JP2018063318A

JP2018063318A - 電気光学装置、電子機器

Info

Publication number: JP2018063318A
Application number: JP2016200648A
Authority: JP
Inventors: 定一郎中村; Teiichiro Nakamura
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2016-10-12
Filing date: 2016-10-12
Publication date: 2018-04-19

Abstract

【課題】表示領域の周辺領域に設けられた遮光部などによる光の再反射が表示に影響し難い電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、第１基板としての対向基板２０と、第２基板としての素子基板１０との間に電気光学素子を備え、対向基板２０側から電気光学素子に光が入射する構成であって、対向基板２０は、表示領域を囲む周辺領域に設けられた第１の遮光部としての見切り部２１を有し、素子基板１０は、見切り部２１と重なる位置に設けられた第２の遮光部８１と、第２の遮光部８１に対して光の出射側で第２の遮光部８１と重なる位置に設けられた第１の反射防止膜３５とを有する。【選択図】図１０

Description

本発明は、電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器に関する。

電気光学装置として、プロジェクターの光変調手段（ライトバルブ）として用いられるアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。アクティブ駆動型の液晶装置の表示領域には、複数の画素ごとに、画素電極と、画素電極のスイッチング素子としてのトランジスターとを含む画素回路が設けられている。表示領域には、画素回路のトランジスターの光誤動作を防止するために当該トランジスターに入射する光を遮光する遮光構造が取り入れられている。また、表示領域の周辺領域に、画素回路にデータ信号や制御信号などを送出する周辺回路が設けられる例もあり、周辺回路を構成するトランジスターの光誤動作を防止するための遮光構造も必要とされている。

例えば、特許文献１には、素子基板上において、画素部の一部及び配線のうちの少なくとも一つを構成する遮光性導電膜と同層に形成され、表示領域の外側に位置する周辺領域に重なる遮光膜を備えた電気光学装置が開示されている。

特許文献１の電気光学装置によれば、表示領域の周辺領域に設けられた回路や配線を遮光膜で覆って遮光することができるとしている。また当該回路や配線に入射した光が反射して表示に影響を及ぼすことを防ぐことができるとしている。

また、例えば、特許文献２には、基板上において、複数の画素電極が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に、互いに重なる部分をそれぞれ有する複数の遮光膜と、複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側に、上記重なる部分に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、上記一の遮光膜に比べて反射率が低い低反射膜とを備えた電気光学装置が開示されている。

特許文献２の電気光学装置によれば、複数の遮光膜により周辺領域が遮光されると共に、複数の遮光膜の間に侵入した光の乱反射を低反射膜で防ぐことができるとしている。すなわち、周辺領域に入射した光の乱反射が画素領域における表示に影響することを防ぐことができるとしている。

特開２０１２−１２８４４３号公報特開２０１３−６５０３４号公報

上記特許文献１や特許文献２に示された周辺領域の遮光構造は、電気光学装置に入射した光が周辺領域に侵入することを防いだり、仮に周辺領域に入射しても乱反射することを防いだりするものである。しかしながら、上記電気光学装置を上述したようにプロジェクターの光変調手段として用いた場合、上記電気光学装置から出射された光（表示光）が、出射側に配置された、例えば投射レンズなどの構造物の表面で反射して、上記電気光学装置の光の出射側から周辺領域に入射して表示に影響を及ぼすおそれがあるという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と第２基板との間に電気光学素子を備え、前記第１基板側から前記電気光学素子に光が入射する電気光学装置であって、前記第１基板は、表示領域を囲む周辺領域に設けられた第１の遮光部を有し、前記第２基板は、前記第１の遮光部と重なる位置に設けられた第２の遮光部と、前記第２の遮光部に対して光の出射側で前記第２の遮光部と重なる位置に設けられた第１の反射防止膜とを有する。

