KR20060067041A - 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법과 그를 가지는 액정표시 패널 - Google Patents

박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법과 그를 가지는 액정표시 패널 Download PDF

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KR20060067041A
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장정우
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 신호라인의 전식 및 부식을 방지할 수 있는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법과 그를 가지는 액정 표시 패널에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정 표시 패널은 유기보호막을 가지는 제1 기판과; 상기 유기보호막이 노출되도록 상기 제1 기판과 합착되는 제2 기판과; 상기 제2 기판에 의해 노출된 유기보호막 상에 형성되는 방습층을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법과 그를 가지는 액정 표시 패널{Thin Film Transistor Substrate, Method Of Fabricating The Same, And Liquid Crystal Display Panel Having Thereof}
도 1은 종래 액정 표시 패널을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 신호라인과 접속되는 신호 링크를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 신호링크의 부식 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4에서 선"Ⅰ-Ⅰ'"를 따라 절취한 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 4 및 도 5에 도시된 방습층의 다른 형태를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 방습층을 투명도전막으로 형성한 경우와 그에 따른 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 방습층을 이방성 도전 필름으로 형성한 경우와 그에 따른 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 9는 실리콘 계열의 박막으로 형성된 본 발명에 따른 방습층을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 방습층을 가지는 박막트랜지스터 기판을 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 10에서 선"Ⅲ-Ⅲ'", "Ⅳ-Ⅳ'", "Ⅴ-Ⅴ'"를 따라 절취한 박막트랜지스터 기판을 나타내는 단면도이다.
도 12a 내지 도 12f는 도 11에 도시된 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
1,11,101 : 기판 2,102 : 게이트라인
4,104 : 데이터라인 12 : 컬러필터
14 : 공통전극 16 : 액정
18 : 블랙 매트릭스 20,142 : 실링재
22 : 화소전극 24,118,148 : 유기보호막
26,146,158,168 : 신호링크 30,130 : 박막트랜지스터
70,170 : 박막트랜지스터 기판 80,144 : 컬러필터 기판
106 : 게이트 전극 108 : 소스 전극
110 : 드레인 전극 112 : 게이트 절연막
114 : 액티브층 116 : 버퍼막
120,124,154,164 : 컨택홀 122 : 화소전극
126 : 층간절연막 132 : 스토리지라인
134 : 스토리지전극 136 : 스토리지캐패시터
140 : 방습층 150 : 게이트 패드
160 : 데이터 패드 176 : 베이스 필름
196 : TCP
본 발명은 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 신호라인의 전식 및 부식을 방지할 수 있는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법과 그를 가지는 액정 표시 패널에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위해, 액정 표시 장치는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정 표시 패널과, 그 액정 표시 패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비한다.
이러한 액정 표시 패널은 도 1에 도시된 바와 같이 액정을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판(70) 및 칼러 필터 기판(80)을 구비한다.
칼라 필터 기판(80)은 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스(18)와, 칼러 구현을 위한 칼러 필터(12), 화소 전극(22)과 수직전계를 이루는 공통전극(14)과, 그들 위 에 액정 배향을 위해 도포된 상부 배향막으로 구성된다.
박막 트랜지스터 기판(70)은 서로 교차되게 형성된 게이트라인(2) 및 데이터라인(4)과, 그들(2,4)의 교차부에 형성된 박막트랜지스터(30)와, 박막트랜지스터(30)와 접속된 화소 전극(22)과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 하부 배향막으로 구성된다.
