JP2002196355A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/501—Blocking layers, e.g. against migration of ions
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置におけるイオン性不純物に起因
する表示ムラ、コントラスト低下、焼き付き、電極の腐
食等を防止する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板１上のシール
材３形成領域の内側において表示領域５の外側には枠状
のイオン性不純物吸着電極３１がコモン基板２下に設け
られたコモン電極と対向するように設けられている。そ
して、コモン電極にコモン電圧を印加し、イオン性不純
物吸着電極３１にコモン電圧に対して正方向または負方
向に１〜２Ｖ程度オフセットされた直流電圧を印加す
る。すると、この両電圧の差に応じた縦電界がイオン性
不純物吸着電極３１とコモン電極との間に発生し、液晶
４中のイオン性不純物がイオン性不純物吸着電極３１に
吸着されて固定される。
する表示ムラ、コントラスト低下、焼き付き、電極の腐
食等を防止する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板１上のシール
材３形成領域の内側において表示領域５の外側には枠状
のイオン性不純物吸着電極３１がコモン基板２下に設け
られたコモン電極と対向するように設けられている。そ
して、コモン電極にコモン電圧を印加し、イオン性不純
物吸着電極３１にコモン電圧に対して正方向または負方
向に１〜２Ｖ程度オフセットされた直流電圧を印加す
る。すると、この両電圧の差に応じた縦電界がイオン性
不純物吸着電極３１とコモン電極との間に発生し、液晶
４中のイオン性不純物がイオン性不純物吸着電極３１に
吸着されて固定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示装置に関
し、特に、イオン性不純物吸着電極を備えた液晶表示装
置に関する。
し、特に、イオン性不純物吸着電極を備えた液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来の液晶表示装置の一部の等
価回路的透過平面図を示したものである。この液晶表示
装置は、アクティブマトリクス基板１とコモン基板２と
がほぼ方形枠状のシール材３を介して貼り合わされ、シ
ール材３の内側における両基板１、２間に液晶４（図１
１参照）が封入されたものからなっている。この場合、
アクティブマトリクス基板１の右辺部および下辺部はコ
モン基板２から突出されている。以下、これらの突出部
を右辺突出部１ａおよび下辺突出部１ｂという。また、
シール材３は、図１０において一点鎖線で示す表示領域
５の外側に配置されている。
価回路的透過平面図を示したものである。この液晶表示
装置は、アクティブマトリクス基板１とコモン基板２と
がほぼ方形枠状のシール材３を介して貼り合わされ、シ
ール材３の内側における両基板１、２間に液晶４（図１
１参照）が封入されたものからなっている。この場合、
アクティブマトリクス基板１の右辺部および下辺部はコ
モン基板２から突出されている。以下、これらの突出部
を右辺突出部１ａおよび下辺突出部１ｂという。また、
シール材３は、図１０において一点鎖線で示す表示領域
５の外側に配置されている。
【０００３】アクティブマトリクス基板１上の表示領域
５には、複数の画素電極６およびこれらの画素電極６に
それぞれ接続された薄膜トランジスタ７がマトリクス状
に設けられている。また、アクティブマトリクス基板１
上の表示領域５およびその外側には、薄膜トランジスタ
７に走査信号を供給するための複数の走査信号ライン８
が行方向に延びて設けられ、薄膜トランジスタ７にデー
タ信号を供給するための複数のデータ信号ライン９が列
方向に延びて設けられ、画素電極６との間で補助容量部
Ｃｓを形成する複数の補助容量ライン１０が行方向に延
びて設けられている。
５には、複数の画素電極６およびこれらの画素電極６に
それぞれ接続された薄膜トランジスタ７がマトリクス状
に設けられている。また、アクティブマトリクス基板１
上の表示領域５およびその外側には、薄膜トランジスタ
７に走査信号を供給するための複数の走査信号ライン８
が行方向に延びて設けられ、薄膜トランジスタ７にデー
タ信号を供給するための複数のデータ信号ライン９が列
方向に延びて設けられ、画素電極６との間で補助容量部
Ｃｓを形成する複数の補助容量ライン１０が行方向に延
びて設けられている。
【０００４】走査信号ライン８の右端部は、アクティブ
マトリクス基板１の右辺突出部１ａ上の点線で示す半導
体チップ搭載領域１１内に設けられた出力用接続パッド
１２に接続されている。データ信号ライン９の下端部
は、アクティブマトリクス基板１の下辺突出部１ｂ上の
点線で示す半導体チップ搭載領域１３内に設けられた出
力用接続パッド１４に接続されている。補助容量ライン
１０の右端部は、共通ライン１５を介してクロス用接続
パッド１６に接続されている。クロス用接続パッド１６
および半導体チップ搭載領域１１、１３内に設けられた
入力用接続パッド１７、１８は、アクティブマトリクス
基板１の下辺突出部１ｂ上の右側に設けられた外部接続
端子１９に引き回し線２０を介して接続されている。
マトリクス基板１の右辺突出部１ａ上の点線で示す半導
体チップ搭載領域１１内に設けられた出力用接続パッド
１２に接続されている。データ信号ライン９の下端部
は、アクティブマトリクス基板１の下辺突出部１ｂ上の
