JP2010134395A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】例えば、液晶装置の画素領域における開口率を高めると共に、画素スイッチング用素子に発生する光リーク電流を低減し、プロジェクタによって表示される画像の表示品位を低下させない。
【解決手段】活性層（１ａ）の一部であるチャネル領域（１ａ）が延びる方向であるチャネル長方向が、走査線（３ａ）が延びるＸ方向に沿っている。加えて、液晶装置（１）によれば、ゲート電極（１３）は、Ｘ方向に沿って、データ線（６ａ１）及びデータ線（６ａ２）の夫々から距離（Ｗ）だけ離れた位置、即ちＸ方向に沿ってデータ線（６ａ１）及び（６ａ２）間の中心位置（Ｐｃ）からデータ線（６ａ１）の側にチャネル領域（１ｃ）のチャネル長（Ｌｃ）の長さだけずれた第１の位置（Ｐ１）と、中心位置（Ｐｃ）からデータ線（６ａ２）の側にチャネル長（Ｌｃ）の長さだけずれた第２の位置（Ｐ２）との間の領域（Ｒ）に設けられている。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば、プロジェクタのライトバルブとして用いられる液晶装置等の電気光学装置、及び、プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、画素スイッチング用素子として各画素部に対応してＴＦＴ等の画素スイッチング素子が設けられる。このような画素スイッチング素子は、例えば、基板の表示領域において、複数のデータ線及び複数の走査線の夫々が相互に交差する交差領域に設けられる。また、液晶装置では、画素スイッチング素子を遮光する遮光膜が当該素子の上層側及び下層側に設けられる。遮光膜は、データ線が延びる方向に沿ったチャネル長を有するＴＦＴ等のトランジスタ素子が形成される基板上の複数の画素領域の夫々において、実質的に光が透過可能な開口領域を隔て、且つ光を透過させない非開口領域に設けられており、画素スイッチング用素子に発生する光リーク電流を低減する（例えば、特許文献１参照。）。

特開平１０−１５３７９９号公報

しかしながら、画素スイッチング素子が、データ線に沿った方向にチャネル長を有するＴＦＴである場合、開口領域を広げることを目的としてゲート線の幅を狭めると、データ線が延びる方向に沿ってチャネル領域の脇から当該活性層に入射する光を遮光することが困難になる。より具体的には、データ線に交差する走査線のうち活性層に重なる部分をゲート電極として共用した場合、走査線の幅を狭めることによってゲート電極の幅も狭められることになり、例えば、チャネル領域の両側に設けられたＬＤＤ領域をゲート電極によって遮光することが困難になる。したがって、画素領域のうち実質的に光が透過する開口領域が占める割合である開口率を走査線の幅を狭めることによって高めることと、光リーク電流を低減することとを両立させることは困難であるという技術的問題点がある。尚、このような問題点は、走査線が延びる方向に沿うようにＴＦＴ等の画素スイッチング素子の活性層が形成された場合でも同様であり、データ線の幅を狭めることによる開口率の向上と、光リーク電流を低減することとを両立させることは困難である。

また、液晶装置等の電気光学装置をプロジェクタのライトバルブとして用いた場合に、複数のライトバルブによって変調された光を合成してなる合成画像の表示品位を高めることに関する要請もある。言い換えれば、ライトバルブにおける開口率を向上させ、且つ光リーク電流を低減することによって個々のライトバルブが画像を表示する表示性能を高めることと引き換えに、プロジェクタによって表示される画像の表示品位を低下させたのでは、複数のライトバルブの夫々による画像の表示性能を向上させる意味がなくなってしまう。

よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、液晶装置等の電気光学装置の画素領域における開口率を高めると共に、当該電気光学装置の動作時においてＴＦＴ等の画素スイッチング用素子に発生する光リーク電流を低減可能であり、プロジェクタ等の電子機器によって表示される画像の表示品位を低下させない電気光学装置、及びそのような電気光学装置を用いたプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。

本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々に形成された画素電極と、前記表示領域において第１の方向に沿って各々延びる第１のデータ線及び第２のデータ線と、前記表示領域において前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる走査線と、（ｉ）前記走査線の下層側及び上層側のうち一方の側において前記走査線に重なり、且つ前記第２の方向に沿って延びる活性層と、（ｉｉ）前記活性層の一部を構成するチャネル領域に重なり、且つ前記走査線に電気的に接続されたゲート電極とを有しており、前記画素電極に電気的に接続されたトランジスタ素子とを備え、前記ゲート電極は、前記第２の方向に沿って、前記第１のデータ線及び前記第２のデータ線間の中心位置から前記第１のデータ線の側に前記チャネル領域のチャネル長の長さだけずれた第１の位置と、前記中心位置から前記第２のデータ線の側に前記チャネル長の長さだけずれた第２の位置との間の領域に設けられている。

