다. 선택적으로, 유기층을 형성하는 단계는 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 장벽층, 전자 주입층, 전자 수송층, 및 전자 장벽층 중 하나 이상을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
일부 실시예에서, 복수의 서브 화소 영역 각각에서의 유기층은 광 차단 서브층의 측면이 유기층에 의해 실질적으로 커버되도록 하는 두께를 갖도록 형성된다. 선택적으로, 복수의 서브 화소 영역 각각에서의 유기층은 유기층의 두께가 제1 서브층과 광 차단 서브층의 두께들의 합보다 작지 않도록 형성된다. 선택적으로, 제2 전극은 유기층 및 제2 서브층과 직접 접촉하지만 광 차단 서브층과 직접 접촉하지 않도록 형성된다. 이러한 설계를 가짐으로써 및 베이스 기판 상의 제2 서브층의 제6 측면의 정사 투영이 베이스 기판 상의 제2 서브층의 제2 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하기 때문에, 제2 전극은 어떠한 결함도 없이 제2 서브층 및 유기층의 표면들을 실질적으로 커버하도록 형성될 수 있다. 따라서, 복수의 서브 화소 영역을 완전히 커버하기 위해 제2 전극이 큰 두께를 갖도록 형성될 필요가 없다. 상대적으로 얇은 제2 전극은 디스플레이 기판을 통한 광 투과율을 증가시키고, 제조 비용을 낮춘다.
선택적으로, 제2 전극은 광 차단 서브층의 측면과 직접 접촉할 뿐만 아니라 유기층 및 제2 서브층과 직접 접촉하도록 형성된다.
일부 실시예에서, 유기층은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 측면을 갖도록 형성된다. 선택적으로, 베이스 기판으로부터 멀리 있는 측면은 제5 측면 및 제6 측면의 것들 사이의 베이스 기판에 대한 높이를 갖는다. 선택적으로, 측면은 제5 측면의 것과 실질적으로 동일한 베이스 기판에 대한 높이를 갖는다. 선택적으로, 측면은 제6 측면의 것과 실질적으로 동일한 베이스 기판에 대한 높이를 갖는다. 선택적으로, 측면은 제2 측면과 제6 측면의 것들 사이의 베이스 기판에 대한 높이를 갖는다. 선택적으로, 측면은 제1 측면과 제5 측면의 것들 사이의 베이스 기판에 대한 높이를 갖는다.
일부 실시예에서, 유기층은 유기 발광층, 및 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 장벽층, 전자 주입층, 전자 수송층 및 전자 장벽층 중 하나 이상을 포함하도록 형성된다. 선택적으로, 유기층은 베이스 기판에 인접한 유기 발광층의 한 측면 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 장벽층 중 하나 이상을 포함하도록 형성된다. 선택적으로, 유기층은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 유기 발광층의 한 측면상에 전자 주입층, 전자 수송층, 및 정공 장벽층 중 하나 이상을 포함하도록 형성된다. 선택적으로, 유기 발광층은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 측면(예를 들어, 상부 측면)을 갖도록 형성되고, 베이스 기판에 대한 이 측면의 높이는 베이스 기판에 대한 제5 측면의 높이보다 작다. 선택적으로, 유기층은, 유기층의 측면(예를 들어, 상부 측면)이 베이스 기판에 대한 제6 측면의 높이보다 크도록 형성된다. 선택적으로, 유기층의 측면은 베이스 기판으로부터 멀리 있는 전자 수송층의 측면(예를 들어, 상부 측면)이다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본 명세서에 기재된 디스플레이 기판을 갖는 디스플레이 장치 또는 본 명세서에 기재된 방법에 의해 제조된 디스플레이 장치를 제공한다. 선택적으로, 디스플레이 장치는 액정 디스플레이 장치이다. 선택적으로, 디스플레이 장치는 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치이다. 선택적으로, 디스플레이 장치는 전기영동 디스플레이 장치이다. 적절한 디스플레이 장치의 예는 전자 종이, 이동 전화, 태블릿 컴퓨터, 텔레비전, 모니터, 노트북 컴퓨터, 디지털 앨범, GPS 등을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다.
