JP3481465B2 - アクティブマトリクス基板の集合基板 - Google Patents

アクティブマトリクス基板の集合基板

Info

Publication number
JP3481465B2
JP3481465B2 JP19922798A JP19922798A JP3481465B2 JP 3481465 B2 JP3481465 B2 JP 3481465B2 JP 19922798 A JP19922798 A JP 19922798A JP 19922798 A JP19922798 A JP 19922798A JP 3481465 B2 JP3481465 B2 JP 3481465B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
signal
line
substrate
active matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP19922798A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000029067A (ja
Inventor
尚志 永田
幹雄 片山
俊弘 山下
学 ▲高▼濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP19922798A priority Critical patent/JP3481465B2/ja
Priority to US09/348,659 priority patent/US6172410B1/en
Priority to TW088111468A priority patent/TW559684B/zh
Priority to KR1019990028129A priority patent/KR100338830B1/ko
Publication of JP2000029067A publication Critical patent/JP2000029067A/ja
Priority to US09/710,847 priority patent/US6677171B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3481465B2 publication Critical patent/JP3481465B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、絵素電極にスイッ
チング素子を介して駆動信号を印加し、対向する電極と
の電位差によって表示を行うアクティブマトリクス型液
晶表示パネルに用いられるアクティブマトリクス基板の
集合基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶表示装置は、マトリクス状に
配列された複数の絵素電極とこれらの絵素電極と対向し
て配される共通電極である対向電極を備え、両電極間に
表示媒体である液晶を介在させている。表示にあたって
は、絵素電極に選択的に電位が書き込まれ、この絵素電
極と対向電極との間の電圧差により、介在する液晶の光
学的変調が行われ、表示パターンとして視認されること
となる。
【0003】絵素電極の駆動方法としては、マトリクス
状に配された絵素電極のそれぞれにスイッチング素子を
接続し、絵素電極個々をスイッチング素子にて駆動す
る、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式が知られて
いる。上記のスイッチング素子としては、TFT(薄膜
トランジスタ)、MIM(金属−絶縁膜−金属)素子な
どが一般的である。
【0004】アクティブマトリクス型液晶表示装置に備
えられるアクティブマトリクス型液晶表示パネルは、透
明な絶縁性基板上に複数の走査線と複数の信号線とが互
いに交差して配設されるとともに、各交差部ごとに、絵
素電極、該絵素電極を駆動するスイッチング素子が形成
されたアクティブマトリクス基板と、透明な絶縁性基板
上に対向電極が形成された対向基板とが、各対向面に配
向膜を備えるとともに、液晶層を介して貼り合わされて
いる。
【0005】図15に、スイッチング素子としてTFT
素子(以下、TFTと略す)を用いた前記アクティブマ
トリクス基板における一絵素部分の構成を示す。
【0006】走査線2は絵素TFT101のゲート電極
に接続され、そこへ入力される走査信号によって絵素T
FT101が駆動される。信号線3は絵素TFT101
のソース電極に接続され、表示信号(ビデオ信号)が入
力される。絵素TFT101のドレイン電極には、絵素
電極104および補助容量の一方の端子が補助容量電極
108を介して接続される。補助容量のもう一方の端子
は補助容量配線4に接続され、液晶セルの構成とされた
場合に対向基板上の対向電極と接続される。絶縁性基板
上には、上記の絵素TFT101および絵素電極104
がマトリクス状に配設されている。
【0007】図16に、アクティブマトリクス基板の断
面構造の一例を示す。絶縁性基板117上にゲート電極
118、ゲート絶縁膜119、半導体層120、ソー
ス,ドレイン電極となるn+−Si層121、信号線3
となる金属層122、層間絶縁膜123、絵素電極10
4となる透明導電層の順に形成されている。絵素電極1
04は層間絶縁膜123を貫くコンタクトホール125
を介して絵素TFT101のドレイン電極に、詳細には
補助容量電極108を介して接続されている。
【0008】図16の構造では、走査線2(ゲート電極
118と同層)および信号線3と絵素電極104との間
には層間絶縁膜123が形成されているため、信号線3
に対して絵素電極104をオーバーラップさせることが
可能となる。このような構造によると、開口率の向上、
信号線3に起因する電界をシールドすることによる液晶
の配向不良の抑制といった効果があることが知られてい
る。
【0009】ついで、図17を用いて、これ以降の工程
を説明する。図17は、従来のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の平面模式図である。ただし、図示するの
は大型の基板からそれぞれの表示装置に相当する部分ご
とに1セルずつに切り出した後の状態である。実際の工
程上は、これらが縦横に数セルずつ並んだ集合基板の状
態で生産される場合が多い。
【0010】完成したアクティブマトリクス基板150
の有効表示領域(二点鎖線内)167にポリイミド系の
配向膜を成膜し、ラビングなどの処理により、配向機能
を付加する。対向基板151においても、ITO(indiu
m tin oxide)などの透明な対向電極(図示せず)を成膜
した後、有効表示領域167に当たる部分に同じ処理を
施しておく。
【0011】液晶表示パネルの周囲部において、液晶注
入口(図示せず)の部分だけあけて、パネルを囲むよう
に印刷方式などによりシール材(図示せず)を塗布し、
さらにアクティブマトリクス基板150上の対向基板用
信号入力端子157の上に、導電性物質159を付着さ
せた後、液晶層のセル厚を一定にするためのスペーサ
(図示せず)を散布し、対向基板と貼り合わせ、熱を加
えてシール材を硬化させる。
【0012】その後、セルが縦横に並んだアクティブマ
トリクス基板150の集合基板を一セルずつに切断し
て、液晶注入口から液晶を注入し、封止材により液晶注
入口を塞ぎ、液晶表示装置のパネル部分が完成する。そ
して、これに各信号線3へ表示信号を印加するソースド
ライバ160a、各走査線2に走査信号を印加するゲー
トドライバ160b、制御回路(図示せず)、バックラ
イト(図示せず)などの実装部材を取り付けることによ
り液晶表示装置が完成する。なお、図17に示した液晶
表示装置においては、補助容量配線4は設けられていな
い。
【0013】ところで、このような液晶表示装置の検査
としては通常、工程における各過程での光学的検査、ア
クティブマトリクス基板が完成した段階での電気的検
査、ドライバなどの実装部材を取り付ける前のパネル部
分が完成した時点での点灯検査、電気的検査が行われ
る。
【0014】これは、不良部分を後工程に流すことによ
って材料や作業の無駄が生じることを防ぐためであっ
て、不具合がある場合はこの時点で廃棄されるか、もし
くはレーザなどの手段によって修正が施される。
【0015】ところで、近年の生産技術の向上により、
液晶表示パネルはますます高精細化が進んでおり、それ
に伴って検査工程においても高度な技術が要求されるよ
うになってきている。
【0016】すなわち、信号線3や走査線2に信号を入
力するための端子はますます狭ピッチになっており、こ
のそれぞれにピンで電気的にコンタクトをとって信号を
供給しようとする場合には、極めて精細な高価なプロー
バを用意せねばならない。また、検査時に端子上に微細
なダストが存在しても正常な点灯ができず、検査不良を
パネルの不具合と誤認識する場合があり、これを防止す
るためには検査そのものを極めてクリーン度の高い環境
で行わねばならない。したがって、トータル的にコスト
アップを余儀なくされることになっていた。
【0017】そこで、パネル部分完成後の点灯検査とし
ては、より容易な検査を可能とするために、図17に示
す液晶表示装置では、検査時に同一の信号を供給する信
号線3,走査線2を、検査用表示信号線152a・15
2b・152c,検査用走査信号線153a・153b
で短絡しておき、検査後にこれをダイシングで切断線L
1に沿って基板ごと切り離したり、レーザ切断などの手
段で電気的に切り離すなどの手段を用いるのが一般的で
ある(例えば、特開平07−005481号公報に開示
されている)。
【0018】ところが、この方法によると、切断にかか
る工程数の増加という新たな問題が生じるほか、切断に
よって生じた配線パターンの破片やガラス屑などによっ
て新たな不良を発生する可能性があるという問題もあ
る。さらに、ダイシングの場合には切断されるべき領域
が大判の基板上では無駄な領域となり、パネルの取れ数
の上で不利になるという問題もあった。
【0019】そこで、これらの問題を回避するために、
図18に示すように、同一の検査用信号を供給すべき検
査用信号線を電気的に完全に導通しておくのではなく、
その部分にTFTなどのアクティブ素子を配置してお
き、検査時に必要に応じてこのアクティブ素子を導通さ
せる信号を供給して、あらかじめ短絡させておいたのと
同様の効果を得る方法が考えられ、特開平7−3332
75号公報に開示されている。図18に示す液晶表示装
置では、検査時に同一の信号を供給する信号線3,走査
線2を、検査用表示信号線172a・172c,検査用
走査信号線173aで短絡しておき、さらに、検査用T
FT174a・174bが信号線3および走査線2ごと
に個別に形成されており、これらTFTをオンオフする
ための信号を入力するべきスイッチ配線172b・17
3bが形成されている。
【0020】ところで、前述のように工程内で生じた不
良はできるだけ早期に発見し、修復もしくは廃棄した方
がコスト的に有利である。特に、アクティブマトリクス
基板が完成した後、不良基板と認知しないまま、高価な
カラーフィルタを貼り合わせるか否か、さらに極めて高
価な液晶材料を封入するか否かは、製品全体のコストを
決定する上で大きな要因となる。そのため、前記光学的
検査に増して、完成状態のアクティブマトリクス基板に
対して、アクティブ素子を介して実際の駆動信号に近い
検査用信号を画素に書き込み、これを読み出す電気的検
査を行うことが極めて重要である。
【0021】そこで、電気的検査として、大判の集合基
板状態でアクティブ素子を介して次々と信号を供給し
て、各画素を充電させた後、さらにアクティブ素子を介
して信号を次々と読み出して画面内の欠陥情報を電気的
に得る方法がある(例えば、特開平3−142499号
公報に開示されている)。
【0022】この方法では、対向基板を貼り付けるより
前の工程で不良のアクティブマトリクス基板を検出でき
る。しかしながら、この方法で点欠陥を検出しようとし
た場合、極めて微少な電気信号を精度よく読み出す必要
があるため、読み出しアンプの設計や回路シーケンス、
絵素TFTの時定数と読み出し時間のバランスの最適化
など困難な問題が大きいのみならず、特に表示ムラや低
輝点の検出においては、電気的検査によって得た結果と
実際に表示してみた場合の検査結果との間に隔たりが大
きいといった問題があった。
【0023】そこで、別の方法として、画素電極の近傍
に電界によって屈折率が変化する物質を配置し、これに
光を当てたときの挙動からそれぞれの画素の電位を読み
出すことができることを利用して、これを順次スキャン
して基板全体の欠陥検出を行う方法がある(例えば、特
開平5−240800号公報に開示されている)。
【0024】この方法によれば、アクティブ素子や検査
用配線を介した信号読み出し時のノイズの影響がなくな
る分、検査の精度が向上する。さらに、前述の特開平7
−005481号公報に記載の方法のように、パネル完
成後の点灯検査時に同一の信号を供給する線をあらかじ
め検査用信号線や検査用走査線で短絡している場合に
は、この配線を工程内の電気的検査時に利用することが
できる。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記い
ずれの方法をとるにせよ、大判の集合基板の状態での検
査時には、それぞれのセルに対して、複数種の信号を供
給しなければならないが、セルが小型化するに従い、ま
た大判における個別セルの配置数が多くなればなるだ
け、それぞれのセルに対する信号の供給は困難になる。
【0026】一般に、セルに信号を供給する手段として
は、基板の大きさに応じた枠板においてセルに対応する
ように窓が開けられ、その窓を取り囲むように信号入力
用のピンが立てられた、プローブフレームと呼ばれるも
のを用いる。これに対するアクティブマトリクス基板に
は、各セルの有効表示領域の周辺の空き領域に信号入力
パッドが設けられている。
【0027】しかし、機種が小型の場合には、大型の場
合と違って有効表示領域周辺の空き領域も小さいため、
検査用に別途信号入力パッドを設けるにも制限がある。
特に、検査の精度を上げるためにRGB別に検査用配線
を設けてカラー表示に対応した電気的検査を行う場合
や、いわゆるCs On Gate構造のように、隣接
絵素の走査線を補助容量配線として利用するため、1セ
ルの駆動に多くの信号入力を必要とする場合には、信号
入力パッドの大きさを小さくせざるを得ない。これによ
って、プローブフレームのピンの接触不良や、高密度化
に伴うプローブフレーム製作にかかるコストアップとい
う新たな問題が生ずる。
【0028】さらに、プローブフレームの窓の部分があ
まりに小さい場合、検出素子が窓の内側で十分に動き回
ることができず、素子の周辺の無効領域のセルに占める
割合が大きくなってしまうばかりか、最悪の場合検出素
子が窓より大きくなってしまい、画素電極近傍に近づけ
ることができずに検査不能となる可能性がある。
【0029】また、大判における個別セルの配置数が多
くなれば、その配置数×信号種類数のピンが必要となる
ため、ピンの数が膨大になる。一般に、プローブフレー
ムの制作コストは、窓をあける際の工数とピンの設置の
数および精度によって規定されるため、セル数が多くな
ればそれらのすべてが増大し、大変なコストアップにな
るという問題が生ずる。
【0030】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、アクティブマトリクス基
板を大判のまま、効率および精度ともに高く電気的検査
を行うことができ、しかも検査用のプローブフレームを
容易かつ安価に作製するとができるアクティブマトリ
クス基板の集合基板を提供することにある。
【0031】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明のアクティブマトリクス基板の集合基板
は、絶縁性基板上に、複数の絵素電極、該絵素電極に個
別に接続される絵素スイッチング素子、該絵素スイッチ
ング素子を介して該絵素電極を駆動する、格子状に配設
された複数の走査線および信号線を有するアクティブマ
