WO2020261326A1 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

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WO2020261326A1
WO2020261326A1 PCT/JP2019/024926 JP2019024926W WO2020261326A1 WO 2020261326 A1 WO2020261326 A1 WO 2020261326A1 JP 2019024926 W JP2019024926 W JP 2019024926W WO 2020261326 A1 WO2020261326 A1 WO 2020261326A1
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WO
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organic
layer
display device
barrier layer
pixels
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PCT/JP2019/024926
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English (en)
French (fr)
Inventor
克彦 岸本
幸也 西岡
Original Assignee
堺ディスプレイプロダクト株式会社
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Publication date
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    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
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    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display device.
  • Organic EL (Electro Luminescence) display devices have begun to be put into practical use.
  • One of the features of the organic EL display device is that a flexible display device can be obtained.
  • the organic EL display device has at least one organic EL element (Organic Light Emitting Diode: OLED) for each pixel, and at least one TFT (Thin Film Transistor) that controls the current supplied to each OLED.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • TFT Thin Film Transistor
  • the organic EL display device will be referred to as an OLED display device.
  • Such an OLED display device having a switching element such as a TFT for each OLED is called an active matrix type OLED display device.
  • the substrate on which the TFT and the OLED are formed is referred to as an element substrate.
  • OLEDs are liable to deteriorate under the influence of moisture and are liable to cause display unevenness.
  • Thin film encapsulation (TFE) technology has been developed as a technology for protecting an OLED from moisture and providing a sealing structure that does not impair flexibility.
  • the thin film sealing technique attempts to obtain sufficient water vapor barrier properties in a thin film by alternately laminating inorganic barrier layers and organic barrier layers. From the viewpoint of moisture resistance and reliability of the OLED display device, the WVTR (Water Vapor Transmission Rate) of the thin film sealing structure is typically required to be 1 ⁇ 10 -4 g / m 2 / day or less.
  • the thin film sealing structure used in the currently commercially available OLED display device has an organic barrier layer (polymer barrier layer) having a thickness of about 5 ⁇ m to about 20 ⁇ m.
  • the relatively thick organic barrier layer also plays a role of flattening the surface of the device substrate.
  • the organic barrier layer is thick, there is a problem that the flexibility of the OLED display device is limited.
  • Patent Documents 1 and 2 describe a thin film sealing structure having an organic barrier layer composed of unevenly distributed resins.
  • the thin film encapsulation structure described in Patent Document 1 or 2 does not have a thick organic barrier layer. Therefore, it is considered that the flexibility of the OLED display device is improved by using the thin film sealing structure described in Patent Document 1 or 2.
  • Patent Document 1 a first inorganic material layer (first inorganic barrier layer), a first resin material, and a second inorganic material layer (second inorganic barrier layer) are formed in this order from the element substrate side. At that time, a thin film sealing structure in which the first resin material is unevenly distributed around the convex portion (the first inorganic material layer covering the convex portion) of the first inorganic material layer is disclosed. According to Patent Document 1, by unevenly distributing the first resin material around the convex portion which may not be sufficiently covered by the first inorganic material layer, the invasion of water and oxygen from the portion is suppressed.
  • the first resin material functions as the base layer of the second inorganic material layer
  • the second inorganic material layer is properly formed into a film
  • the side surface of the first inorganic material layer has the desired film thickness. It becomes possible to cover properly with.
  • the first resin material is formed as follows. The heated and vaporized mist-like organic material is supplied onto an element substrate maintained at a temperature of room temperature or lower, and the organic material condenses and drops on the substrate. The droplet-like organic material moves on the substrate due to capillary action or surface tension, and is unevenly distributed at the boundary between the side surface of the convex portion of the first inorganic material layer and the surface of the substrate. Then, by curing the organic material, a first resin material is formed at the boundary portion.
  • Patent Document 2 also discloses an OLED display device having a similar thin film sealing structure.
  • the OLED display device having a thin film sealing structure has a problem that display defects occur due to a local external force.
  • the problem is that when a local external force is applied to the OLED display device, for example, by pressing the display surface with a finger, between a plurality of layers constituting the organic EL element (for example, between the electrode and the organic layer). , And / or between the light emitting layer and the charge transport layer forming the organic layer).
  • a local external force is applied to the OLED display device, for example, by pressing the display surface with a finger, between a plurality of layers constituting the organic EL element (for example, between the electrode and the organic layer). , And / or between the light emitting layer and the charge transport layer forming the organic layer).
  • the adhesive layer and the thin film sealing structure between the touch sensor layer and the OLED element are locally deformed.
  • peripheral display area In the display area, the adhesive layer and the thin film sealing structure are thin, the adhesive layer and the thin film sealing structure cannot sufficiently absorb / disperse the external force received by the touch sensor layer, and as a result, the external force is directly applied to the OLED element. It is thought that this is because it is transmitted to the target. It was found that this display defect is likely to occur in the peripheral area (referred to as "peripheral display area") in the display area.
  • This problem is likely to occur in an OLED display device having a thin film sealing structure having a relatively thick (for example, a thickness of 5 ⁇ m or more) organic barrier layer that also serves as a flattening layer currently on the market.
  • a relatively thick adhesive layer for example, a thickness of 30 ⁇ m or less
  • the flattening layer in the region from the edge of the peripheral display region to the inside is displayed in the center of the display region. It may be thinner than the area.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL display device having a thin film sealing structure in which the occurrence of display defects due to an external force is suppressed.
  • An organic EL display device having a plurality of pixels.
  • An element substrate having a substrate, a plurality of organic EL elements supported by the substrate, each having a plurality of organic EL elements arranged in each of the plurality of pixels, and a thin film seal covering the plurality of pixels.
  • the thin film sealing structure has a first inorganic barrier layer and an organic barrier layer in contact with the upper surface or the lower surface of the first inorganic barrier layer.
  • the element substrate further includes a bank layer that defines each of the plurality of pixels, and a plurality of spacers that are arranged in the gaps between the plurality of pixels.
  • the organic EL display device in which the plurality of spacers are arranged at a higher density than the central display area in the display area in the peripheral display area in the display area in which the plurality of pixels are arranged.
  • each of the plurality of organic EL elements has a lower electrode, an organic layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the organic layer, and the bank layer is the lower electrode.
  • the plurality of spacers may be formed on the bank layer via the upper electrode.
  • the organic barrier layer of the thin film sealing structure is in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer and has a plurality of discretely distributed solid portions, and the thin film sealing structure is the first.
  • the organic EL display device according to any one of items 1 to 5, further comprising a second inorganic barrier layer in contact with the upper surface of the inorganic barrier layer and the upper surfaces of the plurality of solid portions of the organic barrier layer.
  • an organic EL display device having a thin film sealing structure and a method for manufacturing the same, in which the occurrence of display defects due to an external force is suppressed.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an OLED display device having pixels in a striped arrangement, corresponding to FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an OLED display device in which the spacer has a trapezoidal cross-sectional shape corresponding to FIG.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of an OLED display device having pixels in a striped arrangement, corresponding to FIG. It is a top view which shows typically the structure of the touch sensor layer 50A which the OLED display device by embodiment of this invention can have.
  • the organic EL display device according to the embodiment of the present invention and the manufacturing method thereof will be described with reference to the drawings.
  • an embodiment of the present invention will be described by taking a flexible OLED display device having a touch sensor layer as an example, but the present invention is not limited to the embodiments exemplified below. That is, the organic EL display device according to the embodiment of the present invention does not need to have a touch sensor layer, and may have, for example, a glass substrate instead of the flexible substrate.
  • FIG. 1A is a schematic partial cross-sectional view of an active region of the OLED display device 100 according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a partial cross-sectional view of a TFE structure 10 formed on the OLED 3.
  • the active area (R1 in FIG. 2) may be a display area.
  • the OLED display device 100 has a plurality of pixels, and each pixel has at least one organic EL element (OLED).
  • OLED organic EL element
  • the OLED display device 100 includes a flexible substrate (hereinafter, may be simply referred to as a “board”) 1, a circuit (backplane) 2 including a TFT formed on the substrate 1, and a circuit. It has an OLED 3 formed on the OLED 3 and a TFE structure 10 formed on the OLED 3.
  • OLED3 is, for example, a top emission type.
  • the uppermost portion of the OLED 3 is, for example, an upper electrode or a cap layer (refractive index adjusting layer).
  • the OLED display device 100 further includes an adhesive layer 42 provided on the thin film sealing structure 10, an inorganic insulating layer 44 covering the adhesive layer 42, and a touch sensor layer 50 arranged on the inorganic insulating layer 44. And have.
  • the adhesive layer 42 is, for example, an adhesive layer.
  • the inorganic insulating layer 44 may be omitted.
  • An optional polarizing plate 4 may be arranged on the touch sensor layer 50.
  • the polarizing plate 4 may be arranged between the TFE structure 10 and the touch sensor layer 50 (for example, between the adhesive layer 42 and the touch sensor layer 50).
  • the polarizing plate 4 is a circular polarizing plate (a laminate of a linear polarizing plate and a ⁇ / 4 plate), and as is well known, plays a role of antireflection. From the viewpoint of antireflection, it is preferable to arrange the polarizing plate 4 on the touch sensor layer 50 as shown in the figure.
  • the substrate 1 is, for example, a polyimide film having a thickness of 15 ⁇ m.