본 발명의 실시예들에 대한 전술한 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제공되었다. 발명을 하나도 빠짐없이 제시하려고 하거나 또는 발명을 개시된 정확한 형태 또는 예시적인 실시예에만 국한시키려고 의도하지 않았다. 따라서, 전술한 설명은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 명백하게, 많은 수정 및 변형이 본 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 실시예는 발명의 원리 및 최상 모드의 실제 적용을 설명하기 위해 선택되고 기술되며, 이에 따라 통상의 기술자가 다양한 실시예에 대해 그리고 상정되는 특정 용도 또는 구현에 적합한 다양한 수정 예에 의해 발명을 이해할 수 있게 하였다. 발명의 범위는 여기 첨부된 청구 범위 및 이들의 등가물에 의해 정의되도록 의도되며, 여기서 모든 용어는 달리 명시하지 않는 한 가장 넓은 합리적 의미를 갖는다. 따라서, 용어 "발명", "본 발명" 등이 청구항 범위를 꼭 특정 실시예로 제한하지는 않으며, 본 발명의 예시적인 실시예들에 대한 언급이 본 발명에 대한 제한을 암시하지 않으며, 어떤 이러한 제한도 추론되어서는 안된다. 본 발명은 첨부된 청구 범위의 사상 및 범위에 의해서만 제한된다. 더욱이, 이 청구항들은 명사 또는 요소 이전에 "제1", "제2" 등을 사용하여 언급할 수 있다. 이러한 용어는 명명법으로 이해해야 하며, 특정 번호가 주어지지 않는 한, 이러한 명명법에 의해 수정된 요소의 수에 대한 제한을 부여하는 것으로 해석해서는 안 된다. 설명된 임의의 장점 및 이점은 발명의 모든 실시예에 적용되지 않을 수도 있다. 다음 청구 범위에 의해 정의된 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 통상의 기술자에 의해 설명된 실시예에 대해 변형이 이루어질 수 있다는 것을 알아야 한다. 게다가, 본 개시의 어떠한 요소 또는 컴포넌트도, 요소 또는 컴포넌트가 다음 청구 범위에 명시적으로 기재되는지 여부에 관계없이, 일반 공중에게 공여되지 않도록 의도되었다.

Claims (20)

  1. 베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상의 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 포함하는 디스플레이 기판으로서,
    상기 화소 정의층은 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면을 가지고, 상기 제2 측면은 상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 상기 제1 측면의 한 측면 상에 있고;
    상기 화소 정의층은 상기 베이스 기판에 실질적으로 평행한 평면을 따른 제1 단면을 가지고, 상기 제1 단면은 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 있고; 및
    상기 베이스 기판 상의 상기 제1 단면의 정사 투영은 상기 베이스 기판상의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버하고,
    상기 화소 정의층은 제1 서브층 및 상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 상기 제1 서브층의 한 측면 상의 제2 서브층을 포함하고;
    상기 화소 정의층은 광을 차단하는, 상기 제1 서브층과 상기 제2 서브층 사이의 광 차단 서브층을 추가로 포함하고; 및
    상기 광 차단 서브층은 상기 제1 서브층 및 상기 제2 서브층의 광 투과율보다 낮은 광 투과율을 갖는 디스플레이 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 상기 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 상기 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 상기 화소 정의층의 제2 단면은 상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 실질적으로 역 사다리꼴의 한 측면 상의 실질적으로 사다리꼴을 포함하는 형상을 갖는 디스플레이 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브층은 상기 베이스 기판에 인접하고 상기 제2 서브층으로부터 멀리 있는 제1 측면, 상기 제2 서브층에 인접하고 상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 제5 측면, 및 상기 제1 측면과 상기 제5 측면을 연결하는 제3 측면을 갖고;
    상기 제2 서브층은 서로 대향하는 제6 측면과 제2 측면, 및 상기 제6 측면과 상기 제2 측면을 연결하는 제4 측면을 갖고, 상기 제2 측면은 상기 제1 서브층으로부터 멀리 있는 상기 제6 측면의 한 측면 상에 있고;
    상기 베이스 기판상의 상기 제5 측면의 정사 투영은 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면의 정사 투영을 실질적으로 커버하고; 및
    상기 베이스 기판상의 상기 제6 측면의 정사 투영은 상기 베이스 기판상의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버하는 디스플레이 기판.
  4. 제3항에 있어서, 상기 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직하고 또한 상기 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 상기 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 상기 제1 서브층의 단면은 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖고; 및
    상기 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 상기 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 상기 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 상기 제2 서브층의 단면은 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖는 디스플레이 기판.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판 상의 상기 광 차단 서브층의 정사 투영은 상기 베이스 기판상의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버하는 디스플레이 기판.
  7. 제3항에 있어서, 상기 베이스 기판 상의 상기 광 차단 서브층의 정사 투영은 상기 베이스 기판상의 상기 제5 측면 및 상기 제6 측면의 정사 투영들과 실질적으로 중첩되는 디스플레이 기판.
