CN105742314A - 光电装置以及其制造方法、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光电装置，具备元件基板，该元件基板包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、以及在显示区域的外侧配置有端子的周边区域。发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极，且第一电极与接触电极电连接的构造。端子具有层叠有由与反射电极相同的第一导电膜形成的第一端子层、由与接触电极相同的第二导电膜形成的第二端子层、以及由与第一电极相同的第三导电膜形成的第三端子层的构造。

Description

光电装置以及其制造方法、电子设备
技术领域
本发明涉及光电装置以及其制造方法、电子设备。
背景技术
作为光电装置的一个例子，提出有使用有机电致发光(EL：ElectroLuminescence(电致发光))元件的像素呈矩阵状地被配置于元件基板的显示区域的有机EL装置(例如，参照专利文献1。)。
具体而言，在专利文献1中公开了具有依次层叠有反射层、第一电极(像素电极)、发光层以及第二电极(对置电极)的有机EL元件的顶部发光构造的有机EL装置。
专利文献1：日本特开2010－198754号公报
然而，在专利文献1所记载的有机EL装置中，在显示区域的外侧的周边区域排列有包括用于安装数据线驱动电路、扫描线驱动电路等的安装端子、外部连接用端子等的多个端子。这些端子具有层叠了以与上述的反射层相同的工序成膜的铝(Al)等的反射导电材料、和以与第一电极相同的工序成膜的氧化铟锡(ITO：IndiumTinOxide)等的透明导电材料的构造。
然而，在上述的直接层叠了反射导电材料和透明导电材料的情况下，端子中的接触电阻变得非常高。另外，有时也在反射导电材料与透明导电材料之间产生电解腐蚀。作为该对策，也考虑通过其他工序制成端子，但是由于工序数的增加会导致制造成本增加。
另一方面，在引用文献1中公开了在层叠了钛(或者氮化钛)、铝、以及钛(或者氮化钛)的布线层上层叠了ITO的端子。然而，在将与该布线层相同的材料用于反射层的情况下，存在反射层的反射率降低的可能性。
发明内容
本发明的一个方式是鉴于这样的现有的情况而提出的，其目的之一在于，提供一种能够防止反射电极的反射率降低，并且降低端子的电阻值的光电装置以及其制造方法、和具备这种光电装置的电子设备。
本发明的一个方式的光电装置具备元件基板，该元件基板包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、和在上述显示区域的外侧配置有端子的周边区域。发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极，且第一电极与接触电极电连接的构造。端子具有层叠有由与反射电极相同的第一导电膜形成的第一端子层、由与接触电极相同的第二导电膜形成的第二端子层、以及由与第一电极相同的第三导电膜形成的第三端子层的构造。
根据该构成，通过在端子中，在由与反射电极相同的第一导电膜形成的第一端子层和由与第一电极相同的第三导电膜形成的第三端子层之间设置由与接触电极相同的第二导电膜形成的第二端子层，从而能够防止反射电极的反射率降低，并且降低端子的电阻值。
另外，在上述光电装置中，也可以是如下的构成，即，第三导电膜包括透明导电材料，第二导电膜包括导电性比第三导电膜高的导电材料，第一导电膜包括反射导电材料。
根据该构成，通过在端子中，在包括反射导电材料的第一导电膜与包括透明导电材料的第三导电膜之间设置包括导电性比第三导电膜高的导电材料的第二导电膜，从而与反射导电材料和透明导电材料被直接层叠的情况相比，能够降低端子的电阻值。另外，因为反射电极由包括反射导电材料的第一导电膜形成，所以能够防止该反射电极的反射率降低。
另外，在上述光电装置中，也可以是如下的构成，即，第三导电膜包括氧化铟锡，第二导电膜包括氮化钛，第一导电膜包括铝以及铜。
根据该构成，通过在端子中，在包括铝以及铜的第一导电膜与包括氧化铟锡的第三导电膜之间设置包括氮化钛的第二导电膜，从而能够降低端子的电阻值。另外，因为反射电极由包括铝以及铜的第一导电膜形成，所以能够防止该反射电极的反射率降低。
另外，在上述光电装置中，也可以是如下的构成，即，第一电极经由接触电极与反射电极电连接，反射电极按照每个像素被分割地配置，并且与驱动发光元件的晶体管电连接。
根据该构成，因为晶体管和第一电极经由反射电极电连接，所以反射电极和第一电极为同电位。由此，能够一边控制从晶体管经由反射电极施加于第一电极的电位，一边进行可靠性高的发光元件的发光动作。另外，根据该构成，能够实现成品率的进一步的提高。
另外，在上述光电装置中，也可以是如下的构成，即，反射电极由电源线的一部分构成，在被形成于反射电极的开口的内侧配置中继电极，该中继电极与驱动发光元件的晶体管电连接，第一电极经由接触电极与中继电极电连接。
根据该构成，通过利用接触电极遮挡从开口入射的光，从而能够使显示品质提高。
另外，本发明的一个方式的电子设备的特征在于，具备上述任意一个光电装置。
根据该构成，能够提供具备能够防止反射电极的反射率降低，并且能够降低端子的电阻值的光电装置的电子设备。
另外，本发明的一个方式的光电装置的制造方法是如下的光电装置的制造方法，上述光电装置包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、以及在显示区域的外侧配置有端子的周边区域，发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极，且第一电极与接触电极电连接的构造，端子具有层叠有第一端子层、第二端子层、以及第三端子层的构造，上述光电装置的制造方法包括：通过形成第一导电膜，并对第一导电膜进行图案形成，来在显示区域形成反射电极，并在周边区域形成第一端子层的工序；通过形成第二导电膜，并对第二导电膜进行图案形成，来在显示区域形成接触电极，并在周边区域中在第一端子层上层叠第二端子层的工序；以及通过形成第三导电膜，并对第三导电膜进行图案形成，来在显示区域形成第一电极，并在周边区域中在第二端子层上层叠第三端子层的工序。
