JP2003233075A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示のための構成で、不純物イオンを吸着さ
せるための別途の部品を用いることなく、不純物イオン
を表示領域を除く残余の領域に吸着させて、表示パター
ンの焼付きおよび残像を抑制することができる液晶表示
装置を提供する。 【解決手段】 第１配向膜１１が、非表示領域４に配置
され、かつゲートバスライン１２に積層される非表示配
線領域部分１１ｃの膜厚と、表示領域３に配置される表
示領域部分１１ａの膜厚とが、相互に異なるように形成
される。非表示配線領域部分１１ｃおよび表示領域部分
１１ａの膜厚が、相互に異なるように形成されることに
よって、液晶層７に存在する不純物イオンを、非表示配
線領域部分１１ｃに選択的に、かつ効果的に吸着させ
て、不純物イオンが表示領域部分１１ａに吸着すること
を防止することができる。これによって表示領域３にお
ける表示パターンの焼付きおよび残像を抑制することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示パターンが表
示される表示領域における焼付きおよび残像の発生を防
止する構造を備える液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術の液晶表示装置は、ガラス基
板、制御用電極、対向電極、配向膜、シール材、液晶お
よび注入口封止材を含んで構成される。一方のガラス基
板には、制御用電極および配向膜が層状に形成される。
他方のガラス基板には、対向電極および配向膜が層状に
形成される。２枚のガラス基板は、一定の間隙を有する
ように、シール材によって貼り合わされ、これら２枚の
ガラス基板の間に液晶が封入される。

【０００３】液晶は高抵抗であることが要求されるの
で、高純度の材料を用いて、材料汚染が極力小さくなる
ように製造プロセスが工夫されているが、不純物イオン
が液晶の層に混入してしまう場合がある。また液晶表示
装置を高温環境下で駆動することおよび制御用電極と対
向電極との間に生じる電界によって、不純物イオンが、
配向膜、シール材および注入口封止材から液晶の層に溶
出する。

【０００４】液晶の層に不純物イオンが存在する状態
で、時間的に変化しない表示パターンを長時間にわたっ
て表示すると、電圧の極性を所定の時間毎に変えた直流
電圧が、制御用電極と対向電極との間に印加されるの
で、不純物イオンが配向膜に吸着して、表示された表示
パターンが画面表示領域に残る現象である残像および焼
付きが生じる。残像および焼付きによって、画面表示領
域には、表示不良が生じる。従来の技術の液晶表示装置
では、層変更する方法および基板の電極配置を変更する
方法によって、不純物イオンを画面表示領域以外の領
域、たとえば額縁に対応する領域に吸着させて、画面表
示領域に生じる表示不良を防止している。

【０００５】層変更する方法、言換えると不純物イオン
を吸着させるための層を別途に設ける方法の具体例とし
て、特開平３−２３３４２８号公報に示される液晶表示
装置が挙げられる。基板の電極配置を変更する方法、言
換えると不純物イオンを吸着させるための電極を別途に
設ける方法の具体例として、特開平４−１２５６１７号
公報、特開平４−２９５８２４号公報、特開平８−２０
１８３０号公報および特開平３−１６７５２９号公報に
示される液晶表示装置が挙げられる。

【０００６】特開平３−２３３４２８号公報に示される
液晶表示装置は、吸着材を配向膜、液晶およびシール材
の少なくともいずれかに分散させて、不純物イオンを吸
着させる構成になっている。吸着材を上述の各部品のい
ずれかに分散させることによって、吸着材による層を別
途に設けて、不純物イオンを吸着材に吸着させる。

【０００７】特開平４−１２５６１７号公報、特開平４
−２９５８２４号公報、特開平８−２０１８３０号公報
に示される液晶表示装置は、制御用電極の他に、不純物
イオン吸着用の電極をガラス基板に別途に設けて、その
電極による電界によって、不純物イオンを電極に引付け
て吸着させる構成になっている。

【０００８】特開平３−１６７５２９号公報に示される
液晶表示装置は、画面表示領域内のゲートバスラインの
一部を、配向膜を介して液晶に接するようにすることに
よって、その一部を不純物イオン吸着用の電極として別
途に設けて、不純物イオンを表示領域内で吸着させる構
成になっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】特開平３−２３３４２
８号公報に示される液晶表示装置に関して、配向膜、液
晶およびシール材は、液晶表示装置の表示品位を左右す
る重要な部品である。それらの部品に吸着材を分散させ
ると、透過率分布の均一性、配向特性の安定性および不
純物イオンを経時的に安定して吸着させた状態を保持さ
せることに問題が生じる。

【００１０】特開平４−１２５６１７号公報、特開平４
−２９５８２４号公報および特開平８−２０１８３０号
公報に示される液晶表示装置では、不純物イオン吸着用
の電極を、画面表示領域以外の領域に別途に設けている
が、近年の液晶表示装置における高精細化および狭額縁
化に伴って、上述の電極を設けるための領域を確保する
ことが難しいという問題が生じる。

【００１１】特開平３−１６７５２９号公報に示される
液晶表示装置では、ゲートバスラインには、ほとんどの
時間、負の電圧、言換えると制御用電極の電位が接地電
位よりも低くなる電圧が印加され、残りの時間、正の電
圧、言換えると制御用電極の電位が接地電位よりも高く
なる電圧が印加される。配向膜における不純物イオンの
遊離性が大きい場合、ゲートバスラインに正の電圧が、
短時間だけでも印加されると、ゲートバスライン付近に
集まった不純物イオンが離散してしまい、液晶の抵抗値
が小さくなり、各画素毎の表示動作に影響を及ぼすとい
う問題が生じる。

【００１２】本発明の目的は、表示のための構成で、不
純物イオンを吸着させるための別途の部品を用いること
なく、不純物イオンを表示領域を除く残余の領域に吸着
させて、表示パターンの焼付きおよび残像を抑制するこ
とができる液晶表示装置を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、電極および電
極に連なる配線ならびに配向膜が設けられる２つの基板
間に液晶が封入される液晶表示装置であって、少なくと
も一方の基板に設けられる配向膜は、表示領域を除く残
余の領域に配置されかつ一方の基板に設けられる配線に
積層される非表示配線領域部分の膜厚と、表示領域に配
置される表示領域部分の膜厚とが、相互に異なることを
特徴とする液晶表示装置である。

【００１４】本発明に従えば、電極および電極に連なる
配線ならびに配向膜が２つの基板にそれぞれ設けられる
とともに、液晶が２つの基板間に封入される。２つの基
板のうち、少なくとも一方の基板に設けられる配向膜
は、表示パターンが表示される表示領域に対応する表示
領域部分と、表示領域を除く残余の領域に配置され、か
つ一方の基板に設けられる配線に積層される非表示配線
領域部分とを有する。少なくとも一方の基板に設けられ
る配向膜は、非表示配線領域部分の膜厚と表示領域部分
の膜厚とが相互に異なる。

【００１５】このように配向膜を、非表示配線領域部分
と表示領域部分との膜厚が異なるように構成することに
よって、２つの基板にそれぞれ設けられる電極間の電圧
を変化させて、液晶表示装置を駆動するときに、非表示
配線領域部分に不純物イオンを吸着させやすくすること
ができる。

【００１６】吸着材を用いて、不純物イオン吸着用の層
を別途に設ける必要がないので、液晶における透過率分
布の均一性、配向膜における配向特性の安定性を保持す
ることができ、不純物イオンを経時的に安定して非表示
配線領域部分に吸着させることができる。イオン吸着用
の電極を別途に設ける必要がないので、余分な配線が要
らず、液晶表示装置の高精細化および狭額縁化を実現す
ることができる。表示領域内の配線の一部を絶縁膜で覆
わずに、不純物イオン吸着用の電極として別途に設ける
必要がないので、表示領域で凹凸が生じないように、平
坦な配向膜を基板に配置することができ、配向処理の精
度を向上させ、表示パターンを精細に表示させることが
できる。

【００１７】上述のように配向膜の表示領域部分および
非表示配線領域部分の膜厚が異なるようにすることによ
って、表示のための構成で、不純物イオンを吸着させる
ための部品を別途に設けることなく、不純物イオンを非
表示配線領域部分に選択的に、かつ効果的に吸着させる
ことができる。不純物イオンを非表示配線領域部分に吸
着させることによって、表示領域部分における焼付きお
よび残像の発生を抑制することができる。

【００１８】また本発明は、電極および電極に連なる配
線ならびに配向膜が設けられる２つの基板間に液晶が封
入される液晶表示装置であって、少なくとも一方の基板
に設けられる配向膜は、表示領域を除く残余の領域に配
置されかつ一方の基板に設けられる配線に積層される非
表示配線領域部分のプレチルト角と、表示領域に配置さ
れる表示領域部分のプレチルト角とが、相互に異なるこ
とを特徴とする液晶表示装置である。

