JP7367347B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関するものである。
液晶装置等の電気光学装置は、第１基板と、シール材を介して第１基板と貼り合わされた第２基板とを有しており、シール材の内側に液晶層等の電気光学層が配置されている。かかる電気光学装置において、液晶層のイオン性不純物が画素領域において偏在すると、イオン性不純物が偏在した領域において光変調特性が低下する。
一方、液晶層をシール材の内側に滴下方式で配置した場合、硬化前のシール材から液晶層に溶出したイオン性不純物が表示領域に拡散することを防止するために、表示領域とシール材との間にトラップ電極を設けるとともに、トラップ電極と表示領域との間に壁を設けた構成が提案されている（特許文献１参照）。また、シール材の内側、およびシール材と表示領域との間の各々に壁を設け、これらの壁の各々に電極を設けて、不純物イオンをトラップする構成が提案されている（特許文献２参照）。
特開２０１７－１１１２９０号公報 特開２０１７－９０７９４号公報
イオン性不純物が表示領域の液晶層に混入することを避けることが困難であるため、画像の品位に対するイオン性不純物の影響を抑制するには、イオントラップ電極によってイオン性不純物を表示領域から表示領域の外側に掃き出すことが効果的である。しかしながら、イオントラップ電極に印加した電位によってイオン性不純物をトラップしても、イオントラップ電極に対する電位の印加を休止すると、イオントラップ電極付近に凝縮されていた高濃度のイオン性不純物が、表示領域との間のイオン性不純物の濃度差によって表示領域に拡散してしまう。従って、イオントラップ電極によって表示領域から表示領域の外側にイオン性不純物を効率よく掃き出すとともに、イオントラップ電極に対する電位の印加を休止した際のイオン性不純物の表示領域への拡散を抑制する必要があるという課題がある。
しかしながら、引用文献１に記載の構成では、硬化前のシール材から液晶層に溶出したイオン性不純物をシール材と表示領域との間に滞留させることが目的であるため、壁によってシール材と表示領域との間の液晶層が極めて薄くなっている。それ故、表示領域から表示領域の外側にイオン性不純物を効率よく掃き出すことが困難である。
また、引用文献２に記載の構成では、壁にトラップ用の電極を設けているため、イオントラップ電極に対する電位の印加を休止した際、イオントラップ電極付近に凝縮されていた高濃度のイオン性不純物が、表示領域との間のイオン性不純物の濃度差によって表示領域に拡散することを抑制することが困難である。
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、第１基板と、シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、前記シール材の内側に配置された電気光学層と、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、前記第１基板における前記画素領域と前記シール材との間に設けられ、第１信号が印加される第１イオントラップ電極と、前記第１基板における前記第１イオントラップ電極と前記シール材との間に設けられ、前記第１信号と位相の異なる第２信号が印加される第２イオントラップ電極と、を備え、前記画素電極と前記第１イオントラップ電極との間には、前記電気光学層の厚さが前記画素領域より薄い拡散防止部が設けられており、前記拡散防止部における前記電気光学層の厚さは、前記画素電極と前記第１イオントラップ電極との平面視における間隔以上であることを特徴とする。
本発明に係る電気光学装置の別態様は、第１基板と、シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、前記シール材の内側に配置された電気光学層と、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、を備え、前記複数の画素電極は、画像を表示するための画像信号が印加される画像表示用画素電極と、前記画像信号と異なる位相のイオントラップ信号が印加されるイオントラップ電極と、を含み、前記画像表示用画素電極と前記イオントラップ電極との間には、前記電気光学層の厚さが前記画像表示用画素電極と重なる領域より薄い拡散防止部が設けられており、前記拡散防止部における前記電気光学層の厚さは、前記画像表示用画素電極と前記イオントラップ電極との平面視における間隔以上であることを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置のさらに別態様は、第１基板と、シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、前記シール材の内側に配置された電気光学層と、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、前記第１基板における前記画素領域と前記シール材との間に設けられ、イオントラップ電位が印加されるイオントラップ電極と、を有し、前記画素電極と前記イオントラップ電極との間には、前記電気光学層の厚さが、前記画素領域より薄く、平面視における前記画素電極と前記イオントラップ電極との間隔より厚い拡散防止部が設けられていることを特徴とする。
本発明を適用した電気装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
本発明の実施形態１に係る電気光学装置の平面構成を模式的に示す説明図。 図１に示す電気光学装置のＨ－Ｈ′断面を模式的に示す断面図。 図１に示す電気光学装置の電気的な構成を示す等価回路図。 図３に示す画素の構造を模式的に示す断面図。 図１に示す電気光学装置の平面構成を示す説明図。 図５に示す電気光学装置のＡ１－Ａ１’断面を模式的に示す説明図。 図５に示すイオントラップ電極に印加される信号の一例を示す説明図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の平面構成を示す説明図。 図８に示す電気光学装置のＡ２－Ａ２’断面を模式的に示す説明図。 本発明の実施形態３に係る電気光学装置の平面構成を示す説明図。 図１０に示す電気光学装置のＡ３－Ａ３’断面を模式的に示す説明図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下に参照する図面では、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、以下の説明において、第１基板１０に形成された膜等を説明する際、上層とは第１基板１０の基板本体１０ｗとは反対側を意味し、下層とは基板本体１０ｗの側を意味する。第２基板２０に形成された膜等を説明する際、上層とは第２基板２０の基板本体２０ｗとは反対側を意味し、下層とは基板本体２０ｗの側を意味する。また、平面視とは、第１基板１０および第２基板２０に対する法線方向からみた様子を意味する。また、以下の説明では、トランジスターの一例として、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ３０）を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の電気光学装置１００を中心に説明する。かかる電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）等として好適に用いることができる。