根据该方法，在第一端子层使用与反射电极相同的第一导电膜、第二端子层使用与接触电极相同的第二导电膜、以及第三端子层使用与第一电极相同的第三导电膜来制成发光元件的工序中，能够制成层叠有第一端子层、第二端子层、以及第三端子层的端子。另外，能够防止反射电极的反射率降低，并且降低端子的电阻值。
另外，在上述光电装置的制造方法中，也可以第三导电膜包括透明导电材料，第二导电膜包括导电性比第三导电膜高的导电材料，第一导电膜包括反射导电材料。
根据该方法，通过在所制成的端子中，在包括反射导电材料的第一导电膜与包括透明导电材料的第三导电膜之间形成包括导电性比第三导电膜高的导电材料的第二导电膜，从而与反射导电材料和透明导电材料被直接层叠的情况相比，能够降低端子的电阻值。另外，因为反射电极由包括反射导电材料的第一导电膜形成，所以能够防止该反射电极的反射率降低。
另外，在上述光电装置的制造方法中，也可以第三导电膜包括氧化铟锡，第二导电膜包括氮化钛，第一导电膜包括铝和铜。
根据该方法，通过在所制成的端子中，在包括铝以及铜的第一导电膜与包括氧化铟锡的第三导电膜之间形成包括氮化钛的第二导电膜，从而能够降低端子的电阻值。另外，因为反射电极由包括铝以及铜的第一导电膜形成，所以能够防止该反射电极的反射率降低。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的有机EL装置的构成的俯视图。
图2是表示图1所示的有机EL装置所具备的元件基板的构成的电路图。
图3是表示图1所示的有机EL装置所具备的像素电路的构成的电路图。
图4是表示图1所示的有机EL装置所具备的像素的构成的俯视图。
图5(a)是沿着图4中示出的线段A─A’的剖视图，图5(b)是放大了图5(a)中示出的一部分的像素的剖视图。
图6(a)是沿着图4中示出的线段B─B’的剖视图，图6(b)是沿着图4中示出的线段C─C’的剖视图，图6(c)是沿着图4中示出的线段D─D’的剖视图。
图7是图1所示的有机EL装置的显示区域与周边区域之间的剖视图。
图8(a)是表示端子的构成的俯视图，图8(b)是沿着图8(a)中示出的线段E－E’的剖视图。
图9是用于对图1所示的有机EL装置的制造工序进行说明的剖视图。
图10是表示本发明的一实施方式的有机EL装置所具备的像素的其它的构成例的俯视图。
图11是沿着图10中示出的线段E─E’的剖视图。
图12是表示具备了有机EL装置的电子设备的一个例子的概略图。
具体实施方式
有机EL装置
首先，作为本发明的一实施方式，对图1所示的有机EL装置100进行说明。
有机EL装置100是作为本发明中的“光电装置”的一个例子表示的自发光型的显示装置。此外，图1是示意性地表示有机EL装置100的构成的俯视图。
如图1所示，有机EL装置100具有元件基板10和保护基板70。元件基板10和保护基板70以相互对置的状态通过省略图示的粘合剂接合。此外，粘合剂能够使用例如环氧树脂、丙烯酸树脂等。
元件基板10作为发光元件，具有显示区域E，在该显示区域E中呈矩阵状地排列有：配置有发出蓝色(B)光的有机EL元件30B的像素20B；配置有发出绿色(G)光的有机EL元件30G的像素20G；以及配置有发出红色(R)光的有机EL元件30R的像素20R。
在有机EL装置100中，像素20B、像素20G、以及像素20R作为显示单位而提供了全彩色的显示。此外，在以下的说明中，有将像素20B、像素20G以及像素20R统称为像素20的情况，有将有机EL元件30B、有机EL元件30G以及有机EL元件30R统称为有机EL元件30的情况。
在显示区域E设置有滤色层50。滤色层50中，在像素20B的有机EL元件30B上配置有蓝色的滤色层50B，在像素20G的有机EL元件30G上配置有绿色的滤色层50G，在像素20R的有机EL元件30R上配置有红色的滤色层50R。
在本实施方式中，得到相同颜色的发光的像素20沿Y方向(第一方向)排列，得到不同的颜色的发光的像素20沿与Y方向交叉(正交)的X方向(第二方向)排列。因此，像素20的配置为所谓的条纹方式。根据该像素的排列，有机EL元件30B、有机EL元件30G以及有机EL元件30R分别被配置成条纹状，蓝色的滤色层50B、绿色的滤色层50G、红色的滤色层50R也被配置成条纹状。此外，像素20的配置并不局限于条纹方式，也可以是马赛克方式、三角洲方式。
有机EL装置100具有顶部发光构造。因此，由有机EL元件30发出的光透过元件基板10的滤色层50来作为显示光从保护基板70侧射出。
由于有机EL装置100是顶部发光构造，所以元件基板10的基材除了能够使用透明的石英基板、玻璃基板等以外，还能够使用不透明的陶瓷基板、半导体基板等。在本实施方式中，使用硅基板(半导体基板)作为元件基板10的基材。
在显示区域E的外侧设置有排列有外部连接用端子103的周边区域F。在周边区域F沿着元件基板10的长边侧的一边排列有多个外部连接用端子103。另外，在多个外部连接用端子103与显示区域E之间设置有数据线驱动电路101。另外，在元件基板10的短边侧的两边与显示区域E之间设置有扫描线驱动电路102。此外，在以下的说明中，将沿着元件基板10的长边的方向作为X方向，将沿着元件基板10的短边的方向作为Y方向，将从保护基板70朝向元件基板10的方向作为Z(+)方向。
保护基板70比元件基板10小，以露出外部连接用端子103的方式与元件基板10对置配置。保护基板70是透光性的基板，能够使用石英基板、玻璃基板等。保护基板70具有保护被配置于显示区域E的有机EL元件30不被损伤的作用，设置得比显示区域E宽。
