JP2020529029A - 表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

本出願は、ベース基板と、前記ベース基板上の複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層とを有する表示基板を開示する。前記ピクセル限定層は、相対する第１の辺及び前記第１の辺の前記ベース基板から遠い側に位置する第２の辺を有する。前記ピクセル限定層は、前記第１の辺と前記第２の辺の間に位置する、前記ベース基板に実質的に平行な平面に沿う第１の横断面を有する。前記第１の横断面の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆う。【選択図】 図７

Description

本発明は、表示技術に関し、特に、表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法に関する。

〔関連出願の相互参照〕
本出願は、２０１７年６月２３日に中国特許庁に提出された中国特許出願２０１７１０４８５６４５．２の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示装置は、自己発光装置であり、バックライトを必要としない。また、ＯＬＥＤ表示装置は、従来の液晶表示（ＬＣＤ）装置に比べて、より鮮やかな色彩及びより広い色域を提供する。更に、ＯＬＥＤ表示装置は、一般的なＬＣＤに比べて、より柔軟に、薄く、軽く製造できる。一般的に、ＯＬＥＤ表示装置は、アノードと、有機発光層を有する有機層と、カソードとを含む。ＯＬＥＤは、ボトムエミッション型のＯＬＥＤでも可能であり、トップエミッション型のＯＬＥＤでも可能である。ボトムエミッション型のＯＬＥＤにおいて、光は、アノード側から取り出される。ボトムエミッション型のＯＬＥＤにおいて、アノードは、通常的に透明である反面、カソードは、通常的に光を反射する。トップエミッション型のＯＬＥＤにおいて、光は、カソード側から取り出される。カソードは、光学的に透明である反面、アノードは、光を反射する。

一つの側面において、本発明は、表示基板であって、ベース基板と、前記ベース基板上の複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層とを含み、前記ピクセル限定層は、相対する第１の辺及び前記第１の辺の前記ベース基板から遠い側に位置する第２の辺を有し、前記ピクセル限定層は、前記第１の辺と前記第２の辺の間に位置する、前記ベース基板に実質的に平行な平面に沿う第１の横断面を有し、前記第１の横断面の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆う、表示基板を提供する。

選択可能に、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記ピクセル限定層の第２の横断面は、実質的に逆台形の前記ベース基板から遠い側に位置する実質的に台形を含む形状を有する。

選択可能に、前記ピクセル限定層は、第１のサブ層と、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に位置する第２のサブ層とを含み、前記第１のサブ層は、前記ベース基板から近く且つ前記第２のサブ層から遠い第１の辺と、前記第２のサブ層から近く且つ前記ベース基板から遠い第５の辺と、前記第１の辺と前記第５の辺を連結する第３の辺とを有し、前記第２のサブ層は、相対する第６の辺及び前記第６の辺の前記第１のサブ層から遠い側に位置する第２の辺と、前記第６の辺と前記第２の辺を連結する第４の辺とを有し、前記第５の辺の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆い、前記第６の辺の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆う。

選択可能に、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第１のサブ層の横断面は、実質的に逆台形の形状を有し、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第２のサブ層の横断面は、実質的に台形の形状を有する。

選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記第１のサブ層と前記第２のサブ層の間に位置する光を遮断するための遮光サブ層を更に含み、前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層及び第２のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有する。

選択可能に、前記遮光サブ層の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆う。

選択可能に、前記遮光サブ層の前記ベース基板における正投影は、前記第５の辺及び前記第６の辺の前記ベース基板における正投影と実質的に重なる。

選択可能に、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第１のサブ層の横断面は、実質的に逆台形の形状を有し、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第２のサブ層の横断面は、実質的に台形の形状を有し、実質的に前記第１の辺から前記第２の辺への方向に沿って延長される平面に沿う前記遮光サブ層の横断面は、実質的に長方形の形状を有する。

選択可能に、前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の厚さよりも小さく且つ前記第２のサブ層の厚さよりも小さい厚さを有する。

選択可能に、前記第１のサブ層は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さを有し、前記第２のサブ層は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さを有し、前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の厚さの約１／１０乃至約１／５の厚さを有する。

選択可能に、前記第１のサブ層、前記遮光サブ層及び前記第２のサブ層の各々は、フォトレジスト材料を含む。

選択可能に、前記表示基板は、前記複数のサブピクセル領域内の有機層を更に含み、前記複数のサブピクセル領域の各々内の前記有機層は、前記遮光サブ層の側面が、前記有機層により実質的に覆われるような厚さを有する。

選択可能に、前記表示基板は、前記有機層の前記ベース基板から近い側に位置する第１の電極と、前記有機層の前記ベース基板から遠い側に位置する第２の電極とを更に含み、前記第２の電極は、前記有機層及び前記第２のサブ層に直接接触するが、前記遮光サブ層に直接接触しない。

もう一つの側面において、本発明は、ここに記述される表示基板又はここに記述される方法により製造される表示基板を含む表示装置を提供する。

もう一つの側面において、本発明は、表示基板の製造方法であって、ベース基板上に複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層を形成するステップを含み、前記ピクセル限定層は、相対する第１の辺及び前記第１の辺の前記ベース基板から遠い側に位置する第２の辺を有するように形成され、前記ピクセル限定層は、前記第１の辺と前記第２の辺の間に位置する、前記ベース基板の表面に実質的に平行な平面に沿う第１の横断面を有するように形成され、前記ピクセル限定層は、前記第１の横断面の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される、方法を提供する。

選択可能に、前記ピクセル限定層を形成するステップは、前記ベース基板上に第１のフォトレジスト材料層を形成するステップと、前記第１のフォトレジスト材料層の前記ベース基板から遠い側に遮光フォトレジスト材料層を形成するステップと、前記遮光フォトレジスト材料層の前記ベース基板から遠い側に第２のフォトレジスト材料層を形成するステップと、前記第１のフォトレジスト材料層、前記遮光フォトレジスト材料層及び前記第２のフォトレジスト材料層をパターニングすることにより、前記第１のサブ層、前記遮光サブ層及び前記第２のサブ層を形成するステップとを含む。

選択可能に、前記第１のフォトレジスト材料層、前記遮光フォトレジスト材料層及び前記第２のフォトレジスト材料層をパターニングするステップは、前記第１のフォトレジスト材料層から前記遮光フォトレジスト材料層への方向に沿って照射される光を用いて前記第１のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を露光するステップと、前記第２のフォトレジスト材料層から前記遮光フォトレジスト材料層への方向に沿って照射される光を用いて前記第２のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を露光するステップと、前記第１のフォトレジスト材料層、前記第２のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を現像することにより、前記第１のサブ層、前記第２のサブ層及び前記遮光サブ層を形成するステップとを含む。

選択可能に、前記第１のフォトレジスト材料層を露光するステップと、前記第２のフォトレジスト材料層を露光するステップとは、同一のマスク板を用いて実行される。

もう一つの側面において、本発明は、表示基板であって、ベース基板と、前記ベース基板上の複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層とを含み、前記ピクセル限定層は、前記ベース基板上の第１のサブ層と、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に位置する光を遮断するための遮光サブ層とを含み、前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有する、表示基板を提供する。

もう一つの側面において、本発明は、表示基板の製造方法であって、ベース基板上に複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層を形成するステップを含み、前記ピクセル限定層を形成するステップは、前記ベース基板上に第１のサブ層を形成するステップと、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に光を遮断するための遮光サブ層を形成するステップとを含み、前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有するように形成される。

以下の図面は、ただ開示された様々な実施例による説明の目的で使用された例であり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。

従来の表示基板の構造を示す模式図である。

従来の表示基板の構造を示す模式図である。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。

図３Ａの表示基板の平面図である。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造方法を示すフローチャートである。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造方法を示すフローチャートである。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。

本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造方法を示すフローチャートである。

次に、以下の実施例を参照しながら本開示をより詳しく説明する。説明すべきことは、幾つかの実施例に対する以下の説明は、ただ解釈及び説明の目的でここに記載される。これは、網羅的であること又は開示された正確な形式に限ることを意図するものではない。