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の平面構成を模式的に示す説明図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＨ－Ｈ′断面を模式的に示す断面図である。図１および図２に示す電気光学装置１００は液晶装置であり、液晶パネル１１０を有している。電気光学装置１００は、第１基板１０と、第１基板１０に対向する第２基板２０とを有しており、第１基板１０と第２基板２０とは、枠状のシール材４０を介して貼り合わされている。第１基板１０と第２基板２０との間には、シール材４０の内側に液晶層からなる電気光学層５０が配置されている。第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる基板本体１０ｗを有しており、基板本体１０ｗから第１配向膜１８までが第１基板１０に相当する。第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる基板本体２０ｗを有しており、基板本体２０ｗから第２配向膜２８までが第２基板２０に相当する。
第１基板１０は第２基板２０よりも大きく、シール材４０は、第２基板２０の外縁に沿って配置されている。電気光学層５０において、液晶層は、正または負の誘電異方性を有する液晶材料を含んでいる。シール材４０は、例えば、熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂等の接着剤からなり、第１基板１０と第２基板２０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示せず）を含んでいる。
シール材４０で囲まれた領域内には、画素Ｐがマトリクス状に複数配列された画素領域Ｅが設けられており、第２基板２０には、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅの周りを囲む見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、金属あるいは金属酸化物等からなる遮光層によって構成されている。図示を省略するが、遮光層は、第２基板２０に対して、隣り合う画素Ｐの境界部分に平面視で重なるブラックマトリックスとして構成されることもある。
第１基板１０において、基板本体１０ｗの第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側には、シール材４０の外側に、１つの辺に沿って複数の端子１０４が配列されており、端子１０４と画素領域Ｅとの間にはデータ線駆動回路１０１が設けられている。基板本体１０ｗの一方面１０ｓの側において、画素領域Ｅの外側には、端子１０４が配列された辺と隣り合う２辺の各々に沿って走査線駆動回路１０２が設けられ、端子１０４が配列された辺と対向する辺に沿って検査回路１０３が設けられている。基板本体１０ｗの一方面１０ｓの側において、シール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。データ線駆動回路１０１、および走査線駆動回路１０２に繋がる複数の配線は各々、複数の端子１０４に接続されている。以下、端子１０４が配列されている方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸方向に直交する方向をＹ軸方向として説明する。なお、検査回路１０３は、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
基板本体１０ｗの一方面１０ｓの側では、複数の画素Ｐ毎に配置された画素電極１５と、画素電極１５を覆う第１配向膜１８とが設けられている。また、図示を省略するが、基板本体１０ｗの一方面１０ｓの側には、後述する画素スイッチング素子や配線等が設けられている。画素電極１５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電膜からなる。
第２基板２０において、基板本体２０ｗの第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には、見切り部２１と、見切り部２１を覆う平坦化膜２２と、平坦化膜２２を覆う共通電極２３と、共通電極２３を覆う第２配向膜２８とが設けられている。見切り部２１は、平面視において、画素領域Ｅの周りを囲むととともに、走査線駆動回路１０２および検査回路１０３と重っている。従って、第２基板２０側から走査線駆動回路１０２等に入射しようとする光を遮蔽することにより、光による誤動作を防止している。また、見切り部２１は、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射することを防止し、表示される画像のコントラストを高めている。平坦化膜２２は、例えば酸化シリコン等の無機材料からなる。
共通電極２３は、ＩＴＯ等の透光性導電膜からなり、第１基板１０と第２基板２０との間に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、第１基板１０に設けられた配線を介して端子１０４に電気的に接続されている。
第１配向膜１８、および第２配向膜２８は、電気光学装置１００の光学設計に基づいて選定される。本実施形態において、第１配向膜１８、および第２配向膜２８は、気相成長法によって成膜されたＳｉＯｘ（酸化シリコン）等の無機材料を含む無機配向膜からなり、負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直配向させる。第１配向膜１８、および第２配向膜２８は、表面がラビングされたポリイミド等の有機配向膜からなる場合もあり、有機配向膜は、正の誘電異方性を有する液晶分子を略水平配向させる。
本実施形態の電気光学装置１００は透過型であって、液晶パネル１１０に対する光の入射側、および出射側の各々に配置される偏光素子の光学設計に応じて、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの液晶装置として構成される。本実施形態では、第１配向膜１８、および第２配向膜２８として無機配向膜を用い、電気光学層５０に負の誘電異方性を有する液晶材料を用いることによって、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例を中心に説明する。
