CN107863369A - 包括具有不平坦表面的钝化层的显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种包括具有不平坦表面的钝化层的显示装置。所述显示装置包括基底、晶体管、焊盘部分、钝化层和像素限定层。基底包括显示区域和设置在显示区域的边缘处的外围区域。晶体管设置在显示区域上。焊盘部分设置在外围区域上。钝化层设置在晶体管上。像素限定层设置在钝化层上。钝化层的一部分延伸到外围区域。钝化层的设置在显示区域上的部分的上表面是基本上平坦的。钝化层的设置在外围区域处的部分的上表面具有不平坦结构。不平坦结构包括凹部和凸部。像素限定层覆盖钝化层的设置在外围区域上的部分。

Description

包括具有不平坦表面的钝化层的显示装置
本申请要求于2016年9月21日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0120777号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括具有不平坦表面的钝化层的显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示器包括两个电极和有机发射层。有机发射层设置在两个电极之间。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中彼此结合。因此，产生激子。激子发射光。有机发光二极管显示器通过使用发射的光来显示预定的图像。
有机发光二极管显示器包括多个像素。多个像素中的每个包括有机发光二极管。有机发光二极管是发光的。有机发光二极管包括阳极、发射层和阴极。
阳极可以包括银(Ag)。因此，阳极可以具有相对低的电阻和相对高的反射率。在形成阳极的蚀刻工艺期间，一些银(Ag)可能不会被适当地去除。因此，银(Ag)颗粒会残留。银(Ag)颗粒会被转移到焊盘部分。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种显示装置，在所述显示装置中可以减少或防止由于阳极颗粒导致的焊盘部分的焊盘电极的短路。
根据本发明的示例性实施例的显示装置包括基底、晶体管、焊盘部分、钝化层和像素限定层。基底包括显示区域和外围区域。外围区域设置在显示区域的边缘处。晶体管设置在基底的显示区域上。焊盘部分设置在基底的外围区域上。钝化层设置在晶体管上。像素限定层设置在钝化层上。钝化层的一部分延伸到外围区域。钝化层的设置在显示区域上的部分的上表面是基本上平坦的。钝化层的设置在外围区域上的部分的上表面具有不平坦结构。不平坦结构包括凹部和凸部。像素限定层覆盖钝化层的设置在外围区域上的部分。
多个第一电极颗粒可以置于不平坦结构的凹部处。
显示装置还可以包括有机发光二极管。有机发光二极管可以设置在钝化层上。有机发光二极管可以连接到晶体管。有机发光二极管可以包括第一电极、发光构件和第二电极。第一电极可以设置在钝化层上。发光构件可以设置在第一电极上。第二电极可以设置在发光构件上。所述多个第一电极颗粒可以包括与第一电极的材料基本上相同的材料。
焊盘部分可以包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和辅助电极。第二焊盘电极可以设置为邻近第一焊盘电极。辅助电极可以设置在第一焊盘电极与第二焊盘电极之间。
具有凹槽的层间绝缘层可以设置在第一焊盘电极与第二焊盘电极之间。辅助电极可以设置在凹槽中。
所述多个第一电极颗粒可以设置在辅助电极上。
显示装置还可以包括第一布线、第二布线和辅助布线。第一布线可以电连接第一焊盘电极和显示区域。第二布线可以电连接第二焊盘电极和显示区域。辅助布线可以电连接辅助电极和第一布线。第一焊盘电极可以被构造为接收驱动电压。
显示装置还可以包括覆盖层。覆盖层可以设置在层间绝缘层的凹槽中。覆盖层可以包括与像素限定层基本上相同的材料。
晶体管可以包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极、源电极和漏电极。半导体层可以包括沟道区、源区和漏区。栅极绝缘层可以设置在半导体层上。栅电极可以设置在栅极绝缘层上。源电极可以连接到源区。漏电极可以与源电极分开。漏电极可以连接到漏区。第一焊盘电极和第二焊盘电极可以各自地包括下电极层和上电极层。下电极层可以设置在栅极绝缘层上。上电极层可以连接到下电极层。上电极层可以设置在层间绝缘层上。
辅助电极可以设置在栅极绝缘层上。辅助电极可以包括与下电极层和栅电极基本上相同的材料。
上电极层可以包括与源电极和漏电极基本上相同的材料。
