JP3143592B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を用いて画像
・文字などを表示する装置、特に、反射型のアクティブ
マトリックス液晶パネルを用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、世の中はマルチメディア時代に入
り、画像情報でコミュニケーションを図る機器の重要性
がますます高まりつつある。なかでも、液晶表示装置
は、薄型で消費電力が小さいため注目され、半導体にな
らぶ基幹産業にまで成長している。液晶表示装置は、現
在、10インチサイズのノートサイズのパソコンに主に使
用されている。そして、将来は、パソコンのみでなく、
ワークステーションや家庭用のテレビとして、さらに画
面サイズの大きい液晶表示装置が使用されると考えられ
る。しかし、画面サイズの大型化にともない、製造装置
が高価になるばかりでなく、大画面を駆動するために
は、電気的に厳しい特性が要求される。このため、画面
サイズの大型化とともに、製造コストが、サイズの2〜3
乗に比例するなど急増する。
【０００３】そこで、最近、小型の液晶表示パネルを作
製し、光学的に像を拡大して表示するプロジェクション
（投影）方式が注目されている。これは、半導体の微細
化にともない、性能やコストが良くなるスケーリング則
と同様に、サイズを小さくして、特性を向上させ、同時
に、低コスト化も図ることができるからである。これら
の点から、液晶表示パネルをTFT型としたとき、小型で
十分な駆動力を有するTFTが要求され、TFTもアモルファ
スSiを用いたものから多結晶Siを用いたものに移行しつ
つある。通常のテレビに使われるNTSC規格などの解像度
レベルの映像信号は、あまり高速の処理を必要としな
い。このため、TFTのみでなく、シフトレジスタもしく
はデコーダといった周辺駆動回路まで多結晶Siで製造し
て、表示領域と周辺駆動回路が一体構造になった液晶表
示装置ができる。しかし、多結晶Siでも、単結晶Siには
およばず、NTSC規格より解像度レベルの大きい高品位テ
レビや、コンピュータの解像度規格でいうXGA,SXGAクラ
スの表示を実現しようとすると、シフトレジスタなどは
複数に分割配置せざるを得ない。この場合、分割のつな
ぎ目に相当する表示領域にゴーストと呼ばれるノイズが
発生し、その問題を解決する対策がこの分野では望まれ
ている。
【０００４】そこで、多結晶Siの一体構造の表示装置よ
り、駆動力が極めて高い単結晶Si基板を用いる表示装置
も注目を集めている。この場合、周辺駆動回路のトラン
ジスタの駆動力は申し分ないので、上述したような分割
駆動をする必要はない。このため、ノイズなどの問題は
解決できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、単結晶Si基板
を用いた液晶表示パネルは以下に挙げるような問題点が
ある。 (1)表示用の光が、半導体基板に入ることにより、半導
体基板に光キャリアが発生し、基板電位が変動し、表示
特性を悪化させる。 (2)半導体基板には、単結晶領域に作製した周辺駆動回
路を動作させるために周辺駆動回路に電圧を印加する
が、これが基板を通じて表示領域に伝わり表示特性を悪
化させる。 (3)隣接画素の電位が大きく変化する場合、その変化が
半導体基板の電位を局所的に変化させ、上記の画素の隣
接画素の表示電位を変化させ、表示特性が悪化する。
【０００６】そこで、本発明は以上の挙げた問題点を解
決し、高精細、高輝度、高コントラスト、コンパクト、
低コストで視野角が広い表示装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者が鋭意
努力した結果以下の発明を得た。すなわち、本発明の表
示装置は、導体基板上に、複数のスイッチが配された画
像表示部と、前記画像表示部の周囲に前記スイッチに駆
動信号を与える駆動回路部を備えるアクティブマトリッ
クス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向し
透明電極を備える対向基板と、前記アクティブマトリッ
クス基板と前記対向基板とで挟持された液晶材料とを有
する表示装置において、前記半導体基板より不純物濃度
が大きい高濃度不純物領域を前記画像表示部に設け、前
記高濃度不純物領域を前記画像表示部の周囲で固定電位
に接続することを特徴とする。ここで、前記画像表示部
に、複数のデータ配線と複数の走査配線を設け、その交
