JP2014115361A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気光学装置は、第一基板と第二基板と液晶とを備えると共に、表示領域1Aと周辺領域1Bとを有する。第一基板の周辺領域1Bには、周辺電極61とこれを覆う第一配向膜14が形成され、第二基板の周辺領域1Bには、共通電極21とこれを覆う第二配向膜16とが形成されている。そして、表示領域1Aの第一配向膜14の密度と周辺領域1Bの第一配向膜14の密度とが異なるか、或いは、表示領域1Aの第二配向膜16の密度と周辺領域1Bの第二配向膜16の密度とが異なるか、のいずれかとなっている。周辺領域1Bの第一配向膜14の密度と第二配向膜16の密度とが異なるので、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。
【選択図】図3
Description
電気光学材料に液晶を用いた電気光学装置(液晶装置)では、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物として、基板間での電気的な対称性を保ち、表示品質の経時劣化を防いでいる。従って、この構成によると、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事になり、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成されるので、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
この構成によると、周辺領域では電気的に非対称となり、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成されるので、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
この構成によると、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性が保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事になるので、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
この構成によると、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性が保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事になるので、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
この構成によると、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性が保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事になるので、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
この構成によると、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性が保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とを異ならせる事ができるので、周辺領域では電気的に非対称とできる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
この構成によると、製品寿命の長い電子機器を比較的簡便な製造工程で製造する事ができる。
「電気光学装置の概要」
図1は液晶装置の構成を説明する平面図である。図2は、図1に示すI−I線に沿う位置における液晶装置の部分断面図である。まず電気光学装置の概要を、図1と図2とを参照して、説明する。本実施形態では、電気光学装置は反射型の液晶装置100であり、液晶装置100は、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor、TFT)を画素のスイッチング素子として備えている。尚、以下の説明で参照する図においては、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側(対向基板が位置する側)を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側(素子基板が位置する側)を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
図3は液晶装置の概略的な拡大断面図である。又、図4はイオン捕獲の原理を説明する図である。次にイオン性不純物の捕獲原理を、図3と図4とを参照して、説明する。
液晶装置100では、画像表示前、画像表示中、又は画像表示後に、周辺電極61に周辺電極信号VITを供給して、周辺電極61と第二周辺電極62(共通電極21)との間に発生させた電界を液晶材料50に作用させ、液晶材料50中のイオン性不純物を捕獲する。これにより、表示領域1Aで発生したイオン性不純物や、シール材51や封止剤52から溶出したイオン性不純物を周辺領域1Bに固定する事ができる。その結果、イオン性不純物が表示領域1A内の配向膜等に吸着される事態が抑制され、これが原因となる画像焼きつきやシミなどの表示不良が少ない液晶装置とする事ができる。
図5は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図である。次に、図5を参照して、本実施形態の電子機器を説明する。
「第二配向膜が異なる形態」
図6は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第二配向膜16が異なる形態を、図6と図4とを参照して、説明する。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
「第一配向膜と第二配向膜とが異なる形態1」
図7は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第一配向膜14と第二配向膜16とが異なる形態を、図7を参照して、説明する。尚、実施形態1乃至2と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
「第一配向膜と第二配向膜とが異なる形態2」
図8は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第一配向膜14と第二配向膜16とが異なる別の形態を、図8を参照して、説明する。尚、実施形態1乃至3と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
「絶縁膜が異なる形態1」
図9は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第三絶縁膜31と絶縁膜32とが異なる形態を、図9を参照して、説明する。尚、実施形態1乃至4と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
「絶縁膜が異なる形態2」
図10は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第三絶縁膜31と絶縁膜32とが異なる別の形態を、図10を参照して、説明する。尚、実施形態1乃至5と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
「配向膜が二層の形態1」
図11は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に配向膜が二層の形態を、図11を参照して、説明する。尚、実施形態1乃至4と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
「配向膜が二層の形態2」
図12は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に配向膜が二層の形態を、図12を参照して、説明する。尚、実施形態1乃至4と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
「周辺電極とダミー電極とを兼用する形態」
図1を参照して説明する。実施形態1乃至8では、図1に示される様に、ダミー画素DMの外側にイオントラップ部60が設けられていた。即ち、ダミー電極30Dの外側に周辺電極61が設けられていた。これに対して、本変形例にて説明する様に、ダミー電極30Dにて周辺電極61を兼用させても良い。
Claims (7)
- 第一基板と、
前記第一基板に対向配置された第二基板と、
表示領域及び前記表示領域の外側に設けられた周辺領域において前記第一基板と前記第二基板とにより挟持された電気光学材料と、
を備え、
前記第一基板は、
前記表示領域に設けられたスイッチング素子及び前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記周辺領域に設けられた周辺電極と、
前記画素電極及び前記周辺電極と前記電気光学材料との間に設けられた第一配向膜と、
を含み、
前記第二基板は、
共通電極と、
前記共通電極と前記電気光学材料との間に設けられた第二配向膜と、
を含み、
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と、前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なるか、
或いは、前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と、前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度と、が異なるか、
のいずれかである事を特徴とする電気光学装置。 - 前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事を特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記表示領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しい事を特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しく、
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なる事を特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度とがほぼ等しく、
前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事を特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記表示領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しく、
前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なり、
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なり、
前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事を特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
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