【００１９】本発明に従えば、電極および電極に連なる
配線ならびに配向膜が２つの基板にそれぞれ設けられる
とともに、液晶が２つの基板間に封入される。２つの基
板のうち、少なくとも一方の基板に設けられる配向膜
は、表示パターンが表示される表示領域に対応する表示
領域部分と、表示領域を除く残余の領域に配置され、か
つ一方の基板に設けられる配線に積層される非表示配線
領域部分とを有する。少なくとも一方の基板に設けられ
る配向膜は、非表示配線領域部分のプレチルト角と表示
領域部分のプレチルト角とが相互に異なる。

【００２０】このように配向膜を、非表示配線領域部分
と表示領域部分とのプレチルト角が異なるように構成す
ることによって、２つの基板にそれぞれ設けられる電極
間の電圧を変化させて、液晶表示装置を駆動するとき
に、非表示配線領域部分に不純物イオンを吸着させやす
くすることができる。

【００２１】吸着材を用いて、不純物イオン吸着用の層
を別途に設ける必要がないので、液晶における透過率分
布の均一性、配向膜における配向特性の安定性を保持す
ることができ、不純物イオンを経時的に安定して非表示
配線領域部分に吸着させることができる。イオン吸着用
の電極を別途に設ける必要がないので、余分な配線が要
らず、液晶表示装置の高精細化および狭額縁化を実現す
ることができる。表示領域内の配線の一部を絶縁膜で覆
わずに、不純物イオン吸着用の電極として別途に設ける
必要がないので、表示領域で凹凸が生じないように、平
坦な配向膜を基板に配置することができ、配向処理の精
度を向上させ、表示パターンを精細に表示させることが
できる。

【００２２】上述のように配向膜の表示領域部分および
非表示配線領域部分の膜厚が異なるように構成すること
によって、表示のための構成で、不純物イオンを吸着さ
せるための部品を別途に設けることなく、不純物イオン
を非表示配線領域部分に選択的に、かつ効果的に吸着さ
せることができる。不純物イオンを非表示領域部分に吸
着させることによって、表示領域部分における焼付きお
よび残像の発生を抑制することができる。

【００２３】また本発明は、前記少なくとも一方の基板
に設けられる配向膜は、非表示配線領域部分と表示領域
部分とが、別体に形成されることを特徴とする。

【００２４】本発明に従えば、少なくとも一方の基板に
設けられる配向膜は、非表示配線領域部分と表示領域部
分とが、別体に形成される。配向膜の非表示配線領域部
分と表示領域部分とを別体に形成することによって、膜
厚が相互に異なる２つの部分を有する配向膜を容易に形
成することができる。

【００２５】また本発明は、電極および電極に連なる配
線ならびに配向膜が設けられる２つの基板間に液晶が封
入される液晶表示装置であって、少なくとも一方の基板
に設けられる配向膜は、表示領域を除く残余の領域に配
置されかつ一方の基板に設けられる駆動回路に積層され
る非表示回路配置領域部分の膜厚と、表示領域に配置さ
れる表示領域部分の膜厚とが、相互に異なることを特徴
とする液晶表示装置である。

【００２６】本発明に従えば、電極および電極に連なる
配線ならびに配向膜が２つの基板にそれぞれ設けられる
とともに、液晶が２つの基板間に封入される。２つの基
板のうち、少なくとも一方の基板に設けられる配向膜
は、表示パターンが表示される表示領域に対応する表示
領域部分と、表示領域を除く残余の領域に配置され、か
つ一方の基板に設けられる駆動回路に積層される非表示
回路配置領域部分とを有する。少なくとも一方の基板に
設けられる配向膜は、非表示回路配置領域部分の膜厚と
表示領域部分の膜厚とが相互に異なる。

【００２７】このように配向膜を、非表示回路配置領域
部分と表示領域部分との膜厚が異なるように構成するこ
とによって、２つの基板にそれぞれ設けられる電極間の
電圧を変化させて、液晶表示装置を駆動するときに、非
表示回路配置領域部分に不純物イオンを吸着させやすく
することができる。

【００２８】吸着材を用いて、不純物イオン吸着用の層
を別途に設ける必要がないので、液晶における透過率分
布の均一性、配向膜における配向特性の安定性を保持す
ることができ、不純物イオンを経時的に安定して非表示
回路配置領域部分に吸着させることができる。イオン吸
着用の電極を別途に設ける必要がないので、余分な配線
が要らず、液晶表示装置の高精細化および狭額縁化を実
現することができる。表示領域内の配線の一部を絶縁膜
で覆わずに、不純物イオン吸着用の電極として別途に設
ける必要がないので、表示領域で凹凸が生じないよう
に、平坦な配向膜を基板に配置することができ、配向処
理の精度を向上させ、表示パターンを精細に表示させる
ことができる。

【００２９】上述のように配向膜の表示領域部分および
非表示回路配置領域部分の膜厚が異なるように構成する
ことによって、表示のための構成で、不純物イオンを吸
着させるための部品を別途に設けることなく、不純物イ
オンを非表示回路配置領域部分に選択的に、かつ効果的
に吸着させることができる。不純物イオンを非表示回路
配置領域部分に吸着させることによって、表示領域部分
における焼付きおよび残像の発生を抑制することができ
る。

【００３０】また本発明は、電極および電極に連なる配
線ならびに配向膜が設けられる２つの基板間に液晶が封
入される液晶表示装置であって、少なくとも一方の基板
に設けられる配向膜は、表示領域を除く残余の領域に配
置されかつ一方の基板に設けられる駆動回路に積層され
る非表示回路配置領域部分のプレチルト角と、表示領域
に配置される表示領域部分のプレチルト角とが、相互に
異なることを特徴とする液晶表示装置である。

【００３１】本発明に従えば、電極および電極に連なる
配線ならびに配向膜が２つの基板にそれぞれ設けられる
とともに、液晶が２つの基板間に封入される。２つの基
板のうち、少なくとも一方の基板に設けられる配向膜
は、表示パターンが表示される表示領域に対応する表示
領域部分と、表示領域を除く残余の領域に配置され、か
つ一方の基板に設けられる駆動回路に積層される非表示
回路配置領域部分とを有する。少なくとも一方の基板に
設けられる配向膜は、非表示回路配置領域部分のプレチ
ルト角と表示領域部分のプレチルト角とが相互に異な
る。

【００３２】このように配向膜を、非表示回路配置領域
部分と表示領域部分とのプレチルト角が異なるように構
成することによって、２つの基板にそれぞれ設けられる
電極間の電圧を変化させて、液晶表示装置を駆動すると
きに、非表示回路配置領域部分に不純物イオンを吸着さ
せやすくすることができる。

【００３３】吸着材を用いて、不純物イオン吸着用の層
を別途に設ける必要がないので、液晶における透過率分
布の均一性、配向膜における配向特性の安定性を保持す
ることができ、不純物イオンを経時的に安定して非表示
回路配置領域部分に吸着させることができる。イオン吸
着用の電極を別途に設ける必要がないので、余分な配線
が要らず、液晶表示装置の高精細化および狭額縁化を実
現することができる。表示領域内の配線の一部を絶縁膜
で覆わずに、不純物イオン吸着用の電極として別途に設
ける必要がないので、表示領域で凹凸が生じないよう
に、平坦な配向膜を基板に配置することができ、配向処
理の精度を向上させ、表示パターンを精細に表示させる
ことができる。

【００３４】上述のように配向膜の表示領域部分および
非表示回路配置領域部分の膜厚が異なるように構成する
ことによって、表示のための構成で、不純物イオンを吸
着させるための部品を別途に設けることなく、不純物イ
オンを非表示回路配置領域部分に選択的に、かつ効果的
に吸着させることができる。不純物イオンを非表示回路
配置領域部分に吸着させることによって、表示領域部分
における焼付きおよび残像の発生を抑制することができ
る。

【００３５】また本発明は、前記少なくとも一方の基板
に設けられる配向膜は、非表示回路配置領域部分と表示
領域部分とが、別体に形成されることを特徴とする。

【００３６】本発明に従えば、少なくとも一方の基板に
設けられる配向膜は、非表示回路配置領域部分と表示領
域部分とが、別体に形成される。配向膜の非表示回路配
置領域部分と表示領域部分とを別体に形成することによ
って、膜厚が相互に異なる２つの部分を有する配向膜を
容易に形成することができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の第１の形
態である液晶表示装置１に含まれる液晶パネル部２の一
部を示す断面図である。図２は、液晶パネル部２を示す
正面図である。図１と図２とを合わせて説明する。液晶
表示装置１は、具体的には三端子素子である薄膜トラン
ジスタをスイッチング素子として用いるアクティブマト
リクス駆動方式を採用している。液晶表示装置１は、液
晶パネル部２を含んで構成される。

