CN105590949A - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

公开一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括：具有以矩阵形式限定的多个像素区域的基板；设置在每个像素区域中的薄膜晶体管；阳极，所述阳极与所述薄膜晶体管连接并设置在每个像素区域中；和堤部，所述堤部设置成覆盖所述阳极的边缘，且所述堤部具有距所述阳极的边缘预定距离的内边界、以及距所述阳极的边缘预定距离的外边界。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种用于实现简化的制造工艺的有机发光二极管显示器及其制造方法。更具体地说，本发明涉及一种通过使用单个掩模同时形成堤部和阳极来减少制造工艺所必需的掩模工艺数的有机发光二极管显示器及其制造方法。

背景技术

近来，已提出了与阴极射线管相比具有减小的重量和体积的各种平板显示器。这种平板显示器包括液晶显示器、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光装置(EL)等。

EL分为无机EL和有机发光二极管显示器，EL是具有高响应速度、发光效率和亮度以及宽视角等优点的自发光装置。

图1图解了有机发光二极管的结构。如图1中所示，有机发光二极管包括有机电致发光化合物层、彼此相对且在之间夹有有机电致发光化合物层的阴极和阳极。有机电致发光化合物层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

有机发光二极管根据来自激子的能量而发光，激子是通过注入到阳极和阴极中的空穴和电子在EML中重组的过程而产生的。有机发光二极管显示器通过电性控制图1中所示的有机发光二极管的EML中产生的光量来显示图像。

利用作为电致发光装置的有机发光二极管的特性的有机发光二极管显示器(OLEDD)分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)。

AMOLED通过使用薄膜晶体管控制流经有机发光二极管的电流来显示图像。

图2是图解有机发光二极管显示器的一个像素的结构的等效电路图，图3是有机发光二极管显示器的一个像素的结构的平面图，图4是图解沿图3的线I-I’截取的有机发光二极管显示器的一个像素的结构的剖面图。

参照图2和3，AMOLED包括开关薄膜晶体管ST、与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT、以及与驱动薄膜晶体管DT接触的有机发光二极管OLED。

开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL的交叉部分处并用于选择像素。开关薄膜晶体管ST包括栅极电极SG、半导体层SA、源极电极SS和漏极电极SD。驱动薄膜晶体管DT驱动由开关薄膜晶体管ST选择的像素的有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极电极SD连接的栅极电极DG、半导体层DA、与驱动电流线VDD连接的源极电极DS、以及漏极电极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极电极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。

更具体地说，参照图4，开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅极电极SG和DG形成在AMOLED的基板SUB上。在栅极电极SG和DG上形成栅极绝缘层GI。在栅极绝缘层GI的与栅极电极SG和DG对应的部分上形成半导体层SA和DA。在半导体层SA上形成源极电极SS和漏极电极SD，源极电极SS和漏极电极SD彼此相对且在源极电极SS和漏极电极SD之间设置有预定间隙。在半导体层DA上形成源极电极DS和漏极电极DD，源极电极DS和漏极电极DD彼此相对且在源极电极DS和漏极电极DD之间设置有预定间隙。开关薄膜晶体管ST的漏极电极SD经由形成在栅极绝缘层GI中的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的栅极电极DG连接。在基板的整个表面上形成钝化层PAS，从而覆盖具有前述结构的开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。

当半导体层SA和DA由氧化物半导体材料形成时，在由于高迁移率而具有较强充电能力的大尺寸薄膜晶体管基板中能够实现高分辨率和快速驱动。然而，理想的是氧化物半导体材料层进一步包括用于保护其表面免受蚀刻剂影响的蚀刻阻止部SE和DE，以便确保装置稳定性。具体地说，形成蚀刻阻止部SE和DE，以防止由于蚀刻剂接触半导体层SA和DA的暴露表面而使得半导体层SA和DA被背面蚀刻(back-etched)，其中半导体层SA和DA的暴露表面对应于源极电极SS和DS与漏极电极SD和DD之间的间隙。

