JP5842456B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。

液晶装置において、液晶材料や配向膜に光を入射させると、光化学反応によって様々な
イオン性不純物が発生し、表示ムラなどの液晶装置の表示品質の低下を引き起こすことが
知られている。プロジェクターのライトバルブに用いられる液晶装置においては、入射光
の光束密度が直視型液晶装置と比べて非常に高くなるため、液晶や配向膜に高耐光性が要
求される。高耐光性を実現するには、光照射の結果として発生し、表示不良等の原因とな
るイオン性不純物が表示領域に集積するのを抑制する必要がある。

また、液晶装置への液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲むシール材や封止材から
溶出したイオン性不純物が、液晶の駆動動作や温度差によって表示領域に拡散し、そこで
凝集することにより表示特性の劣化を招くことも知られている。特に、シリコン酸化物等
からなる無機配向膜を用いた場合、表示領域の外縁部分において不純物が吸着されやすく
なり、不純物の局在化によるシミやムラが発生することがある。

そこで、液晶層中のイオン性不純物をトラップする機構を設けた液晶装置が知られてい
る（特許文献１〜６）。特許文献１〜４に記載の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基
板の内面側に一対の電極を形成し、かかる一対の電極の間に発生させた液晶層厚方向の電
界（縦電界）によって液晶層中のイオン性不純物をトラップするものである。特許文献５
、６に記載の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板上に一対の電
極を並べて形成し、かかる一対の電極間に発生させた基板面方向の電界（横電界）によっ
て、液晶層中のイオン性不純物をトラップするものである。

特開平５−３２３３３６号公報 特開２０００−２２１５２１号公報 特開平８−２０１８３０号公報 特開平１０−１２３５２６号公報 特開２００８−５８４９７号公報 特開２００８−８９９３８号公報

しかし、特許文献１〜６記載の液晶装置においても、時間の経過に伴って電極が形成さ
れた領域にイオン性不純物が蓄積し、イオン性不純物のトラップ効率が徐々に低下してし
まうという問題があった。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、イオン性不純物のトラ
ップ効率が低下するのを抑制でき、長期的に優れた信頼性を得ることができる電気光学装
置を提供することを目的の一つとする。

本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第１基板及び第２
基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列さ
れた画素領域と、前記画素領域と前記シール材との間の外縁領域に電極を備えて設けられ
たイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、前記イオントラップ部の少なく
とも一部と平面視で重なる領域に、前記電気光学物質層の厚さが前記画素領域における前
記厚さよりも大きく形成された厚層部が設けられていることを特徴とする。

この構成によれば、イオントラップ部において電気光学物質層の厚さを大きくした厚層
部が設けられていることで、イオントラップ部にトラップされたイオン性不純物を、電気
光学物質層の厚さ方向にも拡散させることができる。これにより、イオン性不純物が比較
的多く蓄積された場合でも、基板面方向におけるイオン性不純物の拡散が抑制される。そ
の結果、イオントラップ部から画素領域にイオン性不純物が移動して表示不具合の原因と
なるのを抑制することができる。

前記厚層部は、前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一方に形成された他
の部位よりも板厚の薄い薄板部に設けられている構成としてもよい。
この構成によれば、基板の加工により容易に厚層部を備えた電気光学装置を実現できる
。

前記薄板部は、前記外縁領域内に選択的に形成されている構成としてもよい。
この構成によれば、シール材の形成領域に薄板部が形成されないので、画素領域におけ
る電気光学物質層の厚さの均一性を確保するための加工が不要になり、製造性に優れた電
気光学装置とすることができる。

前記薄板部は、当該薄板部が形成された前記第１基板又は前記第２基板において、前記
外縁領域内から基板端縁にわたって形成されている構成としてもよい。
この構成によれば、厚層部の平面領域を大きく確保することができるため、イオン性不
純物が画素領域へ移動しないようにするために拡散させる範囲を広く確保でき、画素領域
における表示不具合の発生をより確実に抑制することができる。

前記厚層部は、前記イオントラップ部を内包する平面領域に形成されている構成として
もよい。
この構成によれば、イオントラップ部にトラップされているイオン性不純物を電気光学
物質層の厚さ方向に拡散させやすくなり、画素領域には拡散しにくくすることができる。

前記厚層部は、前記イオントラップ部が形成された平面領域の一部にのみ形成されてい
る構成としてもよい。
この構成においても、厚層部が設けられた領域ではイオン性不純物を電気光学物質層の
厚さ方向に拡散させることができるため、少なくとも厚層部が設けられた部位の近傍にお
いて表示不具合の発生を抑えることができる。

前記厚層部は、前記画素領域の角部に対応する位置に形成されている構成としてもよい
。
この構成によれば、特に画素領域の角部における表示不具合の発生を効果的に抑制でき
る。

前記厚層部は、前記シール材に設けられた電気光学物質注入口に対応する位置に形成さ
れている構成としてもよい。
この構成によれば、特に電気光学物質注入口の近傍における表示不具合の発生を効果的
に抑制できる。

前記厚層部の少なくとも一部が、前記画素領域から前記シール材への方向において複数
の領域に区画されている構成としてもよい。
この構成によれば、厚層部間でのイオン性不純物の移動を抑制することができる。

前記イオントラップ部が、画像表示に用いられないダミー画素を含む構成としてもよい
。

本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、イオン性不純物に起因するシミやムラなどの不具合を生じにくい、
信頼性に優れた電子機器を提供することができる。

電気光学装置の第１実施形態である液晶装置の平面図。 図１に示すＩ−Ｉ線に沿う位置における液晶装置の部分断面図。 第１実施形態の変形例を示す説明図。 第２実施形態の液晶装置の平面図。 図４に示すII−II線に沿う位置における液晶装置の断面図。 第２実施形態の変形例を示す図。 第３実施形態の液晶装置の平面図。 第４実施形態の液晶装置の平面図。 図８のIII−III線に沿う位置における液晶装置の断面図。 第５実施形態の液晶装置の平面図。 図１０のIV−IV線に沿う位置における液晶装置の断面図。 第５実施形態の変形例に係る液晶装置の部分断面図。 第６実施形態の液晶装置の平面図。 図１３のV−V線に沿う位置における液晶装置の断面図。 第６実施形態の変形例に係る液晶装置の部分断面図。 第１実施形態に係る液晶装置のシミュレーション結果を示す図。 第２実施形態に準ずる構成の液晶装置のシミュレーション結果を示す図。 厚層部を形成していない液晶装置のシミュレーション結果を示す図。 電子機器の一実施の形態であるプロジェクターを示す図。

以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的
思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりや
すくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。