本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極は、例えば、ＴＦＴアレイ基板等の基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々に形成されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極である。

第１のデータ線及び第２のデータ線は、前記表示領域において第１の方向に沿って各々延びている。第１のデータ線及び第２のデータ線は、例えば、第１の方向に沿って各々延びる複数のデータ線のうち第２の方向に沿って相互に隣り合う２つのデータ線である。

トランジスタ素子は、前記走査線の下層側及び上層側のうち一方の側において前記走査線に重なり、且つ前記第２の方向に沿って延びる活性層を有している。より具体的には、活性層は、例えば、チャネル領域、ＬＤＤ領域、ソース領域、及びドレイン領域を含むポリシリコン層等の半導体層であり、走査線に沿ったチャネル長を有するように形成されている。このようなトランジスタ素子は、例えば、各画素領域毎に設けられ、且つ画素スイッチング素子として用いられるＴＦＴ等の半導体素子である。

トランジスタ素子は、前記活性層の一部を構成するチャネル領域に重なり、且つ前記走査線に電気的に接続されたゲート電極とを有している。ゲート電極は、例えば、走査線の一部として、或いは走査線とは別に設けられた導電膜である。当該電気光学装置の動作時において、ゲート電極には走査線を介して走査信号が供給される。

したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、活性層の一部であるチャネル領域が延びる方向であるチャネル長方向が、第２の方向、即ち走査線が延びる方向に沿っている。よって、本発明に係る電気光学装置によれば、走査線の幅を狭めることによって画素領域の開口率を高めた場合でも、チャネル領域、及びその両側に設けられるＬＤＤ領域をゲート電極及び走査線によって遮光可能である。したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、画素領域における開口率を高めることが可能であると共に、画素スイッチング素子で発生する光リーク電流も低減可能である。

加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、ゲート電極は、前記第２の方向に沿って、前記第１のデータ線及び前記第２のデータ線間の中心位置から前記第１のデータ線の側に前記チャネル領域のチャネル長の長さだけずれた第１の位置と、前記中心位置から前記第２のデータ線の側に前記チャネル長の長さだけずれた第２の位置との間の領域に設けられている。

したがって、複数のライトバルブを備えたプロジェクタ等の電子機器において、複数のライトバルブの夫々に当該電気光学装置を用いた場合でも、各ライトバルブによって変調された変調光で構成されると共に、ゲート電極によって光が遮られる影の部分を有する複数の画像を相互に合成して合成画像を形成した際に、ゲート電極の影が相互にずれることによって生じる合成画像の画質の低下を殆ど問題とならない程度に抑えることが可能である。より具体的には、例えば、通常起こりうるライトバルブ間の位置ずれの大きさに比べて、第２の方向、即ち走査線が延びる方向に沿って、ゲート電極が、前記第１のデータ線及び前記第２のデータ線間の中心位置から前記第１のデータ線の側に前記チャネル領域のチャネル長の長さだけずれた第１の位置と、前記中心位置から前記第２のデータ線の側に前記チャネル長の長さだけずれた第２の位置との間の領域に設けられていれば、ゲート電極の影がライトバルブ間で相互にずれることによって合成画像の画質は低下しない。

よって、本発明に係る電気光学装置によれば、電気光学装置における開口率の向上、及び、光リーク電流の低減を可能にする効果が奏されると共に、これら効果をプロジェクタ等の電子機器によって表示される画像の表示品位の向上に最大限生かすことが可能である。

本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記一方の側は、前記上層側であり、前記ゲート電極は、前記チャネル領域に重なる電極本体部と、前記第１の方向に沿って前記電極本体部から前記画素領域の中央に向かって延び、且つ前記走査線に電気的に接続された接続部とを有していてもよい。

この態様によれば、接続部の影の位置が複数のライトバルブ相互でずれた場合でも、プロジェクタ等の電子機器によって表示される合成画像の表示品位を低下させる程に影響を与えることがない。

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、例えば、高品位のカラー画像を表示可能なプロジェクタを実現できる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。