本適用例によれば、第１基板側から周辺領域に入射する光は、第１の遮光部によって遮光される。また、表示領域を透過し第２基板から出射した光が、他の構造物の表面で反射した反射光が第２基板に入射しても、第２基板の周辺領域には第２の遮光部と第１の反射防止膜とが設けられているので、上記反射光の周辺領域への侵入を防ぐと共に上記反射光の第２の遮光部による乱反射を防ぐことができる。つまり、周辺領域への直接あるいは間接的な光の入射による表示への影響を防ぎ、優れた表示品質を有する電気光学装置を提供することができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２基板は、前記第２の遮光部と前記第１の反射防止膜との間に設けられたトランジスターを有する。
この構成によれば、第１基板側から入射する光だけでなく、他の構造物の表面で反射して第２基板側から入射する光に対して、周辺領域に配置されたトランジスターの光誤動作を防ぎ、安定した動作を実現可能な電気光学装置を提供することができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１の反射防止膜は、前記第１の遮光部よりも反射率が低い材料からなることが好ましい。
この構成によれば、第１の遮光部は、入射した光によって第１基板すなわち電気光学装置の温度が上昇することを抑制する観点から、高い反射率を有する材料が好ましい。一方で、第１基板側から入射する光の強度に対して、他の構造物の表面で反射して第２基板側から入射する光の強度は小さいことから、第１の反射防止膜は第１の遮光部よりも反射率が低い材料を用いても電気光学装置の温度に影響を及ぼし難い。よって、第１の反射防止膜に用いられる材料の選択範囲が広くなる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１の遮光部は、アルミニウムからなり、前記第１の反射防止膜は、金属シリサイドからなる。
この構成によれば、高い反射率を有する第１の遮光部と、第１の遮光部に比べて反射率が低く、優れた耐熱特性を有する第１の反射防止膜とを実現できる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１の反射防止膜は、間隔を置いて配置された複数の反射防止部を含み、電気的に浮いた状態にあるとしてもよい。
この構成によれば、第１の反射防止膜は、周辺領域において複数の反射防止部に分割されていることから、第１の反射防止膜を連続的に形成する場合に比べて、第１の反射防止膜の例えば熱による膨張収縮の影響を受け難くなる。また、電気的に浮いた状態であることから例えば静電気による帯電が他の配線や回路に影響を及ぼし難くなる。つまり、第１の反射防止膜を設けることによる物理的、電気的な影響を抑えることができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２基板は、前記第２の遮光部と前記トランジスターとの間に設けられた第２の反射防止膜を有するとしてもよい。
この構成によれば、仮に第２の遮光部とトランジスターとの間に光が侵入して、第２の遮光部やトランジスターによって反射したとしても、第２の反射防止膜によって乱反射することを防ぐことができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２の反射防止膜は、金属窒化物からなることが好ましい。
この構成によれば、金属窒化物は、金属単体や合金などに比べて反射率が低いことから、第２の反射防止膜に入射した光の反射を抑制することができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１基板の端部と、前記第１の遮光部との間にシール領域を有し、前記第１基板と前記第２基板とは、前記シール領域に設けられた光硬化型のシール部材によって接着され、前記第２基板において、前記第２の遮光部は、前記第１の遮光部と前記シール領域とに重なるように配置され、前記第１の反射防止膜の前記表示領域側の端部は、前記第２の遮光部の前記表示領域側の端部と同じ位置、または前記第２の遮光部の前記表示領域側の端部よりも前記表示領域側に位置していることが好ましい。
この構成によれば、第１基板側からシール領域に光を入射させることで、シール領域に配置された光硬化型のシール部材を硬化させ、第１基板と第２基板とを接着することができる。一方で、第２の遮光部は、第１の遮光部とシール領域とに重なるように配置されていることから、第２基板側からシール領域に光を入射させてシール部材を硬化させることはできないが、第１基板側からシール領域を経て周辺領域に入射する光を第２の遮光部で遮光することができる。また、第２基板側から入射した光が第２の遮光部で反射したとしても、光の出射側には第１の反射防止膜が配置されているので、表示領域への反射光の侵入を低減することができる。

上記適用例に記載の電気光学装置は、前記第２基板の光の出射側に前記第１基板よりも外形が小さい防塵基板を有するとしてもよい。
この構成によれば、防塵基板の端面で光が反射して第２基板の周辺領域に入射しても、第１の反射防止膜により乱反射を抑制して表示に影響することを防ぐことができる。

［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備える。
本適用例によれば、表示領域の周辺領域に入射する光の乱反射によって誤動作や表示品質の低下が生じ難い電子機器を提供することができる。

第１実施形態の液晶装置を示す概略斜視図。図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図。液晶パネルの構成を示す概略平面図。図３のＨ−Ｈ’線に沿った液晶パネルの構造を示す概略断面図。液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図。液晶パネルの画素の構造を示す概略断面図。図３のＢ−Ｂ’線に沿った液晶パネルの周辺領域における構造を示す概略断面図。第１の反射防止膜の配置を示す概略平面図。比較例の液晶装置における周辺領域の遮光状態を示す概略断面図。第１実施形態の液晶装置における周辺領域の遮光状態を示す概略断面図。電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。液晶ライトバルブの構成を示す概略図。偏光素子を示す斜視図。

本実施形態では、電気光学装置として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置の一例である液晶装置の主要な構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は液晶装置を示す概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図である。

図１に示すように、電気光学装置としての液晶装置１００は、液晶パネル１１０と、液晶パネル１１０が収容されるケース１４０とを備えている。ケース１４０は、液晶パネル１１０を収容可能な箱型の収容部１４１と、収容部１４１に対して係止可能な枠部１４７とを有している。

収容部１４１は、互いに向かい合う２組の側面のうちの１組の側面に突出した係止部１４３を有する。また、他の１組の側面の一方に、液晶パネル１１０が挿入される側の面１４５から厚み方向に切り欠かれた切り欠き部１４４を有する。また、収容部１４１の四隅には、取付け孔１４６が設けられている。液晶パネル１１０の詳しい構成については後述するが、液晶パネル１１０の端子部には外部回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）１１５が実装されている。液晶パネル１１０を収容部１４１に収容したときに、ＦＰＣ１１５を収容部１４１からはみ出させることができるように、収容部１４１に切り欠き部１４４が設けられている。

枠部１４７は、四角形の開口部１４９を有する額縁状であって、収容部１４１の液晶パネル１１０が挿入される側の面１４５に配置される。枠部１４７は、額縁部から突出して収容部１４１側に折り曲げられた一対の取付け部１４８を有している。取付け部１４８には、開口部１４８ａが設けられている。収容部１４１に液晶パネル１１０を収容して、枠部１４７を面１４５に配置したときに、取付け部１４８の開口部１４８ａと収容部１４１の係止部１４３とが嵌合して、収容部１４１に枠部１４７が固定される構造となっている。また、枠部１４７は、収容部１４１に固定されたときに、枠部１４７によって取付け孔１４６が塞がれない大きさ（平面形状）となっている。