根据本发明的示例性实施例的显示装置包括基底、晶体管和焊盘部分。基底包括显示区域和外围区域。外围区域设置在显示区域的边缘处。晶体管设置在基底的显示区域上。焊盘部分设置在基底的外围区域上。焊盘部分包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和辅助电极。第二焊盘电极设置为邻近第一焊盘电极。辅助电极设置在第一焊盘电极与第二焊盘电极之间。具有凹槽的层间绝缘层设置在第一焊盘电极与第二焊盘电极之间。辅助电极设置在凹槽中。
多个第一电极颗粒可以设置在辅助电极上。
显示装置还可以包括钝化层和像素限定层。钝化层可以设置在晶体管上。像素限定层可以设置在钝化层上。钝化层的一部分可以延伸到外围区域。钝化层的设置在显示区域上的部分的上表面可以是基本上平坦的。钝化层的设置在外围区域上的部分的上表面可以具有不平坦结构。不平坦结构可以包括凹部和凸部。像素限定层可以覆盖钝化层的设置在外围区域上的部分。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置的俯视平面图；
图2是示出了根据本发明的示例性实施例的图1的显示装置的像素的等效电路图；
图3是示出了根据本发明的示例性实施例的图1的焊盘部分的一部分的俯视平面图；
图4是示出了根据本发明的示例性实施例的图1的显示装置的像素的剖视图；
图5是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图1的线V-V截取的剖面的视图；
图6是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图3的线VI-VI截取的剖面的视图；并且
图7是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图3的线VII-VII截取的剖面的视图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。就这一点而言，示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为受限于在此描述的本发明的示例性实施例。
在整个说明书和附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”和“第二”来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。
为了描述的清晰，可以夸大图中的元件的尺寸。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称作“在”另一组件“上”时，该组件可以直接在另一个组件上，或者可以存在中间组件。
图1是示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置的俯视平面图。图2是根据本发明的示例性实施例的图1的显示装置的像素的等效电路图。图3是示出了根据本发明的示例性实施例的图1的焊盘部分的一部分的俯视平面图。
参照图1至图3，显示装置1000可以包括基底100。基底100可以包括显示区域DA和外围区域PA。显示区域DA可以显示图像。外围区域PA可以设置在显示区域DA的边缘处。显示装置1000可以包括包封基底200和焊盘部分300。包封基底200可以覆盖显示区域DA。焊盘部分300可以设置在基底100的外围区域PA处。显示装置1000可以包括第一布线310和第二布线313。第一布线310和第二布线313可以各自设置在基底100的外围区域PA处。第一布线310和第二布线313可以各自将焊盘部分300连接到基底100的显示区域DA。
多个像素PX可以设置在显示区域DA上。多个像素PX可以例如以矩阵形状布置；然而，本发明的示例性实施例不限于此。每个像素PX可以连接到多条信号线141、161和162中的每条。
信号线141、161和162可以包括栅极线141、数据线161和驱动电压线162。栅极线141可以传输栅极信号或扫描信号。数据线161可以传输数据信号。驱动电压线162可以传输驱动电压VDD。
栅极线141可以基本上在行方向(例如，水平方向)上延伸。栅极线141可以基本上彼此平行。数据线161和驱动电压线162可以各自基本上在列方向(例如，竖直方向)上延伸。数据线161和驱动电压线162可以基本上彼此平行。
像素PX可以包括开关晶体管Qs、驱动晶体管Qd、存储电容器Cst和有机发光二极管LD。
开关晶体管Qs可以包括控制端子、输入端子和输出端子。控制端子可以连接到栅极线141。输入端子可以连接到数据线161。输出端子可以连接到驱动晶体管Qd。例如，根据施加到栅极线141的栅极信号，开关晶体管Qs可以将施加到数据线161的数据信号传输到驱动晶体管Qd。
驱动晶体管Qd可以包括控制端子、输入端子和输出端子。控制端子可以连接到开关晶体管Qs。输入端子可以连接到驱动电压线162。输出端子可以连接到有机发光二极管LD。驱动晶体管Qd可以传递输出电流Id。输出电流Id的大小可以例如根据施加在控制端子与输出端子之间的电压而变化。
