DE102017116049A1

DE102017116049A1 - Verfahren zum herstellen eines substrats für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements, substrat für ein optoelektronisches bauelement und optoelektronisches bauelement

Info

Publication number: DE102017116049A1
Application number: DE102017116049.3A
Authority: DE
Inventors: Philipp Schwamb
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Osram Oled GmbH
Priority date: 2017-07-17
Filing date: 2017-07-17
Publication date: 2019-01-17

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird bereitgestellt ein Verfahren zum Herstellen eines Substrats für ein optoelektronisches Bauelement (10), bei dem: ein Träger (12) bereitgestellt wird; eine elektrisch leitfähige Spiegelschicht (14) über dem Träger (12) ausgebildet wird; eine elektrisch leitfähige Schutzschicht (15) auf der Spiegelschicht (14) ausgebildet wird; und die Schutzschicht (15) in einem Elektrodenabschnitt (20) zumindest teilweise entfernt wird und in einem Kontaktabschnitt (16, 18) zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelements (10) nicht entfernt wird, wobei die dadurch in Elektrodenabschnitt (20) freigelegte Spiegelschicht (14) eine spiegelnde erste Elektrode für das optoelektronische Bauelement (10) bildet und wobei die in dem Kontaktabschnitt (16, 18) verbleibende Schutzschicht (15) die Spiegelschicht (14) in dem Kontaktabschnitt (16, 18) bedeckt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Substrats für ein optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, ein Substrat für ein optoelektronisches Bauelement und ein optoelektronisches Bauelement.
Ein optoelektronisches Bauelement kann beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED), als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, also organische optoelektronische Bauelemente, finden zunehmend verbreitete Anwendung. Beispielsweise halten OLEDs zunehmend Einzug in die Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquellen.
Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann über einem Träger eine Anode und eine Kathode und dazwischen ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen. Der Träger und die Anode und gegebenenfalls ein, zwei oder mehr Kontaktabschnitte, die auf dem Träger ausgebildet sind und die zum elektrischen Kontaktieren der OLED dienen, können als Substrat bezeichnet werden. Das über dem Substrat ausgebildete organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer“, CGL), sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschichten („hole transport layer“ -HTL), und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschichten („electron transport layer“ - ETL), um den Stromfluss zu richten.
Im Vergleich zu LEDs weisen OLEDs häufig relativ große, sich lateral erstreckende, optisch aktive Bereiche auf. Eine gezielte und/oder gleichmäßige Stromzufuhr in diese relativ großen optisch aktiven Bereiche kann beispielsweise mithilfe einer oder mehrerer Stromverteilungsstrukturen, sogenannten Busbars, erfolgen. Die Busbars sind häufig aus einem elektrisch hoch leitfähigen Material gebildet und verlaufen vorgegebene Strukturen bildend über mindestens eine der Elektroden der OLED. Derartige Stromverteilungsstrukturen werden regelmäßig auf die entsprechende Elektrode aufgebracht oder mittels Strukturierens aus der entsprechenden Elektrode hergestellt.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines Substrats für ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das mit wenigen Arbeitsschritten, schnell, einfach und/oder kostengünstig durchgeführt werden kann.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitzustellen, das mit wenigen Arbeitsschritten, schnell, einfach und/oder kostengünstig durchgeführt werden kann.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Substrat für ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das mit wenigen Arbeitsschritten, schnell, einfach und/oder kostengünstig hergestellt werden kann.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das mit wenigen Arbeitsschritten, schnell, einfach und/oder kostengünstig hergestellt werden kann.
Eine Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines Substrats für ein optoelektronisches Bauelement, bei dem: ein Träger bereitgestellt wird; eine elektrisch leitfähige Spiegelschicht über dem Träger ausgebildet wird; eine elektrisch leitfähige Schutzschicht auf der Spiegelschicht ausgebildet wird; und die Schutzschicht in einem Elektrodenabschnitt zumindest teilweise entfernt wird und in einem Kontaktabschnitt zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelements nicht entfernt wird, wobei die in dem Elektrodenabschnitt freigelegte Spiegelschicht eine spiegelnde erste Elektrode für das optoelektronische Bauelement bildet und wobei die in dem Kontaktabschnitt verbleibende Schutzschicht die Spiegelschicht in dem Kontaktabschnitt bedeckt.
Das Substrat mit der in dem Elektrodenabschnitt freigelegten Spiegelschicht kann beispielsweise als Substrat für eine Top-Emitter-OLED dienen. In diesem Fall kann die Spiegelschicht in dem Elektrodenabschnitt eine spiegelnde erste Elektrode oder zumindest ein Teil der spiegelnden ersten Elektrode der OLED sein. Die Schutzschicht kann in dem Kontaktabschnitt als Korrosionsschutz dienen. Die Spiegelschicht wird zunächst vollflächig, also ohne Unterbrechung, über dem Träger ausgebildet. Insbesondere kann die Spiegelschicht über einem großen Teil des Trägers oder über dem gesamten Träger vollflächig ausgebildet werden. Optional kann die Spiegelschicht nachfolgend strukturiert werden. Die Schutzschicht wird zunächst vollflächig, also ohne Unterbrechung, über der Spiegelschicht ausgebildet. Insbesondere kann die Schutzschicht über einem großen Teil der Spiegelschicht oder über der gesamten Spiegelschicht vollflächig ausgebildet werden. Das Entfernen der Schutzschicht in dem Elektrodenabschnitt kann auch als Strukturieren der Schutzschicht bezeichnet werden.
Das Ausbilden der Spiegelschicht, das Ausbilden der darüber liegenden Schutzschicht und das teilweise Entfernen der Schutzschicht zum Ausbilden des Kontaktabschnitts und der spiegelnden ersten Elektrode, nämlich der in dem Elektrodenabschnitt freigelegten Spiegelschicht, tragen dazu bei, dass der Kontaktabschnitt und die Spiegelschicht besonders schnell, einfach und/oder kostengünstig herstellbar sind.