本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。 本実施形態に係る液晶装置の画素部の平面図である。 図４のＶ−Ｖ´断面図である。 本実施形態に係る液晶装置に比較例（その１）におけるＴＦＴ３０周辺の構成を示した平面図である。 本実施形態に係る液晶装置に比較例（その２）におけるＴＦＴ３０周辺の構成を示した平面図である。 本実施形態に係る液晶装置の変形例の部分断面図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態であるプロジェクタの平面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置、及び電子機器の各実施形態を説明する。本実施形態では、本発明に係る電気光学装置の一例として、液晶装置を挙げる。

＜１：液晶装置＞
＜１−１：液晶装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。

図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部７２（図３参照。）が設けられる表示領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

＜１−２：電気光学装置の電気的な構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の電気的な構成を説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。

図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に配列された複数の画素領域の夫々には、画素電極９ａ、及び、本発明の「トランジスタ素子」の一例であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時にＩＴＯ等の透明導電膜で構成された画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用素子である。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。蓄積容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、一方の容量電極が固定電位線３００に電気的に接続されていると共に、他方の容量電極が画素電極９ａに電気的に接続されている。このような蓄積容量７０は、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。

＜１−３：画素部の具体的な構成＞
図４乃至図７を参照しながら、画素部７２の具体的な構成を説明する。図４は、画像表示領域１０ａの一部の構成を示した平面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ´断面図である。尚、図４には、相互に隣り合う６つの画素部を示しており、そのうちの４つの画素部の夫々に設けられたＴＦＴ３０の構成を詳細に示している。図６及び図７の夫々は、ＴＦＴ３０の比較例を示した平面図である。

図４に示すように、液晶装置１のＴＦＴアレイ基板１０上には、本発明の「第２の方向」の一例であるＸ方向、及び、本発明の「第１の方向」の一例であるＹ方向の夫々に沿ってマトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（図中点線で輪郭を示した部分）が設けられている。画素電極９ａの図中縦横の境界に各々沿って複数のデータ線６ａ及び複数の走査線３ａが設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａのうちＸ方向及びＹ方向の夫々に延びるデータ線６ａ及び走査線３ａ等の不透明な配線が形成された領域は、マトリクス状に配列された複数の画素領域からなる画像表示領域１０ａのうち実質的に光が透過しない非開口領域である。また、画素領域のうち画像表示に寄与する光が透過可能な領域が開口領域である。

尚、本実施形態では、説明の便宜上、Ｘ方向に沿って隣り合うデータ線６ａ１及び６ａ２の夫々が、本発明の「第１データ線」及び「第２データ線」の各々の一例である。

ＴＦＴ３０は、活性層１ａ及びゲート電極１３を有している。活性層１ａは、走査線３ａの上層側において走査線３ａに重なり、且つＸ方向に沿って延びている。活性層１ａは、ポリシリコン層等の半導体層であり、走査線３ａに沿ったチャネル長Ｌｃを有するチャネル領域１ｃと、チャネル領域１ｃの両側に設けられたＬＤＤ領域１ｅと、ソース領域１ｓと、ドレイン領域１ｄとを含んでいる。ＴＦＴ３０は、コンタクトホール８１を介してデータ線６ａに電気的に接続されている。ＴＦＴ３０は、コンタクトホール８２を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。

ＴＦＴ３０は、活性層１ａの一部を構成するチャネル領域１ｃに重なり、且つ走査線３ａに電気的に接続されたゲート電極１３を有している。ゲート電極１３は、電極本体部１３ａ及び接続部１３ｂから構成されており、コンタクトホール９１を介して走査線３ａに電気的に接続された導電膜である。ゲート電極１３は、本実施形態のように走査線３ａとは別に形成されていてもよいし、走査線３ａのうちチャネル領域１ｃに重なる部分であってもよい。液晶装置１の動作時において、ゲート電極１３には走査線３ａを介して走査信号が供給される。

図５において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に各々形成された、第１層間絶縁膜４１、ゲート電極１３を有するＴＦＴ３０、第２層間絶縁膜４２、走査線３ａ１、第３層間絶縁膜４３、画素電極９ａ、及び配向膜１６を備えている。加えて、配向膜１６上に各々配置された不図示の液晶層、及び対向基板によって液晶装置１が構成されている。尚、後述するように、本実施形態に係る液晶装置１は、走査線３ａが活性層１ａの上層側に形成されていてもよいため、以下では、活性層１ａの下層側、即ち、走査線の上層側に活性層１ａが形成されている場合の走査線を走査線３ａ１とし、液晶装置１の変形例に係る液晶装置では、活性層１ａの上層側に走査線が形成されている場合の走査線を走査線３ａ２とする。

