CN111384296A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种显示装置。所述显示装置包括：第一基底，包括显示区域和外围区域；端子部，设置在外围区域中；第二基底，设置在第一基底上；密封单元，位于第一基底与第二基底之间并围绕显示区域；以及第一电阻测量图案和第二电阻测量图案，第一电阻测量图案位于密封单元的上表面处，第二电阻测量图案位于密封单元的下表面处，其中，第一电阻测量图案和第二电阻测量图案中的每个电连接到端子部。
Description
本申请要求于2018年12月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0171130号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括密封单元和电阻测量图案的显示装置。
背景技术
随着用于将各种电信号信息在视觉上表现为图像的显示技术的快速发展，目前正在研究和开发具有诸如厚度小、重量轻和功耗低的特性的各种平板显示装置。当湿气或氧从外部环境渗透到显示装置中时，平板显示装置的上述特性可能劣化。为了防止外部湿气或氧渗透到显示装置中，显示装置例如可以包括设置在彼此面对的一对基底之间的显示器件，这对基底可以通过围绕显示器件并被涂覆的密封单元彼此结合。然而，在密封单元的密封材料中可能发生缺陷。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例，显示装置包括：第一基底，包括显示区域和外围区域；端子部，设置在外围区域中；第二基底，设置在第一基底上；密封单元，位于第一基底与第二基底之间并围绕显示区域；以及第一电阻测量图案和第二电阻测量图案，第一电阻测量图案位于密封单元的上表面处，第二电阻测量图案位于密封单元的下表面处，其中，第一电阻测量图案和第二电阻测量图案中的每个电连接到端子部。
在本发明构思的示例性实施例中，第一电阻测量图案和第二电阻测量图案沿着第一基底的边缘延伸，并具有包括开口侧的矩形形状，其中，端子部位于第一电阻测量图案和第二电阻测量图案的开口侧处。
在本发明构思的示例性实施例中，数据驱动电路位于端子部处，数据驱动电路被构造为将密封单元的初始电阻值与通过使用第一电阻测量图案和第二电阻测量图案测量的电阻值进行比较。
在本发明构思的示例性实施例中，第一电阻测量图案的端部和第二电阻测量图案的端部分别电连接到端子部。
在本发明构思的示例性实施例中，第一电阻测量图案的端部和第二电阻测量图案的端部彼此分隔开预定距离。
在本发明构思的示例性实施例中，显示装置还包括位于第一基底与密封单元之间的电源线，其中，密封单元覆盖电源线的一部分，第二电阻测量图案和电源线位于同一层上并包括相同的材料。
在本发明构思的示例性实施例中，第一电阻测量图案和第二电阻测量图案分别从第二基底的边缘和第一基底的边缘朝向显示区域延伸。
在本发明构思的示例性实施例中，第二电阻测量图案的宽度比密封单元的宽度小。
在本发明构思的示例性实施例中，第一电阻测量图案和第二电阻测量图案中的至少一个包括彼此分开的多个片段。
在本发明构思的示例性实施例中，第一电阻测量图案和第二电阻测量图案均包括弯曲部。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例性实施例，本发明构思的上述和其他特征将变得更加清楚，在附图中：
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性俯视平面图；
图2是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中的像素的电路图；
图3是根据本发明构思的示例性实施例的沿着图1中示出的线I-I'截取的示意性剖视图；
图4是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图；
图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1中示出的显示装置的电阻测量图案的示意性俯视平面图；
图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1中示出的显示装置的电阻测量图案的示意性俯视平面图；
图7是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1中示出的显示装置的电阻测量图案的示意性俯视平面图；以及
图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1中示出的显示装置的电阻测量图案的示意性俯视平面图。
具体实施方式