差部にスイッチと、容量手段と、画素反射電極とを設け
るのが望ましい。また、前記スイッチが薄膜トランジス
タであるのが望ましい。前記薄膜トランジスタの直下の
前記半導体基板が、前記表示装置の最低電位になってい
るとよい。前記半導体基板の不純物濃度と、前記高濃度
不純物領域の不純物濃度との中間の濃度で、前記半導体
基板と反対の導電型の領域が、画像表示部にあるとよ
い。前記スイッチがトランスミッションゲートであって
もよい。前記トランスミッションゲートを単結晶MOSFET
によって構成するのが望ましい。前記トランスミッショ
ンゲートのnチャンネルMOSFETの下部にp型のウェル領域
があり、前記p型のウェル領域の一部にp型の前記高濃度
不純物領域があるのが望ましい。前記トランスミッショ
ンゲートのpチャンネルMOSFETの下部にn型の半導体基板
があり、前記n型の半導体基板の一部にn型の前記高濃度
不純物領域があるのが望ましい。前記p型の高濃度不純
物領域と前記n型の高濃度不純物領域は厚い酸化膜によ
り分離されているのが望ましい。前記高濃度不純物領域
が厚い酸化膜の間に設けられているとよい。薄い酸化膜
の領域が厚い酸化膜の間にあり、前記酸化膜の上にはス
イッチからのびた半導体領域があり、前記のびた半導体
領域の端に前記薄い酸化膜を介して高濃度不純物領域が
あってもよい。前記固定電位は電源電位であるとよい。
【０００８】また、前記半導体基板の不純物濃度と、前
記高濃度不純物領域の不純物濃度との中間の濃度であ
り、前記半導体基板と反対の導電型と同一の導電型の領
域の両方が、画像表示部にあってもいい。また前記半導
体基板と反対の導電型の領域が複数あり、それぞれに異
なる電位を印加してもいい。ここで、前記異なる電位を
印加する反対の導電型の領域は、それぞれ、画像表示部
と画像表示部の周囲であるといい。
【０００９】また、前述のトランスミッションゲートの
ｐチャンネルMOSFETの下部にｎ型のウェル領域があり、
前記ｎ型のウェル領域の一部にｎ型の前記高濃度不純物
領域があってもいい。
【００１０】また、トランスミッションゲートのｎチャ
ンネルMOSFETの下部にｐ型の半導体基板があり、前記ｐ
型の半導体基板の一部にｐ型の前記高濃度不純物領域が
あってもいい。
【００１１】さらに、前記ｐ型の高濃度不純物領域の周
りに、前記ｐ型の半導体基板と前記ｐ型の高濃度不純物
領域との間の不純物濃度のｐ型の領域があってもいい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を５
つ液晶パネルを挙げて記述するが、それぞれの形態に限
定されるものではない。相互の形態の技術を組み合わせ
ることによって効果が増大することはいうまでもない。
また、液晶パネルの構造は、半導体基板を用いたもので
記述しているが、必ずしも半導体基板に限定されるもの
はなく、通常の透明基板上に以下に記述する構造体を形
成してもいい。また、以下に記述する液晶パネルは、す
べてTFT型であるが、ダイオード型などの2端子型であっ
てもいい。さらに、以下に記述する液晶パネルは、家庭
用テレビはもちろん、プロジェクタ、ヘッドマウントデ
ィスプレイ、3次元映像ゲーム機器、ラップトップコン
ピュータ、電子手帳、テレビ会議システム、カーナビゲ
ーション、飛行機のパネルなどの表示装置として有効で
ある。
【００１３】（実施形態１）本発明の実施形態1は、表
示領域の薄膜トランジスタの下部の高濃度不純物領域を
絶縁層を介して格子状に設ける。図1は、実施形態1を使
った反射型TFT型アクティブマトリックス液晶表示パネ
ルの平面図(a)と、平面図(a) のX1-X'1での断面図(b)
を表す。図中、1は半導体基板、2はウェル領域、3,4,5
はパネルの周辺駆動回路を構成するMOSFETのソース・ド
レイン・ゲートである。6はフィールド酸化膜、7,8,9は
表示領域における画素スイッチになる薄膜トランジスタ
のソース・ドレイン・ゲート、10はデータ配線につながる
ソース電極、11は画素反射電極につながるドレイン電
極、12は画素反射電極、13は表面保護膜、14 は液晶材
料、15は共通透明電極、16は対向透明基板、17は高濃度
不純物領域、18は接続部、19は表示領域である。
【００１４】半導体基板1は図1ではn型になっている
が、p型でもよい。n型基板の場合、基板の不純物濃度は
1014〜1017(cm-3)がよく、高耐圧特性を有するトランジ
スタを作製する場合、1014〜1015(cm-3)が好適である。
ウェル領域2は、半導体基板1と反対の導電型にする。こ