（電気的な構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、電気光学装置１００は、少なくとも画素領域ＥにおいてＸ軸方向に延在する複数の走査線３ａと、Ｙ軸方向に延在する複数のデータ線６ａとを有しており、走査線３ａとデータ線６ａとは、第１基板１０において、互いに絶縁された状態にある。本実施形態において、第１基板１０は、データ線６ａに沿って延在する容量線３ｂを有している。また、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応して画素Ｐが設けられている。複数の画素Ｐは各々、画素電極１５、ＴＦＴ３０、および蓄積容量１６を備えている。走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａは、図１に示すデータ線駆動回路１０１に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎを各画素Ｐに供給する。走査線３ａは、図１に示す走査線駆動回路１０２に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣｍを順次、各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループ毎に供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１～ＳＣｍを所定のタイミングで線順次で供給する。
電気光学装置１００では、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１～ＳＣｍの入力によりオン状態とされる期間、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる。画素電極１５を介して電気光学層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１～Ｄｎは、画素電極１５と電気光学層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１～Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。本実施形態においては、画素電極１５と電気光学層５０との間に保持された画像信号Ｄ１～Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
図１に示す検査回路１０３にはデータ線６ａが接続されており、電気光学装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することによって、電気光学装置１００の動作欠陥などを確認するのに用いられる。従って、図３では、検査回路１０３の図示を省略してある。なお、図１には、画素領域Ｅの外側に形成される周辺回路として、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、および検査回路１０３を示してあるが、周辺回路として、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路や、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号Ｄ１～Ｄｎに先行して供給するプリチャージ回路等が設けられる場合もある。
（画素Ｐの構成）
図４は、図３に示す画素Ｐの構造を模式的に示す断面図である。図４に示すように、第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓには、走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の遮光層からなる。
走査線３ａの上層には酸化シリコン等からなる第１絶縁膜１１ａ（下地絶縁膜）が形成され、第１絶縁膜１１ａの上層に半導体層３０ａが形成されている。半導体層３０ａは、多結晶シリコン膜からなる。半導体層３０ａは、酸化シリコン等からなる第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂによって覆われており、第２絶縁膜１１ｂの上層には、走査線３ａに電気的に接続されたゲート電極３０ｇが形成される。
ゲート電極３０ｇの上層には酸化シリコン等からなる第３絶縁膜１１ｃが形成されており、第２絶縁膜１１ｂおよび第３絶縁膜１１ｃには、半導体層３０ａのソース領域およびドレイン領域に到るコンタクトホールＣＮＴ１、ＣＮＴ２が形成される。第３絶縁膜１１ｃの上層には、コンタクトホールＣＮＴ１、ＣＮＴ２を介して半導体層３０ａに接続するデータ線６ａ（ソース電極）、および第１中継電極６ｂ（ドレイン電極）が形成される。このようにしてＴＦＴ３０が構成される。本実施形態において、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有している。
データ線６ａおよび第１中継電極６ｂの上層側には酸化シリコン等からなる第１層間絶縁膜１２ａが形成される。第１層間絶縁膜１２ａの表面は、化学的機械的研磨処理（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ処理）等によって平坦化されている。第１層間絶縁膜１２ａには、第１中継電極６ｂに到るコンタクトホールＣＮＴ３が形成されており、第１層間絶縁膜１２ａの上層には、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。配線７ａは、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと平面視で重なるように形成されており、固定電位が印加されたシールド層として機能する。
配線７ａおよび第２中継電極７ｂの上層側には酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａの表面は、ＣＭＰ処理等によって平坦化されている。第２層間絶縁膜１３ａには、第２中継電極７ｂに到るコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。
第２層間絶縁膜１３ａの上層には、遮光性の金属等によって、第１容量電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄが形成される。第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成された容量線３ｂであり、固定電位が供給される。第１容量電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄの上層には、第１容量電極１６ａの外縁および第３中継電極１６ｄの外縁等を覆うように絶縁膜１３ｂが形成される。第１容量電極１６ａおよび絶縁膜１３ｂの上層側には誘電体層１６ｂが形成される。誘電体層１６ｂは、シリコン窒化膜や、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる。誘電体層１６ｂの上層には、窒化チタン（ＴｉＮ）等からなる第２容量電極１６ｃが形成され、第１容量電極１６ａ、誘電体層１６ｂ、および第２容量電極１６ｃによって蓄積容量１６が構成される。第２容量電極１６ｃは、誘電体層１６ｂおよび絶縁膜１３ｂの除去部分を介して第３中継電極１６ｄに電気的に接続されている。