  • the thickness of the circuit 2 including the TFT is, for example, 4 ⁇ m
  • the thickness of the OLED 3 is, for example, 1 ⁇ m
  • the thickness of the TFE structure 10 is, for example, 1.5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the adhesive layer 42 is, for example, 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, and preferably 25 ⁇ m or less.
  • Inorganic insulating layer 44 is, for example, SiN layer (e.g., Si 3 N 4 layers).
  • the thickness of the SiN layer is, for example, 200 nm or more and 1000 nm or less.
  • FIG. 1B is a partial cross-sectional view of the TFE structure 10 formed on the OLED3.
  • a first inorganic barrier layer (for example, SiN layer) 12 is formed directly above the OLED 3, and an organic barrier layer (for example, an acrylic resin layer) 14 is formed on the first inorganic barrier layer 12, and the organic barrier layer 14 is formed.
  • a second inorganic barrier layer (for example, SiN layer) 16 is formed on the surface.
  • the organic barrier layer 14 has a plurality of solid portions that are in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer 12 and are distributed discretely.
  • the “solid portion” refers to a portion of the organic barrier layer 14 in which an organic film (for example, a photocurable resin film) actually exists. On the contrary, the part where the organic film does not exist is called a non-solid part. The non-solid part surrounded by the solid part is sometimes called an opening.
  • the second inorganic barrier layer 16 is in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer 12 and the upper surfaces of the plurality of solid portions of the organic barrier layer 14. That is, the second inorganic barrier layer 16 is in direct contact with the first inorganic barrier layer 12 in the non-solid portion of the organic barrier layer 14.
  • the TFE structure 10 is formed so as to protect the active region of the OLED display device 100 (see the active region R1 in FIG. 2). Further, the non-solid portion of the organic barrier layer 14 includes at least a continuous portion so as to surround the active region R1, and the active region R1 includes the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16. It is completely surrounded by a part that is in direct contact (hereinafter referred to as "inorganic barrier layer joint"). Therefore, the solid part of the organic barrier layer 14 does not serve as a water pathway.
  • the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are, for example, a SiN layer having a thickness of 400 nm, and the organic barrier layer 14 is, for example, an acrylic resin layer having a thickness of less than 100 nm.
  • the thickness of the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are independently, for example, 200 nm or more and 1500 nm or less, and preferably 1000 nm or less.
  • the thickness of the organic barrier layer 14 is, for example, 10 nm or more and less than 500 nm, and preferably 50 nm or more and less than 300 nm. If it is less than 10 nm, the effect of the organic barrier layer 14 may not be sufficiently exhibited, and conversely, if it is 500 nm or more, the effect of the organic barrier layer 14 is saturated, but the manufacturing cost increases.
  • the thickness of the organic barrier layer 14 refers to the thickness of the first inorganic barrier layer 12 in a flat portion where the surface is flat. Since the liquid film of the photocurable resin used for forming the organic barrier layer 14 forms a flat (horizontal) surface, if there is a recess in the base, the thickness of the liquid film in that portion becomes large. .. Further, since the liquid film forms a curved surface due to surface tension (including the capillary phenomenon), the thickness of the liquid film around the convex portion increases. Such a locally increased thickness portion may exceed 500 nm.
  • the thickness of the TFE structure 10 is preferably 400 nm or more and less than 2 ⁇ m, and more preferably 400 nm or more and less than 1.5 ⁇ m.
  • a TFE structure having a relatively thick organic barrier layer having a thickness of 5 ⁇ m or more and also serving as a flattening layer is in contact with the lower surface of the first inorganic barrier layer. It can also be used.
  • an inorganic barrier layer in contact with the lower surface of the organic barrier layer may be further provided (that is, the relatively thin organic barrier layer in the above TFE structure 10 may be replaced with a relatively thick organic barrier layer).
  • the thickness of the organic barrier layer is preferably 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less when formed by using, for example, a general inkjet method.
  • the thickness of the relatively thick organic barrier layer that also serves as the flattening layer formed by the inkjet method tends to be smaller in the peripheral display area than in the central display area. Therefore, in the peripheral display region, the thickness of the thin film sealing structure may be thinner than the design value (typically, the thickness of the central display region).
  • the adhesive layer can sufficiently absorb / disperse the external force received by the touch sensor layer. When this is not possible, the external force is directly transmitted to the OLED element, especially in the peripheral display area where the flattening layer is thinned. This is considered to be the cause of the display failure. Further, it is also conceivable that the adhesive layer in the peripheral display area is thinner than the adhesive layer in the central display area by fixing the OLED display panel to the frame of the housing.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing the structure (TFE structure 10 or less) of the OLED display device 100 according to the embodiment of the present invention.
  • the circuit 2 formed on the substrate 1 includes a plurality of TFTs (not shown), a plurality of gate bus lines (not shown) and a plurality of sources each connected to any of the plurality of TFTs (not shown). It has a bus line (not shown).
  • the circuit 2 may be a known circuit for driving a plurality of OLEDs 3.
  • the plurality of OLEDs 3 are connected to any of the plurality of TFTs included in the circuit 2.
  • the OLED 3 may also be a known OLED.
  • the circuit 2 further includes a plurality of terminals 24 arranged in a peripheral area R2 outside the active area (area surrounded by a broken line in FIG. 2) R1 in which a plurality of OLEDs 3 are arranged, and a plurality of terminals 24. It has a plurality of leader wires 22 that connect to either a plurality of gate bus lines or a plurality of source bus lines.
  • the entire circuit 2 including a plurality of TFTs, a plurality of gate bus lines, a plurality of source bus lines, a plurality of leader wires 22, and a plurality of terminals 24 may be referred to as a drive circuit layer 2.
  • the drawer wiring 22 and / or the terminal 24 may be shown as a component of the drive circuit layer 2, but the drive circuit layer 2 is only a conductive layer including the drawer wiring 22 and the terminal 24. However, it has one or more conductive layers, one or more insulating layers, and one or more semiconductor layers. Further, an insulating film (base coat) may be formed on the substrate 1 as a base film of the drive circuit layer 2.
  • the TFE structure 10 is formed so as to protect the active region R1.
  • the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are, for example, SiN layers, and are selectively formed only in a predetermined region so as to cover the active region R1 by a plasma CVD method using a mask.
  • the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are independently and selectively formed on the active region R1 and on the portion of the plurality of drawer wirings 22 on the active region R1 side.
  • the second inorganic barrier layer 16 may be the same as the first inorganic barrier layer 12 (the outer edges match) or may be formed so as to cover the entire first inorganic barrier layer 12. preferable.
  • the periphery of the active region R1 is surrounded by an inorganic barrier layer joint portion in which the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are in direct contact with each other.
  • the organic barrier layer 14 can be formed, for example, by the method described in Patent Document 1 or 2 above.
  • a vapor or atomized organic material eg, an acrylic monomer
  • the first inorganic barrier layer 12 is unevenly distributed at the boundary between the side surface of the convex portion and the flat portion.
  • a solid portion of the organic barrier layer for example, an acrylic resin layer
  • the organic barrier layer 14 formed by this method has substantially no solid portion in the flat portion.
  • the disclosure contents of Patent Documents 1 and 2 are incorporated herein by reference.
  • the organic barrier layer 14 can also be formed by adjusting the initial thickness of the resin layer (eg, less than 100 nm) and / or by ashing the resin layer once formed.
  • the ashing procedure can be performed, for example, by plasma ashing with at least one gas of N 2 O, O 2 and O 3 .
  • the thickness of such an unevenly distributed organic barrier layer 14 can be evaluated by an average value.
  • a method of forming a TFE structure 10 having a relatively thin organic barrier layer 14 has been described, but as described above, for example, a comparison using an inkjet method to also serve as a flattening layer having a thickness of 5 ⁇ m or more.
  • a TFE structure having a thick organic barrier layer may be formed.
  • the element substrate is a bank layer (“PDL (Pixel)” that defines each of a plurality of pixels. It is sometimes called "Defining Layer)”) and has a plurality of spacers arranged in the gaps between a plurality of pixels.
  • the bank layer may be formed as a continuous layer on the entire surface of the display area R1.
  • the plurality of spacers are formed, for example, on the bank layer.
  • the plurality of spacers arranged in the gaps between the plurality of pixels are formed, for example, on a bank layer that defines each of the plurality of pixels (see FIGS. 3A and 3B).
  • the plurality of spacers are arranged at a higher density than the central display area R1c in the display area R1 in the peripheral display area R1p in the display area R1 in which the plurality of pixels are arranged.
  • the width of the peripheral display area R1p is preferably 5% or more and 15% or less of the length of the display area R1 in the corresponding direction. That is, the width of the peripheral display area R1p in the horizontal direction is preferably 5% or more and 15% or less of the length of the display area R1 in the horizontal direction, and the width of the peripheral display area R1p in the vertical direction is the display in the vertical direction. It is preferably 5% or more and 15% or less of the length of the region R1.
  • the number of pixels arranged along the width direction of the peripheral display area R1p is preferably 50 or more and 200 or less in both the horizontal direction and the vertical direction.
  • the number of pixels arranged along the width direction of the peripheral display area R1p may vary depending on the resolution of the display device. For example, in the case of the short side direction of a display device having a resolution of WQHD (2560 pixels ⁇ 1440 pixels), the range of 72 pixels to 216 pixels from the outer edge of the display area R1 is the peripheral display area R1p.