のため、図1では、ウェル領域2はp型になっている。p型
のウェル領域2は、半導体基板1よりも高濃度に不純物が
注入されていることが望ましく、半導体基板1の不純物
濃度が1014〜1015(cm-3)のとき、ウェル領域2の不純物
濃度は1016〜1017(cm-3)が望ましい。周辺駆動回路のMO
SFET3,4,5は、図1でnチャンネルであり、3,5がn+の高濃
度不純物領域になっている。当然、この周辺駆動回路の
MOSFETはpチャンネルでもよく、MOSFETでなくても、npn
バイポーラトランジスタでも、pnpバイポーラトランジ
スタでもよい。フィールド酸化膜6は、選択酸化法によ
り形成され、厚さは3000〜15000Å程度が望ましい。こ
のフィールド酸化膜6により、周辺駆動回路のトランジ
スタの分離領域が形成できる。また、図1の構造では、
表示領域は前面フィールド酸化膜が設けられ、その上に
各画素のスイッチとして薄膜トランジスタ7,8,9を形成
する。この薄膜トランジスタは、図1では、ソース7・ド
レイン9がn+高濃度不純物領域になり、nチャンネルにな
っている。当然、この薄膜トランジスタは、pチャンネ
ルでもいい。
【００１５】ソース電極10は、表示用信号が送られてく
るデータ配線に、ドレイン電極11は画素反射電極12に接
続する。これらの電極は10,11には、通常Al、AlSi、AlS
iCu配線を用いる。これらの電極は10,11の下部に、Tiと
TiNからなるバリアメタル層を用いると、コンタクトが
安定に実現できる。またコンタクト抵抗も低減できる。
画素反射電極は、表面が平坦で、高反射材が望ましく、
通常の配線用金属であるAl、AlSi、AlSiCu以外にCr、A
u、Agなどの材料を使用することが可能である。また、
平坦性の向上のため、下地絶縁層や画素反射電極12の表
面をケミカルメカニカルポリッシング(CMP)法によって
処理するとよい。
【００１６】表面保護膜13は、画素反射電極12を保護し
たり、配向膜となる。材料はポリイミドが望ましい。液
晶材料14は、反射型の材料で、散乱・非散乱モード用高
分子分散型液晶や偏光で制御するゲストホスト型、反射
用FLC(強誘電性液晶)材料を用いることができる。透明
共通電極15は対向基板16上にあり、この透明共通電極15
と画素反射電極12との間に各画素の信号に応じた電圧を
印加することによって画像表示を実現する。
【００１７】高濃度不純物領域17は、p型で表示領域19
の下部のフィールド酸化膜6の下に設けている。高濃度
不純物領域17は、図1の平面図(a)からもわかるように、
表示領域19の内部では、Y方向のみならず、X方向にも設
けて格子状にする。そして、表示領域の外周部で接続部
18を通して、電源電位と接続する。
【００１８】通常n型半導体基板1は、電源の最高電位と
なる。そこで、p型のウェル領域2と高濃度不純物領域17
がなかった場合、TFT7,8,9の下部のフィールド酸化膜6
の下に直接n型の半導体基板1がくる形になる。このと
き、TFT7,8,9には、最高電位のバイアスがかかり、TFT
7,8,9のしきい値が電位の低い方に変化して、TFT7,8,9
のゲート8が電源の最低電位であっても、TFT7,8,9をオ
フできず映像信号がリークしてコントラストが低下して
しまう。そこを実施形態1によって、p型のウェル領域2
に最低電位を印加すると、TFTのしきい値は変動せず、
高コントラストの表示ができる。さらに、実施形態1で
は、p型のウェル領域2の不純物濃度が薄かった場合、隣
接画素に振幅の大きい信号などが印加されると、フィー
ルド酸化膜6を介して、ウェル領域2の電位が局所的に変
化する対策として、高濃度不純物領域17を、表示領域19
の下部に設けている。このことにより、隣接画素に振幅
の大きい信号などが印加されたとしても、ウェル電位が
局所的に変動することがなくなる。
【００１９】また、表示領域に設けたTFTの半導体層7,9
の厚さを200〜600Åと薄く設け、半導体基板を500〜700
μmと厚いため、表示用照明光が入ってもTFTで吸収され
る確率は小さい。表示用照明光が入ってきた場合、半導
体基板1で光キャリアが発生するが、発生したホールはp
+の高濃度不純物領域へ、電子はn型の基板へすみやかに
流れるため、光キャリアが残存する問題も生じない。た
とえ光キャリアが残存しても表示部のTFTはフィールド
酸化膜6を介して設けているので、２重の対策になる。
【００２０】（実施形態２）実施形態2は、各画素のス
イッチを単結晶のnチャンネルMOSFETとpチャンネルMOSF