図１は、従来の表示基板の構造を示す模式図である。図１を参照すると、前記表示基板は、ベース基板０１１と、複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層０１２と、前記複数のサブピクセル領域内の有機層０１３とを含む。前記ピクセル限定層０１２は、一般的に樹脂材料で作られ、且つ一般的に等脚台形の形状を有する横断面を有するように作られる。前記ピクセル限定層０１２を製作するための材料の自由エネルギーは、前記複数のサブピクセル領域に有機材料層を印刷するためのインク溶液の自由エネルギーと非常に大きな差異がある。印刷過程において、前記インク溶液は、一般的に前記ピクセル限定層０１２の側壁に登り、有機層０１３が不均一な厚さを有するという結果をもたらす。一般的に、従来の表示基板における有機層０１３は、図１に示すように、縁でより厚く、中央でより薄い（例えば、「コーヒーリング効果」）。例えば、より良い特性を有するピクセル限定層材料の利用、インク溶液の成分の調整、乾燥温度、乾燥圧力及び乾燥空気を含む有機層形成条件の微調整等の前記コーヒーリング効果を減少又は防止する試みは、これまで数多く行なわれている。こられの試みは、何らかの改善をもたらすことができるが、製造過程を著しく複雑にし、製造原価を上げる。

図２は、従来の表示基板の構造を示す模式図である。図２を参照すると、前記ピクセル限定層０２３は、実質的に逆台形の形状を有する横断面を有する。前記ピクセル限定層０２３の側面とアノード０２２の表面とは、９０度より小さい夾角を有する。前記ピクセル限定層０２３の側面及びアノード０２２の表面は、有機層０２４の印刷過程における前記インク溶液のより均等な分布を可能にするキャピラリ構造を形成し、従って前記コーヒーリング効果を減少する。然しながら、カソード０２５を形成する後続過程において、カソード０２５は、ピクセル限定層０２３の実質的に逆台形の形状による欠陥が発生しやすく、常にカソード０２５でのラインオープンという結果をもたらす。この問題は、カソード０２５の厚さが相対的に小さく、前記複数のサブピクセル領域内の溝を完全に充填するのに不十分である場合に特に問題となる。このため、カソード０２５の欠陥の発生を防止するために、より厚いカソードが必要であり、前記複数のサブピクセル領域内の溝を完全に充填するのに何十倍の量のカソード材料を必要とする場合がある。これは、前記表示基板におけるより低い光透過率及びはるかに高い製造原価につながる。

従って、本開示は、とりわけ、関連技術の限界及び弱点による１つ又はその以上の問題点を実質的に予防する表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法を提供する。一つの側面において、本開示は、ベース基板と、前記ベース基板上の複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層とを有する表示基板を提供する。幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層は、前記ベース基板上の第１のサブ層と、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に位置する光を遮断するための遮光サブ層とを含む。選択可能に、前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有する。

図３Ａは、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図３Ａを参照すると、幾つかの実施例における表示基板は、ベース基板１１と、ベース基板１１上の複数のサブピクセル領域Ｓを限定するためのピクセル限定層１００とを含む。ピクセル限定層１００は、相対する第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２を有する。第２の辺Ｓ２は、第１の辺Ｓ１のベース基板１１から遠い側に位置する。ピクセル限定層１００は、ピクセル限定層１００が第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２で狭く、中間で広くように、第１の辺Ｓ１と第２の辺Ｓ２の間に突起部を有する。図３Ａに示すように、ピクセル限定層１００は、前記第１の辺と前記第２の辺の間に位置する（例えば、中間部を通過）、基板１１に実質的に平行な平面に沿う横断面Ｍを有する。選択可能に、横断面Ｍのベース基板１１における正投影は、第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２のベース基板１１における正投影を実質的に覆う。選択可能に、横断面Ｍのベース基板１１における正投影は、複数のサブピクセル領域のうち一つの有機層の縁部分の横断面Ｍに対応する正投影を実質的に覆う。選択可能に、前記有機層は、前記縁部分外部で実質的に均一な厚さを有し、ピクセル限定層１００は、前記縁部分における如何なる厚さの不均一性による発光不均一性を防止する。選択可能に、前記表示基板は、前記有機層上の第２の電極（例えば、カソード）を更に含む。選択可能に、前記突起部（例えば、横断面Ｍ）は、例えば、前記第２の電極に如何なる欠陥を形成せずに、前記第２の電極のピクセル限定層１００に対応する領域から前記有機層に対応する領域への遷移の橋渡しを支援する。

図３Ｂは、図３Ａの表示基板の平面図である。図３Ｂに示すように、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿うピクセル限定層１００の横断面Ｎは、実質的に逆台形のベース基板１１から遠い側に積み重ねられた実質的に台形を含む形状を有する。横断面Ｍは、前記実質的に台形と前記実質的に逆台形の間に位置する。ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う横断面Ｎは、第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２で狭く、中間で広い形状を有する。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿うピクセル限定層１００の横断面Ｎは、実質的に六角形の形状を有する。

図３Ａに示すように、ピクセル限定層１００は、結合されて第１の辺Ｓ１と第２の辺Ｓ２を連結する第３の辺Ｓ３及び第４の辺Ｓ４を有する。第３の辺Ｓ３は、第１の辺Ｓ１と横断面Ｍを連結し、第４の辺Ｓ４は、第２の辺Ｓ２と横断面Ｍを連結する。選択可能に、第３の辺Ｓ３とベース基板１１の表面とは、夾角αを有し、夾角αは、鋭角である。選択可能に、夾角αは、約５度乃至約９０度の範囲にあり、例えば、約１５度乃至約８９度、約３５度乃至約８９度、約５５度乃至約８９度、約７５度乃至約８９度、及び約６０度乃至約８５度である。選択可能に、第４の辺Ｓ４とベース基板１１の表面とは、夾角βを有し、夾角βは、鈍角である。選択可能に、夾角βは、約９０度乃至約１７５度の範囲にあり、例えば、約９１度乃至約１６５度、約９１度乃至約１４５度、約９１度乃至約１２５度、約９１度乃至約１０５度、及び約９５度乃至約１２０度である。

選択可能に、ピクセル限定層１００は、一体層である。選択可能に、ピクセル限定層１００は、多重のサブ層を含む。

図４は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図４を参照すると、幾つかの実施例における表示基板は、ベース基板１１と、ベース基板１１上の複数のサブピクセル領域Ｓを限定するためのピクセル限定層１００とを含む。ピクセル限定層１００は、第１のサブ層１２と、第１のサブ層１２のベース基板１１から遠い側に位置する第２のサブ層１４とを含む。第１のサブ層１２は、ベース基板１１から近く且つ第２のサブ層１４から遠い第１の辺Ｓ１と、第２のサブ層１４から近く且つベース基板１１から遠い第５の辺Ｓ５と、第１の辺Ｓ１と第５の辺Ｓ５を連結する第３の辺Ｓ３とを有する。第２のサブ層１４は、相対する第６の辺Ｓ６及び第２の辺Ｓ２、及び第６の辺Ｓ６と第２の辺Ｓ２を連結する第４の辺Ｓ４を有する。第２の辺Ｓ２は、第６の辺Ｓ６の第２のサブ層１４から遠い側に位置する。

選択可能に、第５の辺Ｓ５のベース基板１１における正投影は、第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２のベース基板１１における正投影を実質的に覆う。選択可能に、第６の辺Ｓ６のベース基板１１における正投影は、第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２のベース基板１１における正投影を実質的に覆う。

選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、実質的に逆台形の形状を有する。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第２のサブ層１４の横断面は、実質的に台形の形状を有する。

選択可能に、第３の辺Ｓ３とベース基板１１の表面とは、夾角αを有し、夾角αは、鋭角である。選択可能に、夾角αは、約５度乃至約９０度の範囲にあり、例えば、約１５度乃至約８９度、約３５度乃至約８９度、約５５度乃至約８９度、約７５度乃至約８９度、及び約６０度乃至約８５度である。選択可能に、第４の辺Ｓ４とベース基板１１の表面とは、夾角βを有し、夾角βは、鈍角である。選択可能に、夾角βは、約９０度乃至約１７５度の範囲にあり、例えば、約９１度乃至約１６５度、約９１度乃至約１４５度、約９１度乃至約１２５度、約９１度乃至約１０５度、及び約９５度乃至約１２０度である。

図５は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図５を参照すると、幾つかの実施例における表示基板は、ベース基板１１と、ベース基板１１上の複数のサブピクセル領域Ｓを限定するためのピクセル限定層１００とを含む。ピクセル限定層１００は、ベース基板１１上の第１のサブ層１２と、第１のサブ層１２のベース基板１１から遠い側に位置する光を遮断するための遮光サブ層１３とを含む。遮光サブ層１３は、第１のサブ層１２の光透過率よりも低い光透過率を有する。選択可能に、遮光サブ層１３は、遮光材料、例えば、黒色材料で作られる。選択可能に、第１のサブ層１２は、実質的に透明な材料、例えば、樹脂材料で作られる。