现在将参照附图更全面地描述本发明构思的示例性实施例。应当理解的是，本发明构思可以以不同的形式实施，因此不应被解释为限于在此阐述的示例性实施例。
在下面的实施例中，当元件(例如，层、区域或组件)被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者在该元件与所述另一元件之间可以存在中间层、区域或组件。
为了清楚起见，可以夸大附图中的元件的尺寸。
在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，其中，同样的附图标记可以始终表示同样的元件。因此，可以不重复重复的描述。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性俯视平面图，图2是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中的像素的电路图。
参照图1和图2，显示装置1包括提供图像的显示区域DA和至少部分地围绕显示区域DA的外围区域PA。例如，第一基底100包括显示区域DA和外围区域PA。
像素P设置在显示区域DA中，像素P中的每个连接到扫描线SL和数据线DL。例如，扫描线SL在y方向上延伸，数据线DL在基本上垂直于y方向的x方向上延伸。每个像素P可以例如发射红光、绿光、蓝光或白光。每个像素P可以包括发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光二极管。
参照图2，像素P可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC，以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts连接到扫描线SL和数据线DL，并响应于通过扫描线SL输入的扫描信号将通过数据线DL输入的数据信号传送到驱动薄膜晶体管Td。
连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL的存储电容器Cst存储与从开关薄膜晶体管Ts接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以响应于驱动电流发射一定亮度的光。有机发光二极管OLED可以例如发射红光、绿光、蓝光或白光。
尽管在图2中描述了其中像素P包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，像素P的像素电路PC可以进行各种修改。例如，像素电路PC可以包括至少三个薄膜晶体管和/或至少两个存储电容器。
返回参照图1，外围区域PA布置在显示区域DA的外部处。例如，外围区域PA可以围绕显示区域DA。其中未布置像素P的外围区域PA与不提供图像的非显示区域对应。
包括例如驱动单元20和22、端子部40、驱动电源线60和共电源线70的驱动电路可以设置在外围区域PA中。驱动单元20和22可以各自包括例如发射驱动电路、扫描驱动电路等。
发射驱动电路设置在第一基底100的外围区域PA中，产生发射控制信号，并通过发射控制线将发射控制信号传输到每个像素P。在本发明构思的示例性实施例中，发射驱动电路可以分别设置在显示区域DA的左侧和右侧处，但是本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，可以仅设置一个发射驱动电路。
扫描驱动电路设置在第一基底100的外围区域PA中，扫描驱动电路产生扫描信号，并通过扫描线SL将扫描信号传输到每个像素P。例如，扫描驱动电路可以分别在显示区域DA的左侧和右侧处，但是本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，可以仅设置一个扫描驱动电路。
端子部40设置在第一基底100的边缘处，并包括多个端子41、42、43a、43b、44和45。端子部40设置在外围区域PA中并可以电连接到柔性印刷电路板FPCB而不被绝缘层覆盖。端子部40可以设置在第一基底100的驱动单元20和22不位于其处的侧部处。例如，多个端子41、42、43a、43b、44和45可以沿着第一基底100的沿着y方向延伸的侧部布置，而驱动单元20和22可以沿着第一基底100的沿着x方向延伸的侧部设置。
柔性印刷电路板FPCB将控制器55电连接到端子部40，并且信号或电力从控制器55传输到与端子部40连接的连接线21、31、51、61和71。