ETとからなるトランスミッションゲートの構成とする。
このため、nチャンネルMOSFETの下部のみp型のウェル領
域に埋め、pチャンネルMOSFETはn型の基板に埋める構造
にする。
【００２１】図2は、実施形態2を使った反射型アクティ
ブマトリックス液晶表示パネルの平面図(a)と、平面図
(a) のX2-X'2での断面図(b) を表す。また、図3は、図2
(a)のY2-Y'2での断面図である。図中、20は反射防止
膜、21は水平シフトレジスタ、22は垂直シフトレジス
タ、23はnチャンネルMOSFET、24はpチャンネルMOSFET、
25は保持容量、26は液晶材料を介した共通透明電極15の
電位、27は信号転送スイッチ、28は表示信号入力端子、
29はリセットパルス入力端子、30はリセット電源端子、
31は映像信号の入力端子である。図1と同じ符号は図1と
同じ部品を表すので、説明を省略する。保持容量25は、
画素反射電極12と共通透明電極15の間の信号を保持する
ための容量である。ウェル領域2には、基板電位を印加
する。実施形態2では、各行のトランスミッションゲー
ト構成を、上から1行目は上がnチャンネルMOSFET23で下
がpチャンネルMOSFET24、2行目は上がpチャンネルMOSFE
T24でnチャンネルMOSFET23とするように、隣り合う行で
順序を入れ換える構成にしている。
【００２２】映像信号(ビデオ信号、パルス変調された
デジタル信号など）は、映像信号入力端子31から入力さ
れ、水平シフトレジスタ21からのパルスに応じて信号転
送スイッチ27を開閉し、各データ配線に出力する。垂直
シフトレジスタ22からは、選択した行のnチャンネルMOS
FET23のゲートへはハイパルス、pチャンネルMOSFETのゲ
ートへはローパルスを印加する。
【００２３】つぎに、X2-X'2での断面図(b)に注目す
る。この断面は、p型のウェル領域に沿ったものであ
る。MOSFET7,8,9は、トランスミッションゲートのnチャ
ンネルMOSFETでその直下には、p型の高濃度不純物領域2
を設けている。この高濃度不純物領域2は、図では表れ
ていないが、表示領域の周辺部のところで電源と接続さ
れている。共通電極基板16は、共通透明電極15の表面反
射を防ぐため、凹凸を形成し、その表面に共通透明電極
15を設けている。また、共通電極基板16の反対側には、
反射防止膜20を設けている。
【００２４】つぎに、図2(a)のY2-Y'2での断面図である
図3について説明する。p型のウェル領域2の周辺箇所に
はp+高濃度領域17を設けている。また、pチャンネルMOS
FETの基板電位をとるため、pチャンネルMOSFETのソース
・ドレインの両脇にフィールド酸化膜6を介して、n型の
高濃度不純物領域を設けている。図には表れていない
が、p型の高濃度不純物領域17もn型の高濃度不純物領域
31も表示領域の周辺部で電源と接続している。
【００２５】実施形態2の構成により、光のもれによる
キャリアの発生による電位の変動や、隣接する画素など
による電位の変動などを受けることがなく、安定した表
示特性が実現できる。また、表示領域のスイッチが単結
晶からなるMOSFETであるトランスミッションゲート構成
であるので、各FETのVth(しきい値)の影響を直接受けな
い。よって、画面周囲でのコントラストの低下もなく、
温度などの環境変化から影響が少なく、高精細な表示が
できる。
【００２６】（実施形態３）実施形態3は、表示領域内
に、一部フィールド酸化膜のない領域(ACT領域:通常は
トランジスタを形成するアクティブ領域)を設け、その
部分にウェル領域あるいは基板電位を固定する高濃度不
純物領域を設ける。図4は、実施形態3を使った反射型TF
T型アクティブマトリックス液晶表示パネルの断面図を
表す。41は照射光が半導体基板1上の素子や回路に当た
らないようにする遮光金属層、42は絶縁層である。図3
以前と同じ符号は図3以前と同じ部品を表すので、説明
を省略する。表示領域の半導体基板1とウェル領域2の電
位は、フィールド酸化膜6の間に設けたp型の高濃度不純
物領域17によって表示部の周辺部の電源電位に固定され
る。この高濃度不純物領域17は、周辺駆動回路にあるp
チャンネルMOSFET3,4,5や表示領域にあるpチャンネルの
薄膜トランジスタ7,8,9のソース・ドレインといったp+
領域と一緒に形成できるので、製造工程が簡単でまた、
濃度の濃い領域を形成することができる。よって、さら
に低コストでパネルを構成でき、高濃度不純物領域の抵
抗が小さくなり、基板電位の安定化ができる。