（第１実施形態）
図１は、電気光学装置の第１実施形態である液晶装置の平面図である。図２は、図１に
示すＩ−Ｉ線に沿う位置における液晶装置の部分断面図である。
液晶装置（電気光学装置）１００は、ＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と、ＴＦＴア
レイ基板１０と対向配置された対向基板（第２基板）２０と、ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間に挟持された液晶層（電気光学物質層）５０と、液晶層５０の周囲を囲
んで形成されるとともに一部に液晶注入口５１ａを有する矩形枠状のシール材５１と、シ
ール材５１の液晶注入口５１ａを封止する封止剤５２と、を備えている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、シール材５１とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が対向
配置されており、シール材５１によりＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが貼り合わ
されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、対向基板２０よりも大きく、対向基板２０の一端
部よりも外側に張り出した張出部１０ａを備えている。張出部１０ａには、駆動ＩＣチッ
プ１０１が実装されており、また複数の外部回路接続端子１０２が形成された端子部が設
けられている。

シール材５１は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との対向領域の周縁部に沿って
設けられている。液晶注入口５１ａは、シール材５１の４つの辺のうち張出部１０ａに面
する辺に設けられている。封止剤５２は、対向基板２０の端面に沿って、張出部１０ａの
液晶注入口５１ａ近傍の位置に塗布されている。シール材５１と封止剤５２とが液晶層５
０の周囲を囲み、液晶層５０をＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に封止してい
る。

シール材５１に囲まれた領域の中央部には、複数の画素ＰＸがマトリクス状に配置され
てなる矩形の画素領域１Ａが設けられている。画素領域１Ａとシール材５１との間の矩形
枠状の領域は、画素が形成されていない周辺領域（外縁領域）１Ｂである。シール材５１
の外側における対向基板２０の角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを電気
的に接続するための銀点等を有する基板間導通部１０６が設けられている。

画素領域１Ａとシール材５１との間に、液晶層５０の内部に電界を発生させて液晶層５
０中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ部６０が設けられている。イオント
ラップ部６０は、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａ上に形成さ
れたトラップ電極６１を備えている。イオントラップ部６０では、トラップ電極６１と共
通電極２１（図２参照）との間に発生する液晶層厚方向の電界によって液晶層５０中のイ
オン性不純物をトラップする。

イオントラップ部６０は、画素領域１Ａを取り囲んで配置されている。図１では、画素
領域１Ａから周辺領域１Ｂに向かって拡散するイオン性不純物と、シール材５１から溶出
し、画素領域１Ａに向けて侵入するイオン性不純物を漏れなくトラップするために、イオ
ントラップ部６０は、全体として、画素領域１Ａの外周に沿って閉じた枠状に形成されて
いる。
トラップ電極６１は、画素領域１Ａを取り囲む矩形枠状の電極である。トラップ電極６
１は、シール材５１を跨いで延びる引き出し線６３、６４を介して駆動ＩＣチップ１０１
に接続されている。

本実施形態の液晶装置１００では、イオントラップ部６０は、対向基板２０を部分的に
薄型化した薄板部２０ａの平面領域内に設けられている。薄板部２０ａは、対向基板２０
の周縁に沿って設けられている。薄板部２０ａと対向基板２０の厚い部分との境界を形成
する段差部２０ｄは、画素領域１Ａの外周縁とイオントラップ部６０との間に位置してい
る。

ＴＦＴアレイ基板１０は、図２に示すように、ガラスや石英などの透明基板あるいはシ
リコンなどの不透明基板からなる基板本体１０Ａ上に、画素電極１３を駆動する図示略の
駆動素子や電極を形成した素子基板である。

基板本体１０Ａ上には、上記の駆動素子と接続された配線１１等が形成されており、駆
動素子や配線１１等を覆う絶縁膜１２が形成されている。絶縁膜１２上には、トラップ電
極６１と、複数の画素電極１３とが形成されている。トラップ電極６１と複数の画素電極
１３とを覆って配向膜１４が形成されている。画素電極１３は、液晶装置１００を透過型
の液晶装置として構成する場合には、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電
材料を用いて形成され、反射型液晶装置として構成する場合には、例えばアルミニウム等
の光反射性の金属を用いて形成される。配向膜１４は、ポリイミド等の有機配向膜、ある
いはシリコン酸化膜等の無機配向膜からなる。配向膜１４は、シール材５１の内側（液晶
層５０側）の領域にのみ形成されていてもよい。

対向基板２０は、ガラスや石英などの透明基材上に遮光膜ＢＭを形成してなる基板本体
２０Ａを備えている。本実施形態の遮光膜ＢＭは、画素ＰＸを平面的に区画するブラック
マトリクスとしての遮光膜と、画素領域１Ａの周囲を縁取る周辺見切りとしての遮光膜を
含むものである。

基板本体２０Ａの液晶層５０側の面には、基板本体２０Ａのほぼ全面を覆う共通電極２
１と、共通電極２１を覆う配向膜２２とが形成されている。共通電極２１は、例えばＩＴ
Ｏ等の透明導電膜からなる。本実施形態の場合、イオントラップ部６０のトラップ電極６
１と対向する対向基板２０上の領域にも共通電極２１が形成されている。配向膜２２は、
ポリイミド等の有機配向膜、あるいはシリコン酸化膜等の無機配向膜からなる。共通電極
２１及び配向膜２２は、シール材５１の内側（液晶層５０側）の領域にのみ形成されてい
てもよい。

本実施形態に係る基板本体２０Ａは、その周縁部に、薄型化加工を施された薄板部２０
ａを有している。そのため、画素電極１３が形成された画素領域１Ａの外周に沿って、段
差部２０ｄが形成されている。本実施形態の場合、段差部２０ｄは基板本体２０Ａの板厚
方向に対して４５°程度の角度を成す斜面である。そのため、遮光膜ＢＭ、共通電極２１
、及び配向膜２２は、段差部２０ｄの斜面に沿って形成されており、これらの構成部材は
段差部２０ｄ上を経由して連続している。

液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とシール材５１とに囲まれた領域
に封入されている。本実施形態の液晶装置１００では、対向基板２０に薄板部２０ａが形
成されていることにより、液晶層５０の厚さが部位により異なっている。具体的には、画
素領域１Ａにおける液晶層厚Ｇｃに対して、薄板部２０ａにおける液晶層厚が大きく形成
されている。この液晶層厚が大きく形成された領域が、本実施形態における厚層部７０で
ある。例えば、画素領域１Ａの液晶層厚Ｇｃが２〜３μｍ程度であるのに対して、厚層部
７０内のトラップ電極６１上における液晶層厚Ｇは１００μｍ程度であり、３０〜５０倍
程度の液晶層厚とされる。

液晶層５０は、画素電極１３と共通電極２１との間に発生する液晶層厚方向の電界（縦
電界）によって駆動される縦電界方式の液晶層である。縦電界方式としては、ＶＡ（Vert
ical Alignment）方式が代表的であるが、ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringenc
e）方式やＴＮ（Twisted Nematic）方式などの他の方式でもよい。