前記第１のサブ層は、ベース基板１１から近く且つ遮光サブ層１３から遠い第１の辺Ｓ１と、遮光サブ層１３から近く且つベース基板１１から遠い第５の辺Ｓ５と、第１の辺Ｓ１と第５の辺Ｓ５を連結する第３の辺Ｓ３とを有する。第５の辺Ｓ５のベース基板１１における正投影は、第１の辺Ｓ１のベース基板１１における正投影を実質的に覆う。選択可能に、遮光サブ層１３のベース基板１１における正投影は、第１の辺Ｓ１のベース基板１１における正投影を実質的に覆う。選択可能に、遮光サブ層１３のベース基板１１における正投影は、第５の辺Ｓ５のベース基板１１における正投影と実質的に重なる。

選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、第５の辺Ｓ５で広く且つ第１の辺Ｓ１で狭い形状を有する。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、実質的に逆台形の形を有する。この構成を有することにより、第１のサブ層１２の第３の辺Ｓ３とベース基板１１の表面とは、夾角αを有し、夾角αは、鋭角である。選択可能に、夾角αは、約５度乃至約９０度の範囲にあり、例えば、約１５度乃至約８９度、約３５度乃至約８９度、約５５度乃至約８９度、約７５度乃至約８９度、及び約６０度乃至約８５度である。鋭角の夾角αを有することにより、第１のサブ層１２とピクセル限定層１００の下方の構造の表面の間（例えば、第３の辺Ｓ３と第１の電極１７の表面の間）にキャピラリ構造が形成される。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、実質的に逆等脚台形の形状を有する。

選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う遮光サブ層１３の横断面は、実質的に長方形の形状を有する。

複数のサブピクセル領域S内に有機材料（例えば、有機発光材料）を印刷する後続過程において、複数のサブピクセル領域Ｓに分注される有機材料を含有するインクは、吸取作用（即ち、キャピラリ力）により、第３の辺Ｓ３と第１の電極１７の表面の間のキャピラリ構造に容易に吸い取られる。前記キャピラリ構造の吸取作用のため、前記インクは、複数のサブピクセル領域Ｓの各々（第１の電極１７の表面上）により均等に分注されることでき、例えば、前記インクに覆われた領域全体に亘ってより均一な厚さを有する。前記吸取作用は、前記インクが第３の辺Ｓ３の表面に沿って登ることを防止するため、前記コーヒーリング効果が実質的に防止又は減少されることができ、従って、前記インクが乾燥された時、領域全体に亘って実質的に均一な厚さを有する有機層を形成する。また、遮光サブ層１３は、前記有機層の縁の周りで発される光を遮断できる。たとえ前記コーヒーリング効果が前記有機層に依然存在しても、複数のサブピクセル領域Ｓは、依然として遮光サブ層１３により露出及び限定される発光表面全体に亘って実質的に均一な光の強度を有する光を発することができる。図５に示すように、遮光サブ層１３は、また、前記有機層の一側（図５に点線で描画）から発される光を効果的に遮断し、前記表示基板における光漏れ及び混色を効果的に防止できる。その結果、本表示基板を有する表示パネルにおける表示品質を著しく強化できる。

図６は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図６を参照すると、幾つかの実施例における表示基板は、ベース基板１１と、ベース基板１１上の複数のサブピクセル領域Ｓを限定するためのピクセル限定層１００とを含む。ピクセル限定層１００は、ベース基板１１上の第１のサブ層１２と、第１のサブ層１２のベース基板１１から遠い側に位置する光を遮断するための遮光サブ層１３と、遮光サブ層１３の第１のサブ層１２から遠い側に位置する第２のサブ層１４とを含む。遮光サブ層１３は、第１のサブ層１２及び第２のサブ層１４の光透過率よりも低い光透過率を有する。選択可能に、遮光サブ層１３は、遮光材料、例えば、黒色材料で作られる。選択可能に、第１のサブ層１２は、実質的に透明な材料、例えば、樹脂材料で作られる。選択可能に、第２のサブ層１４は、実質的に透明な材料、例えば、樹脂材料で作られる。

前記第１のサブ層は、ベース基板１１から近く且つ遮光サブ層１３から遠い第１の辺Ｓ１と、遮光サブ層１３から近く且つベース基板１１から遠い第５の辺Ｓ５と、第１の辺Ｓ１と第５の辺Ｓ５を連結する第３の辺Ｓ３とを有する。第２のサブ層１４は、相対する第６の辺Ｓ６及び第２の辺Ｓ２、及び第６の辺Ｓ６と第２の辺Ｓ２を連結する第４の辺Ｓ４を有する。第２の辺Ｓ２は、第６の辺Ｓ６の遮光サブ層１３から遠い側に位置する。第５の辺Ｓ５のベース基板１１における正投影は、第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２のベース基板１１における正投影を実質的に覆う。第６の辺Ｓ６のベース基板１１における正投影は、第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２のベース基板１１における正投影を実質的に覆う。選択可能に、遮光サブ層１３のベース基板１１における正投影は、第１の辺Ｓ１及び第２の辺Ｓ２のベース基板１１における正投影を実質的に覆う。選択可能に、遮光サブ層１３のベース基板１１における正投影は、第５の辺Ｓ５及び第６の辺Ｓ６のベース基板１１のおける正投影と実質的に重なる。

選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、第５の辺Ｓ５で広く且つ第１の辺Ｓ１で狭い形状を有し、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第２のサブ層１４の横断面は、第６の辺Ｓ６で広く且つ第２の辺Ｓ２で狭い形状を有する。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、実質的に逆台形の形状を有し、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第２のサブ層１４の横断面は、実質的に台形の形状を有する。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、実質的に逆等脚台形の形状を有し、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第２のサブ層１４の横断面は、実質的に等脚台形の形状を有する。

選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う遮光サブ層１３の横断面は、実質的に長方形の形状を有する。

この構成を有することにより（例えば、第１のサブ層１２の横断面が逆台形の形状を有し、第２のサブ層１４の横断面が台形の形状を有する）、第１のサブ層１２及び第２のサブ層１４の厚さは、中央部から縁部へ徐々に減少される。上に述べたように、第１のサブ層１２は、第１の電極１７とキャピラリ構造を形成し、実質的に均一な厚さを有する有機層の形成を促進する。また、この構成は、瑕疵（例えば、前記第２の電極層の欠陥）のない後続層（例えば、前記有機層上の第２の電極層）の形成に特に有利である。中央部から縁部へ徐々に減少される厚さを有する第２のサブ層１４を有することにより、第２のサブ層１４上に形成される後続層は、第２のサブ層１４の上方から前記複数のサブピクセル領域の一つに徐々に通過し、ピクセル限定層１００に対応する領域と複数のサブピクセル領域Ｓの隣接するサブピクセル領域の間の後続層における欠陥の発生の問題を予防する。

幾つかの実施例において、遮光サブ層１３は、実質的に長方形の横断面を有し、遮光サブ層１３の厚さは、実質的に均一である。ピクセル限定層１００に遮光サブ層１３を有することにより、遮光サブ層１３は、前記有機層の縁で発される光、例えば、第３の辺Ｓ３と第１の電極層１７の表面の間に挟まれた前記有機層の部分から発される光を効果的に遮断できる。複数のサブピクセル領域Ｓから発される光は、遮光サブ層１３により露出及び限定される発光表面全体に亘って実質的に均一な光の強度を有することができる。従来の表示基板で観察された光漏れ及び混色の問題を実質的に予防できる。その結果、本表示基板を有する表示パネルにおける表示品質を著しく強化できる。