存储电容器Cst可以连接到驱动晶体管Qd的控制端子和输入端子中的每个。存储电容器Cst可以充入施加到驱动晶体管Qd的控制端子的数据信号。当开关晶体管Qs截止时，存储电容器Cst可以保持充入的数据信号。
有机发光二极管LD可以包括阳极和阴极。阳极可以连接到驱动晶体管Qd的输出端子。阴极可以连接到共电压VSS。有机发光二极管LD可以例如通过根据驱动晶体管Qd的输出电流Id来区分其强度从而显示图像。
开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd可以各自为n沟道电场效应晶体管(FET)或p沟道电场效应晶体管。开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd、存储电容器Cst以及有机发光二极管LD的连接关系可以改变。
焊盘部分300可以包括多个焊盘电极和辅助电极303。辅助电极303可以设置在邻近的焊盘电极之间。多个焊盘电极可以包括多个第一焊盘电极301和多个第二焊盘电极302。
第一焊盘电极301可以从外部源接收驱动电压。第一焊盘电极301可以将驱动电压传输到显示区域DA的驱动电压线162。第一焊盘电极301可以设置在焊盘部分300的侧表面处。每个第一焊盘电极301可以例如通过第一布线310连接到显示区域DA。连接布线311可以设置在焊盘部分300与显示区域DA之间。连接布线311可以将第一布线310彼此连接。根据本发明的示例性实施例，焊盘部分300可以包括至少两个第一焊盘电极301。
多个第二焊盘电极302可以设置在邻近的第一焊盘电极301之间。第二焊盘电极302可以接收要传输到显示区域DA的驱动信号或共电压。每个第二焊盘电极302可以例如通过第二布线313连接到显示区域DA。
辅助电极303可以设置在第一焊盘电极301与第二焊盘电极302之间。辅助电极303可以设置在邻近的第二焊盘电极302之间。辅助电极303可以例如通过辅助布线312连接到连接布线311。因此，驱动电压可以被施加到辅助电极303。辅助布线312可以例如通过布线接触孔155连接到连接布线311。
下面将参照图4至图7更详细地描述根据图1的显示装置的结构。
图4是示出了根据本发明的示例性实施例的图1中显示的显示装置的像素的剖视图。图5是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图1的线V-V截取的剖面的视图。图6是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图3的线VI-VI截取的剖面的视图。图7是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图3的线VII-VII截取的剖面的视图。
参照图4，显示装置可以包括缓冲层110。缓冲层110可以设置在基底100上。
基底100可以是透明绝缘基底。透明绝缘基底可以包括玻璃、石英、陶瓷或塑料。基底100可以是金属基底。金属基底可以包括不锈钢。
缓冲层110可以具有单层结构。单层结构可以包括氮化硅(SiNx)。可选择地，缓冲层110可以具有多层结构，例如，双层结构。双层结构可以包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)。缓冲层110可以使基底100的表面平坦化。缓冲层110可以减少或防止诸如杂质或湿气的物质渗透到显示装置中。
半导体层120可以设置在缓冲层110上。半导体层120可以包括沟道区121、源区122和漏区123。源区122和漏区123可以设置在沟道区121的相应侧。
半导体层120可以包括多晶硅。例如，沟道区121可以包括多晶硅。多晶硅可能不掺杂有杂质。因此，沟道区121可以是本征半导体。源区122和漏区123可以各自包括掺杂有导电杂质的多晶硅。因此，源区122和漏区123可以各自为杂质半导体。
栅极绝缘层130可以设置在缓冲层110和半导体层120中的每个上。栅极绝缘层130可以具有单层结构。可选择地，栅极绝缘层130可以具有多层结构。栅极绝缘层130可以包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。
栅电极142可以设置在栅极绝缘层130上。栅电极142可以连接到图2的栅极线141。栅电极142可以与沟道区121叠置。
层间绝缘层150可以设置在栅极绝缘层130和栅电极142中的每个上。层间绝缘层150可以具有单层结构。可选择地，层间绝缘层150可以具有多层结构。层间绝缘层150可以包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。
源电极163和漏电极164可以各自设置在层间绝缘层150上。源电极163可以连接到源区122。漏电极164可以连接到漏区123。源电极163可以与漏电极164分开。源电极163可以连接到图2的驱动电压线162。源电极163和漏电极164可以各自包括铝(Al)或钼(Mo)。