최근에는 박막트랜지스터를 보호하기 위한 보호막이 개구율을 향상시키기 위한 목적으로 유기절연물질이 이용된다. 이 유기 절연 물질로 이루어진 유기 보호막은 무기 절연 물질로 이루어진 무기 보호막에 비해 열과 습기에 약하다. 액티브 영역에서의 유기보호막(24)은 도 2에 도시된 바와 같이 실링재(20)에 의해 칼라필터 어레이 기판(80)에 의해 보호된다. 비액티브 영역, 예를 들어 링크 영역에서의 유기 보호막(24)은 외부로 노출되어 있어 외부 습기 및 열에 노출되어 있다. 이에 따라, 링크 영역에 형성된 유기 보호막(24)에 의해 보호되는 신호 링크(26)는 유기 보호막(24)을 경유하여 유입되는 습기에 의해 도 3에 도시된 바와 같이 전식 및 부식 등의 불량(A)이 발생되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 신호라인의 전식 및 부식을 방지할 수 있는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법과 그를 가지는 액정 표시 패널을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 유기보호막을 가지는 제1 기판과; 상기 유기보호막이 노출되도록 상기 제1 기판과 합착되는 제2 기판과; 상기 제2 기판에 의해 노출된 유기보호막 상에 형성되는 방습층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 액정 표시 패널은 상기 유기보호막에 의해 보호되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 게이트라인과; 상기 박막트랜지스터의 소스 전극과 접속된 데이터라인과; 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접속된 화소전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층은 상기 화소전극과 동일 물질로 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 액정 표시 패널은 상기 게이트 라인과 게이트 링크를 통해 접속된 게이트 패드와; 상기 데이터 라인과 데이터 링크를 통해 접속된 데이터 패드를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층은 상기 데이터 패드 및 게이터 패드 각각과 해당 집적회로가 실장된 콘택필름을 접속시키기 위한 이방성 도전 필름과 동일 물질로 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층은 실리콘계열의 박막으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층은 상기 데이터 링크가 형성된 전 영역을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층은 상기 데이터 링크 각각을 따라 개별적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 박막트랜지스터와 접속된 화소전극이 형성된 표시영역을 제외한 비표시영역의 기판 상에 형성되는 신호라인과; 상기 표시영역 및 비표시영역의 기판 전면에 형성된 유기보호막과; 상기 유기보호막을 사이에 두고 상기 비표시영역의 상기 신호라인과 중첩되게 형성된 방습층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층은 투명 도전막, 이방성 도전 필름, 실리콘막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 비표시영역의 신호라인은 상기 표시영역의 박막트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 게이트 링크와; 상기 표시영역의 박막트랜지스터의 소스 전극과 접속된 데이터 링크 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조방법은 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터와 접속된 화소전극이 형성된 표시영역을 제외한 비표시영역의 기판 상에 신호라인을 형성하는 단계와; 상기 신호라인 및 박막트랜지스터가 형성된 기판 상에 유기보호막을 형성하는 단계와; 상기 유기보호막 상에 상기 비표시영역의 신호라인과 중첩되게 방습층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 박막트랜지스터 기판의 제조방법은 상기 유기보호막 상에 상기 방습층과 동일 물질로 화소전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 비표시영역의 신호라인을 형성하는 단계는 상기 표시영역의 박막트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 게이트 링크를 형성하는 단계와; 상기 표시영역의 박막트랜지스터의 소스 전극과 접속된 데이터 링크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층은 상기 데이터 링크와 접속된 데이터 패드 및 게이트 링크와 접속된 게이터 패드 각각과 해당 집적회로가 실장된 콘택필름을 접속시키기 위한 이방성 도전 필름과 동일 물질로 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층은 실리콘계열의 박막으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층을 형성하는 단계는 상기 비표시영역의 신호라인이 형성된 전 영역을 덮도록 상기 방습층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 방습층을 형성하는 단계는 상기 비표시영역의 신호라인 각각을 따라 개별적으로 상기 방습층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 4 내지 도 12f를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 평면도이며, 도 5는 도 4에서 선"Ⅰ-Ⅰ'"를 따라 절취한 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 액정 표시패널은 액정을 사이에 두고 대향하는 박막 트랜지스터 어레이 기판(170) 및 칼러 필터 어레이 기판(144)을 구비한다.
칼라 필터 어레이 기판(144)은 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스와, 칼러 구현을 위한 칼러 필터, 화소전극과 수직전계를 이루는 공통전극으로 구성된다.
박막트랜지스터 어레이 기판(170)은 서로 교차되게 형성된 게이트라인 및 데이터라인과, 그들의 교차부에 형성된 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터와 접속되며 화소영역에 형성된 화소 전극을 구비한다.
데이터라인은 데이터링크 및 데이터패드를 통해 데이터 드라이버(도시하지 않음)와 접속된다. 게이트라인은 게이트링크 및 게이트패드를 통해 게이트 드라이버(도시하지 않음)와 접속된다.
