JP2011221430A - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents
電気光学装置、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011221430A JP2011221430A JP2010092919A JP2010092919A JP2011221430A JP 2011221430 A JP2011221430 A JP 2011221430A JP 2010092919 A JP2010092919 A JP 2010092919A JP 2010092919 A JP2010092919 A JP 2010092919A JP 2011221430 A JP2011221430 A JP 2011221430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- lens
- electro
- sealing material
- shielding member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】光硬化性シール材が均一に硬化され、基板の歪みや反りによる表示不良の発生が低減された電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置によれば、平面視において、第1遮光部材と第2遮光部材とが重ならない配置となっているため、シール材に照射される光量を均一にすることができる。詳しくは、第1の遮光性部材に遮られたシール材の部分には、表示パネル裏面から光が照射され、また、第2の遮光性部材に遮られたシール材の部分には、表示パネル表面から光が照射されることとなる。その結果、シール領域に対し均一な照射が可能となる。シール材の光重合が均一に進むことで、硬化むらの発生が低減し、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを防ぐことができる。よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。
【選択図】図3
【解決手段】本発明に係る電気光学装置によれば、平面視において、第1遮光部材と第2遮光部材とが重ならない配置となっているため、シール材に照射される光量を均一にすることができる。詳しくは、第1の遮光性部材に遮られたシール材の部分には、表示パネル裏面から光が照射され、また、第2の遮光性部材に遮られたシール材の部分には、表示パネル表面から光が照射されることとなる。その結果、シール領域に対し均一な照射が可能となる。シール材の光重合が均一に進むことで、硬化むらの発生が低減し、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを防ぐことができる。よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。
【選択図】図3
Description
本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。
電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、素子基板上に、薄膜トランジスターや、容量素子、配線、ブラックマトリクスなどが積層された構造となっていた。また、この素子基板と対向する透明性の対向基板を備えており、複数の画素電極と対向基板に形成された透明な共通電極との間に液晶を挟持していた。当該液晶は、素子基板と対向基板との間に、表示領域を囲むように設けられたシール材によって、その周囲を封止されていた。
また、液晶を挟持する画素電極と共通電極とのギャップ(隙間)を均一に保ち、表示むらを避けるために、シール材にはギャップ材(スペーサー)が配合されていた。さらに、素子基板において、シール材が形成される領域の高さを均一化するために、本来配線の必要がない部分にも、ダミー配線(ダミーパターン)を形成していた。また、これらの配線は、アルミニウムなどの遮光性の材料から構成されていた。
一方、シール材には、その利便性により、近年、光硬化性の材料を用いる例が増加している。シール材に光硬化性の材料を用いた場合、ダミーパターンを含む配線に重なる部分が遮光されるために、シール材の硬化が不充分となる問題があった。つまり、シール材に重なる領域に形成された遮光性の配線により、光硬化性シール材の硬化が阻害されてしまうという問題があった。この問題に対し、特許文献1では、シール材に重なる部分の配線に光透過用の隙間を形成し、この隙間を通過した光により、シール材の硬化を促す技術を提案していた。
しかしながら、上述した従来の技術では、光硬化性のシール材に対し、照射される光の量が不均一となってしまう問題があった。図7(a)は、従来のシール材周辺の平面図であり、当該図に示すように、シール材40に重なる部分に配線55が形成されていた。また配線55には、複数の隙間56が形成されていた。ここで配線55側から光を照射すると、S−S’線上のシール部分が受ける光量分布は、およそ図7(b)のようであった。詳しくは、配線55に覆われた部分は、隙間56からの照射光により、ある程度の光量は得られるが、配線に覆われない部分と比較すると照射量に光量差△Eがあった。結果としてシール材の光重合の差による硬化むら(斑)が生じてしまうという課題があった。このシール材の硬化むらは、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを誘発し、液晶装置の歪みや反りを引き起こすという課題があった。特に、昨今における液晶装置の薄型化に伴い、この歪や反りによって表示むらなどの表示不良が発生してしまうこともあった。つまり、従来の液晶装置では、充分な信頼性を確保することが困難であるという課題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係る電気光学装置は、周囲を光硬化性のシール材によって貼り合わされた一対の透明基板と、一対の透明基板のいずれか一方の基板のシール材と重なる領域に配置された第1の遮光性部材と、一対の透明基板の他方の基板のシール材と重なる領域に配置された第2の遮光性部材とを備え、第2の遮光性部材が、第1の遮光性部材と重ならないように配置されたことを特徴とする。
この構成によれば、平面視において、第1遮光部材と第2遮光部材とが重ならない配置となっているため、一対の透明基板からなる表示パネルの表裏両面から光を照射することで、シール材に照射される光量を均一にすることができる。詳しくは、第1の遮光性部材に遮られたシール材の部分には、表示パネル裏面から光が照射され、また、第2の遮光性部材に遮られたシール材の部分には、表示パネル表面から光が照射されることとなる。その結果、シール領域に対し均一な照射が可能となる。シール材の光重合が均一に進むことで、硬化むらの発生が低減し、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを防ぐことができる。よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。従って、充分な信頼性を確保することができる。
[適用例2]上記に記載の電気光学装置において、シール材は、光硬化性の材料からなり、一対の透明基板の間に、シール材で封入された電気光学物質をさらに備え、第1の遮光性部材または第2の遮光性部材のいずれか一方は、電気光学物質を表示駆動するための電気信号を供給する配線であることを特徴とする。
この構成によれば、第1または第2遮光性部材のいずれかが電気光学物質を表示駆動するための電気信号を供給する配線であっても、適用例1と同等の効果が期待できる。
[適用例3]上記に記載の電気光学装置において、第1の遮光性部材および第2の遮光性部材は、平面的な重なりが無いように、交互に略等間隔で配置されていることを特徴とする。
この構成によれば、第1、第2遮光性部材の単純な交互配置により、適用例1または適用例2と同様の効果が得られる。
[適用例4]上記に記載の電気光学装置において、一方の基板に形成された第1の集光部と、他方の基板に形成された第2の集光部とをさらに備え、第1の集光部には、隣り合う第1の遮光性部材の間隙を跨ぐように配置された複数の第1のレンズが形成され、第2の集光部には、隣り合う第2の遮光性部材の間隙を跨ぐように配置された複数の第2のレンズが形成されてなり、第1のレンズは、一方の基板における電気光学物質とは反対側の第1面に対して略垂直に入射する光のうち、第1の遮光性部材に当たる光の一部を集光し、隣り合う第1の遮光性部材の間隙に射出するためのレンズ面を有しており、第2のレンズは、他方の基板における電気光学物質とは反対側の第2面に対して略垂直に入射する光のうち、第2の遮光性部材に当たる光の一部を集光し、隣り合う第2の遮光性部材の間隙に射出するためのレンズ面を有していることを特徴とする。
この構成によれば、第1または第2遮光性部材に遮られた部分に照射される光を、遮光性部材で覆われない部分に照射することができるため、照射光を有効に活用することが可能となる。
[適用例5]上記に記載の電気光学装置において、第1の集光部および第2の集光部は、一方の基板または他方の基板における基材上に形成された屈折率の異なる複数の透明層からなり、第1のレンズおよび第2のレンズは、複数の透明層における凸レンズ層に形成された凸レンズであることを特徴とする。
[適用例6]上記に記載の電気光学装置において、凸レンズ層の屈折率は、凸レンズ層に接する基材、または透明層の屈折率よりも大きいことを特徴とする。