在与稍后将形成的阳极ANO对应的区域中形成滤色器CF。滤色器CF优选形成为占据尽可能宽的区域。例如，滤色器CF形成为使得滤色器CF叠置在包括数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的较宽区域上。上面形成有滤色器CF的基板具有不平坦的表面以及许多台阶部分，因为其上形成有大量组件。因此，为了使基板的表面平坦化，在基板的整个表面上形成涂覆层OC。

随后，在涂覆层OC上形成OLED的阳极ANO。在此，阳极ANO经由形成在涂覆层OC和钝化层PAS中的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的漏极电极DD连接。

在上面形成有阳极ANO的基板上所形成的开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和互连线DL，SL和VDD上形成用于限定像素区域的堤图案BN。

通过堤图案BN暴露的阳极ANO成为发光区域。在通过堤图案BN暴露的阳极ANO上依次形成有机发光层OLE和阴极层CAT。当有机发光层OLE由发射白色光的有机材料形成时，有机发光层OLE根据位于有机发光层OLE下方的滤色器CF来表现指定给每个像素的颜色。如此，完成了有机发光二极管显示器。

为了制造这种有机发光二极管显示器，执行多次使用光学掩模的光刻工艺。每个掩模工艺包括清洗、曝光、显影、蚀刻等。

当掩模工艺数增加时，制造有机发光二极管显示器的时间和成本以及缺陷生成率增加，从而降低了生产量。因此，为了降低制造成本并提高生产量和生产效率，必须减少掩模工艺数。

发明内容

为了解决前述问题，本发明提供了一种使用单个掩模同时形成堤部和阳极的有机发光二极管显示器及其制造方法。

在一个方面中，提供一种有机发光二极管显示器，包括：具有以矩阵形式限定的多个像素区域的基板；设置在每个像素区域中的薄膜晶体管；阳极，所述阳极与所述薄膜晶体管连接并设置在每个像素区域中；和堤部，所述堤部设置成覆盖所述阳极的边缘，且所述堤部具有距所述阳极的边缘预定距离的内边界、以及距所述阳极的边缘预定距离的外边界。

在另一个方面中，提供一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括：在基板上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成涂覆层并形成用于部分暴露所述薄膜晶体管的像素接触孔；在所述涂覆层上依次涂布阳极材料和光敏绝缘材料，并同时将所述阳极材料和所述光敏绝缘材料图案化，以形成通过所述像素接触孔与所述薄膜晶体管连接的阳极；和将所述光敏绝缘材料灰化，以形成暴露一部分所述阳极的堤部。

附图说明

给本发明提供进一步理解并且并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于描述本发明的原理。在附图中：

图1图解了常规有机发光二极管显示器；

图2是图解常规有机发光二极管显示器的一个像素的结构的等效电路图；

图3是图解常规有机发光二极管显示器的一个像素的结构的平面图；

图4是图解沿图3的线I-I’截取的常规有机发光二极管显示器的一个像素的结构的剖面图；

图5是图解根据本发明的有机发光二极管显示器的结构的平面图；

图6是图解沿图5的线II-II’截取的根据本发明的有机发光二极管显示器的结构的剖面图；

图7到14以及15A到15C是图解根据本发明的有机发光二极管显示器的制造工艺的剖面图；以及

图16A和16B是将本发明的堤结构与常规的堤结构进行比较的示图。

具体实施方式

现在将详细描述本发明的实施方式，在附图中图示了这些实施方式的一些例子。尽可能地在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。注意，如果确定对已知技术的详细描述可能误导本发明的实施方式，则将省略此详细描述。

将参照图5和6描述根据本发明的有机发光二极管显示器。图5是图解根据本发明的有机发光二极管显示器的结构的平面图，图6是图解沿图5的线II-II’截取的根据本发明的有机发光二极管显示器的结构的剖面图。