トリクス基板が複数個形成されているアクティブマトリ
クス基板の集合基板において、上記の各アクティブマト
リクス基板には、該アクティブマトリクス基板の走査線
に接続された走査線用共通配線と、該アクティブマトリ
クス基板の信号線に接続された信号線用共通配線とが、
上記走査線を形成するレイヤーと上記信号線を形成する
レイヤーとのうちのより下層にあるレイヤーによって形
成されるとともに、上記走査線および上記信号線のどち
らかであって上記下層にあるレイヤーによって形成され
る方を第1の配線とし、上記第1の配線の延設方向にそ
って隣接する複数の上記アクティブマトリクス基板につ
いて、上記走査線用共通配線と上記信号線用共通配線と
のうちの上記第1の配線に接続された方の共通配線が、
上記下層にあるレイヤーによって上記第1の配線にそっ
て配設される共通配線接続線に共通に接続され、上記走
査線および上記信号線の上記第1の配線とは異なる方を
第2の配線とし、上記第1の配線の延設方向にそって隣
接する複数の上記アクティブマトリクス基板について、
上記走査線用共通配線と上記信号線用共通配線とのうち
の上記第2の配線に接続された方の共通配線が、上記下
層にあるレイヤーによって 電気的に接続され、さらに、
上記走査線用共通配線、上記信号線用共通配線、および
上記共通配線接続線には、陽極酸化が施されていること
を特徴としている。
【0032】上記の構成により、2層の導電性レイヤー
によって複雑に縦横に交差する配線構造を整理して一方
向に引き出すことができる。
【0033】また、本発明のアクティブマトリクス基板
の集合基板は、絶縁性基板上に、複数の絵素電極、該絵
素電極に個別に接続される絵素スイッチング素子、該絵
素スイッチング素子を介して該絵素電極を駆動する、格
子状に配設された複数の走査線および信号線を有するア
クティブマトリクス基板が複数個形成されているアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板において、上記の各アク
ティブマトリクス基板には、該アクティブマトリクス基
板の走査線に接続された走査線用共通配線と、該アクテ
ィブマトリクス基板の信号線に接続された信号線用共通
配線とが、上記走査線を形成するレイヤーと上記信号線
を形成するレイヤーとのうちのより下層にあるレイヤー
によって形成されるとともに、上記の各アクティブマト
リクス基板の上記走査線用共通配線は、上記走査線を形
成するレイヤーによって、他のアクティブマトリクス基
板の上記走査線用共通配線と電気的に接続され、かつ、
上記の各アクティブマトリクス基板の上記信号線用共通
配線は、上記信号線を形成するレイヤーによって、他の
アクティブマトリクス基板の上記信号線用共通配線と電
気的に接続され、上記走査線用共通配線と上記信号線用
共通配線とは、上記下層にあるレイヤーによって形成さ
れた陽極酸化後に切断される配線によって接続され、さ
らに、上記走査線用共通配線および上記信号線用共通配
線には、陽極酸化が施されていることを特徴としてい
る。
【0034】上記の構成により、走査線のレイヤーによ
り陽極酸化を行うすべての配線を接続して形成し、陽極
酸化後、異種配線の接続を解除することができる。
【0035】
【発明の実施の形態】〔実施の形態1〕 本発明の一実施の形態について図1および図14に基づ
いて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便
宜上、前述の従来の技術において示した構成と同一の部
材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【0036】以下に述べる本発明の各実施の形態におい
ては、絵素部分などの構造および製造プロセスの手順は
従来の方式と同一であるため説明を割愛する。すなわ
ち、本発明の各実施の形態にかかるアクティブマトリク
ス基板は、従来の技術として説明した層間絶縁膜を介し
てバスラインにオーバーラップさせて絵素電極を配置す
る構造であってもよく、あるいは、さらに古くから行わ
れている信号線と走査線に囲まれた領域に絵素電極を配
置する構造であってもよく、さらに、例えば走査線が信
号線よりも上層に配置されるような構造であってもよ
い。
【0037】図1は、本実施の形態にかかるアクティブ
マトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図であ
る。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成された
配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された配線
を細線で示している。
【0038】図1に示すように、アクティブマトリクス
基板の集合基板(以下、集合基板と略する)1は、一枚
の絶縁性基板上に複数個のセルが縦横に形成されてい
る。なお、以下の説明では、図1に示すように、9個の
セル(アクティブマトリクス基板)A1,A2,A3,
B1,B2,B3,C1,C2,C3(各セルは後述す
る切断線Lの破線で囲まれた領域である)が、3列(右
から、A列,B列,C列)×3段(上から、1段,2
段,3段)に配置されている集合基板1について説明す
るが、セルの数および配置はこれと異なっていてもよ
い。
【0039】また、集合基板1には、9個のセルの周囲
に、ハンドリングのためにセルが形成されない周縁部が
ある。したがって、製造プロセスの切断工程において、
集合基板1が切断線Lに沿って切断されることにより、
一個ずつのアクティブマトリクス基板に切り出される。
なお、上記の各セルには、走査線2および補助容量配線
4(図1中、縦方向の太線)と、信号線3(図1中、横
方向の細線)とが格子状に配設されている。
【0040】走査線2は、走査線用ショートリング(走
査線用共通配線)5a,5b,5c,5dに接続されて
いる。ただし、走査線用ショートリング5a〜5dは、
隣接セルの補助容量配線4を束ねる幹配線を兼ねてい
る。
【0041】すなわち、セルA1,B1,C1の上端辺
に沿って各セルをまたいで配設された一本の走査線用シ
ョートリング5aには、第1段のセルA1,B1,C1
の上端部において、セルA1,B1,C1の補助容量配
線4が接続されている。セルA2,B2,C2の上端辺
に沿って各セルをまたいで配設された一本の走査線用シ
ョートリング5bには、第2段のセルA2,B2,C2
の上端部において、セルA2,B2,C2の補助容量配
線4が接続されるとともに、第1段のセルA1,B1,
C1の走査線2が走査線端子2aを介して下方にセルを
またいで延設されて接続されている。セルA3,B3,
C3の上端辺に沿って各セルをまたいで配設された一本
の走査線用ショートリング5cには、第3段のセルA
3,B3,C3の上端部において、セルA3,B3,C
3の補助容量配線4が接続されるとともに、第2段のセ
ルA2,B2,C2の走査線2が走査線端子2aを介し
て下方にセルをまたいで延設されて接続されている。セ
ルA3,B3,C3の下方に隣接する集合基板1の周縁
部で、セルA3,B3,C3の下端辺に沿って各セルを
またいで配設された一本の走査線用ショートリング5d
には、セルA3,B3,C3の下方に隣接する集合基板
1の周縁部において、第3段のセルA3,B3,C3の
走査線2が走査線端子2aを介して下方に延設されて接
続されている。
【0042】そして、走査線用ショートリング5a,5
cは、セルA1,A2の右方に隣接する集合基板1の周
縁部に延設されており、該周縁部において走査線用ショ
ートリング接続線7aにより互いに電気的に接続されて
いる。同様に、走査線用ショートリング5b,5dは、
セルC2,C3の左方に隣接する集合基板1の周縁部に
延設されており、該周縁部において走査線用ショートリ
ング接続線7bにより互いに電気的に接続されている。
【0043】すなわち、走査線2および補助容量配線4
を束ねる走査線用ショートリング5a〜5dは、集合基
板1で二系統の幹電極を形成している。具体的には、セ
ルA1,B1,C1,A3,B3,C3の補助容量配線
4およびセルA2,B2,C2の走査線2が接続された
走査線用ショートリング5a,5cおよび走査線用ショ
ートリング接続線7aによる系統と、セルA2,B2,
C2の補助容量配線4およびセルA1,B1,C1,A
3,B3,C3の走査線2が接続された走査線用ショー
トリング5b,5dおよび走査線用ショートリング接続
線7bによる系統である。
【0044】ここで、走査線用ショートリング5b,5
c,5dと走査線端子2aとの間に切断線Lがあるた
め、集合基板1が切断線Lにおいて切断されると、走査
線2は走査線用ショートリング5b,5c,5dからは
切り離されて、各走査線2が電気的に独立となる。これ
に対して、各セルごとに分断された走査線用ショートリ
ング5a〜5dは、各セル内において補助容量配線4と
接続された状態で残り、各セルの補助容量配線4を束ね
る幹配線となって、液晶表示装置の完成時には全ライン
共通の信号もしくはDCレベルを供給することになる。
【0045】一方、信号線3は、信号線用ショートリン
グ(信号線用共通配線)6a,6b,6cに接続されて
いる。すなわち、セルB1,B2,B3の右端辺に沿っ
て各セルをまたいで配設された一本の信号線用ショート
リング6aには、B列のセルB1,B2,B3の右端部
において、A列のセルA1,A2,A3の信号線3が信
号線端子3aを介して左方にセルをまたいで延設されて
接続されている。セルC1,C2,C3の右端辺に沿っ
て各セルをまたいで配設された一本の信号線用ショート
リング6bには、C列のセルC1,C2,C3の右端部
において、B列のセルB1,B2,B3の信号線3が信
号線端子3aを介して左方にセルをまたいで延設されて
接続されている。セルC1,C2,C3の左方に隣接す
る集合基板1の周縁部で、セルC1,C2,C3の左端
辺に沿って各セルをまたいで配設された一本の信号線用
ショートリング6cには、セルC1,C2,C3の左方
に隣接する集合基板1の周縁部において、C列のセルC
1,C2,C3の信号線3が信号線端子3aを介して左
方に延設されて接続されている。
【0046】なお、図1では、各セル内のすべての信号
線3を一本の信号線用ショートリング6a〜6cに接続
しているが、これを複数本(例えば、RGBごと)設け
ることもできる。すなわち、例えば信号線3・3間のリ
ーク電流を計ることができるようにしたい場合や、点灯
検査における単色表示検査に相当する信号による電気的
検査を行いたい場合に、信号線用ショートリング6a〜
6cをそれぞれ複数本設けることによって、より精度の
高い電気的検査が可能となる。
【0047】また、走査線用ショートリング5a〜5d
は下層のゲートレイヤーで、信号線用ショートリング6
a〜6cは上層のソースレイヤーでそれぞれ形成されて
いる。よって、走査線用ショートリング5a〜5dと信
号線用ショートリング6a〜6cとの交差部でも、これ
らは互いに電気的に接続されていない。したがって、検
査前にあらかじめレーザなどで切断してそれぞれの信号
系統を電気的に独立させる作業が不要である。
【0048】さらに、集合基板1に形成されたすべての
配線がそれぞれのレイヤーにおいて、配線形成時から一
貫してショートリングを通じて他の配線とショートされ
ている。よって、たとえ一本の配線に静電気が飛来して
も、これが瞬時に周辺の配線に分散される。したがっ
て、静電気を受けた配線のみが極めて高電圧になり、そ
れにつながったアクティブ素子が破壊されたり、他の配
線との間の交差部の絶縁破壊が起こるなどの不具合の発
生を防止できる。
【0049】このようにして形成されたアクティブマト
リクス基板の集合基板1について検査を行う際には、ま
ずプローブフレームを用いて信号入力を行う。
【0050】本実施の形態にかかる集合基板1では、こ
の信号入力を、集合基板1の5箇所に図14(a),
(b),(c)に示す検査用信号を入力するだけで行う
ことができる。これに対して、従来の構造のアクティブ
マトリクス基板の集合基板では、プローブフレームが各
セルに対してソース信号、ゲート信号および補助容量配
線用DCの3信号を入力するため、9個のセルでは27
箇所で信号入力を行う必要があり、あらかじめそれぞれ
の入力系統ごとに配線をレーザ切断により分離しておく
必要があった。
【0051】具体的には、本実施の形態にかかる集合基
板1の信号入力の検査では、検査用走査信号p1,p2
(図14(a),(b))をそれぞれ走査線用ショート
リング接続線7a,7bから走査線2に入力するととも
に、検査用表示信号p3(図14(c))を信号線用シ
ョートリング6a,6b,6cから信号線3に入力す
る。
【0052】よって、この検査に用いるプローブフレー
ムは、列方向に長細い3つの窓が開けられた形状、すな
わち第1列のセルを含む窓、第2列のセルを含む窓、第
3列のセルを含む窓が開けられた形状のフレームに、信
号入力用の5本の入力ピンが立てられた、極めて簡素な
ものとなる。なお、フレームの外周部分に走査線用ショ
ートリング接続線7a,7bおよび信号線用ショートリ
ング6cに対向して3本の入力ピンが、フレームの窓の
境界部分に信号線用ショートリング6a,6bに対向し
て2本の入力ピンがそれぞれ設けられる。
【0053】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板1では、各セルのすべ
ての走査線2および補助容量配線4が走査線用ショート
リング5a〜5dによって電気的に接続されるととも
に、走査線用ショートリング5a,5cおよび走査線用
ショートリング5b,5dが走査線用ショートリング接
続線7a,7bによりそれぞれ電気的に接続されてお
り、かつ、各セルのすべての信号線3が信号線用ショー
トリング6a〜6cによって電気的に接続されている。
【0054】これにより、本実施の形態にかかる集合基
板1は、検査用信号を複数のセルにまとめて入力するこ
とができるため、製造コストが非常に安価なプローブフ
レームによって検査することができる。なお、従来の方
式のプローブフレームは、セルの数だけの窓と、それに
比例した数だけの入力ピンを備える必要があったため、
非常に高価であった。
【0055】また、本実施の形態にかかる集合基板1で
は、検査時に検出部がスキャンする際、窓の長細い方向
に連続してスキャンすることができるため、検出部の上
げ下げを含む、非検出時の動作時間を節約することがで
きる。すなわち、これは検査にかかる作業効率(タク
ト)を大幅に向上させることができることを示してお
り、量産上極めて都合がよい。なお、従来の方式では、
それぞれの窓の内側で検出部を基板に近づけて検査し、
検査の終了後また基板から離し、次のセルへフレームを
またいで移動し、検査するという動作を繰り返す必要が
あった。
【0056】さらに、セルとセルとの間もプローブフレ
ームに妨げられることなく、自由に検出部が移動できる
ことから、検出部の外装やプローブフレームの製作上の
制約によって生じる検査不可能領域が小さくなり、検査
性能が向上する。
【0057】しかも、これら数々の利点は各セルが小型
化し、アクティブマトリクス基板の集合基板1内のセル
のとれ数が多くなればなるほど、従来の技術と比べて有
利になる。
【0058】また、本実施の形態では、セルが補助容量
配線4を設けた構造(Cs onCommon構造)で
ある場合について説明したが、隣接絵素の走査線2を補
助容量の代わりに用いる構造(Cs on Gate構
造)にも応用することができる。
【0059】すなわち、セルをCs on Gate構
造とする場合には、例えば走査線用ショートリングの一
方の系統にはセルA1,B1,C1,A3,B3,C3
の偶数本目の走査線およびセルA2,B2,C2のセル
の奇数本目の走査線を接続し、他方の系統にはセルA
2,B2,C2の偶数本目の走査線およびセルA1,B
1,C1,A3,B3,C3の奇数本目の走査線を接続
することができる。
【0060】そして、このような構造の場合、走査線用
ショートリングによって補助容量配線4が短絡されてい
る場合と異なり、走査線がセル内で短絡されていると都
合が悪いため、例えば切断線Lの位置を変更して、走査