[適用例7]上記に記載の電気光学装置において、第1の集光部には、第1のレンズと第1の遮光性部材との間に配置された第3のレンズが第1のレンズごとに形成され、第2の集光部には、第2のレンズと第2の遮光性部材との間に配置された第4のレンズが第2のレンズごとに形成されており、第3のレンズおよび第4のレンズは、第1のレンズまたは第2のレンズが集光した光を略平行化するための凹レンズであることを特徴とする。
この構成によれば、第1または第2遮光性部材に遮られた部分に照射される光を、遮光性部材で覆われない部分に収束させて照射することができるため、照射光を有効に活用することが可能となる。
[適用例8]上記に記載の電気光学装置において、第3のレンズおよび第4のレンズは、複数の透明層における凹レンズ層に形成された凹レンズであり、凹レンズ層の屈折率は、凹レンズ層が接する透明層の屈折率よりも大きいことを特徴とする。
[適用例9]本適用例にかかる電子機器は、適用例1から8のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小し縮尺を異ならしめている。
(実施形態1)
本実施形態では、電気光学装置として薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば投射型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができる。以下、本実施形態においては、複数の画素Pからなる横長の長方形をなした画素領域Eを備えた反射型の液晶装置を例に説明する。
本実施形態では、電気光学装置として薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば投射型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができる。以下、本実施形態においては、複数の画素Pからなる横長の長方形をなした画素領域Eを備えた反射型の液晶装置を例に説明する。
<液晶装置の構成>
図1(a)および(b)は、実施形態1に係る液晶装置の構成を示す概略図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A’線における断面図である。
まず、液晶装置の構成について、図1(a)および(b)を参照して説明する。
図1(a)、(b)に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置100は、一対の透明基板としての素子基板10および対向基板20と、この一対の基板に挟持された電気光学物質としての液晶50と、これら一対の基板を接合し液晶50を封止するシール材40などから構成されている。
図1(a)および(b)は、実施形態1に係る液晶装置の構成を示す概略図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A’線における断面図である。
まず、液晶装置の構成について、図1(a)および(b)を参照して説明する。
図1(a)、(b)に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置100は、一対の透明基板としての素子基板10および対向基板20と、この一対の基板に挟持された電気光学物質としての液晶50と、これら一対の基板を接合し液晶50を封止するシール材40などから構成されている。
素子基板10および対向基板20は、透明基板であり、好適例として石英基板を用いている。なお、透明性の基板であれば、石英基板に限定するものではなく、ガラス基板や樹脂基板であっても良い。また、一対の基板のうちの一方の素子基板10は、対向基板20から1辺が張り出した端子部10aを有している。
素子基板10には、画素P、駆動回路、保護膜17、配向膜18などが積層形成されている。
画素Pは、画素領域Eにおいてマトリクス状に配置されており、画素電極15、駆動素子としてのTFT(Thin Film transistor)30などを備えている。なお、これらの詳細については後述する。
素子基板10には、画素P、駆動回路、保護膜17、配向膜18などが積層形成されている。
画素Pは、画素領域Eにおいてマトリクス状に配置されており、画素電極15、駆動素子としてのTFT(Thin Film transistor)30などを備えている。なお、これらの詳細については後述する。
駆動回路は、データ線駆動回路101、走査線駆動回路102、検査回路103、それらを接続する配線105a,105b,105cなどから構成されている。また、データ線駆動回路101、走査線駆動回路102、および検査回路103は、平面視において、画素領域Eとシール材40との間に配置されている。換言すれば、額縁状のシール材40の内周に沿って配置されている。
データ線駆動回路101は、素子基板10の端子部10aに沿った辺に設けられている。
走査線駆動回路102は、2つ設けられており、端子部10aと略直交し互いに対向する2辺に沿って設けられている。
データ線駆動回路101は、素子基板10の端子部10aに沿った辺に設けられている。
走査線駆動回路102は、2つ設けられており、端子部10aと略直交し互いに対向する2辺に沿って設けられている。
検査回路103は、端子部10aと対向する1辺に沿って設けられている。
配線105aは、端子部10aに形成された複数の外部接続用端子104と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路102との間をそれぞれ接続している。また、配線105bは、端子部10aと対向する1辺に沿って設けられており、2つの走査線駆動回路102を繋いでいる。
なお、配線105a,105b,105cは、例えばAl(アルミニウム)やその合金などの低抵抗金属材料から構成されている。また、これらの配線において露出している外部接続用端子104は、この低抵抗金属材料からなる基部にさらに低抵抗なAu(金)などのメッキが施されていることが好ましい。
配線105aは、端子部10aに形成された複数の外部接続用端子104と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路102との間をそれぞれ接続している。また、配線105bは、端子部10aと対向する1辺に沿って設けられており、2つの走査線駆動回路102を繋いでいる。
なお、配線105a,105b,105cは、例えばAl(アルミニウム)やその合金などの低抵抗金属材料から構成されている。また、これらの配線において露出している外部接続用端子104は、この低抵抗金属材料からなる基部にさらに低抵抗なAu(金)などのメッキが施されていることが好ましい。
保護膜17は、シリコン酸化膜などの透明無機材料から構成されており、図1(b)に示すように、画素電極15、TFT30、駆動回路、配線などを覆って形成されている。ただし、外部接続用端子104は、保護膜17で覆われず、端子部10aにおいて露出している。配向膜18は、端子部10aを除き保護膜17を覆うように形成されている。また、配向膜18は、無機材料からなる無機配向膜であって、好適例として無機材料としてのSiO2(酸化シリコン)を用いている。
図1(b)において、一対の基板のうちの他方の対向基板20には、見切り部21、ダミーパターン65、平坦化層22、共通電極23、配向膜24などが形成されている。
見切り部21は、対向基板20の液晶50側の表面において、平面的に前述のデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102、および検査回路103を覆って(重なって)、額縁状に形成されている。また、見切り部21は、遮光性を有する材料から構成されており、好適例として例えばNiやCrなどの金属材料またはその酸化物などの金属化合物や、遮光性の顔料などを含有した樹脂材料を用いている。
ダミーパターン65は、見切り部21と同一材料から構成されており、シール材40と重なる部分に形成されている。なお、ダミーパターン65の詳細については後述する。
また、見切り部21(ダミーパターン65)の上層には、平坦化層22、共通電極23、配向膜24がこの順番に積層されている。
見切り部21は、対向基板20の液晶50側の表面において、平面的に前述のデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102、および検査回路103を覆って(重なって)、額縁状に形成されている。また、見切り部21は、遮光性を有する材料から構成されており、好適例として例えばNiやCrなどの金属材料またはその酸化物などの金属化合物や、遮光性の顔料などを含有した樹脂材料を用いている。
ダミーパターン65は、見切り部21と同一材料から構成されており、シール材40と重なる部分に形成されている。なお、ダミーパターン65の詳細については後述する。
また、見切り部21(ダミーパターン65)の上層には、平坦化層22、共通電極23、配向膜24がこの順番に積層されている。
平坦化層22は、シリコン酸化膜などの透明絶縁層であり、前記各部を覆い、また、液晶50側の面を平坦化している。
共通電極23は、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明電極からなり、画素領域Eを覆って一様(ベタ)に形成されている。また、図1(a)に示すように、対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10側の配線105cに接続している。配線105cの一方の端は、端子部10aに向けて延設され、外部接続用端子104に接続している。
配向膜24は、配向膜18と同様な配向膜である。
