KR19980021194A - 디스플레이 유닛(display unit) - Google Patents

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미타라이 후지오
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Abstract

본 발명은 다음과 같은 문제들을 해결한다 : 표시용의 광이 반도체기판속으로 입사되기 때문에, 광에 의하여 유기된 캐리어가 반도체기판속에 발생되어, 기판이 전위가 변동하고, 따라서 표시특성이 나빠지는 문제, 반도체기판에 있어서, 주변구동회로에 전압이 인가되어 단결정구역내에 형성된 주변구동회로를 작동시키고, 이것에 의해, 상기 기판을 통하여 표시구역에 인가되는 전압에 의하여 표시특성을 나쁘게 만드는 문제, 그리고 인접화소의 전위가 크게 상이한 경우에, 그 전위차를 국부적으로 변동시키는 문제. 이러한 목적을 위하여, 반도체기판상에, 복수의 스위치가 설치된 화상표시부 및 상기 화상표시부 주위에 있는, 스위치에 구동신호를 공급하는 구동회로부를 지닌 액티브매트릭스기판과 ; 상기 액티브매트릭스기판에 대향하는, 투명전극을 지닌 대향기판과 ; 상기 액티브매트릭스기판과 상기 대향기판사이에 놓인 액정물질로 구성된 디스플레이유닛에 있어서, 상기 화상표시부에는, 상기 반도체기판보다도 고농도의 불순물농도를 가지는 고농도로 도핑된 불순물영역이 형성되고, 상기 고농도로 도핑된 불순물영역은 상기 화상표시부주위에서 고정전위에 접속되는 것을 특징으로 한다.

Description

디스플레이 유닛
본 발명은 화상 및 문자를 표시하기 위한 장치에 관한 것으로, 특히 액티브매트릭스 액정패널을 사용하는 디스플레이 유닛에 관한 것이다.
근래에, 멀티미디어 시대가 옴에 따라, 화상정보에 의한 통신용 장치가 더욱 더 중요하게 되었다. 그들 중에, 액정디스플레이 유닛들은 그들의 얇음과 작은 전력소모로 인하여 많은 주목을 받고 있으며, 따라서, 그들에 관한 산업은 반도체 산업과 병행하여 주요산업으로 성장하고 있다. 현재, 액정디스플레이유닛은 10인치 사이즈의 노트형 개인용 컴퓨터에 주로 사용되고 있다. 앞으로는, 개인용 컴퓨터뿐만 아니라 워크스테이션 및 가정용TV세트에 사용될 것이며, 대형 스크린 사이즈를 가지는 액정디스플레이유닛이 사용될 것이다. 그러나, 스크린 사이즈를 증가시키기 위하여서는 고가의 장치가 소요될 뿐만 아니라, 전기적 특성을위한 엄격한 필요조건이 요청된다. 그러므로, 그들의 스크린 사이즈가 커짐에 따라, 제조단가는 스크린 사이즈의 자승 내지 삼승에 비례하여 첨예하게 증가한다.
그러면, 작은 액정디스플레이패널이 제작되는 투사적 방법이 주목을 받게 되고, 광학적으로 확대된 화상이 표시된다. 왜냐하면, 반도체의 미세패터닝에 수반하여, 특성 및 가격이 좋아진다는 계산법과 마찬가지로, 소형화를 통하여 특성을 개량하고 또한 단가를 감소하는 것이 가능하기 때문이다. 이러한 점들로 인하여, 액정디스플레이패널이 TFT(박막트랜지스터)형이면, TFT는 소형이면서 충분한 구동력을 가지는 것이 요구된다. 그러므로, TFT는 비정질실리콘을 사용하는 것으로부터 폴리실리콘을 사용하느 것으로 이행하고 있다. 통상적인 TV방송에 응용되는 NTSC표준방식에 사용되는 해상도수준의 비디오 신호는 고속처리를 필요로하지 않으므로, TFT뿐만 아니라 시프트 레지스터 또는 디코더와 같은 주변구동회로를 폴리실리콘으로 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 표시구역 및 주변구동회로가 포함되는 일체형 구조를 가지는 액정디스플레이유닛을 구성하는 것이 가능하다. 그러나, 폴리실리콘일지라도 단결정실리콘에 비해 열등하기 때문에, 시프트레지스터는 컴퓨터를 위한 해상도규격에서 규정된 XGA 및 SXGA급 및 NTSC표준보다도 더 높은 해상도수준을 가지는 고화질 TV의 디스플레이를 실현하도록 복수의 영역으로 분리되어야 한다. 이 경우에, 고스트(유령)라고 일컷는 노이즈가 분리된 선들에 상응하는 표시영역에 발생하는 문제를 해결하기 위한 대책을 실현하는 것이 요망된다.
따라서, 폴리실리콘을 사용하는 일체형 구조로 된 디스플레이유닛보다도 궁극적으로 더 높은 구동력을 지닌, 단결정기판을 사용하는 디스플레이유닛이 더욱 주목을 받게 되고, 이런 경우에는, 주변구동회로의 트랜지스터가 충분한 구동력을 갖기 때문에, 상기한 바와 같이 레지스터를 분리하여 그 분리된 레지스터를 구동할 필요가 없다. 이 때문에, 노이즈 등과 같은 문제들이 해결될수 있다.
그러나, 단결정실리콘기판을 사용하는 액정디스플레이유닛도 다음과 같은 문제들을 가진다 :
(1) 표시용의 광이 반도체기판속으로 입사되기 대문에, 광에 의하여 유기된 캐리어(carrier)가 반도체기판속에 발생되어, 기판의 전위가 변동되고, 따라서 표시특성이 나빠진다.