图2是表示元件基板10的构成的电路图。如图2所示，在元件基板10，m行的扫描线12沿X方向延伸地设置，n列的数据线14沿Y方向延伸地设置。另外，在元件基板10，电源线19沿着数据线14在每一列沿Y方向延伸地设置。
像素电路110与m行的扫描线12和n列的数据线14的交叉部对应地被设置于元件基板10。像素电路110构成像素20的一部分。在显示区域E呈矩阵状地排列有m行×n列的像素电路110。
初始化用的复位电位Vorst被供给(供电)给电源线19。并且，虽然省略图示，但供给控制信号Gcmp、Gel、Gorst的三根控制线与扫描线12平行地设置。
扫描线12与扫描线驱动电路102电连接。数据线14与数据线驱动电路101电连接。用于控制扫描线驱动电路102的控制信号Ctr1被供给给扫描线驱动电路102。用于控制数据线驱动电路101的控制信号Ctr2被供给给数据线驱动电路101。
扫描线驱动电路102根据控制信号Ctr1生成用于在帧期间内按照每一行使扫描线12扫描的扫描信号Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m－1)、Gwr(m)。并且，扫描线驱动电路102除了供给扫描信号Gwr以外还将控制信号Gcmp、Gel、Gorst供给给控制线。此外，所谓帧期间是指一个镜头(场景)的图像被有机EL装置100显示的期间，例如，如果同步信号所包含的垂直同步信号的频率是120Hz，则1帧期间约为8.3毫秒。
对于位于由扫描线驱动电路102选择出的行的像素电路110，数据线驱动电路101将与该像素电路110的灰度数据对应的电位的数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)供给给第1、2、…、n列的数据线14。
图3是表示像素电路110的构成的电路图。如图3所示，像素电路110具有P沟道MOS型的晶体管121、122、123、124、125、有机EL元件30、以及电容21。上述的扫描信号Gwr、控制信号Gcmp、Gel、Gorst等被供给给像素电路110。
有机EL元件30具有由相互对置的像素电极(第一电极)31和对置电极(第二电极)33夹持发光功能层(发光层)32的构造。
像素电极31是向发光功能层32供给空穴的阳极，由具有透光性的导电材料形成。在本实施方式中，例如形成膜厚200nm的ITO(IndiumTinOxide氧化铟锡)膜作为像素电极31。像素电极31与晶体管124的漏极以及晶体管125的源极或者漏极的一方电连接。
对置电极33是向发光功能层32供给电子的阴极，由例如镁(Mg)和银(Ag)的合金等的具有透光性和光反射性的导电材料形成。对置电极33是跨多个像素20设置的共用电极，与电源线8电连接。在像素电路110中作为电源的低位侧的电位Vct被供给给电源线8。
发光功能层32具有从像素电极31一侧依次层叠的空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、以及电子输送层等。在有机EL元件30中，通过从像素电极31供给的空穴和从对置电极33供给的电子在发光功能层32中结合，从而发光功能层32发光。
另外，在元件基板10，电源线6与各电源线19交叉地沿X方向延伸地设置。此外，电源线6也可以沿Y方向延伸地设置，也可以设置为沿X方向以及Y方向双方延伸。晶体管121的源极与电源线6电连接，漏极与晶体管123的源极或者漏极的另一方和晶体管124的源极分别电连接。另外，在像素电路110中作为电源的高位侧的电位Vel被供给给电源线6。另外，电源线6与电容21的一端电连接。晶体管121作为使与晶体管121的栅极以及源极间的电压对应的电流流通的驱动晶体管发挥作用。
晶体管122的栅极与扫描线12电连接，源极或者漏极的一方与数据线14电连接。另外，晶体管122的源极或者漏极的另一方与晶体管121的栅极、电容21的另一端、以及晶体管123的源极或者漏极的一方分别电连接。晶体管122被电连接到晶体管121的栅极与数据线14之间，作为控制晶体管121的栅极与数据线14之间的电连接的写入晶体管发挥作用。
晶体管123的栅极与控制线电连接，控制信号Gcmp被供给。晶体管123作为控制晶体管121的栅极以及漏极之间的电连接的阈值补偿晶体管发挥作用。
晶体管124的栅极与控制线电连接，控制信号Gel被供给。晶体管124的漏极与晶体管125的源极或者漏极的一方和有机EL元件30的像素电极31分别电连接。晶体管124作为控制晶体管121的漏极与有机EL元件30的像素电极31之间的电连接的发光控制晶体管发挥作用。
晶体管125的栅极与控制线电连接，控制信号Gorst被供给。另外，晶体管125的源极或者漏极的另一方与电源线19电连接，复位电位Vorst被供给。晶体管125作为控制电源线19与有机EL元件30的像素电极31之间的电连接的初始化晶体管发挥作用。
图4是表示像素20(像素20B、20G、20R)的构成的俯视图。图5(a)是沿着图4中示出的线段A─A’的像素20B、20G、20R的沿着X方向的剖视图。图5(b)是放大了图5(a)中示出的一部分的像素20R的剖视图。图6(a)是沿着图4中示出的线段B─B’的像素20B的沿着Y方向的剖视图。图6(b)是沿着图4中示出的线段C─C’的像素20G的沿着Y方向的剖视图。图6(c)是沿着图4中示出的线段D─D’的像素20R的沿着Y方向的剖视图。
如图4以及图5(a)、(b)所示，各像素20B、20G、20R分别以在俯视时呈矩形状，且短边方向与X方向(长边方向与Y方向)平行的方式被配置。另外，在各有机EL元件30B、30G、30R之间设置有像素分离层29。
像素分离层29由绝缘材料构成，将相邻的有机EL元件30B、30G、30R之间电绝缘。在本实施方式中，例如形成膜厚25nm的氧化硅(SiO2)膜作为像素分离层29。像素分离层29以覆盖各像素20B、20G、20R的像素电极31的周边部的方式被设置。即，在像素分离层29设置有使各像素20B、20G、20R的像素电极31的一部分露出的开口29CT。开口29CT在俯视时呈矩形状，且规定各像素20的发光区域。