共通電極23は、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明電極からなり、画素領域Eを覆って一様(ベタ)に形成されている。また、図1(a)に示すように、対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10側の配線105cに接続している。配線105cの一方の端は、端子部10aに向けて延設され、外部接続用端子104に接続している。
配向膜24は、配向膜18と同様な配向膜である。
そして、素子基板10と対向基板20とを周縁部で接着するシール材40は、光硬化型の材料を用いており、好適例として紫外線硬化型の接着剤を採用している。
ここで、素子基板10において、シール材40と重なる領域には、当該領域の平坦度を表示領域Eと近時させるためのダミーパターン62〜64を含む積層構造が形成されている。なお、この積層構造の詳細については、後述する。
ここで、素子基板10において、シール材40と重なる領域には、当該領域の平坦度を表示領域Eと近時させるためのダミーパターン62〜64を含む積層構造が形成されている。なお、この積層構造の詳細については、後述する。
<画素部の構成>
図2(a)、(b)は、画素部の構成を示す概略図であり、(a)は平面図、(b)は図2(a)のB−B’線における断面図である。
次に、画素部の構成について、図2(a)、(b)を参照して説明する。
画素P(画素回路)は、画素電極15、TFT30、保持容量16、走査線3、容量線4、データ線6などから構成されている。
図2(a)、(b)は、画素部の構成を示す概略図であり、(a)は平面図、(b)は図2(a)のB−B’線における断面図である。
次に、画素部の構成について、図2(a)、(b)を参照して説明する。
画素P(画素回路)は、画素電極15、TFT30、保持容量16、走査線3、容量線4、データ線6などから構成されている。
まず、図2(a)の平面図を参照し説明する。
マトリクス状に配置された個々の画素Pには、画素電極15が設けられている。画素電極15は、反射性を有する反射電極であり、好適例としては、アルミニウムなどの金属電極を用いる。また、各画素電極15には、駆動素子としてのTFT30、駆動電位を保持するための保持容量16が接続されている。
走査線3は、TFT30のゲートに接続され、データ線6は、TFT30のソースに接続されている。画素電極15は、TFT30のドレインに接続されている。保持容量16は、画像信号を保持する機能を有し、TFT30のドレインと容量線4との間に設けられている。
画素領域E(図1(a))において、各画素Pを結ぶ複数の走査線3と、複数のデータ線6とは、互いに絶縁されて交差している。また、複数の容量線4は、走査線3に対して一定の間隔を置いて併行するように配置されている。
換言すると、走査線3(容量線4)とデータ線6とが交差する位置に画素電極15、TFT30、保持容量16が設けられ、これらが画素回路を構成している。
マトリクス状に配置された個々の画素Pには、画素電極15が設けられている。画素電極15は、反射性を有する反射電極であり、好適例としては、アルミニウムなどの金属電極を用いる。また、各画素電極15には、駆動素子としてのTFT30、駆動電位を保持するための保持容量16が接続されている。
走査線3は、TFT30のゲートに接続され、データ線6は、TFT30のソースに接続されている。画素電極15は、TFT30のドレインに接続されている。保持容量16は、画像信号を保持する機能を有し、TFT30のドレインと容量線4との間に設けられている。
画素領域E(図1(a))において、各画素Pを結ぶ複数の走査線3と、複数のデータ線6とは、互いに絶縁されて交差している。また、複数の容量線4は、走査線3に対して一定の間隔を置いて併行するように配置されている。
換言すると、走査線3(容量線4)とデータ線6とが交差する位置に画素電極15、TFT30、保持容量16が設けられ、これらが画素回路を構成している。
次に図2(b)を参照し、画素部の積層構造について説明する。
素子基板10の上層には、TFT30、走査線3、容量線4、データ線6、中継電極16a、画素電極15、保護膜17、配向膜18などが積層されている。
TFT30は、半導体層30a、ソース30s、ドレイン30d、ゲート絶縁膜11によって構成されている。走査線3は、ゲート絶縁膜11を介しTFT30の半導体層30aのチャンネル領域に重なるようにして設けられている。つまり、TFT30は走査線3の一部がゲート電極となる構造の薄膜トランジスターを構成している。走査線3を覆うようにして第1層間絶縁膜12が設けられ、第1層間絶縁膜12上に容量線4が設けられている。なお、容量線4には、当該容量線からコンタクトホール13bに分岐した拡幅部分である拡張部3aが含まれている。
容量線4を覆うように第2層間絶縁膜13が設けられ、第2層間絶縁膜13上にデータ線6、および中継電極16aが形成されている。第2層間絶縁膜13は、保持容量16における誘電層として機能する。なお、データ線6には、当該データ線からコンタクトホール13aに分岐する突出部6aが含まれている。
素子基板10の上層には、TFT30、走査線3、容量線4、データ線6、中継電極16a、画素電極15、保護膜17、配向膜18などが積層されている。
TFT30は、半導体層30a、ソース30s、ドレイン30d、ゲート絶縁膜11によって構成されている。走査線3は、ゲート絶縁膜11を介しTFT30の半導体層30aのチャンネル領域に重なるようにして設けられている。つまり、TFT30は走査線3の一部がゲート電極となる構造の薄膜トランジスターを構成している。走査線3を覆うようにして第1層間絶縁膜12が設けられ、第1層間絶縁膜12上に容量線4が設けられている。なお、容量線4には、当該容量線からコンタクトホール13bに分岐した拡幅部分である拡張部3aが含まれている。
容量線4を覆うように第2層間絶縁膜13が設けられ、第2層間絶縁膜13上にデータ線6、および中継電極16aが形成されている。第2層間絶縁膜13は、保持容量16における誘電層として機能する。なお、データ線6には、当該データ線からコンタクトホール13aに分岐する突出部6aが含まれている。
また、データ線6および中継電極16aを覆うように第3層間絶縁膜14が設けられ、第3層間絶縁膜14上に画素電極15が設けられている。また、画素電極15を覆って、保護膜17、配向膜18が順に形成されている。
突出部6aの端部に形成されたコンタクトホール13aは、ゲート絶縁膜11、第1層間絶縁膜12、第2層間絶縁膜13を貫通するように設けられ、ホール開口部を低抵抗配線材料によって埋められている。
データ線6の突出部6aは、コンタクトホール13aを介して半導体層30aのソース30sと接続している。
拡張部3aの端部に形成されたコンタクトホール13bは、ゲート絶縁膜11、第1層間絶縁膜12、第2層間絶縁膜13を貫通するように設けられ、ホール開口部を低抵抗配線材料によって埋められている。
中継電極16aは、コンタクトホール13bを介して半導体層30aのドレイン30dと接続している。
コンタクトホール14aは、第3層間絶縁膜14を貫通するように設けられ、ホール開口部を画素電極15の形成材料を用いて埋められている。
中継電極16aは、コンタクトホール14aを介して画素電極15と接続している。
突出部6aの端部に形成されたコンタクトホール13aは、ゲート絶縁膜11、第1層間絶縁膜12、第2層間絶縁膜13を貫通するように設けられ、ホール開口部を低抵抗配線材料によって埋められている。
データ線6の突出部6aは、コンタクトホール13aを介して半導体層30aのソース30sと接続している。
拡張部3aの端部に形成されたコンタクトホール13bは、ゲート絶縁膜11、第1層間絶縁膜12、第2層間絶縁膜13を貫通するように設けられ、ホール開口部を低抵抗配線材料によって埋められている。
中継電極16aは、コンタクトホール13bを介して半導体層30aのドレイン30dと接続している。
コンタクトホール14aは、第3層間絶縁膜14を貫通するように設けられ、ホール開口部を画素電極15の形成材料を用いて埋められている。
中継電極16aは、コンタクトホール14aを介して画素電極15と接続している。
走査線3、容量線4、データ線6、中継電極16a、コンタクトホール13a,13b,コンタクトホール14aは、いずれも低抵抗配線材料であり、その好適例として例えばAlやその合金などからなる。
ゲート絶縁膜11、第1層間絶縁膜12、第2層間絶縁膜13、第3層間絶縁膜14、保護膜17は、透明な材料であり、好適例として例えばシリコン酸化膜などの無機材料を用いている。
ゲート絶縁膜11、第1層間絶縁膜12、第2層間絶縁膜13、第3層間絶縁膜14、保護膜17は、透明な材料であり、好適例として例えばシリコン酸化膜などの無機材料を用いている。
<シール領域の構成>
図3(a)、(b)は、図1(a)に示すシール領域のQ部を拡大した概略図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のC−C’線における断面図である。
次に、シール領域の構成について、図3(a)および(b)を参照して説明する。
シール材40には、一定の径を有するガラス粒子や繊維(グラスファイバー)などのギャップ剤(図示していない)が含まれており、これにより素子基板10と対向基板20とのギャップ(隙間)を所定の量に規定している。従って、シール材40と重なるシール領域における基板表面の平坦度が低い場合には、上記所定の間隔が安定しないため、シール領域に渡って、基板表面の平坦性が求められる。
このため、図3(b)に示すように、シール領域の積層構造は、画素を構成する領域の積層構造(図2(b))と近似させている。積層構造を近似させることで、素子基板10のシール領域における高さ(厚さ)を画素領域の高さ(厚さ)と略同等としている。換言すれば、高さを略同等とすることで、シール領域における基板表面の平坦化を図っている。