線端子側に走査線用ショートリングが残るようにセルを
切り出し後、これを面取りなどによって取り除くことも
できる。
【0061】このことは、信号線3を束ねる信号線用シ
ョートリング6a,6b,6cについても同様であっ
て、前述の検査精度向上のため偶数本目の信号線と奇数
本目の信号線を接続する信号線用ショートリングをそれ
ぞれ分けておいてもよい。なお、この場合も、信号線用
ショートリングの片方は面取りなどによってショートリ
ングから切り離す。
【0062】また、端子上に直接ドライバ回路を設ける
いわゆるCOG(Chip on Glass)方式では、ドライバ
ヘの電源供給配線のスペースなどの都合により、ショー
トリングヘの接続が端子の対辺側においてなされること
が多い。この場合、セルの切り出しによって、ショート
リングは隣接セルのドライバ配置辺に残されることにな
るが、これが電源供給配線の配置の妨げとなる場合に
は、前述の特開平7−333275号公報にあるよう
に、ショートリングに代わって検査用信号線や検査用走
査線に接続する方法をとれば、図18のごとくこれらシ
ョートリングに代わる配線をセル内に残したまま、切断
をしなくても表示上問題を生じないため都合が良い。
【0063】最後に、本実施の形態にかかる集合基板1
が、各セルに検査用の信号入力パッドを設けないことに
よって、電気的検査時に有利であることは前述のとおり
であるが、さらに次の二つの効果がある。
【0064】第一に、検査用の信号入力パッドの形状に
起因する配向特性のスジ状のムラの発生を抑えることが
できる。すなわち、アクティブマトリクス基板は、完成
後、対向基板との貼り合わせ前に、液晶分子を配向させ
るために配向膜が布でこすられる。その際、セル内に他
の部分と比べて大きなパターンなどが散在していた場
合、その部分にだけ布に静電気などの不均一が生じ、こ
れによって配向特性にスジ状のムラ(いわゆる、ラピン
グスジ)が生じる。これを防止するためには、できるだ
けセル内に大きなパターンを形成しないことが望ましい
が、このことは接触不良の防止およびプローブフレーム
の価格低減のためにできるだけ大きな信号入力パッドが
所望されることと相反する。この点、本実施の形態のセ
ルのように、検査用の信号入力パッドを有しないことは
有効である。
【0065】第二に、製品完成後の静電気不良を防止す
ることができる。すなわち、前述のアクティブ素子を介
して検査信号を供給する場合は、検査後も製品に至るま
で検査用配線および信号入力パッドを取り除く工程を追
加する必要がない。しかし、検査用の信号入力パッドが
製品完成後も残るため、この部分が外部に触れ、静電気
の飛来によりアクティブ素子が破壊される確率がそれだ
け増大する。この点、本実施の形態では、セルごとに信
号入力パッドを設ける必要がないため、製品完成後は静
電気の飛来する箇所が少なく、アクティブ素子が破壊さ
れる可能性が格段に低減される。
【0066】〔実施の形態2〕 本発明の他の実施の形態について図2と図3および図1
4に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前述の従来の技術および実施の形態1に
おいて示した構成と同一の部材には、同一の符号を付記
し、その説明を省略する。
【0067】図2は、本実施の形態にかかるアクティブ
マトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図であ
る。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成された
配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された配線
を細線で示している。
【0068】図2に示すように、本実施の形態にかかる
アクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基板
と略する)11は、実施の形態1の集合基板1と異な
り、信号線用ショートリング6a,6b,6cが信号線
用ショートリング接続線16によって互いに電気的に接
続されており、かつ、検査用信号を入力するための信号
入力パッドが、走査線用ショートリング接続線7a,7
bおよび信号線用ショートリング接続線16の近傍に設
けられている。
【0069】具体的には、信号線用ショートリング6
a,6b,6cがセルB1,C1の上方に隣接する集合
基板11の周縁部に延設され、該周縁部において信号線
用ショートリング接続線16により互いに電気的に接続
されている。また、集合基板11の周縁部において走査
線用ショートリング5a,5cおよび走査線用ショート
リング5b,5dをそれぞれ接続する走査線用ショート
リング接続線7a,7bと、信号線用ショートリング接
続線16との近傍に、検査用信号を入力するために、走
査線用信号入力パッド(信号入力部)17a,17bお
よび信号線用信号入力パッド(信号入力部)18がこれ
らの接続線7a,7b,16にそれぞれ接続されて設け
られている。なお、走査線用信号入力パッド17a,1
7bおよび信号線用信号入力パッド18は、集合基板1
1の周縁部に配設されるため、切断線Lにおける切断に
よって、各接続線7a,7b,16とともにセルから切
除される。
【0070】このような構造のアクティブマトリクス基
板の集合基板11について検査を行う際には、まずプロ
ーブフレームを用いて信号入力を行う。
【0071】本実施の形態にかかる集合基板11では、
この信号入力を、集合基板11の3箇所に図14
(a),(b)に示した検査用信号を入力するだけで行
うことができる。
【0072】具体的には、本実施の形態にかかる集合基
板11の信号入力の検査では、検査用走査信号p1,p
2(図14(a),(b))をそれぞれ走査線用信号入
力パッド17a,17bから走査線2に入力するととも
に、検査用表示信号p3(図14(c))を信号線用信
号入力パッド18から信号線3に入力する。
【0073】よって、この検査に用いるプローブフレー
ムは、9個のセルの外周を囲むような1つの窓が開けら
れた形状フレームに、信号入力用の3本の入力ピンが立
てられた、極めて簡素なものとなる。すなわち、プロー
ブフレームの中央部の大型の窓から集合基板11に含ま
れている複数のセルがまるごとむきだされているような
様子となる。なお、フレームの外周部分に走査線用信号
入力パッド17a,17bおよび信号線用信号入力パッ
ド18に対向して3本の入力ピンがそれぞれ設けられ
る。
【0074】なお、図2では走査線用信号入力パッド1
7a,17bおよび信号線用信号入力パッド18を設け
ているが、走査線用ショートリング接続線7a,7bお
よび信号線用ショートリング接続線16が十分に太い場
合など特に検査用の信号入力パッドを設ける必要がなけ
れば、信号入力パッドを設けず各接続線7a,7b,1
6に直接検査用信号を入力することで検査を行うことも
できる。
【0075】また、図2に示したように、走査線用信号
入力パッド17a,17bおよび信号線用信号入力パッ
ド18は、集合基板11の周縁部に配設されている。例
えば、集合基板11の基板端から約2cm以内の領域で
ある。
【0076】一般に、アクティブマトリクス基板の集合
基板の周縁部は、アクティブ素子を形成してもパターン
の精度が悪く、良好な特性が得られにくい領域であり、
集合基板のハンドリングに必要な領域でもある。
【0077】したがって、集合基板11の周縁部は、ア
クティブ素子が形成されない領域、すなわち集合基板1
1から各セルが切り出された後に廃棄される領域である
ため、検査用の信号入力パッドなどのパターンを自由に
形成することができる。
【0078】ここで、検査用の信号入力パッドは数百μ
mから数mm角の大きさで形成されることが多いため、
数μmのパターンシフトは問題とならず、また膜厚が2
〜30%変化しても検査上何ら影響を及ぼさない。よっ
て、検査用の信号入力パッドは比較的精度の悪い集合基
板の周縁部に形成することができる。
【0079】本実施の形態にかかる集合基板11では、
以上の事情を考慮して、集合基板11の周縁部に走査線
用信号入力パッド17a,17bおよび信号線用信号入
力パッド18を配置している。
【0080】加えて、前述のようにプローブフレームは
高価であるため、機種ごとにこれを作成し直すことはコ
スト的に不利である。また、機種によって集合基板のう
ちのセル形成に利用される位置が異なっている。
【0081】そこで、本実施の形態にかかる集合基板1
1では、検査用の各信号入力パッド17a,17b,1
8を、いかなる機種であっても液晶表示装置の完成後の
外形および表示に関わるパターンが形成されない領域、
すなわち集合基板11の周縁部内であって、各信号入力
パッドの位置として機種間であらかじめ共通に決められ
た位置に配置している。
【0082】これにより、位置が共通化された各信号入
力パッドにさえ信号入力すれば、どんな機種であっても
検査が可能であり、複数の機種の検査を同一のプローブ
フレームを用いて行うことができるため、機種ごとにプ
ローブフレームを設計する必要がなくなる。
【0083】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板11では、各セルのす
べての走査線2および補助容量配線4が走査線用ショー
トリング5a〜5dによって電気的に接続されるととも
に、走査線用ショートリング5a,5cおよび走査線用
ショートリング5b,5dが走査線用ショートリング接
続線7a,7bによりそれぞれ電気的に接続されてお
り、かつ、各セルのすべての信号線3が信号線用ショー
トリング6a〜6cによって電気的に接続されるととも
に、信号線用ショートリング6a〜6cが信号線用ショ
ートリング接続線16により互いに電気的に接続されて
いる。
【0084】これにより、本実施の形態にかかる集合基
板11は、検査用信号を複数のセルにまとめて入力する
ことができるため、製造コストが非常に安価なプローブ
フレームによって検査することができる。なお、本実施
の形態にかかるプローブフレームの製作が従来の方式よ
りも安価であることは明白である。
【0085】また、本実施の形態にかかる集合基板11
では、検査時に検出部がスキャンする際、集合基板11
の全体にわたって連続してスキャンすることができるた
め、検出部の上げ下げを含む、非検出時の動作時間を節
約することができる。すなわち、これは検査にかかる作
業効率(タクト)を大幅に向上させることができること
を示しており、量産上極めて都合がよい。
【0086】さらに、セルとセルとの間にプローブフレ
ームが設けられないため、これに妨げられることによっ
て生じる検査不可能領域をほとんどなくすことができ、
検査性能が向上する。
【0087】しかも、これら数々の利点は各セルが小型
化し、アクティブマトリクス基板の集合基板11内のセ
ルのとれ数が多くなればなるほど、従来の技術と比べて
有利になる。
【0088】また、本実施の形態にかかるアクティブマ
トリクス基板の集合基板11では、集合基板11の周縁
部において走査線用ショートリング5a,5cおよび走
査線用ショートリング5b,5dをそれぞれ接続する走
査線用ショートリング接続線7a,7bと、信号線用シ
ョートリング接続線16との近傍に、検査用信号を入力
するために、走査線用信号入力パッド17a,17bお
よび信号線用信号入力パッド18がこれらの接続線7
a,7b,16に接続されて設けられている。
【0089】これにより、液晶表示装置の最終納入形態
に左右されることなく、自由に検査用信号の信号入力パ
ッドを設置することができる。このため、例えばプロー
ブフレームや検査装置の都合にあわせてより入力の行い
やすい場所にパッドを設けることや、検査用信号の信号
遅延や信号入力パッドにおける接触不良などを考慮して
パッド数を増減することや、パッドを大型化することな
どが可能となる。また、実施の形態1において説明した
ような、信号入力パッドの形状に起因する配向特性のス
ジ状のムラの発生を、集合基板11の周縁部に信号入力
パッドを集中的に配して各セル内に信号入力パッドを置
かないようにすることにより、抑制することができる。
【0090】さらに、本実施の形態にかかるアクティブ
マトリクス基板の集合基板11では、走査線用信号入力
パッド17a,17bおよび信号線用信号入力パッド1
8が、集合基板11の周縁部内であって、異なる機種間
で共通化された位置に配置されている。
【0091】このように、検査用の信号入力パッド17
a,17b,18を、いかなる機種であっても表示用の
パターン形成がされ得ない領域に共通化して配置するこ
とにより、あらゆる機種について信号入力パッド17
a,17b,18にさえ信号入力すれば検査できるた
め、同一のプローブフレームで複数の機種の検査が可能
となる。したがって、機種ごとにプローブフレームを設
計する必要がなくなり、アクティブマトリクス基板を安
価に製造することができる。
【0092】さらに、本実施の形態にかかるアクティブ
マトリクス基板の集合基板は、次のようにも構成するこ
とができる。
【0093】図3は、本実施の形態にかかる他のアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成さ
れた配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された
配線を細線で示している。
【0094】図3に示すアクティブマトリクス基板の集
合基板(以下、集合基板と略する)12は、前記の集合
基板11と異なり、左方周縁部にマーカー群13が配設
されており、かつ、検査用信号を入力するための走査線
用信号入力パッド(信号入力部)17′a,17′bお
よび信号線用信号入力パッド(信号入力部)18′が集
合基板12の左端辺からの距離をマーカー群13とほぼ
同一であるように設けられている。
【0095】具体的には、走査線用ショートリング5
a,5cは、セルC1,C2の左方に隣接する集合基板
12の周縁部に延設されており、該周縁部において走査
線用ショートリング接続線7′aにより互いに電気的に
接続されている。そして、集合基板12の左方周縁部に
おいて、走査線用ショートリング接続線7′a,7b
と、信号線用ショートリング6cとの近傍に、検査用信
号を入力するために、走査線用信号入力パッド17′
a,17′bおよび信号線用信号入力パッド18′が走
査線用ショートリング接続線7′a,7b、信号線用シ
ョートリング6cにそれぞれ接続されて設けられてい
る。
【0096】ここで、上記マーカー群13は、基板認識
用のマークおよび対向基板と貼り合わされる際の位置合
わせ用のマーカーなどが集められた一群のマーカーであ
る。そして、マーカー群13は、全機種共通に同位置に
設置されるため、いかなる機種であっても、マーカー群
13よりも基板端に近い領域に複数のセルの繰り返しパ
ターンが形成されることはない。なお、集合基板12に
は、左方周縁部にマーカー群13が集合基板12の左端
辺に沿って2箇所に配置されている。
【0097】よって、前述の集合基板11と同様に、集
合基板12の周縁部内であってマーカー群13と同等
か、より外周側の領域に、検査用の信号入力パッド1
7′a,17′b,18′を形成することができる。
【0098】そして、このようにマーカー群13の位置
を基準として、検査用の信号入力パッド17′a,1
7′b,18′を設ける位置を決めておくことで、仮に
集合基板12のセルの形成領域が変更されて周縁部の幅
が変わっても、何ら不具合を生じることなく、同一のプ
ローブフレームで複数の機種の検査を行うことができ
る。
【0099】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板12では、走査線用信
号入力パッド17′a,17′bおよび信号線用信号入
力パッド18′が、集合基板12の周縁部内であって、
マーカー群13と同等か、より外周側の領域に形成され
ている。
【0100】このように、検査用の信号入力パッド1
7′a,17′b,18′を、マーカー群13を基準と
して、いかなる機種であっても表示用のパターン形成が
され得ない領域に共通化して配置することにより、あら