控制器55接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，并产生控制信号以控制驱动单元20和22的驱动，所产生的控制信号可以通过连接到柔性印刷电路板FPCB的端子44以及连接线21和31传送到驱动单元20和22。另外，通过连接到柔性印刷电路板FPCB的端子42和45以及连接线61和71，控制器55将驱动电压ELVDD和共电压ELVSS分别提供到驱动电源线60和共电源线70。可以通过连接到驱动电源线60的驱动电压线PL将驱动电压ELVDD提供到每个像素P，并且可以将共电压ELVSS提供到像素P的共电极。
数据驱动电路50可以设置在柔性印刷电路板FPCB上。数据驱动电路50将数据信号提供到每个像素P，并可以连接到端子部40。数据驱动电路50的数据信号通过连接到端子41的连接线51和连接到连接线51的数据线DL提供到每个像素P。在图1中，数据驱动电路50设置在柔性印刷电路板FPCB上，但是本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，数据驱动电路50可以设置在第一基底100的外围区域PA中。
驱动电源线60可以布置在外围区域PA中。例如，驱动电源线60可以设置在端子部40与显示区域DA的面对端子部40的侧部之间。通过连接到端子42的连接线61提供的驱动电压ELVDD可以通过驱动电压线PL提供到每个像素P。
共电源线70可以设置在外围区域PA中，并部分地围绕显示区域DA。例如，共电源线70具有其中显示区域DA的与端子部40相邻的侧部不被共电源线70围绕的环形形状(例如，U形或具有开口侧的框架形状)。例如，共电源线70可以沿着第一基底100的除了端子部40所处的边缘之外的边缘延伸。
共电源线70电连接到与端子45连接的连接线71，并将共电压ELVSS提供到像素P中的有机发光二极管OLED的共电极(例如，阴极)。在图1中，连接线71经由接触孔CNT接触共电源线70的一端和另一端。在本发明构思的示例性实施例中，连接线71可以具有部分地围绕显示区域DA的环形形状。例如，连接线71可以不围绕显示区域DA的一侧。在这种情况下，连接线71可以与共电源线70叠置，并可以朝向第一基底100的端部(例如，端子部40)比共电源线70延伸得更远。
面对第一基底100的第二基底300位于包括上述构造的第一基底100上方，密封单元400设置在第一基底100与第二基底300之间。在图1中所示的俯视平面图中，密封单元400可以围绕显示区域DA。由第一基底100、第二基底300和密封单元400形成的空间可以在空间上与外部分开，并且可以防止外部湿气或杂质的渗透。密封单元400例如可以包括无机材料玻璃料，但是本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，密封单元400可以包括环氧树脂等。密封单元400可以与共电源线70至少部分地叠置，因此，可以减小显示装置1的无效区(dead area)。
密封单元400用于将第一基底100和第二基底300彼此结合。当在密封单元400中发生诸如剥离的缺陷时，外部湿气会渗透到显示装置1中。然而，在渗透到显示装置1中的水分使有机发光二极管OLED氧化并造成暗点之前，可能难以发现密封单元400中的缺陷。另外，仅仅为了识别密封单元400中的缺陷而对制造的显示装置1执行彻底的检查会过度降低显示装置1的制造良率(manufacturing yield)。
然而，根据本发明构思，通过在密封单元400的上表面和下表面处布置用于测量密封单元400的电阻的一对电阻测量图案80，通过简单地测量密封单元400的电阻值，可以容易地且迅速地识别在密封单元400中发生的缺陷。
分别设置在密封单元400的上表面和下表面处的一对电阻测量图案80可以至少部分地围绕显示区域DA，并且端子部40可以设置在一对电阻测量图案80的开口侧处。
端子部40等位于密封单元400与第一基底100的连接到柔性印刷电路板FPCB的边缘之间。另外，密封单元400邻近于第一基底100的其他边缘延伸。因此，当冲击施加到第一基底100时，在第一基底100的端子部40所处的边缘处，与第一基底100的其他边缘处相比，密封单元400由于冲击而会损坏的可能性较小。因此，一对电阻测量图案80可以沿着第一基底100的除了端子部40之外的边缘延伸，这一对电阻测量图案80具有其中显示区域DA的与端子部40相邻的边缘未被这一对电阻测量图案80围绕的环形形状。
在本发明构思的示例性实施例中，从平面图看，一对电阻测量图案80可以具有带有开口侧的方形形状。
一对电阻测量图案80可以电连接到端子部40。另外，一对电阻测量图案80可以通过连接线83和84以及端子43a和43b电连接到柔性印刷电路板FPCB。连接线83和84可以分别连接到彼此分隔开的两个端部。例如，当一条连接线83连接到密封单元400的上表面处的第一电阻测量图案的端部时，另一条连接线84连接到密封单元400的下表面处的第二电阻测量图案的端部，密封单元400的上表面处的第一电阻测量图案的端部和密封单元400的下表面处的第二电阻测量图案的端部是沿着y方向彼此分隔开预定距离的两个部分。例如，预定距离是从一端到另一端的最远或最大距离。