【００２７】また、実施形態3では、遮光金属層41と画
素反射電極12と、その間にある絶縁層42により、映像信
号の保持容量を形成している。このとき、遮光金属層41
の電位は透明共通電極15と同じ電位に保っておくとよ
い。遮光金属層41の上部または下部にTi、TiNなどを設
けることによりヒロックなどで容量不良となることを防
ぐことができる。絶縁層42に、通常のSiO2以外、SiN、T
a2O5、SiONを用いると、小さい面積で大きな容量を形成
できる。これらにより、さらに小さい画素サイズが実現
でき、高精細、高コントラストな表示が実現できる。
【００２８】（実施形態４）実施形態4は、表示領域内
に、一部フィールド酸化膜のない部分を設け、その部分
にウェル、または基板電位を固定する高濃度不純物領域
を設け、さらにこの高濃度不純物領域と反対の導電型の
高濃度不純物領域を設ける。図5は、実施形態4を使った
反射型TFT型アクティブマトリックス液晶表示パネルの
断面図を表す。51はフィールド酸化膜の薄い部分、52は
薄膜トランジスタ7,8,9のドレイン9を引き延ばした部分
である。図4以前と同じ符号は図4以前と同じ部品を表す
ので、説明を省略する。表示領域内に、一部フィールド
酸化膜のない部分を設け、その部分に高濃度不純物領域
17を設け、さらにこの高濃度不純物領域17と反対の導電
型の高濃度不純物領域31をフィールド酸化膜を介して設
ける。さらに、反対の導電型の高濃度不純物領域31の上
部にフィールド酸化膜の薄い部分51を介して、薄膜トラ
ンジスタ7,8,9のドレイン9を引き延ばした部分52を設け
ている。このドレイン9を引き延ばした部分52は、薄膜
トランジスタ7,8,9がnチャンネルならn+、薄膜トランジ
スタ7,8,9がpチャンネルならp+である。また、反対の導
電型の高濃度不純物領域31は、ドレイン9を引き延ばし
た部分52の端に位置するのが望ましい。薄膜トランジス
タ7,8,9のドレイン9がある電圧になることにより、フィ
ールド酸化膜の薄い部分51のしたのウェル領域2の表面
に反転層ができる。この構造により、ドレイン9にさら
に保持容量が接続され、高コントラストかつ高精細な表
示が実現できる。
【００２９】（実施形態５）実施形態５は、実施形態２
と同様に各画素のスイッチを単結晶のnチャンネルMOSFE
TとpチャンネルMOSFETとからなるトランスミッションゲ
ートの構成とする。ただし、nチャンネルMOSFETの下部
のみp型のウェル領域に埋め、pチャンネルMOSFETはn型
のウェル領域に埋める構造にする。基板には、ｐ型基板
を用いる。
【００３０】図７は、実施形態５の液晶パネルの断面図
である。図中、１はｐ型基板７２は、画像表示部の電源
電位が印加されるｎ型ウェル領域、７３は周辺駆動回路
の電源電位が印加されるｎ型ウェル領域である。以前と
同じ符号は以前と同じ部品を表すので、説明を省略す
る。
【００３１】実施形態５は、ｐ型基板を用いるので基板
電位が電源の最低電位にセットされる。この場合、パネ
ルの基準電位は、通常、接地電位で安定しており、パネ
ルを固定する治具に対する対応（電源ショート、リーク
防止、絶縁材など）が極めて楽になる。また、ｐ型基板
に分離して基けたｎ型のウェル領域７２と７３に異なる
電位を印加することが可能となる。このため、画像表示
部は２０〜３５Ｖ系、周辺駆動回路は１Ｖ〜５Ｖ系とい
う構成が可能になる。
【００３２】さらに、画像表示部にｐ型のウェル領域２
とｎ型のウェル領域７２を設けるツインウェル構造にす
ることにより、トランジスタのしきい値の安定、耐圧の
向上がはかれ、自由度が広がる。
【００３３】また、実施形態2と同様、光のもれによる
キャリアの発生による電位の変動や、隣接する画素など
による電位の変動などを受けることがなく、安定した表
示特性が実現できる。また、表示領域のスイッチが単結
晶からなるMOSFETであるトランスミッションゲート構成
であるので、各FETのVth(しきい値)の影響を直接受けな
い。よって、画面周囲でのコントラストの低下もなく、
温度などの環境変化から影響が少なく、高精細な表示が
できる。
【００３４】
【実施例】
（実施例１）実施例１は、前述した実施形態1を適用し
た反射型液晶パネルでプロジェクタを作製した例であ
る。まず、実施形態1で説明した液晶パネル作製する。
そして、その液晶パネルを使って、反射型の光学系を作
製する。図6は、この光学系の斜視図である。図中、101
は液晶パネルの駆動と光源コントロール用ボード、102
は光学ユニット、103は光源、104は非球面ミラー、105