如图5(a)、(b)以及图6(a)～(c)所示，被配置于各像素20B、20G、20R的有机EL元件30B、30G、30R具有在层间绝缘层(绝缘层)34上层叠有反射电极35、增反射层36、保护层37、光路调整层38、像素电极31、发光功能层32、以及对置电极33的共振构造(空腔构造)。此外，在图4、图5(a)、(b)以及图6(a)～(c)中，省略了上述的发光功能层32以及对置电极33的图示。
在共振构造中，能够一边将发光功能层32发出的光在反射电极35与对置电极33之间反复反射，一边根据通过光路调整层38调整后的反射电极35与对置电极33之间的光学距离使特定波长(共振波长)的光增强并射出。
层间绝缘层34使用了例如氧化硅(SiO2)等的绝缘材料。此外，在图5(a)中，在层间绝缘层34下仅示出晶体管124，但在层间绝缘层34下除了晶体管124以外，还配置有扫描线12、数据线14、电源线19、控制线、电源线6、构成像素电路110的晶体管121、122、123、124、125、电容21等。在层间绝缘层34的表面，存在与这些晶体管、布线等对应地形成有凹凸的可能性，但优选形成有反射电极35的表面被平坦化。
反射电极35按照每个像素20分割来配置。即，反射电极35被设置于像素20B、20G、20R各个。另外，在相邻的反射电极35的彼此之间形成有间隙35CT。因此，构成为在相邻的反射电极35的彼此之间设置有间隙35CT，被按照每个像素20电分离，能够施加不同的电位。
反射电极35由具有光反射性的导电材料构成，在俯视时形成为矩形状。反射电极35比像素电极31大地规定各像素20的反射区域。在本实施方式中，作为反射电极35，例如，在作为第一层35a的膜厚30nm的钛(Ti)膜上形成作为第二层35b的膜厚100nm的铝(Al)和铜(Cu)的合金(AlCu)膜。
反射电极35经由贯通层间绝缘层34而配置的第一接触电极28(参照图3以及图5(a)。)与上述的晶体管124的漏极电连接。另外，反射电极35经由第一接触电极28与晶体管125的源极或者漏极的一方(未图示)电连接。第一接触电极28能够使用例如钨(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)等的导电材料。在本实施方式中，反射电极35的第一层35a与第一接触电极28连接。
增反射层36用于提高反射电极35的反射特性，例如由具有透光性的绝缘材料构成。增反射层36以覆盖反射电极35的表面的方式被配置。在本实施方式中，例如形成膜厚40nm的氧化硅(SiO2)膜作为增反射层36。
保护层37以覆盖形成有间隙35CT的反射电极35的表面的方式被设置。保护层37具有第一绝缘膜39和填充型绝缘膜40。第一绝缘膜39被设置在增反射层36、反射电极35以及层间绝缘层34的表面上，且沿着间隙35CT形成。因此，第一绝缘膜39具有与间隙35CT对应的凹部39a。填充型绝缘膜40以掩埋凹部39a的方式形成。保护层37通过填充到凹部37a的填充型绝缘膜，而使与光路调整层38接触的一侧的表面平坦化。在本实施方式中，例如形成膜厚80nm的氮化硅(SiN)膜作为第一绝缘膜39，形成氧化硅(SiO2)膜作为填充型绝缘膜40。
光路调整层38具有配置在保护层37的表面上的绝缘膜38a、38b。光路调整层38按照每个像素20B、20G、20R进行与反射电极35和对置电极33之间的光学距离对应的光路调整。
具体而言，光路调整层38的膜厚按照像素20B、像素20G、像素20R的顺序变大。即，如图6(a)所示，在像素20B中，例如省略了绝缘膜38a、38b，以使共振波长(亮度最大的峰值波长)成为470nm。如图6(b)所示，在像素20G中，例如设置有绝缘膜38a，以使共振波长成为540nm。如图6(c)所示，在像素20R中，例如设置有绝缘膜38a、38b，以使共振波长成为610nm。在本实施方式中，例如形成膜厚40nm的氧化硅(SiO2)作为绝缘膜38a，形成例如膜厚50nm的氧化硅(SiO2)作为绝缘膜38b。另外，增反射层36以及保护层37也进行与反射电极35和对置电极33之间的光学距离对应的光路调整，例如，在像素20B中，增反射层36以及保护层37的膜厚例如以共振波长(亮度最大的峰值波长)成为470nm的方式被设定。
由此，从像素20B发出将470nm作为峰值波长的蓝色(B)的光，从像素20G发出将540nm作为峰值波长的绿色(G)的光，从像素20R发出将610nm作为峰值波长的红色(R)的光。在有机EL装置100中，通过具有这种共振构造的有机EL元件30，提高从各像素20发出的显示光的颜色纯度。
光路调整层38被设置于各有机EL元件30B、30G、30R之间。具体而言，光路调整层38由与填充型绝缘膜40相同种类的材料构成，光路调整层38被设置为覆盖填充型绝缘膜40。根据这种构成，能够不损伤保护层37的像素电极31侧的表面的平坦性而根据共振波长来加工光路调整层38。在本实施方式中，光路调整层38以及填充型绝缘膜40由氧化硅(SiO2)构成。
如图5(a)、(b)以及图6(a)～(c)所示，在光路调整层38上配置有像素电极31。像素电极31经由第二接触电极41与反射电极35电连接。具体而言，为了贯通保护层37以及增反射层36，而设置有接触孔41CT。接触孔41CT位于俯视时不与开口29CT重叠的区域，即形成有像素分离层29的区域的下方。
第二接触电极41具有第一接触部41a和第二接触部41b。第一接触部41a被配置于接触孔41CT内，与反射电极35的第二层35b连接。第二接触部41b被配置在保护层37的表面上，与像素电极31连接。在本实施方式中，例如形成氮化钛(TiN)膜作为第二接触电极41，并以第二接触部41b的厚度为50nm的方式形成。