게이트 링크 및 데이터 링크 중 적어도 어느 하나의 신호링크(146)는 칼라필터 어레이 기판(144)에 의해 노출되도록 비액티브영역에 형성된다. 이러한 신호링크(146)를 덮도록 형성되는 유기보호막(148)은 액티브영역에서 개구율을 높히는 역할을 한다. 즉, 유기보호막(148)은 무기절연물질로 이루어진 보호막보다 유전율이 작아 화소전극과 신호라인이 중첩되게 형성되므로 개구율이 높힐 수 있다. 이러한 유기보호막(148) 상에 신호링크(146)와 중첩되는 영역에 방습층(140)이 형성된다. 방습층(140)은 유기보호막(118)을 경유하여 유입되는 습기 등에 의해 신호링크(146)가 전식 및 부식이 발생되는 것을 방지하는 역할을 한다. 특히, 방습층(140)은 유기보호막(148)과 직접 접촉되는 데이터 링크와 중첩되는 영역에 형성된다. 반면에 게이트 링크는 유기보호막 하부에 형성된 무기절연물질로 이루어진 게이트 절연막에 의해 유기보호막(148)을 경유하여 침투되는 습기 등으로부터 보호된다. 이에 따라, 게이트링크와 중첩되는 영역에 방습층이 형성되거나 형성되지 않을 수 도 있다.
그리고, 방습층(140)은 신호링크(146) 각각을 모두 도 4에 도시된 바와 같이 덮도록 형성되거나 도 6에 도시된 바와 같이 각 신호링크(146)를 따라서 개별적으로 형성된다.
방습층(140)은 투명 도전막(ITO,IZO,ITZO,TO등), 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film : ACF), 실리콘(Sillicon)계열의 막 등이 이용된다.
투명 도전막으로 형성되는 방습층(140)은 도 7a에 도시된 바와 같이 화소전극(122)과 동일 평면 상에 동시에 형성되므로 공정을 단순화할 수 있다. 이 때, 방습층(140)은 게이트 패드 및 데이터 패드의 상부 전극(143)과 단락(Short)되지 않도록 패드 상부 전극(143)과 소정 간격 이격되게 형성된다. 또한, 방습층(140)은 실링재(142)를 통해 박막트랜지스터 기판(170)과 합착되는 컬러필터 기판(144)에 의해 노출된 영역에 형성된다.
이러한 투명 도전막으로 방습층(140)이 형성된 링크 영역(D1)은 도 7b에 도시된 바와 같이 방습층(140)이 형성되지 않은 링크 영역(D2)에 비해 습기 및 열에 강해 부식 또는 전식 등의 불량현상(A)이 발생되지 않는다.
이방성 도전 필름(ACF)으로 형성되는 방습층(140)은 도 8a에 도시된 바와 같이 신호링크(146)와 접속된 신호패드(172)와, 드라이브 IC(도시하지 않음)들이 실장된 TCP(196)의 베이스 필름(176) 상에 형성된 출력 패드(138)를 접속시키기 위한 이방성 도전 필름(174)과 동시에 형성된다. 이와 같이, 방습층(140)이 형성된 링크 영역(D1)은 도 8b에 도시된 바와 같이 방습층(140)이 형성되지 않은 링크 영역 (D2)에 비해 습기 및 열에 강해 부식 또는 전식 등의 불량현상(A)이 발생되지 않는다.
실리콘계열의 막으로 형성되는 방습층(140)은 도 9에 도시된 바와 같이 별도의 마스크 공정을 이용해서 유기 보호막(118) 상에 형성된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 컬러필터 기판에 의해 노출된 영역의 유기 보호막 상에 방습층을 형성한다. 이 방습층에 의해 외부로부터의 습기 등이 차단되어 신호링크, 나아가 신호라인의 부식 및 전식이 방지된다.
도 10 및 도 11은 유기보호막을 가지는 코플래너(Coplanar)형 TFT 기판을 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 10 및 도 11에 도시된 코플래너형 TFT 기판은 게이트 라인(102) 및 데이터 라인(104)과 접속된 TFT(130)와, TFT(130)와 접속된 화소 전극(122)과, 화소 전극(122)의 충전된 전압변동을 방지하기 위한 스토리지 캐패시터(136)와, 신호링크(158,168)와 중첩되는 방습층(140)을 구비한다. TFT(130)는 N형 또는 P형으로 형성되지만, 이하에서는 N형으로 형성된 경우만을 설명하기로 한다.