数据驱动电路50可以通过使用连接线83和84以及端子43a和43b来测量密封单元400的电阻。另外，数据驱动电路50可以存储在形成密封单元400之后立即测量的密封单元400的初始电阻值，并将存储的初始电阻值与密封单元400的作为随后测量的电阻值的电阻值(例如，实际电阻值)进行比较。
例如，在制造显示装置1之后，执行密封单元400的电阻值的重新测量，并将重新测量的电阻值与初始电阻值进行比较。如果电阻值没有改变，则确定在密封单元400中没有发生缺陷，如果电阻值改变，则确定在密封单元400中发生缺陷。当诸如扭曲(birdcaging)的缺陷发生时，在密封单元400中会发生裂纹和/或在缺陷发生的位置处会形成间隙。由于该间隙，密封单元400的测量的电阻可以改变。因此，可以根据密封单元400的电阻值的改变识别在密封单元400中发生的缺陷。
在下文中，将参照图3更详细地描述像素P的结构。像素P中的像素电路PC和显示器件200位于第一基底100上。
第一基底100可以包括各种材料，诸如玻璃材料、金属材料或例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和/或聚酰亚胺的塑料材料。例如，第二基底300可以包括透明材料。例如，第二基底300可以包括各种材料，诸如玻璃材料、金属材料或例如PET、PEN和/或聚酰亚胺的塑料材料。第一基底100和第二基底300可以包括相同的材料或不同的材料。
缓冲层101可以形成在第一基底100上。缓冲层101可以阻挡透过第一基底100的异物或湿气。例如，缓冲层101可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料，并可以包括单层或多层。缓冲层101可以形成为与显示区域DA和外围区域PA叠置。
薄膜晶体管130、存储电容器140以及电连接到薄膜晶体管130和存储电容器140的显示器件200(例如，有机发光二极管OLED)可以设置在第一基底100的显示区域DA中。例如，图3中示出的薄膜晶体管130可以与设置在像素电路PC中的驱动薄膜晶体管Td(见图2)对应，并且存储电容器140可以与参照图2描述的存储电容器Cst对应。
薄膜晶体管130包括半导体层134和栅电极136。半导体层134可以包括例如多晶硅。半导体层134可以包括沟道区131、源区132和漏区133。沟道区131设置在栅电极136下方，并且源区132和漏区133分别布置在沟道区131的两个相对侧上，并掺杂有比沟道区131的杂质浓度高的浓度的杂质。在此，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。例如，源区132和漏区133可以被理解为薄膜晶体管130的源电极和漏电极。在本发明构思的示例性实施例中，半导体层134可以包括非晶硅或有机半导体材料。在本发明构思的示例性实施例中，半导体层134可以包括氧化物半导体。
另外，如以上参照图2所描述的，像素电路PC还可以包括开关薄膜晶体管Ts(见图2)。另外，薄膜晶体管130的半导体层134和开关薄膜晶体管Ts(见图2)的半导体层可以包括不同的材料。例如，在薄膜晶体管130的半导体层134和开关薄膜晶体管Ts(见图2)的半导体层之中，一个可以包括氧化物半导体，另一个可以包括多晶硅。然而，本发明构思不限于此；例如，薄膜晶体管130的半导体层134和开关薄膜晶体管Ts的半导体层可以包括彼此相同的材料。
栅极绝缘层103可以设置在半导体层134与栅电极136之间。例如，栅极绝缘层103可以包括诸如SiON、SiOx和/或SiNx的无机绝缘层，无机绝缘层可以包括单层或多层。
存储电容器140包括下电极144和与下电极144叠置的上电极146。第一层间绝缘层105可以设置在下电极144与上电极146之间。
具有介电常数的第一层间绝缘层105可以包括无机绝缘层(无机绝缘层包括SiON、SiOx和/或SiNx)，并可以包括单层或多层。在图3中，存储电容器140与薄膜晶体管130叠置，下电极144是薄膜晶体管130的栅电极136，但是本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，存储电容器140可以不与薄膜晶体管130叠置，下电极144可以是与薄膜晶体管130的栅电极136分开的独立元件。
存储电容器140可以被第二层间绝缘层107覆盖。第二层间绝缘层107可以包括诸如SiON、SiOx和/或SiNx的无机绝缘层，并可以包括单层或多层。
