JPH04260023A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH04260023A JPH04260023A JP3021774A JP2177491A JPH04260023A JP H04260023 A JPH04260023 A JP H04260023A JP 3021774 A JP3021774 A JP 3021774A JP 2177491 A JP2177491 A JP 2177491A JP H04260023 A JPH04260023 A JP H04260023A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に駆動回路を内蔵したアクティブマトリクス液晶表示装
置に関する。
に駆動回路を内蔵したアクティブマトリクス液晶表示装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ガラス等の透明基板表面に形成し
たスイッチングトランジスタアレイを用いたアクティブ
マトリクス液晶パネルが実用化されている。これらのア
クティブマトリクス液晶パネルは、駆動回路がすべてア
クティブマトリクス液晶パネルの外部に形成されている
。
たスイッチングトランジスタアレイを用いたアクティブ
マトリクス液晶パネルが実用化されている。これらのア
クティブマトリクス液晶パネルは、駆動回路がすべてア
クティブマトリクス液晶パネルの外部に形成されている
。
【0003】表示画素数の増大に伴ってマトリクスの規
模が大きくなり、映像信号配線,ゲート配線の本数が増
えると、所要接続端子数は双方の配線数の和に相当する
ので、パネルと外部駆動回路との接続部占有面積が増大
し、パネルの小型化の障害になる。また、外部駆動回路
LSI及びその実装コストも増大する。このため駆動回
路をアクティブマトリクス基板内に内蔵して上記問題を
解決しようとする提案がなされている。
模が大きくなり、映像信号配線,ゲート配線の本数が増
えると、所要接続端子数は双方の配線数の和に相当する
ので、パネルと外部駆動回路との接続部占有面積が増大
し、パネルの小型化の障害になる。また、外部駆動回路
LSI及びその実装コストも増大する。このため駆動回
路をアクティブマトリクス基板内に内蔵して上記問題を
解決しようとする提案がなされている。
【0004】従来の駆動回路内蔵アクティブマトリクス
パネルを図3A,Bを用いて説明する。図3Aは従来の
駆動回路内蔵アクティブマトリクスパネルの断面図、図
3Bは平面図である。
パネルを図3A,Bを用いて説明する。図3Aは従来の
駆動回路内蔵アクティブマトリクスパネルの断面図、図
3Bは平面図である。
【0005】透明ガラス基板301上には、映像信号配
線S(1)〜S(M),ゲート配線G(1)〜G(N)
、及びそれらの交点にそれぞれ形成された薄膜トランジ
スタ(図示せず)と画素電極(図示せず)の対よりなる
画素302のマトリクスよりなる表示領域が形成されて
いる。さらに映像信号配線S(1)〜S(M),ゲート
配線G(1)〜G(M)をそれぞれ駆動する映像信号配
線駆動回路303,ゲート配線駆動回路304もアクテ
ィブマトリクス基板301上に形成されている。 第2の透明ガラスに形成された画素の対向電極基板30
5と透明ガラス基板301との間には液晶307が挾み
込まれ、液晶307はシール材306によってシールさ
れている。
線S(1)〜S(M),ゲート配線G(1)〜G(N)
、及びそれらの交点にそれぞれ形成された薄膜トランジ
スタ(図示せず)と画素電極(図示せず)の対よりなる
画素302のマトリクスよりなる表示領域が形成されて
いる。さらに映像信号配線S(1)〜S(M),ゲート
配線G(1)〜G(M)をそれぞれ駆動する映像信号配
線駆動回路303,ゲート配線駆動回路304もアクテ
ィブマトリクス基板301上に形成されている。 第2の透明ガラスに形成された画素の対向電極基板30
5と透明ガラス基板301との間には液晶307が挾み
込まれ、液晶307はシール材306によってシールさ
れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の駆動回路内蔵アクティブマトリクスパネルにおいて
、更なる大面積表示,高精細表示を狙って画素数を増大
すると、駆動回路の負荷が増大するので、駆動用トラン
ジスタのサイズを大型化せねばならず、駆動回路占有面
積が増大し、結果的に装置が大型化するという問題点が
あった。
来の駆動回路内蔵アクティブマトリクスパネルにおいて
、更なる大面積表示,高精細表示を狙って画素数を増大
すると、駆動回路の負荷が増大するので、駆動用トラン
ジスタのサイズを大型化せねばならず、駆動回路占有面
積が増大し、結果的に装置が大型化するという問題点が
あった。
【0007】また、従来の駆動回路303,304は、
例えばn−チャネル薄膜トランジスタのみで構成されて
いたから、駆動回路の負荷が増大し駆動用トランジスタ
も大型化すると、消費電力が増加するので、発熱によっ
て信頼性が低下するという問題点もあった。
例えばn−チャネル薄膜トランジスタのみで構成されて
いたから、駆動回路の負荷が増大し駆動用トランジスタ
も大型化すると、消費電力が増加するので、発熱によっ
て信頼性が低下するという問題点もあった。
【0008】本発明は、上記従来の問題点を解決し、駆