如图5(a)、(b)以及图6(a)～(c)所示，光路调整层38的一部分以与第二接触电极41重叠的方式形成。根据这种构成，能够不损伤保护层37的像素电极31侧的表面的平坦性而在各有机EL元件30B、30G、30R之间的区域的附近配置第二接触电极41。由此，能够缩小对发光没有帮助的区域，能够提高各像素20的开口率。
如图6(a)所示，在像素20B中，构成光路调整层38的绝缘膜38a、38b被设置在与第二接触电极41的一部分或者填充型绝缘膜40重叠的区域。构成光路调整层38的绝缘膜38a、38b不被设置在第二接触电极41的一部分的表面上，而在该部位中构成像素电极31的导电材料被层叠在第二接触电极41，构成像素电极31的导电材料与第二接触电极41接触。
如图6(b)所示，在像素20G中，构成光路调整层38的绝缘膜38a被设置在与第二接触电极41的一部分或者填充型绝缘膜40重叠的区域。而且，在绝缘膜38b设置有接触孔，构成像素电极31的导电材料被配置于该接触孔内，像素电极31与第二接触电极41连接。在像素20G中，构成光路调整层38的绝缘膜38b除了该接触孔以外几乎被设置于整个面。更具体而言，构成光路调整层38的绝缘膜38a被设置在与第二接触电极41的一部分、反射电极35、或者填充型绝缘膜40重叠的区域。
如图6(c)所示，在像素20R中，构成光路调整层38的绝缘膜38a、38b被设置在与第二接触电极41的一部分、反射电极35、或者填充型绝缘膜40重叠的区域。而且，在绝缘膜38a、38b设置有接触孔，构成像素电极31的导电材料被配置于该接触孔内，像素电极31与第二接触电极41连接。
此外，虽然省略图示，但在像素电极31上配置有上述的发光功能层32以及对置电极33，在其上进一步配置有覆盖元件基板10的表面并且将有机EL元件30的表面平坦化的密封层(钝化膜)，由此，抑制水分、氧等侵入有机EL元件30。上述的滤色层50被配置在该密封层的表面上。
这里，图7是有机EL装置100的显示区域E与周边区域F之间的剖视图。另外，图8(a)是表示外部连接用端子103的构成的俯视图，图8(b)是沿着图8(a)中示出的线段E－E’的剖视图。
在本实施方式的有机EL装置100中，如图7以及图8(a)、(b)所示，在被设置于显示区域E的外侧的周边区域F中，外部连接用端子103具有依次层叠有由与反射电极35相同的第一导电膜35LY形成的第一端子层350、由与接触电极41相同的第二导电膜41LY形成的第二端子层410、以及由与像素电极31相同的第三导电膜31LY形成的第三端子层310的构造。
第一端子层350以在俯视时呈矩形状的方式被形成于层间绝缘层34的表面上。增反射层36以覆盖第一端子层350的端部的方式被配置。保护层37的第一绝缘膜39以第一绝缘膜39覆盖配置有第一端子层350以及增反射层36的层间绝缘层34的表面的方式形成。保护层37的填充型绝缘膜40被填充到被形成于第一绝缘膜39的凹部39b。通过这种构造，而使保护层37的第二端子层410侧的上表面平坦化。
在第一端子层350上形成有贯通增反射层36以及保护层37(第一绝缘膜39)的第一接触孔410CT。第二端子层410以被填充到第一接触孔410CT的状态被配置于保护层37的表面上。由此，第二端子层410层叠在从第一接触孔410CT露出的第一端子层350(第一导电膜35LY)的表面上。
光路调整层38以绝缘膜38a、38b覆盖配置有第二端子层410的保护层37的表面的方式被配置。在第二端子层410上形成有贯通光路调整层38的第二接触孔310CT。第三端子层310T以被填充到第二接触孔310CT的状态被配置于光路调整层38的表面上。由此，第三端子层310层叠在从第二接触孔310CT露出的第二端子层410(第二导电膜41LY)的表面上。
像素分离层29以覆盖配置有第二端子层410的光路调整38的表面的方式被配置。在像素分离层29设置有使外部连接用端子103(第三端子层310)露出的端子开口部290CT。
在本实施方式中，第一导电膜35LY由AlCu膜构成，第二导电膜41LY由TiN膜构成，第三导电膜31LY由ITO膜构成。即，第二导电膜41LY由导电性比第三导电膜31LY高的导电材料构成。
在该情况下，通过在外部连接用端子103中，在第一端子层350(第一导电膜35LY)与第三端子层310(第三导电膜31LY)之间设置第二端子层410(第二导电膜41LY)，从而与第一端子层350(第一导电膜35LY)和第三端子层310(第三导电膜31LY)被直接层叠的情况相比，能够降低外部连接用端子103的电阻值。另外，因为反射电极35由第一导电膜35LY形成，所以能够防止该反射电极35的反射率降低。
另外，在制造本实施方式的有机EL装置100时，在第一端子层350使用与反射电极35相同的第一导电膜35LY、第二端子层410使用与接触电极41相同的第二导电膜41LY、以及第三端子层310使用与像素电极31相同的第三导电膜31LY来制成有机EL元件30的工序中，能够制成依次层叠有第一端子层350、第二端子层410、以及第三端子层310的外部连接用端子103。
有机EL装置的制造方法
具体而言，参照图9(a)～(e)对本实施方式的有机EL装置100的制造方法进行说明。此外，图9(a)～(e)是用于将制成有机EL元件30(在本实施方式中例示30R。)和外部连接用端子103的工序作为上述有机EL装置100的制造工序来进行说明的剖视图。另外，在图9(a)～(e)中的右侧示出显示区域E中的一个像素20(在本实施方式中例示20R。)，在图9(a)～(e)中的左侧示出周边区域F中的一个外部连接用端子103。
在本实施方式中，在制成有机EL元件30的工序中，能够制成依次层叠有第一端子层350、第二端子层410、以及第三端子层310的外部连接用端子103。