なお、本実施形態では、共通電極２１が対向基板２０側に設けられた縦電界方式で液晶
層５０を駆動しているが、共通電極２１として機能する電極をＴＦＴアレイ基板１０側に
設け、この電極と画素電極１３との間に発生する基板面方向の電界（横電界；液晶層の厚
さ方向と概ね直交する方向の電界）によって液晶層５０を駆動してもよい。このような駆
動方式は、横電界方式と呼ばれる。横電界方式としては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）
方式やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式が代表的であるが、ＦＦＳ方式は焼きつき
が発生し易いため、ＩＰＳ方式などのＦＦＳ方式以外の駆動方式が好ましい。

液晶装置１００では、画像表示前、画像表示中、または画像表示後に、トラップ電極６
１に電圧を印加し、トラップ電極６１と共通電極２１との間に発生させた電界を液晶層５
０に作用させることにより液晶層５０中のイオン性不純物をトラップする。これにより、
画素領域１Ａで発生したイオン性不純物や、シール材５１や封止剤５２から溶出したイオ
ン性不純物を周辺領域１Ｂに固定することができる。その結果、イオン性不純物が画素領
域１Ａ内の配向膜１４等に吸着することによって生じる焼きつきなどの表示不良が少ない
液晶装置とすることができる。

トラップ電極６１及び共通電極２１に印加する電圧は、トラップするイオン性不純物の
極性に応じて設定すればよい。例えば、トラップ電極６１に−５Ｖ、共通電極２１に０Ｖ
を印加した場合、イオントラップ部６０には全体として負の直流電圧が印加されるため、
液晶層５０中の正電荷を有するイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。一
方、トラップ電極６１に＋５Ｖ、共通電極２１に０Ｖを印加すれば、イオントラップ部６
０に正の直流電圧が印加されるため、負電荷を有するイオン性不純物を効果的にトラップ
することができる。

本実施形態の液晶装置１００では、対向基板２０の薄板部２０ａによって形成された厚
層部７０を有していることで、イオントラップ部６０における経時的なトラップ効率の低
下を抑制することができる。
例えば、トラップ電極６１に−５Ｖ、共通電極２１に０Ｖを印加してイオントラップ部
６０を動作させてイオン性不純物をトラップすると、作動時間の経過に伴ってトラップ電
極６１上に正電荷のイオン性不純物が蓄積していく。

液晶層５０中で局所的にイオン性不純物の濃度が高くなると、周囲との濃度差が熱的拡
散の駆動力となるため、イオントラップ部６０にイオン性不純物が蓄積されると、トラッ
プしたイオン性不純物が画素領域１Ａ側へ再拡散しやすくなる。そして、画素領域１Ａに
拡散したイオン性不純物が配向膜１４等に吸着すると、焼き付きなどの表示不良が生じや
すくなる。

そこで本実施形態の液晶装置１００では、イオントラップ部６０の形成領域に対応して
液晶層厚の大きい厚層部７０を設けた。これにより、イオントラップ部６０における液晶
の量を画素領域１Ａに対して大きく増加させることができる。かかるイオントラップ部６
０では、トラップ電極６１に吸着されたイオン性不純物が液晶層５０の厚さ方向にも拡散
するので、イオン性不純物の濃度上昇が抑制される。その結果、濃度勾配によるイオン性
不純物の基板面方向への拡散速度を遅くすることができ、画素領域１Ａへのイオン性不純
物の再拡散を抑制することができる。以上により、長期間にわたって表示不良の発生を抑
えることができ、優れた信頼性を得ることができる。

本実施形態の液晶装置１００において、薄板部２０ａの内周端の段差部２０ｄは、画素
領域１Ａの最外周に位置する画素電極１３と、トラップ電極６１との間に形成されている
。本実施形態において、段差部２０ｄの段差高さが１００μｍ、段差部２０ｄの斜面角度
が４５°であるとすると、段差部２０ｄの幅Ｗは１００μｍとなる。この場合には、画素
領域１Ａの外周端からトラップ電極６１までの幅Ｗｏを１５０μｍ以上とすることが好ま
しく、２００μｍ以上とすることがより好ましい。

幅Ｗｏが１５０μｍ以上確保されていれば、組みズレが生じた場合でも画素電極１３又
はトラップ電極６１上に段差部２０ｄが配置されにくくなり、幅Ｗｏを２００μｍ以上と
すれば、より確実に段差部２０ｄを画素電極１３とトラップ電極６１との間に配置するこ
とができる。これにより、画素領域１Ａにおける表示不良の発生を防止できる。また、ト
ラップ電極６１上における液晶層厚Ｇを最大厚さとすることができ、イオン性不純物の液
晶層厚方向の拡散領域を大きく確保することができる。

なお、イオントラップ部６０における液晶層厚が、画素領域１Ａにおける液晶層厚Ｇｃ
よりも大きければ、液晶層厚方向へのイオン性不純物の拡散を促進する作用が得られるた
め、トラップ電極６１と段差部２０ｄとが平面視で部分的又は全体的に重なっていてもよ
い。

本実施形態において、厚層部７０には、遮光膜ＢＭが形成されていることが好ましい。
厚層部７０では、液晶層厚が画素領域１Ａと異なっており、またイオントラップ部６０の
電界の作用により液晶が駆動される。さらに、段差部２０ｄにおける液晶の配向乱れも生
じる。したがって、これらに起因する漏れ光によるコントラスト低下を防止するために、
少なくとも厚層部７０を覆う領域に遮光膜ＢＭを形成するとよい。

なお、本実施形態では、イオントラップ部６０として、トラップ電極６１と共通電極２
１との間に形成される電界によってイオン性不純物をトラップする縦電界方式のものにつ
いて説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、イオントラップ部６０に横
電界方式を採用してもよい。横電界方式の場合には、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板
２０のいずれか一方の液晶層５０側の面に、一対の電極を形成し、これら一対の電極間に
電圧を印加することで基板面方向の電界を形成し、かかる電界によりイオン性不純物をト
ラップする。

また本実施形態では、イオントラップ部６０の電界を規定するための電圧が印加される
トラップ電極６１をＴＦＴアレイ基板１０に形成している。これにより、トラップ電極６
１に接続されるスイッチング素子等を画素ＰＸの形成工程で同時に形成することができる
ため、イオントラップ部６０を形成するためのコストを抑えることができる。
なお、トラップ電極６１を対向基板２０に形成することも可能であるが、この場合には
ＴＦＴアレイ基板１０上のスイッチング素子とトラップ電極６１を接続するために、共通
電極２１用の基板間導通部１０６とは別の基板間導通部を設ける必要があるため、プロセ
ス上のコストが増加してしまう。