【００３８】液晶パネル部２は、薄膜トランジスタによ
って電極に印加する電圧を制御して、表示パターンを表
示する。液晶パネル部２は、第１基板５、第２基板６、
液晶層７、シール樹脂８および注入口封止材９を含んで
構成される。

【００３９】第１基板５および第２基板６は、相互に平
行に、間隔をあけて配置される。第１基板５および第２
基板６のうち少なくとも一方は、透光性を有する。液晶
層７は、第１基板５と第２基板６との間に封入される液
晶によって形成される。

【００４０】シール樹脂８は、第１基板５と第２基板６
との間に介在されて、液晶層７の側部を封止している。
シール樹脂８は、第１基板５に対する第２基板６の位置
を固定し、液晶層７の厚みを均一化する。さらにシール
樹脂８は、外界からの環境変化に対して液晶層７を保護
する。注入口封止材９は、第１基板５と第２基板６との
間に液晶を封入した後、液晶が、液晶層７の側部に設け
られる注入口１７から流出しないように、注入口１７を
封止する。

【００４１】第１基板５は、平板状であって、液晶駆動
用電極１０、第１配向膜１１、ゲートバスライン１２、
ソースバスライン１３および絶縁膜１４を含んで構成さ
れる。液晶駆動用電極１０は、インジウム錫酸化物（In
dium Tin Oxide：略称ＩＴＯ）から成り、透光性を有す
る電極であって、第１基板５の厚み方向Ｖ一方側の面５
ａに対して平行な仮想平面上に配置される。液晶駆動用
電極１０は、第１基板５と液晶層７との間に複数個配置
され、表示領域３内の各画素の数に対応する。本実施の
形態において、表示領域３は、表示パターンが表示され
る領域を示す。

【００４２】第１配向膜１１は、第１基板５と液晶層７
との間に配置されるとともに、第１基板５と液晶層７と
の間に配置される部品のうちで液晶層７に最も近接して
いる。第１配向膜１１は、液晶層７の液晶分子が界面規
則力をもつように、チルト角および配向角を規制する。

【００４３】ゲートバスライン１２は、薄膜トランジス
タを介して液晶駆動用電極１０に連なり、表示領域３か
ら非表示領域４にわたって、第１基板５に配置される。
ゲートバスライン１２は、帯状の配線であって複数本用
意されており、長手方向Ｘが、相互に平行になり、かつ
隣合う２つのゲートバスライン１２の間に所定の間隔が
空くように、第１基板５の法線方向Ｖ一方側の面５ａ上
に配置される。

【００４４】ソースバスライン１３は、薄膜トランジス
タを介して液晶駆動用電極１０に連なり、表示領域３か
ら非表示領域４にわたって、第１基板５に配置される。
ソースバスライン１３は、帯状の配線であって複数本用
意されており、長手方向Ｙが相互に平行になり、かつ隣
合う２つのソースバスライン１３の間に所定の間隔が空
くように、第１基板５の厚み方向Ｖ一方側の面５ａに対
して平行な仮想平面上に配置される。ソースバスライン
１３の長手方向Ｙは、ゲートバスライン１２の長手方向
Ｘに対して垂直である。

【００４５】絶縁膜１４は、第１基板５と液晶層７との
間に配置されるとともに、ゲートバスライン１２とソー
スバスライン１３とが電気的に導電しないように、ゲー
トバスライン１２とソースバスライン１３とを覆うよう
にして第１基板５に配置される。

【００４６】第２基板６は、平板状であって、対向電極
１５および第２配向膜１６を含んで構成される。第２基
板６は、その厚み方向が第１基板５の厚み方向Ｖに対し
て平行になるように、かつ第１基板５に対向するように
配置される。対向電極１５は、インジウム錫酸化物（In
dium Tin Oxide：略称ＩＴＯ）から成り、透光性を有す
る電極であって、液晶層を介して第１電極に対向するよ
うに、第２基板６の厚み方向一方側の面６ａと平行な仮
想平面上に配置される。液晶表示装置１内部において、
第１基板５の厚み方向一方側の面５ａに対して垂直な法
線方向Ｖから見て、液晶駆動用電極１０が対向電極１５
と重なる部分が、それぞれ液晶表示装置１の画素にな
る。

【００４７】第２配向膜１６は、第２基板６と液晶層７
との間に配置されるとともに、第２基板６と液晶層７と
の間に配置される部品のうちで液晶層７に最も近接して
いる。第２配向膜１６は、液晶層７の液晶分子が界面規
則力をもつように、チルト角および配向角を規制する。
図１の例における液晶層７は、具体的には、第１配向膜
１１と第２配向膜１５との間に液晶が封入されて形成さ
れる。

【００４８】図１の例では、第１基板５および第２基板
６が、第１基板５の厚み方向Ｖ一方側の面５ａと、第２
基板６の厚み方向一方側の面６ａとが対向するように配
置される。第１基板５における表示領域３では、ゲート
バスライン１２が第１基板５に最も近接するように、第
１基板５の厚み方向Ｖ一方側に配置される。ソースバス
ライン１３が絶縁膜１４に覆われ、かつゲートバスライ
ン１２に電気的に導電しないように、ゲートバスライン
１２と液晶層７との間に配置される。さらに液晶駆動用
電極１０が、絶縁膜１４上に配置され、言換えると絶縁
膜１４と第１配向膜１１との間に配置される。各画素毎
に配置される液晶駆動用電極１０は、各ソースバスライ
ン１３にそれぞれ対向するようにして配置される。そし
て第１配向膜１１が、液晶駆動用電極１０を覆うように
して、液晶層７に最も近接するように、第１基板５と液
晶層７との間に配置される。

【００４９】第１基板５における非表示領域４では、ゲ
ートバスライン１２が第１基板５に最も近接するよう
に、第１基板５の厚み方向Ｖ一方側に配置され、絶縁膜
１４がゲートバスライン１２に最も近接するように、第
１基板５の厚み方向Ｖ一方側に配置される。そして第１
配向膜１１が、液晶層７に最も近接するように、第１基
板５と液晶層７との間に配置される。本実施の形態にお
いて、非表示領域４は、表示領域３を除く残余の領域を
示す。

【００５０】液晶表示装置１は、図示しない偏光板およ
び駆動回路をさらに含む。偏光板は、所定の振動面を有
する光だけを取出す。偏光板は、第１基板５の厚み方向
Ｖ他方側の面５ｂと、第２基板６の厚み方向他方側の面
６ｂとにそれぞれ配置される。たとえば第１基板５に配
置される偏光板を、光源からの光が入射する入射側偏光
板と設定し、第２基板６に配置される偏光板を、液晶層
７を通過した光が入射する出射側偏光板と設定した場
合、２枚の偏光板は、光の偏光方向がたとえば９０度の
角度をなすように設定される。

【００５１】駆動回路は、所定の電圧をゲートバスライ
ン１２を介して薄膜トランジスタに印加するための電源
回路と、ゲートバスライン１２が選択状態および非選択
状態のいずれであるかを選択制御するためのゲート電極
回路と、所定の電圧をソースバスライン１３を介して液
晶駆動用電極１０に印加するソース電極回路とを含んで
構成される。選択状態は、薄膜トランジスタをオン状態
にさせる電圧が、ゲートバスライン１２を介して、薄膜
トランジスタに印加される状態を示し、非選択状態は、
薄膜トランジスタをオフ状態にさせる電圧が、ゲートバ
スライン１２を介して、薄膜トランジスタに印加される
状態を示す。オン状態は、液晶駆動用電極１０とソース
電極回路とが、薄膜トランジスタによって電気的に導電
している状態を示し、オフ状態は、液晶駆動用電極１０
とソース電極回路とが、薄膜トランジスタによって電気
的に導電していない状態を示す。