Der Kontaktabschnitt kann als erster Kontaktabschnitt zum elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode ausgebildet werden. Dazu können der Abschnitt der Spiegelschicht, der einen Teil des Kontaktabschnitts bildet, und der Abschnitt der Spiegelschicht, der die erste Elektrode bildet, einstückig, also als durchgehende Schicht, ausgebildet werden. Dies trägt dazu bei, dass der erste Kontaktabschnitt und die erste Elektrode besonders einfach, schnell und/oder kostengünstig ausgebildet werden können und dass beim fertigen optoelektronischen Bauelement ein Stromfluss zwischen der ersten Elektrode und dem ersten Kontaktabschnitt besonders gut ist.
Alternativ dazu kann der Kontaktabschnitt als zweiter Kontaktabschnitt zum elektrischen Kontaktieren einer zweiten Elektrode des optoelektronischen Bauelements ausgebildet werden. Dazu kann die Spiegelschicht in einem Isolierbereich zwischen dem Elektrodenabschnitt und dem zweiten Kontaktabschnitt entfernt werden. Dies trägt dazu bei, dass der zweite Kontaktabschnitt und die erste Elektrode besonders einfach, schnell und/oder kostengünstig ausgebildet werden können.
Ferner kann das Substrat den ersten Kontaktabschnitt und den zweiten Kontaktabschnitt aufweisend ausgebildet werden. Dazu kann die Spiegelschicht sich von dem entsprechenden ersten Kontaktabschnitt über den Elektrodenabschnitt einstückig erstreckend und zwischen dem zweiten Kontaktabschnitt und dem Elektrodenabschnitt durch den Isolierbereich unterbrochen ausgebildet werden. Dies trägt dazu bei, dass der erste Kontaktabschnitt, der zweite Kontaktabschnitt und die erste Elektrode besonders einfach, schnell und/oder kostengünstig ausgebildet werden können und dass beim fertigen optoelektronischen Bauelement ein Stromfluss zwischen der ersten Elektrode und dem ersten Kontaktabschnitt besonders gut ist.
Gemäß einer Weiterbildung wird die Schutzschicht in dem Elektrodenabschnitt nur teilweise entfernt und die in dem Elektrodenabschnitt verbleibende Schutzschicht bildet eine Stromverteilungsstruktur.
Die erste Elektrode, die von der in dem Elektrodenabschnitt freigelegten Spiegelschicht gebildet ist und die beispielsweise als Anode des optoelektronischen Bauelements dienen kann, und die Stromverteilungsstruktur, die beispielsweise mehrere Busbars aufweisen kann, werden aus einem gemeinsamen vollflächigen Materialstapel zumindest aufweisend die Spiegelschicht und die Schutzschicht erzeugt. Die zunächst vollflächigen und/oder unstrukturierten Schichten, insbesondere die Spiegelschicht und die Schutzschicht, können einfach und kostengünstig hergestellt werden. Ferner können bei jedem Abscheideprozess sowohl das Material für den oder die Kontaktabschnitte als auch das Material für die Stromverteilungsstruktur gleichzeitig aufgebracht werden, wodurch gegenüber einem herkömmlichen Herstellungsverfahren mindestens ein Arbeitsschritt eingespart werden kann. Dennoch können die erste Elektrode und die Stromverteilungsstruktur für ihre entsprechende Funktionalität optimiert werden, indem sie nachfolgend einen voneinander verschiedenen Materialaufbau bekommen. Insbesondere wird die Schutzschicht in dem Elektrodenabschnitt bis auf die Stromverteilungsstruktur entfernt und in dem bzw. den Kontaktabschnitten nicht. Falls die Schutzschicht als Korrosionsschutz dient, so ist auch die von der Schutzschicht gebildete Stromverteilungsstruktur korrosionsbeständig. Ferner kann in Teilbereichen eine Umwandlung der Schutzschicht erfolgen, beispielsweise mittels Oxidation, was nachfolgend weiter erläutert wird.
Gemäß einer Weiterbildung ist die Stromverteilungsstruktur mit der Schutzschicht in dem ersten Kontaktabschnitt elektrisch verbunden. Dies bewirkt, dass ein über den ersten Kontaktabschnitt dem optoelektronischen Bauelement zugeführter elektrischer Strom mittels der Stromverteilungsstruktur über die erste Elektrode verteilt wird. Dies ermöglicht, die Stromzufuhr zu einer optoelektronischen Schichtenstruktur des optoelektronischen Bauelements gezielt vorzunehmen. Im Falle eines lichtemittierenden Bauelements als optoelektronischem Bauelement kann auf diese Weise gezielt Einfluss auf eine Leuchtdichteverteilung des entsprechenden lichtemittierenden Bauelements genommen werden. Beispielsweise kann auf diese Weise eine homogene Leuchtdichte erzielt werden.
Gemäß einer Weiterbildung sind die Stromverteilungsstruktur und die Schutzschicht in dem Kontaktabschnitt einstückig ausgebildet. Dies trägt dazu bei, dass ein Stromfluss zwischen der Schutzschicht und der Stromverteilungsstruktur besonders gut ist.
