JPH01161316A - 液晶表示装置の検査方法 - Google Patents
液晶表示装置の検査方法Info
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- JPH01161316A JPH01161316A JP62322257A JP32225787A JPH01161316A JP H01161316 A JPH01161316 A JP H01161316A JP 62322257 A JP62322257 A JP 62322257A JP 32225787 A JP32225787 A JP 32225787A JP H01161316 A JPH01161316 A JP H01161316A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明はアクティブマトリックス型の液晶表示装置に
関し、さらに詳しくは絵素駆動用の薄膜トランジスタの
接続構造に関する。
関し、さらに詳しくは絵素駆動用の薄膜トランジスタの
接続構造に関する。
(ロ)従来の技術
従来、アクティブマトリックス型の液晶表示装置では、
第4図に示すように、それぞれの絵素に対応する透明電
極(ITO)aごとに絵素駆動用の薄膜トランジスタb
が1個接続されている。それぞれの薄膜トランジスタb
のドレイン電極Cはそれぞれの絵素の透明電極aに接続
され、それぞれのソース電極dはそれぞれの列ごとの共
通のソース電極ラインeに、またそれぞれのゲート電極
fはそれぞれの行ごとの共通のゲート電極ラインgにそ
れぞれ接続されている。上記透明電極a。
第4図に示すように、それぞれの絵素に対応する透明電
極(ITO)aごとに絵素駆動用の薄膜トランジスタb
が1個接続されている。それぞれの薄膜トランジスタb
のドレイン電極Cはそれぞれの絵素の透明電極aに接続
され、それぞれのソース電極dはそれぞれの列ごとの共
通のソース電極ラインeに、またそれぞれのゲート電極
fはそれぞれの行ごとの共通のゲート電極ラインgにそ
れぞれ接続されている。上記透明電極a。
薄膜トランジスタb、それぞれの列ごとのソース電極ラ
インeおよびそれぞれの行ごとのゲート電極ラインgは
絶縁性基板り上に形成されている。
インeおよびそれぞれの行ごとのゲート電極ラインgは
絶縁性基板り上に形成されている。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
上記の構造を有する液晶表示装置において、薄膜トラン
ジスタbの特性検査は、薄膜トランジスタbのドレイン
電極Cに接続される絵素の透明電極aに、針状のプロー
ブを接触(圧接)させてソース電極dに電圧を印加しゲ
ート電極fにスレシフオールド電圧以上の電圧を印加し
て、透明電極aに流れる電流を測定して検査していた。
ジスタbの特性検査は、薄膜トランジスタbのドレイン
電極Cに接続される絵素の透明電極aに、針状のプロー
ブを接触(圧接)させてソース電極dに電圧を印加しゲ
ート電極fにスレシフオールド電圧以上の電圧を印加し
て、透明電極aに流れる電流を測定して検査していた。
しかしながら、上記の特性検査方法では、絵素の透明電
極aのピッチが狭いことや絵素の数が多いので、全ての
絵素について検査することが困難であった。加えて、針
状のプローブを絵素の透明電極λに接触させることによ
って、薄膜トランジスタbを傷つける可能性があり、ま
た薄膜トランジスタbの特性は、カラー液晶表示装置の
場合には、白、黒色表示することにより、絵素欠陥を判
定していたため製造コストがかかるものであった。
極aのピッチが狭いことや絵素の数が多いので、全ての
絵素について検査することが困難であった。加えて、針
状のプローブを絵素の透明電極λに接触させることによ
って、薄膜トランジスタbを傷つける可能性があり、ま
た薄膜トランジスタbの特性は、カラー液晶表示装置の
場合には、白、黒色表示することにより、絵素欠陥を判
定していたため製造コストがかかるものであった。
この発明は上記の事情を考慮してなされたもので、絵素
駆動用の薄膜トランジスタを傷つけることなく薄膜トラ
ンジスタの特性検査をおこなうことができる液晶表示装
置を提供しようとするものである。
駆動用の薄膜トランジスタを傷つけることなく薄膜トラ
ンジスタの特性検査をおこなうことができる液晶表示装
置を提供しようとするものである。
(ニ)問題点を解決するための手段
かくしてこの発明によれば、マトリックス状に配置され