根据本发明的有机发光二极管显示器包括：开关薄膜晶体管ST、与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT、以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL的交叉部分处并用于选择像素。开关薄膜晶体管ST包括与扫描线SL连接的开关栅极电极SG、从数据线DL分支的开关源极电极SS、开关漏极电极SD、以及限定开关沟道区域SA的开关半导体层SSE。

驱动薄膜晶体管DT用于驱动由开关薄膜晶体管ST选择的像素的有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管DT包括：与开关薄膜晶体管ST的开关漏极电极SD连接的驱动栅极电极DG、从驱动电流线VDL分支的驱动源极电极DS、驱动漏极电极DD、以及限定驱动沟道区域DA的驱动半导体层DSE。驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极电极DD通过像素接触孔PH与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。

在开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT下方分别形成有遮光层SLS和DLS。遮光层SLS和DLS形成为当使用氧化物半导体材料形成半导体层SSE和DSE时保护氧化物半导体元件免受外部光影响。在此，开关遮光层SLS和驱动遮光层DLS可连接并集成为一体。此外，遮光层SLS和DLS可与栅极电极SG和DG连接，从而形成双栅极结构。

可与遮光层SLS和DLS一起形成存储电容器下电极STU。存储电容器STG可由存储电容器下电极STU和叠置在存储电容器下电极STU上的阳极ANO形成，在存储电容器下电极STU与阳极ANO之间夹有绝缘层。

在阳极ANO上形成有堤部BN。堤部BN形成为覆盖阳极ANO的边缘，且堤部BN具有距阳极ANO的边缘预定距离的内边界IS、以及距阳极ANO的边缘预定距离的外边界OS。通过内边界IS暴露的一部分阳极ANO限定为发光区域AA。具有内边界IS和外边界OS的堤部BN形成为覆盖除了发光区域AA之外的阳极ANO的表面和侧部。在根据本发明的有机发光二极管显示器中，堤部BN在形成有阳极ANO的区域中限定发光区域AA并覆盖对应于非发光区域的存储电容器STG和像素接触孔PH。

更具体地说，在基板SUB上形成开关遮光层SLS、驱动遮光层DLS以及存储电容器下电极STU。开关遮光层SLS形成在将要形成开关薄膜晶体管ST的区域中，且驱动遮光层DLS形成在将要形成驱动薄膜晶体管DT的区域中。此外，存储电容器下电极STU形成在将要形成存储电容器STG的区域中。

在遮光层SLS和DLS以及存储电容器下电极STU上形成缓冲层BUF，以覆盖基板SUB的整个表面。在缓冲层BUF上形成半导体层SSE和DSE。半导体层SSE和DSE的沟道区域优选形成为分别叠置在遮光层SLS和DLS上。就是说，开关沟道区域SA叠置在开关遮光层SLS上，且驱动沟道区域DA叠置在驱动遮光层DLS上。在开关沟道区域SA和驱动沟道区域DA上形成栅极绝缘层GI以及栅极电极SG和DG。

在上面形成有栅极电极SG和DG的基板SUB的整个表面上形成层间绝缘层IN。在层间绝缘层IN上形成开关源极电极SS和开关漏极电极SD，开关源极电极SS从数据线DL分支，开关漏极电极SD设置成与开关源极电极SS相对。开关源极电极SS通过开关源极接触孔SSH与开关半导体层SSE的一侧连接。开关漏极电极SD通过开关漏极接触孔SDH与开关半导体层SSE的另一侧连接。此外，在层间绝缘层IN上形成驱动源极电极DS和驱动漏极电极DD，驱动源极电极DS从驱动电流线VDL分支，驱动漏极电极DD设置成与驱动源极电极DS相对。驱动源极电极DS通过驱动源极接触孔DSH与驱动半导体层DSE的一侧连接。驱动漏极电极DD通过驱动漏极接触孔DDH与驱动半导体层DSE的另一侧连接。如此，完成了开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。在此，开关漏极电极SD通过栅极接触孔GH与驱动栅极电极DG连接。