半导体层120、栅电极142、源电极163和漏电极164可以一起形成晶体管。晶体管可以是驱动晶体管Qd。因此，栅电极142可以例如通过开关晶体管Qs连接到栅极线141。
钝化层170可以设置在层间绝缘层150、源电极163和漏电极164中的每个上。钝化层170可以包括有机材料。钝化层170的上表面可以是基本上平坦的。
有机发光二极管LD和像素限定层180可以各自设置在钝化层170上。
有机发光二极管LD可以包括第一电极181、发光构件182和第二电极183。
第一电极181可以设置在钝化层170上。第一电极181可以连接到漏电极164。第一电极181可以是有机发光二极管LD的阳极。第一电极181可以包括反射层。第一电极181可以包括银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和它们的合金中的至少一种。第一电极181可以包括银(Ag)。因此，第一电极181可以具有相对低的电阻和相对高的反射率。
像素限定层180可以设置在第一电极181和钝化层170的中的每个的边缘上。像素限定层180可以包括开口185。开口185可以与第一电极181叠置。
发光构件182可以设置在第一电极181上，例如，在像素限定层180的开口185中。发光构件182可以具有多层结构。多层结构可以包括从发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中选择的一个或更多个。当发光构件182包括发射层、HIL、HTL、ETL和EIL时，空穴注入层可以设置在作为阳极的第一电极181上。空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层可以顺序地堆叠在第一电极181上。
发光构件182可以包括红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层。红色有机发射层可以发射红光。绿色有机发射层可以发射绿光。蓝色有机发射层可以发射蓝光。例如，红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层可以分别设置在红色像素、绿色像素和蓝色像素上以提供彩色图像。
红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层可以一体地堆叠在具有红色像素、绿色像素和蓝色像素的发光构件182上。因此，例如，红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器可以形成在每个像素中以提供彩色图像。可选择地，白色有机发射层可以形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每个上。白色有机发射层可以发射白光。例如，可以针对每个像素分别地形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器以提供彩色图像。当使用白色有机发射层和滤色器提供彩色图像时，可以省略用于在多个单个像素(即，红色像素、绿色像素和蓝色像素)上沉积红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层中的每个的沉积掩模。
白色有机发射层可以具有单个有机发射层。例如，白色有机发射层可以包括包含多个堆叠的有机发射层的结构以发射白光。例如，至少一个黄色有机发射层和至少一个蓝色有机发射层可以组合以发射白光。至少一个青色有机发射层和至少一个红色有机发射层可以组合以发射白光。至少一个品红色有机发射层和至少一个绿色有机发射层可以组合以发射白光。
第二电极183可以设置在像素限定层180和发光构件182中的每个上。第二电极183可以包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电材料。第二电极183可以是有机发光二极管LD的阴极。
盖层190可以设置在第二电极183上。盖层190可以保护有机发光二极管LD。盖层190还可以增加在发光构件182中产生的光的外部发射。
包封基底200可以设置在盖层190上。包封基底200可以例如通过密封剂与基底100结合。因此，包封基底200可以具有包封功能。包封基底200和有机发光二极管LD可以彼此分开。填充件可以设置在包封基底200与有机发光二极管LD之间的空间中。填充件可以填充有机发光二极管显示器内部的空的空间。因此，可以提高有机发光二极管显示器的强度和耐久性。
可选择地，间隔件可以设置在基底100与包封基底200之间。间隔件可以保持基底100与包封基底200之间的间距。