る複数の絵素に対応する複数の透明電極と、それぞれの
透明電極ごとにそれぞれのドレイン電極が接続される複
数の絵素駆動用の薄膜トランジスタと、薄膜トランジス
タのそれぞれのソース電極か個別に接続されて外部と接
続可能になる薄膜トランジスタの個数に等しい本数のソ
ース電極ラインとが絶縁性基板上に設けられてなること
を特徴とする液晶表示装置が提供される。
る複数の絵素に対応する複数の透明電極と、それぞれの
透明電極ごとにそれぞれのドレイン電極が接続される複
数の絵素駆動用の薄膜トランジスタと、薄膜トランジス
タのそれぞれのソース電極か個別に接続されて外部と接
続可能になる薄膜トランジスタの個数に等しい本数のソ
ース電極ラインとが絶縁性基板上に設けられてなること
を特徴とする液晶表示装置が提供される。
(ホ)作用
複数の絵素を駆動する薄膜トランジスタの特性検査をお
こなうに際して、それぞれのソース電極ラインは、特性
検査のための電圧を印加しやすくするとともに透明電極
に流れる電流を測定する電流計を接続しやすくする。よ
って薄膜トランジスタを傷つけることなく薄膜トランジ
スタの特性検査がおこなえる。
こなうに際して、それぞれのソース電極ラインは、特性
検査のための電圧を印加しやすくするとともに透明電極
に流れる電流を測定する電流計を接続しやすくする。よ
って薄膜トランジスタを傷つけることなく薄膜トランジ
スタの特性検査がおこなえる。
(へ)実施例
以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
は以下の実施例に限定されるものではない。
は以下の実施例に限定されるものではない。
第1図において、1は透明電極で、マトリックス状に配
置される複数の絵素にそれぞれ対応して、たとえばガラ
ス基板などの絶縁性基板(図示しない)上に設けられる
。それぞれの透明電極lには、絶縁性基板上に設けられ
る、複数の、たとえば2個の絵素駆動用の薄膜トランジ
スタ2.3の、それぞれのドレイン電極4.5が接続さ
れる。また同じ列方向の薄膜トランジスタ2のソース電
極6は1本の共通のソース電極ラインSlに接続される
とともに、薄膜トランジスタ3のソース電極7はソース
電極ラインS2に接続される。同様にして、第n列の列
方向のそれぞれの薄膜トランジスタ2.3はそれぞれソ
ース電極ラインSn、Sn+lに接続される。すなわち
、ソース電極ラインは薄膜トランジスタの個数と等しい
本数が絶縁性基板上に形成されて、後述するごとく外部
とそれぞれのソース電極6.7を接続可能にするもので
ある。さらに、同じ行方向のそれぞれの薄膜トランジス
タ2.3のゲート電極8.9は、1本のゲート電極ライ
ンGl、G2.・・・・・・Gmにそれぞれ接続される
。それぞれの薄膜トランジスタ2.3はそれぞれの行の
透明電極lとそれぞれの行のゲート電極ラインGl、G
2・・・・・・Gmとの間に形成される。またそれぞれ
のソース電極ラインS1゜S2・・・・・・Sn、Sn
+1はそれぞれの列の透明電極lの間に形成される。
置される複数の絵素にそれぞれ対応して、たとえばガラ
ス基板などの絶縁性基板(図示しない)上に設けられる
。それぞれの透明電極lには、絶縁性基板上に設けられ
る、複数の、たとえば2個の絵素駆動用の薄膜トランジ
スタ2.3の、それぞれのドレイン電極4.5が接続さ
れる。また同じ列方向の薄膜トランジスタ2のソース電
極6は1本の共通のソース電極ラインSlに接続される
とともに、薄膜トランジスタ3のソース電極7はソース
電極ラインS2に接続される。同様にして、第n列の列
方向のそれぞれの薄膜トランジスタ2.3はそれぞれソ
ース電極ラインSn、Sn+lに接続される。すなわち
、ソース電極ラインは薄膜トランジスタの個数と等しい
本数が絶縁性基板上に形成されて、後述するごとく外部
とそれぞれのソース電極6.7を接続可能にするもので
ある。さらに、同じ行方向のそれぞれの薄膜トランジス
タ2.3のゲート電極8.9は、1本のゲート電極ライ
ンGl、G2.・・・・・・Gmにそれぞれ接続される
。それぞれの薄膜トランジスタ2.3はそれぞれの行の
透明電極lとそれぞれの行のゲート電極ラインGl、G
2・・・・・・Gmとの間に形成される。またそれぞれ
のソース電極ラインS1゜S2・・・・・・Sn、Sn
+1はそれぞれの列の透明電極lの間に形成される。
つぎにこの実施例における薄膜トランジスタ2゜3の特
性検査の方法について、第2図を交えて説明する。
性検査の方法について、第2図を交えて説明する。