第２容量電極１６ｃの上層側には酸化シリコン等からなる第４層間絶縁膜１４ａが形成され、第４層間絶縁膜１４ａの表面は、ＣＭＰ処理等によって平坦化されている。第４層間絶縁膜１４ａには、第２容量電極１６ｃに到達するコンタクトホールＣＮＴ５が形成されている。第４層間絶縁膜１４ａの上層にはＩＴＯ等の透光性導電膜からなる画素電極１５が形成され、画素電極１５は、コンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃに電気的に接続されている。
このように構成した電気光学装置１００では、第１基板１０に、複数の配線が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線部を表してある。例えば、配線部１１の代表的な配線は走査線３ａである。配線部１２の代表的な配線はデータ線６ａである。配線部１３の代表的な配線は配線７ａである。配線部１４の代表的な配線は、第１容量電極１６ａとしての容量線３ｂである。
（電気光学層５０等の構成）
第１配向膜１８および第２配向膜２８は、無機配向膜であって、酸化シリコン等の無機材料を斜め蒸着して柱状に成長させたカラム１８ｃ、２８ｃの集合体からなる。従って、電気光学層５０において、液晶分子ＬＣは、第１基板１０および第２基板２０に対する法線方向に対して、３°～５°のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）する。液晶分子ＬＣは、画素電極１５と共通電極２３との間に駆動信号が印加された際、画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向によって傾きが変化する。
図１において、第１基板１０に第１配向膜１８を形成する際の斜め蒸着方向は、例えば、破線の矢印Ｃ１で示す方位であり、Ｙ軸方向に角度θａの角度を成す方向である。第２基板２０に第２配向膜２８を形成する際の斜め蒸着方向は、例えば、実線の矢印Ｃ２で示す方位であり、Ｙ軸方向に角度θａの角度を成す方向である。かかる蒸着方向によって、液晶分子ＬＣの配向方向に規定される。角度θａは例えば４５度である。第１基板１０に第１配向膜１８を形成する際の斜め蒸着の方位と、第２基板２０に第２配向膜２８を形成する際の斜め蒸着の方位とは逆向きである。
（画素領域Ｅ等の説明）
図５は、図１に示す電気光学装置１００の平面構成を示す説明図であり、第１基板１０と第２基板２０とが重なっている領域の説明図である。図６は、図５に示す電気光学装置１００のＡ１－Ａ１’断面を模式的に示す説明図ある。図５および図６に示すように、電気光学装置１００の画素領域Ｅは複数の画素ＰがＸ軸方向およびＹ軸方向に配置されており、複数の画素Ｐは各々、ＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極１５を有している。画素Ｐおよび画素電極１５は、平面的な形状、大きさや配置ピッチ等が同一である。
画素領域Ｅは、複数の画素Ｐのうち、画像の表示に直接寄与する表示画素Ｐ０が配置された表示領域Ｅ１を有し、表示領域Ｅ１の周りには、複数の画素Ｐのうち、画像の表示に直接寄与しない複数のダミー画素ＤＰを有するダミー画素領域Ｅ２を有している。また、画素領域Ｅの外側は周辺領域Ｅ３になっている。以下の説明では、複数の画素電極１５のうち、表示画素Ｐ０に設けられた画素電極１５を画像表示用画素電極１５０とし、ダミー画素ＤＰに設けられた画素電極１５をダミー画素電極１５１とする。図５に示す態様では、ダミー画素領域Ｅ２にＸ軸方向において表示領域Ｅ１を挟んで２個ずつ、Ｙ軸方向において表示領域Ｅ１を挟んで２個ずつのダミー画素ＤＰが配置されている。但し、ダミー画素領域Ｅ２におけるダミー画素ＤＰの配置数はこれに限定されるものではなく、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の各々において、表示領域Ｅ１を挟んで少なくとも１個ずつのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。また、３個ずつ以上でもよく、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにおける配置数が異なっていてもよい。
本実施形態では、ダミー画素領域Ｅ２を電子見切り部１２０として機能させる。より具体的には、ダミー画素電極１５１は各々、下層側に設けられたＴＦＴ３０に電気的に接続されており、電気光学装置１００がノーマリーブラックモードの場合、表示領域Ｅ１の画素Ｐの表示状態に関わらず、常にダミー画素ＤＰの透過率が変化しない程度の交流電位が印加される。従って、電子見切り部１２０の全域が黒表示となる。なお、図１および図２を参照して説明した見切り部２１は、シール材４０とダミー画素領域Ｅ２との間に位置するため、ダミー画素領域Ｅ２（電子見切り部１２０）は、見切り部２１とともに、電気光学装置１００のＯＮ・ＯＦＦに依存しない見切りとして機能する。
（不純物イオン）
このように構成した電気光学装置１００において、電気光学層５０を駆動すると、図４に矢印Ｂで示すように、液晶分子ＬＣが振動し、図１に示す矢印Ｃ１、Ｃ２で示した斜め蒸着方向に液晶分子ＬＣのフローが生ずる。従って、液晶注入時における混入や、シール材４０からの溶出等によって、電気光学層５０にイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は、液晶分子ＬＣのフローに沿って画素領域Ｅの隅部Ｅａ、Ｅｂに向かって移動し、隅部Ｅａ、Ｅｂに偏在しようとする。イオン性不純物が偏在している領域では、電気光学層５０の絶縁抵抗が低下し、駆動電位の低下を招く。その結果、隅部Ｅａ、Ｅｂでは表示ムラや通電による焼き付き現象が発生することになる。
そこで、本実施形態では、以下に説明するように、表示領域Ｅ１の外側にイオントラップ電極１３０を設け、表示領域Ｅ１のイオン性不純物を表示領域Ｅ１の外側に掃き出す。
（トラップ用電極１３０の構成）
図７は、図５に示すイオントラップ電極１３０に印加される信号の一例を示す説明図である。図５および図６に示すように、本実施形態の電気光学装置１００の第１基板１０には、イオントラップ電極１３０として、平面視で画素領域Ｅとシール材４０とに挟まれた領域に第１信号Ｖａが供給される第１イオントラップ電極１３１と、平面視で第１イオントラップ電極１３１とシール材４０とに挟まれた領域で第１信号Ｖａと異なる位相の第２信号Ｖｂが供給される第２イオントラップ電極１３２とが設けられている。また、第１基板１０には、平面視で第２イオントラップ電極１３２とシール材４０とに挟まれた領域で第１信号Ｖａおよび第２信号Ｖｂと異なる位相の第３信号Ｖｃが供給される第３イオントラップ電極１３３が設けられている。本実施形態において、イオントラップ電極１３０（第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、および第３イオントラップ電極１３３）は、画素電極１５と同一の層からなる。