動回路占有面積のより小さい液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。
動回路占有面積のより小さい液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。
【0009】さらに、本発明は、駆動回路による発熱を
低減して、信頼性の高い液晶表示装置を提供することを
目的とする。
低減して、信頼性の高い液晶表示装置を提供することを
目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第1及
び第2の電極基板と第1及び第2の電極基板間に挾持さ
れた液晶と、液晶を駆動する駆動回路とを有する液晶表
示装置に於いて、駆動回路が第1の駆動回路と第2の駆
動回路に分割され、第1の駆動回路は第1の電極基板に
搭載され、第2の電極基板は第2の電極基板に搭載され
、第1の駆動回路と第2の駆動回路を配線によって接続
することを特徴とする液晶表示装置が得られる。
び第2の電極基板と第1及び第2の電極基板間に挾持さ
れた液晶と、液晶を駆動する駆動回路とを有する液晶表
示装置に於いて、駆動回路が第1の駆動回路と第2の駆
動回路に分割され、第1の駆動回路は第1の電極基板に
搭載され、第2の電極基板は第2の電極基板に搭載され
、第1の駆動回路と第2の駆動回路を配線によって接続
することを特徴とする液晶表示装置が得られる。
【0011】また、本発明によれば、第1の駆動回路を
一導電型の薄膜MOSトランジスタで、第2の駆動回路
を他の導電型の薄膜MOSトランジスタでそれぞれ構成
することを特徴とする液晶表示装置が得られる。
一導電型の薄膜MOSトランジスタで、第2の駆動回路
を他の導電型の薄膜MOSトランジスタでそれぞれ構成
することを特徴とする液晶表示装置が得られる。
【0012】更に、本発明によれば、電極基板上に形成
された第1の半導体薄膜を用いて第1の駆動回路を形成
し、対向電極基板上に形成された第2の半導体薄膜を用
いて第2の駆動回路を形成することを特徴とする請求項
1記載の液晶表示装置が得られる。
された第1の半導体薄膜を用いて第1の駆動回路を形成
し、対向電極基板上に形成された第2の半導体薄膜を用
いて第2の駆動回路を形成することを特徴とする請求項
1記載の液晶表示装置が得られる。
【0013】従来の液晶表示装置の駆動回路を分割して
、2枚の電極基板のそれぞれに搭載することによって、
専有面積を半分にすることができる。このことは、駆動
回路をあらかじめ電極基板とは別に製造するにしろ、電
極基板上の半導体薄膜を用いて形成するにしろ同様であ
る。
、2枚の電極基板のそれぞれに搭載することによって、
専有面積を半分にすることができる。このことは、駆動
回路をあらかじめ電極基板とは別に製造するにしろ、電
極基板上の半導体薄膜を用いて形成するにしろ同様であ
る。
【0014】分割した駆動回路をつなぐ方法としては、
片方の駆動回路に、金属突起を設け、液晶注入前にはり
合わせる方法、樹脂の中に銀ペースト等の微粒子を埋め
込んだものを駆動回路間で融解する方法、異方性導電ゴ
ムをはさみ込む方法等が挙げられる。配線での欠陥を少
なくするという点から金属突起を設ける方法が望ましい
。
片方の駆動回路に、金属突起を設け、液晶注入前にはり
合わせる方法、樹脂の中に銀ペースト等の微粒子を埋め
込んだものを駆動回路間で融解する方法、異方性導電ゴ
ムをはさみ込む方法等が挙げられる。配線での欠陥を少
なくするという点から金属突起を設ける方法が望ましい
。
【0015】駆動回路は、電極基板上に形成された半導
体薄膜を用いて製造することにより、占有面積及び実装
コストを低減することが出来る。半導体薄膜としては、
ポリシリコンやアモルファスシリコン等を用いることが
できるが、動作速度の高いトランジスタを製造するとい
う点からポリシリコンが好ましい。
体薄膜を用いて製造することにより、占有面積及び実装
コストを低減することが出来る。半導体薄膜としては、
ポリシリコンやアモルファスシリコン等を用いることが
できるが、動作速度の高いトランジスタを製造するとい
う点からポリシリコンが好ましい。
【0016】さらに、第1の駆動回路及び第2の駆動回
路にそれぞれ一導電型及び他の導電型の薄膜トランジス
タを用いて相補型MOS構造とすることにより消費電力
を減少できる。この際、相補型の薄膜MOSトランジス
タを、それぞれの基板に分割すれば、それぞれの基板で
は一導電型のMOSトランジスタを製造すれば良い。こ
れは、同一基板中にnチャネルとpチャネルの両方のM
OSトランジスタを製造するよりも製造工程を非常に削
減することになり、製造コストも低減されるからである
。また、画素電極が形成された基板上の駆動回路を表示
領域内の薄膜トランジスタと同一導電型のトランジスタ
で構成すれば、駆動回路と表示領域内のトランジスタと
を同時に形成できる。さらに、この場合においても半導
体薄膜としてポリシリコンを用いれば動作速度を高くで
きることはもちろんのこと、nチャネル型だけでなくp
チャネル型MOSトランジスタも容易に製造できる。
路にそれぞれ一導電型及び他の導電型の薄膜トランジス
タを用いて相補型MOS構造とすることにより消費電力
を減少できる。この際、相補型の薄膜MOSトランジス
タを、それぞれの基板に分割すれば、それぞれの基板で