点線で示す半導体チップ搭載領域１３内に設けられた出
力用接続パッド１４に接続されている。補助容量ライン
１０の右端部は、共通ライン１５を介してクロス用接続
パッド１６に接続されている。クロス用接続パッド１６
および半導体チップ搭載領域１１、１３内に設けられた
入力用接続パッド１７、１８は、アクティブマトリクス
基板１の下辺突出部１ｂ上の右側に設けられた外部接続
端子１９に引き回し線２０を介して接続されている。
【０００５】次に、この液晶表示装置の一部の具体的な
構造について図１１を参照して説明する。アクティブマ
トリクス基板１上のシール材３形成領域の内側には配向
膜２１が画素電極６、薄膜トランジスタ９等を覆うよう
に設けられている。コモン基板２の下面にはブラックマ
スク２２、赤、緑、青のカラーフィルタ要素２３、コモ
ン電極２４、配向膜２５が設けられている。そして、両
基板１、２は、その間に樹脂からなる球状のスペーサ２
６が介在された状態で、シール材３を介して貼り合わさ
れ、その間には液晶４が封入され、シール材３の液晶注
入口３ａ（図１０参照）は封止材（図示せず）によって
封止されている。この場合、コモン電極２４は、図１０
に示すクロス用接続パッド１６にクロス材（図示せず）
を介して接続されている。
構造について図１１を参照して説明する。アクティブマ
トリクス基板１上のシール材３形成領域の内側には配向
膜２１が画素電極６、薄膜トランジスタ９等を覆うよう
に設けられている。コモン基板２の下面にはブラックマ
スク２２、赤、緑、青のカラーフィルタ要素２３、コモ
ン電極２４、配向膜２５が設けられている。そして、両
基板１、２は、その間に樹脂からなる球状のスペーサ２
６が介在された状態で、シール材３を介して貼り合わさ
れ、その間には液晶４が封入され、シール材３の液晶注
入口３ａ（図１０参照）は封止材（図示せず）によって
封止されている。この場合、コモン電極２４は、図１０
に示すクロス用接続パッド１６にクロス材（図示せず）
を介して接続されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
ような液晶表示装置では、シール材３、封止材、配向膜
２１、２５、カラーフィルタ要素２３、スペーサ２６等
が有機材料によって形成されており、これらからイオン
性不純物が液晶４中に溶出し、また液晶４自体にもイオ
ン性不純物が混入していることがある。液晶４中にイオ
ン性不純物が溶出したり混入したりすると、イオン性不
純物が集中した部分で電圧保持率が低下して表示ムラや
コントラストの低下が発生し、また電気二重層が形成さ
れて表示パターンの焼き付きや残像或いは電極の腐食を
引き起こす原因となり、表示品質や信頼性が低下すると
いう問題があった。この発明の課題は、イオン性不純物
に起因する表示ムラ、コントラスト低下、焼き付き、電
極の腐食等を防止することである。
ような液晶表示装置では、シール材３、封止材、配向膜
２１、２５、カラーフィルタ要素２３、スペーサ２６等
が有機材料によって形成されており、これらからイオン
性不純物が液晶４中に溶出し、また液晶４自体にもイオ
ン性不純物が混入していることがある。液晶４中にイオ
ン性不純物が溶出したり混入したりすると、イオン性不
純物が集中した部分で電圧保持率が低下して表示ムラや
コントラストの低下が発生し、また電気二重層が形成さ
れて表示パターンの焼き付きや残像或いは電極の腐食を
引き起こす原因となり、表示品質や信頼性が低下すると
いう問題があった。この発明の課題は、イオン性不純物
に起因する表示ムラ、コントラスト低下、焼き付き、電
極の腐食等を防止することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、請求項１に記載するように、２枚の基板
がほぼ枠状のシール材を介して貼り合わされ、前記シー
ル材の内側における前記２枚の基板間に液晶が封入され
た液晶表示装置において、前記２枚の基板のうち一方の
基板の他方の基板との対向面の前記シール材の内側にお
いて画素領域外にイオン性不純物吸着電極を設けたもの
である。本発明においては、請求項２に記載の発明のよ
うに、請求項１に記載の発明において、前記イオン性不
純物吸着電極を前記シール材の内側において表示領域の
外側に枠状に設けることが好ましい。また、請求項３に
記載の発明のように、請求項１に記載の発明において、
前記イオン性不純物吸着電極を前記シール材のうちイオ
ン性不純物が発生する側の辺の内側において表示領域の
外側に設けることが好ましい。また、請求項４に記載の
発明のように、請求項３に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極を前記シール材のうちイオン性不
純物が発生する側の辺に沿って直線状に設けることが好
ましい。また、請求項５に記載のように、請求項３に記
載の発明において、前記イオン性不純物吸着電極を前記
シール材のうちイオン性不純物が発生する側の辺に沿っ
て複数設けることが好ましい。また、請求項６に記載の
発明のように、請求項５に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極をデータ信号ラインに接続するこ
とが好ましい。また、請求項７に記載の発明のように、
請求項５に記載の発明において、前記イオン性不純物吸
着電極を走査信号ラインまたは補助容量ラインに接続す
ることが好ましい。また、請求項８に記載の発明のよう
に、請求項５に記載の発明において、前記イオン性不純
物吸着電極を１つおきにデータ信号ラインおよび走査信
号ラインまたは補助容量ラインに接続することが好まし
い。また、請求項９に記載の発明のように、請求項１に