図２に示すように、液晶パネル１１０は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０を有するものであって、一対の防塵基板１２１，１２２によって挟まれた状態で収容部１４１に収容される。収容部１４１の内壁１４１ａは階段状であって、内壁１４１ａと液晶パネル１１０及び防塵基板１２１，１２２の端部との隙間には例えば熱硬化型の接着剤１５０が充填される。接着剤１５０を硬化させることにより、収容部１４１に対して液晶パネル１１０及び一対の防塵基板１２１，１２２が固定される。なお、一対の防塵基板１２１，１２２は、液晶装置１００を後述する投射型表示装置の光変調手段として用いた場合に、液晶パネル１１０の表面に付着したゴミなどの異物が投影され表示に影響を及ぼすことを防止するために設けられるものである。

収容部１４１の液晶パネル１１０が挿入される側の面１４５と反対側の底面には、開口部１４２が設けられている。開口部１４２の形状と大きさは、枠部１４７に設けられた開口部１４９とほぼ同じである。

本実施形態では、図２の矢印で示すように、収容部１４１の開口部１４２側から液晶パネル１１０に向けて光が入射することを前提とした液晶装置１００の構成となっている。液晶装置１００は後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）として用いられる。光源から発した光を液晶装置１００により画像情報に基づいて変調して表示光に変換する。ゆえに、光源からの入射光を有効に利用する観点から、ケース１４０における光の入射側の開口部１４２及び光の出射側の開口部１４９の大きさは、液晶パネル１１０における表示領域の大きさよりも大きい。なお、光の入射側の開口部１４２の大きさと、光の出射側の開口部１４９の大きさとが必ずしも同じでなくてもよい。

液晶パネル１１０の光学特性は温度に依存する。したがって、光源からの入射光によって液晶パネル１１０の温度が急激に変動しないように、光の入射側に位置する収容部１４１は、入射光を吸収せずに反射するような部材が選ばれる。また、入射光によって熱せられた場合に放熱可能な部材が選ばれる。また、収容部１４１は放熱板を備えた構造であってもよい。その点で、収容部１４１を構成する材料としては、金属あるいは合金などを用いることが好ましい。収容部１４１に固定される枠部１４７もまた放熱を考慮すると、金属あるいは合金などを用いることが好ましい。さらに、枠部１４７は、光の出射側に位置していることから、少なくとも出射側の表面において、光が反射して表示光に影響を与えないように、塗装やメッキなどの反射低減処理が施されていることが望ましい。収容部１４１における光の出射側の面１４５も同様に反射低減処理が施されていることが望ましい。

＜液晶パネル＞
次に、液晶パネル１１０について、図３〜図５を参照して説明する。図３は液晶パネルの構成を示す概略平面図、図４は図３のＨ−Ｈ’線に沿った液晶パネルの構造を示す概略断面図、図５は液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図である。

図３及び図４に示すように、液晶パネル１１０は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学素子としての液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。また、基材１０ｓ，２０ｓに沿って配置される前述した防塵基板１２１，１２２は、基材１０ｓ，２０ｓと同じ材料を用いた基板であることが、熱膨張率の差などによるゆがみを考慮すると好ましい。なお、素子基板１０が本発明の第２基板に相当し、対向基板２０が本発明の第１基板に相当するものである。

素子基板１０と対向基板２０とは、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール部材４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。額縁状に配置されたシール部材４０の内側に液晶が注入され液晶層５０が構成されている。なお、上記間隔に液晶を注入する方法は、例えば、額縁状に配置されたシール部材４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One Drop Fill）法が挙げられる。
シール部材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を用いることができる。本実施形態では、光硬化型（紫外線硬化型）のエポキシ樹脂が採用されている。シール部材４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール部材４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅ１が設けられている。また、シール部材４０と表示領域Ｅ１との間に表示領域Ｅ１を取り囲んで第１の遮光部としての見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などを用いることができ、本実施形態では高い反射率を有するアルミニウムが用いられている。なお、本明細書における高い反射率とは、全光線反射率が７０％以上であることを言う。

素子基板１０は、対向基板２０と貼り合わされたときに、対向基板２０から一方向にはみ出る端子部を有している。該端子部には、複数の外部接続用端子１０４が配列している。該端子部に沿った第１の辺部とシール部材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール部材４０と表示領域Ｅ１との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール部材４０と表示領域Ｅ１との間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール部材４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線（図示省略）が設けられている。

これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線（図示省略）は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅ１との間のシール部材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。Ｘ方向とＹ方向とに直交する液晶パネル１１０の厚み方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に沿って対向基板２０側から見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。

図４に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。素子基板１０の詳しい構成については、後述する。

素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、基材２０ｓのほぼ全面に亘って設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。

本実施形態では、表示領域Ｅ１の外縁と対向基板２０の端部との間の領域を周辺領域Ｅ２と呼ぶ。また、対向基板２０において第１の遮光部としての見切り部２１が設けられた領域を見切り領域Ｅ３と呼ぶ。シール部材４０は、見切り領域Ｅ３の外縁と対向基板２０の端部との間に配置され、シール部材４０が配置される領域をシール領域Ｅ４と呼ぶ。なお、シール部材４０は、例えばディスペンサーなどを用いて素子基板１０に吐出形成された後に素子基板１０と対向基板２０との間で圧着されるため、シール領域Ｅ４内に配置されることが好ましいが、一部がシール領域Ｅ４からはみ出した状態となることもある。