  • FIG. 3A and 3B show an example of the arrangement of the pixels (R, G, B) and the spacer 35 of the OLED display device 100 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3A shows an example of the arrangement of the pixels and the spacer 35 in the central display area R1c
  • FIG. 3B shows an example of the arrangement of the pixels and the spacer 35 in the peripheral display area R1p.
  • a unit for displaying each primary color (for example, red, green, blue) is referred to as a pixel.
  • a color display unit composed of a plurality of primary color pixels is called a color display pixel.
  • the color display pixel is composed of, for example, three pixels (striped arrangement) of R, G, and B, or four pixels (diamond pen tile) of R, G, G, and B. It should be noted that the definition in which "pixel" is a sub-pixel and "color display pixel" is a pixel in the present specification is also known.
  • the pixel arrangement is a diamond pen tile arrangement, and the R pixel and the B pixel are arranged so as to surround the G pixel.
  • a diamond pen tile array in which B pixels and G pixels are arranged so as to surround an R pixel is also known.
  • the spacer 35 is preferably about 50% to 100% of the area of the smallest pixel (G pixel in the case of FIGS. 3A and 3B) among the three pixels of R, G, and B.
  • the arrangement location is preferably located near each of the two relatively large pixels (R pixel and B pixel in the case of FIGS. 3A and 3B) (that is, between these two pixels).
  • the spacer 35 in FIG. 3A, one spacer 35 is arranged in four pixels, whereas in FIG. 3B, one spacer 35 is arranged in two pixels. That is, the arrangement density of the spacer 35 in the peripheral display area R1p (FIG. 3B) is twice the arrangement density of the spacer 35 in the central display area R1c (FIG. 3A). As described above, in the OLED display device 100 according to the embodiment of the present invention, the spacers 35 are arranged in the peripheral display area R1p at a higher density than the central display area R1c.
  • the arrangement densities of the spacers 35 in each of the peripheral display area R1p and the central display area R1c are appropriately set according to the definition of pixels, the application of the display device, and the like, but typically, the peripheral display area R1p of the spacer 35 is set. Is preferably at least twice the density in the central display region R1c.
  • the arrangement density of the spacer 35 in the central display area R1c may be one for each color display pixel or less. That is, one spacer 35 may be arranged for two or more color display pixels. In such a case, the arrangement density of the spacer 35 in the peripheral display area R1p may be four times or more the arrangement density of the spacer 35 in the central display area R1c.
  • the diameter of the spacer 35 (diameter equivalent to an area circle when viewed from the normal direction of the substrate) is preferably 5 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the diameter of the spacer 35 is preferably smaller than the distance between adjacent pixels, and is preferably formed to a size that does not affect the pixel definition by the bank layer 33.
  • the spacer 35 preferably has a diameter of at least 5 ⁇ m or more in order to secure resistance to a local external force, and the ratio of the diameter to the height (aspect ratio, height: diameter) is preferably about 1: 2. ..
  • the shape of the spacer 35 when viewed from the normal direction of the substrate may be circular as shown in FIGS. 3A and 3B, and may be any shape without limitation. However, when the substrate normal is the axis of symmetry, it is preferable to have symmetry of 4 rotations or more, and a regular quadrangle, a regular hexagon, a regular octagon, and a circle are preferable.
  • the pixel arrangement shown in FIGS. 3A and 3B is a diamond pen tile arrangement, but the pixel arrangement of the organic EL display device according to the embodiment of the present invention is not particularly limited. For example, it can be applied to a known pixel arrangement such as a diamond arrangement, a stripe arrangement, or a zigzag arrangement.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the broken line IV-IV'in FIGS. 3A and 3B of the OLED display device 100.
  • FIG. 4 shows a TFT 2T included in a circuit (backplane) formed on the substrate 1 and an OLED 3 formed on the circuit.
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • oxide TFT for example, In (indium), Ga (gallium), Zn
  • quaternary oxide TFT containing (zinc) and O (oxygen) is preferably used. Since the structures and manufacturing methods of LTPS-TFTs and In-Ga-Zn-O-based TFTs are well known, only a brief description will be given below.
  • the TFT 2T can be included in the circuit 2 of the OLED display device 100.
  • the LTPS-TFT2T is a top gate type TFT.
  • the TFT 2T is formed on a substrate (for example, a polyimide film) 1. Although not shown in FIG. 4, it is preferable to form a base coat formed of an inorganic insulator on the substrate 1.
  • the TFT 2T includes a polysilicon layer 2se formed on the substrate 1 or the base coat, a gate insulating layer 2gi formed on the polysilicon layer 2se, a gate electrode 2g formed on the gate insulating layer 2gi, and a gate electrode 2g. It has an interlayer insulating layer 2i formed above, and a source electrode 2ss and a drain electrode 2sd formed on the interlayer insulating layer 2i. The source electrode 2ss and the drain electrode 2sd are connected to the source region and the drain region of the polysilicon layer 2se, respectively, in the contact holes formed in the interlayer insulating layer 2i and the gate insulating layer 2gi.
  • the gate electrode 2g is included in the same gate metal layer as the gate bus line, and the source electrode 2ss and the drain electrode 2sd are included in the same source metal layer as the source bus line.
  • Drawer wiring and terminals can be formed using the gate metal layer and the source metal layer. Further, the wiring 2W can be formed by using a third metal layer different from the gate metal layer and the source metal layer.
  • the OLED 3 is formed on the flattening layer (for example, organic resin layer) 2ip that covers them.
  • the OLED 3 includes a lower electrode 32, an organic layer 34 formed on the lower electrode 32, and an upper electrode 36 formed on the organic layer 34.
  • the lower electrode 32 and the upper electrode 36 form, for example, an anode and a cathode, respectively.
  • the upper electrode 36 is a common electrode formed over a plurality of pixels in the display area.
  • the lower electrode (pixel electrode) 32 is formed for each pixel.
  • the lower electrode 32 is formed on the flattening layer 2ip, and is connected to the drain electrode 2sd in the through hole formed on the flattening layer 2ip.
  • the bank layer 33 is formed between the lower electrode 32 and the organic layer 34 so as to cover the peripheral portion of the lower electrode 32. If the bank layer 33 is present between the lower electrode 32 and the organic layer 34, holes are not injected from the lower electrode 32 into the organic layer 34. Therefore, since the region where the bank layer 33 exists does not function as a pixel, the bank layer 33 defines the outer edge of the pixel.
  • a plurality of spacers 35a are arranged in the gaps between the plurality of pixels, and the plurality of spacers 35a are formed on the bank layer 33.
  • the spacer 35a illustrated here has a substantially hemispherical cross-sectional shape on the surface including the normal of the substrate 1.
  • the plurality of spacers 35a are formed on the bank layer 33 via the upper electrode 36. You may.
  • the height hs1 of the spacer 35a is, for example, 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less.
  • the thickness hb1 of the bank layer 33 is, for example, 1 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less.
  • the height hs1 of the spacer 35a is preferably larger than the thickness hb1 of the bank layer 33.
  • the sum of the height hs1 of the spacer 35a and the thickness hb1 of the bank layer 33 is preferably 4 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less. If the sum of hs1 and hb1 is smaller than this, sufficient external force resistance may not be obtained, and if the sum of hs1 and hb1 is larger than this, the gap between the vapor deposition mask and the element substrate becomes large. Therefore, the accuracy of the vapor deposition pattern may decrease. If a highly directional vapor deposition method is adopted, the accuracy of the vapor deposition pattern can be improved even when the sum of hs1 and hb1 exceeds 8 ⁇ m.
  • the spacer 35 is formed on the bank layer 33 having a thickness of hb1, the height of the spacer 35a is increased rather than forming a further spacer having a thickness of hb1 on the spacers 35a arranged discretely. This has the advantage that the thickness (height) can be controlled accurately. Furthermore, the advantage of high resistance to external force can be obtained.
  • the bank layer 33 is formed by applying a liquid photosensitive resin material on the element substrate on which the lower electrode 32 is formed, and then patterning the photosensitive resin material by a photolithography process.
  • the bank layer 33 is formed so as to expose the central portion of the lower electrode 32 and cover the peripheral portion of the lower electrode 22.
  • the photosensitive resin material preferably contains an acrylic resin or a polyamide resin. Polyimide can also be used.
  • the bank layer 33 By controlling the wettability and viscosity of the photosensitive resin material with respect to the surface of the element substrate, the bank layer 33 having a thickness of 1 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less can be formed.
  • the spacer 35a is preferably formed of a negative resist or a photocurable resin, for example, an ultraviolet curable acrylic resin. High dimensional accuracy can be obtained by using a negative resist or a photocurable resin. As described above, the height hs1 of the spacer 35a is, for example, 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less.
  • the OLED display device can be modified in various ways.
  • the OLED display device may have a cross-sectional structure as shown in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an OLED display device corresponding to FIG. 4 and having pixels in a striped arrangement.
  • the bank layer 33 may have a plurality of striped bank rows along the pixel arrangement, for example.
  • the cross-sectional shape of the spacer 35 is not limited to the substantially hemispherical shape illustrated above, and can be changed as appropriate.