イオントラップ電極１３０（第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、および第３イオントラップ電極１３３）は、少なくとも、イオン性不純物が偏在しようとする画素領域Ｅの隅部とシール材４０の隅部との間に設けられている。本実施形態において、図１に示す矢印Ｃ１、Ｃ２で示した斜め蒸着方向（液晶分子ＬＣの配向方向）に対応して、イオントラップ電極１３０は、少なくとも、画素領域Ｅの対角方向における２つの隅部Ｅａ、Ｅｂと、シール材４０の前記対角方向における２つの隅部４０ａ、４０ｂとの間の各々に設けられている。なお、イオントラップ電極１３０は、２つの隅部Ｅａ、Ｅｂから画素領域Ｅに沿って延在している態様や、２つの隅部Ｅａ、Ｅｂを含む画素領域Ｅの全周にわたって枠状に延在している態様が採用されることもあるが、本実施形態において、イオントラップ電極１３０は、少なくとも画素領域Ｅの対角方向における２つの隅部Ｅａ、Ｅｂと、シール材４０の前記対角方向における２つの隅部４０ａ、４０ｂとの間付近のみに設けられている。
本実施形態においては、例えば、図７に示すように、第１イオントラップ電極１３１に供給される第１信号Ｖａが正極性（＋）から負極性（－）に遷移する前に、第２イオントラップ電極１３２に供給される第２信号Ｖｂが負極性（－）から正極性（＋）に遷移する。また、第２信号Ｖｂが正極性（＋）から負極性（－）に遷移する前に、第３イオントラップ電極１３３に印加される第３信号Ｖｃが負極性（－）から正極性（＋）に遷移する。また、第１イオントラップ電極１３１に印加される第１信号Ｖａが負極性（－）から正極性（＋）に遷移する前に、第２イオントラップ電極１３２に印加される第２信号Ｖｂが正極性（＋）から負極性（－）に遷移する。また、第２信号Ｖｂが負極性（－）から正極性（＋）に遷移する前に、第３イオントラップ電極１３３に印加される第３信号Ｖｃが正極性（＋）から負極性（－）に遷移する。
ここで、第２イオントラップ電極１３２に与えられた第２信号Ｖｂは、第１イオントラップ電極１３１に与えられ第１信号Ｖａに対して、時間軸ｔにおいてΔｔ時間だけ遅れている。同様に、第３イオントラップ電極１３３に与えられた第３信号Ｖｃは、第２イオントラップ電極１３２に与えられた第２信号Ｖｂに対して、時間軸ｔにおいてΔｔ時間だけ遅れている。例えば、Δｔ時間を１／３周期とすれば、第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、第３イオントラップ電極１３３の各々に与えられた交流信号は、互いに１／３周期（１２０°）だけ位相がずれることとなる。言い換えれば、第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、第３イオントラップ電極１３３の各々の電位が互いに位相がずれた状態となる最大の位相のずれ量Δｔは、交流信号の１周期を電極の数ｎで除した値となる。
なお、図７に示した信号は、基準電位を０Ｖとして、高電位（５Ｖ）と低電位（－５Ｖ）とに遷移する周波数が１ｍＨｚの矩形波の交流信号であったが、基準電位、高電位、低電位の設定は、これに限定されるものではない。
かかる構成によれば、図７に示す時間ｔ0から時間ｔ1において、第１イオントラップ電極１３１に供給される第１信号Ｖａが５Ｖの正極性（＋）のとき、第１イオントラップ電極１３１に隣り合う第２イオントラップ電極１３２に供給の第２信号Ｖｂは、－５Ｖの負極性となる。従って、第１イオントラップ電極１３１と第２イオントラップ電極１３２との間には、第１イオントラップ電極１３１から第２イオントラップ電極１３２に向う電界が生ずる。また、時間ｔ1から時間ｔ2において、第２イオントラップ電極１３２に供給される第２信号Ｖｂが５Ｖの正極性（＋）のとき、第２イオントラップ電極１３２に隣り合う第３イオントラップ電極１３３に供給される第３電位が－５Ｖの負極性（－）となる。従って、第２イオントラップ電極１３２と第３イオントラップ電極１３３との間には、第２イオントラップ電極１３２から第３イオントラップ電極１３３に向う電界が生ずる。
また、時間ｔ2から時間ｔ3において、第３イオントラップ電極１３３に供給される第３信号Ｖｃが５Ｖの正極性（＋）のとき、第３イオントラップ電極１３３に隣り合う第２イオントラップ電極１３２に供給される第２信号Ｖｂが５Ｖの正極性（＋）から－５の負極性（－）に遷移する。従って、時間ｔ0から時間ｔ3の交流信号における１周期に相当する時間内において、第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、および第３イオントラップ電極１３３の電極間における電界の分布が、第１イオントラップ電極１３１から第３イオントラップ電極１３３へ時間的にスクロールされる。
ここで、イオン性不純物は、正極性（＋）を有するものと、負極性（－）を有するものとが存在する可能性があるが、本実施形態では、第１イオントラップ電極１３１の第１電位の極性に対応して正極性（＋）または負極性（－）のイオン性不純物が第１イオントラップ電極１３１に引き寄せられることになる。第１イオントラップ電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物をそのまま滞留させておくと、次第にイオン性不純物が蓄積されて、電子見切り部１２０や表示領域Ｅ１の表示に影響を及ぼすおそれがあるので、第１イオントラップ電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物を逐次、第２イオントラップ電極１３２や第３イオントラップ電極１３３に移動させる。すなわち、第１イオントラップ電極１３１に引き寄せられた正極性（＋）または負極性（－）のイオン性不純物を、第２イオントラップ電極１３２を経由して第３イオントラップ電極１３３へ移動させることができる。それ故、イオン性不純物は、上記の電界方向の第１イオントラップ電極１３１から第３イオントラップ電極１３３への移動に伴ってダミー画素領域Ｅ２から周辺領域Ｅ３に掃き寄せられる。かかる動作は画像を表示している期間、あるいは画像の表示を休止している期間のいずれに実施してもよい。
なお、電界のスクロールに伴って確実にイオン性不純物を第３イオントラップ電極１３３に掃き寄せるためには、イオン性不純物の移動速度を考慮して交流信号の周波数を決める。なお、イオントラップ電極１３０に印加する交流信号は、図７に示した矩形波の交流信号に限定されない。例えば、図７の矩形波の交流信号は、電位が正極性（＋）である時間と負極性（－）である時間が同じであるが、例えば、電位が正極性（＋）である時間よりも電位が負極性（－）である時間の方が長い設定の交流信号としてもよい。また、矩形波の交流信号は、５Ｖと－５Ｖの２値の電位間で振幅させてもよいが、異なる３値以上の電位を遷移するように波形を設定してもよい。さらに、イオントラップ電極の各々に印加される交流信号は、１周期の時間内において互いに位相が異なる正弦波であってもよい。