Gemäß einer Weiterbildung wird vor dem teilweisen Entfernen der Schutzschicht eine elektrisch isolierende Isolatorschicht auf der Schutzschicht derart strukturiert ausgebildet, dass sie nachfolgend die Stromverteilungsstruktur bedeckt und dass der Kontaktabschnitt frei von der Isolatorschicht ist. Die Isolatorschicht kann als zusätzliche Schicht auf der Schutzschicht ausgebildet werden. Alternativ dazu kann ein freiliegender Bereich der Schutzschicht mittels Oxidation derart umgewandelt werden, dass der entsprechende umgewandelte Bereich elektrisch isolierend ausgebildet ist. In beiden Fällen entsteht ein Schichtstapel aus einer elektrisch leitenden Schutzschicht und einer darüber liegenden elektrisch isolierenden Isolatorschicht. Die Isolatorschicht kann beispielsweise vollflächig auf der Schutzschicht aufgebracht werden und dann strukturiert werden. Alternativ dazu kann die Isolatorschicht fertig strukturiert auf der Schutzschicht ausgebildet werden. Der Kontaktabschnitt kann frei von der Isolatorschicht bleiben, indem diese in dem Kontaktabschnitt nicht ausgebildet wird oder indem diese nach deren Ausbildung in dem Kontaktabschnitt wieder entfernt wird. Die Isolatorschicht kann dazu dienen, einen direkten Stromfluss von der Stromverteilungsstruktur in die optoelektronische Schichtenstruktur des optoelektronischen Bauelements zu verhindern, so dass die Stromzufuhr von der Stromverteilungsstruktur in die optoelektronische Schichtenstruktur ausschließlich über die erste Elektrode erfolgt. Dies kann dazu beitragen, dass die Stromzufuhr in die optoelektronische Schichtenstruktur über die erste Elektrode relativ homogen erfolgt.
Gemäß einer Weiterbildung dient die strukturierte Isolatorschicht in dem Elektrodenabschnitt beim Entfernen der Schutzschicht als Maske zum Strukturieren der Schutzschicht. Insbesondere kann die Isolatorschicht derart strukturiert werden, dass sie nur die Teile der Schutzschicht bedeckt, die nach dem Entfernen der Schutzschicht den bzw. die Kontaktabschnitte und die Stromverteilungsstruktur bilden. Dies trägt dazu bei, dass der bzw. die Kontaktabschnitte und die Stromverteilungsstruktur besonders einfach, schnell und/oder kostengünstig ausgebildet werden können.
Gemäß einer Weiterbildung wird vor dem Ausbilden der Spiegelschicht eine Haftvermittlerschicht auf dem Träger ausgebildet und die Spiegelschicht wird auf der Haftvermittlerschicht ausgebildet. Die Haftvermittlerschicht trägt dazu bei, dass die Spiegelschicht besonders gut mit dem Träger verbunden ist und/oder dass die Spiegelschicht besonders homogenen ausgebildet ist. Die Haftvermittlerschicht kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein. Insbesondere kann die Haftvermittlerschicht ein elektrisch leitfähiges Material aufweisen oder davon gebildet sein. Falls die Haftvermittlerschicht elektrisch leitfähig ausgebildet ist, so kann die Haftvermittlerschicht einen Teil der ersten Elektrode und einen Teil des ersten Kontaktabschnitts oder einen Teil der ersten Elektrode und einen Teil des zweiten Kontaktabschnitts bilden und dementsprechend zu einem besonders guten Ladungstransport beitragen.
Gemäß einer Weiterbildung werden in einem Isolierbereich die Schutzschicht, die Spiegelschicht und gegebenenfalls die Haftvermittlerschicht bis hin zu dem Träger entfernt, wobei auf der einen Seite des Isolierbereichs die Spiegelschicht - und gegebenenfalls die Haftvermittlerschicht - die erste Elektrode bildet und wobei auf der anderen Seite des Isolierbereichs die Spiegelschicht - gegebenenfalls die Haftvermittlerschicht - und die über der Spiegelschicht ausgebildete Schutzschicht den einen Kontaktabschnitt, beispielsweise den ersten Kontaktabschnitt, oder einen weiteren Kontaktabschnitt, beispielsweise den zweiten Kontaktabschnitt, zum elektrischen Kontaktieren einer zweiten Elektrode des optoelektronischen Bauelements bilden. Dies ermöglicht auf einfache Weise, das Substrat mit dem Elektrodenabschnitt und mit zwei voneinander elektrisch isolierten Kontaktabschnitten auszubilden.
Gemäß einer Weiterbildung werden die Schutzschicht und/oder die Isolatorschicht entfernt und/oder der Isolierbereich wird ausgebildet mittels eines oder mehrerer Masken-basierten Ätzverfahrens oder mittels Laserablation. Dies trägt dazu bei, die Schutzschicht und/oder die Isolatorschicht auf besonders einfache Weise und/oder besonders präzise zu entfernen.
Gemäß einer Weiterbildung werden die Haftvermittlerschicht, die Spiegelschicht, die Schutzschicht und/oder die Isolatorschicht zunächst vollflächig und/oder unstrukturiert ausgebildet und nachfolgend strukturiert. Dies kann dazu beitragen, das Substrat besonders einfach, schnell und/oder kostengünstig auszubilden.
Gemäß einer Weiterbildung weisen die Haftvermittlerschicht und/oder die Schutzschicht Chrom und/oder Titan auf oder sind davon gebildet und/oder die Spiegelschicht weist Aluminium, Silber, Kupfer und/oder Gold auf oder ist davon gebildet. Beispielsweise können die Kontaktabschnitte von einem Chrom/Aluminium/Chrom-Stapel gebildet sein. Auch die Stromverteilerstruktur und die darunter liegenden Abschnitte der ersten Elektrode können von Chrom/Aluminium/Chrom-Stapeln gebildet sein. Die spiegelnde erste Elektrode kann außerhalb der Stromverteilungsstruktur beispielsweise von einem Chrom/Aluminium-Stapel gebildet sein.