は色分解用プリズム、106は前述した液晶パネル、107は
マイクロミラー、108はアパチャー、109は自由曲面プリ
ズム光学系、110はスクリーン、118はテレセントリック
系のレンズである。111,112,113,114,115,116は光を表
す。
【００３５】光源103から射出した光束111は、非球面ミ
ラー104で集光しマイクロミラー107に結像する。マイク
ロミラー107かの反射光113は色分解プリズム105で、
赤、緑、青に分解され、液晶パネル106に平行光で入射
する。液晶パネル106は、変調信号に応じて赤、緑、青
に分解された光を変調し、変調された反射光115はレン
ズ118に再び入射し、暗表示光のみアパチャー108を通り
抜け、自由曲面プリズム109に入射する。この自由曲面
プリズム光学系を用いることにより、従来より薄型で収
差の少ない像をスクリーン110に結像できる。これによ
り、リア型、フロント型プロジェクション表示装置を高
解像度、高輝度、低コスト、小型、高コントラストに作
製できた。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、(1)表示用の光が、半
導体基板に入ることにより、半導体基板に光キャリアが
発生し、基板電位が変動し、表示特性を悪化させる問
題、(2)半導体基板には、単結晶領域に作製した周辺駆
動回路を動作させるために周辺駆動回路に電圧を印加す
るが、これが基板を通じて表示領域に伝わり表示特性を
悪化させる問題、(3)隣接画素の電位が大きく変化する
場合、その変化が半導体基板の電位を局所的に変化さ
せ、表示特性を悪化させる問題を解決することができ
る。よって、高精細、高輝度、高コントラスト、コンパ
クト、低コストな表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の液晶パネルの平面図
（ａ）と断面図（ｂ）
【図２】本発明の実施形態２の液晶パネルを平面図
（ａ）と断面図（ｂ）
【図３】本発明の実施形態２の液晶パネルの断面図
【図４】本発明の実施形態３の液晶パネルを断面図
【図５】本発明の実施形態４の液晶パネルを断面図
【図６】本発明の実施例１のプロジェクタを表す図
【図７】本発明の実施形態５の液晶パネルの断面図
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ ウェル層 ３ ＭＯＳＦＥＴのソース ４ ＭＯＳＦＥＴのゲート ５ ＭＯＳＦＥＴのドレイン ６ フィールド酸化膜 ７ 画素スイッチトランジスタのソース ８ 画素スイッチトランジスタのゲート ９ 画素スイッチトランジスタのドレイン １０，１１ 金属配線 １２ 画素反射電極 １３ 表面保護膜 １４ 液晶材料 １５ 共通透明電極 １６ 対向透明基板 １７ 高濃度不純物領域 １８ 接続部 １９ 表示領域 ２０ 反射防止膜 ２１ 水平シフトレジスタ ２２ 垂直シフトレジスタ ２３ ｎチャンネルＭＯＳＦＥＴ ２４ ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴ ２５ 保持容量 ２６ 対向基板電位 ２７ 信号転送スイッチ ２８ 表示信号入力端子 ２９ リセットパルス入力端子 ３０ リセット電源端子
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−288474（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−69012（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−190106（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−69014（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G09F 9/30 338

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に、複数の薄膜トランジス
    タが配された画像表示部と、前記画像表示部の周囲に前
    記薄膜トランジスタに駆動信号を与える駆動回路部を備
    えるアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマ
    トリックス基板に対向し透明電極を備える対向基板と、
    前記アクティブマトリックス基板と前記対向基板とで挟