（拡散防止部２７の構成）
本実施形態において、画素電極１５と第１イオントラップ電極１３１との間には、電気光学層５０の厚さが画素領域Ｅより薄い拡散防止部２７が設けられている。すなわち、画素領域Ｅにおける電気光学層５０の厚さをｄ０とし、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さをｄ１としたとき、厚さｄ０、ｄ１は以下の関係を満たしている。
ｄ１＜ｄ０
例えば、画素領域Ｅにおける電気光学層５０の厚さｄ０は２．０μｍであり、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は１．０μｍである。
また、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は、画素電極１５と第１イオントラップ電極１３１との平面視における間隔ｄ６以上である。本実施形態において、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１と、画素電極１５と第１イオントラップ電極１３１との平面視における間隔ｄ６とは等しく、厚さｄ１および間隔ｄ６は、１．０μｍである。
なお、図５および図６では、部位毎に縮尺が異なっているが、第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、および第３イオントラップ電極１３３の幅は、例えば１．０μｍであり、電極間の距離は１．０μｍである。また、画素電極１５の間隔は０．６μｍである。
本実施形態において、拡散防止部２７は、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方から他方に向かって突出した壁２７０によって構成されている。本実施形態において、壁２７０は、第２基板２０から第１基板１０に向かって突出したシリコン酸化膜等の絶縁物からなり、共通電極２３に対して第１基板１０の側に設けられている。また、拡散防止部２７と画素電極１５との平面視における間隔は０．５μｍである。従って、壁２７０を設けた場合でも、電気光学層５０における液晶の配向の乱れが発生しにくいので、画像を表示した際、壁２７０に起因する光漏れが発生しにくい。
（本実施形態の主な効果）
以上説明したように、本実施形態では、位相が互いに１２０°ずれた信号が印加される第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、および第３イオントラップ電極１３３が設けられているため、表示領域Ｅ１を備えた画素領域Ｅの電気光学層５０に混入した負極性のイオン性不純物、および正極性のイオン性不純物を画素領域Ｅから離間した領域まで掃き出すことができる。従って、画素領域Ｅにおいてイオン性不純物の偏在に起因する画像品位の低下を抑制することができる。
また、画素電極１５と第１イオントラップ電極１３１との間には、電気光学層５０の厚さが画素領域Ｅより薄い拡散防止部２７が設けられているため、イオントラップ電極１３０に対する電位の印加を休止した際、イオントラップ電極１３０付近に凝縮されていた高濃度のイオン性不純物は、濃度勾配が存在していても、画素領域Ｅに拡散しにくい。
また、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は、画素電極１５と第１イオントラップ電極１３１との平面視における間隔ｄ６以上であるため、第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、および第３イオントラップ電極１３３によって、画素領域Ｅの電気光学層５０に混入した負極性のイオン性不純物、および正極性のイオン性不純物を画素領域Ｅから離間した領域まで効率よく掃き出すことができる。
また、第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、および第３イオントラップ電極１３３が第１基板１０に設けられている一方、拡散防止部２７は、第２基板２０の側から第１基板２０の側に向かって突出した壁２７０によって構成されている。このため、第１イオントラップ電極１３１、第２イオントラップ電極１３２、および第３イオントラップ電極１３３によって、画素領域Ｅの電気光学層５０に混入した負極性のイオン性不純物、および正極性のイオン性不純物を画素領域Ｅの外側に掃き出す際、拡散防止部２７（壁２７０）が障壁となりにくい。それ故、画素領域Ｅの電気光学層５０に混入した負極性のイオン性不純物、および正極性のイオン性不純物を画素領域Ｅから離間した領域まで効率よく掃き出すことができる。
［実施形態２］
図８は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の平面構成を示す説明図であり、第１基板１０と第２基板２０とが重なっている領域の説明図である。図９は、図８に示す電気光学装置１００のＡ２－Ａ２’断面を模式的に示す説明図である。なお、本実施形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。
図８および図９に示すように、本実施形態では、ダミー画素領域Ｅ２の各ダミー画素ＤＰに設けられた画素電極１５（ダミー画素電極１５１）のうち、少なくとも一部を、画像表示用画素電極１５０に印加される画像信号と異なる位相のイオントラップ信号Ｖｄが印加されるイオントラップ電極１３０として利用する。従って、見切り部２１はダミー画素領域Ｅ２と重なっている。本実施形態において、イオントラップ信号Ｖｄは、共通電極２３に印加される共通電位を基準としたとき、例えば、±５Ｖの振幅を有する周波数が１ｍＨｚの矩形波の交流信号である。
本実施形態において、イオントラップ電極１３０は、ダミー画素領域Ｅ２の複数のダミー画素電極１５１のうち、少なくとも、イオン性不純物が偏在しようとする画素領域Ｅの隅部Ｅａ、Ｅｂに位置するダミー画素電極１５１がイオントラップ電極１３０として利用される。なお、イオントラップ電極１３０は、２つの隅部Ｅａ、Ｅｂから画素領域Ｅに沿って延在している態様や、２つの隅部Ｅａ、Ｅｂを含む画素領域Ｅの全周にわたって枠状に延在している態様が採用されることもある。本実施形態において、イオントラップ電極１３０は、画素領域Ｅの対角方向における２つの隅部Ｅａ、Ｅｂ付近のみに設けられている。また、イオントラップ電極１３０は、ダミー画素領域Ｅ２の複数のダミー画素電極１５１であるため、見切り部２１は、ダミー画素領域Ｅ２と重なっている。
このような構成によれば、イオントラップ電極１３０によって表示領域Ｅ１に近い位置に横電界を発生させることができるので、表示領域Ｅ１の電気光学層５０に混入した負極性のイオン性不純物、および正極性のイオン性不純物をダミー画素領域Ｅ２に掃き出すことができる。従って、表示領域Ｅ１においてイオン性不純物が偏在することに起因する画像品位の低下を抑制することができる。