見切り部２１は、図３に示すように表示領域Ｅ１を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅ１に入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅ１の表示における高いコントラストを確保している。
また、前述したように、本実施形態では紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いてシール部材４０が形成されているため、見切り部２１は平面視でシール部材４０と重ならないように配置されている。見切り領域Ｅ３の外縁とシール領域Ｅ４の内縁との間には、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせにおける位置精度とシール部材４０の紫外線硬化性とを考慮して、わずかではあるが隙間がある。

平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図３に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶パネル１１０は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。

次に図５を参照して、液晶パネル１１０の電気的な構成について説明する。液晶パネル１１０は、少なくとも表示領域Ｅ１において互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６と、データ線６に沿って平行に配置された容量線７とを有する。走査線３が延在する方向がＸ方向であり、データ線６が延在する方向がＹ方向である。

走査線３、データ線６及び容量線７と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量３１とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。

データ線６はデータ線駆動回路１０１（図３参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３は走査線駆動回路１０２（図３参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶パネル１１０は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量３１が接続されている。蓄積容量３１は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。

なお、図３に示した検査回路１０３には、データ線６が接続されており、液晶パネル１１０の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶パネル１１０の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図５の等価回路では図示を省略している。

本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。

＜画素の構造＞
次に、本実施形態の液晶パネル１１０（液晶装置１００）における画素Ｐの構造について説明する。図６は、液晶パネルの画素の構造を示す概略断面図である。

図６に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず第１の反射防止膜３５が形成される。第１の反射防止膜３５は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの高融点金属のうちの少なくとも１つを含む、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。アルミニウムなどの光反射性を有する金属を用いて第１の反射防止膜３５を形成する場合に比べて、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライドを用いた場合のほうが、導電性を持たせつつ、光反射性を抑える（吸収性を高める）ことができる。本実施形態では、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）を用いて第１の反射防止膜３５が形成されている。第１の反射防止膜３５は、パターニングされて走査線３として機能するものである。

第１の反射防止膜３５を覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が形成されている。
半導体層３０ａは、遮光性を有する第１の反射防止膜３５の上方に設けられているため、基材１０ｓ側から半導体層３０ａに入射する光は遮光される。これにより、ＴＦＴ３０の光誤動作が防止される。

なお、本実施形態における高融点金属とは、第１の反射防止膜３５を形成した後に半導体層３０ａを形成するため、多結晶シリコン膜の形成に係る最高温度（例えば１０００℃）よりも高い融点の金属を指すものである。したがって、最高温度（例えば１０００℃）よりも低い融点の金属を低融点金属と呼ぶこともある。

半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。

ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。

そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うように例えばＡｌ、Ｔｉなどの低抵抗配線材料を用いた導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域に繋がるデータ線６が形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域に繋がる第１中継電極６ｂが形成される。

次に、データ線６及び第１中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。そして、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。

第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの金属窒化物を用いた導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第１容量電極３１ａと第２中継電極３１ｄとが形成される。

第１容量電極３１ａのうち、後に形成される誘電体層３１ｃを介して第２容量電極３１ｂと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ａがパターニングされて形成される。また、第２中継電極３１ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ４と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ａがパターニングされて形成される。

絶縁膜１３ａと第１容量電極３１ａを覆って誘電体層３１ｃが成膜される。誘電体層３１ｃとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第２中継電極３１ｄと重なる部分の誘電体層３１ｃはエッチングされて除かれる。誘電体層３１ｃを覆うように例えばＡｌやＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極３１ａに対向配置され、第２中継電極３１ｄに繋がる第２容量電極３１ｂが形成される。誘電体層３１ｃと、誘電体層３１ｃを挟んで対向配置された第１容量電極３１ａと第２容量電極３１ｂとにより蓄積容量３１が構成される。

次に、第２容量電極３１ｂと誘電体層３１ｃとを覆う第２層間絶縁膜１３ｂが形成される。第２層間絶縁膜１３ｂも例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極３１ｂのうち第２中継電極３１ｄと接する部分に至るように第２層間絶縁膜１３ｂを貫通するコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。

このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３ｂを覆うように例えばＡｌやその合金、あるいは金属化合物などの低抵抗配線材料を用いた導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、配線８ａと、コンタクトホールＣＮＴ４を介して第２中継電極３１ｄに電気的に接続される第３中継電極８ｂとが形成される。配線８ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６及び蓄積容量３１と重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。

配線８ａと第３中継電極８ｂとを覆うように第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができる。第３層間絶縁膜１４を貫通して第３中継電極８ｂに至るコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。

このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第３層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第３中継電極８ｂに電気的に繋がる画素電極１５が形成される。

第３中継電極８ｂは、コンタクトホールＣＮＴ４、第２容量電極３１ｂ、第２中継電極３１ｄ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。

第１容量電極３１ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図５参照）における容量線７として機能している。第１容量電極３１ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極３１ａと第２容量電極３１ｂとの間において保持することができる。

このように素子基板１０の基材１０ｓ上には、複数の配線層が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と呼ぶ。配線層１１の代表的な配線は第１の反射防止膜３５（走査線３）である。配線層１２の代表的な配線はデータ線６である。絶縁膜１３ａ、第２層間絶縁膜１３ｂを括って配線層１３と呼び、代表的な配線は第１容量電極３１ａつまり容量線７である。同じく、配線層１４の代表的な配線は、配線８ａ（シールド層）である。

画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の共通電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長させたカラム１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical Alignment）する。画素電極１５と共通電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。これによって、画素Ｐに入射する光（偏光）が交流電圧（駆動信号）に応じて変調される。