(2) 반도체기판에 있어서, 주변구동회로에 전압이 인가되어 단결정구역내에 형성된 주변구동회로를 작동시키고, 이것에 의해, 상기 기판을 통하여 표시영역에 도통되고 있는 전압에 의하여 표시특성을 더 나쁘게 만든다.
(3) 인접하는 화소들의 전위가 크게 상이한 경우에, 그 전위차는 반도체기판의 전위를 국부적으로 변동시키고, 또 상술한 인접화소들의 표시전위를 변동시켜 표시특성을 나쁘게 만든다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 문제들을 해결하기 위한 것으로서, 고해상도, 고휘도, 고콘트라스트, 소형, 염가, 및 광시야각을 가지는 디스플레이유닛을 제고하는 것이다.
본 발명자들의 각고의 노력에 의해 다음의 발명을 이루게 되었다. 즉, 본 발명에 의한 디스플레이유닛은 반도체기상에, 복수의 스위치가 설치되어 있는 화상표시부 및 이 화상표시부 주위에 있는, 상기 각 스위치에 구동신호를 공급하는 구동회로부를 지닌 액티브매트릭스기판과 : 상기 액티브매트릭스기판에 대향하는, 투명전극을 지닌 대향기판과 ; 상기 액티브매트릭스기판과 대향기판 사이에 놓인 액정물질로 구성된 디스플레이유닛에 있어서, 상기 화상표시부는, 상기 반도체기판보다도 불순물농도가 더 고농도로 도핑된 불순물영역을 포함하며, 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 화상표시부 주위에서 고정전위에 접속된다. 여기에서, 화상표시부내의 복수의 데이터선 및 복수의 주사선과, 이들의 교점에는 스위치, 용량수단 및 화소반사전극을 설치하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 스위치는 박막 트랜지스터인 것이 바람직하다. 상기 박막 트랜지스터 아래의 상기 반도체기판은 디스플레이유닛속에서 최소 전위에 있는 것이 바람직하다. 화상표시부는, 상기 반도체기판의 불순물농도와 상기 고농도로 도핑된 불순물영역의 불순물농도 사이에 있는 불순물농도를 지니는 동시에, 상기 반도체기판과는 반대의 도전형을 지니는 구역을 지니는 것이 바람직하다. 상기 스위치는 전달게이트일 수도 있다. 상기 전달게이트는 단결정 MOSFET로 구성되는 것이 바람직하다. 상기 전달게이트 n채널 MOSFET 아래쪽에는 p형 웰 영역이 위치하고, 이 p형 웰영역의 일부분에 p형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 있는 것이 바람직하다. 또, 상기 전달케이트의 p채널 MOSFET아래쪽에는 n형 반도체기판이 위치하고, 이 n형 반도체기판의 일부분에 n형의 상기 고농도롤 도핑된 불순물영역과 n형의 고농도로 도핑된 불순물영역은 두꺼운 산화막에 의하여 절연되는 것이 바람직하다. 이 두꺼운 산화막사이에 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 형성되는 것이 바람직하다. 또, 상기 뚜꺼운 산화막사이에 얇은 산화막이 있고, 상기 산화막 위에는 스위치로부터 연장되는 반도체영역이 있고, 상기 연장되는 반도체영역의 끝에, 상기 얇은 산화막을 통하여 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치하는 것이 바람직하다. 상기 고정전위는 전원전위인 것이 바람직하다.
반도체기판과 반대의 도전형을 가지는 구역 및 반도체기판과 똑같은 도전형을 가지는 구역이 화상표시부내에 형성되고, 이들 양 구역은 상기 반도체기판의 불순물농도와 상기 고농도로 도핑된 불순물영역의 불순물농도 사이의 중간의 불순물농도를 갖는 것이 바람직하다.
또, 상기 반도체기판과 반대의 도전형을 가지는 구역이 복수개 형성되고 이들 복수의 상이한 전기적 전위가 인가되는 것이 바람직하다.
상기 복수의 구역은 화상표시부내에 그리고 그 화상표시부 주위에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 전달케이트의 p채널 MOSFET 아래쪽에는 n형 웰영역이 형성되고, 이 n형웰영역의 일부에는 n형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치하는 것이 바람직하다.
상기 전달케이트의 n채널 MOSFET 아래쪽에는 p형 반도체기판이 위치하고, 이 p형 반도체기판의 일부에는 p형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치하는 것이 바람직하다.
상기 p형 반도체기판의 불순물농도와 상기 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역의 불순물농도형 사이의 중간에 있는 불순물농도를 가지는 p형영역이, 상기 고농도로 도핑된 불순물영역의 p형 주위에 또 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 다음의 문제들이 해결될 수 있다 :
(1) 표시용의 광이 반도체기판속으로 입사되기 때문에, 광에 의하여 유기된 캐리어가 반도체기판속에 발생되어, 기판의 전위가 변동하고, 따라서 표시특성이 나빠지는 문제,
(2) 반도체기판에 있어서, 주변구동회로에 전압이 인가되어 단결정구역내에 형성된 주변구동회로를 작동시키고, 이것에 의해, 상기 기판을 통하여 표시구역에 인가되는 전압에 의하여 표시특성을 나쁘게 만드는 문제,
(3) 인접화소의 전위가 크게 상이한 경우에, 그 전위차는 반도체기판의 전위를 국부적으로 변동시키고, 또 상기한 인접화소의 표시전위를 변동시켜서 표시특성을 나쁘게 만드는 문제.