また、第１基板１０には、画像表示用画素電極１５０と、イオントラップ電極１３０として利用されるダミー画素電極１５１との間には、電気光学層５０の厚さが画像表示用画素電極１５０と重なる領域より薄い拡散防止部２７が設けられている。拡散防止部２７は、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方から他方に向かって突出した壁２７０によって構成されている。本実施形態において、壁２７０は、第２基板２０から第１基板１０に向かって突出したシリコン酸化膜等の絶縁物からなる。拡散防止部２７の一部は、イオントラップ電極１３０として利用されるダミー画素電極１５１と重なっている。
ここで、画像表示用画素電極１５０と重なる領域における電気光学層５０の厚さをｄ０とし、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さをｄ１としたとき、厚さｄ０、ｄ１は以下の関係を満たしている。
ｄ１＜ｄ０
例えば、画像表示用画素電極１５０と重なる領域における電気光学層５０の厚さｄ０は約２．０μｍであり、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は１．０μｍである。
本実施形態において、画像表示用画素電極１５０と重なる領域における電気光学層５０の厚さｄ１は、画像表示用画素電極１５０とイオントラップ電極１３０との平面視における間隔ｄ７以上である。本実施形態において、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は、１．０μｍであるのに対して、画像表示用画素電極１５０とイオントラップ電極１３０との平面視における間隔ｄ７は、０．６μｍであり、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は、画像表示用画素電極１５０とイオントラップ電極１３０との平面視における間隔ｄ７より厚い。
かかる態様によれば、イオントラップ電極１３０に対する電位の印加を休止した際、イオントラップ電極１３０付近に凝縮されていた高濃度のイオン性不純物は、濃度勾配が存在していても、移動が拡散防止部２７によって抑制されるので、表示領域Ｅ１に拡散しにくい。また、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は、画素電極１５とイオントラップ電極１３０との平面視における間隔ｄ７以上であるため、表示領域Ｅ１の負極性のイオン性不純物、および正極性のイオン性不純物をダミー画素領域Ｅ２まで効率よく掃き出すことができる。また、イオントラップ電極１３０が第１基板１０に設けられている一方、拡散防止部２７は、第２基板２０の側から第１基板２０の側に向かって突出した壁２７０によって構成されている。このため、イオントラップ電極１３０によって、表示領域Ｅ１の負極性のイオン性不純物、および正極性のイオン性不純物を表示領域Ｅ１からダミー画素領域Ｅ２まで効率よく掃き出すことができる。
本実施形態において、拡散防止部２７の一部は、イオントラップ電極１３０として利用されるダミー画素電極１５１と重なっており、拡散防止部２７と画像表示用画素電極１５０との平面視における間隔は、０．５μｍである。従って、壁２７０を設けた場合でも、電気光学層５０における液晶の配向の乱れが発生しにくい。それ故、画像を表示した際、壁２７０に起因する光漏れが発生しにくい。
［実施形態３］
図１０は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００の平面構成を示す説明図であり、第１基板１０と第２基板２０とが重なっている領域の説明図である。図１１は、図１０に示す電気光学装置１００のＡ３－Ａ３’断面を模式的に示す説明図である。なお、本実施形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。
図１０および図１１に示すように、本実施形態では、第１基板１０における画素領域Ｅとシール材４０との間に、イオントラップ電位Ｖｅが印加されるイオントラップ電極１３０が設けられている。本実施形態において、イオントラップ電極１３０は、例えば、＋５Ｖの直流電圧が印加される電極１３５である。本実施形態において、イオントラップ電極１３０（電極１３５）は、画素電極１５と同一の層からなる。
このような構成によれば、イオントラップ電極１３０によって、表示領域Ｅ１の電気光学層５０に混入した負極性のイオン性不純物を画素領域Ｅの外側まで掃き出すことができる。従って、表示領域Ｅ１においてイオン性不純物の偏在に起因する画像品位の低下を抑制することができる。
また、第１基板１０には、イオントラップ電極１３０と画素電極１５との間には、電気光学層５０の厚さが画素領域Ｅより薄い拡散防止部２７が設けられている。本実施形態において、拡散防止部２７は、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方から他方に向かって突出した壁２７０によって構成されている。本実施形態において、壁２７０は、第２基板２０から第１基板１０に向かって突出したシリコン酸化膜等の絶縁物からなる。
ここで、画素領域Ｅにおける電気光学層５０の厚さをｄ０とし、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さをｄ１としたとき、厚さｄ０、ｄ１は以下の関係を満たしている。
ｄ１＜ｄ０
例えば、画像表示用画素電極１５０と重なる領域における電気光学層５０の厚さｄ０は約２．０μｍであり、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は１．０μｍである。
また、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は、画素電極１５とイオントラップ電極１３０（電極１３５）との平面視における間隔ｄ８以上である。本実施形態において、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は、１．０μｍであるのに対して、画素電極１５とイオントラップ電極１３０との平面視における間隔ｄ８は、１．０μｍであり、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１と、画素電極１５とイオントラップ電極１３０との平面視における間隔ｄ８と等しい。
かかる態様によれば、イオントラップ電極１３０に対する電位の印加を休止した際、イオントラップ電極１３０付近に凝縮されていた高濃度のイオン性不純物は、濃度勾配が存在していても、移動が拡散防止部２７によって抑制されるので、表示領域Ｅ１に拡散しにくい。また、拡散防止部２７における電気光学層５０の厚さｄ１は、画素電極１５とイオントラップ電極１３０との平面視における間隔ｄ８以上であるため、表示領域Ｅ１の負極性のイオン性不純物を画素領域Ｅの外側まで効率よく掃き出すことができる。また、イオントラップ電極１３０が第１基板１０に設けられている一方、拡散防止部２７は、第２基板２０の側から第１基板２０の側に向かって突出した壁２７０によって構成されている。このため、イオントラップ電極１３０によって、表示領域Ｅ１の負極性のイオン性不純物を表示領域Ｅ１から画素領域Ｅの外側まで効率よく掃き出すことができる。