驱动电压线PL可以在第一有机绝缘层111上。可以包括例如铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的驱动电压线PL可以包括多层或单层。例如，驱动电压线PL可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
在图3中，下驱动电压线PL1设置在第一有机绝缘层111下方。下驱动电压线PL1经由穿透第一有机绝缘层111的接触孔电连接到驱动电压线PL，从而防止通过驱动电压线PL提供的驱动电压ELVDD的电压降。下驱动电压线PL1可以包括与数据线DL的材料基本上相同的材料。例如，下驱动电压线PL1和数据线DL可以包括Al、Cu、Ti等，并可以包括多层或单层。在本发明构思的示例性实施例中，下驱动电压线PL1和数据线DL可以包括诸如Ti/Al/Ti或TiN/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层111包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。在本发明构思的示例性实施例中，第一有机绝缘层111可以包括聚酰亚胺。
驱动电压线PL被第二有机绝缘层113覆盖，第二有机绝缘层113可以包括酰亚胺类聚合物、诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。在本发明构思的示例性实施例中，第二有机绝缘层113可以包括聚酰亚胺。
像素电极210布置在第二有机绝缘层113上。像素限定层120设置在像素电极210上，并可以通过包括与像素对应的开口来提供用于发射层的区域。例如，开口可以暴露像素电极210的至少中心部分。另外，像素限定层120可以增大像素电极210的边缘与共电极230之间的距离，从而防止在像素电极210的边缘与共电极230之间产生电弧等。像素限定层120可以例如包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
中间层220可以包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层220包括低分子量材料时，中间层220可以包括其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等以单一结构或复合结构堆叠的结构，并且可以包括各种有机材料，诸如酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。上述层可以以真空沉积法形成。
例如，当中间层220包括高分子量材料时，中间层220可以包括HTL和EML。在这种情况下，HTL可以包括PEDOT(聚(3,4-乙撑二氧噻吩))，并且EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑类材料或聚芴类材料的高分子量材料。中间层220的结构不限于此，并且中间层220可以具有各种结构。例如，包括在中间层220中的上述层中的至少一个可以一体地形成在多个像素电极210之上。此外，中间层220可以包括被图案化为分别与多个像素电极210对应的层。
共电极230可以设置在显示区域DA上方以覆盖显示区域DA。换句话说，共电极230可以一体地形成以覆盖多个像素。例如，共电极230可以设置在中间层220上。
填充材料可以设置在共电极230与第二基底300之间。填充材料可以例如包括可光固化的环氧类材料和/或丙烯酸酯类材料中的至少一种，但是本发明构思不限于此。
驱动单元20和22、共电源线70等可以设置在第一基底100的外围区域PA中。
驱动单元20和22可以包括薄膜晶体管TFT和连接到薄膜晶体管TFT的线。薄膜晶体管TFT可以以与像素电路PC的薄膜晶体管130的工艺相同的工艺制造。
共电源线70可以包括与驱动电压线PL的材料基本上相同的材料。例如，共电源线70可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。共电源线70的外端部(例如，距显示器件200最远的部分)可以被密封单元400覆盖，而与外端部相对的内端部(例如，最靠近显示器件200的部分)可以被导电层212覆盖。导电层212可以包括与像素电极210的材料基本上相同的材料。导电层212可以连接到共电极230。在本发明构思的示例性实施例中，共电源线70可以朝向显示区域DA延伸并可以与共电极230直接接触。
密封单元400将第一基底100和第二基底300彼此结合。密封单元400可以包括玻璃料、环氧树脂等。玻璃料可以是包括诸如SiO等的材料的糊。例如，玻璃料还可以包括用于吸收激光或红外线的吸收材料、有机粘合剂、用于减小热膨胀系数的填料等。通过干燥和焙烧工艺，可以将有机粘合剂和湿气从糊状的玻璃料中去除，因此可以使玻璃料固化。吸收激光或红外线的吸收材料可以包括例如过渡金属化合物。例如，玻璃料可以通过激光等固化以形成密封单元400。