ゆる機種について信号入力パッド17′a,17′b,
18′にさえ信号入力すれば検査できるため、同一のプ
ローブフレームで複数の機種の検査が可能となる。した
がって、機種ごとにプローブフレームを設計する必要が
なくなり、アクティブマトリクス基板を安価に製造する
ことができる。
【0101】〔実施の形態3〕 本発明のさらに他の実施の形態について図4から図7、
および図14に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。なお、説明の便宜上、前述の従来の技術、実施の形
態1および2において示した構成と同一の部材には、同
一の符号を付記し、その説明を省略する。
【0102】図4は、本実施の形態にかかるアクティブ
マトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図であ
る。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成された
配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された配線
を細線で示している。
【0103】図4に示すように、本実施の形態にかかる
アクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基板
と略する)21は、実施の形態2の集合基板13と異な
り、走査線用信号入力パッド17′a,17′bおよび
信号線用信号入力パッド18′と同じ3箇所に、走査線
用信号入力パッド17′a,17′bおよび信号線用信
号入力パッド18′を一つのパッド群とした信号入力パ
ッド群(信号入力部)23・23・23がそれぞれ配置
されている。
【0104】このように、集合基板21では、一つの信
号系統に対して信号入力パッドが3箇所に設けられてい
る。これにより、前述の集合基板13に較べて、信号入
力のためにプローブフレームに設ける入力ピン数が3本
から9本に増加するものの、プローブフレームの窓の形
成にかかる製造コストの低減や検出部の可動範囲の拡大
などの効果は同様に奏することができる。また、仮に一
部の入力ピンと信号入力パッドとの間で接触不良が生じ
ても、他の入力箇所がこれを補うため、検査を正常に行
うことができる。
【0105】また、セルが高精細であったり、セル数が
多いなどの理由から、1個所からの入力では検査用ショ
ートリングにかかる負荷が大きすぎて、信号になまりが
生じる場合などには、このような複数箇所からの信号入
力は有効である。
【0106】具体的には、例えばクウォーターVGA
(320×RGB×240)のセルを集合基板内に48
セル形成した場合、走査線の偶数ラインをすべて同時に
駆動するとすると、その負荷は約700nF程度とな
る。これをすべて1個所の信号入力パッドと1本の検査
用ショートリングとを介して行い、かつ、実駆動に近い
検査用信号を遅延なく印加するためにその時定数を10
μs程度に抑えるためには、検査用ショートリングの配
線抵抗を14Ω程度にしなければならない。仮に、これ
を面抵抗(距離に比例し、かつ、幅に反比例する抵抗
値)が1Ωsq(Ω/□)である金属層で構成すると、
集合基板の長辺方向の長さが360mmの場合、配線幅
は25mm必要となる。これは事実上相当困難である。
しかし、集合基板21のように、信号の入力箇所を複数
設けることによって、この問題は解決できる。
【0107】さらに、図5に示すように、複数の信号入
力パッド群を、それぞれに割り当てられた負荷がほぼ均
等になるように間隔をあけて設置することにより、上記
の効果はさらに大きくなる。図5のアクティブマトリク
ス基板の集合基板31には、信号入力パッド群(信号入
力部)37が基板内に合計6点配置されている。この場
合、信号入力パッド1個所あたりの負荷は約120nF
であり、必要な配線抵抗および配線幅はそれぞれ83Ω
以下および1.4mm程度で済む。
【0108】図5は、本実施の形態にかかる他のアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成さ
れた配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された
配線を細線で示している。
【0109】図5に示すように、本実施の形態にかかる
アクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基板
と略する)31は、走査線用ショートリング(走査線用
共通配線)35a,35b,35cが走査線用ショート
リング接続線32a,32bによって、補助容量配線用
幹配線36a,36b,36cが補助容量配線用幹配線
接続線34a,34bによって、信号線用ショートリン
グ6a,6b,6cが信号線用ショートリング接続線3
3によってそれぞれ互いに電気的に接続されており、か
つ、検査用信号を入力するための6個の信号入力パッド
群37が、集合基板31の左右の周縁部にそれぞれ3個
ずつ、マーカー群13よりも外周側に設けられている。
【0110】具体的には、セルA1,B1,C1の下端
辺に沿って各セルをまたいで配設された一本の走査線用
ショートリング35aには、セルA1,B1,C1の走
査線2が走査線端子2aを介して接続されている。セル
A2,B2,C2の下端辺に沿って各セルをまたいで配
設された一本の走査線用ショートリング35bには、セ
ルA2,B2,C2の走査線2が走査線端子2aを介し
て接続されている。セルA3,B3,C3の下端辺に沿
って各セルをまたいで配設された一本の走査線用ショー
トリング35cには、セルA3,B3,C3の走査線2
が走査線端子2aを介して接続されている。これら走査
線用ショートリング35a,35b,35cは、集合基
板31の左右周縁部へそれぞれ延設され、該周縁部にお
いて左右両端のセルに沿って設けられた走査線用ショー
トリング接続線32a,32bにより互いに電気的に接
続されている。
【0111】また、セルA1,B1,C1の上端辺に沿
って各セルをまたいで配設された一本の補助容量配線用
幹配線36aには、セルA1,B1,C1の補助容量配
線4が接続されている。セルA2,B2,C2の上端辺
に沿って各セルをまたいで配設された一本の補助容量配
線用幹配線36bには、セルA2,B2,C2の補助容
量配線4が接続されている。セルA3,B3,C3の上
端辺に沿って各セルをまたいで配設された一本の補助容
量配線用幹配線36cには、セルA3,B3,C3の補
助容量配線4が接続されている。これら補助容量配線用
幹配線36a,36b,36cは、集合基板31の左右
周縁部へそれぞれ延設され、該周縁部において左右両端
のセルに沿って設けられた補助容量配線用幹配線接続線
34a,34bにより互いに電気的に接続されている。
【0112】そして、信号線用ショートリング6a,6
b,6cは、集合基板31の上下周縁部へそれぞれ延設
され、該周縁部において上下両端のセルに沿って設けら
れた信号線用ショートリング接続線33により互いに電
気的に接続されている。信号線用ショートリング接続線
33は、セルA1〜C3の外周の4辺に沿った閉じた配
線となっている。よって、信号線用ショートリング6a
〜6cは、上下の二端において、信号線用ショートリン
グ接続線33とそれぞれ接続されている。
【0113】さらに、集合基板31の左右周縁部には、
それぞれ2個のマーカー群13と3個の信号入力パッド
群37とが配設されている。マーカー群13の位置は、
ほぼ横方向の切断線L上である。6個の信号入力パッド
群37は、それぞれに割り当てられた負荷がほぼ均等に
なるように間隔をあけて配設されている。すなわち、図
5中では、信号入力パッド群37は、セルA1,A2,
A3,C1,C2,C3のほぼ中央位置に対向し、か
つ、マーカー群13と同等かより外周側にそれぞれ配設
されている。
【0114】信号入力パッド群37は、走査線2、信号
線3、補助容量配線4へ検査用信号を入力する信号入力
パッドを備えている。よって、集合基板31の右方周縁
部に配設された信号入力パッド群37は、走査線用ショ
ートリング接続線32a、信号線用ショートリング接続
線33、補助容量配線用幹配線接続線34aと電気的に
接続されている。同様に、集合基板31の左方周縁部に
配設された信号入力パッド群37は、走査線用ショート
リング接続線32b、信号線用ショートリング接続線3
3、補助容量配線用幹配線接続線34bと電気的に接続
されている。
【0115】ここで、図6を用いて、上記信号入力パッ
ド群37の詳細について説明する。図6に示すように、
信号入力パッド群37は、7個のパッド、すなわち集合
基板31の上方からGoパッド37a、Geパッド37
b、Comパッド37c、Rパッド37d、Gパッド3
7e、Bパッド37f、SWパッド37gを備えて構成
されている。
【0116】上記のGoパッド37aおよびGeパッド
37bは、走査線2の奇数本目および偶数本目に検査用
走査信号を入力するためのパッドである。ただし、集合
基板31では、走査線2には1つの系統しかないので、
Goパッド37aはどこにも接続されていない。上記C
omパッド37cは、補助容量配線4に補助容量配線用
信号を入力するためのパッドである。上記のRパッド3
7d,Gパッド37e,Bパッド37fは、それぞれR
GBに相当する検査用ショートリングに検査用表示信号
を入力するためのパッドである。ただし、集合基板31
では、信号線3に色に相当するラインごとに検査信号入
力を行わず、全信号線を1系統として短絡しているた
め、Rパッド37d,Gパッド37e,Bパッド37f
はパッドのすぐ近傍で短絡されている。上記SWパッド
37gは、アクティブ素子を導通させるための信号を入
力するために用意されているパッドである。
【0117】このように、集合基板31では、信号入力
パッド群37の7個のパッドの内、配線に接続されるの
はGeパッド37b,Comパッド37c,Rパッド3
7dの3個のパッドのみである。なお、その他のパッド
は電気的にはどの配線にも接続されていないが、検査す
べき対象機種が変わった際にも同一のプローブフレーム
で対応できるように、あらかじめ予想される信号系統の
種類の数だけのパッドが設けてある。
【0118】なお、使用しないGパッド37e,Bパッ
ド37fを、Goパッド37aように電気的に浮かせな
い理由は、万一Rパッド37dにおいて接触不良が発生
してもGパッド37e,Bパッド37fから支障無く信
号が入力されるようにするためである。また、検査用信
号発生器(図示せず)の駆動能力が十分でなく、集合基
板31のすべての信号線3を一つの信号系統で遅延なく
駆動することが困難な場合には、Rパッド37dへの出
力系統に加えて、Gパッド37e,Bパッド37fへの
出力系統からも検査用表示信号を供給することができる
ようにするためである。
【0119】よって、本実施の形態にかかる集合基板3
1をプローブフレームを用いて検査する場合には、例え
ば検査用走査信号p2(図14(b))(あるいは、検
査用走査信号p1(図14(a))でもよい。)をGe
パッド37bに、検査用表示信号p3(図14(c))
をRパッド37dに、補助容量配線用信号p4(図14
(d))をComパッド37cにそれぞれ入力する。
【0120】これにより、集合基板31の走査線2に
は、信号入力パッド群37のGeパッド37bから、走
査線用ショートリング接続線32a,32bを介して、
検査用走査信号p2(あるいは、検査用走査信号p1)
が入力される。集合基板31の信号線3には、信号入力
パッド群37のRパッド37dから、信号線用ショート
リング接続線33を介して、検査用表示信号p3が入力
される。集合基板31の補助容量配線4には、信号入力
パッド群37のComパッド37cから、補助容量配線
用幹配線接続線34a,34bを介して、補助容量配線
用信号p4が入力される。
【0121】なお、Cs On Gate構造のパネル
では、隣接する走査線が補助容量配線の役割を果たすた
め、検査時においても、あるライン上の画素の信号書き
込みを行っている間は、隣接走査線の電位は電位保持期
間と同じ電位に固定されていなければならない。よっ
て、偶数本目の走査線と奇数本目の走査線を別々に短絡
しておき、オン状態にするタイミングをずらすために、
タイミングの異なる2種類の検査用走査信号p1,p2
を用いることになる。ところで、図1や図2の場合は、
Cs On Common構造であるが、補助容量配線
の幹配線が隣接するセルの走査線のショートリングを兼
ねているため、これにセルの走査線と異なったタイミン
グでオン信号を与える必要がある。よって、Cs On
Gate構造と同様に、検査用走査信号p1,p2と
いう2種類の信号が必要となる。図5などの場合は、走
査線のショートリングと補助容量配線の幹配線とがそれ
ぞれ独立しているため、補助容量配線にはDC電圧(す
なわち、補助容量配線用信号p4)を与えればよく、検
査用走査信号としては、検査用走査信号p1もしくは検
査用走査信号p2のいずれか1種類だけで済むことにな
る。ゆえに、集合基板31を検査する場合には、2種類
の検査用走査信号p1,p2のどちらを用いてもよい。
【0122】ところで、集合基板の信号線全体の負荷
は、その集合基板に含まれる機種の構造によって大きく
異なるが、場合によっては1μFを上回ることもあり、
この負荷を遅延を小さく信号供給することは、検査用シ
ョートリングの抵抗や信号発生器の特性から相当に困難
なことがある。そこで、ショートリング接続線を分割し
ておき、集合基板内で複数個ずつまとめられたブロック
単位で信号供給を行い、順次検査を行ってゆくことが有
効である。
【0123】図7は、本実施の形態にかかる他のアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成さ
れた配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された
配線を細線で示している。
【0124】図7に示すように、本実施の形態にかかる
アクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基板
と略する)41は、集合基板31(図5)と異なり、セ
ルA1,B1,C1を含む第1ブロック(ブロック)4
1Aと、セルA2,B2,C2,A3,B3,C3を含
む第2ブロック(ブロック)41Bとの2個のブロック
に分割されている。なお、各ブロックに属するセルの組
み合わせは、本実施の形態に限定されない。
【0125】具体的には、セルの第1段目と第2段目と
の境界において、信号線用ショートリング6a,6b,
6cが、信号線用ショートリング(信号線用共通配線)
6aAと6aB、6bAと6bB、6cAと6cBとに
それぞれ分断されている。同様に、走査線用ショートリ
ング接続線32a,32bがそれぞれ走査線用ショート
リング接続線32aAと32aB,32bAと32bB
に、信号線用ショートリング接続線33が信号線用ショ
ートリング接続線33Aと33Bに、補助容量配線用幹
配線接続線34a,34bがそれぞれ補助容量配線用幹
配線接続線34aAと34aB,34bAと34bBに
分断されている。
【0126】したがって、集合基板41の第1ブロック
41Aの各セルへの検査用信号の入力は、以下のように
行われる。走査線2には、信号入力パッド群(信号入力
部)37AのGeパッド37bから、走査線用ショート
リング接続線32aA,32bAを介して、検査用走査
信号p2(あるいは、検査用走査信号p1)が入力され
る。信号線3には、信号入力パッド群37AのRパッド
37dから、信号線用ショートリング接続線33Aを介
して、検査用表示信号p3が入力される。補助容量配線
4には、信号入力パッド群37AのComパッド37c
から、補助容量配線用幹配線接続線34aA,34bA
を介して、補助容量配線用信号p4が入力される。
【0127】同様に、集合基板41の第2ブロック41
Bの各セルへの検査用信号の入力は、以下のように行わ
れる。走査線2には、信号入力パッド群(信号入力部)
37BのGeパッド37bから、走査線用ショートリン
グ接続線32aB,32bBを介して、検査用走査信号
p2(あるいは、検査用走査信号p1)が入力される。