記載の発明において、前記イオン性不純物吸着電極を補
助容量ラインに兼用させることが好ましい。また、請求
項１０に記載の発明のように、請求項１に記載の発明に
おいて、前記イオン性不純物吸着電極を各画素電極の外
側に少なくともその一辺に沿って設けることが好まし
い。また、請求項１１に記載の発明のように、請求項１
に記載の発明において、前記イオン性不純物吸着電極を
各画素電極を囲んでその外側に枠状に設けることが好ま
しい。加えて、請求項１２に記載の発明のように、請求
項２、３、４、９、１０、１１のいずれかに記載の発明
において、前記イオン性不純物吸着電極にコモン電圧に
対して正方向または負方向にオフセットされた直流電圧
を印加するようにすることが好ましい。そして、請求項
１に記載の発明によれば、２枚の基板のうち一方の基板
の他方の基板との対向面のシール材の内側において画素
領域外にイオン性不純物吸着電極を設けているので、液
晶中に溶出したり混入したりしているイオン性不純物が
イオン性不純物吸着電極に吸着されて固定され、これに
よりイオン性不純物に起因する表示ムラ、コントラスト
低下、焼き付き、電極の腐食等を防止することができ
る。
決するために、請求項１に記載するように、２枚の基板
がほぼ枠状のシール材を介して貼り合わされ、前記シー
ル材の内側における前記２枚の基板間に液晶が封入され
た液晶表示装置において、前記２枚の基板のうち一方の
基板の他方の基板との対向面の前記シール材の内側にお
いて画素領域外にイオン性不純物吸着電極を設けたもの
である。本発明においては、請求項２に記載の発明のよ
うに、請求項１に記載の発明において、前記イオン性不
純物吸着電極を前記シール材の内側において表示領域の
外側に枠状に設けることが好ましい。また、請求項３に
記載の発明のように、請求項１に記載の発明において、
前記イオン性不純物吸着電極を前記シール材のうちイオ
ン性不純物が発生する側の辺の内側において表示領域の
外側に設けることが好ましい。また、請求項４に記載の
発明のように、請求項３に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極を前記シール材のうちイオン性不
純物が発生する側の辺に沿って直線状に設けることが好
ましい。また、請求項５に記載のように、請求項３に記
載の発明において、前記イオン性不純物吸着電極を前記
シール材のうちイオン性不純物が発生する側の辺に沿っ
て複数設けることが好ましい。また、請求項６に記載の
発明のように、請求項５に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極をデータ信号ラインに接続するこ
とが好ましい。また、請求項７に記載の発明のように、
請求項５に記載の発明において、前記イオン性不純物吸
着電極を走査信号ラインまたは補助容量ラインに接続す
ることが好ましい。また、請求項８に記載の発明のよう
に、請求項５に記載の発明において、前記イオン性不純
物吸着電極を１つおきにデータ信号ラインおよび走査信
号ラインまたは補助容量ラインに接続することが好まし
い。また、請求項９に記載の発明のように、請求項１に
記載の発明において、前記イオン性不純物吸着電極を補
助容量ラインに兼用させることが好ましい。また、請求
項１０に記載の発明のように、請求項１に記載の発明に
おいて、前記イオン性不純物吸着電極を各画素電極の外
側に少なくともその一辺に沿って設けることが好まし
い。また、請求項１１に記載の発明のように、請求項１
に記載の発明において、前記イオン性不純物吸着電極を
各画素電極を囲んでその外側に枠状に設けることが好ま
しい。加えて、請求項１２に記載の発明のように、請求
項２、３、４、９、１０、１１のいずれかに記載の発明
において、前記イオン性不純物吸着電極にコモン電圧に
対して正方向または負方向にオフセットされた直流電圧
を印加するようにすることが好ましい。そして、請求項
１に記載の発明によれば、２枚の基板のうち一方の基板
の他方の基板との対向面のシール材の内側において画素
領域外にイオン性不純物吸着電極を設けているので、液
晶中に溶出したり混入したりしているイオン性不純物が
イオン性不純物吸着電極に吸着されて固定され、これに
よりイオン性不純物に起因する表示ムラ、コントラスト
低下、焼き付き、電極の腐食等を防止することができ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施形態に
おける液晶表示装置の要部の等価回路的透過平面図を示
したものである。この図において、説明の都合上、図１
０に示す従来例のものと同一部分には同一の符号を付し
て説明することとする。なお、以下の説明において、部
材に上、下および左、右を付して区別しているが、これ
は説明の便宜上から上、下或いは右、左と区別するだけ
であり、技術的な意味をもつものではない。
おける液晶表示装置の要部の等価回路的透過平面図を示
したものである。この図において、説明の都合上、図１
０に示す従来例のものと同一部分には同一の符号を付し
て説明することとする。なお、以下の説明において、部
材に上、下および左、右を付して区別しているが、これ
は説明の便宜上から上、下或いは右、左と区別するだけ
であり、技術的な意味をもつものではない。
【０００９】この液晶表示装置は、アクティブマトリク
ス基板１とコモン基板２とがほぼ方形枠状のシール材３
を介して貼り合わされ、シール材３の内側における両基
板１、２間に液晶４（図２参照）が封入されたものから
なっている。この場合、アクティブマトリクス基板１の
右辺部および下辺部はコモン基板２から突出されてい
る。以下、これらの突出部を右辺突出部１ａおよび下辺