幾つかの実施例において、遮光サブ層１３は、第１のサブ層１２厚さよりも小さく且つ第２のサブ層１４の厚さよりも小さい厚さを有する。選択可能に、第１のサブ層１２は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さを有し、例えば、約０．５μｍ乃至約１.０μｍ、約１.０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２.０μｍ、及び約２.０μｍ乃至約２．５μｍである。選択可能に、第２のサブ層１４は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さを有し、例えば、約０．５μｍ乃至約１.０μｍ、約１.０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２.０μｍ、及び約２.０μｍ乃至約２．５μｍである。選択可能に、遮光サブ層１３は、第１のサブ層１２の厚さの約１／１０乃至約１／５の厚さを有する。選択可能に、遮光サブ層１３は、約０.０５μｍ乃至約０．５μｍの範囲にある厚さを有し、例えば、約０.０５μｍ乃至約０.１μｍ、約０.１μｍ乃至約０.２μｍ、約０.２μｍ乃至約０.３μｍ、約０.３μｍ乃至約０.４μｍ、及び約０.４μｍ乃至約０．５μｍである。

幾つかの実施例において、第１のサブ層１２、遮光サブ層１３及び第２のサブ層１４の各々は、フォトレジスト材料、例えば、有機フォトレジスト材料、フォトレジスト樹脂材料又は有機フォトレジスト樹脂材料を含む。選択可能に、第１のサブ層１２及び第２のサブ層１４は、同一のフォトレジスト材料で作られる。選択可能に、第１のサブ層１２及び第２のサブ層１４は、異なるフォトレジスト材料で作られる。選択可能に、第１のサブ層１２及び第２のサブ層１４は、ポジティブフォトレジスト材料で作られる。選択可能に、遮光サブ層１３は、遮光ポジティブフォトレジスト材料で作られる。

幾つかの実施例において、前記表示基板は、有機発光ダイオード表示基板である。図７は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図７を参照すると、幾つかの実施例における表示基板は、複数のサブピクセル領域Ｓ内の複数の有機発光ダイオードＯＬＥＤを更に含む。前記複数の有機発光ダイオードＯＬＥＤの各々は、ベース基板１１上の第１の電極１７と、第１の電極１７のベース基板１１から遠い側に位置する有機層１８と、有機層１８の第１の電極１７から遠い側に位置する第２の電極層１９とを含む。選択可能に、有機層１８は、有機発光層を含む。選択可能に、有機層１８は、1つまたは複数の正孔注入層と、正孔輸送層と、正孔バリア層と、電子注入層と、電子輸送層と、電子バリア層とを更に含む。

幾つかの実施例において、複数のサブピクセル領域Ｓの各々内の有機層１８は、前記遮光サブ層の側面が有機層１８により実質的に覆われるような厚さを有する。選択可能に、有機層１８の厚さは、第１のサブ層１２の厚さ及び遮光サブ層１３の厚さの和より小さくない。選択可能に、第２の電極１９は、有機層１８及び第２のサブ層１４に直接接触するが、遮光サブ層１３に直接接触しない。このデザインを有することにより、且つ、第２のサブ層１４の第６の辺Ｓ６のベース基板１１における正投影が第２のサブ層１４の第２の辺Ｓ２のベース基板１１における正投影を実質的に覆うため、第２の電極１９は、第２のサブ層１４及び有機層１８の表面を如何なる欠陥もなしに実質的覆うことができる。従って、第２の電極１９は、複数のサブピクセル領域Ｓを完全に覆うよう大きい厚さを有するように形成される必要がない。相対的に薄い第２の電極１９は、前記表示基板を透過する強化された光透過率をもたらし、製造原価を下げる。

選択可能に、第２の電極１９は、有機層１８及び第２のサブ層１４に直接接触しており、且つ遮光サブ層１３の側面に直接接触している。

幾つかの実施例において、有機層１８は、ベース基板１１から遠い辺ＵＳ（例えば、上辺）を有する。選択可能に、辺ＵＳは、ベース基板１１に対して第５の辺Ｓ５の高さと第６の辺Ｓ６の高さの間の高さを有する。選択可能に、辺ＵＳは、ベース基板１１に対して第５の辺Ｓ５の高さと実質的に同じ高さを有する。選択可能に、辺ＵＳは、ベース基板１１に対して第６の辺Ｓ６の高さと実質的に同じ高さを有する。選択可能に、辺ＵＳは、ベース基板１１に対して第２の辺Ｓ２の高さと第６の辺Ｓ６の高さの間の高さを有する。選択可能に、辺ＵＳは、ベース基板１１に対して第１の辺Ｓ１の高さと第５の辺Ｓ５の高さの間の高さを有する。

幾つかの実施例において、有機層１８は、有機発光層と、1つまたは複数の正孔注入層と、正孔輸送層と、正孔バリア層と、電子注入層と、電子輸送層と、電子バリア層とを含む。選択可能に、有機層１８は、前記有機発光層のベース基板１１から近い側に位置する1つまたは複数の前記正孔注入層と、前記正孔輸送層と、前記電子バリア層とを含む。選択可能に、有機層１８は、前記有機発光層のベース基板１１から遠い側に位置する1つまたは複数の前記電子注入層と、前記電子輸送層と、前記正孔バリア層とを含む。選択可能に、前記有機発光層は、ベース基板１１から遠い辺（例えば、上辺）を有し、当該辺の高さは、ベース基板１１に対して第５の辺Ｓ５よりも小さい。選択可能に、有機層１８の辺ＵＳ（例えば、上辺）は、ベース基板１１に対して第６の辺Ｓ６の高さよりも大きい。選択可能に、有機層１８の辺ＵＳは、前記電子輸送層のベース基板１１から遠い辺で（例えば、上辺）である。

もう一つの側面において、本開示は、表示基板の製造方法を提供する。幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層は、相対する第１の辺及び前記第１の辺の前記ベース基板から遠い側に位置する第２の辺を有するように形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記第１の辺と前記第２の辺の間に位置する、前記ベース基板の表面に実質的に平行な平面に沿う第１の横断面を有するように形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記第１の横断面の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される。

幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記ピクセル限定層の横断面が、実質的に逆台形の前記ベース基板から遠い側に積み重ねられた実質的に台形を含む形状を有するように形成される。前記ベース基板の表面に実質的に平行な平面に沿う前記横断面は、前記実質的に台形と前記実質的に逆台形の間に位置される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記横断面が、前記第１の辺及び前記第２の辺で狭く且つ中間で広い形状を有するように形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記ピクセル限定層の横断面が、実質的に六角形の形状を有するように形成される。

幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層は、結合されて前記第１の辺と前記第２の辺を連結する第３の辺及び第４の辺を有するように形成される。前記第３の辺は、前記第１の辺と前記横断面を連結し、前記第４の辺は、前記第２の辺と前記横断面を連結する。選択可能に、前記第３の辺と前記ベース基板の表面とは、夾角αを有し、夾角αは、鋭角である。選択可能に、夾角αは、約５度乃至約９０度の範囲にあり、例えば、約１５度乃至約８９度、約３５度乃至約８９度、約５５度乃至約８９度、約７５度乃至約８９度、及び約６０度乃至約８５度である。選択可能に、前記第４の辺と前記ベース基板の表面とは、夾角βを有し、夾角βは、鈍角である。選択可能に、夾角βは、約９０度乃至約１７５度の範囲にあり、例えば、約９１度乃至約１６５度、約９１度乃至約１４５度、約９１度乃至約１２５度、約９１度乃至約１０５度、及び約９５度乃至約１２０度である。

幾つかの実施例において、前記方法は、ベース基板上に複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層を形成するステップを含む。幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層を形成するステップは、第１のサブ層を形成するステップと、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に第２のサブ層を形成するステップとを含む。前記第１のサブ層は、前記ベース基板から近く且つ前記第２のサブ層から遠い第１の辺と、前記第２のサブ層から近く且つ前記ベース基板から遠い第５の辺と、前記第１の辺と前記第５の辺を連結する第３の辺とを有するように形成される。前記第２のサブ層は、相対する第６の辺及び第２の辺、及び前記第６の辺と前記第２の辺を連結する第４の辺を有するように形成される。前記第２の辺は、前記第６の辺の前記第２のサブ層から遠い側に位置される。

選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記第５の辺の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記第６の辺の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される。

選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第１のサブ層の横断面が、実質的に逆台形の形状を有するように形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第２のサブ層の横断面が、実質的に台形の形状を有するように形成される。

選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記第３の辺と前記ベース基板の表面とが夾角αを有するように形成され、夾角αは、鋭角である。選択可能に、夾角αは、約５度乃至約９０度の範囲にあり、例えば、約１５度乃至約８９度、約３５度乃至約８９度、約５５度乃至約８９度、約７５度乃至約８９度、及び約６０度乃至約８５度である。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記第４の辺と前記ベース基板の表面とが夾角βを有し、夾角βが鈍角であるように形成される。選択可能に、夾角βは、約９０度乃至約１７５度の範囲にあり、例えば、約９１度乃至約１６５度、約９１度乃至約１４５度、約９１度乃至約１２５度、約９１度乃至約１０５度、及び約９５度乃至約１２０度である。