また本実施形態では、厚層部７０を対向基板２０に薄板部２０ａを設けることによって
形成しているが、ＴＦＴアレイ基板１０に上記薄板部を形成してもよい。ただし、ＴＦＴ
アレイ基板１０上にはトラップ電極６１をパターン形成する必要があり、しかも複数の電
気配線が形成される。そのため、ＴＦＴアレイ基板１０に大きな段差があると、電極のパ
ターニングが困難になったり、段差を跨ぐ電気配線が断線しやすくなるおそれがある。
一方、本実施形態のように対向基板２０に薄板部２０ａを形成する場合には、共通電極
２１や配向膜２２のパターニングはほぼ不要であり、細い配線もないため、上記した不具
合が生じにくく、歩留まりの低下を回避しやすい。

また本実施形態では、段差部２０ｄよりも外側の厚層部７０における液晶層厚が一定で
ある場合について説明したが、厚層部７０が液晶層厚の異なる複数の部位を有する構成と
してもよい。
図３は、第１実施形態の変形例を示す説明図である。図３に示す液晶装置１００の厚層
部７０では、イオントラップ部６０のトラップ電極６１上の液晶層厚Ｇと、イオントラッ
プ部６０よりも外側の外側領域６５における液晶層厚Ｇｆとが異なっている。図示の例で
は、イオントラップ部６０における液晶層厚Ｇが外側領域６５における液晶層厚Ｇｆより
も大きい。

液晶層厚Ｇ、Ｇｆの差異は基板本体２０Ａの薄型加工により実現されている。すなわち
、薄板部２０ａにおいて、イオントラップ部６０に対応する部位では、基板本体２０Ａが
より薄く加工され、外側領域６５に対応する部位は、イオントラップ部６０に対応する部
位よりも厚い状態に薄型化加工されている。例えば、基板本体２０Ａの元の厚さ（画素領
域１Ａにおける板厚）が１．１ｍｍである場合に、イオントラップ部６０に対応する部位
は１ｍｍ厚さに薄型化加工される一方、外側領域６５に対応する部位では１．０５ｍｍ厚
さに薄型化加工される。

以上に説明した変形例の構成によれば、図２に示した液晶装置１００と比較して対向基
板２０の外周部の板厚が大きくなるので、対向基板２０の強度を確保しやすくなる。その
一方で、外側領域６５における液晶層厚は小さくなるので、イオン性不純物の濃度上昇を
抑える効果は小さくなる。しかし、外側領域６５における液晶層厚Ｇｆ（５２〜５３μｍ
）は、画素領域１Ａにおける液晶層厚Ｇｃ（２〜３μｍ）の２０倍以上であるため、イオ
ントラップ部６０に蓄積したイオン性不純物は画素領域１Ａよりも外側領域６５の方へ拡
散しやすい。よって変形例の構成においても、画素領域１Ａにイオン性不純物が吸着する
ことによる表示不具合を効果的に抑制することが可能である。

（第２実施形態）
次に、図４及び図５を参照して第２実施形態の液晶装置について説明する。
図４は、第２実施形態の液晶装置の平面図である。図５は、図４に示すII−II線に沿う
位置における液晶装置の断面図である。
なお、以下の各実施形態において、それより前の実施形態と共通する構成要素について
は同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

本実施形態の液晶装置（電気光学装置）２００は、その基本構成において第１実施形態
の液晶装置１００と共通しており、対向基板２０における薄板部の形成領域が異なる構成
である。
すなわち、液晶装置２００では、図４及び図５に示すに示すように、画素領域１Ａを取
り囲んで形成されたイオントラップ部６０に沿って、平面視矩形枠状の薄板部２０ｂが形
成されている。より詳しくは、基板本体２０Ａの液晶層５０側の面に溝状の凹部が形成さ
れることにより、基板本体２０Ａが部分的に薄型化されており、かかる凹部の内面を含む
基板本体２０Ａの液晶層５０側の面に共通電極２１及び配向膜２２が形成されている。

上記構成の対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とがシール材５１を介して貼り合わさ
れ、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との間に液晶が封入されることにより液晶装置
２００が構成されている。対向基板２０の薄板部２０ｂはＴＦＴアレイ基板１０上のトラ
ップ電極６１と対向して配置されている。これにより、トラップ電極６１上に、画素領域
１Ａにおける液晶層厚Ｇｃよりも大きい液晶層厚Ｇを有する厚層部７１が形成されている
。厚層部７１における液晶層厚Ｇは例えば１００μｍ程度であり、画素領域１Ａにおける
液晶層厚Ｇｃ（２〜３μｍ）の２０〜３０倍程度とされる。

以上の構成を備えた本実施形態の液晶装置２００によれば、イオントラップ部６０に対
応する平面領域に厚層部７１が形成されているので、イオントラップ部６０に蓄積したイ
オン性不純物の拡散領域を液晶層厚方向にも確保することができる。したがって、蓄積し
たイオン性不純物が基板面方向に拡散するのを抑制することができ、その結果、画素領域
１Ａにイオン性不純物が再拡散して吸着することによる表示不具合の発生を効果的に抑制
することができる。

本実施形態の液晶装置２００では、基板本体２０Ａの表面に溝加工を施すことにより薄
板部２０ｂを形成することができ、シール材５１を介して貼り合わされる基板周縁部に対
して加工を施す必要がない。そのため、第１実施形態の液晶装置１００と比較して製造性
に優れ、安価に製造することが可能である。これは以下の理由による。

まず、第１実施形態の液晶装置１００では、基板本体２０Ａの外周部を全体的に薄型化
し、シール材５１が形成される領域も加工する。そのため、セルギャップ（画素領域１Ａ
における液晶層厚Ｇｃ）の均一性を確保するには、薄型化加工の工程でシール材５１が形
成される領域において十分な平坦性を得る必要がある。また加工によって薄板部２０ａの
板厚が変化すると、セルギャップを一定に保つためにシール材５１の高さを変えなければ
ならなくなる。

これに対して、第２実施形態の液晶装置２００では、シール材５１が形成される領域に
は薄型化加工を施さないため、基板本体２０Ａの製造時の研磨工程で得られた平坦性が損
なわれることがない。また、薄型化加工により形成される溝の内面においても平坦性はほ
とんど要求されないため、簡便な加工方法を用いることができる。よって、第２実施形態
の液晶装置２００の構成を採用することで、液晶装置の製造性を大きく向上させることが
できる。

本実施形態の液晶装置２００において、厚層部７１の幅（延在方向と直交する方向にお
ける長さ）は、イオントラップ部６０（トラップ電極６１）の幅よりも大きくすることが
好ましい。これにより、トラップ電極６１上の領域全体で、画素領域１Ａよりも液晶層厚
を大きくすることができるので、イオン性不純物の濃度上昇を抑え、画素領域１Ａへの再
拡散を抑制することができる。