突出部１ｂという。また、シール材３は、図１において
一点鎖線で示す表示領域５の外側に配置されている。
ス基板１とコモン基板２とがほぼ方形枠状のシール材３
を介して貼り合わされ、シール材３の内側における両基
板１、２間に液晶４（図２参照）が封入されたものから
なっている。この場合、アクティブマトリクス基板１の
右辺部および下辺部はコモン基板２から突出されてい
る。以下、これらの突出部を右辺突出部１ａおよび下辺
突出部１ｂという。また、シール材３は、図１において
一点鎖線で示す表示領域５の外側に配置されている。
【００１０】アクティブマトリクス基板１上の表示領域
５には、複数の画素電極６およびこれらの画素電極６に
それぞれ接続された薄膜トランジスタ７がマトリクス状
に設けられている。また、アクティブマトリクス基板１
上の表示領域５およびその外側には、薄膜トランジスタ
７に走査信号を供給するための複数の走査信号ライン８
が行方向に延びて設けられ、薄膜トランジスタ７にデー
タ信号を供給するための複数のデータ信号ライン９が列
方向に延びて設けられ、画素電極６との間で補助容量部
Ｃｓを形成する複数の補助容量ライン１０が行方向に延
びて設けられている。さらに、アクティブマトリクス基
板１上のシール材３形成領域の内側において表示領域５
の外側には枠状のイオン性不純物吸着電極３１が設けら
れている。
５には、複数の画素電極６およびこれらの画素電極６に
それぞれ接続された薄膜トランジスタ７がマトリクス状
に設けられている。また、アクティブマトリクス基板１
上の表示領域５およびその外側には、薄膜トランジスタ
７に走査信号を供給するための複数の走査信号ライン８
が行方向に延びて設けられ、薄膜トランジスタ７にデー
タ信号を供給するための複数のデータ信号ライン９が列
方向に延びて設けられ、画素電極６との間で補助容量部
Ｃｓを形成する複数の補助容量ライン１０が行方向に延
びて設けられている。さらに、アクティブマトリクス基
板１上のシール材３形成領域の内側において表示領域５
の外側には枠状のイオン性不純物吸着電極３１が設けら
れている。
【００１１】走査信号ライン８の右端部は、アクティブ
マトリクス基板１の右辺突出部１ａ上の点線で示す半導
体チップ搭載領域１１内に設けられた出力用接続パッド
１２に接続されている。データ信号ライン９の下端部
は、アクティブマトリクス基板１の下辺突出部１ｂ上の
点線で示す半導体チップ搭載領域１３内に設けられた出
力用接続パッド１４に接続されている。補助容量ライン
１０の右端部は、共通ライン１５を介してクロス用接続
パッド１６に接続されている。クロス用接続パッド１
６、半導体チップ搭載領域１１、１３内に設けられた入
力用接続パッド１７、１８およびイオン性不純物吸着電
極３１は、夫々、アクティブマトリクス基板１の下辺突
出部１ｂ上の右側に設けられた対応する外部接続端子１
９に引き回し線２０を介して接続されている。
マトリクス基板１の右辺突出部１ａ上の点線で示す半導
体チップ搭載領域１１内に設けられた出力用接続パッド
１２に接続されている。データ信号ライン９の下端部
は、アクティブマトリクス基板１の下辺突出部１ｂ上の
点線で示す半導体チップ搭載領域１３内に設けられた出
力用接続パッド１４に接続されている。補助容量ライン
１０の右端部は、共通ライン１５を介してクロス用接続
パッド１６に接続されている。クロス用接続パッド１
６、半導体チップ搭載領域１１、１３内に設けられた入
力用接続パッド１７、１８およびイオン性不純物吸着電
極３１は、夫々、アクティブマトリクス基板１の下辺突
出部１ｂ上の右側に設けられた対応する外部接続端子１
９に引き回し線２０を介して接続されている。
【００１２】次に、この液晶表示装置の一部の具体的な
構造について図２を参照して説明する。この図におい
て、説明の都合上、図１１に示す従来例のものと同一部
分には同一の符号を付して説明することとする。アクテ
ィブマトリクス基板１上のシール材３形成領域の内側に
は配向膜２１が画素電極６、薄膜トランジスタ９、イオ
ン性不純物吸着電極３１等を覆うように設けられてい
る。なお、イオン性不純物吸着電極３１には配向膜２１
を被覆しなくてもよい。
構造について図２を参照して説明する。この図におい
て、説明の都合上、図１１に示す従来例のものと同一部
分には同一の符号を付して説明することとする。アクテ
ィブマトリクス基板１上のシール材３形成領域の内側に
は配向膜２１が画素電極６、薄膜トランジスタ９、イオ
ン性不純物吸着電極３１等を覆うように設けられてい
る。なお、イオン性不純物吸着電極３１には配向膜２１
を被覆しなくてもよい。
【００１３】コモン基板２側にはブラックマスク２２、
赤、緑、青のカラーフィルタ要素２３、コモン電極２
４、配向膜２５が夫々積層されている。そして、両基板
１、２は、その間に樹脂からなる球状のスペーサ２６が
介在された状態で、シール材３を介して貼り合わされ、
その間には液晶４が封入され、シール材３の液晶注入口
３ａ（図１参照）は封止材（図示せず）によって封止さ
れている。この場合、イオン性不純物吸着電極３１はコ
モン電極２４と対向する位置に配置されている。また、
コモン電極２４は、図１に示すクロス用接続パッド１６
にクロス材（図示せず）を介して接続されている。した
がって、本実施形態では、コモン電極２４および補助容
量ライン１０の双方に、コモン電圧が印加される。
赤、緑、青のカラーフィルタ要素２３、コモン電極２
４、配向膜２５が夫々積層されている。そして、両基板
１、２は、その間に樹脂からなる球状のスペーサ２６が
介在された状態で、シール材３を介して貼り合わされ、
その間には液晶４が封入され、シール材３の液晶注入口