    持された液晶材料とを有する表示装置において、前記半導体基板は、第１の導電型の半導体からなり、該
    半導体基板中に第１の導電型とは反対の第２の導電型の
    ウェル領域が設けられ、該ウェル領域上にフィールド酸
    化膜を介して前記薄膜トランジスタが形成されると共
    に、該ウェル領域内であって、前記フィールド酸化膜下
    に該ウェル領域と同じ導電型で、該ウェル領域よりも不
    純物濃度が大きい高濃度不純物領域が設けられ、該高濃
    度不純物領域が前記画像表示部の周囲で固定電位に接続
    されている ことを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項２】 前記半導体基板と反対の導電型の領域が
    複数あり、それぞれに異なる電位を印加する請求項１に
    記載の表示装置。
  3. 【請求項３】 前記異なる電位を印加する反対の導電型
    の領域は、それぞれ、画像表示部と画像表示部の周囲で
    ある請求項２に記載の表示装置。
  4. 【請求項４】 前記固定電位は電源電位である請求項１
    に記載の表示装置。
  5. 【請求項５】 半導体基板上に、複数の相補型ＭＯＳ薄
    膜トランジスタが配された画像表示部と、前記画像表示
    部の周囲に前記相補型ＭＯＳ薄膜トランジスタに駆動信
    号を与える駆動回路部を備えるアクティブマトリックス
    基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向し透明
    電極を備える対向基板と、前記アクティブマトリックス
    基板と前記対向基板とで挟持された液晶材料とを有する
    表示装置において、前記半導体基板は、第１の導電型の半導体からなり、該
    半導体基板中に第１の導電型とは反対の第２の導電型の
    ウェル領域が複数設けられ、前記第１の導電型の半導体
    基板と前記複数のウェル領域を利用して前記複数の相補
    型ＭＯＳ薄膜トランジスタが形成されると共に、前記相
    補型ＭＯＳ薄膜トランジスタを構成する第1の薄膜トラ
    ンジスタが形成される第１の導電型の半導体基板には、
    該半導体 基板の不純物濃度よりも不純物濃度が大きい第
    1の高濃度不純物領域が設けられ、前記相補型ＭＯＳ薄
    膜トランジスタを構成する第２の薄膜トランジスタが形
    成される前記ウェル領域には、該ウェル領域の不純物濃
    度よりも不純物濃度が大きい第２の高濃度不純物領域が
    設けられ、これら第１及び第２の高濃度不純物領域が、
    前記画像表示部の周囲で固定電位に接続されている こと
    を特徴とする表示装置。
  6. 【請求項６】 前記相補型ＭＯＳ薄膜トランジスタを単
    結晶MOSFETによって構成する請求項５に記載の表示装
    置。
  7. 【請求項７】 前記相補型ＭＯＳ薄膜トランジスタのn
    チャンネルMOSFETの下部にp型のウェル領域があり、前
    記p型のウェル領域の一部にp型の前記高濃度不純物領域
    がある請求項５に記載の表示装置。
  8. 【請求項８】 前記相補型ＭＯＳ薄膜トランジスタのp
    チャンネルMOSFETの下部にn型の半導体基板があり、前
    記n型の半導体基板の一部にn型の前記高濃度不純物領域
    がある請求項５に記載の表示装置。
  9. 【請求項９】 前記相補型ＭＯＳ薄膜トランジスタのp
    チャンネルMOSFETの下部にn型のウェル領域があり、前
    記n型のウェル領域の一部にn型の前記高濃度不純物領域
    がある請求項５に記載の表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記相補型ＭＯＳ薄膜トランジスタの
    ｎチャンネルMOSFETの下部にｐ型の半導体基板があり、
    前記ｐ型の半導体基板の一部にｐ型の前記高濃度不純物
    領域がある請求項５に記載の表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記高濃度不純物領域が厚い酸化膜の
    間に設けられている請求項５に記載の表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記固定電位は電源電位である請求項
    ５に記載の表示装置。
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