Eine Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, bei dem: das Substrat wie im Vorhergehenden erläutert ausgebildet wird; eine optoelektronische Schichtenstruktur in dem Elektrodenabschnitt auf der Spiegelschicht und gegebenenfalls über der Stromverteilungsstruktur ausgebildet wird, und die zweite Elektrode auf der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet wird. Die im Vorhergehenden erläuterten Vorteile und/oder Weiterbildungen des Verfahrens zum Herstellen des Substrats können ohne weiteres auf Vorteile und Weiterbildungen des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements übertragen werden. Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise ein lichtemittierendes Bauelement, beispielsweise eine LED oder eine OLED, oder ein Licht absorbierendes Bauelement, beispielsweise zur Energieerzeugung, beispielsweise eine Solarzelle, beispielsweise eine organische Solarzelle, oder zur Lichtdetektion, beispielsweise ein Fotosensor, sein.
Gemäß einer Weiterbildung wird als optoelektronische Schichtenstruktur eine organische und/oder lichtemittierende Schichtenstruktur ausgebildet. Somit kann das optoelektronische Bauelement ein organisches optoelektronisches Bauelement, ein lichtemittierendes Bauelement oder ein organisches lichtemittierendes Bauelement, insbesondere eine OLED, sein.
Eine Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Substrat für ein optoelektronisches Bauelement, mit: einem Träger; einer elektrisch leitfähigen Spiegelschicht über dem Träger; und einer elektrisch leitfähigen Schutzschicht auf der Spiegelschicht, die so ausgebildet ist, dass die Spiegelschicht in einem Elektrodenabschnitt zumindest teilweise freigelegt ist und in einem Kontaktabschnitt zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelements von der Schutzschicht bedeckt ist, wobei die in dem Elektrodenabschnitt freigelegte Spiegelschicht eine spiegelnde erste Elektrode für das optoelektronische Bauelement bildet. Die im Vorhergehenden in Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen des Substrats erläuterten Vorteile und Weiterbildungen können ohne weiteres auf Vorteile und Weiterbildungen des Substrats übertragen werden.
Gemäß einer Weiterbildung ist in dem Elektrodenabschnitt auf der Spiegelschichtschicht die Stromverteilungsstruktur ausgebildet, die einstückig mit der Schutzschicht ausgebildet ist und/oder das gleiche Material wie die Schutzschicht aufweist.
Eine Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein optoelektronisches Bauelement, mit: dem im Vorhergehenden erläuterten Substrat; der optoelektronischen Schichtenstruktur in dem Elektrodenabschnitt auf der Spiegelschicht und gegebenenfalls über der Stromverteilungsstruktur; und der zweiten Elektrode auf der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die im Vorhergehenden in Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen des Substrats erläuterten Vorteile und Weiterbildungen können ohne weiteres auf Vorteile und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelements übertragen werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen:

1 eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
2 eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
3 einen ersten Zustand während eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines Substrats für ein optoelektronisches Bauelement;
4 einen ersten Zustand während eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines Substrats für ein optoelektronisches Bauelement;
5 einen zweiten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement;
6 einen dritten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für ein optoelektronisches Bauelement;
7 einen vierten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement;
8 einen alternativen vierten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement;
9 einen alternativen vierten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement;
10 einen fünften Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement;
11 einen sechsten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In den Figuren sind identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
1 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 weist einen Träger 12 auf. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 12 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein.
Auf dem Träger 12 ist eine elektrisch leitfähige Schichtenstruktur ausgebildet. Die elektrisch leitfähige Schichtenstruktur weist eine elektrisch leitfähige Haftvermittlerschicht 13, eine elektrisch leitfähige Spiegelschicht 14 auf der Haftvermittlerschicht 13 und eine Schutzschicht 15 auf der Spiegelschicht 14 auf. Die elektrisch leitfähige Schichtenstruktur weist einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und einen Elektrodenabschnitt 20, der auch als erste Elektrode bezeichnet werden kann, auf. Der Träger 12 mit der elektrisch leitfähigen Schichtenstruktur kann auch als Substrat bezeichnet werden. Zwischen dem Träger 12 und der Haftvermittlerschicht 13 kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht, ausgebildet sein.
Der erste Kontaktabschnitt 16 ist mit dem Elektrodenabschnitt 20 elektrisch gekoppelt. Insbesondere sind die Haftvermittlerschicht 13 und die Spiegelschicht 14 in dem ersten Kontaktabschnitt 16 einstückig mit der Haftvermittlerschicht 13 und der Spiegelschicht 14 in dem Elektrodenabschnitt 20 ausgebildet. Der Elektrodenabschnitt 20 und der erste Kontaktabschnitt 16 sind durch einen Isolierungsbereich 21 von dem zweiten Kontaktabschnitt 18 elektrisch isoliert. Der Elektrodenabschnitt 20 kann als erste Elektrode, insbesondere als Anode oder als Kathode, des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein. Eine von dem Träger 12 abgewandte Oberseite der ersten Elektrode ist aufgrund der Spiegelschicht 22, die in dem Elektrodenabschnitt 20 frei von der Schutzschicht 15 ist, spiegelnd ausgebildet. Aufgrund der spiegelnden ersten Elektrode kann das optoelektronische Bauelement 10 beispielsweise eine Top-Emitter-OLED sein.
Der erste Kontaktabschnitt 16, der zweite Kontaktabschnitt 18 und der Elektrodenabschnitt 20 weisen jeweils elektrisch leitfähiges Material auf, insbesondere je einen Schichtenstapel aus mindesten zwei elektrisch leitfähigen Schichten, die jeweils beispielsweise Metalle aufweisen. Beispielsweise weisen die Haftvermittlerschicht 13 und/oder die Schutzschicht 15 Chrom und/oder Titan auf oder sind davon gebildet. Alternativ oder zusätzlich weist die Spiegelschicht 14 beispielsweise Aluminium, Silber, Kupfer und/oder Gold auf oder ist davon gebildet. Beispielsweise können die Kontaktabschnitte 16, 18 von je einem Chrom/Aluminium/Chrom-Stapel gebildet sein. Der Elektrodenabschnitt 20 und damit die erste Elektrode können von einem Chrom/Aluminium-Stapel gebildet sein.
