JPH02208635A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、とりわけ、アクティブ液晶
表示パネルのアクティブ・パネル部の半導体装置構成に
関する。

°【従来の技術〕 従来、アクティブ液晶表示パネルのアクティブ・パネル
部の半導体装置構成としては、ガラス基板上にアモルフ
ァス５ｉＴＦＴから成るアクティブ・マトリックス部を
形成し、周辺ドライバーは外付けする方式や、ガラス基
板上に多結晶ＳｉＴＦＴから成るアクティブ争マトリッ
クス部と周辺ドライバー部を形成する方式があった。−
〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、上記従来技術によると、ガラス基板上にアモル
ファス５ｉＴＦＴから成るアクティブ・マトリックス部
を形成し、周辺ドライバーを外付けする方式では、コス
ト高になると共に周辺ドライバーをアモルファス５ｉＴ
ＦＴで同一ガラス基板上に形成すると、動作速度が遅い
と云う課題があり、ガラス基板上に多結晶５ｉＴＦＴか
ら成るアクティブ・マトリックス部と周辺ドライバー部
を形成する方式では、コスト低減にはない周辺ドライバ
ーの動作速度も速くなるが、アクティブ・マトリックス
部に欠陥が入り易くなり歩留りが低下し、かえってコス
ト高になると云う課題があった。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、ガラス基板
上に、高歩留り、且つ低コストで、周辺ドライバー部の
動作速度の速い、アクティブ液晶表示パネルのアクティ
ブ・パネル部の新らしい半導体装置構成を提供する事を
目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために、本発明は、半導体装置に関
し、ガラス基板上にはアモルファス５ｉＴＦＴから成る
アクティブ・マトリックス部を形成すると共に、多結晶
５ｉＴＦＴから成る周辺ドライバー部を形成する手段を
とる。

〔実　施　例〕

以下、実施例により本発明を詳述する。

第１図は本発明の一実施例を示すアクティブ液晶表示パ
ネルのアクティブ・パネル部のＴＰＴ回路配置を示すブ
ロック・レイアウト図である。すなわち、−枚の無アル
カリ白板ガラス等から成る耐熱性のガラス基板１の表面
には、アモルファスＳｉ膜が形成され、該アモルファス
Ｓｉ膜を用いて、アモルファスＳ　１ＴＦＴアクテイブ
・マトリックス部２がＭＩＳ型ＦＥＴ回路構成等で形成
され、該アモルファス５ｉＴＦＴアクテイブ・マトリッ
クス部２の周辺に前記、アモルファスＳｉ膜を多結晶Ｓ
ｉ化して、該多結晶Ｓｉ膜を用いた。

多結晶５ｉＴＦＴＸドライバー部３、及び多結晶５ｉＴ
ＦＴＹドライバー部４がＭＩＳ型ＦＥＴ等でＣ−ＭＩＳ
ＦＥＴ、あるいは単チャネルＭＩＳＦＥＴ回路構成等で
形成して成る。これ等ドライバー回路構成にはデコーダ
回路あるいはシフト・レジスタ回路と共に、クロック発
生回路等が含まれても良く、入力信号５は外付は回路か
らの入力信号であっても良い。尚、多結晶５ｉＴＦＴド
ライバー用の多結晶Ｓｉ膜は、アモルファスＳｉ膜を部
分的にレーザー・アニールやランプ・アニルする事によ
り得る事が出来、液晶はアモルファス５ｉＴＦＴアクテ
ィブマトリックス部２の表面に他のガラス基板が貼り合
わされて封入され、ドライバー部には配されないことと
なる。更に、ドライバー部は、アモルファス５ｉＴＦＴ
アクテイブ・マトリックス部２の周辺の他の２辺にも配
されても良いことは云うまでもない。

〔発明の効果〕

本発明により、ガラス基板上に高歩留りでかつ低コスト
で、周辺ドライバー部の動作速度の速いアクティブ液晶
表示パネルのアクティブ・パネル部を提供する事ができ
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例を示すアクティブ液晶表示
パネルのアクティブ・パネル部のＴＰＴ回路配置を示す
ブロック・レイアウト図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・アモルファス５ｉＴＦＴアクテイブ・マトリッ
クス部 ３・・・多結晶Ｓ　１ＴＦＴＸドライバー部４・・・多
結晶５ｉＴＦＴＹドライバー部５・・・入力信号 第１図 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラス基板上にはアモルファスＳｉＴＦＴから成るアク
   ティブ・マトリックス部が形成されて成ると共に、多結
   晶ＳｉＴＦＴから成る周辺ドライバー部が形成されて成
   る事を特徴とする半導体装置。