参照图5，设置在基底100上的缓冲层110、栅极绝缘层130、层间绝缘层150、钝化层170和像素限定层180可以各自从显示区域DA延伸到外围区域PA。
第二焊盘电极302可以设置在外围区域PA上。第二焊盘电极302可以包括下电极层145和上电极层165。下电极层145可以设置在栅极绝缘层130上。上电极层165可以设置在层间绝缘层150上。上电极层165可以接触下电极层145。下电极层145可以包括与栅电极142基本上相同的材料。上电极层165可以包括与源电极163和漏电极164基本上相同的材料。第一焊盘电极301可以具有与第二焊盘电极302基本上相同的结构。
设置在外围区域PA上的钝化层170和像素限定层180可以不覆盖第二焊盘电极302。
钝化层170的设置在外围区域PA上的上表面可以具有突起和凹陷结构175。突起和凹陷结构175可以包括凹部171和凸部172。多个第一电极颗粒186可以置于凹部171中。第一电极颗粒186可以包括与第一电极181的材料基本上相同的材料。
当形成钝化层170时，可以使用半色调掩模或狭缝掩模。因此，可以形成钝化层170使得钝化层170的设置在显示区域DA处的上表面可以是基本上平坦的。可以形成钝化层170使得钝化层170的设置在外围区域PA处的上表面可以具有突起和凹陷结构175。
像素限定层180可以设置于在显示区域DA处设置的钝化层170上。像素限定层180也可以设置于在外围区域PA处设置的钝化层170上。因此，像素限定层180可以覆盖设置在钝化层170的突起和凹陷结构175处的第一电极颗粒186。
参照图6和图7，设置在邻近的第二焊盘电极302之间的层间绝缘层150可以具有凹槽153。辅助电极303可以设置在凹槽153中。辅助电极303可以设置在栅极绝缘层130上。图6的邻近的第二焊盘电极302之间的剖面结构可以与图7的彼此邻近的第一焊盘电极301与第二焊盘电极302之间的剖面结构基本上相同。
多个第一电极颗粒186可以设置在辅助电极303上。覆盖层187可以设置在凹槽153中。例如，凹槽153可以填充有覆盖层187。覆盖层187可以覆盖设置在辅助电极303上的第一电极颗粒186。连接布线311可以设置在层间绝缘层150上。辅助电极303可以连接到辅助布线312。辅助布线312可以例如通过设置在层间绝缘层150处的布线接触孔155连接到连接布线311。
辅助电极303和辅助布线312可以各自包括与第二焊盘电极302的下电极层145基本上相同的材料。连接布线311可以包括与第二焊盘电极302的上电极层165基本上相同的材料。覆盖层187可以包括与像素限定层180基本上相同的材料。
连接布线311可以被钝化层170覆盖。
可以通过沉积金属层并蚀刻金属层(例如，通过湿法蚀刻)来形成设置在钝化层170上的第一电极181。金属层可以包括银(Ag)。在湿法蚀刻期间，由蚀刻剂去除的银(Ag)可以从包括在第一焊盘电极301和第二焊盘电极302中的每个中的金属接收电子。因此，银(Ag)的一部分可能不会被适当地去除并且会被还原为银(Ag)颗粒。因此，银(Ag)颗粒会被吸附在焊盘部分300和显示区域DA之间。被吸附的银(Ag)颗粒会在另一工艺中移入焊盘部分300中。银(Ag)颗粒会被转移到第一焊盘电极301和第二焊盘电极302中的每个。因此，第一焊盘电极301和第二焊盘电极302会彼此短路。
根据本发明的示例性实施例，由于钝化层170的设置在外围区域PA处的上表面可以具有突起和凹陷结构175，因此被吸附到钝化层170的第一电极颗粒186可以基本上保留在凹部171处。因此，可以减少或防止扩散到焊盘部分300。
由于钝化层170的突起和凹陷结构175被像素限定层180覆盖，所以可以防止被吸附到钝化层170的第一电极颗粒186移动到焊盘部分300。因此，可以减少或防止第一焊盘电极301和第二焊盘电极302中的每个的短路。
由于第一电极颗粒186可以被吸附到设置在层间绝缘层150的凹槽153中的辅助电极303，所述凹槽153设置在邻近的第二焊盘电极302之间以及彼此邻近的第一焊盘电极301与第二焊盘电极302之间，所以可以防止第一电极颗粒186被转移到第一焊盘电极301和第二焊盘电极302中的每个。
由于覆盖层187可以覆盖吸附到辅助电极303的第一电极颗粒186，所以可以防止第一电极颗粒186在另一个工艺中被转移到第一焊盘电极301和第二焊盘电极302中的每个。因此，可以减少或防止第一焊盘电极301和第二焊盘电极302中的每个中的短路。
在根据本发明的示例性实施例的显示装置1000中，钝化层170的设置在外围区域PA处的上表面可以在焊盘部分300中具有突起和凹陷结构175。辅助电极303可以设置在层间绝缘层150的设置在邻近的第二焊盘电极302之间以及彼此邻近的第一焊盘电极301与第二焊盘电极302之间的凹槽153中；然而本发明的示例性实施例不限于此。例如，钝化层170的突起和凹陷结构175以及其中设置有辅助电极303的结构和凹槽153可以是本发明的示例性实施例。