【００５２】液晶表示装置１は、第１基板５と第２基板
６との間に液晶を封入した状態で、配向処理された配向
膜によって、液晶層７の液晶分子を所定の配向角とチル
ト角とを有するように配向させる。たとえば第１基板５
の厚み方向Ｖ他方側の面５ｂに対向する光源から、光が
照射される。薄膜トランジスタをオフ状態にさせる負の
電圧、言換えるとゲートバスライン１２の電位が接地電
位よりも低くなる電圧が、電源回路によって、ゲートバ
スライン１２を介して薄膜トランジスタに印加される場
合、ゲートバスライン１２は非選択状態になっており、
各画素に対応する液晶駆動用電極１０と対向電極１５と
の間には、ソースバスライン１３を介して所定の電圧が
印加されない。薄膜トランジスタがオフ状態では、液晶
駆動用電極１０と対向電極１５との間に電位差が生じ
ず、電界が液晶層７に生じていないので、液晶層７を通
過する光は液晶分子の配向によって、旋光して光の偏波
面が９０度変わり、光が出射側偏光板を通過する。

【００５３】さらに薄膜トランジスタをオン状態にさせ
る充分な正の電圧、言換えるとゲートバスライン１２の
電位が接地電位よりも高くなる電圧が、電源回路によっ
て、ゲートバスライン１２を介して薄膜トランジスタに
印加される場合、ゲートバスライン１２は選択状態にな
っており、各画素に対応する液晶駆動用電極１０と対向
電極１５との間には、ソースバスライン１３を介してソ
ース電極回路によって所定の電圧が印加される。薄膜ト
ランジスタがオン状態では、液晶駆動用電極１０と対向
電極１５との間に電位差が生じ、液晶層７に電界が生じ
るので、液晶分子が第１基板５の厚み方向Ｖに沿って並
ぶので、旋光が行われず、光の振動面は、入射側偏光板
を通過したときの振動面と同一であるので、光が出射側
偏光板によって遮断される。上述のように薄膜トランジ
スタによって、液晶駆動用電極１０と対向電極１５との
間に印加される電圧を制御することによって、液晶層７
の液晶分子の配向状態が制御されて、液晶層７を通過す
る光の量の差によって現れる表示パターンが液晶パネル
部２に表示される。

【００５４】ゲートバスライン１２は、そのゲートバス
ライン１２が選択状態であるときだけ、ゲートバスライ
ン１２の電位が、接地電位よりも高くなる正の電圧が印
加され、残りの時間、ゲートバスライン１２の電位が、
接地電位よりも低くなる負の電圧が印加される。これに
よって絶縁膜１４および誘電体である第１および第２配
向膜１１，１６を介して、弱いながらも、時間的に一方
に偏った電界、たとえば正の点電荷が、第２基板６から
第１基板５に向けて移動するように力が働く電界が液晶
層７に生じる。たとえば正の点電荷が、第２基板６から
第１基板５に向けて移動するように力が働く電界が液晶
層７に生じている状態では、液晶層７に存在する不純物
イオンが、第１配向膜１１に集まりやすい。上述の不純
物イオンは、主に液晶表示装置１の製造時に、液晶層７
に混入したイオン物質と、高温などの環境および電界に
よって、第１配向膜１１、第２配向膜１６およびシール
樹脂８といった液晶周辺部品から溶出するイオン物質と
を含む。

【００５５】不純物イオンが液晶層７に存在する状態で
は、液晶層７の抵抗値が低下するとともに、長時間にわ
たる表示駆動によって、不純物イオンが第１および第２
配向膜５，６における表示領域３に吸着することによっ
て、残像および焼付きが発生し、表示領域３で表示不良
を発生する。残像は、液晶表示装置１の応答速度が遅い
場合に、前の表示パターンが短時間残る現象であって、
焼付きは、同一の表示パターンを長時間表示しつづけた
場合、画面を切換えても、前の表示パターンが長時間残
る現象である。本発明における液晶表示装置１は、この
ような問題を解決する構成になっている。

【００５６】第１基板５に設けられる第１配向膜１１お
よび第２基板６に設けられる第２配向膜１６のうち少な
くとも一方の配向膜は、表示領域３に配置される表示領
域部分と、表示領域３を除く残余の領域に配置され、か
つ一方の基板に設けられる配線に積層される非表示配線
領域部分とを有するように形成される。第１配向膜１１
および第２配向膜１６のうち少なくとも一方の配向膜
は、非表示配線領域部分の膜厚と、表示領域部分の膜厚
とが、相互に異なる。

【００５７】本実施の形態では、第１配向膜１１は、表
示領域３に配置される表示領域部分１１ａと、表示領域
３を除く残余の領域に配置される非表示領域部分１１ｂ
とを有する。非表示領域部分１１ｂは、非表示配線領域
部分１１ｃと非表示無配線領域部分１１ｄとを有する。
非表示配線領域部分１１ｃは、ゲートバスライン１２が
並んでいる領域に配置され、対向電極１５が第１基板５
の厚み方向Ｖに対向する領域に配置され、ゲートバスラ
イン１２の長手方向Ｘに関して、表示領域３の外側の領
域に配置される。非表示無配線領域部分１１ｄは、非表
示領域４に配置され、非表示領域部分１１ｂおよび非表
示配線領域部分１１ｃを除く残余の領域に配置される。
非表示配線領域部分１１ｃの膜厚は、非表示無配線領域
部分１１ｄの膜厚よりも大きいＴ２になっている。

【００５８】上述のように非表示領域部分１１ｂにおい
て、非表示配線領域部分１１ｃの膜厚が、非表示無配線
領域部分１１ｄの膜厚よりも大きくなるように構成され
ることによって、非表示領域部分１１ｂの膜厚が一様に
Ｔ２になるように構成される場合に比べて、不純物イオ
ンを非表示領域部分１１ｂに吸着させやすくなってい
る。

【００５９】第１配向膜１１は、非表示領域部分１１ｂ
に含まれる非表示配線領域部分１１ｃの膜厚Ｔ２と、表
示領域部分１１ａの膜厚Ｔ１とが相互に異なるように構
成されるとともに、非表示領域部分１１ｂと表示領域部
分１１ａとが、別体に形成される。

【００６０】第１基板５を製造する過程において、表示
領域３とシール樹脂が配置される領域を除く非表示領域
４とを含む領域全体に、配向膜材料を第１基板５に一度
印刷する。その後、印刷版を変更し、配向膜材料が非表
示領域４に含まれるゲートバスライン１２上にさらに印
刷される。１度目の印刷において、表示領域部分１１ａ
と非表示領域部分１１ｂとは、別体に形成される。この
後、約２２０度で焼成して、配向膜が形成される。たと
えば第１配向膜は、膜厚Ｔ１が５０ｎｍである表示領域
部分１１ａと、膜厚Ｔ２が８０ｎｍである非表示配線領
域部分１１ｃを含む非表示領域部分１１ｂとを有するよ
うに形成される。

【００６１】上述のように非表示配線領域部分１１ｃの
膜厚Ｔ２が、表示領域部分１１ａの膜厚Ｔ１よりも大き
く形成されることによって、第１配向膜１１の非表示領
域部分１１ｂは、ソースバスライン１３の長手方向Ｙか
ら見て、非表示配線領域部分１１ｃが非表示無配線領域
部分１１ｄに比べて、第１基板５の厚み方向Ｖ一方側に
突出する凸状の断面形状を有する。

【００６２】本件発明者は、上述のような膜厚Ｔ１，Ｔ
２を有する第１配向膜１１を含む液晶表示装置１と同様
の構成を有する装置を用いて、７０度の高温槽内で表示
駆動させる実験を行なった。７０度の高温槽内で液晶表
示装置１を表示駆動させた結果、１７０時間後に、焼付
きが非表示領域部分１１ｂの非表示配線領域部分１１ｃ
に発生した。表示領域部分１１ａでは、実験を開始して
から１０００時間経過しても、残像および焼付きが発生
せず、その結果、表示領域３における表示パターンの表
示不良は発生しなかった。実験に用いられた装置に対し
て、従来構造を有する液晶表示装置では、７０度の高温
槽内で表示駆動させた結果、５００時間後に、残像およ
び焼付きが表示領域内に発生した。

【００６３】さらに第１配向膜１１に蓄積する電荷蓄積
量は、上述の実験を開始すると、非表示領域部分１１ｂ
の非表示配線領域部分１１ｃで増加して、実験を開始し
てから１０００時間後に、透過率異常が非表示配線領域
部分１１ｃで見られ、その結果、焼付きが発生すること
が分かった。表示領域部分１１ａでは、透過率異常が見
られず、表示領域３における表示パターンの表示不良は
発生しなかった。このように第１配向膜１１の非表示領
域部分１１ｂが、６０ｎｍ以上の膜厚を有する非表示配
線領域部分１１ｃを含む場合、液晶層７に存在する不純
物イオンを非表示配線領域部分１１ｃに吸着させやすく
なり、非表示配線領域部分１１ｃにおける電荷蓄積量が
増加して、焼付きが発生しやすくなる。