幾つかの実施例において、前記方法は、ベース基板上に複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層を形成するステップを含む。幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層を形成するステップは、前記ベース基板上に第１のサブ層を形成するステップと、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に光を遮断するための遮光サブ層を形成するステップとを含む。前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有するように形成される。

幾つかの実施例において、前記第１のサブ層は、前記ベース基板から近く且つ前記遮光サブ層から遠い第１の辺と、前記遮光サブ層から近く且つ前記ベース基板から遠い第５の辺と、前記第１の辺と前記第５の辺を連結する第３の辺とを有するように形成される。選択可能に、前記第１のサブ層は、前記第５の辺の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される。選択可能に、前記第１のサブ層及び前記遮光サブ層は、前記遮光サブ層の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される。選択可能に、前記第１のサブ層及び前記遮光サブ層は、前記遮光サブ層の前記ベース基板における正投影が、前記第５の辺の前記ベース基板における正投影と実質的に重なるように形成される。

選択可能に、前記第１のサブ層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第１のサブ層の横断面が、実質的に逆台形の形状を有するように形成される。選択可能に、前記遮光サブ層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記遮光サブ層の横断面が、実質的に長方形の形状を有するように形成される。

幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層を形成するステップは、前記ベース基板上に第１のサブ層を形成するステップと、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に光を遮断するための遮光サブ層を形成するステップと、前記遮光サブ層の前記第１のサブ層から遠い側に第２のサブ層を形成するステップとを含む。前記遮光サブ層は、前記第２のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有するように形成される。

幾つかの実施例において、前記第１のサブ層は、前記ベース基板から近く且つ前記遮光サブ層から遠い第１の辺と、前記遮光サブ層から近く且つ前記ベース基板から遠い第５の辺と、前記第１の辺と前記第５の辺を連結する第３の辺とを有するように形成され、前記第２のサブ層は、相対する第６の辺及び第２の辺、及び前記第６の辺と前記第６の辺の前記遮光サブ層から遠い側に位置する前記第２の辺を連結する第４の辺を有するように形成される。選択可能に、前記第１のサブ層及び前記第２のサブ層は、前記第５の辺の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆い、且つ、前記第６の辺の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される。選択可能に、前記第１のサブ層、前記第２のサブ層及び前記遮光サブ層は、前記遮光サブ層の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される。選択可能に、前記第１のサブ層、前記第２のサブ層及び前記遮光サブ層は、前記遮光サブ層の前記ベース基板における正投影が、前記第５の辺及び前記第６の辺の前記ベース基板における正投影と実質的に重なるように形成される。

選択可能に、前記第１のサブ層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第１のサブ層の横断面が、実質的に逆台形の形状を有するように形成される。選択可能に、前記第２のサブ層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第２のサブ層の横断面が、実質的に台形の形状を有するように形成される。選択可能に、前記遮光サブ層は、前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記遮光サブ層の横断面が、実質的に長方形の形状を有するように形成される。

幾つかの実施例において、前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の厚さよりも小さく且つ前記第２のサブ層の厚さよりも小さい厚さを有するように形成される。選択可能に、前記第１のサブ層は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さを有するように形成され、前記第２のサブ層は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さを有するように形成され、前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の厚さの約１／１０乃至約１／５の厚さを有するように形成される。

幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層を形成するステップは、前記ベース基板上に第１のフォトレジスト材料層を形成するステップと、前記第１のフォトレジスト材料層の前記ベース基板から遠い側に遮光フォトレジスト材料層を形成するステップと、前記ベース基板から前記遮光フォトレジスト材料層への方向に沿って照射される光を用いて前記第１のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を露光するステップと、前記第１のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を現像することにより、前記第１のサブ層及び前記遮光サブ層を形成するステップとを含む。

図８は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造方法を示すフローチャートである。図８を参照すると、幾つかの実施例における前記方法は、ベース基板を提供するステップと、前記ベース基板上に第１のピクセル限定材料層を形成するステップと、前記第１のピクセル限定材料層の前記ベース基板から遠い側に遮光材料層を形成するステップと、前記遮光フォトレジスト材料層の前記ベース基板から遠い側に第２のピクセル限定材料層を形成するステップと、前記第１のピクセル限定材料層、前記遮光材料層及び前記第２のピクセル限定材料層をパターニングすることにより、前記第１のサブ層、前記第２のサブ層及び前記遮光サブ層を形成するステップとを含む。

様々な適切な材料及び様々な適切な製造方法を用いて前記ベース基板を製作することができる。例えば、プラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスにより透明無機ベース基板材料を蒸着することができる。前記ベース基板を製作するのに適した材料の例は、ガラス、石英、ポリイミド、ポリエステル、シリコンの含有する無機材料及び金属材料を含むが、これらに限定されるものではない。シリコンの含有する無機材料の例は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、アモルファスシリコン及び多結晶質シリコンを含む。

様々な適切な材料及び様々な適切な製造方法を用いて前記第１のピクセル限定材料層を製作することができる。選択可能に、前記第１のピクセル限定材料層は、第１のフォトレジスト材料、例えば、第１の有機フォトレジスト材料、第１のフォトレジスト樹脂材料及び第１の有機フォトレジスト樹脂材料で作られる。有機フォトレジスト樹脂材料の例は、フッ素フルオロポリイミド、フッ素ポリメタクリル酸メチル及びポリジメチルシロキサン等のポジティブフォトレジスト材料を含む。選択可能に、前記第１のピクセル限定材料層は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さ、例えば、約０．５μｍ乃至約１.０μｍ、約１.０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２.０μｍ、及び約２.０μｍ乃至約２．５μｍである厚さを有するように形成される。

幾つかの実施例において、前記第１のサブ層を形成するステップに先立って、前記方法は、前記表示基板内に複数の薄膜トランジスタ、例えば、画像表示を駆動するための複数の駆動薄膜トランジスタを形成するステップを更に含む。選択可能に、前記第１のサブ層を形成するステップに先立って、前記方法は、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に不動態化層を形成するステップと、前記不動態化層の前記ベース基板から遠い側に第１の電極（例えば、アノード）を形成するステップとを更に含む。

様々な適切な材料及び様々な適切な製造方法を用いて前記遮光材料層を製作することができる。選択可能に、前記遮光材料層は、遮光フォトレジスト材料、例えば、遮光有機フォトレジスト材料、遮光フォトレジスト樹脂材料及び遮光有機フォトレジスト樹脂材料で作られる。有機フォトレジスト樹脂材料の例は、遮光ポジティブフォトレジスト材料（例えば、ブラックマトリックスポジティブフォトレジスト材料）等のポジティブフォトレジスト材料を含む。選択可能に、前記遮光材料層は、前記第１のピクセル限定材料層の厚さの約１／１０乃至約１／５の厚さを有するように形成される。選択可能に、前記遮光材料層は、約０.０５μｍ乃至約０．５μｍの範囲にある厚さ、例えば、約０.０５μｍ乃至約０.１μｍ、約０.１μｍ乃至約０.２μｍ、約０.２μｍ乃至約０.３μｍ、約０.３μｍ乃至約０.４μｍ、及び約０.４μｍ乃至約０．５μｍである厚さを有するように形成される。

様々な適切な材料及び様々な適切な製造方法を用いて前記第２のピクセル限定材料層を製作することができる。選択可能に、前記第２のピクセル限定材料層は、第２のフォトレジスト材料、例えば、第２の有機フォトレジスト材料、第２のフォトレジスト樹脂材料及び第２の有機フォトレジスト樹脂材料で作られる。有機フォトレジスト樹脂材料の例は、フッ素ポリイミド、フッ素ポリメタクリル酸メチル及びポリジメチルシロキサン等のポジティブフォトレジスト材料を含む。選択可能に、前記第２のピクセル限定材料層は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さ、例えば、約０．５μｍ乃至約１.０μｍ、約１.０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２.０μｍ、及び約２.０μｍ乃至約２．５μｍである厚さを有するように形成される。