ただし、厚層部７１の幅は上記に限定されるものではなく、イオントラップ部６０の少
なくとも一部と重なる平面領域に厚層部７１が配置されていればよい。したがって、厚層
部７１の幅をイオントラップ部６０よりも狭くしても、広くしてもよい。厚層部７１の幅
を大きくするほどイオン性不純物の再拡散を防止する効果は大きくなるが、基板サイズが
一定であれば、薄板部２０ｂと、画素領域１Ａ、シール材５１との距離が狭くなり、組み
ズレに対するマージンが小さくなる。

なお、本実施形態の液晶装置２００では、薄板部２０ｂに形成された凹部が断面台形状
であるとしたが、かかる凹部の形状は特に限定されず、種々の形状を採用することができ
る。
図６は、第２実施形態の変形例を示す図である。薄板部２０ｂにおける凹部の断面形状
は、図６（ａ）に示すような断面三角形状であってもよく、図６（ｂ）に示すような断面
半円形状（半楕円形状）であってもよい。

（第３実施形態）
次に、図７を参照して第３実施形態の液晶装置について説明する。
図７は、第３実施形態の液晶装置の平面図である。

本実施形態の液晶装置（電気光学装置）３００では、図７に示すように、画素領域１Ａ
を取り囲んで形成されたイオントラップ部６０上の領域のうち、一部の領域にのみ対応し
て厚層部７２、７３、７４が形成されている。厚層部７２〜７４は、その液晶層厚が、少
なくとも画素領域１Ａの液晶層厚よりも大きくされた部位である。厚層部７２〜７４にお
ける対向基板２０の基板本体２０Ａには、先の第２実施形態と同様に、溝状の凹部が形成
され、板厚が部分的に薄くされた薄板部２０ｂが形成されている。

本実施形態の液晶装置３００では、ＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１４表面における液
晶分子の配向方向Ｄが、図示のように画素領域１Ａの対角線方向に設定されている。そし
て、平面視でＬ形の厚層部７２、７３は、配向方向Ｄの延長上に位置するイオントラップ
部６０の角部に対応して形成されている。

配向方向Ｄが、図示のように設定されている場合、画素領域１Ａで発生するイオン性不
純物は、配向方向Ｄに沿って移動しやすくなる。そのため、概ね配向方向Ｄに沿った方向
に位置する画素領域１Ａの２つの角部にイオン性不純物が堆積しやすい（例えば特開平４
−８６８１２号公報参照）。そして、上記２つの角部では、画素領域１Ａの対角線上で発
生したイオン性不純物が堆積するため、その堆積量も多くなり、イオントラップ部６０の
他の部位と比較してイオン性不純物の濃度が上昇しやすい。

そこで本実施形態では、配向方向Ｄに沿った方向の角部に厚層部７２、７３を設けてい
る。これにより、角部に蓄積したイオン性不純物をイオントラップ部６０上で液晶層厚方
向に拡散させることができ、画素領域１Ａへ再拡散するのを抑制することができる。

また本実施形態の液晶装置３００では、シール材５１の液晶注入口５１ａに設けられた
封止剤５２の位置に、厚層部７４が設けられている。

封止剤５２は、液晶注入後に塗布されて硬化されるため、液晶注入前に硬化されるシー
ル材５１と比較してイオン性不純物が溶出しやすい。そのため、封止剤５２近傍のイオン
トラップ部６０にはイオン性不純物が蓄積しやすく、濃度が上昇しやすい。
そこで本実施形態では、封止剤５２に対応する位置のイオントラップ部６０上に厚層部
７４を設けている。これにより、封止剤５２の近傍に位置するイオントラップ部６０に蓄
積したイオン性不純物をイオントラップ部６０上で液晶層厚方向に拡散させることができ
、画素領域１Ａへ再拡散するのを抑制することができる。

なお、本実施形態では、画素領域１Ａの特定の角部と、封止剤５２の両方に対応して厚
層部７２〜７４を設けた構成について説明したが、厚層部７２、７３のみを設けた構成と
してもよいし、厚層部７４のみを設けた構成としてもよいのはもちろんである。
また厚層部７２、７３についても、画素領域１Ａのいずれか一方の角部においてのみイ
オン性不純物が蓄積しやすい場合には、その蓄積量の多い角部に対応するイオントラップ
部６０上にのみ厚層部を形成すればよい。

（第４実施形態）
次に、図８及び図９を参照して第４実施形態の液晶装置について説明する。
図８は、第４実施形態の液晶装置の平面図である。図９は、図８のIII−III線に沿う位
置における液晶装置の断面図である。

本実施形態の液晶装置（電気光学装置）４００では、図８に示すように、画素領域１Ａ
を取り囲んで形成されたイオントラップ部６０が、周辺領域１Ｂの内周側に形成された平
面視矩形枠状の第１のイオントラップ部６０Ａと、第１のイオントラップ部６０Ａを取り
囲む矩形枠状に形成された第２のイオントラップ部６０Ｂと、を備えている。

そして、第１のイオントラップ部６０Ａと平面視で重なる領域には、第１のイオントラ
ップ部６０Ａに沿って第１の厚層部７０Ａが形成され、第２のイオントラップ部６０Ｂと
平面視で重なる領域には、第２のイオントラップ部６０Ｂに沿って第２の厚層部７０Ｂが
形成されている。第１の厚層部７０Ａ及び第２の厚層部７０Ｂは、それらの液晶層厚が、
少なくとも画素領域１Ａの液晶層厚よりも大きくされた部位である。

図９に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、第１のトラップ電極６１と、第２のト
ラップ電極６２とが形成されており、これらと対向する位置の対向基板２０にそれぞれ薄
板部２０ｂが形成されている。それぞれの薄板部２０ｂでは、基板本体２０Ａの液晶層５
０側の面に溝状の凹部が形成されている。かかる凹部に液晶が入り込むことにより、第１
の厚層部７０Ａ、第２の厚層部７０Ｂにおける液晶層厚が、画素領域１Ａにおける液晶層
厚よりも大きくされている。

以上の構成を備えた本実施形態の液晶装置４００によれば、第１のイオントラップ部６
０Ａと第２のイオントラップ部６０Ｂをそれぞれ独立して動作させることができるため、
例えば、第１のイオントラップ部６０Ａにおいて正電荷を有するイオン性不純物（画素領
域１Ａから移動してくるイオン性不純物）をトラップし、第２のイオントラップ部６０Ｂ
において負電荷を有するイオン性不純物（シール材５１、封止剤５２から移動してくるイ
オン性不純物）をトラップする、といった動作が可能である。

また、第１の厚層部７０Ａと第２の厚層部７０Ｂが互いに独立して設けられているため
、第１の厚層部７０Ａと第２の厚層部７０Ｂとの間に、相対的に液晶層厚が薄い薄層部７
５が存在する。本実施形態の場合、薄層部７５の液晶層厚は画素領域１Ａにおける液晶層
厚Ｇｃとほぼ同一であるが、第１の厚層部７０Ａ、第２の厚層部７０Ｂと比較すると著し
く小さいため、イオン性不純物は比較的通りにくくなる。かかる構成は、第１のイオント
ラップ部６０Ａと第２のイオントラップ部６０Ｂとが互いに異なるイオン性不純物をトラ
ップするものである場合に、異なる種類のイオン性不純物がイオントラップ部間を移動し
にくくなるため、イオン性不純物の拡散を抑制する点で有効である。