Über dem ersten Elektrodenabschnitt 20 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur 22, insbesondere eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen.
Über der optoelektronischen Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 ausgebildet, die elektrisch mit dem zweiten Kontaktabschnitt 18 gekoppelt ist. Die zweite Elektrode 23 ist transluzent oder transparent ausgebildet. Die zweite Elektrode 23 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die zweite Elektrode 23 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die zweite Elektrode 23 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Die erste Elektrode dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur.
Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein optisch aktiver Bereich des optoelektronischen Bauelements. Der optisch aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 10, in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder zur Stromerzeugung absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet.
Über der zweiten Elektrode 23 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur 22 verkapselt. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein.
Ein erster Kontaktbereich 32 und ein zweiter Kontaktbereich 34 sind freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und damit der ersten Elektrode. Der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18 und damit der zweiten Elektrode 23.
Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel.
Über der Haftmittelschicht 36 ist ein Abdeckkörper 38 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der Verkapselungsschicht 24. Der Abdeckkörper 38 weist beispielsweise Kunststoff, Glas und/oder Metall auf. Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des optoelektronischen Bauelements 10, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem optoelektronischen Bauelement 10 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 entstehenden Wärme dienen.
2 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10, das beispielsweise weitgehend dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. Das optoelektronische Bauelement 10 weist eine Stromverteilungsstruktur 40 auf. Die Stromverteilungsstruktur 40 ist in dem Elektrodenabschnitt 20 direkt, also in körperlichem Kontakt, auf der Schutzschicht 14 ausgebildet. Die Stromverteilungsstruktur 40 weist mehrere Stromverteilerelemente auf, die auch als Busbars bezeichnet werden können. Die Stromverteilungsstruktur 40 ist elektrisch mit der Schutzschicht 15 verbunden. Beispielsweise kann die Stromverteilungsstruktur 40 einstückig mit der Schutzschicht 50 ausgebildet sein, was in einer Draufsicht auf die Stromverteilungsstruktur 40 und die Schutzschicht 15 oder bei einer anderen seitlichen Schnittdarstellung ersichtlich wäre. Beispielsweise kann die Stromverteilungsstruktur 40 aus dem gleichen Material wie die Schutzschicht 15 gebildet sein. Die Stromverteilerstruktur 40 und die darunter liegenden Abschnitte der Spiegelschicht 14 und gegebenenfalls der Haftvermittlerschicht 13 können Chrom/Aluminium/Chrom-Stapel bilden. Die Stromverteilerelemente der Stromverteilungsstruktur 40 können sich in Draufsicht auf die Stromverteilungsstruktur 40 beispielsweise linear, beispielsweise in Form eines Musters über die Spiegelschicht 14 erstrecken. Das Muster kann beispielsweise sechseckige Waben oder Dreiecke aufweisen.
Mit Bezug zu den 3 bis 11 werden Ausführungsbeispiele eines Verfahrens zum Herstellen eines Substrats anhand von Zuständen des Substrats, die dieses während des Verfahrens zeitlich nacheinander einnimmt, erläutert. Das fertige Substrat entspricht beispielsweise dem Substrat des mit Bezug zu 1 oder des mit Bezug zu 2 erläuterten optoelektronischen Bauelements 10. Somit veranschaulichen die 3 bis 11 einzelne Schritte der Ausführungsbeispiele des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10. Die weiteren Schichten des optoelektronischen Bauelements 10 können dann auf dem fertig ausgebildeten Substrat ausgebildet werden.
3 zeigt einen ersten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10. In dem ersten Zustand ist die Spiegelschicht 14 auf dem zuvor bereitgestellten Träger 12 ausgebildet. Der Träger 12 kann beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterten Materialien aufweisen oder davon gebildet sein. Die Spiegelschicht 14 kann beispielsweise mittels eines herkömmlichen Abscheideverfahrens, wie beispielsweise Sputtern oder Gasphasenabscheidung, ausgebildet sein. Die Spiegelschicht 14 kann beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterten Materialien aufweisen oder daraus bestehen.
4 zeigt einen alternativen ersten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10. In dem alternativen ersten Zustand ist die Haftvermittlerschicht 13 auf dem zuvor bereitgestellten Träger 12 ausgebildet. Der Träger 12 kann beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterten Materialien aufweisen oder davon gebildet sein. Die Haftvermittlerschicht 13 kann beispielsweise mittels eines herkömmlichen Abscheideverfahrens, wie beispielsweise Sputtern oder Gasphasenabscheidung, ausgebildet sein. Die Haftvermittlerschicht 13 kann beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterten Materialien aufweisen oder daraus bestehen.
Das Verfahren zum Herstellen des Substrats kann mit oder ohne dem Ausbilden der Haftvermittlerschicht 13 abgearbeitet werden. In anderen Worten ist die Haftvermittlerschicht 13 optional. Aus Gründen der anschaulichen Erläuterung und zum Vermeiden von Wiederholungen wird nachfolgend jedoch nur das Ausführungsbeispiel beschrieben, bei dem die Haftvermittlerschicht 13 ausgebildet wird. Falls die Haftvermittlerschicht 13 nicht ausgebildet wird, so können die nachfolgenden mit Bezug zu den entsprechenden Figuren erläuterten Schritte des Verfahrens unverändert beibehalten werden.
5 zeigt einen zweiten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10. In dem zweiten Zustand ist die Spiegelschicht 14 auf der Haftvermittlerschicht 13 ausgebildet. Die Spiegelschicht 14 kann beispielsweise mittels eines herkömmlichen Abscheideverfahrens, wie beispielsweise Sputtern oder Gasphasenabscheidung, ausgebildet sein. Die Spiegelschicht 14 kann beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterten Materialien aufweisen oder daraus bestehen.