第2図に示すように、特性検査対象となる薄膜トランジ
スタ2.3がある列、ここでは第1列の薄膜トランジス
タ2.3のゲート電極8.9が接続されているゲート電
極ラインGlに、外部より薄膜トランジスタ駆動電圧を
印加し、ソース電極ラインStに外部のスイッチ10を
介して電圧子Vの、電源11を接続する。そしてソース
電極ラインS2に電流計12を接続する。
スタ2.3がある列、ここでは第1列の薄膜トランジス
タ2.3のゲート電極8.9が接続されているゲート電
極ラインGlに、外部より薄膜トランジスタ駆動電圧を
印加し、ソース電極ラインStに外部のスイッチ10を
介して電圧子Vの、電源11を接続する。そしてソース
電極ラインS2に電流計12を接続する。
上記の状態において、薄膜トランジスタ2.3が正常で
あれば、電流が薄膜トランジスタ2のソース電極6から
ドレイン1lit44へ流れ、さらに薄膜トランジスタ
3のドレイン電極5からソース電極7へ流れる。したが
って、ソース電極ラインS2に接続された電流計12が
所定の電流値を指示するものとなる。上記とは逆に、薄
膜トランジスタ2,3のいずれかあるいは両方が異常で
あれば電流計12は所定の電流値を指示しないので、薄
膜トランジスタ2.3の異常(不良)を把握することが
できる。
あれば、電流が薄膜トランジスタ2のソース電極6から
ドレイン1lit44へ流れ、さらに薄膜トランジスタ
3のドレイン電極5からソース電極7へ流れる。したが
って、ソース電極ラインS2に接続された電流計12が
所定の電流値を指示するものとなる。上記とは逆に、薄
膜トランジスタ2,3のいずれかあるいは両方が異常で
あれば電流計12は所定の電流値を指示しないので、薄
膜トランジスタ2.3の異常(不良)を把握することが
できる。
同様にして、上記の接続状態からゲート電極ラインG1
に印加されていた薄膜トランジスタ駆動電圧を順次ゲー
ト電極ラインG2.・・・・・・Gmに切り換えて印加
することにより、第1列の薄膜トランジスタ2.3の特
性検査がおこなえる。さらに、電源11と電流計12と
をそれぞれソース電極ラインS3.S4.・・・・・・
Sn、Sn+1に順次切り換えて接続するとともに、上
記したごとくゲート電極ラインGl、G2.・・・・・
・Gmに薄膜トランジスタ駆動電圧を順次切り換え印加
することによって、全ての薄膜トランジスタ2.3の特
性検査をおこなうことができる。
に印加されていた薄膜トランジスタ駆動電圧を順次ゲー
ト電極ラインG2.・・・・・・Gmに切り換えて印加
することにより、第1列の薄膜トランジスタ2.3の特
性検査がおこなえる。さらに、電源11と電流計12と
をそれぞれソース電極ラインS3.S4.・・・・・・
Sn、Sn+1に順次切り換えて接続するとともに、上
記したごとくゲート電極ラインGl、G2.・・・・・
・Gmに薄膜トランジスタ駆動電圧を順次切り換え印加
することによって、全ての薄膜トランジスタ2.3の特
性検査をおこなうことができる。
特性検査が完了すれば、第3図に示すように、それぞれ
の列ごとに1対をなすソース電極ラインSl、 S2、
S3. S4、−−Sn、Sn+1を短絡させることに
より、1つの絵素に対し2つの絵素駆動用の薄膜トラン
ジスタ2.3が接続されることとなる。
の列ごとに1対をなすソース電極ラインSl、 S2、
S3. S4、−−Sn、Sn+1を短絡させることに
より、1つの絵素に対し2つの絵素駆動用の薄膜トラン
ジスタ2.3が接続されることとなる。
なお上記実施例においては、薄膜トランジスタが2個の
例を説明したが、薄膜トランジスタは2個以上であって
もよ(、その場合それぞれの薄膜トランジスタのドレイ
電極は透明電極に接続され、ソース電極はそれぞれ個別
にソース電極ラインに接続される。そして、薄膜トラン
ジスタの特性検査をおこなう場合、1本のソース電極ラ
インに電圧を印加し、残るソース電極ラインに電流計を
接続して電流をモニターすれば、1つの絵素に接続され
ている複数個の薄膜トランジスタの特性を上記同様に検
査することができる。
例を説明したが、薄膜トランジスタは2個以上であって
もよ(、その場合それぞれの薄膜トランジスタのドレイ
電極は透明電極に接続され、ソース電極はそれぞれ個別
にソース電極ラインに接続される。そして、薄膜トラン
ジスタの特性検査をおこなう場合、1本のソース電極ラ
インに電圧を印加し、残るソース電極ラインに電流計を
接続して電流をモニターすれば、1つの絵素に接続され
ている複数個の薄膜トランジスタの特性を上記同様に検
査することができる。