그러므로 본 발명은 고해상도, 고휘도, 고콘트라스트, 소형, 및 염가의 디스플레이유닛을 제공할 수 있다.
도 1A 및 도 1B는 본 발명에 의한 제1실시예의 액정패널을 도시한 평면도 및 단면도.
도 2A 및 도 2B는 본 발명에 의한 제2실시예의 액정패널의 단면도.
도 3는 본 발명에 의한 제2실시예의 액정패널의 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 제3실시예의 액정패널의 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 제4실시예의 액정패널의 단면도.
도6는 본 발명에 의한 제1실시예의 프로젝터(투사기)를 도시한 도면.
도7는 본 발명에 의한 제5실시예의 액정패널의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체기판(p형 기판), 3 : (p형)웰영역, 3, 4, 5 : p채널 MOSFET의 소스, 드레인 및 게이트, 6 : 전계산화막, 7, 8, 9 : 박막트랜지스터(TFT)의 소스, 드레인 및 게이트, 13 : 표면보호막, 14 : 액정물질, 15 : 공통투명전극, 16 : 고통전극기판, 17 : (p형의)고농도로 도핑된 불순물 영역, 18 : 접속부, 19 : 표시구역, 20 : 반사방지막, 23 : n채널 MOSFET, 24 : p채널 MOSFET, 27 : 신호전환스위치, 41 : 차광금속층, 42 : 절연층, 51 : 전계산화막의 얇은 부분, 52 : 연장된 부분, 72, 74 : n형 웰영역
이하, 본 발명에 의한 실시예를 다섯가지 액정패널을 예로 들어서 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들 각 실시예들에 국한되는 것은 아니다. 각 실시예에 있어서의 기술의 조합이 그 효과를 증가시키는것은 명백하다. 또한, 액정패널의 구조는 반도체기판을 사용하는 패널로서 설명한다. 그러나, 각기판은 항상 반도체기판에 국한되는 것이 아니며, 다만 통상의 투명기판위에 하기 구조를 형성하는 것이 가능하다. 또한, 하기 액정패널은 TFT형 뿐만 아니라, 다이오드형과 같은 2단자형을 사용할 수 있다. 또한, 하기 각 액정패널은, 가정용 TV세트, 투사기, 헤드장착디스플레이유닛, 3D비데오게임기, 랩탑컴퓨터, 전자 노트북, TV회의 시스템, 자동차 항법 시스템 및 항공기속의 패널용의 디스플레이유닛으로서 효과적이다.
[실시예 1]
본 발명에 의한 제1실시예에서, 격자모양의 고농도로 도핑된 불순물영역은 절연층을 통하여 표시구역속의 박막트랜지스터 아래쪽에 형성된다. 도 1A는 제1실시예를 사용하는 액티브매트릭스액정표시패널을 도시한 평면도 및 도 1B는 도 1A의 1B-1B 선상에서 취한 단면도이다. 동도면에서, (1)은 반도체기판, (2)웰 영역, (3) 내지 (5)는 패널용의 주변구동회로를 구성하는 MOSFET의 소스, 드레인 및 게이트이다. 또한, (6)은 전계산화막, (7) 내지 (9)는 표시구역내의 화소스위치인 박막트랜지스터의 소스, 드레인 및 게이트, (10)은 데이터선에 연결된 소스전극 (11)은 화소반사전극에 연결된 드레인전극, (12)는 화소반사전극, (13)은 표면보호막, (14)는 액정물질, (15)는 공통투명전극, (16)은 대향투명전극, (17)은 고농도로 도핑된 불순물영역, (18)은 접속부, (19)는 표시구역이다.
도 1B에 있어서 반도체기판(1)은 n형이지만, p형도 사용 가능하다. 만일 n형 기판이라면, 기판의 불순물농도는 1014- 1017㎝-3인 것이 권장되고, 고전압저항특성을 가지는 트랜지스터를 만들기 위해서는 1014- 1015㎝-3가 바람직하다. 웰영역은 반도체기판과는 반대의 도전형이 되도록 만든다. 이 때문에, 도 1B에서, 웰영역(2)은 p형이다. p형 웰영역(2)은 반도체기판(1)보다도 높은 불순물농도를 가지는 것이 바람직하다. 그러므로, 반도체기판(1)의 불순물농도가 1014- 1015㎝-3이면, 웰영역(2)의 불순물농도 1016- 1017㎝-3인 것이 바람직하다. 주변구동회로속의 MOSFET(3), (4) 및 (5)는 도 1B에 있어서 n채널을 가지며, (3) 내지 (5) n+형의 고농도로 도핑된 불순물영역을 표시한다. 명백히, 주변구동회로의 이 MOSFET는 p채널을 가질 수 있고, 또한, npn 쌍극 트랜지스터 또는 pnp 쌍극 트랜지스터가 MOSFET 대신에 사용될 수 있다. 전계산화막(6)은 LOCOS법에 의해 형성되고, 그 두께는 3000- 15000Å인 것이 바람직하다. 이 전계산화막(6)에 의해서, 주변구동회로속의 트랜지스터의 절연된 영역을 형성할 수 있다. 또한 도 1B에 도시된 구조에서, 전반 전계산화막이 표시구역속에 배열되고, 그 위에 각 화소용 스위치로서 박막 트랜지스터(7), (8) 및 (9)가 형성된다. 도 1B에 도시된 이 박막트랜지스터에서, 그 소스(7) 및 드레인(9)은 n+형의 고농도로 도핑된 불순물영역이고, 따라서 트랜지스터는 n채널이다. 명백히, 이 박막트랜지스터는 p채널 트랜지스터일 수 있다.