  8. 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 상기 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 상기 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 상기 제1 서브층의 단면은 실질적으로 역 사다리꼴 형상을 갖고;
    상기 베이스 기판의 표면에 실질적으로 수직이고 또한 상기 복수의 서브 화소 영역 중 2개의 인접한 서브 화소 영역 사이의 상기 화소 정의층의 연장 방향에 실질적으로 수직인 평면을 따른 상기 제2 서브층의 단면은 실질적으로 사다리꼴 형상을 갖고; 및
    실질적으로 상기 제1 측면으로부터 상기 제2 측면으로의 방향을 따라 연장되는 상기 평면을 따른 상기 광 차단 서브층의 단면은 실질적으로 직사각형 형상을 갖는 디스플레이 기판.
  9. 제1항에 있어서, 상기 광 차단 서브층은 상기 제1 서브층의 두께보다 작고 또한 상기 제2 서브층의 두께보다 작은 두께를 갖는 디스플레이 기판.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 서브층은 0.5 ㎛ 내지 2.5 ㎛ 범위의 두께를 갖고;
    상기 제2 서브층은 0.5㎛ 내지 2.5㎛ 범위의 두께를 갖고; 및
    상기 광 차단 서브층은 상기 제1 서브층의 두께의 1/10 내지 1/5의 두께를 갖는 디스플레이 기판.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 서브층, 상기 광 차단 서브층, 및 상기 제2 서브층 각각은 포토레지스트 재료를 포함하는 디스플레이 기판.
  12. 제1항에 있어서, 상기 복수의 서브 화소 영역 내의 유기층을 추가로 포함하고;
    상기 복수의 서브 화소 영역 각각에서의 상기 유기층은 상기 광 차단 서브층의 측면이 상기 유기층에 의해 실질적으로 커버되도록 하는 두께를 갖는 디스플레이 기판.
  13. 제12항에 있어서, 상기 베이스 기판에 인접한 상기 유기층의 한 측면 상의 제1 전극 및 상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 상기 유기층의 한 측면 상의 제2 전극을 추가로 포함하고;
    상기 제2 전극은 상기 유기층 및 상기 제2 서브층과 직접 접촉하지만 상기 광 차단 서브층과는 직접 접촉하지 않는 디스플레이 기판.
  14. 제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제13항 중 어느 한 항의 디스플레이 기판을 포함하는 디스플레이 장치.
  15. 디스플레이 기판을 제조하는 방법으로서,
    베이스 기판 상에 복수의 서브 화소 영역을 정의하는 화소 정의층을 형성하는 단계를 포함하고;
    상기 화소 정의층은 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면을 갖도록 형성되고, 상기 제2 측면은 상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 상기 제1 측면의 한 측면 상에 존재하며; 상기 화소 정의층은 상기 베이스 기판의 표면에 실질적으로 평행한 평면을 따른 제1 단면을 갖도록 형성되고, 상기 제1 단면은 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 있고; 및
    상기 화소 정의층은, 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 단면의 정사 투영이 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면의 정사 투영들을 실질적으로 커버하도록 형성되고,
    상기 화소 정의층을 형성하는 단계는:
    상기 베이스 기판 상에 제1 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 상기 제1 포토레지스트 재료층의 한 측면 상에 광 차단 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판으로부터 멀리 있는 상기 광 차단 포토레지스트 재료층의 한 측면 상에 제2 포토레지스트 재료층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토레지스트 재료층, 상기 광 차단 포토레지스트 재료층, 및 상기 제2 포토레지스트 재료층을 패터닝하여 제1 서브층, 광 차단 서브층, 및 제2 서브층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 광 차단 포토레지스트 재료층은 상기 제1 포토레지스트 재료층 및 상기 제2 포토레지스트 재료층의 광 투과율보다 낮은 광 투과율을 갖는 방법.
  16. 삭제
  17. 제15항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 재료층, 상기 광 차단 포토레지스트 재료층, 및 상기 제2 포토레지스트 재료층을 패터닝하는 단계는:
    상기 제1 포토레지스트 재료층으로부터 상기 광 차단 포토레지스트 재료층으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 상기 제1 포토레지스트 재료층 및 상기 광 차단 포토레지스트 재료층을 노광하는 단계;
    상기 제2 포토레지스트 재료층으로부터 상기 광 차단 포토레지스트 재료층으로의 방향을 따라 조사되는 광을 이용하여 상기 제2 포토레지스트 재료층 및 상기 광 차단 포토레지스트 재료층을 노광하는 단계; 및
    상기 제1 포토레지스트 재료층, 상기 제2 포토레지스트 재료층, 및 상기 광 차단 포토레지스트 재료층을 현상하여 상기 제1 서브층, 상기 제2 서브층, 및 상기 광 차단 서브층을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 재료층을 노광하고 상기 제2 포토레지스트 재료층을 노광하는 단계는 동일한 마스크 플레이트를 사용하여 수행되는 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
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