図3(a)、(b)は、図1(a)に示すシール領域のQ部を拡大した概略図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のC−C’線における断面図である。
次に、シール領域の構成について、図3(a)および(b)を参照して説明する。
シール材40には、一定の径を有するガラス粒子や繊維(グラスファイバー)などのギャップ剤(図示していない)が含まれており、これにより素子基板10と対向基板20とのギャップ(隙間)を所定の量に規定している。従って、シール材40と重なるシール領域における基板表面の平坦度が低い場合には、上記所定の間隔が安定しないため、シール領域に渡って、基板表面の平坦性が求められる。
このため、図3(b)に示すように、シール領域の積層構造は、画素を構成する領域の積層構造(図2(b))と近似させている。積層構造を近似させることで、素子基板10のシール領域における高さ(厚さ)を画素領域の高さ(厚さ)と略同等としている。換言すれば、高さを略同等とすることで、シール領域における基板表面の平坦化を図っている。
具体的には、素子基板10には、第1の遮光部材としてのダミーパターン61〜64と、それらを覆う第1層間絶縁膜12〜第3層間絶縁膜14、保護膜17および配向膜18が積層されている。また、対向基板20には、第2の遮光部材としてのダミーパターン65と、それを覆う平坦化層22、共通電極23、配向膜24などが積層されている。
ダミーパターン61は、走査線3を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に第1層間絶縁膜12を積層している。
ダミーパターン62は、容量線4を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に第2層間絶縁膜13を積層している。
ダミーパターン63は、データ線6を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に第3層間絶縁膜14を積層している。
ダミーパターン64は、画素電極15を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に保護膜17を積層している。
ダミーパターン65は、額縁状の見切り部21を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に平坦化層22を積層している。
ダミーパターン61は、走査線3を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に第1層間絶縁膜12を積層している。
ダミーパターン62は、容量線4を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に第2層間絶縁膜13を積層している。
ダミーパターン63は、データ線6を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に第3層間絶縁膜14を積層している。
ダミーパターン64は、画素電極15を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に保護膜17を積層している。
ダミーパターン65は、額縁状の見切り部21を形成する際にダミーパターンとして同時に形成する。層間膜として、画素部の積層構造と同様に平坦化層22を積層している。
また、図3(a)に示すように、ダミーパターン61〜65は、シール材40と重なる領域に選択的に形成されると共に、シール材40の延在方向に略直角な短冊状の形状で、略等間隔に配置されている。ダミーパターン61〜64と、ダミーパターン65とは、平面的な重なりが無いように交互に配置されている。つまり、電気回路的には意味の無いダミーパターンが、シール材と重なる領域に選択的に形成されている。
第1層間絶縁膜12〜第3層間絶縁膜14および保護膜17は、透明材料であり、好適例としてシリコン酸化膜などの無機材料を用いている。
第1層間絶縁膜12〜第3層間絶縁膜14および保護膜17は、透明材料であり、好適例としてシリコン酸化膜などの無機材料を用いている。
またQ部(図1)に示す部分だけでなく、シール材40が配置される他の領域においても、同様に第1遮光部材と第2遮光部材とが重ならない配置となっている。
具体的には、額縁状のシール材40が屈曲(カーブ)する基板コーナー部においては、シール材40の屈曲部円弧の外周に近づくに従って幅が広がる扇状のパターンを採用しても良い。また、図3(a)のような短冊形状(ストライプ)ではなく、市松模様(Checkered pattern)のような形状であっても構わない。
また、第1遮光部材は、ダミーパターンではなく、配線105aや105bであっても良い。その場合、第2遮光部材(ダミーパターン65)は、平面視において、それらの配線に重ならない配置になっている必要がある。
<製造方法>
シール領域において、透明な素子基板10に積層される構造体は、ダミーパターン61〜64を除き透明であり、また透明な対向基板20に積層される構造体は、ダミーパターン65を除き透明である。
このような構成において、シール材40を硬化させる際には、素子基板10と対向基板20の両面から紫外線を照射する。換言すれば、素子基板10と対向基板20とから構成される表示パネルの表裏両面から紫外線を照射する。具体的には、図3(b)に示すように、素子基板10側から照射する紫外線R1と対向基板20側から照射する紫外線R2とによりシール材40を照射する。
具体的には、額縁状のシール材40が屈曲(カーブ)する基板コーナー部においては、シール材40の屈曲部円弧の外周に近づくに従って幅が広がる扇状のパターンを採用しても良い。また、図3(a)のような短冊形状(ストライプ)ではなく、市松模様(Checkered pattern)のような形状であっても構わない。
また、第1遮光部材は、ダミーパターンではなく、配線105aや105bであっても良い。その場合、第2遮光部材(ダミーパターン65)は、平面視において、それらの配線に重ならない配置になっている必要がある。
<製造方法>
シール領域において、透明な素子基板10に積層される構造体は、ダミーパターン61〜64を除き透明であり、また透明な対向基板20に積層される構造体は、ダミーパターン65を除き透明である。
このような構成において、シール材40を硬化させる際には、素子基板10と対向基板20の両面から紫外線を照射する。換言すれば、素子基板10と対向基板20とから構成される表示パネルの表裏両面から紫外線を照射する。具体的には、図3(b)に示すように、素子基板10側から照射する紫外線R1と対向基板20側から照射する紫外線R2とによりシール材40を照射する。
なお、本実施形態では、液晶装置を反射型として説明したが、透過型であっても良い。この場合、ITOなどの透明電極を用いて画素電極15を構成する。また、各配線や、TFT30、保持容量を形成する拡張部3aなどは、画素電極15間に配置する。換言すれば、ブラックマトリクスと重なるように各配線および画素回路を形成する。
以上述べたように、本実施形態による液晶装置および製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
図3(a)で説明したように、平面視において、第1遮光部材(ダミーパターン61〜ダミーパターン64)と第2遮光部材(ダミーパターン65)とが重ならない配置となっている。そのため、図3(b)に示すように、素子基板10側から照射する紫外線R1と対向基板20側から照射する紫外線R2とが、均等にシール材40に照射される。その結果、光量差△E(図7(b))の照射光量むらが生じていた従来の液晶装置と異なり、シール領域に対し均一な照射が可能となる。シール材の光重合が均一に進むことで、硬化むらの発生が低減され、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを防ぐことができる。
よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。
従って、信頼性を確保した液晶装置100を提供することができる。
図3(a)で説明したように、平面視において、第1遮光部材(ダミーパターン61〜ダミーパターン64)と第2遮光部材(ダミーパターン65)とが重ならない配置となっている。そのため、図3(b)に示すように、素子基板10側から照射する紫外線R1と対向基板20側から照射する紫外線R2とが、均等にシール材40に照射される。その結果、光量差△E(図7(b))の照射光量むらが生じていた従来の液晶装置と異なり、シール領域に対し均一な照射が可能となる。シール材の光重合が均一に進むことで、硬化むらの発生が低減され、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを防ぐことができる。
よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。
従って、信頼性を確保した液晶装置100を提供することができる。
(実施形態2)
図4は、本実施形態に係るシール領域における概略断面図であり、図3(b)に対応している。
次に実施形態2に係る液晶装置110について説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
本実施形態の液晶装置110は、シール領域の積層構造のみが実施形態1の液晶装置100と異なる。詳しくは、素子基板10とダミーパターン61との間に第1集光部90をさらに備えている。また、対向基板20とダミーパターン65との間に第2集光部91をさらに備えている。これらの構成以外は、実施形態1の液晶装置100と同様である。