具体而言，在本实施方式的制造方法中，首先，如图9(a)所示，在层间绝缘层34的表面上依次层叠Ti/AlCu膜(第一导电膜35LY)和SiO2膜(增反射层36)之后，在其上使用光刻技术来形成与反射电极35和第一端子层350对应的形状的掩膜层(未图示)。然后，对Ti/AlCu膜以及SiO2膜进行蚀刻直至层间绝缘层34的表面露出为止，之后除去掩膜层。由此，能够将Ti/AlCu膜以及SiO2膜图案形成为与反射电极35以及第一端子层350对应的形状。
接下来，如图9(b)所示，在其上形成SiN膜(第一绝缘膜39)，并且在被形成于第一绝缘膜39的凹部39a、39b填充形成SiO2膜(填充型绝缘膜40)。由此，形成了上表面被平坦化的保护层37。
接下来，如图9(c)所示，为了贯通增反射层36以及保护层37，而在反射电极35上形成接触孔41CT，在第一端子层350上形成第一接触孔410CT。之后，以填充到这些接触孔41CT、410CT的状态形成覆盖保护层37的表面的TiN膜(第二导电膜41YL)。之后，在其上使用光刻技术来形成与第二接触电极41和第二端子层410对应的形状的掩膜层(未图示)。然后，对TiN膜进行蚀刻直至保护层37的表面露出为止，之后除去掩膜层。由此，能够将TiN膜图案形成为与第二接触电极41以及第二端子层410对应的形状。
接下来，如图9(d)所示，在其上通过依次层叠绝缘膜38a、38b来形成光路调整层38。之后，为了贯通光路调整层38，而在第二接触电极41上形成接触孔31CT，在第二端子层410上形成第二接触孔310CT。
接下来，如图9(e)所示，以填充到这些接触孔31CT、310CT的状态形成覆盖光路调整层38的表面的ITO膜(第三导电膜31LY)。之后，在其上使用光刻技术来形成与像素电极31和第三端子层310对应的形状的掩膜层(未图示)。然后，对ITO膜进行蚀刻直至光路调整层38的表面露出为止，之后除去掩膜层。由此，能够将ITO膜图案形成为与像素电极31以及第三端子层310对应的形状。之后，在形成了SiO2膜(像素分离层29)之后，在像素电极31上形成开口29CT，在第三端子层310上形成端子开口部290CT。
如以上所述，在本实施方式的制造方法中，在第一端子层350使用与反射电极35相同的第一导电膜35LY、第二端子层410使用与第二接触电极41相同的第二导电膜41LY、以及第三端子层310使用与像素电极31相同的第三导电膜31LY来制成有机EL元件30的工序中，能够制成依次层叠有第一端子层350、第二端子层410、以及第三端子层310的外部连接用端子103。
另外，在本实施方式的制造方法中，通过在第一端子层350(第一导电膜35LY)与第三端子层310(第三导电膜31LY)之间形成第二端子层410(第二导电膜41LY)，从而与直接层叠第一端子层350(第一导电膜35LY)和第三端子层310(第三导电膜31LY)的情况相比，能够降低外部连接用端子103的电阻值。另外，因为反射电极35由第一导电膜35LY形成，所以能够防止该反射电极35的反射率降低。
另外，在本实施方式的有机EL装置100中，构成为晶体管124和反射电极35经由上述的第一接触电极28电连接，反射电极35和像素电极31经由第二接触电极41电连接。即，像素电极31经由反射电极35与晶体管124电连接。
由此，在本实施方式的有机EL装置100中，与电源线的一部分构成反射电极的情况、将电源线和反射电极电连接的情况不同，由于将反射电极35和像素电极31电连接，从而反射电极35和像素电极31成为同电位。由此，能够避免在反射电极35与像素电极31之间的绝缘膜(增反射层36、保护层37、光路调整层38等。)产生缺陷等而在电源线与像素电极之间短路(短接)这样的情况，所以能够实现成品率的进一步的提高。
另外，在本实施方式的有机EL装置100中，通过这种构成，能够一边控制从晶体管124经由反射电极35施加于像素电极31的电位，一边进行可靠性高的有机EL元件30的发光动作。
另外，在本实施方式的有机EL装置100中，上述的接触电极41具有以填充到接触孔41CT的状态与反射电极35连接的第一接触部41a、和以覆盖光路调整层38的表面的状态与像素电极31连接的第二接触部41b。在该情况下，能够经由第二接触电极41将反射电极35和像素电极31可靠地连接。
并且，在本实施方式的有机EL装置100中，通过上述的光路调整层38的至少一部分的端部位于第二接触部41b的表面上，在将光路调整层38图案形成为规定的形状时，能够使第二接触部41b作为光路调整层38的蚀刻阻挡层发挥作用，并且提高各像素20的开口率。另外，在外部连接用端子103中，第二端子层410能够作为光路调整层38的蚀刻阻挡层发挥作用。
另外，在本实施方式的有机EL装置100中，因为上述的保护层37的与光路调整层38接触的一侧的表面被平坦化，所以通过按照每个像素20调整光路调整层38的厚度，能够正确地进行反射电极35与像素电极31之间的光路调整。由此，能够进行由上述的共振构造构成的色彩再现性好的有机EL元件30的发光动作。另外，在外部连接用端子103中，通过保护层37来将由第一端子层350等产生的阶梯差平坦化。因此，能够使设置有多个外部连接用端子103的区域平坦，能够可靠地进行与外部的电路的连接。
另外，在本实施方式的有机EL装置100中，上述的被配置在保护层37的表面上的光路调整层38也被平坦化，所以能够使被配置在该光路调整层38的表面上的像素电极31的端部位于比形成有凹部39a的位置靠外侧。由此，能够增大像素20的开口率，即上述的规定像素20的发光区域的开口29CT的开口面积(发光面积)。
另外，在本实施方式的有机EL装置100中，被配置成光路调整层38(绝缘膜38a，38b)的至少一部分的端部位于上述的第一绝缘膜39的表面上。其中，光路调整层38(绝缘膜38a、38b)以及填充型绝缘膜40使用了氧化硅(SiO2)，第一绝缘膜39使用了蚀刻速率比氧化硅(SiO2)低的氮化硅(SiN)。
在该情况下，通过例如使用氟类气体的干式蚀刻，能够相对于氮化硅选择蚀刻氧化硅。因此，在将光路调整层38图案形成为规定的形状时，能够保护填充型绝缘膜40，并且使第一绝缘膜39作为光路调整层38的蚀刻阻挡层发挥作用。