（第５実施形態）
次に、図１０から図１２を参照して第５実施形態の液晶装置について説明する。
図１０は、第５実施形態の液晶装置の平面図である。図１１は、図１０のIV−IV線に沿
う位置における液晶装置の断面図である。

本実施形態の液晶装置（電気光学装置）５００は、図１０に示すように、画素領域１Ａ
を取り囲む矩形枠状のイオントラップ部６０を備えている。本実施形態のイオントラップ
部６０は、矩形枠状のトラップ電極６１Ａと、トラップ電極６１Ａを取り囲む矩形枠状の
トラップ電極６１Ｂとを有する。２つの矩形枠状のトラップ電極６１Ａ、トラップ電極６
１Ｂは、画素領域１Ａを二重枠状に取り囲んでいる。また、イオントラップ部６０は、画
素領域１Ａの外側に形成された厚層部７０の平面領域内に位置する。厚層部７０は、それ
らの液晶層厚が、少なくとも画素領域１Ａにおける液晶層厚よりも大きくされた部位であ
る。

図１１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、トラップ電極６１Ａと、トラップ電
極６１Ｂとが形成されている。一方、対向基板２０には、画素領域１Ａの外側の領域に薄
板部２０ａが形成されている。薄板部２０ａは、基板本体２０Ａの液晶層５０側の面の外
周部分を薄型化することにより形成されている。薄板部２０ａと対向基板２０の厚い部分
との境界を形成する段差部２０ｄは、画素領域１Ａの外周縁とイオントラップ部６０との
間に位置している。そして、基板面方向（図示左右方向）における段差部２０ｄとシール
材５１との間のスペースに液晶が入り込むことにより、厚層部７０における液晶層厚Ｇが
、画素領域１Ａにおける液晶層厚Ｇｃよりも大きくされている。

本実施形態の場合、対向基板２０の共通電極２１は、画素領域１Ａに対応する平面領域
に形成されており、画素領域１Ａの外側の周辺領域１Ｂ、並びにシール材５１の形成領域
には形成されていない。

上記構成を備えた本実施形態の液晶装置５００では、イオントラップ部６０を構成する
２つのトラップ電極６１Ａとトラップ電極６１Ｂとの間に電圧を印加することで、液晶層
５０中に横方向の電界（液晶層５０の厚さ方向と交差する方向の電界）を発生させ、かか
る電界によりイオン性不純物をトラップする。すなわち本実施形態のイオントラップ部６
０は、横電界方式のイオントラップ部である。

イオントラップ部６０において、例えば、トラップ電極６１Ａに０Ｖ、トラップ電極６
１Ｂに−５Ｖの電圧を印加することで、正電荷を有するイオン性不純物をトラップするこ
とができる。また、トラップ電極６１Ａに０Ｖ、トラップ電極６１Ｂに５Ｖの電圧を印加
すれば、負電荷を有するイオン性不純物をトラップすることができる。

本実施形態においても、イオントラップ部６０が形成された領域の液晶層厚が、画素領
域１Ａにおける液晶層厚よりも大きく形成されているので、イオントラップ部６０におけ
るイオン性不純物の濃度上昇を緩和することができ、画素領域１Ａへのイオン性不純物の
再拡散を抑制することができる。これにより、長期間にわたって表示不良の発生を抑える
ことができ、優れた信頼性を得ることができる。

なお、本実施形態では、トラップ電極６１Ａ、６１Ｂの両方が厚層部７０内に形成され
ていることとしたが、かかる構成に限定されるものではない。トラップ電極６１Ａ、６１
Ｂが形成されている平面領域のうち少なくとも一部の領域に厚層部７０が形成されていれ
ば、イオン性不純物の濃度上昇を緩和する効果を得ることができる。したがって例えば、
厚層部７０が外周側のトラップ電極６１Ｂ上にのみ形成されている構成としてもよい。

上記の第５実施形態では、対向基板２０の外周部に、基板端部まで延びる薄板部２０ａ
を形成した場合について説明したが、本実施形態において先の第２実施形態と同様の構成
を採用してもよい。
図１２は、第２実施形態と同様の構成を適用した場合の液晶装置５００の部分断面図で
ある。

図１２に示すように、基板本体２０Ａの液晶層５０側の面のうち、イオントラップ部６
０（トラップ電極６１Ａ、６１Ｂ）と対向する領域に、選択的に薄板部２０ｂが形成され
ている。薄板部２０ｂは、図４と同様に平面視矩形枠状に形成された溝状の凹部である。
そして、薄板部２０ｂによって形成された対向基板２０上の凹部に液晶が入り込むことに
より、厚層部７１が形成されている。

図１２に示す構成においても、イオントラップ部６０上の液晶層厚Ｇが、画素領域１Ａ
の液晶層厚Ｇｃよりも大きく形成されていることで、先の実施形態と同様の作用効果を得
ることができる。また、先の第２実施形態と同様に、製造性に優れた液晶装置とすること
ができる。

図１２に示す構成において、厚層部７１はイオントラップ部６０の少なくとも一部と重
なるように形成されていればよい。例えば、トラップ電極６１Ａ上にのみ厚層部７１が形
成されている構成としてもよく、トラップ電極６１Ｂ上にのみ厚層部７１が形成されてい
る構成としてもよい。

（第６実施形態）
次に、図１３から図１５を参照して第６実施形態の液晶装置について説明する。
図１３は、第６実施形態の液晶装置の平面図である。図１４は、図１３のV−V線に沿う
位置における液晶装置の断面図である。

本実施形態の液晶装置（電気光学装置）６００は、図１３に示すように、画素領域１Ａ
を取り囲んで形成されたイオントラップ部６０を備えている。本実施形態のイオントラッ
プ部６０は、画素領域１Ａを取り囲む矩形枠状に配列された複数のダミー画素ＤＭと、複
数のダミー画素ＤＭを取り囲む矩形枠状のトラップ電極６１とを有する。すなわち、複数
のダミー画素ＤＭとトラップ電極６１とが画素領域１Ａを二重枠状に取り囲んだ構成であ
る。

イオントラップ部６０のうち、トラップ電極６１は、画素領域１Ａの外側に形成された
厚層部７０の平面領域内に位置する。厚層部７０は、それらの液晶層厚が、少なくとも画
素領域１Ａにおける液晶層厚よりも大きくされた部位である。

図１４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数の画素電極１３が形成されてお
り、画素領域１Ａの最外周に位置する画素電極１３と隣り合う位置に、ダミー画素ＤＭを
構成するダミー画素電極１３Ｄが形成されている。さらに、ダミー画素電極１３Ｄの外側
（画素領域１Ａと反対側）に、トラップ電極６１が形成されている。