信号線3には、信号入力パッド群37BのRパッド37
dから、信号線用ショートリング接続線33Bを介し
て、検査用表示信号p3が入力される。補助容量配線4
には、信号入力パッド群37BのComパッド37cか
ら、補助容量配線用幹配線接続線34aB,34bBを
介して、補助容量配線用信号p4が入力される。
【0128】検査は、信号入力パッド群37Aから集合
基板41の第1ブロック41Aに信号入力を行って電気
的に検査した後、引き続き、信号入力パッド群37Bか
ら集合基板41の第2ブロック41Bに信号入力を行っ
て電気的に検査する。
【0129】なお、検査装置の検出部はスキャンニング
を続けている一方で、信号供給のみリレー回路などによ
って電気的に切り替えればよいので、作業効率(タク
ト)が低下するおそれはない。
【0130】また、この方式によると、異なる機種がブ
ロックごとに同一の集合基板上に形成される場合であっ
ても、混在する機種の種類によらず、前述同様に信号供
給を電気的に切り替えるだけで、大判の集合基板の状態
で、同一のプローブフレームを用いて迅速に電気的検査
を行うことができる。したがって、同一の集合基板上
に、例えばCs on Gate構造の機種とCs o
n Common構造の機種、あるいは白黒表示用の機
種とカラー表示用の機種を混在させることが可能とな
る。
【0131】さらに、上述のように信号入力パッド群3
7を検査用のショートリングに直接短絡させる機種だけ
でなく、アクティブ素子を介して検査信号を供給する機
種が混在させることもできる。なお、アクティブ素子を
介して検査信号を供給する機種を検査する場合は、信号
入力パッド群37のSWパッド37g(図6)から、ア
クティブ素子を導通させるための信号を入力する。
【0132】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板31では、各検査用信
号を入力する信号入力パッドを備えた複数個の信号入力
パッド群37が、割り当てられた共通配線の負荷がほぼ
均等になるように配設されている。
【0133】このように、一つの信号系統に対して複数
の信号入力パッドを設けることによって、一部の信号入
力パッドにおいて接触不良が発生した場合でも、他の信
号入力パッドからの検査用信号によって補われるため、
検査を支障なく行うことができる。
【0134】さらに、共通配線にかかる負荷が大きすぎ
る場合には、この共通配線における抵抗値に応じた信号
遅延が生ずるが、信号入力パッドを複数個設けることで
これを回避することができる。そして、複数個の信号入
力パッドを、割り当てられた共通配線の負荷がほぼ均等
になるように配設することにより、さらに効果が大きく
なる。
【0135】また、本実施の形態にかかるアクティブマ
トリクス基板の集合基板41では、セルが複数のブロッ
クに分割され、各ブロックごとに走査線用ショートリン
グ接続線、信号線用ショートリング接続線、補助容量配
線用幹配線接続線、および信号入力パッド群が設けられ
ている。
【0136】これにより、検査用信号をブロックごとに
入力することができる。よって、集合基板全体を同時に
駆動する場合には負荷が大きすぎて駆動回路側の出力イ
ンピーダンスによって信号遅延が生ずる場合でも、分割
されたブロックごとに駆動することができるので、駆動
回路の設計が容易になり、コストアップを防止できる。
【0137】また、セルをブロックに分割することによ
って負荷容量が小さくなるため、検査用ショートリング
の線幅を十分に広く取れない場合でも、検査用信号を遅
延させることなく容易に供給することができる。
【0138】〔実施の形態4〕 本発明のさらに他の実施の形態について図8から図1
0、および図14に基づいて説明すれば、以下のとおり
である。なお、説明の便宜上、前述の従来の技術、実施
の形態1から3において示した構成と同一の部材には、
同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【0139】図8は、本実施の形態にかかるアクティブ
マトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図であ
る。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成された
配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された配線
を細線で示している。
【0140】図8に示すように、本実施の形態にかかる
アクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基板
と略する)51は、実施の形態3の集合基板31(図
5)に対して、セルを切り出す切断線の位置が異なるだ
けで、配線や端子などの構造は全く同一である。
【0141】すなわち、集合基板51は、前述の集合基
板31と同様、セルのそれぞれの信号系統(走査線2,
信号線3,補助容量配線4)ごとに共通に接続する検査
用配線(走査線用ショートリング35a〜35cおよび
走査線用ショートリング接続線32a,32b,信号線
用ショートリング6a〜6cおよび信号線用ショートリ
ング接続線33,補助容量配線用幹配線36a〜36c
および補助容量配線用幹配線接続線34a,34b)が
配設されており、これに検査用信号(検査用走査信号p
1,p2,検査用表示信号p3,補助容量配線用信号p
4(図14(a)〜(d)))を入力するための信号入
力パッド(Geパッド37b,Comパッド37c,R
パッド37d(図6))を備えた複数の信号入力パッド
群37を、それぞれに割り当てられた負荷がほぼ均等に
なるように間隔をあけた、機種間で共通化された一定位
置に設けられている。
【0142】そして、本実施の形態にかかる集合基板5
1では、各セルを切り出すときに、切断線Mにおいて切
断する。特に、図面縦方向の切断位置が、切断線Lでは
信号線用ショートリング6a〜6cと信号線端子3aと
の間にあるのに対して、この切断線Mは、信号線用ショ
ートリング6a〜6cのさらに外側(図中左側)にあ
る。よって、切断線Mにおいて各セルごとに分断された
信号線用ショートリング6a〜6cが、各セル内で信号
線3と接続された状態で、各セル内に残ることになる。
【0143】すなわち、切断線Mにおける切断の結果、
走査線2,信号線3,補助容量配線4は走査線用ショー
トリング35a〜35c,信号線用ショートリング6a
〜6c,補助容量配線用幹配線36a〜36cからは切
り離されないため、各走査線2,信号線3,補助容量配
線4は電気的に独立とならない。
【0144】このように、集合基板51は、大判状態で
の電気的検査の際には検査用配線によって共通接続され
ているが、その後対向基板と貼り合わされた後、分断線
Mにおいて切断分離される。
【0145】このとき、各セルの走査線2、信号線3を
共通に接続する走査線用ショートリング35a〜35
c、信号線用ショートリング6a〜6c、および補助容
量配線4を束ねる幹配線である補助容量配線用幹配線3
6a〜36cはセル内に残される。これに対して、セル
間あるいはブロック間の同系統信号線間を短絡する配線
(走査線用ショートリング接続線32a,32b、信号
線用ショートリング接続線33、補助容量配線用幹配線
接続線34a,34b)は、分断後に廃棄される集合基
板51の周縁部(セルの繰り返しパターンが形成されな
い領域)に配設されているため、後工程の検査に不具合
を与えたり、液晶表示装置完成後に余計なパターンがセ
ル内に残ったりすることはない。
【0146】また、パネル部分完成後は、各セルに分離
された状態で点灯検査が行われるため、セルの下辺およ
び左辺に沿って、走査線用ショートリング35a〜35
cおよび信号線用ショートリング6a〜6cがそれぞれ
残っている構造の方が、信号入力の際に都合がよい。す
なわち、大判検査におけるセル間を結ぶ配線が切断線M
での分断によって切り離されても、セルごとの点灯検査
時には不便は生じない。また、各セルごとに余分なパタ
ーンの有無の懸念がなく、同一形状のセルを得ることが
できる。さらに、分断後にもショートリングが残ってい
ることで、静電気からセルを守ることができる。
【0147】なお、集合基板51は、大判検査時の利便
性とともにセルごとの検査時の利便性をも考慮して、信
号線のショートリングと補助容量配線の交差部とを別の
レイヤーに形成しているので、セル分断後各信号系統は
電気的に分離されており、検査前のショートリング切断
などの工程増加がない。
【0148】点灯検査後は、従来の検査方式にて一般に
行われているのと同様に、外部駆動回路実装前に、面取
りなどによって走査線用ショートリング35a〜35c
および信号線用ショートリング6a〜6cを削除して、
各走査線2および信号線3を電気的に独立させる。
【0149】また、本実施の形態にかかるアクティブマ
トリクス基板の集合基板は、次のようにも構成すること
ができる。
【0150】図9は、本実施の形態にかかるアクティブ
マトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図であ
る。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成された
配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された配線
を細線で示している。
【0151】図9に示すように、本実施の形態にかかる
アクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基板
と略する)61は、実施の形態3の集合基板41(図
7)に対して、セルを切り出す切断線の位置が異なるだ
けで、配線や端子などの構造はほぼ同一である。
【0152】また、集合基板61は、前記の集合基板5
1(図8)と異なり、セルが複数のブロックに分割さ
れ、各ブロックごとに検査用配線および信号入力パッド
群が設けられている。具体的には、集合基板61は、セ
ルA1,B1,C1を含む第1ブロック(ブロック)6
1Aと、セルA2,B2,C2,A3,B3,C3を含
む第2ブロック(ブロック)61Bとの2個のブロック
に分割されている。なお、各ブロックに属するセルの組
み合わせは、本実施の形態に限定されない。
【0153】各セルの信号線3は、各セルの左端辺に沿
って配設されたそれぞれの信号線用ショートリング(信
号線用共通配線)67に、信号線端子3aを介して接続
されている。
【0154】第1ブロック61Aの配線は以下のとおり
である。セルA1,B1,C1の走査線2は、セルA
1,B1,C1の下端辺に沿って各セルをまたいで配設
された一本の走査線用ショートリング(走査線用共通配
線)65aに、走査線端子2aを介して接続されてい
る。セルA1,B1,C1の補助容量配線4は、セルA
1,B1,C1の上端辺に沿って各セルをまたいで配設
された一本の補助容量配線用幹配線66aに接続されて
いる。
【0155】そして、上記の走査線用ショートリング6
5aおよび補助容量配線用幹配線66aは、集合基板6
1の左右周縁部にそれぞれ延設され、該周縁部において
左右両端のセルA1,C1に沿って設けられた走査線用
ショートリング接続線62aA,62bAおよび補助容
量配線用幹配線接続線64aA,64bAにより、該周
縁部の所定位置に配設された左右の信号入力パッド群3
7Aにそれぞれ接続されている。セルA1,B1,C1
の上記信号線用ショートリング67は、セルA1,B
1,C1の下端辺に沿って、集合基板61の左右の周縁
部間に各セルをまたいで配設された一本の信号線用ショ
ートリング接続線63Aに接続されている。さらに、該
信号線用ショートリング接続線63Aは該周縁部におい
て左右両端のセルA1,C1に沿って配設されており、
左右の信号入力パッド群37Aにそれぞれ接続されてい
る。
【0156】同様に、第2ブロック61Bの配線は以下
のとおりである。セルA2,B2,C2の走査線2は、
セルA2,B2,C2の下端辺に沿って各セルをまたい
で配設された一本の走査線用ショートリング(走査線用
共通配線)65bに、走査線端子2aを介して接続され
ている。セルA2,B2,C2の補助容量配線4は、セ
ルA2,B2,C2の上端辺に沿って各セルをまたいで
配設された一本の補助容量配線用幹配線66bに接続さ
れている。
【0157】また、セルA3,B3,C3の走査線2
は、セルA3,B3,C3の下端辺に沿って各セルをま
たいで配設された一本の走査線用ショートリング(走査
線用共通配線)65cに、走査線端子2aを介して接続
されている。セルA3,B3,C3の補助容量配線4
は、セルA3,B3,C3の上端辺に沿って各セルをま
たいで配設された一本の補助容量配線用幹配線66cに
接続されている。
【0158】そして、上記の走査線用ショートリング6
5b,65cおよび補助容量配線用幹配線66b,66
cは、集合基板61の左右周縁部にそれぞれ延設され、
該周縁部において左右両端のセルA2,A3,C2,C
3に沿って設けられた走査線用ショートリング接続線6
2aB,62bBおよび補助容量配線用幹配線接続線6
4aB,64bBにより、該周縁部の所定位置に左右2
個ずつ配設された信号入力パッド群37Aにそれぞれ接
続されている。
【0159】さらに、セルA2,B2,C2の上記信号
線用ショートリング67は、セルA2,B2,C2の下
端辺に沿って、集合基板61の左右の周縁部間に各セル
をまたいで配設された一本の共通配線63Baに接続さ
れており、また、セルA3,B3,C3の上記信号線用
ショートリング67は、セルA3,B3,C3の下端辺
に沿って、集合基板61の左右の周縁部間に各セルをま
たいで配設された一本の共通配線63Bbに接続されて
いる。これらの共通配線63Ba,63Bbは、集合基
板61の左右周縁部にそれぞれ延設され、該周縁部にお
いて左右両端のセルA2,A3,C2,C3に沿って設
けられた接続線63Bc,63Bdにともに接続されて
いる。そして、上記の接続線63Bc,63Bdは該周
縁部の所定位置に左右2個ずつ配設された信号入力パッ
ド群37Aにそれぞれ接続されている。なお、共通配線
63Ba,63Bbおよび接続線63Bc,63Bdよ
りなる配線が、信号線用ショートリング接続線63Bで
ある。
【0160】よって、本実施の形態にかかる集合基板6
1の検査では、プローブフレームを用いて、以下のよう
に検査用信号が入力される。走査線2に、信号入力パッ
ド群37A,37BのGeパッド37bから、走査線用
ショートリング接続線62aA,62bA,62aB,
62bBを介して、検査用走査信号p2(図14
(b))(あるいは、検査用走査信号p1(図14
(a))でもよい。)が入力される。信号線3に、信号
入力パッド群37A,37BのRパッド37dから、信
号線用ショートリング接続線63A,63Bを介して、
検査用表示信号p3(図14(c))が入力される。補
助容量配線4には、信号入力パッド群37A,37Bの
Comパッド37cから、補助容量配線用幹配線接続線
64aA,64bA,64aB,64bBを介して、補
助容量配線用信号p4(図14(d))が入力される。
【0161】そして、集合基板61は、集合基板51
(図8)と同様に、切断線Mにおいて切断される。
【0162】このように、集合基板61は、走査線用シ
ョートリング接続線、信号線用ショートリング接続線、
補助容量配線用幹配線接続線が、第1段目のセルと第2
段目のセルとの境界において断絶されており、セルが複
数のブロックに分割されている。
【0163】すなわち、必要な信号系統が同一であるブ
ロック同士を一つのブロック群としてブロック間短絡配
線で接続し、アクティブマトリクス基板は複数のブロッ
ク群に分割された形になっている。なお、このブロック
群は複数のブロックによって構成されていても、単一の
ブロックで構成されていてもよい。
【0164】そして、集合基板61は、それぞれのブロ
ックにおける共通配線もしくはブロック間短絡配線に検
査用信号を入力する信号入力パッドが、機種間で共通化
された一定位置に設けられている。
【0165】また、上記の集合基板51(図8)と集合
基板61(図9)との間の構成として、以下のような構