소스전극(10)은 표시신호가 송신되는 데이터선에 연결되고, 드레인전극(11)은 화소반사전극(12)에 연결된다. 이들 전극(10) 및 (11)으로서는 통상 Al, AlSi, 및 AlSiCu 선이 사용된다. 이들 전극(10) 및 (11)아래쪽에 Ti 및 TiN으로 구성된 장벽금속층이 사용된다면, 안정된 접촉이 달성될 수 있다. 또한, 접촉저항도 감소될 수 있다. 화소반사전극으로서는 평탄면 및 고반사물질로 이루어진 것이 바람직하기 때문에, 화소반사전극에 대해서는 Al, AlSi, 및 AlSiCu와 같은 통산의 배선재료이외에 Cr, Au 및 Ag를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 평탄면을 개선하기 위하여, 베이스 절연층과 화소반사전극(12)의 표면은 화학기계적 연마(CMP)법으로 처리하는 것이 권장된다.
표면보호막(13)은 화소반사전극(12)을 보호하기 위한 것으로, 배향막이다. 이 막의 재료로서는 폴리이미드가 바람직하다. 액정물질(14)은 반사형물질이기 때문에, 분산 및 비분산 모드용의 거대분자 분산형 액정, 편향광에 의해 표시를 제어하는 게스트-호스트형 물질 및 반사용 강유전성액정(FLC)물질 등을 사용하는 것이 가능하다. 공통투명전극(15)은 대향기판(16) 위에 있으며, 이 공통투명전극과 화소반사전극사이에, 각 화소의 신호에 상응하는 전압을 인가함으로써 화상을 표시할 수 있다.
고농도로 도핑된 불순물영역은(17)은 p형이며, 표시구역(19) 아래쪽의 전계산화막(6) 밑에 형성된다. 이 고농도로 도핑된 불순물영역(17)은 도 1A에 도시된 바와 같이, 표시구역(19) 안쪽의 Y방향뿐만 아니라 X방향으로도 연장하는 격자현상으로 형성된다. 다음에, 그 구역은 해당 표시구역의 주변부분에서 접속부(18)를 통하여 전원전위에 접속된다.
통상적으로, n형 반도체기판(1)은 전원의 최대전위를 가진다. 따라서, 웰영역(2) 및 고농도로 도핑된 불순물영역(17)이 없다면, n형 반도체기판(1)은 TFT(7), (8) 및 (9) 아래쪽에 형성된 전계산화막(6) 밑에 직접 위치하게 된다. 이 때, 최대전위에서의 바이어스 전위가 TFT(7), (8) 및 (9)에 인가되므로, TFT(7), (8) 및 (9)의 역치(한계치)가 더 낮은 값으로 변화된다. 그러므로 TFT(7), (8) 및 (9)의 게이트(8)의 전원의 최소전위에 있다면, TFT(7), (8) 및 (9)는 닫힐 수 없으며, 따라서, 비디오 신호가 누설되고, 이것에 의해 콘트라스트가 낮아진다. 그러나, 본 발명의 제1실시예의 의하면, 최소전위를 p형 웰영역(2)에 인가함으로써 , TFT의 역치가 변화되지 않고, 따라서, 고콘트라스트 표시가 달성될수 있다. 또한 제1실시예어서, p형 웰영역(2)의 불순물농도가 낮다고 가정하고, 진폭이 큰 신호가 인접화소에 인가된다면, 웰영역(2)의 전위는 전계산화막(6)을 통하여 국부적으로 변동된다. 이런 문제를 위하여, 고농도로 도핑된 불순물영역(17)이 표시구역(19) 아래쪽에 형성된다. 이 때문에, 진폭이 큰 신호가 인접화소에 인가되면, 웰영역의 전위가 국부적으로 변동된다.
또한, 표시구역속에 형성된 TFT의 반도체층(7) 및 (9)의 두께가 얇은, 즉 200 - 600Å이고, 반도체기판의 두께가 두꺼운, 즉, 500 - 700㎛이기 때문에, TFT속의 흡수의 가능성은 표시용의 조명광이 입사되면 작아진다. 표시용의 조명광이 입사되면, 광에 의하여 유기된 케리어가 반도체기판(1)속에 발생되고, 따라서, 발생된 정공이 p+형의 고농도로 도핑된 불순물영역으로 신속히 흐르고, 전자는 n형 기판으로 흐른다. 그러므로, 잔존 캐리어의 문제도 역시 발생하지 않는다. 캐리어가 잔존하지 않더라도, TFT는 전계산화막(6) 위에 형성되고, 이것은 제2대책이다.
[실시예 2]
제2실시예에서, 각 소화용 스위치가 단결정 n채널 및 p채널 MOSFET로 이루어진 전달게이트로 구성된다. 이 때문에, 그 구조는, n채널 MOSEFT의 낮은 부분만이 p형 웰영역속에 매몰되고, p채널 MOSFET가 n형 기판속에 매몰된 것으로 된다.