は一導電型のMOSトランジスタを製造すれば良い。こ
れは、同一基板中にnチャネルとpチャネルの両方のM
OSトランジスタを製造するよりも製造工程を非常に削
減することになり、製造コストも低減されるからである
。また、画素電極が形成された基板上の駆動回路を表示
領域内の薄膜トランジスタと同一導電型のトランジスタ
で構成すれば、駆動回路と表示領域内のトランジスタと
を同時に形成できる。さらに、この場合においても半導
体薄膜としてポリシリコンを用いれば動作速度を高くで
きることはもちろんのこと、nチャネル型だけでなくp
チャネル型MOSトランジスタも容易に製造できる。
【0017】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【0018】図1A〜Cは、本発明における液晶表示装
置の実施例を示す図である。図1Aは、駆動回路内蔵ア
クティブマトリクス液晶パネルの断面図、図1Bは、駆
動回路内蔵アクティブマトリクス基板の平面図、図1C
は、駆動回路内蔵対向電極基板の構成図である。
置の実施例を示す図である。図1Aは、駆動回路内蔵ア
クティブマトリクス液晶パネルの断面図、図1Bは、駆
動回路内蔵アクティブマトリクス基板の平面図、図1C
は、駆動回路内蔵対向電極基板の構成図である。
【0019】透明ガラス基板上に薄膜トランジスタと画
素電極の対よりなる画素102と一部の駆動回路103
a,104aが搭載されアクティブマトリクス基板10
1を構成している。更に、他の透明ガラス基板上に駆動
回路の他の一部103b,104bが搭載され対向電極
基板105を構成している。アクティブマトリクス基板
101と対向電極基板105とは適切な間隔をもって重
ね合わされ、間隙には液晶107が満たされシール材1
06でシールされている。映像信号配設駆動回路103
a,b、ゲート配線駆動回路104a,bがそれぞれア
クティブマトリクス基板101と、対向電極基板105
とに分割搭載されており、それらの2枚の透明ガラス基
板の駆動回路間は縦配線108で接続されている。
素電極の対よりなる画素102と一部の駆動回路103
a,104aが搭載されアクティブマトリクス基板10
1を構成している。更に、他の透明ガラス基板上に駆動
回路の他の一部103b,104bが搭載され対向電極
基板105を構成している。アクティブマトリクス基板
101と対向電極基板105とは適切な間隔をもって重
ね合わされ、間隙には液晶107が満たされシール材1
06でシールされている。映像信号配設駆動回路103
a,b、ゲート配線駆動回路104a,bがそれぞれア
クティブマトリクス基板101と、対向電極基板105
とに分割搭載されており、それらの2枚の透明ガラス基
板の駆動回路間は縦配線108で接続されている。
【0020】本実施例の第1の特徴は、上述のごとくア
クティブマトリクス液晶パネルを構成するアクティブマ
トリクス基板101と、対向電極基板105との双方に
駆動回路103,104を分割して内蔵することにある
。これにより駆動回路の占有面積が約1/2に低減しう
る。
クティブマトリクス液晶パネルを構成するアクティブマ
トリクス基板101と、対向電極基板105との双方に
駆動回路103,104を分割して内蔵することにある
。これにより駆動回路の占有面積が約1/2に低減しう
る。
【0021】図2は本発明の駆動回路内蔵アクティブマ
トリクス液晶パネルの駆動回路構成の実施例を示す。ア
クティブマトリクス基板101側にnチャネル薄膜MO
Sトランジスタ201を、対向電極基板105側にpチ
ャネル薄膜MOSトランジスタ202をそれぞれ搭載し
、縦配線108で接続することで相補型MOSトランジ
スタの回路を構成している。当該回路構成により、単一
導電型の薄膜MOSトランジスタのみで構成した駆動回
路の場合より消費電力を大幅に低減でき、発熱量低減に
よる信頼性の向上が期待できる。
トリクス液晶パネルの駆動回路構成の実施例を示す。ア
クティブマトリクス基板101側にnチャネル薄膜MO
Sトランジスタ201を、対向電極基板105側にpチ
ャネル薄膜MOSトランジスタ202をそれぞれ搭載し
、縦配線108で接続することで相補型MOSトランジ
スタの回路を構成している。当該回路構成により、単一
導電型の薄膜MOSトランジスタのみで構成した駆動回
路の場合より消費電力を大幅に低減でき、発熱量低減に
よる信頼性の向上が期待できる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を適用する
ことにより、表示領域に比べて駆動回路の相対占有面積
が小さいにもかかわらず駆動能力の高い液晶表示装置が
得られ、大面積あるいは高精細度の高性能表示がコンパ
クトな外形寸法で可能となる。
ことにより、表示領域に比べて駆動回路の相対占有面積
が小さいにもかかわらず駆動能力の高い液晶表示装置が
得られ、大面積あるいは高精細度の高性能表示がコンパ
クトな外形寸法で可能となる。
【0023】更に、相補型MOS構造の駆動回路構成と
することにより、極めて低電力で動作可能な駆動回路と
なるので、発熱量が少なく長期信頼性に優れた液晶表示
装置が得られる。
することにより、極めて低電力で動作可能な駆動回路と
なるので、発熱量が少なく長期信頼性に優れた液晶表示
装置が得られる。
【0024】また、相補型MOS構造のnチャネルとp
チャネルとを分割することにより、同一基板上に同一チ