成とすることもできる。
【0166】図10は、本実施の形態にかかるアクティ
ブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図で
ある。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成され
た配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された配
線を細線で示している。
【0167】図10に示すように、本実施の形態にかか
るアクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基
板と略する)71は、前記の集合基板61(図9)にお
いて、信号系統が同一である配線をブロック同士間で接
続した構成である。
【0168】具体的には、第1ブロック61Aのセルの
走査線2が接続された走査線用ショートリング接続線6
2aA,62bAと、第2ブロック61Bのセルの走査
線2が接続された走査線用ショートリング接続線62a
B,62bBとが、セルの第1段目と第2段目との境界
において、走査線用ショートリング接続線32a,32
b(図8)のように、それぞれ接続されている。なお、
接続された走査線用ショートリング接続線62aA,6
2aBおよび62bA,62bBを、それぞれ走査線用
ブロック間短絡配線72a,72bと記す。
【0169】同様に、第1ブロック61Aのセルの信号
線3が接続された信号線用ショートリング接続線63A
と、第2ブロック61Bのセルの信号線3が接続された
信号線用ショートリング接続線63B,62bBとが、
セルの第1段目と第2段目との境界において、信号線用
ショートリング接続線33(図8)のように、それぞれ
接続されている。なお、接続された信号線用ショートリ
ング接続線63A,63Bを、信号線用ブロック間短絡
配線73と記す。
【0170】第1ブロック61Aのセルの補助容量配線
4が接続された補助容量配線用幹配線接続線64aA,
64bAと、第2ブロック61Bのセルの補助容量配線
4が接続された補助容量配線用幹配線接続線64aB,
64bBとが、セルの第1段目と第2段目との境界にお
いて、補助容量配線用幹配線接続線34a,34b(図
8)のように、それぞれ接続されている。なお、接続さ
れた補助容量配線用幹配線接続線64aA,64aBお
よび64bA,64bBを、それぞれ補助容量配線用ブ
ロック間短絡配線74a,74bと記す。
【0171】そして、集合基板71は、集合基板51
(図8)と同様に、切断線Mにおいて切断される。
【0172】このように、集合基板71では、セルが同
一種の信号系統を共通に検査用配線で接続された複数個
のブロック(第1ブロック61A,第2ブロック61
B)に分割されており、かつ、同一種の信号系統が各ブ
ロック間短絡配線(走査線用ブロック間短絡配線72
a,72b,信号線用ブロック間短絡配線73,補助容
量配線用ブロック間短絡配線74a,74b))によっ
てブロック間で接続されている。そして、各ブロック間
短絡配線には、この配線に信号を入力すべき複数個の信
号入力パッド群37が、集合基板1の周縁部であって、
機種間で共通化された一定位置に設けられている。
【0173】これにより、信号入力パッド群37に対向
する位置に入力ピンが設けられたプローブフレームを用
いて検査を行うことで、複数ブロックおよび複数セルに
またがって信号入力を行うことができる。ゆえに、各ブ
ロックの構造の違いや機種の変更があっても、常に同一
のプローブフレームを用いて検査を行うことが可能にな
り、効率良く、安価にアクティブマトリクス基板を製造
することができる。
【0174】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板では、セルの切り出し
の際、セル内に走査線用ショートリングおよび信号線用
ショートリングが残るように、切断線Mにおいて切断す
る。
【0175】これにより、切り出されたセルの走査線2
および信号線3が走査線用ショートリングおよび信号線
用ショートリングによって接続されているため、点灯検
査を容易に行うことができる。また、各セルごとに余分
なパターンの有無の懸念がなく、同一形状のセルを得る
ことができる。さらに、分断後にもショートリングが残
っていることで、静電気からセルを守ることができる。
【0176】〔実施の形態5〕 本発明のさらに他の実施の形態について図11に基づい
て説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜
上、前述の従来の技術、実施の形態1から4において示
した構成と同一の部材には、同一の符号を付記し、その
説明を省略する。
【0177】図11は、本実施の形態にかかるアクティ
ブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図で
ある。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成され
た配線のみを示している。実際には、信号線が走査線と
交差する方向(図の横方向)に別のレイヤーで形成され
る。
【0178】図11に示すように、本実施の形態にかか
るアクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基
板と略する)81は、各セルにおいて、走査線用の共通
配線、補助容量配線用の共通配線、および信号線用の共
通配線がいずれも走査線のレイヤーに形成されている。
【0179】具体的には、集合基板81の走査線のレイ
ヤーに配設される配線は以下のとおりである。
【0180】各セルにおいて、セルの下端辺にそって配
設された一本の走査線用共通配線82に、セル内のすべ
ての走査線2が走査線端子2aを介して接続されてい
る。そして、各走査線用共通配線82は、セルの列ごと
に設けられた走査線用共通配線接続線84に接続されて
いる。すなわち、A列のセルA1,A2,A3の右端辺
に沿って各セルをまたいで配設された一本の走査線用共
通配線接続線84に、A列のセルの3本の走査線用共通
配線82が接続されている。さらに、この走査線用共通
配線接続線84は、セルA1の上方およびA3の下方に
隣接する集合基板81の周縁部にそれぞれ延設され、該
周縁部において端子(信号入力部)84a,84aと接
続されている。B列のセルB1,B2,B3、C列のセ
ルC1,C2,C3でも同様に、走査線2が接続された
走査線用共通配線82が、走査線用共通配線接続線84
にまとめられて端子84a,84aに接続されている。
【0181】また、各セルにおいて、セルの上端辺にそ
って配設された一本の補助容量配線用共通配線83に、
セル内のすべての補助容量配線4が接続されている。そ
して、各補助容量配線用共通配線83は、セルの列ごと
に設けられた補助容量配線用共通配線接続線85に接続
されている。すなわち、A列のセルA1,A2,A3の
左端辺に沿って各セルをまたいで配設された一本の補助
容量配線用共通配線接続線85に、A列のセルの3本の
補助容量配線用共通配線83が接続されている。さら
に、この補助容量配線用共通配線接続線85は、セルA
1の上方およびA3の下方に隣接する集合基板81の周
縁部にそれぞれ延設され、該周縁部において端子(信号
入力部)85a,85aと接続されている。B列のセル
B1,B2,B3、C列のセルC1,C2,C3でも同
様に、補助容量配線4が接続された補助容量配線用共通
配線83が、補助容量配線用共通配線接続線85にまと
められて端子85a,85aに接続されている。
【0182】さらに、セルの列ごとに、各セルの左端辺
に沿って各セルをまたいで、信号線用共通配線86・8
7およびスイッチ配線88がそれぞれ設けられている。
そして、この信号線用共通配線86・87およびスイッ
チ配線88は、各列のセルの上方および下方に隣接する
集合基板81の周縁部にそれぞれ延設され、該周縁部に
おいて端子(信号入力部)86a,86a、端子(信号
入力部)87a,87a、端子(信号入力部)88a,
88aと接続されている。なお、同図中では、セルの左
側から、信号線用共通配線86・87、スイッチ配線8
8、補助容量配線用共通配線接続線85の順で配設され
ている。
【0183】このように、集合基板81では、信号線側
の検査用配線が、前述のアクティブ素子を介して信号入
力する方式をとっているため、奇数番目の信号線に対す
る検査用の信号線用共通配線86、偶数番目の信号線に
対する検査用の信号線用共通配線87およびアクティブ
素子をオンオフするためのスイッチ配線88を有してい
る。そして、それぞれのセルにおける信号線用共通配線
86・87およびスイッチ配線88は、走査線を形成す
るレイヤーにおいて、他のセルの同種の配線と互いに電
気的に接続されて形成されている。
【0184】ここで、信号線用共通配線86・87およ
びスイッチ配線88を走査線レイヤーによって形成する
理由を説明する。
【0185】これら配線はいずれもセル端において信号
線との交差部を有するが、前述のとおり検査終了後もセ
ル内にそのままの形態で残存するため、この交差部の両
レイヤーの間に設けられる絶縁膜には低い欠陥密度と高
度な信頼性が要求される。しかし、例えば一般に使われ
ているCVD(chemical vapor deposition)によって
成膜されたSiNxなどの絶縁膜は、下層のレイヤーの
配線の段差を乗り越える部分で亀裂が生じ易く、絶縁膜
自体にもピンホールなどの欠陥が多い。これを補うため
に、下層のレイヤーのパターニング後などに、陽極酸化
を施して二重の絶縁膜構造とすることを行う。
【0186】そこで、信号線用共通配線86・87およ
びスイッチ配線88を走査線レイヤーにも陽極酸化を施
すことが有効である。しかし、従来の構造のように、セ
ルごとに陽極酸化が必要なレイヤーに形成されたショー
トリングによって囲んだ構造のセルを縦横に配列して、
基板端からショートリングを一括して陽極酸化する方式
では、セル内で信号線用共通配線86・87およびスイ
ッチ配線88が走査線用共通配線82と短絡された構造
となってしまい、検査に先立ってこれらを電気的に開放
するためにレーザ切断等を施さなければならなくなる。
【0187】この点、集合基板81は、2層の導電性レ
イヤーによって、複雑に縦横に交差する配線構造を整理
してうまく一方向に引き出すことにより、後工程でレー
ザ切断などのプロセス追加をもたらすことなく、陽極酸
化および検査信号入力を可能にする構造となっている。
【0188】すなわち、集合基板81では、それぞれの
配線ごとに図の縦方向に陽極酸化および検査信号の伝達
をされるべき配線がつながっている。これにより、陽極
酸化時には、端子84a,85a,86a,87a,8
8aが形成されている1辺に導電バーなどを接触させる
ことによって、各端子からプラス電圧を印加して電解液
に浸ければよい。また、電気的検査時には、前述の各実
施の形態と同じように、端子84aから検査用走査信号
を、端子85aから補助容量用の電圧を、端子86a,
87aから検査用信号を、端子88aからアクティブ素
子をオンにするべき電圧を、それぞれ入力するにより効
率よく検査することができる。
【0189】さらに、プローブフレームの設計をはじめ
とする、電気的検査上のさまざまな利点は前述各実施の
形態と同様である。なお、集合基板81の上下端の周縁
部において、図の横方向に同種の端子(検査用信号入力
パッド)同士を、信号線のレイヤーによって接続して、
検査用の信号入力の個所をさらに減らすことが有効であ
ることも前述のとおりである。
【0190】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板81では、走査線(第
1の配線)2が接続された走査線用共通配線82ならび
に走査線用共通配線82が接続された走査線用共通配線
接続線84、補助容量配線4が接続された補助容量配線
用共通配線83ならびに補助容量配線用共通配線83が
接続された補助容量配線用共通配線接続線85、信号線
(第2の配線)が共通に接続された信号線用共通配線8
6・87およびスイッチ配線88がいずれも走査線もし
くは信号線のいずれかを構成するレイヤーのうちのより
下層にあるレイヤーによって形成されている。そして、
これら共通配線は、セルの繰り返しパターンが形成され
ている領域内では電気的につながっていない。
【0191】これにより、2層の導電性レイヤーによっ
て複雑に縦横に交差する配線構造を整理して一方向に引
き出すことができる。しかも、検査用短絡配線を含む各
配線の交差部の絶縁膜を、下層のレイヤーの陽極酸化膜
との2層構造とすることにより、良品率や信頼性を確保
することができ、かつ大判での電気的検査を実施する前
に系統の異なる配線間をレーザ等で切断する工程を追加
することなく、陽極酸化および検査信号入力が可能とな
る。また、走査線や信号線や半導体素子を静電気から守
ることができる。
【0192】〔実施の形態6〕 本発明のさらに他の実施の形態について図12、図1
3、および図14に基づいて説明すれば、以下のとおり
である。なお、説明の便宜上、前述の従来の技術、実施
の形態1から5において示した構成と同一の部材には、
同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【0193】図12は、本実施の形態にかかるアクティ
ブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図で
ある。なお、同図中では、走査線のレイヤーに形成され
た配線を太線で示し、信号線のレイヤーに形成された配
線を細線で示している。
【0194】図12に示すように、本実施の形態にかか
るアクティブマトリクス基板の集合基板(以下、集合基
板と略する)91は、前記の実施の形態5において比較
として述べた、セルごとにショートリングで囲んだ構造
である。
【0195】具体的には、集合基板91の配線は以下の
とおりである。
【0196】走査線用ショートリング5a,5cおよび
5b,5dが、集合基板91の周縁部において、走査線
用ショートリング接続線92a,92bにそれぞれ接続
されている。4個の信号入力パッド群37が、セルA
1,A3,C1,C3に隣接する集合基板91の周縁部
にそれぞれ設けられている。走査線用ショートリング接
続線92a,92bは、信号入力パッド群37のGoパ
ッド37a、Geパッド37b(図13)にそれぞれ接
続されている。
【0197】さらに、陽極酸化のために、陽極酸化用電
圧印加端子99が、セルB3の下方に隣接する周縁部
に、走査線用ショートリング5dに接続されて設けられ
ている。また、A列のセルの右端辺に沿って各セルをま
たいで、陽極酸化電圧供給線96が設けられており、こ
れに走査線用ショートリング5a〜5dがそれぞれ接続
されている。
【0198】各セルの信号線3は、各セルの境界を越え
て左方へ延設されており、セルの左端辺に沿って配設さ
れた信号線用ショートリング93に、信号線端子3aを
介して接続されている。信号線用ショートリング93は
下方に延設されており、セルの段ごとに設けられた走査
線用ショートリング5b〜5dにそれぞれ接続されてい
る。
【0199】また、セルの列ごとに、各セルの右端辺に
沿って各セルをまたいで、信号線用検査用配線(信号線
用共通配線)97およびスイッチ配線98がそれぞれ設
けられている。そして、信号線用検査用配線97は、各
列のセルの上方に隣接する集合基板91の周縁部にそれ
ぞれ延設され、該周縁部において信号線用検査用配線接
続線94に接続されている。この信号線用検査用配線接
続線94は、集合基板91の左右両端の周縁部におい
て、セルに沿って配線されており、4個の信号入力パッ
ド群37のRパッド37d(図13)にそれぞれ接続さ
れている。同様に、スイッチ配線98は、各列のセルの
下方に隣接する集合基板91の周縁部にそれぞれ延設さ
れ、該周縁部においてスイッチ配線接続線95に接続さ
れている。このスイッチ配線接続線95は、集合基板9
1の左右両端の周縁部において、セルに沿って配線され
ており、4個の信号入力パッド群37のSWパッド37
g(図13)にそれぞれ接続されている。