도 2A는 제2실시예에 있어서의 반사형 액티브매트릭스 액정표시패널을 도시한 평면도, 도 2B는 도 2A의 도 2A의 2B - 2B선상에서 취한 단면도, 도 3은 도 2ADML 3 -3 선상에서 취한 단면도이다. 이들 도면에 있어서, (20)은 반사방지막, (21)은 수평시프트레지스터, (22)는 수직시프트레지스터, (23)은 n채널 MOSFET, (24)는 p채널 MOSFET이다. 또한, (25)는 유지용량, (26)은 액정물질을 통한 공통투명전극(15)의 전위, (27)은 신호전환스위치, (28)은 표시신호입력단자, (29)는 리셋펄스입력단자, (30)은 리셋전원단자, (31)은 비디오신호입력단자이다. 도 1B의 것과 같이 도 1A의 동일한 부호는 동일한 부품을 표시하기 때문에, 이들 부호의 설명은 생략한다. 유지용량(25)은 화소반사전극(12)과 공통투명전극(15) 사이의 신호를 유지하기 위한 용량이다. 기판전위는 웰영역(2)에 인가된다. 제2실시예에서, 각 열(raw)의 전달 게이트의 구조는 매열마다 변동된다. 따라서, 제1열에서, 상부 트랜지스터는 n채널 MOSFET(23)이고, 하부 트랜지스터는 p채널 MOSFET(24)이며, 한편, 제2열에서, 상부 트랜지스터는 p채널 MOSFET(24)이고, 하부 트랜지스터는 n채널 MOSFET(23)이다.
비디오 신호(비디오신호, 펄스변조된 디지탈 신호등)는 비디오신호입력단자(31)호부터 입력되고, 신호전환스위(27)는 수평시프트레지스터(21)로부터 펄스에 따라 개폐되고, 비디오신호는 각 데이터선에 출력된다. 수직시프트레지스터(22)는 높은 펄스를 n채널 MOSFET(23)의 게이트 인가하고 낮은 펄스를 선택된 열속의 p채널 MOSFET의 게이트에 인가된다.
다음에, 2B - 2B(도 2A의)상에서 취한 단면도(도 2B)를 설명한다. 이 단면도는 p형 웰영역을 따른다. TFT(7), (8) 및 (9)는 전달게이트의 n채널 MOSFET이며, 그아래에 P형의 고농도로 도핑된 불순물영역(2)이 형성된다. 이 고농도로 도핑된 불순물영역(2)은 도시되지 않았으나 표시구역의 주변부에서 전원에 접속되어 있다. 공통전극기판(16)은 공통투명전극(15)에 의하여 표면반사를 방지하도록 파형 표면을 가지며, 공통투명전극(15)은 공통전극기판(16)의 표면위에 형성된다. 또한, 공통투명전극기관(16)의 반대측에는, 반사방지막(20)이 형성된다.
다음에, 도 3, 즉 도 2A의 3 - 3선상에서 취한 단면도를 설명한다. p+형의 고농도로 도핑된 불순물영역(17)은 p형 웰영역(2) 주위에 형성된다. p채널 MOSFET용의 기판전위를 얻기 위하여, n형의 고농도로 도핑된 불순물 영역이 p채널 MOSFET의 소스 및 드레인의 양측에 전계산화막(6)을 통하여 형성된다. p형의 고농도로 도핑된 불순물영역(17)과 n형의 고농도로 도핑된 불순물영역(31)은 표시구역의 주변부분에서 전원에 연결된다.
제2실시예의 구조에 의하면, 광누설에 의하여 유기된 캐리어에 의하여 초래된 전위 드리프트없이, 또한 인접화소 등에 의한 전위변동에 의한 영향없이 안정된 표시특성을 실현할 수 있다. 또한, 표시구역의 스위치가 단결정 MOSFET로 이루어진 전달게이트로 구성되기 때문에, 스위치는 각 MOSFET의 Vth(역치)에 의하여 직접 영향받지 않는다.
그러므로, 스크린 주위의 콘트라스트가 낮아지지 않고, 온도 등의 영향이 작기 때문에, 고해상도 표시가 달성될 수 있다.
[실시예 3]
제3실시예에서, 전계산화막을 가지지 않는 구역(ACT 구역 : 통상적으로 트랜지스터를 형성하는 능동구역) 은 표시구역내에 부분적으로 형성되며, 이 구역내에, 기판전위를 고정하기 위한 웰영역 또는 고농도로 도핑된 불순물영역이 형성된다. 도 4는 제3실시예에 의한 반사형 TFT액티브매트릭스액정 표시패널의 단면도이다. (41)은 조명광이 화소 및 회로로 입사되는 것을 방지하기 위한 차광금속층, (42)는 절연층이다. 도 3과 동일한 부호는 도 3의 것과 똑같은 부품들을 표시하기 때문에, 그들의 설명을 생략한다. 반도체기판(1) 및 표시구역속의 웰영역(2)의 전위는 전계산화막(6) 사이에 형성된 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역(17)에 의하여 표시구역의 주변부분의 전원전위로 고정된다. 이 고농도로 도핑된 불순물영역(17)은 주변구동회로내의 p채널 MOSFET (3), (4) 및 (5) 및 p채널 박막 트랜지스터(7), (8) 및 (9)의 소스 및 드레인과 같은 p+구역에 의해 형성된다.
그러므로, 제조공정이 간단하여, 고농도로 도핑된 불순물영역을 형성할 수 있다. 따라서, 패널을 염가로 구성할 수 있으며, 고농도로 도핑된 불순물영역을 형성할 수 있다. 따라서, 패널을 염가로 구성할 수 있으며, 고농도로 도핑된 불순물영역의 저항이 작아지므로, 기판전위가 안정될 수 있다.