  • the spacer 35b may have a trapezoidal cross-sectional shape.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of an OLED display device corresponding to FIG. 4 and the spacer 35b has a trapezoidal cross-sectional shape
  • FIG. 7 is an OLED display device corresponding to FIG. 6 and having pixels in a striped arrangement. It is a schematic cross-sectional view of.
  • the touch sensor layer 50 included in the OLED display device 100 may be a known touch sensor layer.
  • it may be a resistance film type or a projection type capacitance type touch sensor layer.
  • the structures of the touch sensor layer 50A and the touch sensor layer 50B preferably used in the OLED display device 100 will be described with reference to FIGS. 8A, 8B, 9A and 9B.
  • FIG. 8A is a schematic plan view of the touch sensor layer 50A
  • FIG. 8B is a cross-sectional view of a portion including the touch sensor layer 50A.
  • the touch sensor layer 50A is formed on the inorganic insulating layer 44 formed on the adhesive layer 42.
  • the adhesive layer 42 is, for example, an adhesive layer.
  • the touch sensor layer 50A has a plurality of X electrodes 52A extending in the X direction and a plurality of Y electrodes 54A extending in the Y direction orthogonal to the X direction. Both the X electrode 52A and the Y electrode 54A are formed of a metal mesh.
  • the minimum unit of the metal mesh is, for example, a square of 35 ⁇ m ⁇ 35 ⁇ m, and a plurality of these are assembled to form a unit electrode of a square of, for example, 3 mm ⁇ 3 mm, and the unit electrodes are in the X direction or the Y direction, respectively, depending on the wiring. It is connected to the.
  • the portions where the wirings intersect are insulated from each other by, for example, an inorganic insulating layer (SiN layer) (not shown).
  • the metal mesh has, for example, a laminated structure of a Ti layer and an Al layer, or a laminated structure of a Ti layer / Al layer / Ti layer.
  • FIG. 9A is a schematic plan view of the touch sensor layer 50B
  • FIG. 9B is a cross-sectional view of a portion including the touch sensor layer 50B.
  • the touch sensor layer 50B is formed on the inorganic insulating layer 44 formed on the adhesive layer 42.
  • the X electrode 52B and the Y electrode 54B of the touch sensor layer 50B are both formed of a transparent conductive layer (for example, an ITO layer), and are insulated from each other by an inorganic insulating layer (for example, a SiN layer) 53B. From the viewpoint of light transmittance, the touch sensor layer 50A is more advantageous.
  • the touch sensor layer has a metal mesh layer
  • the relatively flexible adhesive layer 42 is deformed and the electrodes of the touch sensor layer 50 are thinned.
  • a strong local external force is applied to the upper part of the OLED 3 via the above, and between a plurality of layers constituting the organic EL element (for example, between the electrode and the organic layer and / or a light emitting layer constituting the organic layer).
  • the charge transport layer may cause delamination.
  • the spacer 35 disperses the external force or the spacer 35 absorbs the external force by plastic deformation (buckling), and as a result, delamination is effectively suppressed. , Can be prevented.
  • the spacer 35 can disperse the external force applied to the OLED 3 through the adhesive layer 42.
  • the spacer 35 can absorb an external force, for example, by plastically deforming (buckling) due to an external force.
  • a polyimide film is formed on a support substrate (for example, a glass substrate), and the polyimide film on the support substrate is formed as the substrate 1.
  • the OLED display device having the touch sensor layer 50A or 50B illustrated here can be obtained by forming the touch sensor layer 50A or 50B and then peeling the polyimide film from the support substrate.
  • an adhesive layer 42 is provided on a touch sensor member on which the touch sensor layer 50A or 50B and the inorganic insulating layer 44 are formed, and this is attached to an element substrate on which the TFE structure 10 is formed, and then a polyimide film is formed from the support substrate. To peel off.
  • the embodiment of the present invention is suitably used for an organic EL display device, particularly a flexible organic EL display device.
  • 1 Flexible substrate
  • 2 Back plane (circuit)
  • 3 Organic EL element
  • 4 Plate plate
  • 10 Thin film sealing structure (TFE structure)
  • 12 First inorganic barrier layer
  • 14 Organic barrier layer
  • 16 Second inorganic barrier layer
  • 32 lower electrode
  • 33 bank layer
  • 34 organic layer (organic EL layer)
  • 35 spacer
  • 36 upper electrode
  • 100 organic EL display device

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Abstract

有機ＥＬ表示装置（１００）は、複数の画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、基板と、基板に支持された複数の有機ＥＬ素子（３）であって、それぞれが複数の画素のそれぞれに配置された複数の有機ＥＬ素子とを有する素子基板（１）と、複数の画素を覆う薄膜封止構造（１０）とを有し、薄膜封止構造は、第１無機バリア層（１２）と、第１無機バリア層の上面または下面に接する有機バリア層（１４）とを有し、素子基板は、複数の画素のそれぞれを規定するバンク層（３３）と、複数の画素の間隙に配置された複数のスペーサ（３５）とをさらに有し、複数のスペーサ（３５）は、複数の画素が配列された表示領域内の周辺表示領域において、表示領域内の中央表示領域よりも高い密度で配置されている。