３ａ（図１参照）は封止材（図示せず）によって封止さ
れている。この場合、イオン性不純物吸着電極３１はコ
モン電極２４と対向する位置に配置されている。また、
コモン電極２４は、図１に示すクロス用接続パッド１６
にクロス材（図示せず）を介して接続されている。した
がって、本実施形態では、コモン電極２４および補助容
量ライン１０の双方に、コモン電圧が印加される。
【００１４】以上のように、この液晶表示装置では、ア
クティブマトリクス基板１上のシール材３形成領域の内
側において表示領域５の外側に枠状のイオン性不純物吸
着電極３１をコモン電極２４と対向させて設けている。
そして、コモン電極２４に印加されるコモン電圧が図３
において点線で示す場合、同図において実線で示すよう
に、コモン電圧に対して負方向（または正方向）に１〜
２Ｖ程度オフセットされたイオン性不純物吸着電圧（直
流電圧）をイオン性不純物吸着電極３１に印加する。す
ると、この両電圧の差に応じた液晶表示装置の厚さ方向
に形成される電界（以下、縦電界という）がイオン性不
純物吸着電極３１とコモン電極２４との間に発生し、液
晶４中に溶出したり混入したりしているイオン性不純物
がイオン性不純物吸着電極３１に吸着されて固定され、
これによりイオン性不純物に起因する表示ムラ、コント
ラスト低下、焼き付き、電極の腐食等を防止することが
でき、ひいては表示品質および信頼性を向上することが
できる。
クティブマトリクス基板１上のシール材３形成領域の内
側において表示領域５の外側に枠状のイオン性不純物吸
着電極３１をコモン電極２４と対向させて設けている。
そして、コモン電極２４に印加されるコモン電圧が図３
において点線で示す場合、同図において実線で示すよう
に、コモン電圧に対して負方向（または正方向）に１〜
２Ｖ程度オフセットされたイオン性不純物吸着電圧（直
流電圧）をイオン性不純物吸着電極３１に印加する。す
ると、この両電圧の差に応じた液晶表示装置の厚さ方向
に形成される電界（以下、縦電界という）がイオン性不
純物吸着電極３１とコモン電極２４との間に発生し、液
晶４中に溶出したり混入したりしているイオン性不純物
がイオン性不純物吸着電極３１に吸着されて固定され、
これによりイオン性不純物に起因する表示ムラ、コント
ラスト低下、焼き付き、電極の腐食等を防止することが
でき、ひいては表示品質および信頼性を向上することが
できる。
【００１５】ところで、シール材３の場合、その４辺が
共にイオン性不純物発生源であるが、図４において実線
の矢印で示すように、アクティブマトリクス基板１上の
配向膜２１のラビング方向２１ａが左上側から右下側に
向かう方向であり、コモン基板２側の配向膜２５のラビ
ング方向２５ａが左下側から右上側に向かう方向である
と、イオン性不純物の流れ方向は図４において一点鎖線
の矢印で示すように、シール材３の上辺から下辺に向か
う方向となる。すなわち、この場合、ほぼ方形枠状のシ
ール材３のうちの上辺部のみからイオン性不純物が発生
する。
共にイオン性不純物発生源であるが、図４において実線
の矢印で示すように、アクティブマトリクス基板１上の
配向膜２１のラビング方向２１ａが左上側から右下側に
向かう方向であり、コモン基板２側の配向膜２５のラビ
ング方向２５ａが左下側から右上側に向かう方向である
と、イオン性不純物の流れ方向は図４において一点鎖線
の矢印で示すように、シール材３の上辺から下辺に向か
う方向となる。すなわち、この場合、ほぼ方形枠状のシ
ール材３のうちの上辺部のみからイオン性不純物が発生
する。
【００１６】本実施形態においては、上述したように、
シール材３形成領域の内側で表示領域５の外側には枠状
のイオン性不純物吸着電極３１が設けられているから、
発生したイオン性不純物はイオン性不純物吸着電極３１
により吸着されて下辺方向への移動が阻止される。これ
により、イオン性不純物による各種表示不良の発生が防
止される。
シール材３形成領域の内側で表示領域５の外側には枠状
のイオン性不純物吸着電極３１が設けられているから、
発生したイオン性不純物はイオン性不純物吸着電極３１
により吸着されて下辺方向への移動が阻止される。これ
により、イオン性不純物による各種表示不良の発生が防
止される。
【００１７】なお、イオン性不純物吸着電極は、図５に
示すこの発明の第２実施形態のように、アクティブマト
リクス基板１上のシール材３形成領域のうち上辺（イオ
ン性不純物発生辺）の内側において表示領域５の外側に
直線状のイオン性不純物吸着電極３１を設け、このイオ
ン性不純物吸着電極３１の右端部を引き回し線３２を介
して所定の対応する外部接続端子１９に接続するように
してもよい。
示すこの発明の第２実施形態のように、アクティブマト
リクス基板１上のシール材３形成領域のうち上辺（イオ
ン性不純物発生辺）の内側において表示領域５の外側に
直線状のイオン性不純物吸着電極３１を設け、このイオ
ン性不純物吸着電極３１の右端部を引き回し線３２を介
して所定の対応する外部接続端子１９に接続するように
してもよい。
【００１８】また、図６に示すこの発明の第３実施形態
のように、アクティブマトリクス基板１上のシール材３
形成領域のうちの上辺の内側で表示領域５の外側に、各
データ信号ライン９を延出させて複数のイオン性不純物
吸着電極３１を所定の間隔をおいて１列に並べて形成し
てもよい。この場合、イオン性不純物吸着電極３１およ
びデータ信号ライン９はゲート絶縁膜３３上に設けら
れ、走査信号ライン８はゲート絶縁膜３３下に設けられ
ている。
のように、アクティブマトリクス基板１上のシール材３
形成領域のうちの上辺の内側で表示領域５の外側に、各
データ信号ライン９を延出させて複数のイオン性不純物