또한, 제3실시예에서, 비디오 신호용의 유지용량은 차광금속층(41), 화소반사전극(12) 및 그들간의 절연층(42)에 의해 형성된다. 이때 , 차광금속층(41)의 전위는 투명전극(15)의 전위와 동등하게 유지되는 것이 권장된다. 차광금속층(41)위 또는 아래에 Ti, TiN등을 형성함으로써, 힐록(hillock)등으로 인한 용량실패를 방지할 수 있다. 통상의 SiO2외에 SiN, Ta205및 SiON을 사용함으로써, 큰 용량을 이 작은 구역내에 형성할 수 있다. 이들 때문에, 더 작은 화소사이즈가 실현될 수 있고, 고해상도 및 고콘트라스트의 표시가 실현될 수 있다.
[실시예 4]
제4실시예에서,전계산화막이 없는 구역이 표시구역내에 부분적으로 형성되고, 그 구역내에는, 기판전위를 고정하는 웰 또는 고농도로 도핑된 불순물영역이 형성되고, 또한, 상기 고농도로 도핑된 불순물영역과는 반대의 도전형을 지닌 다른 고농도로 도핑된 불순물영역이 형성된다.
도 5는 제4실시예에 의한 반사형 TFT액티브매트릭스 액정표시패널의 단면도이다. (51)은 전계산화막의 얇은 부분을 표시하고, (52)는 박막트랜지스터(7), (8) 및 (9)의 드레인(9)으로부터 연장된 부분을 표시한다. 도 4와 동일한 부호는 도 4의 것과 똑같은 부품을 표시하기 때문에, 그들의 설명을 생략한다. 전계산화막을 갖지않는 구역들은 표시구역내에 부분적으로 형성되고, 이 구역내에는, 고농도로 도핑된 불순물영역(17)이 형성되고, 또한, 상기 고농도로 도핑된 불순물영역과 반대의 도전형을 지닌 다른 고농도로 도핑된 불순물영역(31)이 형성된다. 또한, 박막트랜지스터(7), (8) 및 드레인(9)으로부터 연장된 부분(52)은 전계산화막의 얇은 부분(51)을 통하여 상기 반대의 도전형을 지닌 고농도로 도핑된 불순물영역(31) 위에 형성된다. 드레인(9)으로부터 연장된 부분(52)의 형은 박막 트랜지스터(7), (8) 및 (9)가 n채널을 가지면 n+이고, 박막 트랜지스터(7), (8) 및 (9)가 p채널을 가지면 p+이다. 상기 반대의 도전형을 지닌 고농도로 도핑된 불순물영역(31)은 드레인(9)으로부터 연장된 부분(52)의 끝에 위치하는 것이 역시 권장된다. 박막트랜지스터(7), (8) 및 (9)의 드레인(9)이 어떤 전압으로 되면, 반전층이 전계산화막의 얇은 부분(51)아래쪽의 웰영역의 표면위에 발생된다. 이 구조에 의해, 유지용 용량은 또한 드레인(9)에 연결되고, 따라서, 고해상도 및 고콘트라스트 표시가 실현될 수 있다.
[실시예 5]
제2실시예에서와 마찬가지로, 각 화소용의 스위치는 단결정 n채널 및 p채널 MOSFET로 이루어진 전달게이트로 구성된다. 그러나, 그 구조는, n채널 MOSFET의 낮은 부분만이 p형 웰영역속에 매몰되고, p채널 MOSFET는 n형 웰영역속에 매몰되는 것이다. 이 실시예에서는, p형 기판이 사용된다.
도 7은 본 발명의 제5실시예에서의 액정패널의 단면도이다. 도면중에서, (1)은 p형 기판, (72)는 화상표시부의 소스 전위가 인가되는 n형 웰영역, (73)은 주변구동회로의 소스 전위가 인가되는 n형 웰영역이다.
p형 기판이 제5실시예에서 사용되기 때문에, 기판 전위는 전원의 최소 전위로 설정된다. 이 예에서, 패널의 표준전위는 통상적으로 접지전위이므로, 안정하며, 이것에 의해 패널을 고정하기 위한 지그에 관한 문제(단락, 누설, 절연 등)에 응하기가 상당히 용이해 진다. 또한, p형 기판내에 별도로 설치된 n형 웰영역에 상이한 전위를 인가하는 것도 가능해 진다. 이 때문에, 20 내지 35V용으로 적합한 화상표시부 및 1 내지 5V용으로 적합한 주변구동회로와 같은 구성이 가능해진다.
또한, p형 웰영역(2) 및 n형 웰영역(72)은 화상표시부에 양자모두 설치된 즉, 소위 트윈웰 구조로 되어, 트랜지스터의 역치안전성 및 내압을 개선하고 그럼으로써 자유도를 확장할 수 있다.
그러므로, 제2실시예의 구조와 마찬가지로, 광누설로 유기된 캐리어에 의하여 초래된 전위드리프트없이, 또한, 표구역내의 스위치가 단결정 MOSFET로 이루어진 전달게이트로 구성되어 있으므로, 스위치는 각MOSFET의 Vth(역치)에 의하여 직접 영향받지 않는다. 그러므로, 스크린주위의 콘트라스트는 낮아지지 않고, 온도 등의 영향이 작아, 고해상도 표시를 달성할 수 있다.
[예 1]
제1예는 상기 제1실시예가 적용되는 반사형 액정패널을 사용하여 투사기를 구성한 일례이다. 먼저, 제1실시예에서 설명한 액정패널을 제조하고, 이 액정패널을 사용하여, 반사형 광학계를 구성한다.