＜周辺領域の遮光構造＞
次に、液晶パネル１１０の周辺領域Ｅ２における遮光構造について、図７及び図８を参照して説明する。図７は図３のＢ−Ｂ’線に沿った液晶パネルの周辺領域における構造を示す概略断面図、図８は第１の反射防止膜の配置を示す概略平面図である。

本実施形態の液晶パネル１１０は、対向基板２０側から入射した光が、表示領域Ｅ１以外の周辺領域Ｅ２において素子基板１０側から光漏れすることを防止するための構成を有している。

具体的には、図７に示すように、素子基板１０の配線層１４において、第３中継電極８ｂと同層に遮光性の第２の遮光部８１が設けられている。第２の遮光部８１は、例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物を用いて形成することができ、本実施形態では、光反射性を有するＡｌ膜に光吸収性を有するＴｉＮ膜を積層した遮光性の積層膜が用いられている。第２の遮光部８１は、平面視で対向基板２０の見切り部２１とシール部材４０とに重なるように周辺領域Ｅ２に亘って配置されている。また、表示領域Ｅ１において表示が行われるときに、第２の遮光部８１には、対向基板２０の共通電極２３に与えられる電位（ＬＣＣＯＭ電位）と同じ電位が与えられる。これにより、第２の遮光部８１と共通電極２３との間には、電位差つまり電界が生じないので、シール部材４０が配置されたシール領域Ｅ４を除いた周辺領域Ｅ２における液晶分子ＬＣは略垂直配向状態となる。つまり、シール領域Ｅ４を除いた周辺領域Ｅ２における液晶層５０はノーマリーブラック（黒表示）となる。

対向基板２０の周辺領域Ｅ２には、第１の遮光部としての見切り部２１が設けられている。平面視で対向基板２０の見切り部２１と素子基板１０の第２の遮光部８１とは、液晶層５０を挟んで対向配置される。見切り部２１が設けられた見切り領域Ｅ３の外縁とシール部材４０が設けられたシール領域Ｅ４の内縁との間には隙間がある。また、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせ位置精度により、平面視における見切り部２１の表示領域Ｅ１側の端部の位置と、第２の遮光部８１の表示領域Ｅ１側の端部の位置とは必ずしも一致しないことがある。見切り部２１は、シール部材４０と平面視で重なっていないので、対向基板２０側から光を照射すれば、シール領域Ｅ４に配置された光硬化型のシール部材４０を硬化させることができる。

素子基板１０は、画素電極１５と同層において、見切り部２１と対向する部分に、複数のダミー画素電極１５ｄを有している。ダミー画素電極１５ｄは、表示領域Ｅ１を囲んで複数配置されている。複数のダミー画素電極１５ｄは電気的に浮いた状態であってもよいし、共通の電位を印加可能なように互いに接続された状態であってもよい。

このような、液晶パネル１１０において、対向基板２０側から見切り部２１に直接に入射する光はもちろんのこと、表示領域Ｅ１に対して斜め方向から入射して見切り部２１に向う光Ｌ１もまた見切り部２１によって遮光される。また、対向基板２０側から表示領域Ｅ１に対して斜め方向から入射して液晶層５０を透過し、第２の遮光部８１に向かう光Ｌ２は第２の遮光部８１によって遮光される。また、対向基板２０側から表示領域Ｅ１に対して斜め方向から入射して周辺領域Ｅ２の液晶層５０を透過しようとする光Ｌ３は、液晶層５０における液晶分子ＬＣが略垂直配向状態であることから液晶層５０を透過し難い。さらに、対向基板２０側から見切り領域Ｅ３の外縁とシール領域Ｅ４の内縁との隙間に入射した光Ｌ４は、やはり液晶層５０における液晶分子ＬＣが略垂直配向状態であることから液晶層５０を透過し難い。加えて、上記光Ｌ４が当該液晶層５０を透過したとしても第２の遮光部８１によって遮光される。つまり、第２の遮光部８１の下層に設けられた走査線駆動回路１０２に向かって入射する光は、第１の遮光部としての見切り部２１と第２の遮光部８１とによって遮光される。

素子基板１０の基材１０ｓ上において、第２の遮光部８１の下層に設けられた走査線駆動回路１０２に対して電源電圧（直流電位）を供給するための電源配線（図７では図示省略）もまた周辺領域Ｅ２に設けられる。仮にＬＣＣＯＭ電位が供給される第２の遮光部８１が無い場合、上記電源配線と共通電極２３との間の電位差によって、液晶層５０に直流電位が印加されると電気分解が生じて液晶層５０が劣化するおそれがある。これに対して、ＬＣＣＯＭ電位が供給される第２の遮光部８１と共通電極２３との間では電位差が生じないため、液晶分子ＬＣの略垂直配向状態が維持されると共に、液晶層５０は劣化しない。

素子基板１０の基材１０ｓ上において、走査線駆動回路１０２の下層には、第１の反射防止膜３５が設けられている。第１の反射防止膜３５の表示領域Ｅ１側の端部の位置は、第２の遮光部８１の表示領域Ｅ１側の端部の位置と同じ、または第２の遮光部８１の表示領域Ｅ１側の端部よりも表示領域Ｅ１側にあることが好ましい。このようにすれば、仮に基材１０ｓ側から入射した光が第２の遮光部８１で反射したとしても第１の反射防止膜３５により乱反射することを抑制可能である。