6 zeigt einen dritten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10. In dem dritten Zustand ist die Schutzschicht 15 auf der Spiegelschicht 14 ausgebildet. Die Schutzschicht 15 kann beispielsweise mittels eines herkömmlichen Abscheideverfahrens, wie beispielsweise Sputtern oder Gasphasenabscheidung, ausgebildet sein. Die Schutzschicht 15 kann beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterten Materialien aufweisen oder daraus bestehen.
7 zeigt einen vierten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10. In dem vierten Zustand ist die Schutzschicht 15 in dem Elektrodenabschnitt 20 entfernt. In anderen Worten ist die Schutzschicht 15 in dem vierten Zustand strukturiert. Die Schutzschicht 15 kann beispielsweise strukturiert und/oder entfernt werden mittels eines herkömmlichen maskenbasierten Ätzverfahrens.
Alternativ zu dem mit Bezug zu 6 erläuterten vollflächigen Aufbringen der Schutzschicht 15 und dem mit Bezug zu 7 erläuterten Strukturieren und teilweisen Entfernen der Schutzschicht 15 kann die Schutzschicht 15 auch direkt strukturiert, beispielsweise mittels eines Druckverfahrens, auf der Spiegelschicht 14 ausgebildet werden.
In einem Isolierbereich 21 sind nicht nur die Schutzschicht 15 sondern auch die Spiegelschicht 14 und die Haftvermittlerschicht 13 derart entfernt, dass in dem Isolierbereich 21 der Träger 12 freigelegt ist. Der Isolierbereich 21 dient dazu, den Elektrodenabschnitt 20 gegenüber dem zweiten Kontaktabschnitt 18 elektrisch zu isolieren. Nachfolgend kann der Isolierbereich 21 mit einem elektrisch isolierenden Material oder mit dem Material der optoelektronischen Schichtenstruktur 22 gefüllt werden.
Der in 7 gezeigte vierte Zustand des Verfahrens zeigt das fertig gestellte Substrat für das in 1 gezeigte optoelektronische Bauelement 10.
8 zeigt einen alternativen vierten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10. In dem alternativen vierten Zustand ist die Schutzschicht 15 in dem Elektrodenabschnitt 20 nur teilweise entfernt. Auch in dem alternativen vierten Zustand kann die Schutzschicht 15 als strukturiert bezeichnet werden. Die Schutzschicht 15 ist in dem Elektrodenabschnitt 20 im Bereich der Stromverteilungsstruktur 40 nicht entfernt. In anderen Worten ist die Stromverteilungsstruktur 40 von der in dem Elektrodenabschnitt 20 nicht entfernten Schutzschicht 15 gebildet. Die Schutzschicht 15 kann beispielsweise strukturiert und/oder entfernt werden mittels eines herkömmlichen maskenbasierten Ätzverfahrens.
Alternativ zu dem mit Bezug zu 6 erläuterten vollflächigen Aufbringen der Schutzschicht 15 und dem mit Bezug zu 8 erläuterten Strukturieren und teilweisen Entfernen der Schutzschicht 15 kann die Schutzschicht 15 auch direkt strukturiert, beispielsweise mittels eines Druckverfahrens, auf der Spiegelschicht 14 ausgebildet werden, wobei dann im selben Arbeitsschritt auch die Stromverteilungsstruktur 40 als Teil der Schutzschicht 15 ausgebildet wird.
In dem Isolierbereich 21 sind nicht nur die Schutzschicht 15 sondern auch die Spiegelschicht 14 und die Haftvermittlerschicht 13 derart entfernt, dass in dem Isolierbereich 21 der Träger 12 freigelegt ist. Der Isolierbereich 21 dient dazu, den ersten Kontaktabschnitt 16 und den Elektrodenabschnitt 20 gegenüber dem zweiten Kontaktabschnitt 18 elektrisch zu isolieren. Nachfolgend kann der Isolierbereich 21 mit dem elektrisch isolierenden Material oder mit dem Material der optoelektronischen Schichtenstruktur 22 gefüllt werden.
Der in 8 gezeigte vierte Zustand des Verfahrens zeigt das fertig gestellte Substrat für das in 2 gezeigte optoelektronische Bauelement 10.
9 zeigt einen alternativen vierten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10. In dem alternativen vierten Zustand ist eine Isolatorschicht 42 auf der Schutzschicht 15 ausgebildet. Die Isolatorschicht 42 kann beispielsweise mittels teilweiser Oxidation, beispielsweise Oberflächenoxidation, der Schutzschicht 15 ausgebildet werden. Alternativ dazu kann die Isolatorschicht 42 beispielsweise mittels eines herkömmlichen Abscheideverfahrens, wie beispielsweise Sputtern oder Gasphasenabscheidung, ausgebildet sein. Die Isolatorschicht 42 weist ein elektrisch isolierendes Material auf oder besteht daraus.
10 zeigt einen fünften Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement 10, wobei sich der fünfte Zustand nach dem mit Bezug zu 9 erläuterten alternativen vierten Zustand ergeben kann. In dem fünften Zustand ist die Isolatorschicht 42 in dem Elektrodenabschnitt 20 nur teilweise entfernt. In anderen Worten kann die Isolatorschicht 42 als strukturiert bezeichnet werden. Die Isolatorschicht 42 ist in dem Elektrodenabschnitt 20 im Bereich der nachfolgend herzustellenden Stromverteilungsstruktur 40 nicht entfernt. In anderen Worten sind die Bereiche, in denen nachfolgend die Stromverteilungsstruktur 40 ausgebildet wird, von der in dem Elektrodenabschnitt 20 nicht entfernten Isolatorschicht 42 bedeckt. Die Isolatorschicht 42 kann beispielsweise strukturiert und/oder entfernt werden mittels eines herkömmlichen maskenbasierten Ätzverfahrens.