密封单元400可以覆盖共电源线70的外端部并可以与共电源线70的一部分直接接触。例如，密封单元400可以与共电源线70的一部分叠置。因此，与其中密封单元400位于共电源线70外侧(例如，不与共电源线70叠置)的另一种情况相比，通过用密封单元400覆盖共电源线70，可以减小显示装置1的无效区。
一对电阻测量图案80可以分别在密封单元400的上表面和下表面处。例如，第一电阻测量图案81可以在第二基底300与密封单元400的上表面之间，第二电阻测量图案82可以在第一基底100与密封单元400的下表面之间。第一电阻测量图案81和第二电阻测量图案82均可以从密封单元400的外表面朝向显示区域DA延伸，因此，至少可以识别在密封单元400的外边缘处是否发生缺陷。例如，密封单元400的外边缘和外表面可以与第一基底100的边缘相邻。因此，当外部冲击形成密封单元400的裂纹或剥离(该裂纹或剥离从密封单元400的与第一基底100的边缘相邻的外部开始，但没有完全穿透密封单元400)时，可以在外部湿气从外部渗透到显示区域DA中之前检测到裂纹或剥离。因此，可以在外部湿气从外部渗透到显示区域DA中之前预先检查在密封单元400中可能发生的缺陷。
另外，如以上描述的，密封单元400可以与共电源线70的一部分叠置，因此，从而防止共电源线70与位于同一层的第二电阻测量图案82之间的短路，第二电阻测量图案82的宽度可以比密封单元400的宽度小。例如，密封单元400可以设置在共电源线70与第二电阻测量图案82之间。因此，共电源线70和第二电阻测量图案82可以彼此分隔开。另外，第一电阻测量图案81的宽度可以与第二电阻测量图案82的宽度基本上相同。在本发明构思的示例性实施例中，不同于图3，第一电阻测量图案81的宽度可以与密封单元400的宽度基本上相同，因此，可以测量密封单元400的整个部分上的电阻。
第一电阻测量图案81和第二电阻测量图案82均可以包括金属材料。例如，第一电阻测量图案81和第二电阻测量图案82均可以包括与驱动电压线PL的材料基本上相同的材料。
图4是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置2的示意性剖视图。
参照图4，面对第一基底100的第二基底300设置在第一基底100上方，并且密封单元400在第一基底100与第二基底300之间设置在外围区域PA中。密封单元400可以围绕显示区域DA。设置在第一基底100、第二基底300和密封单元400之间的空间可以在空间上与外部分开，以防止外部湿气或杂质渗透到显示装置2中。
薄膜晶体管(TFT)阵列层、像素电极PE和第一取向层AL1可以形成在第一基底100上。例如，第一基底100可以包括玻璃基底，并且也可以包括塑料基底，塑料基底包括PET、PEN、聚酰亚胺等。
TFT阵列层包括开关器件TFT、多条栅极线和多条数据线。作为薄膜晶体管的开关器件TFT包括有源层AT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
作为栅极绝缘层的第一绝缘层L1形成在栅电极GE上，并且有源层AT形成在第一绝缘层L1上。漏电极DE和源电极SE以及第二绝缘层L2形成在有源层AT上。漏电极DE和源电极SE彼此分隔开，并且第二绝缘层L2覆盖漏电极DE和源电极SE。图4示出了其中栅电极GE设置在有源层AT下方的底栅型薄膜晶体管，但是本发明构思不限于此，并且可以使用各种类型的薄膜晶体管，例如，其中栅电极GE设置在有源层AT上的顶栅型晶体管。
有源层AT可以包括各种材料。例如，有源层AT可以包括诸如非晶硅或结晶硅的无机半导体材料。作为另一示例，有源层AT可以包括氧化物半导体。作为另一示例，有源层AT可以包括有机半导体材料。
栅电极GE、源电极SE和漏电极DE均可以包括例如单层或多层，所述单层或多层包括Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、Ti、钨(W)和/或Cu中的至少一种。
第一绝缘层L1和第二绝缘层L2均可以包括各种绝缘材料。例如，第一绝缘层L1和第二绝缘层L2均可以包括单层或多层结构，所述单层或多层结构包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和/或PZT中的至少一种。
还可以在TFT阵列层上设置平坦化层250，像素电极PE位于平坦化层250上。像素电极PE通过穿透平坦化层250和第二绝缘层L2连接到开关器件TFT的漏电极DE。用于液晶分子213的取向的第一取向层AL1可以形成在像素电极PE上。