(ト)発明の効果
この発明によれば、絵素駆動用の薄膜トランジスタを傷
つけることなく薄膜トランジスタの特性検査が容易にお
こなえるとともに、1つの絵素に接続されている複数の
薄膜トランジスタの特性が1つでも一部レベル以上であ
れば、表示の際に点欠陥を生じず表示品位を低下させな
い液晶表示装置が得られる。
つけることなく薄膜トランジスタの特性検査が容易にお
こなえるとともに、1つの絵素に接続されている複数の
薄膜トランジスタの特性が1つでも一部レベル以上であ
れば、表示の際に点欠陥を生じず表示品位を低下させな
い液晶表示装置が得られる。
第1図は、この発明の実施例における配線構造を示す部
分構造模式図、第2図は実施例の薄膜トランジスタの特
性検査方法を説明するための電気配線図、第3図は実施
例の最終結線構造を示す部分模式図、第4図は従来例に
おけろ一部省略構造模式図である。 l・・・・・・透明電極、2.3・・・・・・薄膜トラ
ンジスタ、4.5・・・・・・ドレイン電極、 6.7・・・・・・ソース電極、 Sl、S2.S3.S4.Sn、Sn+1・・・・・・
ソース電極ライン、 Gl、G2.Gm・・・・・・ゲート電極ライン。 第4!11!
分構造模式図、第2図は実施例の薄膜トランジスタの特
性検査方法を説明するための電気配線図、第3図は実施
例の最終結線構造を示す部分模式図、第4図は従来例に
おけろ一部省略構造模式図である。 l・・・・・・透明電極、2.3・・・・・・薄膜トラ
ンジスタ、4.5・・・・・・ドレイン電極、 6.7・・・・・・ソース電極、 Sl、S2.S3.S4.Sn、Sn+1・・・・・・
ソース電極ライン、 Gl、G2.Gm・・・・・・ゲート電極ライン。 第4!11!
Claims (1)
- 1、マトリックス状に配置される複数の絵素に対応する
複数の透明電極と、それぞれの透明電極ごとにそれぞれ
のドレイン電極が接続される複数の絵素駆動用の薄膜ト
ランジスタと、薄膜トランジスタのそれぞれのソース電
極が個別に接続されて外部と接続可能になる薄膜トラン
ジスタの個数に等しい本数のソース電極ラインとが絶縁
性基板上に設けられてなることを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62322257A JPH01161316A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 液晶表示装置の検査方法 |
US07/250,696 US4930874A (en) | 1987-12-18 | 1988-09-28 | Liquid crystal display device |
DE3887484T DE3887484T2 (de) | 1987-12-18 | 1988-09-30 | Flüssigkristall Anzeigevorrichtung. |
EP88309129A EP0321073B1 (en) | 1987-12-18 | 1988-09-30 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62322257A JPH01161316A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 液晶表示装置の検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01161316A true JPH01161316A (ja) | 1989-06-26 |
JPH0569410B2 JPH0569410B2 (ja) | 1993-10-01 |
Family
ID=18141637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62322257A Granted JPH01161316A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 液晶表示装置の検査方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4930874A (ja) |
EP (1) | EP0321073B1 (ja) |
JP (1) | JPH01161316A (ja) |
DE (1) | DE3887484T2 (ja) |
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