变形例
接下来，作为上述有机EL装置100的变形例，对图10以及图11所示的有机EL装置200进行说明。此外，图10是表示像素20(像素20B、20G、20R)的构成的俯视图。图11是沿着图10中示出的线段E─E’的像素20G的剖视图。另外，在以下的说明中，与上述有机EL装置100相同的部位省略说明，并且在附图中标注相同的符号。
如图10以及图11所示，有机EL装置200不具备按照上述每个像素20分割来配置的反射电极35，而具备由电源线6的一部分构成的反射电极60。即，该反射电极60与各像素20B、20G、20R共通地配置。
另外，如图3所示，电源线6与晶体管121的源极以及电容21的一端连接。因此，反射电极60反射来自发光功能层32侧的光，并且发挥将作为电源的高位侧的电位Vel供给至像素电路110的作用。与第一接触电极28相同地，在层间绝缘层(绝缘层)34具备接触电极。
另外，有机EL装置200具备与上述第一接触电极28电连接的中继电极61。在各像素20形成有俯视时呈矩形状的开口60CT。接触孔60CT是贯通反射电极60的孔部，中继电极61被配置在该开口60CT的内侧。
在本实施方式中，作为反射电极60以及中继电极61，例如在膜厚30nm的钛(Ti)膜上形成膜厚100nm的铝(Al)和铜(Cu)的合金(AlCu)膜。
另外，有机EL装置200省略了上述增反射层36，并且代替上述保护层37以及光路调整层38而具备光学调整层62。光学调整层62覆盖形成有开口60CT的反射电极60的表面，并且包含具有被形成于开口60CT的内侧的凹部63a的第一绝缘膜63、填充到凹部63a的填充型绝缘膜64、以及被配置在第一绝缘膜63的表面上的第二绝缘膜66。
另外，有机EL装置200代替上述第二接触电极41，而具备与像素电极31电连接的第二接触电极67。第二接触电极67具有与中继电极61连接的第一接触部67a、和与像素电极31连接的第二接触部67b。接触孔67CT是贯通第一绝缘膜63的孔部，第一接触部67a以填充到接触孔67CT的方式被形成。第二接触部67b被配置在第二绝缘膜66的表面上。
光学调整层62中第一绝缘膜63以及填充型绝缘膜64作为保护层发挥作用。另外，第二绝缘膜66作为光路调整层发挥作用。
第二绝缘膜66以覆盖第一绝缘膜63以及第二接触部67b的表面的方式被配置。像素电极31经由被形成于该第二绝缘膜66的接触孔31CT与接触电极67(第二接触部67b)连接。
此外，在本实施方式中，形成氮化硅(SiN)膜作为第一绝缘膜63，形成氧化硅(SiO2)膜作为填充型绝缘膜64、第二绝缘膜66。
另外，光学调整层62的膜厚按照像素20B、像素20G、像素20R的顺序变大。即，在像素20B中，例如设置有第一绝缘膜63，以使共振波长(亮度最大的峰值波长)成为470nm。在像素20G中，例如设置有第一绝缘膜63以及第二绝缘膜66，以使共振波长成为540nm。在像素20R中，例如设置有第一绝缘膜63、第二绝缘膜66以及第三绝缘膜(未图示)，以使共振波长成为610nm。
此外，在本实施方式中，虽然省略了增反射层36，但也可以是在第一绝缘膜63与反射电极60之间具备增反射层36的构成。
在具有如以上的构成的有机EL装置200中，晶体管124和像素电极31经由中继电极61以及接触电极67电连接。另外，接触电极67以覆盖中继电极61以及开口60CT的方式被设置。而且，接触电极67被设置为俯视时与反射电极60的至少一部分重叠。而且，接触电极67具有遮光性。根据该构成，通过利用接触电极67对从开口60CT入射的光进行遮光，能够使显示品质提高。此外，在本实施方式中，例如形成厚度为500nm的氮化钛(TiN)膜作为接触电极67。
在本实施方式的有机EL装置200中，与上述的有机EL装置100相同地，在第一端子层350使用与反射电极35相同的第一导电膜35LY、第二端子层410使用与接触电极67相同的第二导电膜41LY、以及第三端子层310使用与像素电极31相同的第三导电膜31LY来制成有机EL元件30的工序中，能够制成依次层叠有第一端子层350、第二端子层410、以及第三端子层310的外部接续用端子103。
因此，在本实施方式的有机EL装置200中，与上述的有机EL装置100相同地，通过在第一端子层350(第一导电膜35LY)与第三端子层310(第三导电膜31LY)之间形成第二端子层410(第二导电膜41LY)，从而与直接层叠第一端子层350(第一导电膜35LY)和第三端子层310(第三导电膜31LY)的情况相比，能够降低外部连接用端子103的电阻值。另外，因为反射电极35由第一导电膜35LY形成，所以能够防止该反射电极35的反射率降低。
此外，对于本实施方式的有机EL装置200的制造方法，虽然省略了其说明，但是通过使用与上述的有机EL装置100的制造方法相同的方法，能够得到相同的效果。
即，在第一端子层350使用与反射电极35相同的第一导电膜35LY、第二端子层410使用与第二接触电极67相同的第二导电膜41LY、以及第三端子层310使用与像素电极31相同的第三导电膜31LY来制成有机EL元件30的工序中，能够制成依次层叠有第一端子层350、第二端子层410、第三端子层310的外部连接用端子103。
另外，通过在第一端子层350(第一导电膜35LY)与第三端子层310(第三导电膜31LY)之间形成第二端子层410(第二导电膜41LY)，与直接层叠第一端子层350(第一导电膜35LY)和第三端子层310(第三导电膜31LY)的情况相比，能够降低外部连接用端子103的电阻值。另外，因为反射电极35由第一导电膜35LY形成，所以能够防止该反射电极35的反射率降低。
电子设备
接下来，作为具备上述有机EL装置100、200的电子设备的一个例子，对图12所示的头戴式显示器1000进行说明。此外，图12是表示头戴式显示器1000的构成的概略图。