Description

有機ＥＬ表示装置
　本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
　有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が実用化され始めた。有機ＥＬ表示装置の特徴の１つにフレキシブルな表示装置が得られる点が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）と、各ＯＬＥＤに供給される電流を制御する少なくとも１つのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを有する。以下、有機ＥＬ表示装置をＯＬＥＤ表示装置と呼ぶことにする。このようにＯＬＥＤごとにＴＦＴなどのスイッチング素子を有するＯＬＥＤ表示装置は、アクティブマトリクス型ＯＬＥＤ表示装置と呼ばれる。また、ＴＦＴおよびＯＬＥＤが形成された基板を素子基板ということにする。
　ＯＬＥＤ（特に有機発光層および陰極電極材料）は、水分の影響を受けて劣化しやすく、表示むらを生じやすい。ＯＬＥＤを水分から保護するとともに、柔軟性を損なわない封止構造を提供する技術として、薄膜封止（Thin Film Encapsulation：ＴＦＥ）技術が開発されている。薄膜封止技術は、無機バリア層と有機バリア層とを交互に積層することによって、薄膜で十分な水蒸気バリア性を得ようとするものである。ＯＬＥＤ表示装置の耐湿信頼性の観点から、薄膜封止構造のＷＶＴＲ（Water Vapor Transmission Rate）としては、典型的には１×１０-4ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下が求められている。
　現在市販されているＯＬＥＤ表示装置に使われている薄膜封止構造は、厚さが約５μｍ～約２０μｍの有機バリア層（高分子バリア層）を有している。このように比較的厚い有機バリア層は、素子基板の表面を平坦化する役割も担っている。しかしながら、有機バリア層が厚いと、ＯＬＥＤ表示装置の屈曲性が制限されるという問題がある。
　また、特許文献１および２には、偏在した樹脂で構成された有機バリア層を有する薄膜封止構造が記載されている。特許文献１または２に記載の薄膜封止構造は、厚い有機バリア層を有しない。従って、特許文献１または２に記載の薄膜封止構造を用いるとＯＬＥＤ表示装置の屈曲性が改善されると考えられる。
　特許文献１には、第１の無機材料層（第１無機バリア層）、第１の樹脂材、および第２の無機材料層（第２無機バリア層）を素子基板側からこの順で形成する際に、第１の樹脂材を第１の無機材料層の凸部（凸部を被覆した第１の無機材料層）の周囲に偏在させた薄膜封止構造が開示されている。特許文献１によると、第１の無機材料層によって十分に被覆されないおそれのある凸部の周囲に第１の樹脂材を偏在させることによって、その部分からの水分や酸素の侵入が抑制される。また、第１の樹脂材が第２の無機材料層の下地層として機能することで、第２の無機材料層が適正に成膜され、第１の無機材料層の側面を所期の膜厚で適切に被覆することが可能になる。第１の樹脂材は次の様にして形成される。加熱気化させたミスト状の有機材料を、室温以下の温度に維持された素子基板上に供給し、基板上で有機材料が凝縮し、滴状化する。滴状化した有機材料が、毛細管現象または表面張力によって、基板上を移動し、第１の無機材料層の凸部の側面と基板表面との境界部に偏在する。その後、有機材料を硬化させることによって、境界部に第１の樹脂材が形成される。特許文献２にも同様の薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置が開示されている。
国際公開第２０１４／１９６１３７号 特開２０１６－３９１２０号公報
　しかしながら、本発明者の検討によると、薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置は、局所的な外力によって、表示不良が発生するという問題があることがわかった。この問題は、ＯＬＥＤ表示装置に、例えば、表示面を指で押すことによって、局所的な外力がかかったとき、有機ＥＬ素子を構成する複数の層の間（例えば、電極と有機層との間、および／または、有機層を構成する発光層と電荷輸送層との間）で層間剥離が生じるためと考えられる。タッチセンサ層を有するＯＬＥＤ表示装置においては、表示面を強い力で押すと、タッチセンサ層とＯＬＥＤ素子との間の粘着層および薄膜封止構造が局所的に変形する。このとき、粘着層および薄膜封止構造が薄いと、タッチセンサ層が受けた外力を粘着層および薄膜封止構造が十分に吸収／分散することができず、その結果、外力がＯＬＥＤ素子に直接的に伝わるためと考えられる。この表示不良は、表示領域内の周辺領域（「周辺表示領域」という。）において発生しやすいことがわかった。
　この問題は、現在市販されている平坦化層を兼ねる比較的厚い（例えば厚さが５μｍ以上）有機バリア層を有する薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置において発生しやすい。平坦化層が比較的厚い薄膜封止構造を採用する場合、ＯＬＥＤ装置全体の厚さを抑えるために、比較的薄い（例えば厚さが３０μｍ以下）粘着層を用いることがある。また、比較的厚い平坦化層を、インクジェット法を用いて付与した液状樹脂を硬化させることによって形成すると、周辺表示領域の端部からやや内側にかけての領域の平坦化層が表示領域内の中央表示領域に比べて薄くなることがある。これらの結果として、周辺表示領域近傍において、タッチセンサ層からＯＬＥＤ素子までの膜厚方向の距離が短くなってしまい、タッチセンサ層が受けた外力を粘着層および薄膜封止構造が十分に吸収／分散できないことに起因していると考えられる。また、ＯＬＥＤ表示パネルを筺体のフレームに固定することによって、周辺領域が受ける外力の応力も影響していると考えられる。もちろん、特許文献１または２に記載の方法で製造された、偏在した樹脂（「中実部」ということがある。）で構成された有機バリア層を含む薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置においても同様の問題が生じるおそれがある。
　本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、外力による表示不良の発生が抑制された、薄膜封止構造を備える有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
　本発明の実施形態によると、以下の項目に記載の解決手段が提供される。
［項目１］
　複数の画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、
　基板と、前記基板に支持された複数の有機ＥＬ素子であって、それぞれが前記複数の画素のそれぞれに配置された複数の有機ＥＬ素子とを有する素子基板と、前記複数の画素を覆う薄膜封止構造とを有し、
　前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面または下面に接する有機バリア層とを有し、
　前記素子基板は、前記複数の画素のそれぞれを規定するバンク層と、前記複数の画素の間隙に配置された複数のスペーサとをさらに有し、
　前記複数のスペーサは、前記複数の画素が配列された表示領域内の周辺表示領域において、前記表示領域内の中央表示領域よりも高い密度で配置されている、有機ＥＬ表示装置。
［項目２］
　前記複数のスペーサは、前記表示領域内において、前記バンク層上に形成されている、項目１に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記複数のスペーサは、例えば、前記バンク層の表面に直接接触するように形成され得る。あるいは、前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれが、下部電極と、前記下部電極上に形成された有機層と、前記有機層上に形成された上部電極とを有し、前記バンク層は前記下部電極と前記有機層との間に、前記下部電極の周辺部分を覆う様に形成されているとき、前記複数のスペーサは、前記上部電極を介して前記バンク層上に形成されてもよい。
［項目３］
　前記複数のスペーサの前記周辺表示領域における密度は、前記中央表示領域における密度の２倍以上である、項目１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目４］
　前記複数のスペーサの高さは、前記バンク層の厚さよりも大きい、項目１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目５］
　前記基板の法線方向から見たときの前記複数のスペーサの面積円相当径は５μｍ以上３０μｍ以下である、項目１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目６］
　前記薄膜封止構造が有する前記有機バリア層は、前記第１無機バリア層の前記上面に接し、かつ、離散的に分布する複数の中実部を有し、前記薄膜封止構造は、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の前記複数の中実部の上面に接する第２無機バリア層をさらに有する、項目１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目７］
　前記薄膜封止構造が有する前記有機バリア層は、前記第１無機バリア層の前記下面に接し、厚さが５μｍ以上の平坦化層を兼ねる、項目１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目８］
　前記薄膜封止構造の上に設けられたタッチセンサ層をさらに有する、項目１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目９］
　前記タッチセンサ層は、金属メッシュ層を有し、前記複数のスペーサの面積円相当径は前記金属メッシュ層の最小単位よりも小さい、項目８に記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目１０］
　前記基板は、フレキシブル基板である、項目１から９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目１１］
　前記周辺表示領域の幅は、前記表示領域の対応する方向の長さの５％以上１５％以下である、項目１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
［項目１２］
　前記周辺表示領域の幅方向に沿って配列されている画素の数は、５０個以上２００個以下である、項目１から１１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
　本発明の実施形態によると、外力による表示不良の発生が抑制された、薄膜封止構造を備える有機ＥＬ表示装置およびその製造方法が提供される。