TFT(130)는 화소 전극(122)에 비디오 신호를 충전한다. 이를 위하여, TFT(130)는 게이트 라인(102)과 접속된 게이트 전극(106), 데이터 라인(104)에 포함된 소스 전극, 보호막(118)을 관통하는 화소 콘택홀(120)을 통해 화소 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 게이트 전극(106)에 의해 소스 전극 및 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 액티브층(114)를 구비한다.
액티브층(114)은 버퍼막(116)을 사이에 두고 하부 기판(101) 위에 형성된다. 게이트 라인(102)과 접속된 게이트 전극(106)은 액티브층(114)의 채널 영역(114C)과 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 중첩되게 형성된다. 데이터 라인(104) 및 드레인 전극(110)은 게이트 전극(106)과 층간 절연막(126)을 사이에 두고 절연되게 형성된다. 그리고, 데이터 라인(104)에 포함된 소스 전극(108)과, 드레인 전극(110)은 층간 절연막(126) 및 게이트 절연막(112)을 관통하는 소스 콘택홀(124S) 및 드레인 콘택홀(124D) 각각을 통해 n+ 불순물이 주입된 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D) 각각과 접속된다. 또한, 액티브층(114)은 오프 전류를 감소시키기 위하여 채널 영역(114C)과 소스 및 드레인 영역(114S, 114D) 사이에 n- 불순물이 주입된 엘디디(Lightly Doped Drain ; LDD) 영역(미도시)을 더 구비하기도 한다.
스토리지 캐패시터(136)는 화소 전극(122)에 충전된 비디오 신호가 안정적으로 유지되게 한다. 이를 위하여, 스토리지 캐패시터(136)는 화소 전극(122)을 가로지르는 스토리지 라인(132)과, 화소전극(122)과 접속된 드레인 전극(110)으로부터 신장된 스토리지전극(134)이 층간 절연막(126)을 사이에 두고 중첩되어 형성된다.
게이트 라인(102)은 게이트 패드(150)를 통해 게이트 드라이버(도시하지 않음)와 접속된다. 게이트 패드(150)는 게이트 링크(158)를 통해 게이트 라인(102)과 접속된 게이트 패드 하부 전극(152)과, 그 게이트 패드 하부 전극(152)과 층간 절연막(126) 및 보호막(118)을 관통하는 게이트 콘택홀(154)을 통해 접속된 게이트 패드 상부 전극(156)으로 구성된다.
데이터 라인(104)은 데이터 패드(160)를 통해 데이터 드라이버(도시하지 않음)와 접속된다. 데이터 패드(160)는 데이터 링크(168)를 통해 데이터 라인(104)과 접속된 데이터 패드 하부 전극(162)과, 그 데이터 패드 하부 전극(162)과 보호막(118)을 관통하는 데이터 콘택홀(164)을 통해 접속된 데이터 패드 상부 전극(166)으로 구성된다.
방습층(140)은 유기보호막(149) 상에 데이터 링크(168) 및 게이트 링크(158)와 중첩되는 영역에 형성된다. 이러한 방습층(140)은 유기보호막(118)을 경유하여 유입되는 습기 등에 의해 신호링크(146)가 전식 및 부식이 발생되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 방습층(140)은 화소전극(122)과 동일한 물질, 게이트 패드(150) 및 데이터 패드(160) 각각과 TCP(도시하지 않음)를 접속시키기 위한 이방성 도전 필름(ACF)과 동일 물질 또는 실리콘(Sillicon)계열의 막 등으로 형성된다. 여기서는 방습층(140)을 화소전극(122)과 동일한 투명도전막을 예로 들어 설명한다.
이와 같이, 유기 보호막(118)을 가지는 코플래너형 TFT 기판은 신호링크(158,168)와 중첩되게 유기 보호막(118) 상에 방습층(140)을 형성한다. 이 방습층(140)에 의해 외부로부터의 습기 등이 차단되어 신호링크(158,168), 나아가 신호라인(102,104)의 부식 및 전식이 방지된다.
이러한 코플래너형 TFT 기판은 도 12a 내지 도 12f에 도시된 바와 같은 제조 공정으로 형성된다.
도 12a를 참조하면, 하부 기판(101) 상에 버퍼막(116)이 형성되고, 그 위에 액티브층(114)이 형성된다.