本実施形態では、第１の反射防止膜３５は、複数の反射防止部３５ａ，３５ｂを含んで構成されている。つまり、第１の反射防止膜３５は分割されて周辺領域Ｅ２に配置されている。複数の反射防止部３５ａ，３５ｂは、例えば図８に示すように、周辺領域Ｅ２において、それぞれ一定の間隔を置いてＸ方向とＹ方向とに配置されている。当該一定の間隔は例えば１μｍ（マイクロメーター）である。電気的に浮いた状態で島状に設けられた反射防止部３５ａ，３５ｂの幅は例えば１５μｍであり、長さは最大で６００μｍである。したがって、基材１０ｓ側から周辺領域Ｅ２に入射する光Ｌ５は、ほぼ第１の反射防止膜３５によって遮光される。

第１の反射防止膜３５による遮光性を考慮すると、第１の反射防止膜３５を周辺領域Ｅ２に亘って連続的に配置することが望ましい。一方で、第１の反射防止膜３５を前述したように高融点金属を含む金属シリザイドなどで構成すると、素子基板１０の製造工程における加熱などの影響で第１の反射防止膜３５にクラックが生じ易くなる。クラックが進行すると他の配線やＴＦＴの半導体層へ影響するおそれがあるため、本実施形態では、上記クラックが生じない程度に第１の反射防止膜３５を分割して周辺領域Ｅ２に配置した。

素子基板１０において、周辺領域Ｅ２に配置された走査線駆動回路１０２は、表示領域Ｅ１に配置されたＴＦＴ３０と同層に形成されたＴＦＴ３６を有している。また、走査線駆動回路１０２は、配線層１２に形成された配線６０や配線層１３に形成された配線７０を含んで構成されている。なお、図８では、ＴＦＴ３６を３つ表示したが、走査線駆動回路１０２に含まれるＴＦＴ３６の数はこれに限定されるものではない。

配線６０は、ＴＦＴ３６側の導電膜６１に導電膜６２を積層した構成となっている。上層の導電膜６２は例えばＡｌなどの低抵抗配線材料からなり、下層の導電膜６１は導電膜６２よりも光の反射率が低い例えばＴｉＮなどの金属窒化物からなる。このような配線構造は、配線７０においても同様である。つまり、配線７０は導電膜７１に導電膜７２を積層したものであり、導電膜７１は導電膜７２よりも反射率が低い例えばＴｉＮなどの金属窒化物からなる。

仮に、表示領域Ｅ１から斜めに入射した光が、走査線駆動回路１０２のＴＦＴ３６と配線６０や配線７０との間に入射したとしても、ＴＦＴ３６と各配線６０との間では、反射率が低い導電膜６１，７１が存在するので乱反射が起こり難い。導電膜６１，７１は、本発明における第２の反射防止膜の一例である。なお、配線６０や配線７０は多層構造であることに限定されず、反射率が低い導電膜からなる単層構造であってもよい。また、第２の反射防止膜として機能する配線は、２つの配線６０，７０であることに限定されず、どちらか一方であってもよい。あるいは配線６０や配線７０以外の配線であってもよい。

図７は、走査線駆動回路１０２が設けられた周辺領域Ｅ２について図示しているが、上述した第２の遮光部８１及び第１の反射防止膜３５の配置は、走査線駆動回路１０２が設けられた周辺領域Ｅ２の部分に限らず、検査回路１０３が設けられた領域や、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３が設けられていない領域においても適用されている。また、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１が設けられた領域にも適用されている。

次に、比較例の液晶装置を挙げて、本実施形態の液晶装置１００の効果について説明する。図９は比較例の液晶装置における周辺領域の遮光状態を示す概略断面図、図１０は第１実施形態の液晶装置における周辺領域の遮光状態を示す概略断面図である。

図９に示すように、比較例の液晶装置２００は、本実施形態の液晶装置１００に対して、周辺領域Ｅ２に第１の反射防止膜３５を有していない。また、素子基板１０において、対向基板２０の第１の遮光部としての見切り部２１と対向する位置に、遮光性の配線９１を有している点が異なっている。比較例の液晶装置２００における配線９１は、平面視でシール部材４０と重なっていない。他の構成は液晶装置１００と同じであることから、同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

比較例の液晶装置２００において、対向基板２０の光反射性を有する見切り部２１にＺ方向に対して斜めに入射した光Ｌ１は、見切り部２１によって反射し、例えばケース１４０の開口部１４２の縁部の内側と防塵基板１２２の端面とで反射して、見切り部２１を迂回して液晶層５０に入射するおそれがある。しかし、このような光Ｌ１の反射光は、素子基板１０に設けられた配線９１によって遮光されるので、液晶層５０から出射される表示光に影響を及ぼさない。ところが、ケース１４０における光の出射側の開口部１４９にＺ方向に対して斜めに入射した光Ｌ６は、例えば防塵基板１２１の端面で反射して配線９１に入射するおそれがある。このように、光の出射側から配線９１に入射した光Ｌ６は、液晶層５０に侵入することはないが、Ａｌなどの高い反射率の低抵抗配線材料を用いて配線９１を形成すると、配線９１に入射した光Ｌ６は反射されて表示光に影響を及ぼしてしまう。

比較例の液晶装置２００を後述する投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）として用いると、投射された映像に配線９１で反射した光Ｌ６が重なって影響を及ぼすという問題が発生する。