如图12所示，头戴式显示器1000具有与左右眼对应设置的两个显示部1001。观察者M将头戴式显示器1000如眼镜一样佩戴到头部，从而能够看到被显示于显示部1001的文字、图像等。例如，如果在左右显示部1001显示考虑视差的图像，则也能够观赏立体影像。
显示部1001使用了上述有机EL装置100、200。在上述有机EL装置100、200中，能够防止上述的反射电极35的反射率降低，并且降低外部连接用端子103的电阻值。因此，通过在显示部1001安装上述有机EL装置100、200，能够提供抑制点缺陷的产生并且高质量的显示的头戴式显示器1000。
此外，本发明并不局限于上述实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围中施加各种变更。
具体而言，作为应用了本发明的光电装置，并不局限于具备有机EL元件作为上述的发光元件的有机EL装置，能够对于具备例如无机EL元件、LED等的自发光型的发光元件的光电装置广泛地应用本发明。
另外，作为应用了本发明的电子设备，并不局限于上述的头戴式显示器1000，例如，能够列举出在平视显示器、数字照相机的电子取景器、便携式信息终端、导航仪等的显示部使用应用了本发明的光电装置的电子设备。
符号说明
6…电源线；10…元件基板；20(20B、20G、20R)…像素；28…第一接触电极；30(30B、30G、30R)…有机EL元件(发光元件)；31…像素电极(第一电极)；31LY…第三导电膜；310…第三端子层；310CT…第二接触孔；32…发光功能层(发光层)；33…对置电极(第二电极)；34…层间绝缘层(绝缘层)；35…反射电极；35CT…开口；35LY…第一导电膜；350…第一端子层；36…增反射层；37…保护层；38…光路调整层；39…第一绝缘膜；39a、39b…凹部；40…填充型绝缘膜；41…第二接触电极；41a…第一接触部；41b…第二接触部；41CT…接触孔；41LY…第二导电膜；410…第二端子层；410CT…第一接触孔；60…反射电极；60CT…开口；61…中继电极；62…光学调整层(保护层、光路调整层)；63…第一绝缘膜；63a…凹部；64…填充型绝缘膜；66…第二绝缘膜；67…第二接触电极；67a…第一接触部；67b…第二接触部；67CT…接触孔；67EL…导电膜；68…掩膜层；E…显示区域；F…周边区域；100、200…有机EL装置(光电装置)；103…外部连接用端子(端子)；110…像素电路；124…晶体管；1000…头戴式显示器(电子设备)。

Claims (9)

1.一种光电装置，其特征在于，
具备元件基板，该元件基板包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、以及在所述显示区域的外侧配置有端子的周边区域，
所述发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极，且所述第一电极与接触电极电连接的构造，
所述端子具有层叠有由与所述反射电极相同的第一导电膜形成的第一端子层、由与所述接触电极相同的第二导电膜形成的第二端子层、以及由与所述第一电极相同的第三导电膜形成的第三端子层的构造。
2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，
所述第三导电膜包括透明导电材料，
所述第二导电膜包括导电性比所述第三导电膜高的导电材料，
所述第一导电膜包括导电材料。
3.权利要求1所述的光电装置，其特征在于，
所述第三导电膜包括氧化铟锡，
所述第二导电膜包括氮化钛，
所述第一导电膜包括铝以及铜。
4.权利要求1～3中任一项所述的光电装置，其特征在于，
所述第一电极经由所述接触电极与所述反射电极电连接，
所述反射电极按照每个所述像素被分割地配置，并且与驱动所述发光元件的晶体管电连接。
5.权利要求1～3中任一项所述的光电装置，其特征在于，
所述反射电极由电源线的一部分构成，
在被形成于所述反射电极的开口的内侧配置中继电极，该中继电极与驱动所述发光元件的晶体管电连接，
所述第一电极经由所述接触电极与所述中继电极电连接。
6.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～5中任一项所述的光电装置。
7.一种光电装置的制造方法，其特征在于，
是如下的光电装置的制造方法，所述光电装置包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、以及在所述显示区域的外侧配置有端子的周边区域，所述发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极，且所述第一电极与接触电极电连接的构造，所述端子具有层叠有第一端子层、第二端子层、以及第三端子层的构造，所述光电装置的制造方法包括：
通过形成第一导电膜，并对所述第一导电膜进行图案形成，在所述显示区域形成所述反射电极，并在所述周边区域形成所述第一端子层的工序；
通过形成第二导电膜，并对所述第二导电膜进行图案形成，在所述显示区域形成所述接触电极，并在所述周边区域中在所述第一端子层上层叠所述第二端子层的工序；以及
通过形成第三导电膜，并对所述第三导电膜进行图案形成，在所述显示区域形成所述第一电极，并在所述周边区域中在所述第二端子层上层叠所述第三端子层的工序。
8.根据权利要求7所述的光电装置的制造方法，其特征在于，
所述第三导电膜包括透明导电材料，
所述第二导电膜包括导电性比所述第三导电膜高的导电材料，
所述第一导电膜包括反射导电材料。
9.根据权利要求8所述的光电装置的制造方法，其特征在于，
所述第三导电膜包括氧化铟锡，
所述第二导电膜包括氮化钛，
所述第一导电膜包括铝以及铜。
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