選択可能に、前記第１のピクセル限定材料層、前記遮光材料層及び前記第２のピクセル限定材料層は、約１.０μｍ乃至約５.０μｍの範囲にある総厚さ、例えば、約１.０μｍ乃至約２.０μｍ、約２.０μｍ乃至約３.０μｍ、約３.０μｍ乃至約４.０μｍ、及び約４.０μｍ乃至約５.０μｍである総厚さを有するように形成される。選択可能に、前記総厚さは、約２．５μｍである。

選択可能に、前記第１のピクセル限定材料層及び前記第２のピクセル限定材料層は、同一のフォトレジスト材料で作られる。選択可能に、前記第１のピクセル限定材料層及び前記第２のピクセル限定材料層は、異なるフォトレジスト材料で作られる。

幾つかの実施例において、前記第１のサブ層、前記遮光サブ層及び前記第２のサブ層の各々は、フォトレジスト材料を用いて形成される。幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層を形成するステップは、前記ベース基板上に第１のフォトレジスト材料層を形成するステップと、前記第１のフォトレジスト材料層の前記ベース基板から遠い側に遮光フォトレジスト材料層を形成するステップと、前記遮光フォトレジスト材料層の前記ベース基板から遠い側に第２のフォトレジスト材料層を形成するステップと、前記第１のフォトレジスト材料層、前記遮光フォトレジスト材料層及び前記第２のフォトレジスト材料層をパターニングすることにより、前記第１のサブ層、前記第２のサブ層及び前記遮光サブ層を形成するステップとを含む。

図９は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造方法を示すフローチャートである。図９を参照すると、幾つかの実施例における前記第１のフォトレジスト材料層、前記遮光フォトレジスト材料層及び前記第２のフォトレジスト材料層をパターニングするステップは、前記第１のフォトレジスト材料層から前記遮光フォトレジスト材料層への方向に沿って照射される光を用いて前記第１のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を露光するステップと、前記第２のフォトレジスト材料層から前記遮光フォトレジスト材料層への方向に沿って照射される光を用いて前記第２のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を露光するステップと、前記第１のフォトレジスト材料層、前記第２のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を現像することにより、前記第１のサブ層、前記第２のサブ層及び前記遮光サブ層を形成するステップとを含む。

図１０〜図１３は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。図１０を参照すると、ベース基板１１上に複数の薄膜トランジスタ１５を形成し、複数の薄膜トランジスタ１５のベース基板１１から遠い側に不動態化層１６を形成し、不動態化層１６のベース基板１１から遠い側に第１の電極１７（例えば、アノード）を形成する。図１１を参照すると、第１の電極１７のベース基板１１から遠い側に第１のフォトレジスト材料層１２１を形成し、第１のフォトレジスト材料層１２１のベース基板１１から遠い側に遮光フォトレジスト材料層１３１を形成し、遮光フォトレジスト材料層１３１のベース基板１１から遠い側に第２のフォトレジスト材料層１４１を形成する。

幾つかの実施例において、第１のフォトレジスト材料層１２１及び遮光フォトレジスト材料層１３１におけるフォトレジスト材料は、いずれもポジティブフォトレジスト材料であり、ＵＶ照射により露光されるべきである、第１のフォトレジスト材料層１２１及び遮光フォトレジスト材料層１３１における領域Ｏは、複数のサブピクセル領域Ｓに実質的に対応する。図１２を参照すると、第１のマスク板２は、第１のフォトレジスト材料層１２１から遮光フォトレジスト材料層１３１への方向に沿って照射されるＵＶ光を用いて第１のフォトレジスト材料層１２１及び遮光フォトレジスト材料層１３１を露光するために用いられる。図１２に示すように、前記ＵＶ照射は、ベース基板１１の如何なる層も形成されていない一側から第１のフォトレジスト材料層１２１及び遮光フォトレジスト材料層１３１を露光する。前記フォトレジスト材料自体は、ＵＶ照射等の光を吸収することが可能であるため、第１のフォトレジスト材料層１２１が、第１のフォトレジスト材料層１２１から遮光フォトレジスト材料層１３１への方向に沿って照射されるＵＶ光により露光される時、ベース基板１１から近い第１の辺からベース基板１１から遠い第５の辺への第１のフォトレジスト材料層１２１の露光度は、徐々に低下する。図１２に描かれているように、第１のフォトレジスト材料層１２１の露光される領域Ｏにおけるグレーレベルは、露光度に対応し、即ち、グレーレベルが高いほど、露光度が高くなる。この露光ステップにおいて、遮光フォトレジスト材料層１３１も部分的に露光される。但し、遮光フォトレジスト材料層１３１は、光が第２のフォトレジスト材料層１４１に透過するのを阻止し、第２のフォトレジスト材料層１４１がこのステップで露光されるのを防止する。

複数の薄膜トランジスタ１５は、データライン及びゲートライン等の様々な信号ラインが露光される領域Ｏ外部のサブピクセル間領域に実質的に配置され、この露光ステップでのＵＶ露光と干渉しない。

図１３を参照すると、第２のマスク板３は、第２のフォトレジスト材料層１４１から遮光フォトレジスト材料層１３１への方向に沿って照射されるＵＶ光を用いて第２のフォトレジスト材料層１４１及び遮光フォトレジスト材料層１３１を露光するために用いられる。図１３に示すように、前記ＵＶ照射は、第２のフォトレジスト材料層１４１のベース基板１１から遠い第１の辺から第２のフォトレジスト材料層１４１のベース基板１１から近い第５の辺への方向に沿って第２のフォトレジスト材料層１４１及び遮光フォトレジスト材料層１３１を露光する。フォトレジスト材料自体は、ＵＶ照射等の光を吸収することが可能であるため、第２のフォトレジスト材料層１４１が第２のフォトレジスト 材料層１４１から遮光フォトレジスト材料層１３１への方向に沿って照射されるＵＶ光により露光される時、ベース基板１１から遠い第１の辺からベース基板１１から近い第５の辺への第２のフォトレジスト材料層１４１における露光度は、徐々に低下する。図１３に描かれているように、第２のフォトレジスト材料層１４１の露光される領域Ｏにおけるグレーレベルは、露光度に対応し、即ち、グレーレベルが高いほど、露光度が高くなる。この露光ステップにおいて、遮光フォトレジスト材料層１３１も部分的に露光される。遮光フォトレジスト材料層１３１は、既に他の一側から部分的露光されたため、この露光ステップで、遮光フォトレジスト材料層１３１は、実質的に露光されることができる。但し、遮光フォトレジスト材料層１３１は、光が第１のフォトレジスト材料層１２１に透過するのを阻止し、第１のフォトレジスト材料層１２１がこのステップで更に露光されるのを防止する。

選択可能に、前記第１のフォトレジスト材料層を露光するステップと、前記第２のフォトレジスト材料層を露光するステップとは、同一のマスク板を用いて実行される。例えば、第１のマスク板２と、第２のマスク板３とは、同一のマスク板であって可能である。二つの露光ステップに同一のマスク板を用いることにより、製造過程を簡単化でき、製造原価を削減する。

図６を参照すると、第１のフォトレジスト材料層１２１、第２のフォトレジスト材料層１３１、遮光フォトレジスト材料層１４１を現像するステップの後、第１のサブ層１２、第２のサブ層１４及び遮光サブ層１３が得られる。選択可能に、上述の二つのステップに同一のマスク板が用いられる時、ベース基板１１における遮光サブ層１３、第１のサブ層１２の第５の辺Ｓ５及び第２のサブ層１４の第６の辺Ｓ６の正投影は、実質的に相互に重なる。図２に示すように、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、第５の辺Ｓ５で広く且つ第１の辺Ｓ１で狭い形状を有する。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第１のサブ層１２の横断面は、実質的に逆台形の形状を有し、第１のサブ層１２の第３の辺Ｓ３とベース基板１１の表面とは、夾角αを有し、夾角αは、鋭角である。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う第２のサブ層１４の横断面は、実質的に台形の形状を有し、第２のサブ層１４の第４の辺Ｓ４とベース基板１１の表面とは、夾角βを有し、夾角βは、鈍角である。選択可能に、ベース基板１１の表面に実質的に垂直且つ複数のサブピクセル領域Ｓの隣接する二つのサブピクセル領域の間のピクセル限定層１００の延長方向ＥＤに実質的に垂直な平面に沿う遮光サブ層１３の横断面は、実質的に長方形の形状を有し、遮光サブ層１３は、相対的に小さい厚さを有する。