図4は、本実施形態に係るシール領域における概略断面図であり、図3(b)に対応している。
次に実施形態2に係る液晶装置110について説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
本実施形態の液晶装置110は、シール領域の積層構造のみが実施形態1の液晶装置100と異なる。詳しくは、素子基板10とダミーパターン61との間に第1集光部90をさらに備えている。また、対向基板20とダミーパターン65との間に第2集光部91をさらに備えている。これらの構成以外は、実施形態1の液晶装置100と同様である。
素子基板10とダミーパターン61との間に形成された第1集光部90は、凸レンズ層81と平坦化層86から構成されている。
凸レンズ層81には、第1のレンズとしての複数のマイクロ凸レンズ81aが形成されている。また、マイクロ凸レンズ81aは、凸面をシール材40側に指し向けている。
平坦化層86は、マイクロ凸レンズ81aからなる凸レンズ層を覆い、表面を平坦化させている。換言すれば、ダミーパターン61側の面が平面で、マイクロ凸レンズ81a側の面が当該凸レンズ面を補完する凹レンズ面となっている。
凸レンズ層81には、第1のレンズとしての複数のマイクロ凸レンズ81aが形成されている。また、マイクロ凸レンズ81aは、凸面をシール材40側に指し向けている。
平坦化層86は、マイクロ凸レンズ81aからなる凸レンズ層を覆い、表面を平坦化させている。換言すれば、ダミーパターン61側の面が平面で、マイクロ凸レンズ81a側の面が当該凸レンズ面を補完する凹レンズ面となっている。
マイクロ凸レンズ81aは、第1の遮光部を構成する隣り合うダミーパターンの間隙を跨ぐ位置に形成されている。つまり、具体的には、図3(a)のように、短冊状の形状を呈するダミーパターンの場合、形成される凸レンズは、ダミーパターンの間隙に跨るかまぼこ状(Semi-cylindrical)のレンズが並列する形となっている。
対向基板20とダミーパターン65との間に形成された第2集光部91は、凸レンズ層82と平坦化層87から構成されている。
凸レンズ層82には、第2のレンズとしての複数のマイクロ凸レンズ82aが形成されている。また、マイクロ凸レンズ82aは、凸面をシール材40側に指し向けている。つまり、複数のマイクロ凸レンズ82aは、複数のマイクロ凸レンズ81aをシール材40に対して略ミラー反転した形状となっている。
平坦化層87は、マイクロ凸レンズ82aからなる凸レンズ層を覆い、表面を平坦化させている。換言すれば、ダミーパターン65側の面が平面で、マイクロ凸レンズ82a側の面が当該凸レンズ面を補完する凹レンズ面となっている。
凸レンズ層82には、第2のレンズとしての複数のマイクロ凸レンズ82aが形成されている。また、マイクロ凸レンズ82aは、凸面をシール材40側に指し向けている。つまり、複数のマイクロ凸レンズ82aは、複数のマイクロ凸レンズ81aをシール材40に対して略ミラー反転した形状となっている。
平坦化層87は、マイクロ凸レンズ82aからなる凸レンズ層を覆い、表面を平坦化させている。換言すれば、ダミーパターン65側の面が平面で、マイクロ凸レンズ82a側の面が当該凸レンズ面を補完する凹レンズ面となっている。
マイクロ凸レンズ82aは、マイクロ凸レンズ81aと同様に、第2の遮光部を構成する隣り合うダミーパターン65の間隙を跨ぐ位置に形成されている。
なお、上述したように、素子基板10側に第1集光部90を形成した場合、当該集光部の分だけ、シール領域における厚さが、表示領域における厚さよりも厚くなってしまう。つまり、素子基板10における積層構造の厚さが不均一になってしまう。また、対向基板20側の第2集光部91についても同様である。
このため、素子基板10の表示領域Eにおいても、凸レンズ層81および平坦化層86を形成している。なお、表示領域Eでは、集光作用は不要であるため、レンズは形成せずに、両層ともに平坦層としている。換言すれば、表示領域Eにおいても、凸レンズ層81および平坦化層86を平坦化して延在させることにより、積層構造の厚さを均一にしている。また、対向基板20の表示領域Eにおいても、同様に、凸レンズ層82および平坦化層87を平坦化して延在させている。
または、素子基板10のシール領域をあらかじめ第1集光部90の厚さ分だけ掘り下げ加工しておき、当該加工部に選択的に第1集光部90を形成する構成としても良い。この構成によれば、表示領域Eには、凸レンズ層81および平坦化層86を延在する必要がないので、その分、表示装置の薄型化を図ることができる。また、対向基板20側においても、同様に、シール領域をあらかじめ第2集光部91の厚さ分だけ掘り下げ加工しておき、当該加工部に選択的に第2集光部91を形成する構成としても良い。
なお、レンズの形成や、平坦化は、フォトリソグラフィー、レーザー加工、ガラスリフローなどの各方法により行なうことが出来る。
このため、素子基板10の表示領域Eにおいても、凸レンズ層81および平坦化層86を形成している。なお、表示領域Eでは、集光作用は不要であるため、レンズは形成せずに、両層ともに平坦層としている。換言すれば、表示領域Eにおいても、凸レンズ層81および平坦化層86を平坦化して延在させることにより、積層構造の厚さを均一にしている。また、対向基板20の表示領域Eにおいても、同様に、凸レンズ層82および平坦化層87を平坦化して延在させている。
または、素子基板10のシール領域をあらかじめ第1集光部90の厚さ分だけ掘り下げ加工しておき、当該加工部に選択的に第1集光部90を形成する構成としても良い。この構成によれば、表示領域Eには、凸レンズ層81および平坦化層86を延在する必要がないので、その分、表示装置の薄型化を図ることができる。また、対向基板20側においても、同様に、シール領域をあらかじめ第2集光部91の厚さ分だけ掘り下げ加工しておき、当該加工部に選択的に第2集光部91を形成する構成としても良い。
なお、レンズの形成や、平坦化は、フォトリソグラフィー、レーザー加工、ガラスリフローなどの各方法により行なうことが出来る。
マイクロ凸レンズ81aおよびマイクロ凸レンズ82aは、透明な絶縁体であって、その屈折率は、積層構造として接する素子基板10や対向基板20および平坦化層86、平坦化層87それぞれの屈折率に対し、相対的に大きい材料を用いている。好適例としてAl2O3(酸化アルミニウム)を使用している。また、Al2O3に限らず、TiOn(酸化チタン)を使用しても良い。また、平坦化層86および平坦化層87は、透明な絶縁体であって、マイクロ凸レンズ81aおよびマイクロ凸レンズ82aそれぞれの屈折率に対し、相対的に小さい材料を用いている。好適例としてSiO2(酸化シリコン)を使用している。
マイクロ凸レンズ81aおよびマイクロ凸レンズ82aの表面形状(レンズ形状)は、これらのレンズの屈折率と、これらのレンズに接する素子基板10や対向基板20および平坦化層それぞれの屈折率の値によって適正化することが出来る。適正化とは、素子基板10および対向基板20の両側から照射される光が効率的にシール材40に照射されるようにすることである。
なお、レンズの屈折率が積層構造において接する層(当接層)の屈折率よりも大きいことに限定するものではなく、当接層の屈折率よりも小さくても良い。この場合、マイクロ凸レンズ81aおよびマイクロ凸レンズ82aのレンズ形状は、凹レンズを呈することになる。
この構成によれば、シール材40を硬化させるために照射する光のうち、遮光部材に遮られてしまう光のすべてまたは一部は、図4の破線の矢印に示すように、集光部のマイクロ凸レンズによって集光され、遮光部材の間隙を通しシール材40に照射される。
具体的には、紫外線R1のうち、ダミーパターン61に向かって照射される光のすべてまたは一部は、マイクロ凸レンズ81aにより屈折し、ダミーパターン61〜ダミーパターン64の間隙を通しシール材40に到達する。同様に紫外線R2のうち、ダミーパターン65に向かって照射される光のすべてまたは一部は、マイクロ凸レンズ82aにより屈折し、ダミーパターン65の間隙を通しシール材40に到達する。
具体的には、紫外線R1のうち、ダミーパターン61に向かって照射される光のすべてまたは一部は、マイクロ凸レンズ81aにより屈折し、ダミーパターン61〜ダミーパターン64の間隙を通しシール材40に到達する。同様に紫外線R2のうち、ダミーパターン65に向かって照射される光のすべてまたは一部は、マイクロ凸レンズ82aにより屈折し、ダミーパターン65の間隙を通しシール材40に到達する。
以上述べたように、本実施形態による液晶装置110によれば、光硬化性のシール材を効果的に硬化させることが出来る。つまり、シール材に重なるダミーパターンに照射され、ダミーパターンによって遮られてしまう光のすべてまたは一部を集光し、シール材に照射することができるため、シール材に対する照射光の利用効率を向上させることが出来る。結果としてシール材の光重合が充分に進み、硬化むらの発生が低減し、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを防ぐことができる。
よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。
従って、信頼性を確保した液晶装置110を提供することができる。
よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。
従って、信頼性を確保した液晶装置110を提供することができる。
(実施形態3)
図5は、本実施形態に係るシール領域における概略断面図であり、図4に対応している。