在上面形成有薄膜晶体管ST和DT的基板SUB的整个表面上形成钝化层PAS。能够在钝化层PAS上且在发光区域AA中设置滤色器CF。在每个像素处设置红色、绿色和蓝色滤色器CF之一。可依次设置红色、绿色和蓝色滤色器CF。除了红色、绿色和蓝色滤色器CF以外，滤色器CF可进一步包括白色滤色器CF。在此，红色和/或绿色滤色器可延伸并形成在像素区域中的其中形成有薄膜晶体管ST和DT的区域上，以覆盖薄膜晶体管ST和DT。在上面形成有滤色器CF的基板SUB的整个表面上形成用于将基板SUB平坦化的涂覆层OC。

在涂覆层OC上形成阳极ANO和堤部BN。阳极ANO通过穿透涂覆层OC和钝化层PAS的像素接触孔PH与驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极电极DD连接。在此，使用夹在阳极ANO和存储电容器下电极STU之间的绝缘层，在阳极ANO和存储电容器下电极STU之间形成存储电容器STG。

堤部BN形成为限定阳极ANO的形状和发光区域AA。例如，堤部BN形成为覆盖阳极ANO的边缘。堤部BN的内边界IS位于阳极ANO上，从而与阳极ANO的上表面接触，堤部BN的外边界OS位于涂覆层OC上，从而与涂覆层OC的上表面接触。在平面图中，堤部BN的外边界OS限定与阳极ANO具有相同形状的区域，且堤部BN的内边界IS限定在阳极ANO中暴露发光区域AA的区域。

在暴露的阳极ANO上形成有机发光层OLE并在有机发光层OLE上形成阴极CAT以覆盖有机发光层OLE。如此，完成了包括阳极ANO、有机发光层OLE和阴极CAT的有机发光二极管OLED。在此，有机发光二极管OLED通过连接至驱动薄膜晶体管DT的漏极电极DD而被驱动。

将描述根据本发明优选实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法。图7到14和图15A到15C是图解根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的制造工艺的剖面图。

参照图7，在基板SUB的整个表面上涂布不透明且具有出色遮光性能的遮光材料。可选择地，可在基板SUB上涂布具有高导电性的金属材料。通过第一掩模工艺将遮光材料层图案化，从而形成遮光层SLS和DLS。当涂布金属材料时，可与遮光层SLS和DLS一起形成用于形成存储电容器的存储电容器下电极STU。优选形成遮光层SLS和DLS，使得稍后将形成的薄膜晶体管的半导体层，特别是沟道区域叠置在遮光层SLS和DLS上。遮光层SLS和DLS用于保护氧化物半导体元件免受外部光影响。在上面形成有遮光层SLS和DLS的基板SUB的整个表面上涂布绝缘材料，从而形成缓冲层BUF。

参照图8，在上面形成有缓冲层BUF的基板SUB的整个表面上涂布半导体材料。半导体材料可包括氧化物半导体材料，如氧化铟镓锌(IGZO)。通过第二掩模工艺将半导体材料层图案化，从而形成半导体层SSE和DSE。

参照图9，在上面形成有半导体层SSE和DSE的基板SUB的整个表面上依次涂布绝缘材料和金属材料。通过第三掩模工艺将绝缘材料层和金属材料层图案化，从而形成栅极绝缘层GI以及叠置在栅极绝缘层GI上的栅极电极SG和DG。栅极电极SG和DG叠置在半导体层的中心区域上且半导体层的两侧被暴露。半导体层的中心区域分别限定为开关薄膜晶体管的开关沟道层SA和驱动薄膜晶体管的驱动沟道层DA。半导体层的暴露的区域对应于源极区域SSA和DSA以及漏极区域SDA和DDA，源极区域SSA和DSA以及漏极区域SDA和DDA分别与开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的源极电极和漏极电极接触。当半导体材料为氧化物半导体材料时，源极区域SSA和DSA以及漏极区域SDA和DDA可通过等离子体处理工艺而具有导电性。