本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域の模式的な部分断面図である。 ＯＬＥＤ表示装置１００のＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。 ＯＬＥＤ表示装置１００の構造（ＴＦＥ構造１０以下）を模式的に示す平面図である。 ＯＬＥＤ表示装置１００の画素およびスペーサの配置の例を示す模式的な平面図であり、中央表示領域Ｒ１ｃを示す図である。 ＯＬＥＤ表示装置１００の画素およびスペーサの配置の例を示す模式的な平面図であり、周辺表示領域Ｒ１ｐを示す図である。 図３Ａおよび図３Ｂ中の破線ＩＶ－ＩＶ'に沿った模式的な断面図である。 図４に対応し、ストライプ配列の画素を有するＯＬＥＤ表示装置の模式的な断面図である。 図４に対応し、スペーサが台形の断面形状を有するＯＬＥＤ表示装置の模式的な断面図である。 図６に対応し、ストライプ配列の画素を有するＯＬＥＤ表示装置の模式的な断面図である。 本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置が有し得るタッチセンサ層５０Ａの構造を模式的に示す平面図である。 本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置が有し得るタッチセンサ層５０Ａの構造を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置が有し得る他のタッチセンサ層５０Ｂの構造を模式的に示す平面図である。 本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置が有し得る他のタッチセンサ層５０Ｂの構造を模式的に示す断面図である。
　以下、図面を参照して、本発明の実施形態による有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を説明する。ここでは、タッチセンサ層を有するフレキシブルＯＬＥＤ表示装置を例に本発明の実施形態を説明するが、以下に例示する実施形態に限定されない。すなわち、本発明の実施形態による有機ＥＬ表示装置は、タッチセンサ層を有する必要はなく、また、フレキシブル基板に代えて、例えばガラス基板を有してもよい。
　図１Ａおよび図１Ｂを参照して、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００の基本的な構成を説明する。図１Ａは、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域の模式的な部分断面図であり、図１Ｂは、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。なお、アクティブ領域（図２中のＲ１）は、表示領域ということもある。
　ＯＬＥＤ表示装置１００は、複数の画素を有し、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を有している。ここでは、簡単のために、１つのＯＬＥＤに対応する構造について説明する。
　図１Ａに示す様に、ＯＬＥＤ表示装置１００は、フレキシブル基板（以下、単に「基板」ということがある。）１と、基板１上に形成されたＴＦＴを含む回路（バックプレーン）２と、回路２上に形成されたＯＬＥＤ３と、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０とを有している。ＯＬＥＤ３は例えばトップエミッションタイプである。ＯＬＥＤ３の最上部は、例えば、上部電極またはキャップ層（屈折率調整層）である。ＯＬＥＤ表示装置１００は、さらに、薄膜封止構造１０の上に設けられた、接着層４２と、接着層４２を覆う無機絶縁層４４と、無機絶縁層４４の上に配置されたタッチセンサ層５０とを有している。接着層４２は例えば粘着層である。無機絶縁層４４は省略してもよい。
　タッチセンサ層５０の上にはオプショナルな偏光板４が配置されてもよい。偏光板４は、ＴＦＥ構造１０とタッチセンサ層５０との間（例えば、接着層４２とタッチセンサ層５０との間）に配置してもよい。偏光板４は、円偏光板（直線偏光板とλ／４板との積層体）であり、よく知られているように、反射防止の役割を果たす。反射防止の観点からは、図示した様に、タッチセンサ層５０の上に偏光板４を配置することが好ましい。
　基板１は、例えば厚さが１５μｍのポリイミドフィルムである。ＴＦＴを含む回路２の厚さは例えば４μｍであり、ＯＬＥＤ３の厚さは例えば１μｍであり、ＴＦＥ構造１０の厚さは例えば１．５μｍ以下である。接着層４２の厚さは例えば１０μｍ以上３０μｍ以下であり、２５μｍ以下であることが好ましい。特に、接着層４２として、厚さが上記範囲の比較的薄い粘着層を好適に用いることができる。無機絶縁層４４は例えばＳｉＮ層（例えばＳｉ3Ｎ4層）である。ＳｉＮ層の厚さは、例えば２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　図１Ｂは、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。ＯＬＥＤ３の直上に第１無機バリア層（例えばＳｉＮ層）１２が形成されており、第１無機バリア層１２の上に有機バリア層（例えばアクリル樹脂層）１４が形成されており、有機バリア層１４の上に第２無機バリア層（例えばＳｉＮ層）１６が形成されている。
　有機バリア層１４は、第１無機バリア層１２の上面に接しかつ離散的に分布する複数の中実部を有する。「中実部」とは、有機バリア層１４の内で、実際に有機膜（例えば、光硬化樹脂膜）が存在している部分を指す。逆に、有機膜が存在しない部分を非中実部という。中実部に包囲された非中実部を開口部ということもある。第２無機バリア層１６は、第１無機バリア層１２の上面および有機バリア層１４の複数の中実部の上面に接する。すなわち、第２無機バリア層１６は、有機バリア層１４の非中実部において、第１無機バリア層１２と直接接触している。
　ＴＦＥ構造１０は、ＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域（図２中のアクティブ領域Ｒ１参照）を保護するように形成されている。また、有機バリア層１４が有する非中実部は、少なくとも、アクティブ領域Ｒ１を包囲するように連続する部分を含み、アクティブ領域Ｒ１は、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触している部分（以下、「無機バリア層接合部」という。）で完全に包囲されている。したがって、有機バリア層１４の中実部が水分の経路となることがない。
　例えば、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、例えば厚さが４００ｎｍのＳｉＮ層であり、有機バリア層１４は例えば厚さが１００ｎｍ未満のアクリル樹脂層である。
　第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６の厚さは、それぞれ独立に、例えば２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であり、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。有機バリア層１４の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満であり、５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であることが好ましい。１０ｎｍ未満であると、有機バリア層１４の効果が十分に発揮されないことがあり、逆に、５００ｎｍ以上になると、有機バリア層１４による効果が飽和するのに対し、製造コストが増大する。
　ここで、有機バリア層１４の厚さは、第１無機バリア層１２の表面が平坦な平坦部における厚さをいう。有機バリア層１４を形成するために用いられる光硬化性樹脂の液膜は、平坦な（水平な）表面を形成するので、下地に凹部があると、その部分の液膜の厚さは大きくなる。また、液膜は、表面張力（毛細管現象を含む）によって曲面を形成するので、凸部の周辺の液膜の厚さが大きくなる。このような局所的に厚さが大きくなった部分は、５００ｎｍを超えてもよい。
　ＴＦＥ構造１０の厚さは４００ｎｍ以上２μｍ未満であることが好ましく、４００ｎｍ以上１．５μｍ未満であることがさらに好ましい。
　上述の比較的薄い有機バリア層を有するＴＦＥ構造１０に代えて、厚さが５μｍ以上の平坦化層を兼ねる比較的厚い有機バリア層を第１無機バリア層の下面に接するように有するＴＦＥ構造を用いることもできる。もちろん、有機バリア層の下面に接する無機バリア層をさらに設けてもよい（すなわち、上記のＴＦＥ構造１０における比較的薄い有機バリア層を比較的厚い有機バリア層に代えてもよい）。このとき、有機バリア層の厚さは、例えば一般的なインクジェット法を用いて形成するとき、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。インクジェット法では、厚さが５μｍ未満の均一な有機バリア層を形成することが難しい。一方、有機バリア層の厚さが２０μｍを超えると、高価な材料の消費量が増えるので、製造コストが高くなる。あるいは、インクジェット法で付与される有機材料を所定の位置にせき止めるための構造（ダム）を高くする必要が生じ、製造プロセスが複雑になる。
　なお、比較的厚い有機バリア層を有するＴＦＥ構造を有するＯＬＥＤ表示装置においては、上述した周辺表示領域における表示不良が発生しやすい。この理由は上述した様に、比較的薄い粘着層を用いることに加えて、周辺表示領域の端部からやや内側にかけての領域の平坦化層が表示領域内の中央表示領域に比べて薄くなりやすく、その結果として周辺表示領域においてタッチパネル層からＯＬＥＤ素子までの膜厚方向の距離が中央表示領域に比べて短くなることに起因していると考えられる。以下に、より具体的に説明する。
　インクジェット法を用いて形成された平坦化層を兼ねる比較的厚い有機バリア層の厚さは、中央表示領域に比べて周辺表示領域の方が小さくなりやすい。そのため、周辺表示領域においては薄膜封止構造の厚さが設計値（典型的には中央表示領域の厚さ）よりも薄くなることがある。このような平坦化層を含む薄膜封止構造の上に、比較的薄い粘着層を用いてタッチパネル層を貼り付けると、タッチセンサ層が受けた外力を粘着層が十分に吸収／分散することができなかったときに、特に平坦化層が薄くなった周辺表示領域において、外力がＯＬＥＤ素子に直接的に伝わってしまう。これが表示不良の原因であると考えられる。さらに、ＯＬＥＤ表示パネルを筺体のフレームに固定することによって、周辺表示領域の粘着層が、中央表示領域の粘着層よりも薄くなっていることも考えられる。
　次に、図２を参照する。図２は、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００の構造（ＴＦＥ構造１０以下）を模式的に示す平面図である。
　基板１上に形成されている回路２は、複数のＴＦＴ（不図示）と、それぞれが複数のＴＦＴ（不図示）のいずれかに接続された複数のゲートバスライン（不図示）および複数のソースバスライン（不図示）とを有している。回路２は、複数のＯＬＥＤ３を駆動するための公知の回路であってよい。複数のＯＬＥＤ３は、回路２が有する複数のＴＦＴのいずれかに接続されている。ＯＬＥＤ３も公知のＯＬＥＤであってよい。
　回路２は、さらに、複数のＯＬＥＤ３が配置されているアクティブ領域（図２中の破線で囲まれた領域）Ｒ１の外側の周辺領域Ｒ２に配置された複数の端子２４と、複数の端子２４と複数のゲートバスラインまたは複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線２２とを有している。複数のＴＦＴ、複数のゲートバスライン、複数のソースバスライン、複数の引出し配線２２および複数の端子２４を含む回路２全体を駆動回路層２ということがある。
　なお、図２等において、駆動回路層２の構成要素として、引出し配線２２および／または端子２４だけを図示することがあるが、駆動回路層２は、引出し配線２２および端子２４を含む導電層だけでなく、さらなる１以上の導電層、１以上の絶縁層および１以上の半導体層を有している。また、基板１上に、駆動回路層２の下地膜として、絶縁膜（ベースコート）が形成されてもよい。