【0200】ここで、信号線用検査用配線97およびス
イッチ配線98は、走査線のレイヤーと信号線のレイヤ
ーの2層にまたがって構成されている。すなわち、信号
線用検査用配線97およびスイッチ配線98は、有効表
示領域のマトリクス部分では走査線のレイヤーによって
形成されており、一方セル境界を含む領域では信号線の
レイヤーによって形成されている。つまり、信号線用検
査用配線97およびスイッチ配線98は、セルの上下両
端のセル境界を信号線のレイヤーに引き継いでまたぐこ
とになる。さらに、セル下端のレイヤーの引継ぎ個所で
は、走査線のレイヤーの配線がセルの右端辺寄りに分岐
されており、信号線用検査用配線切断部97aおよびス
イッチ配線切断部98aとして、走査線用ショートリン
グ5b〜5dにそれぞれ接続されている。なお、信号線
用検査用配線切断部97aおよびスイッチ配線切断部9
8aは、陽極酸化後電気的検査前に、切断線Nにおい
て、レーザ切断される。また、図12中では、セルの右
端辺から、信号線用検査用配線97、スイッチ配線98
の順で配設されている。
【0201】上記集合基板91は、このような構造を有
することにより、以下のような利点がある。
【0202】まず、一般に、陽極酸化の際、配線の途中
に断線などの欠陥があった場合、この部分よりも先のセ
ルには陽極酸化が施されない。これは断線のみならず例
えば信号入力パッドにおける接触不良でも同様である。
【0203】この点、集合基板91では、各ショートリ
ングが各セルごとに設けられており、これらを互いに隣
接セルと共有する構造であるため、たとえ断線個所があ
っても周りのセルを迂回してショートリングに電圧が印
加されるため、支障なく陽極酸化を行うことができる。
【0204】ここで、集合基板91では、陽極酸化用電
圧印加端子99に供給された電圧は、走査線用ショート
リング5dを通って、陽極酸化電圧供給線96により上
方のセルに伝わる。陽極酸化電圧供給線96から走査線
用ショートリング5a〜5cに分岐して、各セルに陽極
酸化が施される。
【0205】ただし、図12に示した集合基板91に
は、電気的検査時の信号の流れをよりわかり易くするた
め、最も簡単な形態を示している。よって、この方式で
は、上記の断線対策を講じたことにはならない。
【0206】そこで、その解決策として、各列のセルご
とに、走査線用ショートリング5a,5b,5c,5d
間を接続する配線を設けることが有効である。この場
合、新たに設けた配線を、電気的検査前にレーザ切断し
なければならないため、図12の場合より切断個所が増
えるが、陽極酸化の時点では、ショートリングが縦横マ
トリクス状に接続された形態となっているため、上記の
断線対策となる。さらに、集合基板91の左方の周縁部
に、走査線用ショートリング5a〜5dを短絡する配線
を付け加えてもよい。そして、これらの配線は、陽極酸
化時には断線対策として有効であるが、電気的検査時に
は走査線用ショートリング5a,5cおよび5b,5d
というように、同種の信号を供給するべき配線ごとに切
断しなければならないため、これら配線を切断線Nの近
傍に配設しておき、検査前に切断線Nに沿ってレーザ切
断する際に同時に切断すればよい。
【0207】第二に、電気的検査前のレーザ切断より以
前の状態において、静電気が飛来したとき、アクティブ
素子や絶縁膜にダメージを与えることがない。すなわ
ち、集合基板91では、レーザ切断以前には、ショート
リングが信号系統ごとではなく、全配線がショートリン
グで短絡されているので、集合基板全体の電位に変化が
生じても、走査線信号線間、信号線補助容量配線間など
の基板のいずれかの配線間に過大な電圧がかかることが
ない。
【0208】さて、このように形成された集合基板91
の電気的検査を行う際には、検査に先立って切断線Nに
沿って異種信号系統間の導通を解除する。
【0209】図12に示したように、信号線用検査用配
線97およびスイッチ配線98は、いずれもセル間をま
たぐ手前で信号線のレイヤーにも引き継がれ、セル間に
存在する各信号系統共通の走査線用ショートリング5b
〜5dをまたぐ場所では、走査線のレイヤーの信号線用
検査用配線切断部97aおよびスイッチ配線切断部98
aとは離れた位置にある。
【0210】このため、切断線Nにおいて、信号線用検
査用配線切断部97aおよびスイッチ配線切断部98a
をレーザ切断することにより、陽極酸化に必要であった
走査線レイヤーでの接続が解除され、異種配線とは絶縁
される。しかし、同一列のセルの信号線用検査用配線9
7およびスイッチ配線98は、信号線レイヤーの短絡線
を通じて互いに導通が維持される。このため、電気的検
査の際、信号入力パッド群37から検査用信号を入力す
ることにより、すべてのセルに検査用信号を供給して、
検査を行うことができる。
【0211】さらに、集合基板91の周縁部に信号入力
パッド群37を機種間で共通化された位置に配設して、
機種によらず同一のプローブフレームを用いることが可
能であることによる、プローブフレームの製造上のコス
トメリットなどは各実施の形態において上述したとおり
である。
【0212】ちなみに、切断線Nにおける切断の際、信
号線用検査用配線切断部97aとスイッチ配線切断部9
8aとに加えて、同時に信号線用ショートリング93を
解放することが、電気的検査を行う上で必要であること
はいうまでもない。そのため、これら3配線はセルごと
の切断場所に集めて配設されているため、適当なスリッ
ト幅を設定したレーザ照射により1回で切断でき、非常
に効率がよい。すなわち、n個×m個のセルが配列され
た集合基板であれば、(n+1)×m回のレーザ照射に
より切断は完了する。集合基板91では、9セルに対し
て合計12回の照射でよい。このため、レーザ切断にか
かる作業量(タクト)の増加は必要最低限に抑えられ、
量産上極めて有利である。
【0213】また、集合基板91では、検査用表示信号
p3(図14(c))をRGBごとでなく、すべての信
号線3に対して単一信号を入力するため、信号線3を1
本の信号線用ショートリング93に接続している。しか
し、検査用表示信号をRGBごとや偶奇ごとに入力する
場合には、信号系統ごとに信号線用ショートリングを設
けるか、信号線3同士を短絡させない。さらに、電気的
検査がアクティブ素子を介して行う方式でなく、信号線
用ショートリング93から検査用表示信号を入力する場
合には、信号線用ショートリング93への検査用表示信
号の入力は、セル間の境界での構造を信号線用検査用配
線97と同じようにしておいて、分岐した切断部をレー
ザ切断すればよく、効果は同じである。なお、このよう
な変形例においても、本発明の趣旨および効果はなんら
変わるものではない。
【0214】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板91では、走査線もし
くは信号線のいずれかを構成するレイヤーのうちのより
下層のレイヤーである走査線レイヤーによって、信号線
用ショートリング93、信号線用検査用配線97、スイ
ッチ配線98、およびこれらが接続された走査線用ショ
ートリング5b〜5dが形成されており、かつ、隣接す
るセルの信号線用検査用配線97およびスイッチ配線9
8同士が信号線のレイヤー(導電性薄膜)を介して電気
的に接続されている。
【0215】これにより、走査線のレイヤーにより陽極
酸化を行うすべての配線を接続して形成し、陽極酸化
後、異種配線の接続を解除することができる。さらに、
隣接セルの同種の配線を、信号線のレイヤーにより電気
的に接続させて、電気的検査を行うことができる。
【0216】よって、信号線や走査線や半導体素子を静
電気から守ることができる。同時に、検査用短絡配線を
含む各配線の交差部の絶縁膜が下層のレイヤーの陽極酸
化膜との2層構造となるため、良品率や信頼性を確保す
ることができる。さらに、大判での電気的検査を実施す
る前に、下層のレイヤーで電気的に接続された異種配線
間をレーザ等で切断しても、上層のレイヤーで隣接セル
の同種の短絡配線と電気的に接続されているため、電気
的検査が可能となる。
【0217】なお、本発明の各実施の形態は本発明の範
囲を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変
更が可能である。
【0218】最後に、アクティブマトリクス基板の集合
基板の各セルに、個別に信号を供給するのではなく、集
合基板内の特定の個所に信号を供給することによって、
複数のセルに同時に信号を供給することの重要性は、従
来より認識されていた。したがって、本発明と若干の共
通点がある技術もある。
【0219】特開平2−222925号公報に、単純マ
トリクス方式の点灯検査の場合として、複数のセルの配
線もしくは端子の端を短絡線で電気的にショートさせて
おき、この短絡線の入力パッドに電圧を加えることで複
数のセルを同時に点灯検査する技術が開示されている。
ただし、この技術は、単純マトリクス方式が単一基板上
に行方向もしくは列方向のいずれか1種類の信号系統し
か持たないため、これらすべてを単純に電気的に接続し
てさえいれば目的を果たすものであった。
【0220】これに対して、本発明は、アクティブマト
リクス方式についての技術であり、少なくとも走査線、
信号線および対向共通電極への信号入力部を備え、場合
によっては補助容量配線および欠陥修正用の予備配線を
備えているという点で事情が大きく異なる。しかも、前
述の目的を達するために、複数種の信号入力が必要な基
板に対して信号入力個所をいかに効率的に設けて入力点
数を減らし、また検査時の効率の妨げとなる信号入力部
の構造をいかに改善するかを考慮してなされたものであ
る。これは、従来の考え方にあった、単純に電圧や信号
が印加されることだけを目的としたのとは大きく異なっ
ている。
【0221】さらに、従来のアクティブマトリクス基板
においては、絶縁性の補強や信頼性向上をはかる目的
で、信号線もしくは走査線のうちより下層にあるレイヤ
ーに陽極酸化を施すため、および静電気による破壊を防
ぐために、あらかじめ全配線をショートリングと呼ばれ
る短絡線で導通させておくことが一般的である。ただ
し、上記複数種の信号の入力のためにはあらかじめ信号
の系統ごとに別々のショートリングで導通させておく
か、工程のある段階でショートリングを系統ごとに切り
離すことも考慮しておかねばならない。
【0222】このように、本発明にかかるアクティブマ
トリクス基板の集合基板は、従来のアクティブマトリク
ス、単純マトリクスのいずれの構造とも考え方を異にす
るものである。すなわち、アクティブマトリクス基板を
大判のまま、効率および精度ともに高く電気的検査を行
い、しかも検査用のプローブフレームを容易かつ安価に
作成するために考えられた、全く新しい構造である。
【0223】
【発明の効果】以上のように、本発明のアクティブマト
リクス基板の集合基板は、絶縁性基板上に、複数の絵素
電極、該絵素電極に個別に接続される絵素スイッチング
素子、該絵素スイッチング素子を介して該絵素電極を駆
動する、格子状に配設された複数の走査線および信号線
を有するアクティブマトリクス基板が複数個形成されて
いるアクティブマトリクス基板の集合基板において、上
記の各アクティブマトリクス基板には、該アクティブマ
トリクス基板の走査線に接続された走査線用共通配線
と、該アクティブマトリクス基板の信号線に接続された
信号線用共通配線とが、上記走査線を形成するレイヤー
と上記信号線を形成するレイヤーとのうちのより下層に
あるレイヤーによって形成されるとともに、上記走査線
および上記信号線のどちらかであって上記下層にあるレ
イヤーによって形成される方を第1の配線とし、上記第
1の配線の延設方向にそって隣接する複数の上記アクテ
ィブマトリクス基板について、上記走査線用共通配線と
上記信号線用共通配線とのうちの上記第1の配線に接続
された方の共通配線が、上記下層にあるレイヤーによっ
て上記第1の配線にそって配設される共通配線接続線に
共通に接続され、上記走査線および上記信号線の上記第
1の配線とは異なる方を第2の配線とし、上記第 1の配
線の延設方向にそって隣接する複数の上記アクティブマ
トリクス基板について、上記走査線用共通配線と上記信
号線用共通配線とのうちの上記第2の配線に接続された
方の共通配線が、上記下層にあるレイヤーによって電気
的に接続され、さらに、上記走査線用共通配線、上記信
号線用共通配線、および上記共通配線接続線には、陽極
酸化が施されている構成である。
【0224】それゆえ、2層の導電性レイヤーによって
複雑に縦横に交差する配線構造を整理して一方向に引き
出すことができるという効果を奏する。
【0225】また、本発明のアクティブマトリクス基板
の集合基板は、絶縁性基板上に、複数の絵素電極、該絵
素電極に個別に接続される絵素スイッチング素子、該絵
素スイッチング素子を介して該絵素電極を駆動する、格
子状に配設された複数の走査線および信号線を有するア
クティブマトリクス基板が複数個形成されているアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板において、上記の各アク
ティブマトリクス基板には、該アクティブマトリクス基
板の走査線に接続された走査線用共通配線と、該アクテ
ィブマトリクス基板の信号線に接続された信号線用共通
配線とが、上記走査線を形成するレイヤーと上記信号線
を形成するレイヤーとのうちのより下層にあるレイヤー
によって形成されるとともに、上記の各アクティブマト
リクス基板の上記走査線用共通配線は、上記走査線を形
成するレイヤーによって、他のアクティブマトリクス基
板の上記走査線用共通配線と電気的に接続され、かつ、
上記の各アクティブマトリクス基板の上記信号線用共通
配線は、上記信号線を形成するレイヤーによって、他の
アクティブマトリクス基板の上記信号線用共通配線と電
気的に接続され、上記走査線用共通配線と上記信号線用
共通配線とは、上記下層にあるレイヤーによって形成さ
れた陽極酸化後に切断される配線によって接続され、さ
らに、上記走査線用共通配線および上記信号線用共通配
線には、陽極酸化が施されている構成である。
【0226】それゆえ、走査線のレイヤーにより陽極酸
化を行うすべての配線を接続して形成し、陽極酸化後、
異種配線の接続を解除することができるという効果を奏
する
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態にかかるアクティブマト
リクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図である。
【図2】本発明の他の実施の形態にかかるアクティブマ
トリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図であ
る。
【図3】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。
【図4】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。
【図5】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。
【図6】図5、および図7から図10に示すアクティブ
マトリクス基板の集合基板の信号入力パッド群の概略を
示す平面模式図である。
【図7】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。
【図8】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。
【図9】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアクテ
ィブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式図
である。
【図10】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式
図である。
【図11】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板の走査線のレイヤーの
概略を示す平面模式図である。