次に、図４乃至図７を参照しながら、液晶装置１の比較例と比較しつつ、液晶装置１の特徴を詳細に説明する。

図６において、比較例に係る液晶装置では、ＴＦＴ３０の活性層１ａが、図中Ｙ方向、即ちデータ線が延びる方向に沿って形成されており、Ｘ方向に延びる走査線３ａのうちチャネル領域１ｃに重なる部分が、ゲート電極１３として機能する。ここで、比較例に係る液晶装置において、走査線３ａのＹ方向に沿った幅Ｗａを狭めることによって画素領域における開口率を高めようとすると、活性層１ａの下側からＹ方向に沿ってゲート電極１３の脇からチャネル領域１ｃ及びＬＤＤ領域１ｅに光が照射されてしまう。したがって、比較例に係る液晶装置に設けられたＴＦＴ３０の構成によれば、開口率の向上と、ＴＦＴ３０における光リーク電流の低減とを両立させることは困難である。

また、図７において、上述の比較例とは別の比較例に係る液晶装置では、ＴＦＴ３０がＸ方向に沿ってチャネル長を有するように、活性層１ａがＸ方向に沿って設けられている。ここで、画素領域における開口率を高めることを目的として、Ｘ方向に沿ってデータ線６ａの幅Ｗｄを狭めた場合、データ線６ａがＴＦＴ３０を遮光する遮光性を低下させてしまう。より具体的には、データ線６ａの幅Ｗｄを狭めた場合、３次元的に見て、Ｘ方向に沿ってデータ線６ａの両脇のうちドレイン領域１ｄの側の脇からチャネル領域１ｃ及びＬＤＤ領域１ｅに照射される光をデータ線６ａによって遮光できなくなる。そこで、以下で詳細に説明する液晶装置１の特有の構成により、画素領域の開口率を高めつつ、ＴＦＴ３０における光リーク電流を低減することが可能である。

図４及び図５に示すように、液晶装置１によれば、活性層１ａの一部であるチャネル領域１ａが延びる方向であるチャネル長方向が、走査線３ａが延びるＸ方向に沿っている。よって、液晶装置１によれば、走査線３ａの幅Ｗａを狭めることによって画素領域の開口率を高めた場合でも、チャネル領域１ｃ、及びその両側に設けられるＬＤＤ領域１ｅをゲート電極１３及び走査線３ａ（３ａ１）によって遮光可能である。したがって、液晶装置１によれば、画素領域における開口率を高めることが可能であると共に、液晶装置１の動作時において、画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０で発生する光リーク電流も低減可能である。

加えて、液晶装置１によれば、ゲート電極１３は、Ｘ方向に沿って、データ線６ａ１及びデータ線６ａ２の夫々から距離Ｗだけ離れた位置、即ちＸ方向に沿ってデータ線６ａ１及び６ａ２間の中心位置Ｐｃからデータ線６ａ１の側にチャネル領域１ｃのチャネル長Ｌｃの長さだけずれた第１の位置Ｐ１と、中心位置Ｐｃからデータ線６ａ２の側にチャネル長Ｌｃの長さだけずれた第２の位置Ｐ２との間の領域Ｒに設けられている。

したがって、液晶装置１によれば、複数のライトバルブを備えたプロジェクタ等の電子機器において、複数のライトバルブの夫々に当該液晶装置１が用いられた場合でも、各ライトバルブによって変調された変調光で構成されると共に、ゲート電極１３によって光が遮られる影の部分を有する複数の画像を相互に合成して合成画像を形成した際に、ゲート電極１３の影が相互にずれることによって生じる合成画像の画質の低下を殆ど問題とならない程度に抑えることが可能である。より具体的には、例えば、通常起こりうるライトバルブ間の位置ずれの大きさに比べて、Ｘ方向、即ち走査線３ａが延びる方向である図４中の左右方向に沿って、ゲート電極１３が、データ線６ａ１及び６ａ２間の中心位置Ｐｃからデータ線６ａ１の側にチャネル領域１ｃのチャネル長Ｌｃの長さだけずれた第１の位置Ｐ１と、中心位置Ｐｃからデータ線６ａ２の側にチャネル長Ｌｃの長さだけずれた第２の位置Ｐ２との間の領域Ｗに設けられることによって、ゲート電極１３の影がライトバルブ間で相互にずれることによって生じうる合成画像の画質の低下を殆ど問題にならない程度に抑制することが可能である。