　ＴＦＥ構造１０は、アクティブ領域Ｒ１を保護するように形成されている。第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、例えば、ＳｉＮ層であり、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法で、アクティブ領域Ｒ１を覆うように所定の領域だけに選択的に形成される。ここでは、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、それぞれ独立に、アクティブ領域Ｒ１の上および複数の引出し配線２２のアクティブ領域Ｒ１側の部分の上に選択的に形成される。なお、信頼性の観点からは、第２無機バリア層１６は、第１無機バリア層１２と同じ（外縁が一致する）か、第１無機バリア層１２の全体を覆うように形成されることが好ましい。アクティブ領域Ｒ１の周辺は、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触する無機バリア層接合部によって包囲される。
　有機バリア層１４は、例えば、上記特許文献１または２に記載の方法で形成され得る。例えば、チャンバー内で、蒸気または霧状の有機材料（例えばアクリルモノマー）を、室温以下の温度に維持された素子基板上に供給し、素子基板上で凝縮させ、液状になった有機材料の毛細管現象または表面張力によって、第１無機バリア層１２の凸部の側面と平坦部との境界部に偏在させる。その後、有機材料に例えば紫外線を照射することによって、凸部の周辺の境界部に有機バリア層（例えばアクリル樹脂層）１４の中実部を形成する。この方法によって形成される有機バリア層１４は、平坦部には中実部が実質的に存在しない。有機バリア層の形成方法に関して、特許文献１および２の開示内容を参考のために本明細書に援用する。
　有機バリア層１４はまた、樹脂層の最初の厚さを調整する（例えば、１００ｎｍ未満とする）、および／または、一旦形成した樹脂層をアッシング処理することによって、形成することもできる。アッシング処置は、例えば、Ｎ2Ｏ、Ｏ2およびＯ3の内の少なくとも１種のガスを用いたプラズマアッシングによって行われ得る。なお、このような偏在した有機バリア層１４の厚さは、平均値で評価され得る。
　また、ここでは、比較的薄い有機バリア層１４を有するＴＦＥ構造１０を形成する方法を説明したが、上述した様に、例えばインクジェット法を用いて、厚さが５μｍ以上の平坦化層を兼ねる比較的厚い有機バリア層を有するＴＦＥ構造を形成してもよい。
　本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００において、図３Ａ、３Ｂ、図４～図７を参照して後述するように、素子基板は、複数の画素のそれぞれを規定するバンク層（「ＰＤＬ（Pixel Defining Layer）」と呼ばれることもある。）と、複数の画素の間隙に配置された複数のスペーサとを有している。バンク層は、表示領域Ｒ１の全面に連続した層として形成されてもよい。複数のスペーサは、例えばバンク層上に形成される。複数の画素の間隙に配置された複数のスペーサは、例えば、複数の画素のそれぞれを規定するバンク層上に形成されている（図３Ａおよび図３Ｂ参照）。
　さらに、ある実施形態において、複数のスペーサは、複数の画素が配列された表示領域Ｒ１内の周辺表示領域Ｒ１ｐにおいて、表示領域Ｒ１内の中央表示領域Ｒ１ｃよりも高い密度で配置されている。図２に示す様に、周辺表示領域Ｒ１ｐの幅は、表示領域Ｒ１の対応する方向の長さの５％以上１５％以下であることが好ましい。すなわち、水平方向における周辺表示領域Ｒ１ｐの幅は、水平方向における表示領域Ｒ１の長さの５％以上１５％以下であることが好ましく、垂直方向における周辺表示領域Ｒ１ｐの幅は、垂直方向における表示領域Ｒ１の長さの５％以上１５％以下であることが好ましい。あるいは、周辺表示領域Ｒ１ｐの幅方向に沿って配列されている画素の数は、水平方向および垂直方向のいずれにおいても、５０個以上２００個以下であることが好ましい。周辺表示領域Ｒ１ｐの幅方向に沿って配列されている画素の数は、表示装置の解像度によって変わり得る。例えば、ＷＱＨＤの解像度（２５６０画素×１４４０画素）を有する表示装置の短辺方向の場合、表示領域Ｒ１の外縁から７２画素から２１６画素の範囲が周辺表示領域Ｒ１ｐとなる。
　図３Ａおよび図３Ｂに、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００の画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）およびスペーサ３５の配置の例を示す。図３Ａは中央表示領域Ｒ１ｃにおける画素およびスペーサ３５の配置の例を示しており、図３Ｂは周辺表示領域Ｒ１ｐにおける画素およびスペーサ３５の配置の例を示している。
　本明細書では、図３Ａおよび図３Ｂに示す様に、各原色（例えば、赤、緑、青）を表示する単位を画素と呼ぶ。複数の原色画素で構成されるカラー表示単位をカラー表示画素という。カラー表示画素は、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの画素（ストライプ配列）、または、Ｒ、Ｇ、Ｇ、Ｂの４画素（ダイヤモンドペンタイル）で構成される。なお、本明細書における「画素」をサブ画素とし、「カラー表示画素」を画素とする定義も知られている。
　図３Ａおよび図３Ｂに示す例では、画素配列は、ダイヤモンドペンタイル配列であり、Ｒ画素とＢ画素とがＧ画素を取り囲む様に配列されている。なお、Ｂ画素とＧ画素とがＲ画素を取り囲むように配列されたダイヤモンドペンタイル配列も知られている。
　ダイヤモンドペンタイル配列の場合、スペーサ３５は以下のように配置することが好ましい。スペーサ３５の面積は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの画素のうち、最も小さな画素（図３Ａおよび図３Ｂの場合はＧ画素）の面積の５０％～１００％程度が好ましい。配置場所は、相対的に大きな２つの画素（図３Ａおよび図３Ｂの場合はＲ画素およびＢ画素）のそれぞれに近い箇所（すなわちこれら２つの画素の間）に設置されることが好ましい。
　スペーサ３５の配置密度は、図３Ａでは、４画素に１つのスペーサ３５が配置されているのに対し、図３Ｂでは、２画素に１つのスペーサ３５が配置されている。すなわち、周辺表示領域Ｒ１ｐにおけるスペーサ３５の配置密度（図３Ｂ）は、中央表示領域Ｒ１ｃにおけるスペーサ３５の配置密度（図３Ａ）の２倍である。このように、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００では、スペーサ３５は周辺表示領域Ｒ１ｐにおいて、中央表示領域Ｒ１ｃよりも高い密度で配置されている。周辺表示領域Ｒ１ｐおよび中央表示領域Ｒ１ｃのそれぞれにおけるスペーサ３５の配置密度は、画素の精細度や表示装置の用途等に応じて適宜設定されるが、典型的には、スペーサ３５の周辺表示領域Ｒ１ｐにおける密度は、中央表示領域Ｒ１ｃにおける密度の２倍以上であることが好ましい。
　中央表示領域Ｒ１ｃにおけるスペーサ３５の配置密度は、１つのカラー表示画素に１つ、あるいは、それよりも少なくてもよい。すなわち、２以上のカラー表示画素に対して、１つのスペーサ３５を配置してもよい。このような場合には、周辺表示領域Ｒ１ｐにおけるスペーサ３５の配置密度が、中央表示領域Ｒ１ｃにおけるスペーサ３５の配置密度の４倍以上となることもある。
　スペーサ３５の直径（基板法線方向から見たときの面積円相当径）は、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。スペーサ３５の直径は、隣接する画素間の距離より小さいことが好ましく、さらに、バンク層３３による画素の規定に影響しない大きさで形成することが好ましい。また、スペーサ３５は局所的な外力に対する耐性を確保するために、少なくとも５μｍ以上の直径を有することが好ましく、高さに対する直径の比（アスペクト比、高さ：直径）は１：２程度が好ましい。
　基板法線方向からみたときのスペーサ３５の形状は、図３Ａおよび図３Ｂに示したように、円形であってもよいし、これに限られず、任意の形状であってよい。ただし、基板法線を対称軸としたとき、４回回転以上の対称性を有することが好ましく、正四角形、正六角形、正八角形および円形が好ましい。
　図３Ａおよび図３Ｂに示した画素配列は、ダイヤモンドペンタイル配列であるが、本発明の実施形態による有機ＥＬ表示装置の画素配列は特に限定されない。例えば、ダイヤモンド配列、ストライプ配列、あるいはジグザグ配列など、公知の画素配列に適用できる。
　次に、図４～図７を参照する。
　図４は、ＯＬＥＤ表示装置１００の図３Ａおよび図３Ｂ中の破線ＩＶ－ＩＶ'に沿った模式的な断面図である。図４では、基板１上に形成された回路（バックプレーン）に含まれるＴＦＴ２Ｔと、回路上に形成されたＯＬＥＤ３とを示している。
　ＴＦＴ２Ｔとして、高精細の中小型用ＯＬＥＤ表示装置では、移動度が高い、低温ポリシリコン（「ＬＴＰＳ」と略称する。）ＴＦＴまたは酸化物ＴＦＴ（例えば、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｏ（酸素）を含む４元系（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系）酸化物ＴＦＴ）が好適に用いられる。ＬＴＰＳ－ＴＦＴおよびＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系ＴＦＴの構造および製造方法はよく知られているので、以下では簡単な説明に留める。
　ＴＦＴ２ＴはＯＬＥＤ表示装置１００の回路２に含まれ得る。ＬＴＰＳ－ＴＦＴ２Ｔは、トップゲート型のＴＦＴである。
　ＴＦＴ２Ｔは、基板（例えばポリイミドフィルム）１上に形成されている。図４では図示を省略したが、基板１上には無機絶縁体で形成されたベースコートを形成することが好ましい。
　ＴＦＴ２Ｔは、基板１またはベースコート上に形成されたポリシリコン層２ｓｅと、ポリシリコン層２ｓｅ上に形成されたゲート絶縁層２ｇｉと、ゲート絶縁層２ｇｉ上に形成されたゲート電極２ｇと、ゲート電極２ｇ上に形成された層間絶縁層２ｉと、層間絶縁層２ｉ上に形成されたソース電極２ｓｓおよびドレイン電極２ｓｄとを有している。ソース電極２ｓｓおよびドレイン電極２ｓｄは、層間絶縁層２ｉおよびゲート絶縁層２ｇｉに形成されたコンタクトホール内で、ポリシリコン層２ｓｅのソース領域およびドレイン領域にそれぞれ接続されている。
　ゲート電極２ｇはゲートバスラインと同じゲートメタル層に含まれ、ソース電極２ｓｓおよびドレイン電極２ｓｄはソースバスラインと同じソースメタル層に含まれる。ゲートメタル層およびソースメタル層を用いて、引出し配線および端子が形成され得る。さらに、ゲートメタル層およびソースメタル層と異なる第３のメタル層を用いて配線２Ｗが形成され得る。
　これらを覆う平坦化層（例えば有機樹脂層）２ｉｐの上にＯＬＥＤ３が形成されている。ＯＬＥＤ３は、下部電極３２と、下部電極３２上に形成された有機層３４と、有機層３４上に形成された上部電極３６とを含む。ここでは、下部電極３２および上部電極３６は、例えば、それぞれ陽極および陰極を構成する。上部電極３６は、表示領域の複数の画素全体にわたって形成されている共通の電極である。一方、下部電極（画素電極）３２は画素ごとに形成されている。
　下部電極３２は平坦化層２ｉｐ上に形成されており、平坦化層２ｉｐに形成されたスルーホール内で、ドレイン電極２ｓｄに接続されている。