これに対して、本実施形態の液晶装置１００では、図１０に示すように、素子基板１０に設けられた第２の遮光部８１は、平面視で対向基板２０の見切り部２１とシール部材４０とに重なって配置されている。したがって、ケース１４０の開口部１４２から見切り部２１にＺ方向に対して斜めに入射する光Ｌ１は、例えば開口部１４２の縁部の内側と防塵基板１２２の端面とで反射して、見切り部２１を迂回して液晶層５０に入射しても、第２の遮光部８１によって遮光される。また、第２の遮光部８１は、平面視でシール部材４０にも重なって配置されているので、例えば対向基板２０の端面で反射した光がシール部材４０を透過したとしても第２の遮光部８１によって遮光される。すなわち、対向基板２０の見切り部２１を迂回するように再反射した光は、第２の遮光部８１によって遮光され表示光に影響を及ぼさない。また、第２の遮光部８１の光の出射側に、平面視で第２の遮光部８１と重なるように第１の反射防止膜３５が配置されている。したがって、ケース１４０の光の出射側の開口部１４９からＺ方向に対して斜めに入射して、例えば防塵基板１２１の端面で反射した光Ｌ６は、第１の反射防止膜３５により遮光されると共に、第１の反射防止膜３５によって反射し難いので、表示光に影響を与え難い。

また、図１０に示すように、素子基板１０の端子部側では、第１の反射防止膜３５は、平面視で第２の遮光部８１とデータ線駆動回路１０１とに重なるように配置されている。つまり、ケース１４０の開口部１４９からデータ線駆動回路１０１に向かって入射する光も遮光可能となっている。言い換えれば、データ線駆動回路１０１のトランジスターの光誤動作を防止可能な遮光構造となっている。

つまり、本実施形態によれば、光の入射側に配置される対向基板２０の第１の遮光部としての見切り部２１は高い反射率を有する例えばＡｌなどを用いて形成されているので、対向基板２０に入射した光の一部を反射させることから、入射した光によって液晶装置１００の温度が急激に上昇することを抑制できる。

また、対向基板２０に入射した光の一部が、見切り部２１を迂回するように再反射したとしても、素子基板１０に設けられた第２の遮光部８１により、周辺領域Ｅ２に入射する再反射光を遮光して、周辺領域Ｅ２に設けられたトランジスターの光誤動作を防止することができる。

さらに、素子基板１０は、第２の遮光部８１の光の出射側に第１の反射防止膜３５を備えているので、光の出射側から周辺領域Ｅ２に入射する光（迷光）を第１の反射防止膜３５で遮光すると共に、第１の反射防止膜３５での再反射が抑制され、表示光に影響が及ばない。

本実施形態の液晶装置１００では、対向基板２０の大きさよりも防塵基板１２１，１２２の大きさが小さくなっている。防塵基板１２１，１２２の端面が対向基板２０の端面よりも表示領域Ｅ１側に近づくように防塵基板１２１，１２２が配置されても、防塵基板１２１，１２２の端面による光の再反射が表示光に影響しない構成となっている。言い換えれば、防塵基板１２１，１２２を対向基板２０よりも小さくしてコストダウンを図ることが可能である。また、素子基板１０や対向基板２０の端面が表示領域Ｅ１に近づくように、それぞれの外形を小さくしても同様な効果が得られる。

なお、液晶装置１００において、光の出射側から素子基板１０の周辺領域Ｅ２に入射する光を遮光し、さらに入射した光の再反射を防止するための手段として、防塵基板１２１に反射防止膜を設けることも考えられるが、そうすると防塵基板１２１における加工工程が増えてコストアップとなってしまう。本願は、走査線３として機能する第１の反射防止膜３５を形成する工程で、周辺領域Ｅ２の遮光と再反射の防止とを両立できることからコストアップを招かないという利点がある。

本実施形態では、第１の反射防止膜３５として金属シリサイド（タングステンシリサイド）を用い、第２の反射防止膜として金属窒化物（窒化チタン）を用いる例を挙げた。これらの反射防止膜における材料選択（光の反射率）の基本的な考え方は、上述した比較例にて示したように光Ｌ６が表示に与える影響を反射防止膜で抑制できればよい。一方で光Ｌ６が表示に与える影響は、光Ｌ６の強度に係る。つまり、光Ｌ６の強度が強ければ反射防止膜の反射率が低くても表示に影響を及ぼすおそれがあり、光Ｌ６の強度が弱ければ反射防止膜の反射率が高くても表示に影響を及ぼし難くなる。それゆえに、反射防止膜に入射する光Ｌ６の強度に対して、反射防止膜で反射した光Ｌ６の強度が半分以下となるように、反射防止膜を構成（材料選択と光の反射率）すれば、実質的に表示への影響を抑えられると考えられる。

（第２実施形態）
次に、本実施形態の電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて説明する。図１１は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図１１に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

図１２は液晶ライトバルブの構成を示す概略図、図１３は偏光素子を示す斜視図である。詳しくは、図１２は赤（Ｒ）の液晶ライトバルブ１２１０の構成を示すものである。

図１２に示すように、液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００の色光（Ｒ）の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子１２１１，１２１２を有している。一対の偏光素子１２１１，１２１２のそれぞれは、液晶装置１００に対して隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

図１３に示すように、本実施形態の液晶ライトバルブ１２１０に用いられ、液晶装置１００に対して光の出射側に配置される偏光素子１２１２は、ワイヤーグリッド偏光子と呼ばれるものであって、例えば基材１２１２ｇに等間隔で複数のスリット１２１２ｓが形成されたものである。基材１２１２ｇは、例えば高い反射率のＡｌなどの金属板が用いられる。スリット１２１２ｓの配置ピッチｄは、偏光素子１２１２を透過する光の波長よりも小さい。したがって、スリット１２１２ｓの延在方向と直交する方向に振動面を有する直線偏光Ｗ１はスリット１２１２ｓを透過するが、スリット１２１２ｓの延在方向に振動面を有する直線偏光Ｗ２はスリット１２１２ｓを透過できない。