吸着電極３１を所定の間隔をおいて１列に並べて形成し
てもよい。この場合、イオン性不純物吸着電極３１およ
びデータ信号ライン９はゲート絶縁膜３３上に設けら
れ、走査信号ライン８はゲート絶縁膜３３下に設けられ
ている。
【００１９】そして、この場合には、データ信号ライン
９に接続されたイオン性不純物吸着電極３１に印加され
るデータ信号電圧とコモン電極２４に印加されるコモン
電圧との差に応じた縦電界がイオン性不純物吸着電極３
１とコモン電極２４との間に形成される。
９に接続されたイオン性不純物吸着電極３１に印加され
るデータ信号電圧とコモン電極２４に印加されるコモン
電圧との差に応じた縦電界がイオン性不純物吸着電極３
１とコモン電極２４との間に形成される。
【００２０】なお、イオン性不純物吸着電極３１をゲー
ト絶縁膜３３下に設け、第１行目の走査信号ライン８に
接続するようにしてもよい。このようにした場合には、
走査信号ライン８に接続されたイオン性不純物吸着電極
３１に印加される走査信号電圧とコモン電極２４に印加
されるコモン電圧との差に応じた縦電界がイオン性不純
物吸着電極３１とコモン電極２４との間に発生する。
ト絶縁膜３３下に設け、第１行目の走査信号ライン８に
接続するようにしてもよい。このようにした場合には、
走査信号ライン８に接続されたイオン性不純物吸着電極
３１に印加される走査信号電圧とコモン電極２４に印加
されるコモン電圧との差に応じた縦電界がイオン性不純
物吸着電極３１とコモン電極２４との間に発生する。
【００２１】また、イオン性不純物吸着電極３１をゲー
ト絶縁膜３３下に設け、第１行目の補助容量ライン１０
に接続するようにしてもよい。ただし、この場合、コモ
ン電極２４には図３において点線で示すコモン電圧を印
加し、補助容量ライン１０に接続されたイオン性不純物
吸着電極３１には同図において実線で示すイオン性不純
物吸着電圧を印加する。すると、この両電圧の差に応じ
た縦電界がイオン性不純物吸着電極３１とコモン電極２
４との間に形成される。
ト絶縁膜３３下に設け、第１行目の補助容量ライン１０
に接続するようにしてもよい。ただし、この場合、コモ
ン電極２４には図３において点線で示すコモン電圧を印
加し、補助容量ライン１０に接続されたイオン性不純物
吸着電極３１には同図において実線で示すイオン性不純
物吸着電圧を印加する。すると、この両電圧の差に応じ
た縦電界がイオン性不純物吸着電極３１とコモン電極２
４との間に形成される。
【００２２】さらに、図７に示すこの発明の第４実施形
態のように、アクティブマトリクス基板１上のシール材
３形成領域のうち上辺の内側において表示領域５の外側
に第１および第２のイオン性不純物吸着電極３１Ａ、３
１Ｂを交互に（１つおきに）設け、第１のイオン性不純
物吸着電極３１Ａをデータ信号ライン９の上端部に接続
し、第２のイオン性不純物吸着電極３１Ｂを第１行目の
走査信号ライン８に接続するようにしてもよい。この場
合、第１のイオン性不純物吸着電極３１Ａおよびデータ
信号ライン９はゲート絶縁膜３３上に設けられ、第２の
イオン性不純物吸着電極３１Ｂおよび走査信号ライン８
はゲート絶縁膜３３下に設けられている。
態のように、アクティブマトリクス基板１上のシール材
３形成領域のうち上辺の内側において表示領域５の外側
に第１および第２のイオン性不純物吸着電極３１Ａ、３
１Ｂを交互に（１つおきに）設け、第１のイオン性不純
物吸着電極３１Ａをデータ信号ライン９の上端部に接続
し、第２のイオン性不純物吸着電極３１Ｂを第１行目の
走査信号ライン８に接続するようにしてもよい。この場
合、第１のイオン性不純物吸着電極３１Ａおよびデータ
信号ライン９はゲート絶縁膜３３上に設けられ、第２の
イオン性不純物吸着電極３１Ｂおよび走査信号ライン８
はゲート絶縁膜３３下に設けられている。
【００２３】そして、この場合、データ信号ライン９に
接続されたイオン性不純物吸着電極３１Ａに印加される
データ信号電圧と走査信号ライン８に接続されたイオン
性不純物吸着電極３１Ｂに印加される走査信号電圧との
差に応じた横電界が両イオン性不純物吸着電極３１Ａ、
３１Ｂ間に発生する。また、両イオン性不純物吸着電極
３１Ａ、３１Ｂとコモン電極２４との間には縦電界も発
生する。なお、第２のイオン性不純物吸着電極３１Ｂを
第１行目の補助容量ライン１０に接続するようにしても
よい。
接続されたイオン性不純物吸着電極３１Ａに印加される
データ信号電圧と走査信号ライン８に接続されたイオン
性不純物吸着電極３１Ｂに印加される走査信号電圧との
差に応じた横電界が両イオン性不純物吸着電極３１Ａ、
３１Ｂ間に発生する。また、両イオン性不純物吸着電極
３１Ａ、３１Ｂとコモン電極２４との間には縦電界も発
生する。なお、第２のイオン性不純物吸着電極３１Ｂを
第１行目の補助容量ライン１０に接続するようにしても
よい。
【００２４】次に、図８はこの発明の第５実施形態にお
ける液晶表示装置のアクティブマトリクス基板１の要部
の平面図（ただし、薄膜トランジスタは図示せず）を示
したものである。この場合、画素電極６およびデータ信
号ライン９はゲート絶縁膜３３上に設けられ、走査信号
ライン８および補助容量ライン１０はゲート絶縁膜３３
下に設けられている。また、補助容量ライン１０は画素
電極６の上辺部と重ね合わされている。さらに、補助容
量ライン１０の画素電極６の左右辺部に対応する部分か
らは延出部１０ａが画素電極６の左右辺部に沿って延出
され、画素電極６の左右辺部と重ね合わされている。
ける液晶表示装置のアクティブマトリクス基板１の要部
の平面図（ただし、薄膜トランジスタは図示せず）を示
したものである。この場合、画素電極６およびデータ信
号ライン９はゲート絶縁膜３３上に設けられ、走査信号