도 6은 이 광학계의 사시도이다. 이 도면에서, (101)은 패널구동 및 광원제어판(보드), (102)는 광학유닛, (103)은 광원, (104)는 비구면경, (105)는 색분해프리즘, (106)은 상기 액정패널, (107)은 마이크로미러, (108)은 구경(즉, 개구), (109)는 자유만곡 프리즘 광학계, (110)은 스크린, (118)은 탤레센트릭계 렌즈(telecentric system lens)이다. (111) 내지 (116)은 광을 표시한다.
광원(103)으로부터 투사된 광속(111)은 비구면경(104)에 의하여 집광되어서 마이크로미러(107) 위에 결상된다. 마이크로미러(107)로부터의 반사광(113)은 색분해프리즘(105)에 의하여 적, 녹 및 청으로 분리되어, 평행광으로서 액정패널(106)로 들어간다. 액정패널(106)은 변조신호에 의하여, 적,녹, 및 청으로 분리된 광을 변조한다. 변조광(115)은 다시 렌즈(118)로 들어가고, 그의 암표시광만이 개구(108)를 통과하여 자유만곡프리즘(109)으로 들어간다. 이 자유만곡프리즘 광학계를 사용함으로 인하여, 스크린(110)위에 종래보다도 더 작은 수차를 가지는, 보다 더 얇은 화상을 형성하는 것이 가능하게 된다. 이로 인하여, 리어형 및 프론트형 투사형 디스플레이유닛을 고해상도, 고휘도, 염가, 소형, 및 고콘트라스트로 제조할 수 있다.
이상의 본 발명에 의하면, 다음의 문제들을 해결할 수 있다 :
(1) 표시용의 광이 반도체기판속으로 입사되기 때문에, 광에 의하여 유기된 캐리어가 반도체기판속에 발생되어, 기판의 전위가 변동하고, 따라서 표시특성이 나빠지는 문제,
(2) 반도체기판에 있어서, 주변구동회로에 전압이 인가되어 단결정구역내에 형성된 주변구동회로를 작동시키고, 이것에 의해, 상기 기판을 통하여 표시구역에 인가되는 전압에 의하여 표시특성을 나쁘게 만드는 문제,
(3) 인접화소의 전위가 크게 상이한 경우에, 그 전위차는 반도체기판의 전위를 국부적으로 변동시키고, 또 상기한 인접화소의 표시전위를 변동시켜서 표시특성을 나쁘게 만드는 문제.
그러므로, 본 발명은 고해상도, 고휘도, 고콘트라스트, 소형 및 염가의 디스플레이유닛을 제공할 수 있다.

Claims (26)

  1. 반도체기판상에, 복수의 스위치가 설치된 화상표시부 및 상기 화상표시부 주위에 있는, 상기 각 스위치에 구동신호를 공급하는 구동회로부를 지닌 액티브매트릭스기판과 ; 상기 액티브매트릭스기판에 대향하는, 투명전극을 지닌 대향기판과 ; 상기 액티브매트릭스기판과 상기 대향기판사이에 샌드위치된 액정물질로 구성된 디스플레이 유닛에 있어서, 상기 화상표시부에는, 상기 반도체기판의 불순물농도보다 더 고농도의 불순물농도를 가지는 고농도로 도핑된 불순물영역이 형성되고, 상기 고농도로 도핑된 불순물영역은 상기 화상표시부 주위에서 고정전위에 접속된 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화상표시부에는 복수의 데이터선 및 복수의 주사선이 형성되고, 이들의 각 교점에는 스위치, 용량수단 및 화소반사전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스위치는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  4. 제3항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 바로 아래의 상기 반도체기판은 상기 디스플레이유닛내의 최소전원에 있는 디스플레이유닛.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화상표시부에는, 상기 반도체기판의 불순물농도와 상기 고농도로 도핑된 불순물영역의 불순물농도 사이의 중간에 있는 불순물농도를 갖는 동시에 상기 반도체기판과 반대의 도전형을 지니는 구역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  6. 제5항에 있어서, 상기 반도체기판과 반대의 도전형을 지니는 상기 구역은 복수로 형성되고, 이들 복수의 상기 구역에는 상이한 전기적 전위가 상호 인가되는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛
  7. 제6항에 있어서, 상기 복수의 상기 구역들은 상기 화상표시부내에 또한 상기 화상표시부주위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  8. 제1항에 있어서, 상기 화상표시부에는, 상기 반도체기판과 반대의 도전형을 지니는 구역과 상기 반도체기판과 동일한 도전형을 지니는 구역이 또 형성되어 있고, 상기 양 구역은 상기 반도체기판의 불순물농도와 상기 고농도로 도핑된 불순물영역의 불순물농도사이의 중간에 있는 불순물농도를 갖는 것을 특징으로하느 디스플레이유닛.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반도체기판과 반대의 도전형을 지니는 상기 구역은 복수로 형성되고, 상기 복수의 상기 구역에는 상이한 전기적 전위가 상호 인가되는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복수의 상기 구역들은 상기 화상표시부내에 또한 상기 화상표시부 주위에 형성된 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  11. 제1항에 있어서, 상기 스위치는 전달게이트인 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전달게이트는 단결정 MOSFET호 구성된 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전달게이트의 n채널 MOSFET 아래쪽에는 p형 웰영역이 형성되고, 상기 p형웰영역의 일부에는 p형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  14. 제12항에 있어서, 상기 전달게이트의 p채널 MOSFET 아래쪽에 n형 반도체기판이 위치되고, 상기 n형 반도체기판의 일부에 n형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  15. 제13항에 있어서, 상기 전달게이트의 p채널 MOSFET 아래쪽에 n형 반도체기판이 위치되고, 상기 n형반도체기판의 일부에 n형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  16. 제12항에 있어서, 상기 전달게이트의 p채널 MOSFET 아래쪽에 n형 웰영역이 형성되고, 상기 n형 웰영역의 일부에 n형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이 유닛.