参照图10，在上面形成有栅极电极SG和DG的基板SUB的整个表面上涂布绝缘层，从而形成层间绝缘层IN。通过第四掩模工艺将层间绝缘层IN图案化，从而形成暴露半导体层的源极区域SSA和DSA的接触孔SSH和DSH以及暴露半导体层的漏极区域SDA和DDA的接触孔SDH和DDH。在此，形成暴露驱动薄膜晶体管的一部分栅极电极DG的栅极接触孔GH。

参照图11，在形成有接触孔的层间绝缘层IN上涂布导电材料。通过第五掩模工艺将导电材料层图案化，从而形成驱动电流线VDL、开关薄膜晶体管ST的源极电极SS和漏极电极SD、以及驱动薄膜晶体管DT的源极电极DS和漏极电极DD。在此，开关薄膜晶体管ST的漏极电极SD与驱动薄膜晶体管DT的栅极电极DG连接。

参照图12，在上面形成有薄膜晶体管ST和DT的基板的整个表面上涂布绝缘材料，从而形成钝化层PAS。在钝化层PAS上涂布红色颜料、绿色颜料和蓝色颜料，并通过第六掩模工艺、第七掩模工艺和第八掩模工艺将红色颜料、绿色颜料和蓝色颜料图案化，从而依次形成红色、绿色和蓝色滤色器CF。红色、绿色和蓝色滤色器CF分别设置在用于分别表现红色、绿色和蓝色的像素区域中。在此，红色和/或绿色滤色器CF可延伸并形成在像素区域中的其中形成有薄膜晶体管ST和DT的区域上，从而覆盖薄膜晶体管ST和DT。

参照图13，在上面形成有滤色器CF的基板的整个表面上涂布绝缘材料，从而形成涂覆层OC。通过第九掩模工艺将涂覆层OC图案化，从而暴露钝化层PAS的其中将要形成用于部分暴露薄膜晶体管的像素接触孔和存储电容器的部分。

参照图14，通过第十掩模工艺将钝化层PAS图案化，从而形成像素接触孔PH，像素接触孔PH用于暴露驱动薄膜晶体管DT的一部分漏极电极DD。

将参照图15A，15B和15C描述通过单个掩模工艺形成根据本发明的阳极和堤部的工艺。

在基板SUB的整个表面上依次涂布导电材料MM和光敏绝缘材料IM1，从而覆盖钝化层PAS和涂覆层OC。为了通过第十一掩模工艺将导电材料层MM和光敏绝缘材料层IM1图案化，准备半色调掩模HM。半色调掩模HM包括用于遮蔽投射到此的光的全色调区域X、用于透过投射到此的一部分光并遮蔽一部分光的半色调区域Y、以及用于完全透过投射到此的光的区域Z。通过半色调掩模HM选择性地投射光。光敏绝缘材料IM1可以是正型光刻胶或负型光刻胶。将描述光敏绝缘材料IM1为正型光刻胶的情形(图15A)。

当将通过半色调掩模HM曝光的光敏绝缘材料IM1显影时，与区域Z对应的光敏绝缘材料的部分被去除，而留下与全色调区域X和半色调区域Y对应的光敏绝缘材料的部分IM2。在此，与全色调区域X对应的光敏绝缘材料IM2的部分比与半色调区域Y对应的光敏绝缘材料IM2的部分厚。通过使用留下的光敏绝缘材料IM2的掩模工艺将金属材料层MM图案化，从而形成阳极ANO。在此，用于限定阳极ANO形状的阳极ANO的边缘可能在留下的光敏绝缘材料IM2的下方被底切。随后，留下的光敏绝缘材料IM2通过固化而回流，从而覆盖阳极ANO的边缘(图15B)。

然后，执行灰化，从而将留下的光敏绝缘材料IM2去除预定厚度，使得仅留下全色调区域X的光敏绝缘材料。留下的光敏绝缘材料成为堤部BN。在此，阳极ANO的大部分中心部分被暴露，以用作发光区域AA。堤部BN形成为覆盖阳极ANO的边缘。就是说，堤部BN具有距阳极ANO的边缘预定距离的内边界IS、以及距阳极ANO的边缘预定距离的外边界OS(图15C)。