次に実施形態3に係る液晶装置120について説明する。なお、実施形態2と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
本実施形態の液晶装置120は、実施形態2の液晶装置110とは、異なる態様の集光部を備えている。詳しくは、液晶装置120の第1集光部95には、マイクロ凸レンズ81aが集光した光を略平行化する平行屈折部92がさらに形成されている。また、第2集光部96にも、マイクロ凸レンズ82aが集光した光を略平行化する平行屈折部93がさらに形成されている。これらの構成以外は、実施形態1の液晶装置100と同様である。
図5は、本実施形態に係るシール領域における概略断面図であり、図4に対応している。
次に実施形態3に係る液晶装置120について説明する。なお、実施形態2と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
本実施形態の液晶装置120は、実施形態2の液晶装置110とは、異なる態様の集光部を備えている。詳しくは、液晶装置120の第1集光部95には、マイクロ凸レンズ81aが集光した光を略平行化する平行屈折部92がさらに形成されている。また、第2集光部96にも、マイクロ凸レンズ82aが集光した光を略平行化する平行屈折部93がさらに形成されている。これらの構成以外は、実施形態1の液晶装置100と同様である。
素子基板10において、平行屈折部92は、平坦化層86とダミーパターン61との間に配置されており、凹レンズ層83と、平坦化層88とから構成されている。
凹レンズ層83には、第3のレンズとしての複数のマイクロ凹レンズ83aが形成されている。また、マイクロ凹レンズ83aは、凹面をシール材40側に指し向けている。
平坦化層88は、マイクロ凹レンズ83aからなる凹レンズ層83を覆い、表面を平坦化させている。換言すれば、ダミーパターン61側の面が平面で、マイクロ凹レンズ83a側の面が当該凹レンズ面を補完する凸レンズ面となっている。
マイクロ凹レンズ83aは、第1の遮光部を構成する隣り合うダミーパターンの間隙を跨ぐ位置に形成されている。また、図5に示すように、積層方向(厚さ方向)において、各マイクロ凹レンズ83aは、その下層側(凸レンズ層81)のマイクロ凸レンズ81aと光学的に対となっている。
そして、マイクロ凹レンズ83aは、対となるマイクロ凸レンズ81aから入射する光束を素子基板10の面に対して略垂直な光束として射出するためのレンズ面を有している。
凹レンズ層83には、第3のレンズとしての複数のマイクロ凹レンズ83aが形成されている。また、マイクロ凹レンズ83aは、凹面をシール材40側に指し向けている。
平坦化層88は、マイクロ凹レンズ83aからなる凹レンズ層83を覆い、表面を平坦化させている。換言すれば、ダミーパターン61側の面が平面で、マイクロ凹レンズ83a側の面が当該凹レンズ面を補完する凸レンズ面となっている。
マイクロ凹レンズ83aは、第1の遮光部を構成する隣り合うダミーパターンの間隙を跨ぐ位置に形成されている。また、図5に示すように、積層方向(厚さ方向)において、各マイクロ凹レンズ83aは、その下層側(凸レンズ層81)のマイクロ凸レンズ81aと光学的に対となっている。
そして、マイクロ凹レンズ83aは、対となるマイクロ凸レンズ81aから入射する光束を素子基板10の面に対して略垂直な光束として射出するためのレンズ面を有している。
対向基板20において、平行屈折部93は、平坦化層87とダミーパターン65との間に配置されており、凹レンズ層84と、平坦化層89とから構成されている。
凹レンズ層84には、第4のレンズとしての複数のマイクロ凹レンズ84aが形成されている。また、マイクロ凹レンズ84aは、凹面をシール材40側に指し向けている。つまり、複数のマイクロ凹レンズ84aは、複数のマイクロ凹レンズ83aをシール材40に対して略ミラー反転した形状となっている。
平坦化層89は、マイクロ凹レンズ84aからなる凹レンズ層84を覆い、表面を平坦化させている。換言すれば、ダミーパターン65側の面が平面で、マイクロ凹レンズ84a側の面が当該凹レンズ面を補完する凸レンズ面となっている。
マイクロ凹レンズ84aは、マイクロ凹レンズ83aと同様に、第2の遮光部を構成する隣り合うダミーパターンの間隙を跨ぐ位置に形成されている。
また、図5に示すように、積層方向(厚さ方向)において、各マイクロ凹レンズ84aは、その下層側(凸レンズ層82)のマイクロ凸レンズ82aと光学的に対となっている。
そして、マイクロ凹レンズ84aは、対となるマイクロ凸レンズ82aから入射する光束を対向基板20の面に対して略垂直な光束として射出するためのレンズ面を有している。
凹レンズ層84には、第4のレンズとしての複数のマイクロ凹レンズ84aが形成されている。また、マイクロ凹レンズ84aは、凹面をシール材40側に指し向けている。つまり、複数のマイクロ凹レンズ84aは、複数のマイクロ凹レンズ83aをシール材40に対して略ミラー反転した形状となっている。
平坦化層89は、マイクロ凹レンズ84aからなる凹レンズ層84を覆い、表面を平坦化させている。換言すれば、ダミーパターン65側の面が平面で、マイクロ凹レンズ84a側の面が当該凹レンズ面を補完する凸レンズ面となっている。
マイクロ凹レンズ84aは、マイクロ凹レンズ83aと同様に、第2の遮光部を構成する隣り合うダミーパターンの間隙を跨ぐ位置に形成されている。
また、図5に示すように、積層方向(厚さ方向)において、各マイクロ凹レンズ84aは、その下層側(凸レンズ層82)のマイクロ凸レンズ82aと光学的に対となっている。
そして、マイクロ凹レンズ84aは、対となるマイクロ凸レンズ82aから入射する光束を対向基板20の面に対して略垂直な光束として射出するためのレンズ面を有している。
また、実施形態2と同様に、素子基板10の表示領域Eにおいて、凸レンズ層81および平坦化層86に加えて、凹レンズ層83と平坦化層88も平坦化して延在させることにより、積層構造の厚さを均一にしている。また、対向基板20の表示領域Eにおいても、同様に、凸レンズ層82および平坦化層87に加えて、凹レンズ層84と平坦化層89も平坦化して延在させている。
なお、実施形態2と同様に、素子基板10(対向基板20)のシール領域をあらかじめ第1集光部95(第2集光部96)の厚さ分だけ掘り下げ加工しておき、当該加工部に選択的に第1集光部95(第2集光部96)を形成する構成としても良い。
なお、実施形態2と同様に、素子基板10(対向基板20)のシール領域をあらかじめ第1集光部95(第2集光部96)の厚さ分だけ掘り下げ加工しておき、当該加工部に選択的に第1集光部95(第2集光部96)を形成する構成としても良い。
また、マイクロ凹レンズ83aおよびマイクロ凹レンズ84aの材質や、屈折率については、実施形態2での説明と同様である。
以上述べたように、本実施形態による液晶装置120によれば、以下の効果を得ることができる。
液晶装置120によれば、シール材に重なるダミーパターンに照射され、ダミーパターンによって遮られてしまう光のすべてまたは一部を集光し、シール材に照射することができるため、シール材に対する照射光の利用効率を向上させることが出来る。また、集光された光は、略平行化してシール材により均一に照射される。結果としてシール材の光重合が充分に、また、より均一に進むことで、硬化むらの発生が低減し、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを防ぐことができる。
よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。
従って、信頼性を確保した液晶装置120を提供することができる。
液晶装置120によれば、シール材に重なるダミーパターンに照射され、ダミーパターンによって遮られてしまう光のすべてまたは一部を集光し、シール材に照射することができるため、シール材に対する照射光の利用効率を向上させることが出来る。また、集光された光は、略平行化してシール材により均一に照射される。結果としてシール材の光重合が充分に、また、より均一に進むことで、硬化むらの発生が低減し、シール部分の応力歪や基板の接着力の低下などを防ぐことができる。
よって、表示パネルの歪みや反りを引き起こすことが少なくなり、表示むらなどの不良が発生し難くなる。
従って、信頼性を確保した液晶装置120を提供することができる。
<電子機器>
図6は投射型表示装置の構成を示す模式図である。
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置(液晶プロジェクター)について、図6を参照して説明する。
プロジェクター1000は、上記実施形態の液晶装置を光変調素子(反射型液晶ライトバルブ)として搭載した投射型液晶プロジェクターである。
図6に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置(液晶プロジェクター)1000は、システム光軸Lに沿って配置した光源部710と、インテグレーターレンズ720と、偏光変換素子730から概略構成される偏光照明装置700とを備えている。また、この偏光照明装置700から射出されたS偏光光束をS偏光光束反射面741により反射させる偏光ビームスプリッター740と、偏光ビームスプリッター740のS偏光光束反射面741から反射された光のうち、青色光(B)の成分を分離するダイクロックミラー742と、分離された青色光(B)を変調する反射型液晶ライトバルブ745Bとを備えている。同様にして、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光(R)の成分を反射させて分離するダイクロックミラー743と、分離された赤色光(R)を変調する反射型液晶ライトバルブ745Rとを備えている。また、ダイクロックミラー743を通過する残りの光の緑色光(G)を変調する反射型液晶ライトバルブ745Gを備えている。さらには、3つの反射型液晶ライトバルブ745R,745G,745Bにて変調された光をダイクロックミラー743,742、偏光ビームスプリッター740にて合成し、この合成光をスクリーン760に投射する投射レンズからなる投射光学系750を備えている。