  17. 제12항에 있어서, 상기 전달게이트의 n채널 MOSFET 아래쪽에 p형 반도체기판이 위치되고, 상기 p형 반도체기판의 일부에 p형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치되어 있는 것을 특징을 하는 디스플레이유닛.
  18. 제16항에 있어서, 상기 전달게이트의 n채널 MOSFET 아래쪽에 p형 반도체기판이 위치되고, 상기 p형 반도체기판의 일부에 p형의 상기 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  19. 제17항에 있어서, 상기 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역 주위에는, 상기 p형 반도체기판의 불순물농도와 상기 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역의 불순물농도사이의 중간에 있는 불순물농도를 갖는 p형 영역이 또 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  20. 제18항에 있어서, 상기 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역주위에는, 상기 p형 반도체기판의 불순물농도와 상기 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역의 불순물농도 사이의 중간에 있는 불순물농도를 갖는 p형 영역이 또 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛
  21. 제15항에 있어서, 상기 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역과 상기 n형의 고농도로 도핑된 불순물영역은 두꺼운 산화막에 의하여 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  22. 제18항에 있어서, 상기 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역과 상기 n형의 고농도로 도핑된 불순물영역은 두꺼운 산화막에 의하여 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  23. 제20항에 있어서, 상기 p형의 고농도로 도핑된 불순물영역과 상기 n형의 고농도로 도핑된 불순물영역은 두꺼운 산화막에 의하여 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  24. 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고농도로 도핑된 불순물영역은 두꺼운 산화막사이에 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  25. 제1항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 산화막은 두꺼운 산화막사이에 위치하고, 상기 산화막위에는 스위치로부터 연장된 반도체 영역이 위치하고, 상기 연장된 반도체영역의 가장자리에는 상기 얇은 산화막을 통하여 고농도로 도핑된 불순물영역이 위치한 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
  26. 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고정 전위는 전원전위인 것을 특징으로 하는 디스플레이유닛.
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TW (1) TW487821B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731034B1 (ko) * 2000-12-27 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3571887B2 (ja) * 1996-10-18 2004-09-29 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス基板及び液晶装置
TW392087B (en) 1997-03-10 2000-06-01 Canon Kk A liquid crystal display apparatus, a liquid crystal projector using the same, and a method of manufacturing the liquid crystal display apparatus
JP3343645B2 (ja) * 1997-03-25 2002-11-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4302194B2 (ja) * 1997-04-25 2009-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7202497B2 (en) * 1997-11-27 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4014710B2 (ja) 1997-11-28 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6023309A (en) * 1997-12-22 2000-02-08 Philips Electronics North America Corporation Reflective liquid crystal display having integral light shielding
US6191451B1 (en) * 1998-01-30 2001-02-20 International Business Machines Corporation Semiconductor device with decoupling capacitance
JP3481465B2 (ja) * 1998-07-14 2003-12-22 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の集合基板
US6677171B1 (en) 1998-07-14 2004-01-13 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of collective substrate of active-matrix substrates, manufacturing method of active-matrix substrates, and inspecting method of collective substrates of active-matrix substrates
JP3501698B2 (ja) 1999-10-18 2004-03-02 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型カラー液晶表示装置及びその製造方法
JP2001154609A (ja) 1999-12-01 2001-06-08 Kawasaki Steel Corp 表示素子
US6509616B2 (en) 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP4731718B2 (ja) * 2001-04-27 2011-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4896318B2 (ja) 2001-09-10 2012-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP3736513B2 (ja) * 2001-10-04 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
AU2003284470A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and its fabricating method
CN100552893C (zh) * 2003-03-26 2009-10-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US7061570B2 (en) * 2003-03-26 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7202155B2 (en) * 2003-08-15 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring and method for manufacturing semiconductor device
JP2007199188A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP5159964B2 (ja) * 2006-04-18 2013-03-13 キヤノン株式会社 反射型液晶表示装置及び液晶プロジェクターシステム
US10495603B1 (en) * 2018-05-11 2019-12-03 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. High performance ISFET with ferroelectric material

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4103297A (en) * 1976-12-20 1978-07-25 Hughes Aircraft Company Light-insensitive matrix addressed liquid crystal display system
JPH0691250B2 (ja) * 1988-09-27 1994-11-14 株式会社東芝 半導体装置
US5347154A (en) * 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
EP0530972B1 (en) * 1991-08-02 1997-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal image display unit
US5317433A (en) * 1991-12-02 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side
EP0554061B1 (en) * 1992-01-30 1998-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
DE69330318T2 (de) * 1992-02-27 2001-10-31 Canon Kk Flüssigkristallanzeigevorrichtung
JPH07199150A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Canon Inc 液晶表示装置
JP3126630B2 (ja) * 1994-06-20 2001-01-22 キヤノン株式会社 ディスプレイ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731034B1 (ko) * 2000-12-27 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09138427A (ja) 1997-05-27
EP0763766A3 (en) 1998-03-25
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EP0763766A2 (en) 1997-03-19
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