【００６４】第１配向膜１０の膜厚を変えることによっ
て、表示領域３の液晶駆動用電極１０と対向電極１５と
の間の各誘電体各層、たとえば液晶層７、第１配向膜１
０および第２配向膜１６の各部品間の電界緩和時間の相
違状態と、非表示領域４のゲートバスライン１２または
駆動回路と対向電極１５との間の前記各誘電体各層間の
電界緩和時間の相違状態とが、異なることになり、相対
的に非表示領域４の第１配向膜１０界面の電荷が残りや
すくなるためと考えられる。これには表示領域３にかか
る電界が、焼付きを防止することを目的として、定期的
に正負反転して駆動されるのに対し、非表示領域４で
は、主に一方的な方向の電界がかかることも影響してい
るものと思われる。上述の理由によって、液晶層７に存
在する不純物イオンが吸着しやすくなる。

【００６５】上述のように非表示領域部分１１ｂにおい
て、残像および焼付きが発生することによって、非表示
領域部分１１ｂの非表示配線領域部分１１ｃに吸着した
不純物イオンが、非表示配線領域部分１１ｃから離散し
て、表示領域部分１１ａに吸着することを防止して、各
画素毎の表示動作に影響を及ぼすことを防止することも
できる。

【００６６】さらに本実施の形態における液晶表示装置
１と同様の構成を有する装置を用いて、上述のような実
験をした結果、非表示領域部分１１ｂの非表示配線領域
部分１１ｃでは、非表示領域部分１１ｂが表示領域部分
１１ａと同一の膜厚Ｔ１を一様に有する場合に比べて、
残留直流電圧が増加することが分かった。残留直流電圧
は、液晶駆動用電極１０と対向電圧１５との間に、電圧
を印加することを解除した後も、非表示領域部分１１ｂ
に吸着した不純物イオンによる擬似電界に応じて発生す
る電圧である。このように非表示配線領域部分１１ｃと
表示領域部分１１ａとの膜厚が、相互に異なるように構
成することによって、非表示配線領域部分１１ｃにおけ
る残留直流電圧が増加することからも、不純物イオンの
吸着性が増大し、不純物イオンを非表示配線領域部分１
１ｃに吸着させやすくなっていることが分かる。

【００６７】液晶層７の不純物イオンを、非表示領域部
分１１ｂの非表示配線領域部分１１ｃに選択的に、かつ
効果的に吸着させることによって、液晶層７を高抵抗に
保持することができるとともに、不純物イオンが、表示
領域部分１１ａに吸着することを防止することができ
る。したがって液晶層７を高抵抗に保持し、かつ不純物
イオンが表示領域部分１１ａに吸着することを防止する
ことによって、表示領域３における残像および焼付きの
発生を抑制することができるので、表示パターンの表示
不良を抑制することができるとともに、液晶表示装置１
を好適に動作させることができる。

【００６８】本実施の形態において、層変更する、言換
えると吸着材を用いて、不純物イオン吸着用の層を別途
に設ける必要がないので、液晶層７における透過率分布
の均一性、第１配向膜１１および第２配向膜１６におけ
る配向特性の安定性を保持することができ、不純物イオ
ンを経時的に安定して吸着させることができるので、液
晶表示装置１を好適に動作させることができる。

【００６９】イオン吸着用の電極を別途に設ける必要が
ないので、余分な配線が要らず、液晶表示装置１の高精
細化および狭額縁化を実現することができる。表示領域
３において、配線であるゲートバスライン１２およびソ
ースバスライン１３の一部を、絶縁膜１４で覆わずに、
不純物イオン吸着用の電極として別途に設ける必要がな
い。これによって表示領域３で凹凸が生じないように、
平坦な第１および第２配向膜１１，１６を形成すること
ができ、配向処理の精度を向上させ、表示パターンを精
細に表示させることができる。

【００７０】上述のように表示のための構成で、不純物
イオンを吸着させるための別途の部品を用いることな
く、液晶層７に存在する不純物イオンを非表示領域部分
１１ｂの非表示配線領域部分１１ｃに吸着させて、表示
領域３における残像および焼付きの発生を防止すること
ができる。

【００７１】また非表示配線領域部分１１ｃと表示領域
部分１１ａとを別体に形成することによって、膜厚が相
互に異なる２つの部分を有する第１配向膜１１を容易に
形成することができる。

【００７２】上述のように非表示配線領域部分１１ｃと
表示領域部分１１ａとを別体に形成することによって、
非表示配線領域部分１１ｃにおいて、不純物イオンを選
択的に吸着させ、焼付きを発生させる部分を作成するこ
とができるので、配線上に配線によって形成される寄生
容量、たとえばゲートバスライン１２と対向電極１５と
の間に生じる寄生容量を制御することができ、電圧降下
の防止を図ることができる。

【００７３】上述の実施の形態は、本発明の例示にすぎ
ず、本発明の範囲内において、構成を変更することがで
きる。たとえばソースバスライン１３が並んでいる領域
にあって、対向電極１５が第１基板５の厚み方向Ｖに対
向する領域にあって、ソースバスライン１３の長手方向
Ｙに関して、表示領域３の外側の領域にある部分の膜厚
と、表示領域に配置される表示領域部分の膜厚とが異な
るようにしてもよい。また第１配向膜１１および第２配
向膜１６のうち少なくとも一方の配向膜は、非表示配線
領域部分と表示領域部分とが、別体に形成されていても
よい。第１配向膜１１の表示領域部分１１ａと非表示領
域部分１１ｂとが、同一体に形成されてもよい。

【００７４】また第１および第２基板５，６の製造工程
において、第１基板５および第２基板６に膜厚の異なる
配向膜を形成する方法として、フレキソ印刷法、二層形
成する方法およびフォトリソによるパターンニングを用
いてもよい。フレキソ印刷法では、配向膜パターンを印
刷版から転写して、第１配向膜１１の層が形成し、さら
に表示領域部分１１ａと非表示配線領域部分１１ｃとに
関して、版の開口率が、相互に異なるように設定するこ
とによって、膜厚の異なる第１および第２配向膜１１，
１２が形成される。フレキソ印刷法では、版材に弾性物
質を用いて、第１および第２配向膜１１，１２が形成さ
れる。二層形成する方法では、異なる版を用いることに
よって、第１および第２配向膜１１，１２が形成され
る。またフォトリソによるパターンニングでは、スピン
コート法で配向膜材料を塗布した後に、パターンニング
を用いて第１および第２配向膜１１，１２が形成され
る。

【００７５】図３は、本発明の実施の第２の形態におけ
る液晶パネル部１８の一部を示す断面図である。本発明
の実施の第２の形態として、少なくとも一方の基板に設
けられる配向膜は、表示領域３を除く残余の領域に配置
され、かつ一方の基板に設けられる配線に積層される非
表示領域部分のプレチルト角と、表示領域に配置される
表示領域部分のプレチルト角とが、相互に異なる構成に
してもよい。本実施の形態におけるその他の構成は、本
発明の実施の第１の形態における液晶表示装置１の構成
と同様である。同様の構成については、説明を省略し、
同様の参照符号を付す。プレチルト角は、液晶駆動用電
極１０と対向電極１５との間に、電圧が印加されていな
い状態において、液晶分子の長軸と基板とが成す角であ
る。

【００７６】本実施の形態では、第１配向膜２０は、表
示領域３に配置される表示領域部分２０ａと、表示領域
３を除く残余の領域に配置される非表示領域部分２０ｂ
とを有する。非表示領域部分２０ｂは、非表示配線領域
部分２０ｃと非表示無配線領域部分２０ｄとを含む。非
表示配線領域部分２０ｃは、ゲートバスライン１２が並
んでいる領域に配置され、対向電極１５が第１基板５の
厚み方向Ｖに対向する領域に配置され、ゲートバスライ
ン１２の長手方向Ｘに関して、表示領域３の外側の領域
に配置される。

【００７７】非表示無配線領域部分２０ｄは、非表示領
域４に配置され、非表示領域部分２０ｂおよび非表示配
線領域部分２０ｃを除く残余の領域に配置される。非表
示配線領域部分２０ｃのプレチルト角は、非表示無配線
領域部分１１ｄのプレチルト角よりも大きいθ２になっ
ている。非表示配線領域部分２０ｃにおけるプレチルト
角は、第１基板５および第２基板６のいずれかと、非表
示配線領域部分２０ｃが厚み方向Ｖに対向する領域内の
液晶分子の長軸とが成す角である。非表示無配線領域部
分２０ｄにおけるプレチルト角は、第１基板５および第
２基板６のいずれかと、非表示無配線領域部分２０ｄが
厚み方向Ｖに対向する領域内の液晶分子の長軸とが成す
角である。