Alternativ zu dem mit Bezug zu 6 erläuterten vollflächigen Aufbringen der Isolatorschicht 42 und dem mit Bezug zu 8 erläuterten Strukturieren und teilweisen Entfernen der Isolatorschicht 42 kann die Isolatorschicht 42 auch direkt strukturiert, beispielsweise mittels eines Druckverfahrens, auf der Schutzschicht 15 ausgebildet werden.
11 zeigt einen sechsten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des Substrats für das optoelektronische Bauelement, wobei sich der sechste Zustand nach dem mit Bezug zu 10 erläuterten fünften Zustand ergeben kann. In dem sechsten Zustand ist die Schutzschicht 15 in dem Elektrodenabschnitt 20 teilweise entfernt. Auch in dem sechsten Zustand kann die Schutzschicht 15 als strukturiert bezeichnet werden. Die Schutzschicht 15 ist in dem Elektrodenabschnitt 20 im Bereich der Stromverteilungsstruktur 40, in dem sie von der Isolatorschicht 42 bedeckt ist, nicht entfernt. In anderen Worten ist die Stromverteilungsstruktur 40 von der in dem Elektrodenabschnitt 20 nicht entfernten Schutzschicht 15 und der darüber ausgebildeten Isolatorschicht 42 gebildet. Die Schutzschicht 15 kann beispielsweise strukturiert und/oder entfernt werden mittels eines herkömmlichen maskenbasierten Ätzverfahrens, wobei die Isolatorschicht 42 als Maske dient.
In dem sechsten Zustand sind die Kontaktabschnitte 16, 18 frei von der Isolatorschicht 42. Falls die Isolatorschicht 42 als Maske zum Ausbilden der Stromverteilungsstruktur 40 dient, so kann nach dem Ausbilden der Stromverteilungsstruktur 40 zunächst noch Material der Isolatorschicht 42 auf den Kontaktabschnitten 16, 18 ausgebildet sein. Dieses wird jedoch nachfolgend entfernt, um eine gute elektrische Kontaktierbarkeit der Kontaktabschnitte 16, 18 zu gewährleisten.
Alternativ zu dem mit Bezug zu den 10 und 11 erläuterten Strukturieren ausschließlich der Isolatorschicht 42 und dem anschließenden Verwenden der Isolatorschicht 42 als Maske zum Ausbilden der Stromverteilungsstruktur 40 können in einem Arbeitsschritt die Isolatorschicht 42 strukturiert, die Schutzschicht 15 in dem Elektronabschnitt 20 entfernt und dadurch die Stromverteilungsstruktur 40 ausgebildet werden, beispielsweise mittels eines maskenbasierten Ätzverfahrens, bei dem eine separate Maske verwendet wird. Dies kann beispielsweise vorteilhaft sein, wenn die Isolatorschicht 42 mittels teilweiser Oxidation der Schutzschicht 15 hergestellt wurde.
In dem Isolierbereich 21 sind nicht nur die Isolatorschicht 42 und die Schutzschicht 15 sondern auch die Spiegelschicht 14 und die Haftvermittlerschicht 13 derart entfernt, dass in dem Isolierbereich 21 der Träger 12 freigelegt ist. Der Isolierbereich 21 dient dazu, den ersten Kontaktabschnitt 16 und den Elektrodenabschnitt 20 gegenüber dem zweiten Kontaktabschnitt 18 elektrisch zu isolieren. Nachfolgend kann der Isolierbereich 21 mit dem elektrisch isolierenden Material oder mit dem Material der optoelektronischen Schichtenstruktur 22 gefüllt werden.
Der in 11 gezeigte sechste Zustand des Verfahrens zeigt das fertig gestellte Substrat für ein in den Figuren nicht gezeigtes Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 10, welches jedoch im Wesentlichen, insbesondere bis auf das Substrat, dem mit Bezug zu 1 oder mit Bezug zu 2 erläuterten Ausführungsbeispiel entsprechen kann.
Die 7, 8 und 11 zeigen jeweils ein fertiggestelltes Substrat, auf dem basierend das entsprechende optoelektronische Bauelement 10, beispielsweise das in 1 bzw. das in 2 gezeigte optoelektronische Bauelement 10 ausgebildet werden kann. Die entsprechenden dafür notwendigen Schichten, beispielsweise die optoelektronische Schichtenstruktur 22, die zweite Elektrode 23, die Verkapselungsschicht 24, die Haftmittelschicht 36 und/oder der Abdeckkörper 38 können in bereits bekannten herkömmlichen Verfahren hergestellt und/oder bereitgestellt werden, weswegen an dieser Stelle auf die Beschreibung der entsprechenden Zustände und/oder Verfahrensschritte verzichtet wird und auf den Stand der Technik verwiesen wird.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die gezeigten optoelektronischen Bauelemente 10 eine, zwei oder mehrere zusätzliche Schichten aufweisen, insbesondere Auskoppelschichten, lichtbeeinflussende Schichten, Konversionsschichten etc., die in entsprechenden Verfahrensschritten ausgebildet werden können.