特に、本実施形態に係る液晶装置１では、ゲート電極１３は、チャネル領域１ｃに重なる電極本体部１３ａと、Ｙ方向に沿って電極本体部１３ａから画素領域の中央に向かって延び、且つ走査線３ａに電気的に接続された接続部１３ｂとを有しているため、ＴＦＴ３０の上層側から光が入射する際、接続部１３ｂの影の位置が複数のライトバルブ相互でずれた場合でも、プロジェクタ等の電子機器によって表示される合成画像の表示品位を低下させる程に影響を与えることがない。

このように、本実施形態に係る液晶装置１によれば、液晶装置１の画素領域における開口率の向上、及び、ＴＦＴ３０における光リーク電流の低減を可能にする効果が奏されると共に、これら効果をプロジェクタ等の電子機器によって表示される画像の表示品位の向上に最大限生かすことが可能である。

（変形例）
次に、図８を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置の変形例を説明する。図８は、本例に係る液晶装置を図５の断面に対応する面で切った部分断面図である。

図８に示すように、本例に係る液晶装置では、ＴＦＴ３０の上層側に走査線３ａ２が設けられている。言い換えれば、走査線３ａ２の下層側に活性層１ａが形成されている点で上述の液晶装置１の構成と相互に異なる。本例に係る液晶装置の各構成要素を平面的に見たレイアウトは、上述の液晶装置１と同様である。

したがって、本例に係る液晶装置によれば、液晶装置１と同様に、液晶装置の画素領域における開口率の向上、及び、ＴＦＴ３０における光リーク電流の低減を可能にする効果が奏されると共に、これら効果をプロジェクタ等の電子機器によって表示される画像の表示品位の向上に最大限生かすことが可能である。

＜２：電子機器＞
次に、図９を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合について説明する。図９は、本実施形態に係るプロジェクタの構成を示した平面図である。

図９において、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。ランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。これら３つのライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇは夫々液晶装置１を含む液晶モジュールを用いて構成されている。

ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇにおいて液晶装置１は、画像信号供給回路３００から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。これらの液晶装置１によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投射されることとなる。

ここで、各ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、ライトバルブ１１１０Ｇによる表示像は、ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

このようにプロジェクタ１１００によれば、上述の液晶装置１を含んで構成されているため、各ライトバルブにおける開口率の向上、及び、光リーク電流の低減によって得られる利点を生かしつつ、プロジェクタ全体で高品位の画像を表示可能である。

１・・・液晶装置、１ｃ・・・チャネル領域、１ｓ・・・ソース領域、１ｄ・・・ドレイン領域、１ｅ・・・ＬＤＤ領域、３ａ・・・走査線、６ａ・・・データ線、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１３・・・ゲート電極、２０・・・対向基板、３０・・・ＴＦＴ、Ｌｃ・・・チャネル長

Claims (3)

1. 基板と、
   前記基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々に形成された画素電極と、
   前記表示領域において第１の方向に沿って各々延びる第１のデータ線及び第２のデータ線と、
   前記表示領域において前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる走査線と、
   （ｉ）前記走査線の下層側及び上層側のうち一方の側において前記走査線に重なり、且つ前記第２の方向に沿って延びる活性層と、（ｉｉ）前記活性層の一部を構成するチャネル領域に重なり、且つ前記走査線に電気的に接続されたゲート電極とを有しており、前記画素電極に電気的に接続されたトランジスタ素子とを備え、
   前記ゲート電極は、前記第２の方向に沿って、前記第１のデータ線及び前記第２のデータ線間の中心位置から前記第１のデータ線の側に前記チャネル領域のチャネル長の長さだけずれた第１の位置と、前記中心位置から前記第２のデータ線の側に前記チャネル長の長さだけずれた第２の位置との間の領域に設けられていること
   を特徴とする電気光学装置。
2. 前記一方の側は、前記上層側であり、
   前記ゲート電極は、前記チャネル領域に重なる電極本体部と、前記第１の方向に沿って前記電極本体部から前記画素領域の中央に向かって延び、且つ前記走査線に電気的に接続された接続部とを有すること
   を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 請求項１又は２に記載の電気光学装置を具備してなること
   を特徴とする電子機器。

Images