버퍼막(116)은 하부 기판(101) 상에 SiO2 등과 같은 무기 절연 물질이 전면 증착되어 형성된다.
액티브층(114)은 버퍼막(116)이 상에 아몰퍼스-실리콘을 증착한 후 레이저로 결정화하여 폴리-실리콘이 되게 한 다음, 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝함으로써 형성된다.
도 12b를 참조하면, 액티브층(114)이 형성된 버퍼막(116) 상에 게이트 절연막(112)이 형성되고, 그 위에 게이트 전극(106), 게이트 라인(102), 게이트 링크(158), 게이트 패드 하부 전극(152) 및 스토리지 라인(132)을 포함하는 제1 도전패턴군이 형성된다.
게이트 절연막(112)은 액티브층(114)이 형성된 버퍼막(116) 상에 SiO2 등과 같은 무기 절연 물질이 전면 증착되어 형성된다.
게이트 전극(106), 게이트 라인(102), 게이트 링크(158), 게이트 패드 하부 전극(152) 및 스토리지 라인(132)은 게이트 절연막(112) 상에 게이트 금속층을 형성한 후, 그 게이트 금속층을 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝함으로써 형성된다.
그리고, 게이트 전극(106)을 마스크로 이용하여 액티브층(114)에 n+ 불순물을 주입하여 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D)이 형성된다. 이러한 액티브층(114)의 소스 및 드레인 영역(114S, 114D)은 게이트 전극(106)과 중첩되는 채널 영역(114C)을 사이에 두고 마주하게 된다.
도 12c를 참조하면, 제1 도전패턴군이 형성된 게이트 절연막(112) 상에 층간 절연막(126)이 형성되고, 소스 및 드레인 컨택홀(124S, 124D)이 형성된다.
층간 절연막(126)은 게이트 전극(106), 게이트 라인(102) 및 스토리지 라인(132)이 형성된 게이트 절연막(112) 상에 SiO2 등과 같은 무기 절연 물질이 전면 증착되어 형성된다.
이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 층간 절연막(126) 및 게이트 절연막(112)을 관통하여 액티브층(114)의 소스 및 드레인 영역(114S, 114D)을 각각 노출시키는 소스 및 드레인 컨택홀(124S, 124D)이 형성된다.
도 12d를 참조하면, 층간 절연막(126) 상에 데이터 라인(104), 소스 전극(108), 드레인 전극(110), 데이터 링크(158), 데이터 패드 하부 전극(152) 및 스토리지 전극(134)을 포함하는 제2 도전패턴군이 형성된다.
데이터 라인(104), 소스 전극(108), 드레인 전극(110), 데이터 링크(158), 데이터 패드 하부 전극(152) 및 스토리지 전극(134)은 층간 절연막(126) 상에 소스/드레인 금속층을 형성한 후, 그 소스/드레인 금속층을 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝함으로써 형성된다. 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)은 소스 및 드레인 컨택홀(124S, 124D) 각각을 통해 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D) 각각과 접속된다.
도 12e를 참조하면, 제2 도전패턴군이 형성된 층간 절연막(126) 상에 유기보 호막(118)이 형성되고, 그 유기보호막(118)을 관통하는 화소 컨택홀(120), 게이트 컨택홀(154) 및 데이터 컨택홀(164)이 형성된다.
유기보호막(118)은 제2 도전패턴군이 형성된 층간 절연막(126) 상에 유기 절연 물질이 전면 증착되어 형성된다. 유기보호막(118)으로는 포토 아크릴, BCB 등의 유기 절연 물질이 이용된다.
이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 층간 절연막(126) 및 유기보호막(118)을 관통하는 화소 컨택홀(120), 게이트 컨택홀(154) 및 데이터 컨택홀(164)이 형성된다. 화소 컨택홀(120)은 유기보호막(118)을 관통하여 TFT(130)의 드레인 전극(110)을 노출시키며, 게이트 컨택홀(154)은 층간 절연막(126) 및 유기보호막(118)을 관통하여 게이트 패드 하부 전극(152)을 노출시키며, 데이터 컨택홀(164)은 유기보호막(118)을 관통하여 데이터 패드 하부 전극(162)을 노출시킨다.
도 12f를 참조하면, 유기보호막(118) 상에 화소 전극(122), 게이트 패드 상부 전극(156), 데이터 패드 상부 전극(166) 및 방습층(140)을 포함하는 제3 도전패턴군이 형성된다.