ャネルのMOSトランジスタを製造すればよく、製造工
程を削減できるという効果を有する。
チャネルとを分割することにより、同一基板上に同一チ
ャネルのMOSトランジスタを製造すればよく、製造工
程を削減できるという効果を有する。
【図1】本発明の一実施例を示す液晶表示装置を表わす
図であり、図1Aは断面図、図1Bはアクティブマトリ
クス基板の平面図、図1Cは対向電極基板の構成を表す
表面図である。
図であり、図1Aは断面図、図1Bはアクティブマトリ
クス基板の平面図、図1Cは対向電極基板の構成を表す
表面図である。
【図2】本発明の液晶表示装置の駆動回路構成を表わす
図である。
図である。
【図3】従来の液晶表示装置を表わす図である。
101,301 アクティブマトリクス基板10
2,302 画素 103a,103b,303 ゲート配線駆動回
路104a,104b,304 映像信号配線駆
動回路105,305 対向電極基板 106,306 シール材 107,307 液晶 108,208 縦配線
2,302 画素 103a,103b,303 ゲート配線駆動回
路104a,104b,304 映像信号配線駆
動回路105,305 対向電極基板 106,306 シール材 107,307 液晶 108,208 縦配線
Claims (3)
- 【請求項1】 第1及び第2の電極基板と、前記第1
及び第2の電極基板間に挾持された液晶と、前記液晶を
駆動する駆動回路とを有する液晶表示装置に於いて、前
記駆動回路が第1の駆動回路と第2の駆動回路に分割さ
れ、前記第1の駆動回路は前記第1の電極基板に搭載さ
れ、前記第2の電極基板は前記第2の電極基板に搭載さ
れ、前記第1の駆動回路と前記第2の駆動回路を配線に
よって接続することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記第1の駆動回路を一導電型の薄膜
MOSトランジスタで、前記第2の駆動回路を他の導電
型の薄膜MOSトランジスタでそれぞれ構成することを
特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記電極基板上に形成された第1の半
導体薄膜を用いて前記第1の駆動回路を形成し、前記対
向電極基板上に形成された第2の半導体薄膜を用いて前
記第2の駆動回路を形成することを特徴とする請求項1
記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3021774A JPH04260023A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3021774A JPH04260023A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04260023A true JPH04260023A (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=12064416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3021774A Pending JPH04260023A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04260023A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6980275B1 (en) | 1993-09-20 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
JP2008250324A (ja) * | 2008-03-31 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置の作製方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02208635A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP3021774A patent/JPH04260023A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02208635A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6980275B1 (en) | 1993-09-20 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
US7525629B2 (en) | 1993-09-20 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising drive circuits that include thin film transistors formed on both substrates |
JP2008250324A (ja) * | 2008-03-31 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置の作製方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970506 |