阻挡图案BP、滤色器CF、覆层OC和共电极CE形成在第二基底300上，并且用于液晶分子213的取向的第二取向层AL2可以形成在共电极CE上。
例如，第二基底300可以包括玻璃基底或透明塑料基底，并且第二基底300的外表面是显示表面DS。
阻挡图案BP在与形成有开关器件TFT、栅极线和数据线的区域对应的位置处位于第二基底300上，并可以阻挡光。阻挡图案BP的位置仅是说明性的，阻挡图案BP可以在第一基底100上。
滤色器CF位于第二基底300上并过滤彩色光。滤色器CF的位置仅是说明性的，并且滤色器CF可以位于第一基底100上。
覆层OC位于第二基底300上。例如，覆层OC可以设置在滤色器CF与第二基底300之间，并且可以使第二基底300的表面平坦化。然而，本发明构思不限于此。
共电极CE布置在第二基底300上并面对像素电极PE，并且共电压被施加到共电压CE，共电压是用于提供将施加到像素电极PE的电压的极性的参考电压。例如，共电极CE可以平行于x方向和y方向延伸。
液晶层203包括液晶分子213。在图4中，例如，液晶层203是垂直取向模式液晶层，但是本发明构思不限于此，液晶分子213可以在水平方向上取向并以90度的扭曲布置在像素电极PE与共电极CE之间。
当在像素电极PE与共电极CE之间施加电压时，电场产生并被施加到液晶层203，电场改变液晶分子213的布置并调节穿透液晶层203的光的量。因此，显示装置2可以发射光。
偏振层270可以设置在第二基底300的显示表面DS上。偏振层270可以使由显示装置2发射的光偏振。
一对电阻测量图案80可以在密封单元400的上表面和下表面处。例如，第一电阻测量图案81可以在第二基底300与密封单元400的上表面之间，第二电阻测量图案82可以在第一基底100与密封单元400的下表面之间。第一电阻测量图案81和第二电阻测量图案82均可以从密封单元400的外表面朝向显示区域DA延伸，因此，可以检测密封单元400中的缺陷。因此，可以在裂纹完全穿透密封单元400之前发现密封单元400中的缺陷，例如裂纹。
图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1中示出的显示装置1的电阻测量图案的示意性俯视平面图。为了清楚起见，图5示出了图1的显示装置1中的一些元件。
参照图5，一对电阻测量图案可以分别设置在位于第一基底100与第二基底300之间的密封单元400的上表面和下表面处，并且如以上描述的，可以通过使用由一对电阻测量图案测量的密封单元400的电阻值来识别在密封单元400中发生的缺陷。
另外，当在密封单元400中发生缺陷时，在视觉上检查密封单元400的整个部分之前，可以检测到密封单元400的电阻值的变化。另外，通过在视觉上检查密封单元400的整个部分，可能花费大量时间，并且可能无法识别密封单元400的其处发生缺陷的部分。
一对电阻测量图案中的至少一个可以包括彼此分开的多个片段80a、80b和80c。多个片段80a、80b和80c中的每个具有与上述电阻测量图案80(见例如图1)的构造基本上相同的构造。例如，一对电阻测量图案的多个片段80a、80b和80c可以位于密封单元400的上表面和下表面中的每个处，并且可以用于测量密封单元400的电阻。换句话说，第一电阻测量图案81(见图3)和第二电阻测量图案82(见图3)均可以包括彼此分开的片段80a、80b和80c。在这种情况下，第一电阻测量图案81(见图3)的片段80a、80b和80c和第二电阻测量图案82(见图3)的片段80a、80b和80c可以彼此对应。例如，第一电阻测量图案81的片段80a、80b和80c和第二电阻测量图案82的片段80a、80b和80c可以具有相同的形状并可以彼此叠置。
因此，由多个片段80a、80b和80c测量的密封单元400的电阻可以是第一片段80a、第二片段80b和第三片段80c分别位于其中的区域的电阻。例如，如图5中所示，第一基底100可以具有四个角，第一片段80a、第二片段80b和第三片段80c可以分别在第一基底100的左边缘、右边缘和上边缘处。在这种情况下，当仅有通过使用第一片段80a测量的电阻值改变时，在密封单元400的第一片段80a位于其中的区域中可以检测到密封单元400中的缺陷，因此，当识别其中发生缺陷的区域时，可以减小密封单元400的搜索范围，因此可以减少检查时间段。
图6至图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的显示装置1中的电阻测量图案的示意性俯视平面图。为了清楚起见，图6至图8示出了图1的显示装置1中的一些元件。