【００７８】上述のように非表示領域部分２０ｂにおい
て、非表示配線領域部分２０ｃのプレチルト角が、非表
示無配線領域部分２０ｄのプレチルト角よりも大きくな
るように構成されることによって、非表示領域部分２０
ｂのプレチルト角を一様にθ２になるように構成した場
合に比べて、不純物イオンを非表示領域部分２０ｂに吸
着させやすくなっている。

【００７９】本実施の形態では、第１配向膜２０は、非
表示領域部分２０ｂに含まれる非表示配線領域部分２０
ｃのプレチルト角θ２と、表示領域部分２０ａのプレチ
ルト角θ１とが相互に異なるように構成されるととも
に、表示領域部分２０ａと非表示領域部分２０ｂとが同
一体に形成される。具体的には、紫外線が表示領域部分
２０ａに照射されることによって、表示領域部分２０ａ
のプレチルト角θ１が、非表示配線領域部分２０ｃのプ
レチルト角θ２よりも小さくなるように、表示領域部分
２０ａが改質される。表示領域部分２０ａにおけるプレ
チルト角は、第１基板５および第２基板６のいずれか
と、表示領域部分２０ａが厚み方向Ｖに対向する領域内
の液晶分子の長軸とが成す角である。

【００８０】非表示領域部分２０ｂに含まれる非表示配
線領域部分２０ｃのプレチルト角θ２を、表示領域部分
２０ａのプレチルト角θ１よりも大きくすることによっ
て、不純物イオンを非表示領域部分２０ｂに吸着させや
すくなっている。

【００８１】プレチルト角は、各配向膜１０，１６の膜
水平方向のミクロな分極および立体構造と、液晶分子の
ミクロな分極および立体構造との相互作用によって生じ
ていると推定されている。プレチルト角が大きい、つま
り上述の相互作用が小さい場合、界面による液晶分子層
の拘束力よりも、液晶分子配列の動きが、電界の影響を
受けやすくなることが考えられる。これによって液晶層
７内に溶け込んでいるイオン物質が、電界によって配列
した液晶分子に沿って、電界によってプレチルト角が大
きい配向膜の部分の界面に集まりやすいと推定される。
上述の理由によって、液晶層７に存在する不純物イオン
が吸着しやすくなる。

【００８２】さらに非表示領域部分２０ｂの非表示配線
領域部分２０ｃのプレチルト角θ２が、表示領域部分２
０ａのプレチルト角θ１よりも大きくなるように構成す
ることによって、液晶層７と非表示配線領域部分２０ｃ
との界面において、液晶層７の不純物イオンが効果的に
動きやすくなり、電界による効果が得られやすくなる。
これによって不純物イオンが、非表示配線領域部分２０
ｃにさらに吸着しやすくなっている。

【００８３】本実施の形態における液晶表示装置１と同
様の構成を有する装置を用いて、第１の形態における実
験をした場合、非表示領域部分２０ｂの非表示配線領域
部分２０ｃでは、表示領域部分２０ａと同一のプレチル
ト角θ１を有する場合に比べて、残留直流電圧が増加す
ることが実験で分かった。このように非表示領域部分２
０ｂの非表示配線領域部分２０ｃと表示領域部分２０ａ
とのプレチルト角が、相互に異なるように構成すること
によって、非表示配線領域部分２０ｃにおける残留直流
電圧が増加することからも、不純物イオンの吸着性が増
大し、不純物イオンを非表示配線領域部分２０ｃに吸着
させやすくなっていることが分かる。

【００８４】不純物イオンを非表示領域部分２０ｂの非
表示配線領域部分２０ｃに選択的に、かつ効果的に吸着
させることによって、液晶層７を高抵抗に保持すること
ができるとともに、不純物イオンが表示領域部分２０ａ
に吸着することを防止することができる。液晶層７を高
抵抗に保持し、かつ不純物イオンが表示領域部分２０ａ
に吸着することを防止することによって、表示領域３に
おける残像および焼付きの発生を抑制することができる
ので、表示パターンの表示不良を抑制することができる
とともに、液晶表示装置１を好適に動作させることがで
きる。

【００８５】本実施の形態において、吸着材を用いる必
要がないので、液晶層７における透過率分布の均一性、
第１配向膜２０および第２配向膜１６における配向特性
の安定性を保持することができ、不純物イオンを経時的
に安定して非表示配線領域部分２０ｃに吸着させること
ができるので、液晶表示装置１を好適に動作させること
ができる。

【００８６】イオン吸着用の電極を別途に設ける必要が
ないので、余分な配線が要らず、液晶表示装置１の高精
細化および狭額縁化を実現することができる。表示領域
３において、配線であるゲートバスライン１２およびソ
ースバスライン１３の一部を、絶縁膜１４で覆わずに、
不純物イオン吸着用の電極として別途に設ける必要がな
い。これによって表示領域３で凹凸が生じないように、
平坦な第１および第２配向膜２０，１６を形成すること
ができ、配向処理の精度を向上させ、表示パターンを精
細に表示させることができる。

【００８７】上述の実施の形態は、本発明の例示にすぎ
ず、本発明の範囲内において、構成を変更することがで
きる。たとえば第１配向膜２０および第２配向膜１６の
うち少なくともいずれかの配向膜に関して、非表示配線
領域部分と表示領域部分とが、別体に形成されてもよ
い。

【００８８】図４は、本発明の実施の第３の形態におけ
る液晶パネル部２３の一部を示す断面図である。本発明
の実施の第３の形態として、少なくとも一方の基板に設
けられる配向膜は、表示領域３を除く残余の領域に配置
され、かつ一方の基板に設けられる駆動回路に積層され
る非表示回路配置領域部分の膜厚と、表示領域に配置さ
れる表示領域部分の膜厚とが、相互に異なる構成になっ
ている。本実施の形態におけるその他の構成は、本発明
の実施の第１の形態における液晶表示装置１の構成と同
様である。同様の構成については、説明を省略し、同様
の参照符号を付す。

【００８９】駆動回路２４は、第１基板５に配置され、
かつ表示領域３を除く残余の領域に配置される。第１配
向膜２５は、表示領域３に配置される表示領域部分２５
ａと、表示領域３を除く残余の領域に配置される非表示
領域部分２５ｂとを有する。非表示領域部分２５ｂは、
非表示回路配置領域部分２５ｃと非表示無回路配置領域
部分２５ｄとを有する。非表示回路配置領域部分２５ｃ
は、駆動回路２４が第１基板５に設けられる領域に配置
され、対向電極１５が第１基板５の厚み方向Ｖに対向す
る領域に配置され、ゲートバスライン１２の長手方向Ｘ
に関して、表示領域３の外側の領域に配置される。非表
示無回路配置領域部分２５ｄは、非表示領域４に配置さ
れ、非表示領域部分２５ｂおよび非表示回路配置領域部
分２５ｃを除く残余の領域に配置される。非表示回路配
置領域部分２５ｃの膜厚は、非表示無回路配置領域部分
２５ｄの膜厚よりも大きいＴ２になっている。

【００９０】上述のように非表示領域部分２５ｂにおい
て、非表示回路配置領域部分２５ｃの膜厚が、非表示無
回路配置領域部分２５ｄの膜厚よりも構成されることに
よって、非表示領域部分２５ｂの膜厚を一様にＴ２にな
るように構成した場合に比べて、不純物イオンを非表示
領域部分２５ｂに吸着させやすくなっている。

【００９１】本実施の形態では、第１配向膜２５は、非
表示領域部分２５ｂの非表示回路配置領域部分２５ｃの
膜厚Ｔ２と、表示領域部分２５ａの膜厚Ｔ１とが相互に
異なるように構成されるとともに、表示領域部分２５ａ
と非表示領域部分２５ｂとが、同一体に形成される。非
表示回路配置領域部分２５ｃおよび表示領域部分２５ａ
の膜厚が相互に異なるように構成されることによって、
不純物イオンを非表示回路配置領域部分２５ｃに吸着さ
せやすくなっている。

【００９２】本実施の形態における液晶表示装置１と同
様の構成を有する装置を用いて、上述の第１の形態にお
ける実験をした場合、非表示領域部分２５ｂの非表示回
路配置領域部分２５ｃでは、表示領域部分２５ａと同一
の膜厚Ｔ１を有する場合に比べて、残留直流電圧が増加
することが分かった。このように非表示回路配置領域部
分２５ｃと表示領域部分２５ａとの膜厚が、相互に異な
るように構成することによって、非表示回路配置領域部
分２５ｃでの残留直流電圧が増加することからも、不純
物イオンの吸着性が増大し、不純物イオンを非表示回路
配置領域部分２５ｃに吸着させやすくなっていることが
分かる。