［他の実施形態］
上記実施形態１、３に係る電気光学装置１００では、ダミー画素領域Ｅ２が見切り部２１と表示領域Ｅ１の間に設けられていたが、ダミー画素領域Ｅ２が見切り部２１と平面視で重なっている場合に本発明を適用してもよい。また、見切り部２１と表示領域Ｅ１の間にダミー画素領域Ｅ２が設けられていない場合に本発明を適用してもよい。
上記実施形態では、画素電極１５が第１基板１０に形成され、共通電極２３が第２基板２０に形成されていたが、共通電極２３が第１基板１０に形成され、画素電極１５が第２基板２０に形成されている場合に本発明を適用してもよい。また、画素電極１５および共通電極２３の双方が第１基板１０あるいは第２基板２０に形成されている場合に本発明を適用してもよい。
上記実施形態では、透過型の電気光学装置１００に本発明を適用したが、反射型の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図１２は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図１２には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図１２に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。
図１２に示す投射型表示装置２１００において、上記実施形態に係る電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。図１２に示すように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
１０…第１基板、１８…第１配向膜、１８ｃ、２８ｃ…カラム、２０…第２基板、２１…見切り部、２３…共通電極、２７…拡散防止部、２８…第２配向膜、３０…ＴＦＴ、４０…シール材、５０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１１０…液晶パネル、１２０…電子見切り部、１３０…イオントラップ電極、１３１…第１イオントラップ電極、１３２…第２イオントラップ電極、１３３…第３イオントラップ電極、１３５…電極、１５０…画像表示用画素電極、１５１…ダミー画素電極、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）、ＤＰ…ダミー画素、Ｅ…画素領域、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…ダミー画素領域、Ｅ３…周辺領域、Ｐ…画素、Ｐ０…表示画素、ＬＣ…液晶分子、Ｅａ、Ｅｂ、４０ａ、４０ｂ…隅部、Ｖａ…第１信号、Ｖｂ…第２信号、Ｖｃ…第３信号、Ｖｄ…イオントラップ信号、Ｖｅ…イオントラップ電位。

Claims (7)

  1. 第１基板と、
    シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、
    前記シール材の内側に配置された電気光学層と、
    前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、
    前記第１基板における前記画素領域と前記シール材との間に設けられ、第１信号が印加される第１イオントラップ電極と、
    前記第１基板における前記第１イオントラップ電極と前記シール材との間に設けられ、前記第１信号と位相の異なる第２信号が印加される第２イオントラップ電極と、
    を備え、
    前記画素電極と前記第１イオントラップ電極との間には、前記電気光学層の厚さが前記画素領域より薄い拡散防止部が設けられており、
    前記拡散防止部における前記電気光学層の厚さは、前記画素電極と前記第１イオントラップ電極との平面視における間隔以上であることを特徴とする電気光学装置。
  2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
    前記第１基板における前記第２イオントラップ電極と前記シール材との間に設けられ、前記第２信号と位相の異なる第３信号が印加される第３イオントラップ電極を備え、
    前記第１信号、前記第２信号および前記第３信号は互いに位相が１２０°ずれていることを特徴とする電気光学装置。
  3. 第１基板と、
    シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、
    前記シール材の内側に配置された電気光学層と、
    前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、
    を備え、
    前記複数の画素電極は、画像を表示するための画像信号が印加される画像表示用画素電極と、前記画像信号と異なる位相のイオントラップ信号が印加されるイオントラップ電極と、を含み、
    前記画像表示用画素電極と前記イオントラップ電極との間には、前記電気光学層の厚さが前記画像表示用画素電極と重なる領域より薄い拡散防止部が設けられており、
    前記拡散防止部における前記電気光学層の厚さは、前記画像表示用画素電極と前記イオントラップ電極との平面視における間隔以上であることを特徴とする電気光学装置。
  4. 第１基板と、
    シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、
    前記シール材の内側に配置された電気光学層と、
    前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、
    前記第１基板における前記画素領域と前記シール材との間に設けられ、イオントラップ電位が印加されるイオントラップ電極と、
    を有し、
    前記画素電極と前記イオントラップ電極との間には、前記電気光学層の厚さが、前記画素領域より薄く、平面視における前記画素電極と前記イオントラップ電極との間隔より厚い拡散防止部が設けられていることを特徴とすることを特徴とする電気光学装置。
  5. 請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
    前記拡散防止部は、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方から他方に向かって突出した壁によって構成されていることを特徴とする電気光学装置。
  6. 請求項５に記載の電気光学装置において、
    前記壁は、前記第２基板から前記第１基板に向かって突出していることを特徴とする電気光学装置。
  7. 請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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