用于形成堤部BN的绝缘材料具有光敏性且在光刻工艺过程中用作光刻胶。本发明使用具有光敏性的绝缘材料通过单个掩模工艺同时形成阳极ANO和堤部BN。

因此，本发明通过减少用于制造有机发光二极管显示器的掩模工艺数能够简化制造工艺并减少制造时间和成本。此外，本发明通过降低缺陷生成率能够提高生产量。

将参照图16A和16B描述根据本发明的堤部的结构。图16A和16B是将本发明的堤结构与常规的堤结构进行比较的示图。

常规有机发光二极管显示器中的堤部形成在基板的整个表面上，并暴露阳极ANO的大部分中心部分。由堤部BN暴露的阳极ANO的大部分中心部分用作发光区域AA。就是说，常规的堤图案BN形成在除了发光区域AA之外的基板的区域(图中由阴影区域表示)上(图16A)。

根据本发明的有机发光二极管显示器中的堤部BN形成为覆盖阳极ANO的边缘，并暴露阳极ANO的大部分中心部分。由堤部BN暴露的阳极ANO的大部分中心部分用作发光区域AA。因此，根据本发明的堤部BN形成为覆盖除了发光区域AA之外的阳极的边缘，因而堤部BN具有岛形状，此岛形状在其中心具有暴露发光区域AA的开口区域(图16B)。

如上所述，本发明使用具有光敏性的绝缘材料通过单个掩模工艺形成阳极ANO和堤部BN。因此，形成阳极ANO之前的结构和工艺不限于前述实施方式，本发明能够包括满足上述条件的用于驱动有机发光二极管的所有结构和工艺。

尽管参照多个示例性的实施方式描述了实施方式，但应当理解，本领域技术人员能设计出多个其他修改例和实施方式，这落在本发明的原理的范围内。更具体地说，在说明书、附图和所附权利要求书的范围内，在主题组合构造的组成部件和/或配置中可进行各种变化和修改。除了组成部件和/或配置中的变化和修改之外，替代使用对于本领域技术人员来说也将是显而易见的。

Claims (8)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

具有以矩阵形式限定的多个像素区域的基板；

设置在每个像素区域中的薄膜晶体管；

阳极，所述阳极与所述薄膜晶体管连接并设置在每个像素区域中；和

堤部，所述堤部设置成覆盖所述阳极的边缘，且所述堤部具有距所述阳极的边缘预定距离的内边界、以及距所述阳极的边缘预定距离的外边界。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中由所述堤部的内边界暴露的一部分所述阳极被限定为发光区域。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括设置在所述薄膜晶体管与所述阳极之间的涂覆层，

其中所述堤部的内边界与所述阳极的上表面接触，且所述堤部的外边界与所述涂覆层的上表面接触。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述堤部包括光敏绝缘材料。

5.一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括：

在基板上形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上形成涂覆层并形成用于部分暴露所述薄膜晶体管的像素接触孔；

在所述涂覆层上依次涂布阳极材料和光敏绝缘材料，并同时将所述阳极材料和所述光敏绝缘材料图案化，以形成通过所述像素接触孔与所述薄膜晶体管连接的阳极；和

将所述光敏绝缘材料灰化，以形成暴露一部分所述阳极的堤部。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述堤部包括：将所述堤部形成为，使得所述堤部覆盖所述阳极的边缘，且所述堤部具有距所述阳极的边缘预定距离的内边界、以及距所述阳极的边缘预定距离的外边界。

7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在形成所述阳极之后且在形成所述堤部之前将所述光敏绝缘材料固化，使得所述光敏绝缘材料覆盖所述阳极的边缘。

8.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述堤部包括：将所述堤部形成为，使得所述堤部的内边界位于所述阳极上，且所述堤部的外边界位于所述涂覆层上。