図6は投射型表示装置の構成を示す模式図である。
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置(液晶プロジェクター)について、図6を参照して説明する。
プロジェクター1000は、上記実施形態の液晶装置を光変調素子(反射型液晶ライトバルブ)として搭載した投射型液晶プロジェクターである。
図6に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置(液晶プロジェクター)1000は、システム光軸Lに沿って配置した光源部710と、インテグレーターレンズ720と、偏光変換素子730から概略構成される偏光照明装置700とを備えている。また、この偏光照明装置700から射出されたS偏光光束をS偏光光束反射面741により反射させる偏光ビームスプリッター740と、偏光ビームスプリッター740のS偏光光束反射面741から反射された光のうち、青色光(B)の成分を分離するダイクロックミラー742と、分離された青色光(B)を変調する反射型液晶ライトバルブ745Bとを備えている。同様にして、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光(R)の成分を反射させて分離するダイクロックミラー743と、分離された赤色光(R)を変調する反射型液晶ライトバルブ745Rとを備えている。また、ダイクロックミラー743を通過する残りの光の緑色光(G)を変調する反射型液晶ライトバルブ745Gを備えている。さらには、3つの反射型液晶ライトバルブ745R,745G,745Bにて変調された光をダイクロックミラー743,742、偏光ビームスプリッター740にて合成し、この合成光をスクリーン760に投射する投射レンズからなる投射光学系750を備えている。
光源部710から射出されたランダムな偏光光束は、インテグレーターレンズ720により複数の中間光束に分割された後、第2のインテグレーターレンズを光入射側に有する偏光変換素子730により偏光光束がほぼ揃った一種類の偏光光束(S偏光光束)に変換されてから偏光ビームスプリッター740に至るようになっている。偏光変換素子730から射出されたS偏光光束は、偏光ビームスプリッター740のS偏光光束反射面741によって反射され、反射された光束のうち、青色光(B)の光束がダイクロックミラー742の青色光反射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ745Bによって変調される。また、ダイクロックミラー742の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光(R)の光束はダイクロックミラー743の赤色光反射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ745Rによって変調される。一方、ダイクロックミラー743の赤色光反射層を透過した緑色光(G)の光束は反射型液晶ライトバルブ745Gにより変調される。以上のようにして反射型液晶ライトバルブ745R,745G,745Bによって色光の変調がなされる。
これらの反射型液晶ライトバルブ745R,745G,745Bの画素から反射された色光のうち、S偏光成分はS偏光を反射する偏光ビームスプリッター740を通過せず、P偏光成分は通過する。この偏光ビームスプリッター740を透過した光により画像が形成される。
これらの反射型液晶ライトバルブ745R,745G,745Bの画素から反射された色光のうち、S偏光成分はS偏光を反射する偏光ビームスプリッター740を通過せず、P偏光成分は通過する。この偏光ビームスプリッター740を透過した光により画像が形成される。
本実施形態では、反射型ライトバルブを例に説明したが、透過型ライトバルブを搭載した投射型液晶プロジェクターにおいても本発明に係る液晶装置を適用させることが出来る。
また、電子機器としては、図6を参照して説明した他にも、リアプロジェクション型のテレビジョンや、直視型、例えば携帯電話や、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、本発明に係る液晶装置を適用させることができる。
また、電子機器としては、図6を参照して説明した他にも、リアプロジェクション型のテレビジョンや、直視型、例えば携帯電話や、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、本発明に係る液晶装置を適用させることができる。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
(変形例1)
変形例1に係る液晶装置について、以下に説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
実施形態1では、図3(a)において、ダミーパターン61〜65の形状は、短冊状として説明したが、この形状に限定するものではない。ダミーパターン61〜64と、ダミーパターン65とは、平面的な重なりが無いように交互に配置されている形状であれば良く、市松模様のような形状でも構わない。
(変形例2)
変形例2に係る液晶装置について、以下に説明する。なお、実施形態2と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
実施形態2では、短冊状の形状を呈するダミーパターンの場合、形成される凸レンズ層は、ダミーパターンの間隙に跨るかまぼこ状のレンズが並列する形となると説明したが、この形状に限定するものではない。変形例1に述べるように市松模様を呈するダミーパターンを採用した場合には、略半球形状のレンズとなる。
(変形例3)
変形例3に係る液晶装置について、以下に説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
実施形態1では、第1遮光部材は、ダミーパターンとして説明したが、電気的にフローティングのダミーパターンに限定するものではない。電気的に接続された配線であっても良く、例えば配線105aや105bなどであっても良い。その場合、第2遮光部材(ダミーパターン65)は、平面視において、それらの配線に重ならない配置になっている必要がある。
変形例1に係る液晶装置について、以下に説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
実施形態1では、図3(a)において、ダミーパターン61〜65の形状は、短冊状として説明したが、この形状に限定するものではない。ダミーパターン61〜64と、ダミーパターン65とは、平面的な重なりが無いように交互に配置されている形状であれば良く、市松模様のような形状でも構わない。
(変形例2)
変形例2に係る液晶装置について、以下に説明する。なお、実施形態2と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
実施形態2では、短冊状の形状を呈するダミーパターンの場合、形成される凸レンズ層は、ダミーパターンの間隙に跨るかまぼこ状のレンズが並列する形となると説明したが、この形状に限定するものではない。変形例1に述べるように市松模様を呈するダミーパターンを採用した場合には、略半球形状のレンズとなる。
(変形例3)
変形例3に係る液晶装置について、以下に説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
実施形態1では、第1遮光部材は、ダミーパターンとして説明したが、電気的にフローティングのダミーパターンに限定するものではない。電気的に接続された配線であっても良く、例えば配線105aや105bなどであっても良い。その場合、第2遮光部材(ダミーパターン65)は、平面視において、それらの配線に重ならない配置になっている必要がある。
10…一方の基板としての素子基板、20…他方の基板としての対向基板、22,86〜89…平坦化層、23…共通電極、24…配向膜、40…シール材、50…電気光学物質としての液晶、61〜64…第1遮光部材としてのダミーパターン、65…第2遮光部材としてのダミーパターン、81,82…凸レンズ層、81a…第1のレンズとしてのマイクロ凸レンズ、82a…第2のレンズとしてのマイクロ凸レンズ、83a…第3のレンズとしてのマイクロ凹レンズ、84a…第4のレンズとしてのマイクロ凹レンズ、83,84…凹レンズ層、90,95…第1集光部、91,96…第2集光部、92,93…平行屈折部、100,110,120…液晶装置、1000…プロジェクター、R1,R2…紫外線。
Claims (9)
- 周囲を光硬化性のシール材によって貼り合わされた一対の透明基板と、
前記一対の透明基板のいずれか一方の基板の前記シール材と重なる領域に配置された第1の遮光性部材と、
前記一対の透明基板の他方の基板の前記シール材と重なる領域に配置された第2の遮光性部材とを備え、
前記第2の遮光性部材が、前記第1の遮光性部材と重ならないように配置されたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記シール材は、光硬化性の材料からなり、