【００９３】液晶層７の不純物イオンを、非表示領域部
分２５ｂの非表示回路配置領域部分２５ｃに選択的に、
かつ効果的に吸着させることによって、液晶層７を高抵
抗に保持することができるとともに、不純物イオンが、
表示領域部分２５ａに吸着することを防止することがで
きる。したがって液晶層７を高抵抗に保持し、かつ不純
物イオンが表示領域部分２５ａに吸着することを防止す
ることによって、表示領域３における残像および焼付き
の発生を抑制することができるので、表示パターンの表
示不良を抑制することができるとともに、液晶表示装置
１を好適に動作させることができる。

【００９４】本実施の形態において、吸着材を用いる必
要がないので、液晶層７における透過率分布の均一性、
第１配向膜２５および第２配向膜１６における配向特性
の安定性を保持することができ、不純物イオンを経時的
に安定して非表示回路配置領域部分２５ｃに吸着させる
ことができるので、液晶表示装置１を好適に動作させる
ことができる。

【００９５】イオン吸着用の電極を別途に設ける必要が
ないので、余分な配線が要らず、液晶表示装置１の高精
細化および狭額縁化を実現することができる。表示領域
３において、配線であるゲートバスライン１２およびソ
ースバスライン１３の一部を、絶縁膜１４で覆わずに、
不純物イオン吸着用の電極として別途に設ける必要がな
いので、表示領域３で凹凸が生じないように、平坦な第
１および第２配向膜２５，１６を形成することができ、
配向処理の精度を向上させ、表示パターンを精細に表示
させることができる。

【００９６】上述の実施の形態は、本発明の例示にすぎ
ず、本発明の範囲内において、構成を変更することがで
きる。たとえば第１配向膜２５および第２配向膜１６の
うち少なくともいずれかの配向膜に関して、非表示回路
配置領域部分と表示領域部分とが、別体に形成されても
よい。

【００９７】図５は、本発明の実施の第４の形態におけ
る液晶パネル部２９の一部を示す断面図である。本発明
の実施の第４の形態として、少なくとも一方の基板に設
けられる配向膜は、表示領域３を除く残余の領域に配置
されかつ一方の基板に設けられる駆動回路に積層される
非表示回路配置領域部分のプレチルト角と、表示領域３
に配置される表示領域部分のプレチルト角とが、相互に
異なる構成であってもよい。本実施の形態におけるその
他の構成は、本発明の実施の第１の形態における液晶表
示装置１の構成と同様である。同様の構成については、
説明を省略し、同様の参照符号を付す。

【００９８】本実施の形態では、第１配向膜３０は、表
示領域３に配置される表示領域部分３０ａと、表示領域
３を除く残余の領域に配置される非表示領域部分３０ｂ
とを有する。非表示領域部分３０ｂは、非表示回路配置
領域部分３０ｃと非表示無回路配置領域部分３０ｄとを
有する。非表示回路配置領域部分３０ｃは、駆動回路２
４が第１基板５に設けられる領域に配置され、対向電極
１５が第１基板５の厚み方向Ｖに対向する領域に配置さ
れ、ゲートバスライン１２の長手方向Ｘに関して、表示
領域３の外側の領域に配置される。

【００９９】非表示無回路配置領域部分３０ｄは、非表
示領域４に配置され、非表示領域部分３０ｂおよび非表
示回路配置領域部分３０ｃを除く残余の領域に配置され
る。非表示回路配置領域部分３０ｃのプレチルト角は、
非表示無回路配置領域部分３０ｄのプレチルト角よりも
大きいθ２になっている。非表示回路配置領域部分３０
ｃにおけるプレチルト角は、第１基板５および第２基板
６のいずれかと、非表示回路配置領域部分３０ｃが厚み
方向Ｖに対向する領域内の液晶分子の長軸とが成す角で
ある。非表示無回路配置領域部分３０ｄにおけるプレチ
ルト角は、第１基板５および第２基板６のいずれかと、
非表示無回路配置領域部分３０ｄが厚み方向Ｖに対向す
る領域内の液晶分子の長軸とが成す角である。

【０１００】上述のように非表示領域部分３０ｂにおい
て、非表示回路配置領域部分３０ｃのプレチルト角が、
非表示無回路配置領域部分３０ｄのプレチルト角よりも
大きくなるように構成されることによって、非表示領域
部分３０ｂのプレチルト角を一様にθ２になるように構
成した場合に比べて、不純物イオンを非表示領域部分３
０ｂに吸着させやすくなっている。

【０１０１】本実施の形態では、第１配向膜３０は、非
表示回路配置領域部分３０ｃのプレチルト角θ２と、表
示領域部分３０ａのプレチルト角θ１とが、相互に異な
るように構成されるとともに、表示領域部分３０ａと非
表示領域部分３０ｂとが同一体に形成される。具体的に
は、紫外線が表示領域部分３０ａに照射されることによ
って、表示領域部分３０ａのプレチルト角θ１が、非表
示回路配置領域部分３０ｃのプレチルト角θ２よりも小
さくなるように、表示領域部分３０ａが改質される。表
示領域部分３０ａにおけるプレチルト角は、第１基板５
および第２基板６のいずれかと、表示領域部分３０ａが
厚み方向Ｖに対向する液晶分子の長軸とが成す角であ
る。

【０１０２】非表示回路配置領域部分３０ｃのプレチル
ト角θ２が、表示領域部分３０ａのプレチルト角θ１よ
りも大きくなるように構成することによって、液晶層７
と非表示回路配置領域部分３０ｃとの界面において、液
晶層７の不純物イオンが効果的に動きやすくなり、電界
による効果が得られやすくなる。これによって不純物イ
オンが、非表示回路配置領域部分３０ｃにさらに吸着し
やすくなっている。

【０１０３】本実施の形態における液晶表示装置１と同
様の構成を有する装置を用いて、上述のような実験をし
た場合、非表示領域部分３０ｂの非表示回路配置領域部
分３０ｃでは、表示領域部分３０ａと同一のプレチルト
角θ１を有する場合に比べて、残留直流電圧が増加する
ことが分かった。このように非表示回路配置領域部分３
０ｃと表示領域部分３０ａとのプレチルト角が、相互に
異なるように構成することによって、非表示回路配置領
域部分３０ｃにおける残留直流電圧が増加することから
も、不純物イオンの吸着性が増大し、不純物イオンを非
表示回路配置領域部分３０ｃに吸着させやすくなってい
ることが分かる。

【０１０４】液晶層７の不純物イオンを非表示領域部分
３０ｂの非表示回路配置領域部分３０ｃに選択的に、か
つ効果的に吸着させることによって、液晶層７を高抵抗
に保持することができるとともに、不純物イオンが、表
示領域部分３０ａに吸着することを防止することができ
る。液晶層７を高抵抗に保持し、かつ不純物イオンが表
示領域部分３０ａに吸着することを防止することによっ
て、表示領域３における残像および焼付きの発生を抑制
することができるので、表示パターンの表示不良を抑制
することができるとともに、液晶表示装置１を好適に動
作させることができる。

【０１０５】本実施の形態において、吸着材を用いる必
要がないので、液晶層７における透過率分布の均一性、
第１配向膜３０および第２配向膜１６における配向特性
の安定性を保持することができ、不純物イオンを経時的
に安定して非表示領域部分３０ｂの非表示回路配置領域
部分３０ｃに吸着させることができるので、液晶表示装
置１を好適に動作させることができる。

【０１０６】イオン吸着用の電極を別途に設ける必要が
ないので、余分な配線が要らず、液晶表示装置１の高精
細化および狭額縁化を実現することができる。表示領域
３において、配線であるゲートバスライン１２およびソ
ースバスライン１３の一部を、絶縁膜１４で覆わずに、
不純物イオン吸着用の電極として別途に設ける必要がな
い。これによって表示領域３で凹凸が生じないように、
平坦な第１および第２配向膜３０，１６を形成すること
ができ、配向処理の精度を向上させ、表示パターンを精
細に表示させることができる。

【０１０７】上述の実施の形態は、本発明の例示にすぎ
ず、本発明の範囲内において、構成を変更することがで
きる。たとえば第１配向膜３０および第２配向膜１６の
少なくともいずれかの配向膜に関して、非表示回路配置
領域部分と表示領域部分とが、別体に形成されてもよ
い。