このようなワイヤーグリッド偏光子は、高分子フィルムを延伸して得られる偏光板に比べて、優れた耐熱性を有する点で、高輝度光源を用いる場合に有効である。

一方で、偏光素子１２１２に入射した光（偏光）の一部は、基材１２１２ｇが光反射性を有しているので、液晶装置１００側に反射することになる。液晶装置１００は、光の出射側から周辺領域Ｅ２に入射する光を遮光すると共に再反射を防ぐ第１の反射防止膜３５を有しているので、光の出射側にワイヤーグリッド偏光子と呼ばれる偏光素子１２１２が配置されていたとしても、偏光素子１２１２からの反射光の影響を受け難い。液晶装置１００の光の入射側に配置される偏光素子１２１１も偏光素子１２１２と同じワイヤーグリッド偏光子が用いられている。すなわち、液晶装置１００は、ワイヤーグリッド偏光子を用いる液晶ライトバルブに好適である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、表示領域Ｅ１を囲む周辺領域Ｅ２における光漏れが改善され、且つ、液晶装置１００から出射された表示光が他の構造物（例えば、偏光素子１２１２）の表面で反射した光が周辺領域Ｅ２に入射したとしても第１の反射防止膜３５によって遮光され再反射することが抑制されている。したがって、周辺領域Ｅ２における上記光漏れや上記再反射が表示光に影響しないので、優れた表示品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置および該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）データ線駆動回路１０１は、素子基板１０においてシール領域Ｅ４の外側の端子部に設けられることに限定されない。例えば、データ線駆動回路１０１は、平面視で表示領域Ｅ１とシール領域Ｅ４との間で、基材１０ｓ上において第２の遮光部８１と第１の反射防止膜３５との間に設けられていてもよい。

（変形例２）周辺領域Ｅ２における光漏れを防止する第２の遮光部８１は、画素電極１５の下層の配線層１４に設けられることに限定されず、例えば、配線層１３と配線層１４とに分かれて配置されていてもよい。

（変形例３）液晶パネル１１０における液晶層５０は、負の誘電異方性を有する液晶分子が略垂直配向したＶＡ方式であることに限定されない。例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）方式や、ＩＰＳ（In Plain Switching）方式、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）方式などであっても、本願の効果を奏する。したがって、第２の遮光部８１にＬＣＣＯＭ電位が与えられることは必須ではなく、第２の遮光部８１は電気的に浮いた状態（フローティング状態）であってもよい。

（変形例４）電気光学装置としての液晶装置１００が適用される電子機器は、上記第２実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）やＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）の表示部として好適に用いることができる。

１０…第２基板としての素子基板、２０…第１基板としての対向基板、２１…第１の遮光部としての見切り部、３５…第１の反射防止膜、３５ａ，３５ｂ…反射防止部、３６…第２の遮光部と第１の反射防止膜との間に設けられたトランジスターとしての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、４０…シール部材、５０…電気光学素子としての液晶層、８１…第２の遮光部、１００…電気光学装置としての液晶装置、１２１，１２２…防塵基板、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…周辺領域、Ｅ３…見切り領域、Ｅ４…シール領域。

Claims

第１基板と第２基板との間に電気光学素子を備え、前記第１基板側から前記電気光学素子に光が入射する電気光学装置であって、
前記第１基板は、表示領域を囲む周辺領域に設けられた第１の遮光部を有し、
前記第２基板は、前記第１の遮光部と重なる位置に設けられた第２の遮光部と、前記第２の遮光部に対して光の出射側で前記第２の遮光部と重なる位置に設けられた第１の反射防止膜とを有する、電気光学装置。
前記第２基板は、前記第２の遮光部と前記第１の反射防止膜との間に設けられたトランジスターを有する、請求項１に記載の電気光学装置。
前記第１の反射防止膜は、前記第１の遮光部よりも反射率が低い材料からなる、請求項１または２に記載の電気光学装置。
前記第１の遮光部は、アルミニウムからなり、
前記第１の反射防止膜は、金属シリサイドからなる、請求項３に記載の電気光学装置。
前記第１の反射防止膜は、間隔を置いて配置された複数の反射防止部を含み、電気的に浮いた状態にある、請求項４に記載の電気光学装置。
前記第２基板は、前記第２の遮光部と前記トランジスターとの間に設けられた第２の反射防止膜を有する、請求項２に記載の電気光学装置。
前記第２の反射防止膜は、金属窒化物からなる、請求項６に記載の電気光学装置。
前記第１基板の端部と、前記第１の遮光部との間にシール領域を有し、
前記第１基板と前記第２基板とは、前記シール領域に設けられた光硬化型のシール部材によって接着され、
前記第２基板において、前記第２の遮光部は、前記第１の遮光部と前記シール領域とに重なるように配置され、前記第１の反射防止膜の前記表示領域側の端部は、前記第２の遮光部の前記表示領域側の端部と同じ位置、または前記第２の遮光部の前記表示領域側の端部よりも前記表示領域側に位置している、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
前記第２基板の光の出射側に前記第１基板よりも外形が小さい防塵基板を有する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。