图6和图7的电阻测量图案与图1的电阻测量图案不同。换句话说，在图6和图7中，一对电阻测量图案80可以分别设置在布置于第一基底100与第二基底300之间的密封单元400的上表面和下表面处，并且如以上描述的，可以通过使用由一对电阻测量图案80测量的密封单元400的电阻值来识别密封单元400中发生的缺陷。
另外，在图6和图7中，为了增大电阻测量图案80的长度，电阻测量图案80在平面上不具有直线形状而是具有弯曲部。例如，在图6中，电阻测量图案80具有锯齿形图案或在相反方向之间重复地交替，在图7中，电阻测量图案80包括连续地放置的X字母图案。例如，电阻测量图案80可以包括在显示区域DA周围延伸的格子布置。
在本发明构思的示例性实施例中，电阻测量图案80可以在显示区域DA周围延伸并包括多边形空间。
如以上描述的，当电阻测量图案80包括弯曲部时，电阻测量图案80的总电阻量增大，因此，可以增大用于密封单元400的细小剥离的检测率(或检测功能)。另外，由于电阻测量图案80包括弯曲部，所以电阻测量图案80所占据的面积可以增大，因此，密封单元400的检测面积可以增大。
与图1中示出的电阻测量图案80相比，图8中示出的电阻测量图案80还包括分别在两个相对端部处的延伸部85。从电阻测量图案80的两个相对端部朝向端子部40(见图1)延伸的延伸部85与端子部40(见图1)分开。当一对电阻测量图案80包括延伸部85时，密封单元400的检测面积可以增大。
另外，在图6至图8中，电阻测量图案80连续地形成，然而，如图5中示出和描述的，显示装置可以包括电阻测量图案的片段。另外，图6至图8中描述的电阻测量图案80可以应用于图1和图3中示出和描述的显示装置1以及图4中示出和描述的显示装置2。
根据本发明构思的示例性实施例，可以在早期状态下检查在密封材料中发生的缺陷，因此，可以以更高的良率来制造显示装置。然而，本发明构思的范围不限于上面提及的效果和结果。
尽管已经参照本发明构思的示例性实施例具体示出和描述了本发明构思，但是对于本领域的普通技术人员而言将清楚的是，在不脱离由权利要求书限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，包括显示区域和外围区域；
端子部，设置在所述外围区域中；
第二基底，设置在所述第一基底上；
密封单元，位于所述第一基底与所述第二基底之间并围绕所述显示区域；以及
第一电阻测量图案和第二电阻测量图案，所述第一电阻测量图案位于所述密封单元的上表面处，所述第二电阻测量图案位于所述密封单元的下表面处，
其中，所述第一电阻测量图案和所述第二电阻测量图案中的每个电连接到所述端子部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电阻测量图案和所述第二电阻测量图案沿着所述第一基底的边缘延伸，并具有包括开口侧的矩形形状，并且
其中，所述端子部位于所述第一电阻测量图案和所述第二电阻测量图案的所述开口侧处。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
数据驱动电路位于所述端子部处，并且
所述数据驱动电路被构造为将所述密封单元的初始电阻值与通过使用所述第一电阻测量图案和所述第二电阻测量图案测量的电阻值进行比较。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电阻测量图案的端部和所述第二电阻测量图案的端部分别电连接到所述端子部。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一电阻测量图案的所述端部和所述第二电阻测量图案的所述端部彼此分隔开预定距离。
6.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一基底与所述密封单元之间的电源线，
其中，所述密封单元覆盖所述电源线的一部分，并且
所述第二电阻测量图案和所述电源线位于同一层上并包括相同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第一电阻测量图案和所述第二电阻测量图案分别从所述第二基底的边缘和所述第一基底的边缘朝向所述显示区域延伸。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第二电阻测量图案的宽度比所述密封单元的宽度小。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电阻测量图案和所述第二电阻测量图案中的至少一个包括彼此分开的多个片段。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电阻测量图案和所述第二电阻测量图案均包括弯曲部。
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