第１のフォトレジスト材料層１２１がＵＶ光に露光される時、第１のフォトレジスト材料層１２１における露光度が、ベース基板１１から近い第１の辺からベース基板１１から遠い第５の辺への方向に沿って徐々に低下するため、第１のフォトレジスト材料層１２１の材料と現像液との反応度も、前記ベース基板１１から近い前記第１の辺からベース基板１１から遠い前記第５の辺への方向に沿って徐々に低下する。その結果、前記現像ステップで第１のフォトレジスト材料層１２１から除去されるフォトレジスト材料の部分も、ベース基板１１から近い前記第１の辺からベース基板１１から遠い前記第５の辺への方向に沿って徐々に下がる。従って、前記現像ステップの後形成された第１のサブ層１２は、実質的に逆台形の形状を有する。同様の理由で、現像ステップの後形成された第２のサブ層１４は、実質的に台形の形状を有する。

本製造方法において、第１のフォトレジスト材料層１２１及び遮光フォトレジスト材料層１３１は、第１のフォトレジスト材料層１２１から遮光フォトレジスト材料層１３１への方向に沿って照射される光を用いて露光され、第２のフォトレジスト材料層１４１及び遮光フォトレジスト材料層１３１は、第２のフォトレジスト材料層１４１から遮光フォトレジスト材料層１３１への方向に沿って照射される光を用いて露光される。本方法は、ＵＶ照射の入射角の制御困難の問題を予防し、ピクセル限定層１００の形成を促進する。また、遮光フォトレジスト材料層１３１は、前記第１の露光ステップで、光が第２のフォトレジスト材料層１４１に透過するのを阻止し、前記第１の露光ステップで、第２のフォトレジスト材料層１４１が露光されるのを防止し、遮光フォトレジスト材料層１３１は、前記第２の露光ステップで、光が第１のフォトレジスト材料層１２１に透過するのを阻止し、前記第２の露光ステップで、第１のフォトレジスト材料層１２１が露光されるのを防止する。このデザインを有することにより、第１のサブ層１２及び第２のサブ層１４が所望の形状に形成できることを保証できる。

本製造方法によれば、第１のサブ層１２は、第５の辺Ｓ５のベース基板１１における正投影が、第１の辺Ｓ１のベース基板１１における正投影を実質的に覆うように形成され、第１のサブ層１２の第３の辺Ｓ３とベース基板１１の表面とは、夾角αを形成し、夾角は、鋭角である。鋭角の夾角αを有することにより、第１のサブ層１２とピクセル限定層１００の下方の構造の表面の間（例えば、第３の辺Ｓ３と第１の電極１７の表面の間）にキャピラリ構造が形成される。複数のサブピクセル領域Ｓに有機材料（例えば、有機発光材料）を印刷する後続過程において、複数のサブピクセル領域Ｓに分注される有機材料を含有するインクは、吸取作用（即ち、キャピラリ力）により、第３の辺Ｓ３と第１の電極１７の表面の間のキャピラリ構造に容易に吸い取られる。前記キャピラリ構造の吸取作用のため、前記インクは、複数のサブピクセル領域Ｓの各々（第１の電極１７の表面上）により均等に分注されることでき、例えば、前記インクに覆われた領域全体に亘ってより均一な厚さを有する。前記吸取作用は、前記インクが第３の辺Ｓ３の表面に沿って登ることを防止するため、前記コーヒーリング効果が実質的に防止又は減少されることができ、従って、前記インクが乾燥された時、領域全体に亘って実質的に均一な厚さを有する有機層を形成する。また、遮光サブ層１３は、前記有機層の縁の周りで発される光を遮断できる。たとえ前記コーヒーリング効果が前記有機層に依然存在しても、複数のサブピクセル領域Ｓは、依然として遮光サブ層１３により露出及び限定される発光表面全体に亘って実質的に均一な光の強度を有する光を発することができる。遮光サブ層１３は、また、前記有機層の一側から発される光を効果的に遮断し、前記表示基板における光漏れ及び混色を効果的に防止できる。その結果、本方法により製造される表示基板を有する表示パネルにおける表示品質を著しく強化できる。

図１４は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造方法を示すフローチャートである。図１４を参照すると、幾つかの実施例の前記方法は、ベース基板を提供するステップと、前記ベース基板上に第１の電極を形成するステップと、前記第１の電極の前記ベース基板から遠い側に複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層を形成するステップと、前記複数のサブピクセル領域内に有機層を形成するステップと、前記有機層の前記第１の電極から遠い側に第２の電極を形成するステップとを含む。選択可能に、前記有機層を形成するステップは、有機発光層を形成するステップを含む。選択可能に、前記有機層を形成するステップは、1つまたは複数の正孔注入層と、正孔輸送層と、正孔バリア層と、電子注入層と、電子輸送層と、電子バリア層とを形成するステップを更に含む。

幾つかの実施例において、前記複数のサブピクセル領域の各々内の前記有機層は、前記遮光サブ層の側面が、前記有機層により実質的に覆われるような厚さを有するように形成される。選択可能に、前記複数のサブピクセル領域の各々内の前記有機層は、前記有機層の厚さが、前記第１のサブ層の厚さ及び前記遮光サブ層の厚さの和より小さくないように形成される。選択可能に、前記第２の電極は、前記有機層及び前記第２のサブ層に直接接触するが、前記遮光サブ層に直接接触しないように形成される。このデザインを有することにより、且つ、第２のサブ層の前記第６の辺の前記ベース基板における正投影が、前記第２のサブ層の前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うため、前記第２の電極は、前記第２のサブ層及び前記有機層の表面を如何なる欠陥もなしに実質的覆うように形成されることができる。従って、前記第２の電極は、前記複数のサブピクセル領域を完全に覆うよう大きい厚さを有するように形成される必要がない。相対的に薄い第２の電極は、前記表示基板を透過する強化された光透過率をもたらし、製造原価を下げる。

選択可能に、前記第２の電極は、前記有機層及び前記第２のサブ層に直接接触し、並びに前記遮光サブ層の側面に直接接触するように形成される。

幾つかの実施例において、前記有機層は、前記ベース基板から遠い辺を有するように形成される。選択可能に、前記ベース基板から遠い辺は、前記ベース基板に対して前記第５の辺の高さと前記第６の辺の高さの間の高さを有する。選択可能に、前記辺は、前記ベース基板に対して前記第５の辺の高さと実質的に同じ高さを有する。選択可能に、前記辺は、前記ベース基板に対して前記第６の辺の高さと実質的に同じ高さを有する。選択可能に、前記辺は、前記ベース基板に対して前記第２の辺の高さと前記第６の辺の高さの間の高さを有する。選択可能に、前記辺は、前記ベース基板に対して前記第１の辺の高さと前記第５の辺の高さの間の高さを有する。

幾つかの実施例において、前記有機層は、有機発光層と、1つまたは複数の正孔注入層と、正孔輸送層と、正孔バリア層と、電子注入層と、電子輸送層と、電子バリア層とを含むように形成される。選択可能に、前記有機層は、前記有機発光層の前記ベース基板から近い側に位置する1つまたは複数の前記正孔注入層と、前記正孔輸送層と、前記電子バリア層とを含むように形成される。選択可能に、前記有機層は、前記有機発光層の前記ベース基板から遠い側に位置する1つまたは複数の前記電子注入層と、前記電子輸送層と、前記正孔バリア層とを含むように形成される。選択可能に、前記有機発光層は、前記ベース基板から遠い辺（例えば、上辺）を有するように形成され、前記ベース基板に対する当該辺の高さは、前記ベース基板に対する前記第５の辺よりも小さい。選択可能に、前記有機層は、前記有機層の前記辺（例えば、上辺）は、高さが前記ベース基板に対する前記第６の辺よりも大きいように形成される。選択可能に、前記有機層の前記辺は、前記電子輸送層の前記ベース基板から遠い辺（例えば、上辺）である。

もう一つの側面において、本開示は、ここに記載される表示基板又はここに記載される方法により製造される表示基板を有する表示装置を提供する。選択可能に、前記表示装置は、液晶表示装置である。選択可能に、前記表示装置は、有機発光ダイオード表示装置である。選択可能に、前記表示装置は、電気泳動表示装置である。適切な表示装置の例は、電子ペーパー、移動電話、タブレットＰＣ、ＴＶ、モニター、ノートＰＣ、デジタルアルバム、ＧＰＳ等を含むが、これらに限定されるものではない。