対向基板２０には、画素領域１Ａよりも外側の領域に薄板部２０ａが形成されている。
薄板部２０ａは、基板本体２０Ａの液晶層５０側の面の外周部分を薄型化することにより
形成されている。薄板部２０ａと対向基板２０の厚い部分との境界を形成する段差部２０
ｄは、ダミー画素電極１３Ｄと、トラップ電極６１との間に位置している。そして、基板
面方向（図示左右方向）における段差部２０ｄとシール材５１との間のスペースに液晶が
入り込むことにより、厚層部７０における液晶層厚Ｇが、画素領域１Ａにおける液晶層厚
Ｇｃよりも大きくされている。

本実施形態の場合、対向基板２０の共通電極２１は、画素領域１Ａの平面領域と、その
外側のダミー画素電極１３Ｄの平面領域とに対応して形成されており、段差部２０ｄから
外側の領域のトラップ電極６１上の領域やシール材５１の形成領域には形成されていない
。一方、遮光膜ＢＭは、ダミー画素電極１３Ｄの形成領域から外側の領域に形成され、イ
オントラップ部６０を遮光している。

上記構成を備えた本実施形態の液晶装置５００では、イオントラップ部６０を構成する
ダミー画素ＤＭとトラップ電極６１との間に電圧を印加することで、液晶層５０中に電界
を発生させ、かかる電界によりイオン性不純物をトラップする。
イオントラップ部６０において、例えば、ダミー画素電極１３Ｄに０Ｖ、トラップ電極
６１に−５Ｖの電圧を印加することで、正電荷を有するイオン性不純物をトラップするこ
とができる。また、ダミー画素電極１３Ｄに０Ｖ、トラップ電極６１に５Ｖの電圧を印加
すれば、負電荷を有するイオン性不純物をトラップすることができる。

「
本実施形態の場合、ダミー画素ＤＭは、ダミー画素電極１３Ｄと、ダミー画素電極１３
Ｄと対向する共通電極２１とを備えている。そのため、例えばトラップ電極６１に−５Ｖ
の電圧を印加し、ダミー画素電極１３Ｄ及び共通電極２１に０Ｖの電圧を印加すると、ト
ラップ電極６１とダミー画素電極１３Ｄとの間に概ね横方向（基板面方向）の電界が発生
するとともに、トラップ電極６１と共通電極２１との間に概ね縦方向（液晶層５０の厚さ
方向）の電界が発生する。

本実施形態においても、トラップ電極６１が形成された領域の液晶層厚が、画素領域１
Ａにおける液晶層厚よりも大きく形成されているので、イオントラップ部６０におけるイ
オン性不純物の濃度上昇を緩和することができ、画素領域１Ａへのイオン性不純物の再拡
散を抑制することができる。これにより、長期間にわたって表示不良の発生を抑えること
ができ、優れた信頼性を得ることができる。

本実施形態では、イオントラップ部６０のうちのトラップ電極６１のみが厚層部７０内
に配置されている場合について説明したが、ダミー画素ＤＭとトラップ電極６１の両方が
厚層部７０内に配置された構成としてもよい。このような配置とすれば、イオントラップ
部６０におけるイオン性不純物の濃度上昇をより効果的に抑制することができる。

上記の第６実施形態では、対向基板２０の外周部に、基板端部まで延びる薄板部２０ａ
を形成した場合について説明したが、本実施形態において先の第２実施形態と同様の構成
を採用してもよい。
図１５は、第２実施形態と同様の構成を適用した場合の液晶装置６００の部分断面図で
ある。

図１５に示すように、基板本体２０Ａの液晶層５０側の面のうち、トラップ電極６１と
対向する領域に、選択的に薄板部２０ｂが形成されている。薄板部２０ｂは、図４と同様
に平面視矩形枠状に形成された溝状の凹部である。そして、薄板部２０ｂによって形成さ
れた対向基板２０上の凹部に液晶が入り込むことにより、厚層部７１が形成されている。

図１５に示す構成においても、イオントラップ部６０を構成するトラップ電極６１上の
液晶層厚Ｇが、画素領域１Ａの液晶層厚Ｇｃよりも大きく形成されていることで、先の実
施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、先の第２実施形態と同様に、製造性
に優れた液晶装置とすることができる。

図１５に示す構成では、トラップ電極６１のみが厚層部７１に配置されていることとし
たが、イオントラップ部６０の全体（ダミー画素ＤＭ、トラップ電極６１）が厚層部７１
に配置されていてもよい。あるいは、ダミー画素ＤＭのみが厚層部７１に配置されている
構成としてもよい。

（イオントラップ部における電界について）
図１６は、図１４に示した第６実施形態に係る液晶装置のシミュレーション結果を示す
図である。図１７は、図１２に示した第５実施形態の変形例に係る構成を備えた液晶装置
のシミュレーション結果を示す図である。図１８は、厚層部を形成していない液晶装置の
シミュレーション結果を示す図である。

図１６〜図１８に結果を示すシミュレーションは、いずれも、セルギャップ：２μｍ、
段差部２０ｄの高さ：１μｍの条件で行った。図１６に示すシミュレーションでは、トラ
ップ電極６１への印加電圧：３．７Ｖ、ダミー画素電極１３Ｄ及び共通電極２１への印加
電圧：０Ｖの条件とした。図１７及び図１８に示すシミュレーションでは、トラップ電極
６１Ａへの印加電圧：３．７Ｖ、トラップ電極６１Ｂへの印加電圧：０Ｖの条件とした。
図１６〜図１８に点線で示した曲線が等電位線である。

図１６に示すように、第５実施形態に対応する構成では、トラップ電極６１に電圧を印
加することで、トラップ電極６１とダミー画素電極１３Ｄとの間に横方向（基板面方向）
の電界が形成されるとともに、ダミー画素電極１３Ｄと対向配置された共通電極２１との
間に液晶層５０の厚さ方向に沿った縦方向の電界が形成される。
また、図１７及び図１８に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上にトラップ電極６１Ａ
、６１Ｂが形成されている場合には、トラップ電極６１Ａ、６１Ｂ間に基板面方向の電界
が形成される。

イオントラップ部においては、図１６〜図１８に示すように、液晶層５０の厚さ方向に
わたって等電位線（等電位面）が形成されているとよい。電荷を有するイオン性不純物が
等電位面内を移動している場合には、電界からイオン性不純物に対してその移動方向を変
化させる力を作用させることができないが、等電位面を横切るように移動するイオン性不
純物に対しては効率良く力を作用させることができるからである。つまり、液晶層５０の
厚さ方向にわたって等電位面が形成されていれば、画素領域１Ａと周辺領域１Ｂとの間を
移動するイオン性不純物は必ず等電位面を横切るものとなるので、効率良く移動方向を変
化させ、トラップ電極に吸着させることができる。