Bezugszeichenliste

optoelektronisches Bauelement	10
Träger	12
Haftvermittlerschicht	13
Spiegelschicht	14
Schutzschicht	15
erster Kontaktabschnitt	16
zweiter Kontaktabschnitt	18
Elektrodenabschnitt	20
Isolierbereich	21
optoelektronische Schichtenstruktur	22
zweite Elektrode	23
Verkapselungsschicht	24
erster Kontaktbereich	32
zweiter Kontaktbereich	34
Haftmittelschicht	36
Abdeckkörper	38
Stromverteilungsstruktur	40
Isolatorschicht	42

Claims

Verfahren zum Herstellen eines Substrats für ein optoelektronisches Bauelement (10), bei dem ein Träger (12) bereitgestellt wird, eine elektrisch leitfähige Spiegelschicht (14) über dem Träger (12) ausgebildet wird, eine elektrisch leitfähige Schutzschicht (15) auf der Spiegelschicht (14) ausgebildet wird, und die Schutzschicht (15) in einem Elektrodenabschnitt (20) zumindest teilweise entfernt wird und in einem Kontaktabschnitt (16, 18) zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelements (10) nicht entfernt wird, wobei die dadurch in dem Elektrodenabschnitt (20) freigelegte Spiegelschicht (14) eine spiegelnde erste Elektrode für das optoelektronische Bauelement (10) bildet und wobei die in dem Kontaktabschnitt (16, 18) verbleibende Schutzschicht die Spiegelschicht (14) in dem Kontaktabschnitt (16, 18) bedeckt.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schutzschicht (15) in dem Elektrodenabschnitt (20) nur teilweise entfernt wird und die in dem Elektrodenabschnitt (20) verbleibende Schutzschicht (15) eine Stromverteilungsstruktur (40) bildet.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Stromverteilungsstruktur (40) mit der Schutzschicht (15) in dem Kontaktabschnitt (16, 18) elektrisch verbunden ist.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Stromverteilungsstruktur (40) und die Schutzschicht (15) in dem Kontaktabschnitt (16, 18) einstückig ausgebildet sind.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem vor dem teilweisen Entfernen der Schutzschicht (15) eine elektrisch isolierende Isolatorschicht (42) auf der Schutzschicht (15) derart strukturiert ausgebildet wird, dass sie nachfolgend die Stromverteilungsstruktur (40) bedeckt und dass der Kontaktabschnitt (16, 18) frei von der Isolatorschicht (42) ist.
Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die strukturierte Isolatorschicht (42) in dem Elektrodenabschnitt (20) beim Entfernen der Schutzschicht (15) als Maske zum Strukturieren der Schutzschicht (15) dient.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem vor dem Ausbilden der Spiegelschicht (14) eine Haftvermittlerschicht (13) auf dem Träger (12) ausgebildet wird und die Spiegelschicht (14) auf der Haftvermittlerschicht (13) ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem in einem Isolierbereich (21) die Schutzschicht (15), die Spiegelschicht (14) und gegebenenfalls die Haftvermittlerschicht (13) bis hin zu dem Träger (12) entfernt werden, wobei auf der einen Seite des Isolierbereichs (21) die Spiegelschicht (14) die erste Elektrode bildet und wobei auf der anderen Seite des Isolierbereichs (21) die Spiegelschicht (14) und die über der Spiegelschicht (14) ausgebildete Schutzschicht (15) den einen oder einen weiteren Kontaktabschnitt (16, 18) zum elektrischen Kontaktieren einer zweiten Elektrode (23) des optoelektronischen Bauelements (10) bilden.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Schutzschicht (15) und/oder die Isolatorschicht (42) entfernt werden und/oder der Isolierbereich (21) ausgebildet wird mittels eines oder mehrerer Masken-basierten Ätzverfahrens oder mittels Laserablation.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Haftvermittlerschicht (13), die Spiegelschicht (14), die Schutzschicht (15) und/oder die Isolatorschicht (42) zunächst vollflächig und/oder unstrukturiert ausgebildet werden und nachfolgend strukturiert werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, bei dem die Haftvermittlerschicht (13) und/oder die Schutzschicht (15) Chrom und/oder Titan aufweisen oder davon gebildet sind und/oder bei dem die Spiegelschicht (14) Aluminium, Silber, Kupfer und/oder Gold aufweist oder davon gebildet ist.
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10), bei dem ein Substrat gemäß einem der vorstehenden Ansprüche ausgebildet wird, eine optoelektronische Schichtenstruktur (22) in dem Elektrodenabschnitt (20) auf der Spiegelschicht (14) und gegebenenfalls über der Stromverteilungsstruktur (40) ausgebildet wird, und eine zweite Elektrode (23) auf der optoelektronischen Schichtenstruktur (22) ausgebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 12, bei dem als optoelektronische Schichtenstruktur (22) eine organische und/oder lichtemittierende Schichtenstruktur ausgebildet wird.
Substrat für ein optoelektronisches Bauelement (10), mit einem Träger (12), einer elektrisch leitfähigen Spiegelschicht (14) über dem Träger (12), und einer elektrisch leitfähigen Schutzschicht (15) auf der Spiegelschicht (14), die so ausgebildet ist, dass die Spiegelschicht (14) in einem Elektrodenabschnitt (20) zumindest teilweise freigelegt ist und in einem Kontaktabschnitt (16, 18) zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelements (10) von der Schutzschicht (15) bedeckt ist, wobei die in dem Elektrodenabschnitt (20) freigelegte Spiegelschicht (14) eine spiegelnde erste Elektrode für das optoelektronische Bauelement bildet.
Substrat nach Anspruch 14, bei dem in dem Elektrodenabschnitt (20) auf der Spiegelschichtschicht (14) eine Stromverteilungsstruktur (40) ausgebildet ist, die einstückig mit der Schutzschicht (15) ausgebildet ist und/oder das gleiche Material wie die Schutzschicht (15) aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10), mit einem Substrat gemäß einem der Ansprüche 14 oder 15, einer optoelektronischen Schichtenstruktur (22) in dem Elektrodenabschnitt (20) auf der Spiegelschicht (14) und gegebenenfalls über der Stromverteilungsstruktur (40), und einer zweiten Elektrode (23) auf der optoelektronischen Schichtenstruktur (22).