以上の本発明の実施例に対する説明は、ただ解釈及び説明の目的で提出されたものである。これは、網羅的であること、或いは本発明を開示された正確な形式又は開示された例示的な実施例に限定することを意図するものではない。従って、以上の説明は、限定的なものではなく、説明的なものと見なされるべきである。明らかに、当業者にとって、多様な修正及び変更が自明である。これらの実施例を選択及び記載して、本発明の原理及びその最適モードの実際応用を説明することによって、当業者が、本発明が特定用途又は考慮される実施形態に適用される様々な実施例及び様々な変形を理解できるようにする。本発明の範囲は、ここに添付される特許請求の範囲及びその等価物により限定され、その内、別段の表示がない限り、すべての用語は、その最も広い合理的な意味を意味することを意図する。従って、「発明」、「本発明」等の用語は、必ずしも特許請求の範囲を具体的な実施例に限定するものではなく、本発明の例示的な実施例に対する参考は、本発明に対する限定を意味するものではなく、且つこのような限定を推論できない。本発明は、添付された請求項の範囲の精神及び範囲のみにより限定される。なお、これらの請求項は、名詞又は要素が前に付く「第１」、「第２」等の用語の使用が関連される可能性がある。このような用語は、命名法として理解されるべきであり、既に具体的な数量が与えられていない限り、このような命名法により修飾される要素の数量に対する限定として解釈されるべきではない。記載された如何なる効果及び利点が本発明のすべての実施例に適用されない可能性がある。理解すべきことは、以下の請求項により限定される本発明の範囲を逸脱せずに、当業者は、記載された実施例に対する変形を行うことができる。なお、要素又は構成部品が以下の請求項に明示的に記述されているか否かを問わず、本発明には、公衆に貢献しようとする要素及び構成要部品がない。

Claims (20)

1. 表示基板であって、ベース基板と、前記ベース基板上の複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層とを含み、
   前記ピクセル限定層は、相対する第１の辺及び前記第１の辺の前記ベース基板から遠い側に位置する第２の辺を有し、
   前記ピクセル限定層は、前記第１の辺と前記第２の辺の間に位置する、前記ベース基板に実質的に平行な平面に沿う第１の横断面を有し、
   前記第１の横断面の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うことを特徴とする表示基板。
2. 前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記ピクセル限定層の第２の横断面は、実質的に逆台形の前記ベース基板から遠い側に位置する実質的に台形を含む形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
3. 前記ピクセル限定層は、第１のサブ層と、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に位置する第２のサブ層とを含み、
   前記第１のサブ層は、前記ベース基板から近く且つ前記第２のサブ層から遠い第１の辺と、前記第２のサブ層から近く且つ前記ベース基板から遠い第５の辺と、前記第１の辺と前記第５の辺を連結する第３の辺とを有し、
   前記第２のサブ層は、相対する第６の辺及び前記第６の辺の前記第１のサブ層から遠い側に位置する第２の辺と、前記第６の辺と前記第２の辺を連結する第４の辺とを有し、
   前記第５の辺の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆い、
   前記第６の辺の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
4. 前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第１のサブ層の横断面は、実質的に逆台形の形状を有し、
   前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第２のサブ層の横断面は、実質的に台形の形状を有することを特徴とする請求項３に記載の表示基板。
5. 前記ピクセル限定層は、前記第１のサブ層と前記第２のサブ層の間に位置する光を遮断するための遮光サブ層を更に含み、
   前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層及び第２のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有することを特徴とする請求項３に記載の表示基板。
6. 前記遮光サブ層の前記ベース基板における正投影は、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うことを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
7. 前記遮光サブ層の前記ベース基板における正投影は、前記第５の辺及び前記第６の辺の前記ベース基板における正投影と実質的に重なることを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
8. 前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第１のサブ層の横断面は、実質的に逆台形の形状を有し、
   前記ベース基板の表面に実質的に垂直且つ前記複数のサブピクセル領域の隣接する二つのサブピクセル領域の間の前記ピクセル限定層の延長方向に実質的に垂直な平面に沿う前記第２のサブ層の横断面は、実質的に台形の形状を有し、
   実質的に前記第１の辺から前記第２の辺への方向に沿って延長される平面に沿う前記遮光サブ層の横断面は、実質的に長方形の形状を有することを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
9. 前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の厚さよりも小さく且つ前記第２のサブ層の厚さよりも小さい厚さを有することを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
10. 前記第１のサブ層は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さを有し、
    前記第２のサブ層は、約０．５μｍ乃至約２．５μｍの範囲にある厚さを有し、
    前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の厚さの約１／１０乃至約１／５の厚さを有することを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
11. 前記第１のサブ層、前記遮光サブ層及び前記第２のサブ層の各々は、フォトレジスト材料を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
12. 前記複数のサブピクセル領域内の有機層を更に含み、
    前記複数のサブピクセル領域の各々内の前記有機層は、前記遮光サブ層の側面が、前記有機層により実質的に覆われるような厚さを有することを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
13. 前記有機層の前記ベース基板から近い側に位置する第１の電極と、前記有機層の前記ベース基板から遠い側に位置する第２の電極とを更に含み、
    前記第２の電極は、前記有機層及び前記第２のサブ層に直接接触するが、前記遮光サブ層に直接接触しないことを特徴とする請求項１２に記載の表示基板。
14. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示基板を含む表示装置。
15. 表示基板の製造方法であって、ベース基板上に複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層を形成するステップを含み、
    前記ピクセル限定層は、相対する第１の辺及び前記第１の辺の前記ベース基板から遠い側に位置する第２の辺を有するように形成され、
    前記ピクセル限定層は、前記第１の辺と前記第２の辺の間に位置する、前記ベース基板の表面に実質的に平行な平面に沿う第１の横断面を有するように形成され、
    前記ピクセル限定層は、前記第１の横断面の前記ベース基板における正投影が、前記第１の辺及び前記第２の辺の前記ベース基板における正投影を実質的に覆うように形成されることを特徴とする方法。
16. 前記ピクセル限定層を形成するステップは、
    前記ベース基板上に第１のフォトレジスト材料層を形成するステップと、
    前記第１のフォトレジスト材料層の前記ベース基板から遠い側に遮光フォトレジスト材料層を形成するステップと、
    前記遮光フォトレジスト材料層の前記ベース基板から遠い側に第２のフォトレジスト材料層を形成するステップと、
    前記第１のフォトレジスト材料層、前記遮光フォトレジスト材料層及び前記第２のフォトレジスト材料層をパターニングすることにより、前記第１のサブ層、前記遮光サブ層及び前記第２のサブ層を形成するステップと
    を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
17. 前記第１のフォトレジスト材料層、前記遮光フォトレジスト材料層及び前記第２のフォトレジスト材料層をパターニングするステップは、
    前記第１のフォトレジスト材料層から前記遮光フォトレジスト材料層への方向に沿って照射される光を用いて前記第１のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を露光するステップと、
    前記第２のフォトレジスト材料層から前記遮光フォトレジスト材料層への方向に沿って照射される光を用いて前記第２のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を露光するステップと、
    前記第１のフォトレジスト材料層、前記第２のフォトレジスト材料層及び前記遮光フォトレジスト材料層を現像することにより、前記第１のサブ層、前記第２のサブ層及び前記遮光サブ層を形成するステップと
    を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
18. 前記第１のフォトレジスト材料層を露光するステップと、前記第２のフォトレジスト材料層を露光するステップとは、同一のマスク板を用いて実行されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
19. 表示基板であって、ベース基板と、前記ベース基板上の複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層とを含み、
    前記ピクセル限定層は、前記ベース基板上の第１のサブ層と、前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に位置する光を遮断するための遮光サブ層とを含み、
    前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有することを特徴とする表示基板。
20. 請求項１９の表示基板の製造方法であって、
    ベース基板上に複数のサブピクセル領域を限定するためのピクセル限定層を形成するステップを含み、
    前記ピクセル限定層を形成するステップは、
    前記ベース基板上に第１のサブ層を形成するステップと、
    前記第１のサブ層の前記ベース基板から遠い側に光を遮断するための遮光サブ層を形成するステップと
    を含み、
    前記遮光サブ層は、前記第１のサブ層の光透過率よりも低い光透過率を有するように形成されることを特徴とする方法。

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