（電子機器）
次に、上記実施形態の液晶装置を適用した電子機器について説明する。
図１９は、電子機器の一実施の形態であるプロジェクターを示す図である。

図１９（ａ）は、透過型ライトバルブを用いたプロジェクターを示す図である。
プロジェクター１１０は、観察者の前方に配置されたスクリーン１１１に光を照射し、
スクリーン１１１に映像を投影する投射型表示装置である。
プロジェクター１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー
１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００、２００、３００
、４００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー光
学系１２０とを備えている。

光源１１２は、赤色光、緑色光、及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構
成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させる一
方、緑色光及び青色光を反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラ
ー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち、青色光のみを透過させ、緑色光は反射す
る。すなわち、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から射出された光を
赤色光、緑色光、青色光に分離する色分離光学系を構成している。

ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、光源から射出された光を均一化
するインテグレーターレンズ１２１と、光源からの光を特定の直線偏光（例えばｓ偏光）
に変換する偏光変換素子１２２と、が光源１１２側から順に配置されている。

液晶ライトバルブ１１５〜１１７には、透過型の液晶装置として構成した先の実施形態
の液晶装置１００が用いられている。液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー
１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調し、クロス
ダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位
相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ、及び第２偏光板１１５ｄを
備えている。λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、透過光への位相差をほ
とんど付与しない透明なガラス板１１５ｅに接着されている。これにより、λ／２位相差
板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂの発熱による歪みを抑制することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１４で反射された緑色光を変調し
、クロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する。液晶ライトバルブ１１６は、
第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１４を透過した後、リレー光学系
１２０を経由して入射する青色光を変調し、クロスダイクロイックプリズム１１９に向け
て射出する。液晶ライトバルブ１１７は、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ
、液晶パネル１１７ｃ、及び第２偏光板１１７ｄを備えている。リレー光学系１２０は、
ダイクロイックミラー１１４側（光入射側）から順に配列された、リレーレンズ１２４ａ
、反射ミラー１２５ａ、リレーレンズ１２４ｂ、及び反射ミラー１２５ｂを備えている。
反射ミラー１２５ｂで反射された青色光が液晶ライトバルブ１１７に向けて射出される。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂ
をＸ形に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射す
る一方、緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射する一方
、緑色光を透過する膜である。クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバル
ブ１１５〜１１７から入射する赤色光、緑色光、青色光を合成し、投射光学系１１８へ向
けて射出する。投射光学系１１８は、入射した光をスクリーン１１１に投射する。

次に、図１９（ｂ）は、反射型ライトバルブを用いたプロジェクターを示す図である。
プロジェクター１０００は、光源部８９０と、３つの反射型の液晶ライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（液晶装置１００、２００、３００、４００）とを備えている。

光源部８９０は、偏光照明装置８００と、偏光ビームスプリッター８４０と、ダイクロ
イックミラー８４２、８４３と、を備えている。偏光照明装置８００は、システム光軸Ｌ
に沿って配置された光源８１０と、光源から射出された光を均一化するインテグレーター
レンズ８２０と、光源からの光を特定の直線偏光（例えばｓ偏光）に変換する偏光変換素
子８３０と、を有する。

偏光ビームスプリッター８４０は、偏光照明装置８００から射出されたｓ偏光をｓ偏光
反射面８４１で反射させ、ダイクロイックミラー８４２に向けて射出する。ダイクロイッ
クミラー８４２は、入射する光に含まれる青色光成分を選択的に反射させ、液晶ライトバ
ルブ１００Ｂへ向けて射出する。ダイクロイックミラー８４２を透過した光（赤色光、緑
色光）は、ダイクロイックミラー８４３へ向けて射出される。ダイクロイックミラー８４
３は、入射する光に含まれる赤色光成分を選択的に反射させ、液晶ライトバルブ１００Ｒ
へ向けて射出する。ダイクロイックミラー８４３を透過した光（緑色光成分）は液晶ライ
トバルブ１００Ｇに向けて射出される。このように、光源部８９０は、３つの液晶ライト
バルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対して、所定の色光を供給する。

液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、入射した光を画像信号に基づいて
変調するとともに反射させ、光源部８９０に向けて射出する。光源部８９０は、液晶ライ
トバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂから入射する変調された赤色光、緑色光、青色光
を合成し、投射光学系８５０に向けて射出する。投射光学系８５０は、入射した光をスク
リーン８６０に投射する。

なお、図１９に示したプロジェクター１１０、１０００において、ＬＥＤ（Light Emit
ting Diode）光源を用いた光源部を備えた構成としてもよい。ＬＥＤ光源は、白色光を射
出するものでも、赤、緑、青の各色の光を射出するものでもよい。
また、先の実施形態の液晶装置は、上記したプロジェクターに限られず、種々の電子機
器に用いることができる。例えば、携帯電話、情報端末、デジタルカメラ、液晶テレビ、
ナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末等に用いることができる。またこれらの電
子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

１Ａ…画素領域、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０…対向基板（第２基板）
、２０ａ，２０ｂ…薄板部、５０…液晶層（電気光学物質層）、５１…シール材、６０…
イオントラップ部、７０，７１，７２，７４…厚層部、ＰＸ…画素、１００，２００，３
００，４００，５００，６００…液晶装置（電気光学装置）

Claims (10)

1. 複数の画素が配列された画素領域を備えた第１基板と、
   第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学物質層と、
   前記第１基板と前記第２基板との間において、前記電気光学物質層を囲むように配置されたシール材と、
   前記第１基板の前記画素領域と前記シール材が配置された領域との間に配置された電極と、を有し、
   前記電極は、前記電気光学物質層に含まれるイオン性不純物をトラップする電圧が印加され、
   前記電極と前記第２基板との間の前記電気光学物質層は、前記第１基板の前記画素領域と前記第２基板との間の前記電気光学物質層の厚さよりも厚い厚層部を含み、
   前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一方は、前記画素領域と重なる領域よりも板厚が薄い薄板部を含み、
   前記厚層は、前記薄板部と重なることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記薄板部は、前記画素領域と前記シール材が配置された領域との間の領域と重なる部分に選択的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記薄板部は、前記画素領域と前記シール材が配置された領域との間の領域と重なる部分から前記薄板部が形成された前記第１基板又は前記第２基板の端縁にわたって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記厚層部は、前記電極を内包する平面領域に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記厚層部は、前記電極が形成された平面領域の一部にのみ形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記厚層部は、前記画素領域の角部に対応する位置に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記厚層部は、前記シール材に設けられた電気光学物質注入口に対応する位置に形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 前記厚層部の少なくとも一部が、前記画素領域から前記シール材への方向において複数の領域に区画されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 前記厚層部は、画像表示に用いられないダミー画素と重なることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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