화소 전극(122), 게이트 패드 상부 전극(156), 데이터 패드 상부 전극(166) 및 방습층(140)은 보호막(118) 상에 투명 도전 물질을 증착한 후, 그 투명 도전 물질을 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝함으로써 형성된다. 이러한 화소 전극(122)은 화소 컨택홀(120)을 통해 TFT(130)의 드레인 전극(110)과 접속된다. 게이트 패드 상부 전극(156)은 게이트 컨택홀(154)을 통해 게이트 패드 하부 전극(152)과 접속된다. 데이터 패드 상부 전극(166)은 데이터 컨택홀(164)을 통해 데이터 패드 하부 전극(162)과 접속된다. 방습층(140)은 데이터 링크(168)와 유기보호막(118)을 사이에 두고 중첩되게 형성되며, 게이트 링크(158)와 유기보호막(118) 및 층간절연막(126)을 사이에 두고 중첩되게 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판 및 제조 방법과 그를 가지는 액정 표시 패널은 신호링크와 중첩되게 유기 보호막 상에 방습층을 형성한다. 이 방습층에 의해 외부로부터의 습기 등이 차단되어 신호링크, 나아가 신호라인의 부식 및 전식이 방지된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (20)

  1. 유기보호막을 가지는 제1 기판과;
    상기 유기보호막이 노출되도록 상기 제1 기판과 합착되는 제2 기판과;
    상기 제2 기판에 의해 노출된 유기보호막 상에 형성되는 방습층을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기보호막에 의해 보호되는 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 게이트라인과;
    상기 박막트랜지스터의 소스 전극과 접속된 데이터라인과;
    상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접속된 화소전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 방습층은 상기 화소전극과 동일 물질로 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 게이트 라인과 게이트 링크를 통해 접속된 게이트 패드와;
    상기 데이터 라인과 데이터 링크를 통해 접속된 데이터 패드를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 방습층은 상기 데이터 패드 및 게이터 패드 각각과 해당 집적회로가 실장된 콘택필름을 접속시키기 위한 이방성 도전 필름과 동일 물질로 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 방습층은 실리콘계열의 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 방습층은 상기 데이터 링크가 형성된 전 영역을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 방습층은 상기 데이터 링크 각각을 따라 개별적으로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  9. 박막트랜지스터와 접속된 화소전극이 형성된 표시영역을 제외한 비표시영역의 기판 상에 형성되는 신호라인과;
    상기 표시영역 및 비표시영역의 기판 전면에 형성된 유기보호막과;
    상기 유기보호막을 사이에 두고 상기 비표시영역의 상기 신호라인과 중첩되게 형성된 방습층을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 방습층은 투명 도전막, 이방성 도전 필름, 실리콘막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 방습층은 상기 비표시영역의 신호라인이 형성된 전 영역을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 방습층은 상기 비표시영역의 신호라인 각각을 따라 개별적으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 비표시영역의 신호라인은
    상기 표시영역의 박막트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 게이트 링크와;
    상기 표시영역의 박막트랜지스터의 소스 전극과 접속된 데이터 링크 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.
  14. 표시영역을 제외한 비표시영역의 기판 상에 신호라인을 형성하는 단계와;
    상기 신호라인이 형성된 기판 상에 유기보호막을 형성하는 단계와;
    상기 유기보호막 상에 상기 비표시영역의 신호라인과 중첩되게 방습층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 유기보호막 상에 상기 방습층과 동일 물질로 화소전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 비표시영역의 신호라인을 형성하는 단계는
    상기 표시영역의 박막트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 게이트 링크를 형성하는 단계와;
    상기 표시영역의 박막트랜지스터의 소스 전극과 접속된 데이터 링크를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 방습층은 상기 데이터 링크와 접속된 데이터 패드 및 게이트 링크와 접속된 게이터 패드 각각과 해당 집적회로가 실장된 콘택필름을 접속시키기 위한 이방성 도전 필름과 동일 물질로 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 방습층은 실리콘계열의 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 방습층을 형성하는 단계는
    상기 비표시영역의 신호라인이 형성된 전 영역을 덮도록 상기 방습층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 방습층을 형성하는 단계는
    상기 비표시영역의 신호라인 각각을 따라 개별적으로 상기 방습층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
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