ライン８および補助容量ライン１０はゲート絶縁膜３３
下に設けられている。また、補助容量ライン１０は画素
電極６の上辺部と重ね合わされている。さらに、補助容
量ライン１０の画素電極６の左右辺部に対応する部分か
らは延出部１０ａが画素電極６の左右辺部に沿って延出
され、画素電極６の左右辺部と重ね合わされている。
【００２５】そして、この場合、コモン電極２４には図
３において点線で示すコモン電圧を印加し、補助容量ラ
イン１０には同図において実線で示すイオン性不純物吸
着電圧を印加する。すなわち、この実施形態では、補助
容量ライン１０がイオン性不純物吸着電極を兼用してお
り、補助容量ライン１０とコモン電極２４との間に縦電
界が発生する。ここで、延出部１０ａを含む補助容量ラ
イン１０は画素電極６の上辺部および左右辺部と重ね合
わされているが、この重合部は実質的には非透過領域つ
まり非画素領域であり、したがってイオン性不純物吸着
電極を兼用した延出部１０ａを含む補助容量ライン１０
は画素領域外に設けられていることになる。
３において点線で示すコモン電圧を印加し、補助容量ラ
イン１０には同図において実線で示すイオン性不純物吸
着電圧を印加する。すなわち、この実施形態では、補助
容量ライン１０がイオン性不純物吸着電極を兼用してお
り、補助容量ライン１０とコモン電極２４との間に縦電
界が発生する。ここで、延出部１０ａを含む補助容量ラ
イン１０は画素電極６の上辺部および左右辺部と重ね合
わされているが、この重合部は実質的には非透過領域つ
まり非画素領域であり、したがってイオン性不純物吸着
電極を兼用した延出部１０ａを含む補助容量ライン１０
は画素領域外に設けられていることになる。
【００２６】次に、図９はこの発明の第６実施形態にお
ける液晶表示装置のアクティブマトリクス基板１の要部
の平面図（ただし、薄膜トランジスタは図示せず）を示
したものである。この場合、ゲート絶縁膜３３上におい
て画素電極６の周囲を囲んでその外側には枠状のイオン
性不純物吸着電極３１が設けられ、このイオン性不純物
吸着電極３１はデータ信号ライン９に平行に設けられた
引き回し線３４を介して外部接続端子（図示せず）に接
続されている。そして、この場合、コモン電極２４には
図３において点線で示すコモン電圧を印加し、イオン性
不純物吸着電極３１には同図において実線で示すイオン
性不純物吸着電圧を印加する。なお、イオン性不純物吸
着電極３１は、画素電極６の少なくとも一辺に沿うよう
に設けてもよい。
ける液晶表示装置のアクティブマトリクス基板１の要部
の平面図（ただし、薄膜トランジスタは図示せず）を示
したものである。この場合、ゲート絶縁膜３３上におい
て画素電極６の周囲を囲んでその外側には枠状のイオン
性不純物吸着電極３１が設けられ、このイオン性不純物
吸着電極３１はデータ信号ライン９に平行に設けられた
引き回し線３４を介して外部接続端子（図示せず）に接
続されている。そして、この場合、コモン電極２４には
図３において点線で示すコモン電圧を印加し、イオン性
不純物吸着電極３１には同図において実線で示すイオン
性不純物吸着電圧を印加する。なお、イオン性不純物吸
着電極３１は、画素電極６の少なくとも一辺に沿うよう
に設けてもよい。
【００２７】なお、本発明は、アクティブマトリックス
方式の液晶表示装置に限らず、セグメント表示方式、単
純マトリクス方式等他の種々の方式の液晶表示装置に適
用できることは、勿論である。
方式の液晶表示装置に限らず、セグメント表示方式、単
純マトリクス方式等他の種々の方式の液晶表示装置に適
用できることは、勿論である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、２枚の基板のうち一方の基板の他方の基板との対向
面のシール材の内側において画素領域外にイオン性不純
物吸着電極を設けているので、液晶中に溶出したり混入
したりしているイオン性不純物がイオン性不純物吸着電
極に吸着されて固定され、これによりイオン性不純物に
起因する表示ムラ、コントラスト低下、焼き付き、電極
の腐食等を防止することができ、ひいては表示品質およ
び信頼性を向上することができる。
ば、２枚の基板のうち一方の基板の他方の基板との対向
面のシール材の内側において画素領域外にイオン性不純
物吸着電極を設けているので、液晶中に溶出したり混入
したりしているイオン性不純物がイオン性不純物吸着電
極に吸着されて固定され、これによりイオン性不純物に
起因する表示ムラ、コントラスト低下、焼き付き、電極
の腐食等を防止することができ、ひいては表示品質およ
び信頼性を向上することができる。
【図１】この発明の第１実施形態における液晶表示装置
の要部の等価回路的透過平面図。
の要部の等価回路的透過平面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の一部の具体的な構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】コモン電圧とイオン性不純物吸着電圧との関係
の一例を示す図。
の一例を示す図。
【図４】配向膜のラビング方向とシール材のイオン性不
純物発生辺との関係を示す図。
純物発生辺との関係を示す図。
【図５】この発明の第２実施形態における液晶表示装置
の要部の等価回路的透過平面図。
の要部の等価回路的透過平面図。
【図６】この発明の第３実施形態における液晶表示装置
の要部の等価回路的透過平面図。
の要部の等価回路的透過平面図。
【図７】この発明の第４実施形態における液晶表示装置
の要部の等価回路的透過平面図。
の要部の等価回路的透過平面図。
【図８】この発明の第５実施形態における液晶表示装置