　バンク層３３は、下部電極３２と有機層３４との間に、下部電極３２の周辺部分を覆う様に形成されている。下部電極３２と有機層３４との間にバンク層３３が存在すると、下部電極３２から有機層３４に正孔が注入されない。従って、バンク層３３が存在する領域は画素として機能しないので、バンク層３３が画素の外縁を規定する。
　複数の画素の間隙に複数のスペーサ３５ａが配置されており、複数のスペーサ３５ａは、バンク層３３上に形成されている。ここで例示するスペーサ３５ａは、基板１の法線を含む面における断面形状がおおむね半球状である。なお、ここでは、複数のスペーサ３５ａがバンク層３０の表面に直接接触するように形成されている例を示したが、複数のスペーサ３５ａは、上部電極３６を介してバンク層３３上に形成されてもよい。
　スペーサ３５ａの高さｈｓ１は、例えば、２μｍ以上４μｍ以下である。バンク層３３の厚さｈｂ１は、例えば１μｍ以上４μｍ以下である。スペーサ３５ａの高さｈｓ１は、バンク層３３の厚さｈｂ１よりも大きいことが好ましい。
　スペーサ３５ａの高さｈｓ１とバンク層３３の厚さｈｂ１との和は、４μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。ｈｓ１とｈｂ１との和がこれよりも小さいと、十分な耐外力性が得られないことがあり、ｈｓ１とｈｂ１との和がこれよりも大きいと、蒸着マスクと素子基板との間隙が大きくなるので、蒸着パターンの精度が低下するおそれがある。なお、指向性の高い蒸着法を採用すれば、ｈｓ１とｈｂ１との和が８μｍ超の場合でも、蒸着パターンの精度を向上させることができる。
　厚さがｈｂ１のバンク層３３上にスペーサ３５を形成すると、離散的に配置されたスペーサ３５ａの上に厚さがｈｂ１のさらなるスペーサを形成するよりも、あるいは、スペーサ３５ａの高さを大きくするよりも、厚さ（高さ）の制御を正確にできるという利点が得られる。さらには、外力に対する耐性が高いという利点が得られる。
　バンク層３３は、下部電極３２が形成された素子基板上に、液状の感光性樹脂材料を付与し、その後、感光性樹脂材料をフォトリソグラフィプロセスでパターニングすることによって形成される。バンク層３３は、下部電極３２の中央部を露出し、下部電極２２の周辺部分を覆う様に形成される。感光性樹脂材料は、アクリル樹脂またはポリアミド樹脂を含むことが好ましい。ポリイミドを用いることもできる。
　素子基板の表面に対する感光性樹脂材料の濡れ性や粘度を制御することによって、１μｍ以上４μｍ以下の厚さを有するバンク層３３を形成することができる。
　スペーサ３５ａは、ネガ型レジストまたは光硬化性樹脂、例えば、紫外線硬化性アクリル樹脂で形成することが好ましい。ネガ型レジストまたは光硬化性樹脂を用いると高い寸法精度を得ることができる。スペーサ３５ａの高さｈｓ１は、上述したように、例えば、２μｍ以上４μｍ以下である。
　本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置は種々に改変され得る。例えば、ＯＬＥＤ表示装置の画素がストライプ配列を有する場合、例えば、ＯＬＥＤ表示装置は、図５に示す様な断面構造を有し得る。図５は、図４に対応し、ストライプ配列の画素を有するＯＬＥＤ表示装置の模式的な断面図である。バンク層３３は、例えば、画素配列に沿って、複数のストライプ状のバンク列を有してもよい。
　スペーサ３５の断面形状は、上記で例示した略半球状に限られず、適宜変更され得る。例えば、図６、７に示す様に、スペーサ３５ｂの様に、台形の断面形状を有してもよい。図６は、図４に対応し、スペーサ３５ｂが台形の断面形状を有するＯＬＥＤ表示装置の模式的な断面図であり、図７は、図６に対応し、ストライプ配列の画素を有するＯＬＥＤ表示装置の模式的な断面図である。
　本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００が有するタッチセンサ層５０は、公知のタッチセンサ層であってよい。例えば、抵抗膜方式や投影型静電容量方式のタッチセンサ層であってよい。図８Ａ、図８Ｂ、図９Ａおよび図９Ｂを参照して、ＯＬＥＤ表示装置１００に好適に用いられるタッチセンサ層５０Ａおよびタッチセンサ層５０Ｂの構造を説明する。
　図８Ａは、タッチセンサ層５０Ａの模式的な平面図であり、図８Ｂはタッチセンサ層５０Ａを含む部分の断面図である。タッチセンサ層５０Ａは、接着層４２上に形成された無機絶縁層４４上に形成されている。接着層４２は例えば粘着層である。
　タッチセンサ層５０Ａは、Ｘ方向に延びる複数のＸ電極５２Ａと、Ｘ方向に直交するＹ方向に延びる複数のＹ電極５４Ａとを有している。Ｘ電極５２ＡおよびＹ電極５４Ａはいずれも金属メッシュで形成されている。金属メッシュの最小単位は、例えば、３５μｍ×３５μｍの正方形であり、これらが複数集まって、例えば３ｍｍ×３ｍｍの正方形の単位電極を構成しており、単位電極は配線によってそれぞれ、Ｘ方向またはＹ方向に接続されている。配線が交差する部分は、例えば無機絶縁層（ＳｉＮ層）で互いに絶縁されている(不図示）。金属メッシュは例えばＴｉ層とＡｌ層との積層構造、または、Ｔｉ層／Ａｌ層／Ｔｉ層の積層構造を有している。
　図９Ａは、タッチセンサ層５０Ｂの模式的な平面図であり、図９Ｂはタッチセンサ層５０Ｂを含む部分の断面図である。タッチセンサ層５０Ｂは、接着層４２上に形成された無機絶縁層４４上に形成されている。タッチセンサ層５０Ｂが有するＸ電極５２ＢおよびＹ電極５４Ｂは、いずれも透明導電層（例えばＩＴＯ層）で形成されており、無機絶縁層（例えばＳｉＮ層）５３Ｂで互いに絶縁されている。光の透過率の観点からは、タッチセンサ層５０Ａの方が有利である。
　例示したように、タッチセンサ層が金属メッシュ層を有するとき、複数のスペーサ３５の面積円相当径は金属メッシュ層の最小単位よりも小さいことが好ましい。このような構成を採用することによって、タッチセンサの感度低下を抑制し、および／または、誤動作も抑制することができる。
　ＯＬＥＤ表示装置１００のように粘着層４２で接着されたタッチセンサ層５０を指で押圧すると、比較的柔軟性に富む粘着層４２が変形し、タッチセンサ層５０の電極が薄くなった粘着層４２を介してＯＬＥＤ３の上部に対して局所的な強い外力を与え、有機ＥＬ素子を構成する複数の層の間（例えば、電極と有機層との間、および／または、有機層を構成する発光層と電荷輸送層との間）で層間剥離を生じさせることがある。本発明による実施形態のＯＬＥＤ表示装置は、例えば、スペーサ３５が外力を分散し、または、スペーサ３５が塑性変形（座屈）することによって外力を吸収し、その結果、層間剥離を効果的に抑制、防止することができる。
　また、粘着層のように柔軟性を有しない接着層４２で接着されている場合であっても、接着層４２を介して、ＯＬＥＤ３にかかる外力をスペーサ３５が分散することができる。スペーサ３５は、例えば、外力によって塑性変形（座屈）することによって、外力を吸収することができる。
　なお、フレキシブルなＯＬＥＤ表示装置１００は、支持基板（例えばガラス基板）上に例えばポリイミド膜を形成し、支持基板上のポリイミド膜を基板１として形成される。ここで例示したタッチセンサ層５０Ａまたは５０Ｂを有するＯＬＥＤ表示装置は、タッチセンサ層５０Ａまたは５０Ｂを形成した後、支持基板からポリイミド膜を剥離することによって得ることができる。
　例えば、タッチセンサ層５０Ａまたは５０Ｂおよび無機絶縁層４４が形成されたタッチセンサ部材に、粘着層４２を設け、これをＴＦＥ構造１０が形成された素子基板に貼り付け、その後、支持基板からポリイミド膜を剥離する。
　本発明の実施形態は、有機ＥＬ表示装置、特にフレキシブルな有機ＥＬ表示装置に好適に用いられる。
　１：フレキシブル基板、　２：バックプレーン（回路）、　３：有機ＥＬ素子、　４：偏光板、　１０：薄膜封止構造（ＴＦＥ構造）、　１２：第１無機バリア層、　１４：有機バリア層、　１６：第２無機バリア層、　３２：下部電極、　３３：バンク層、　３４：有機層（有機ＥＬ層）、　３５：スペーサ、　３６：上部電極、　１００：有機ＥＬ表示装置

Claims (12)

  1. 　複数の画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、
    　基板と、前記基板に支持された複数の有機ＥＬ素子であって、それぞれが前記複数の画素のそれぞれに配置された複数の有機ＥＬ素子とを有する素子基板と、前記複数の画素を覆う薄膜封止構造とを有し、
    　前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面または下面に接する有機バリア層とを有し、
    　前記素子基板は、前記複数の画素のそれぞれを規定するバンク層と、前記複数の画素の間隙に配置された複数のスペーサとをさらに有し、
    　前記複数のスペーサは、前記複数の画素が配列された表示領域内の周辺表示領域において、前記表示領域内の中央表示領域よりも高い密度で配置されている、有機ＥＬ表示装置。
  2. 　前記複数のスペーサは、前記表示領域内において、前記バンク層上に形成されている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 　前記複数のスペーサの前記周辺表示領域における密度は、前記中央表示領域における密度の２倍以上である、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 　前記複数のスペーサの高さは、前記バンク層の厚さよりも大きい、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 　前記基板の法線方向から見たときの前記複数のスペーサの面積円相当径は５μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 　前記薄膜封止構造が有する前記有機バリア層は、前記第１無機バリア層の前記上面に接し、かつ、離散的に分布する複数の中実部を有し、前記薄膜封止構造は、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の前記複数の中実部の上面に接する第２無機バリア層をさらに有する、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 　前記薄膜封止構造が有する前記有機バリア層は、前記第１無機バリア層の前記下面に接し、厚さが５μｍ以上の平坦化層を兼ねる、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  8. 　前記薄膜封止構造の上に設けられたタッチセンサ層をさらに有する、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  9. 　前記タッチセンサ層は、金属メッシュ層を有し、前記複数のスペーサの面積円相当径は前記金属メッシュ層の最小単位よりも小さい、請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
  10. 　前記基板は、フレキシブル基板である、請求項１から９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  11. 　前記周辺表示領域の幅は、前記表示領域の対応する方向の長さの５％以上１５％以下である、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  12. 　前記周辺表示領域の幅方向に沿って配列されている画素の数は、５０個以上２００個以下である、請求項１から１１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
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