前記一対の透明基板の間に、前記シール材で封入された電気光学物質をさらに備え、前記第1の遮光性部材または前記第2の遮光性部材のいずれか一方は、前記電気光学物質を表示駆動するための電気信号を供給する配線であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記第1の遮光性部材および前記第2の遮光性部材は、平面的な重なりが無いように、交互に略等間隔で配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。
- 前記一方の基板に形成された第1の集光部と、
前記他方の基板に形成された第2の集光部と、をさらに備え、
前記第1の集光部には、隣り合う前記第1の遮光性部材の間隙を跨ぐように配置された複数の第1のレンズが形成され、
前記第2の集光部には、隣り合う前記第2の遮光性部材の間隙を跨ぐように配置された複数の第2のレンズが形成されてなり、
前記第1のレンズは、前記一方の基板における前記電気光学物質とは反対側の第1面に対して略垂直に入射する光のうち、前記第1の遮光性部材に当たる光の一部を集光し、隣り合う前記第1の遮光性部材の間隙に射出するためのレンズ面を有しており、
前記第2のレンズは、前記他方の基板における前記電気光学物質とは反対側の第2面に対して略垂直に入射する光のうち、前記第2の遮光性部材に当たる光の一部を集光し、隣り合う前記第2の遮光性部材の間隙に射出するためのレンズ面を有していることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。 - 前記第1の集光部および前記第2の集光部は、前記一方の基板または前記他方の基板における基材上に形成された屈折率の異なる複数の透明層からなり、
前記第1のレンズおよび前記第2のレンズは、前記複数の透明層における凸レンズ層に形成された凸レンズであることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。 - 前記凸レンズ層の屈折率は、前記凸レンズ層に接する前記基材、または前記透明層の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。
- 前記第1の集光部には、前記第1のレンズと前記第1の遮光性部材との間に配置された第3のレンズが前記第1のレンズごとに形成され、
前記第2の集光部には、前記第2のレンズと前記第2の遮光性部材との間に配置された第4のレンズが前記第2のレンズごとに形成されており、
前記第3のレンズおよび前記第4のレンズは、前記第1のレンズまたは前記第2のレンズが前記集光した光を略平行化するための凹レンズであることを特徴とする請求項4または5に記載の電気光学装置。 - 前記第3のレンズおよび前記第4のレンズは、前記複数の透明層における凹レンズ層に形成された凹レンズであり、前記凹レンズ層の屈折率は、前記凹レンズ層が接する前記透明層の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010092919A JP2011221430A (ja) | 2010-04-14 | 2010-04-14 | 電気光学装置、および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010092919A JP2011221430A (ja) | 2010-04-14 | 2010-04-14 | 電気光学装置、および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011221430A true JP2011221430A (ja) | 2011-11-04 |
Family
ID=45038453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010092919A Withdrawn JP2011221430A (ja) | 2010-04-14 | 2010-04-14 | 電気光学装置、および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011221430A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015075682A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置および投射型表示装置 |
KR20200076855A (ko) * | 2018-12-20 | 2020-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 표시장치 |
-
2010
- 2010-04-14 JP JP2010092919A patent/JP2011221430A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015075682A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置および投射型表示装置 |
KR20200076855A (ko) * | 2018-12-20 | 2020-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 표시장치 |
KR102657409B1 (ko) * | 2018-12-20 | 2024-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 표시장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8199275B2 (en) | Electro-optical device comprising a prismatic portion formed in a surface of a first substrate and covered by a functional layer that does not protrude into an electro-optical layer | |
JPH11295683A (ja) | 電気光学装置およびその製造方法並びに投射型表示装置 | |
JP2018100994A (ja) | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 | |
JP2017067999A (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 | |
JP2013213899A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2012203235A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP2015022100A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 | |
JP2010002450A (ja) | マイクロレンズ基板、並びに電気光学装置及び電子機器 | |
JP2014102268A (ja) | マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、および電子機器 | |
JP2012083517A (ja) | 液晶装置および投射型表示装置 | |
JP6398361B2 (ja) | マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、および電子機器 | |
JP2007333771A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2011221430A (ja) | 電気光学装置、および電子機器 | |
JP2013224994A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP3826649B2 (ja) | 電気光学装置及び投射型表示装置 | |
JP5842456B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2013235127A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2011191475A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP6003214B2 (ja) | マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2011164189A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP5549328B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP6364912B2 (ja) | マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2012088418A (ja) | 液晶装置、投射型表示装置および液晶装置の製造方法 | |
JP6299493B2 (ja) | マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、および電子機器 | |
US10866445B2 (en) | Display device and liquid crystal device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20130702 |