のアクティブマトリクス基板の要部の平面図。
のアクティブマトリクス基板の要部の平面図。
【図９】この発明の第６実施形態における液晶表示装置
のアクティブマトリクス基板の要部の平面図。
のアクティブマトリクス基板の要部の平面図。
【図１０】従来の液晶表示装置の一部の等価回路的透過
平面図。
平面図。
【図１１】図１０に示す液晶表示装置の一部の具体的な
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
１ アクティブマトリクス基板 ２ コモン基板 ３ シール材 ４ 液晶 ５ 表示領域 ６ 画素電極 ７ 薄膜トランジスタ ８ 走査信号ライン ９ データ信号ライン １０ 補助容量ライン ２４ コモン電極 ３１、３１Ａ、３１Ｂ イオン性不純物吸着電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA33 JB13 JB64 JB69 NA01 NA11 PA02 PA04 PA06 PA08 5C094 AA03 AA06 AA31 AA48 AA54 AA56 BA03 BA43 CA19 DB01 DB04 EA04 EA07 EA10 EB02 EC02 FA01 FA02 FB12 GA10
Claims (12)
- 【請求項１】 ２枚の基板がほぼ枠状のシール材を介し
て貼り合わされ、前記シール材の内側における前記２枚
の基板間に液晶が封入された液晶表示装置において、前
記２枚の基板のうち一方の基板の他方の基板との対向面
の前記シール材の内側において画素領域外にイオン性不
純物吸着電極が設けられていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極は前記シール材の内側において表
示領域の外側に枠状に設けられていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極は前記シール材のうちイオン性不
純物が発生する側の辺の内側において表示領域の外側に
設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極は前記シール材のうちイオン性不
純物が発生する側の辺に沿って直線状に設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項３に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極は前記シール材のうちイオン性不
純物が発生する側の辺に沿って複数設けられていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極はデータ信号ラインに接続されて
いることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 請求項５に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極は走査信号ラインまたは補助容量
ラインに接続されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項８】 請求項５に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極は１つおきにデータ信号ラインお
よび走査信号ラインまたは補助容量ラインに接続されて
いることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項１に記載の発明において、前記イ
オン性不純物吸着電極は補助容量ラインが兼ねているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の発明において、前記
イオン性不純物吸着電極は各画素電極の外側に少なくと
もその一辺に沿って設けられていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の発明において、前
記イオン性不純物吸着電極は各画素電極を囲んでその外
側に枠状に設けられていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項１２】 請求項２、３、４、９、１０、１１の
いずれかに記載の発明において、前記イオン性不純物吸
着電極にコモン電圧に対して正方向または負方向にオフ
セットされた直流電圧を印加することを特徴とする液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000398522A JP2002196355A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000398522A JP2002196355A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002196355A true JP2002196355A (ja) | 2002-07-12 |
Family
ID=18863474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000398522A Pending JP2002196355A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002196355A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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