【０１０８】

【発明の効果】本発明によれば、少なくとも一方の基板
に設けられる配向膜に関して、表示領域を除く残余の領
域に配置され、かつ一方の基板に設けられる配線に積層
される非表示配線領域部分の膜厚と、表示領域部分に配
置される膜厚とが、相互に異なる。長期間の高温環境下
で液晶表示装置を用いた場合であっても、液晶に存在す
る不純物イオンを、配向膜の非表示配線領域部分に効果
的に集めて、吸着させることによって、不純物イオンが
表示領域部分に吸着することを防止することができる。
さらに液晶の絶縁性が、不純物イオンによって低下する
ことがないので、液晶を高抵抗に保持することができ
る。不純物イオンが表示領域部分に吸着することを防止
し、液晶を高抵抗に保持することによって、表示領域部
分における焼付きおよび残像の発生を抑制して、液晶表
示装置を好適に動作させることができる。

【０１０９】また本発明によれば、少なくとも一方の基
板に設けられる配向膜に関して、表示領域を除く残余の
領域に配置され、かつ一方の基板に設けられる配線に積
層される非表示配線領域部分のプレチルト角と、表示領
域部分に配置されるプレチルト角とが、相互に異なる。
長期間の高温環境下で液晶表示装置を用いた場合であっ
ても、液晶の層に存在する不純物イオンを、配向膜の非
表示配線領域部分に効果的に集めて、吸着させることに
よって、不純物イオンが表示領域部分に吸着することを
防止することができる。さらに液晶の絶縁性が、不純物
イオンによって低下することがないので、液晶を高抵抗
に保持することができる。不純物イオンが表示領域部分
に吸着することを防止し、液晶を高抵抗に保持すること
によって、表示領域部分における焼付きおよび残像の発
生を抑制して、液晶表示装置を好適に動作させることが
できる。

【０１１０】また本発明によれば、少なくとも一方の基
板に設けられる配向膜は、非表示配線領域部分と表示領
域部分とが、別体に形成される。配向膜の非表示配線領
域部分と表示領域部分とを別体に形成することによっ
て、膜厚が相互に異なる２つの部分を有する配向膜を容
易に形成することができる。非表示配線領域部分と表示
領域部分とを別体に形成し、膜厚が相互に異なる２つの
部分を有する配向膜を形成することによって、配向膜の
形成を容易にしたうえで、不純物イオンを非表示配線領
域部分に選択的に、かつ効果的に吸着させることができ
るとともに、液晶を高抵抗に保持することができる。不
純物イオンが表示領域部分に吸着することを防止し、液
晶を高抵抗に保持することによって、表示領域部分にお
ける焼付きおよび残像の発生を抑制して、液晶表示装置
を好適に動作させることができる。

【０１１１】また本発明によれば、少なくとも一方の基
板に設けられる配向膜に関して、表示領域を除く残余の
領域に配置され、かつ一方の基板に設けられる駆動回路
に積層される非表示回路配置領域部分の膜厚と、表示領
域部分に配置される膜厚とが、相互に異なる。長期間の
高温環境下で液晶表示装置を用いた場合であっても、液
晶の層に存在する不純物イオンを、配向膜の非表示回路
配置領域部分に効果的に集めて、吸着させることによっ
て、不純物イオンが表示領域部分に吸着することを防止
することができる。さらに液晶の絶縁性が、不純物イオ
ンによって低下することがないので、液晶を高抵抗に保
持することができる。不純物イオンが表示領域部分に吸
着することを防止し、液晶を高抵抗に保持することによ
って、表示領域部分における焼付きおよび残像の発生を
抑制して、液晶表示装置を好適に動作させることができ
る。

【０１１２】また本発明によれば、少なくとも一方の基
板に設けられる配向膜に関して、表示領域を除く残余の
領域に配置され、かつ一方の基板に設けられる駆動回路
に積層される非表示回路配置領域部分のプレチルト角
と、表示領域部分に配置されるプレチルト角とが、相互
に異なる。長期間の高温環境下で液晶表示装置を用いた
場合であっても、液晶の層に存在する不純物イオンを配
向膜の非表示回路配置領域部分に効果的に集めて、吸着
させることによって、不純物イオンが表示領域部分に吸
着することを防止することができる。さらに液晶の絶縁
性を、不純物イオンによって低下させることがないの
で、液晶を高抵抗に保持することができる。不純物イオ
ンが表示領域部分に吸着することを防止し、液晶を高抵
抗に保持することによって、表示領域部分における焼付
きおよび残像の発生を抑制して、液晶表示装置を好適に
動作させることができる。

【０１１３】また本発明によれば、少なくとも一方の基
板に設けられる配向膜は、非表示回路配置領域部分と表
示領域部分とが、別体に形成される。配向膜の非表示回
路配置領域部分と表示領域部分とを別体に形成すること
によって、膜厚が相互に異なる２つの部分を有する配向
膜を容易に形成することができる。非表示回路配置領域
部分と表示領域部分とを別体に形成し、膜厚が相互に異
なる２つの部分を有する配向膜を形成することによっ
て、配向膜の形成を容易にしたうえで、不純物イオンを
非表示回路配置領域部分に選択的に、かつ効果的に吸着
させることができるとともに、液晶を高抵抗に保持する
ことができる。不純物イオンが表示領域部分に吸着する
ことを防止し、液晶を高抵抗に保持することによって、
表示領域部分における焼付きおよび残像の発生を抑制し
て、液晶表示装置を好適に動作させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の第１の形態である液晶表示装置
１に含まれる液晶パネル部２の一部を示す断面図であ
る。

【図２】液晶パネル部２を示す正面図である。

【図３】本発明の実施の第２の形態における液晶パネル
部１８の一部を示す断面図である。

【図４】本発明の実施の第３の形態における液晶パネル
部２３の一部を示す断面図である。

【図５】本発明の実施の第４の形態における液晶パネル
部２９の一部を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 液晶表示装置 ２，１８，２３，２９ 液晶パネル部 ３ 表示領域 ４ 非表示領域 ５ 第１基板 ６ 第２基板 ７ 液晶層 ８ シール樹脂 ９ 注入口封止材 １０ 液晶駆動用電極 １１，２０，２５，３０ 第１配向膜 １１ａ，２０ａ，２５ａ，３０ａ 表示領域部分 １１ｂ，２０ｂ，２５ｂ，３０ｂ 非表示領域部分 １１ｃ，２０ｃ 非表示配線領域部分 １１ｄ，２０ｄ 非表示無配線領域部分 １２ ゲートバスライン １３ ソースバスライン １４ 絶縁膜 １５ 対向電極 １６ 第２配向膜 １７ 注入口 ２４ 駆動回路 ２５ｃ，３０ｃ 非表示回路配置領域部分 ２５ｄ，３０ｄ 非表示無回路配置領域部分

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極および電極に連なる配線ならびに配
   向膜が設けられる２つの基板間に液晶が封入される液晶
   表示装置であって、 少なくとも一方の基板に設けられる配向膜は、表示領域
   を除く残余の領域に配置されかつ一方の基板に設けられ
   る配線に積層される非表示配線領域部分の膜厚と、表示
   領域に配置される表示領域部分の膜厚とが、相互に異な
   ることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 電極および電極に連なる配線ならびに配
   向膜が設けられる２つの基板間に液晶が封入される液晶
   表示装置であって、 少なくとも一方の基板に設けられる配向膜は、表示領域
   を除く残余の領域に配置されかつ一方の基板に設けられ
   る配線に積層される非表示配線領域部分のプレチルト角
   と、表示領域に配置される表示領域部分のプレチルト角
   とが、相互に異なることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記少なくとも一方の基板に設けられる
   配向膜は、非表示配線領域部分と表示領域部分とが、別
   体に形成されることを特徴とする請求項１または２記載
   の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 電極および電極に連なる配線ならびに配
   向膜が設けられる２つの基板間に液晶が封入される液晶
   表示装置であって、 少なくとも一方の基板に設けられる配向膜は、表示領域
   を除く残余の領域に配置されかつ一方の基板に設けられ
   る駆動回路に積層される非表示回路配置領域部分の膜厚
   と、表示領域に配置される表示領域部分の膜厚とが、相
   互に異なることを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】 電極および電極に連なる配線ならびに配
   向膜が設けられる２つの基板間に液晶が封入される液晶
   表示装置であって、 少なくとも一方の基板に設けられる配向膜は、表示領域
   を除く残余の領域に配置されかつ一方の基板に設けられ
   る駆動回路に積層される非表示回路配置領域部分のプレ
   チルト角と、表示領域に配置される表示領域部分のプレ
   チルト角とが、相互に異なることを特徴とする液晶表示
   装置。
6. 【請求項６】 前記少なくとも一方の基板に設けられる
   配向膜は、非表示回路配置領域部分と表示領域部分と
   が、別体に形成されることを特徴とする請求項４または
   ５記載の液晶表示装置。