在根据本发明的示例性实施例的显示装置1000中，钝化层170的设置在外围区域PA处的上表面可以具有突起和凹陷结构175；然而，辅助电极303可以不设置在焊盘部分300中。在根据本发明的示例性实施例的显示装置1000中，辅助电极303可以设置在焊盘部分300中。钝化层170的设置在外围区域PA中的上表面可以是基本上平坦的。
虽然已经在此描述了本发明的示例性实施例，但是将理解的是，本发明不限于此，而是相反，其意图覆盖包括在本发明的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和设置在所述显示区域的边缘处的外围区域；
晶体管，设置在所述基底的所述显示区域上；
焊盘部分，设置在所述基底的所述外围区域上；
钝化层，设置在所述晶体管上；以及
像素限定层，设置在所述钝化层上，
其中，所述钝化层的一部分延伸到所述外围区域，所述钝化层的设置在所述显示区域上的部分的上表面是基本上平坦的，所述钝化层的设置在所述外围区域上的部分的上表面具有不平坦结构，所述不平坦结构包括凹部和凸部，
其中，所述像素限定层覆盖所述钝化层的设置在所述外围区域上的所述部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，多个第一电极颗粒设置在所述不平坦结构的所述凹部处。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述钝化层上并连接到所述晶体管的有机发光二极管，
其中，所述有机发光二极管包括：第一电极，设置在所述钝化层上；发光构件，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述发光构件上，
其中，所述多个第一电极颗粒包括与所述第一电极基本上相同的材料。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述焊盘部分包括：
第一焊盘电极；
第二焊盘电极，设置为邻近所述第一焊盘电极；以及
辅助电极，设置在所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，具有凹槽的层间绝缘层设置在所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间，并且
所述辅助电极设置在所述凹槽中。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个第一电极颗粒设置在所述辅助电极上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一布线，电连接所述第一焊盘电极和所述显示区域；
第二布线，电连接所述第二焊盘电极和所述显示区域；以及
辅助布线，电连接所述辅助电极和所述第一布线，
其中，所述第一焊盘电极被构造为接收驱动电压。
8.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和设置在所述显示区域的边缘处的外围区域；
晶体管，设置在所述基底的所述显示区域上；以及
焊盘部分，设置在所述基底的所述外围区域上，
其中，所述焊盘部分包括：第一焊盘电极；第二焊盘电极，设置为邻近所述第一焊盘电极；以及辅助电极，设置在所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间，
其中，具有凹槽的层间绝缘层设置在所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间，
其中，所述辅助电极设置在所述凹槽中。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
钝化层，设置在所述晶体管上；以及
像素限定层，设置在所述钝化层上，
其中，所述钝化层的一部分延伸到所述外围区域，所述钝化层的设置在所述显示区域上的部分的上表面是基本上平坦的，所述钝化层的设置在所述外围区域上的部分的上表面具有不平坦结构，所述不平坦结构包括凹部和凸部，
其中，多个第一电极颗粒设置在所述不平坦结构的所述凹部处，
其中，所述像素限定层覆盖所述钝化层的设置在所述外围区域上的所述部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，有机发光二极管设置在所述钝化层上并且连接到所述晶体管，
其中，所述有机发光二极管包括：第一电极，设置在所述钝化层上；发光构件，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述发光构件上，
其中，所述多个第一电极颗粒包括与所述第一电极基本上相同的材料。
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