【図12】本発明のさらに他の実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板の集合基板の概略を示す平面模式
図である。
【図13】図12に示すアクティブマトリクス基板の集
合基板の信号入力パッド群の概略を示す平面模式図であ
る。
【図14】同図(a)から(d)は、図1から図5、お
よび図7から図12に示すアクティブマトリクス基板の
集合基板の電気的検査時に印加される各信号のタイミン
グチャートである。
【図15】アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成
するアクティブマトリクス基板の1絵素部の平面模式図
である。
【図16】アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成
するアクティブマトリクス基板の要部断面図である。
【図17】従来のアクティブマトリクス基板の1セルの
概略を示す平面模式図である。
【図18】従来のアクティブマトリクス基板の1セルの
等価回路図である。
【符号の説明】
1,11,12,21,31,41,51,61,7
1,81,91集合基板 2 走査線(第1の配線) 3 信号線(第2の配線) 5b,5c,5d,35a,35b,35c,65a,
65b,65c 走査線用ショートリング(走査線用共通配線) 82 走査線用共通配線 6a,6b,6c,6aA,6bA,6cA,6aB,
6bB,6cB, 67 信号線用ショートリング(信号線用共通配線) 86,87 信号線用共通配線 97 信号線用検査用配線(信号線用共通配線) 17a,17b,17′a,17′b 走査線用信号入
力パッド(信号入力部) 18,18′ 信号線用信号入力パッド(信号入力部) 23,37,37A,37B 信号入力パッド群(信号
入力部) 41A,61A 第1ブロック(ブロック) 41B,61B 第2ブロック(ブロック) 84a,85a,86a,87a,88a 端子(信号
入力部) A1,A2,A3,B1,B2,B3,C1,C2,C
3 セル(アクティブマトリクス基板) p1,p2 検査用走査信号 p3 検査用表示信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼濱 学 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−287250(JP,A) 特開 平9−26591(JP,A) 特開 昭60−64378(JP,A) 特開 平9−258670(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1345 G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/13 101 G02F 1/1333

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁性基板上に、複数の絵素電極、該絵素
    電極に個別に接続される絵素スイッチング素子、該絵素
    スイッチング素子を介して該絵素電極を駆動する、格子
    状に配設された複数の走査線および信号線を有するアク
    ティブマトリクス基板が複数個形成されているアクティ
    ブマトリクス基板の集合基板において、 上記の各アクティブマトリクス基板には、該アクティブ
    マトリクス基板の走査線に接続された走査線用共通配線
    と、該アクティブマトリクス基板の信号線に接続された
    信号線用共通配線とが、上記走査線を形成するレイヤー
    と上記信号線を形成するレイヤーとのうちのより下層に
    あるレイヤーによって形成されるとともに、上記走査線および上記信号線のどちらかであって上記下
    層にあるレイヤーによって形成される方を第1の配線と
    し、上記第1の配線の延設方向にそって隣接する複数の
    上記アクティブマトリクス基板について、上記走査線用
    共通配線と上記信号線用共通配線とのうちの上記第1の
    配線に接続された方の共通配線が、上記下層にあるレイ
    ヤーによって上記第1の配線にそって配設される共通配
    線接続線に共通に接続され、 上記走査線および上記信号線の上記第1の配線とは異な
    る方を第2の配線とし、上記第1の配線の延設方向にそ
    って隣接する複数の上記アクティブマトリクス基板につ
    いて、上記走査線用共通配線と上記信号線用共通配線と
    のうちの上記第2の配線に接続された方の共通配線が、
    上記下層にあるレイヤーによって電気的に接続され、 さらに、上記走査線用共通配線、上記信号線用共通配
    線、および上記共通配線接続線には、陽極酸化が施され
    ている ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の集
    合基板。
  2. 【請求項2】絶縁性基板上に、複数の絵素電極、該絵素
    電極に個別に接続される絵素スイッチング素子、該絵素
    スイッチング素子を介して該絵素電極を駆動する、格子
    状に配設された複数の走査線および信号線を有するアク
    ティブマトリクス基板が複数個形成されているアクティ
    ブマトリクス基板の集合基板において、 上記の各アクティブマトリクス基板には、該アクティブ
    マトリクス基板の走査線に接続された走査線用共通配線
    と、該アクティブマトリクス基板の信号線に接続された
    信号線用共通配線とが、上記走査線を形成するレイヤー
    と上記信号線を形成するレイヤーとのうちのより下層に
    あるレイヤーによって形成されるとともに、 上記の各アクティブマトリクス基板の上記走査線用共通
    配線は、上記走査線を形成するレイヤーによって、他の
    アクティブマトリクス基板の上記走査線用共通配線と電
    気的に接続され、 かつ、上記の各アクティブマトリクス基板の上記信号線
    用共通配線は、上記信号線を形成するレイヤーによっ
    て、他のアクティブマトリクス基板の上記信号線用共通
    配線と電気的に接続され 上記走査線用共通配線と上記信号線用共通配線とは、上
    記下層にあるレイヤーによって形成された陽極酸化後に
    切断される配線によって接続され、 さらに、上記走査線用共通配線および上記信号線用共通
    配線には、陽極酸化が施されている ことを特徴とするア
    クティブマトリクス基板の集合基板。
JP19922798A 1998-07-14 1998-07-14 アクティブマトリクス基板の集合基板 Expired - Fee Related JP3481465B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19922798A JP3481465B2 (ja) 1998-07-14 1998-07-14 アクティブマトリクス基板の集合基板
US09/348,659 US6172410B1 (en) 1998-07-14 1999-07-06 Collective substrate of active-matrix substrates, manufacturing method thereof and inspecting method thereof
TW088111468A TW559684B (en) 1998-07-14 1999-07-06 Collective substrate of active-matrix substrates, manufacturing method thereof and inspecting method thereof
KR1019990028129A KR100338830B1 (ko) 1998-07-14 1999-07-13 액티브 매트릭스 기판의 집합 기판, 및 그 제조 방법 및 그 검사 방법
US09/710,847 US6677171B1 (en) 1998-07-14 2000-11-14 Manufacturing method of collective substrate of active-matrix substrates, manufacturing method of active-matrix substrates, and inspecting method of collective substrates of active-matrix substrates

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19922798A JP3481465B2 (ja) 1998-07-14 1998-07-14 アクティブマトリクス基板の集合基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000029067A JP2000029067A (ja) 2000-01-28
JP3481465B2 true JP3481465B2 (ja) 2003-12-22

Family

ID=16404273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19922798A Expired - Fee Related JP3481465B2 (ja) 1998-07-14 1998-07-14 アクティブマトリクス基板の集合基板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6172410B1 (ja)
JP (1) JP3481465B2 (ja)
KR (1) KR100338830B1 (ja)
TW (1) TW559684B (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6677171B1 (en) * 1998-07-14 2004-01-13 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of collective substrate of active-matrix substrates, manufacturing method of active-matrix substrates, and inspecting method of collective substrates of active-matrix substrates
KR100724745B1 (ko) * 2000-09-30 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 검사방법
KR100643562B1 (ko) * 2000-11-28 2006-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 소형 액정표시장치용 액정 셀의 제조공정
JP2002196352A (ja) * 2000-12-07 2002-07-12 Koninkl Philips Electronics Nv 予備配線を有する液晶表示装置
US6750939B2 (en) * 2001-04-25 2004-06-15 Agilent Technologies, Inc. System and method for manufacturing liquid crystal micro displays
JP2002372928A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Sony Corp タイリング型表示装置及びその製造方法
KR100777724B1 (ko) * 2002-02-07 2007-11-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전자 발광소자와, 이의 기판 및 그 절단방법
JP4003471B2 (ja) * 2002-02-12 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
US6774958B2 (en) * 2002-02-26 2004-08-10 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal panel, apparatus for inspecting the same, and method of fabricating liquid crystal display thereof
KR100904259B1 (ko) * 2002-06-14 2009-06-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 공정라인 및 이를 이용한 제조방법
JP4050100B2 (ja) * 2002-06-19 2008-02-20 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板および表示装置
KR100900537B1 (ko) * 2002-08-23 2009-06-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치, 그 검사 방법 및 제조 방법
JP4294311B2 (ja) 2002-12-27 2009-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法および表示装置の加工基板
KR100871994B1 (ko) * 2002-12-31 2008-12-05 엘지디스플레이 주식회사 다수의 어레이셀을 포함하는 아이피티엠피에스 검사용 기판
JPWO2004109375A1 (ja) * 2003-06-06 2006-07-20 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 基板の検査方法
TWI239403B (en) * 2003-08-26 2005-09-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd A combining detection circuit for a display panel
CN1926463A (zh) * 2004-03-03 2007-03-07 东芝松下显示技术有限公司 检查阵列基板的方法
KR100828294B1 (ko) * 2004-04-29 2008-05-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법
JP2006091239A (ja) 2004-09-22 2006-04-06 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに検査方法
KR101074410B1 (ko) * 2004-11-17 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시장치와 그의 검사방법
JP4752279B2 (ja) * 2005-02-07 2011-08-17 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイパネル
KR101040115B1 (ko) * 2005-02-24 2011-06-09 에스케이씨 주식회사 유기발광 다이오드 표시소자의 기판 배선 구조 및 방법
KR101277748B1 (ko) * 2005-04-11 2013-06-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 모 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR20070008740A (ko) * 2005-07-12 2007-01-18 삼성전자주식회사 표시장치용 모기판 및 이의 제조 방법
JP4964444B2 (ja) * 2005-08-31 2012-06-27 京セラディスプレイ株式会社 表示素子の製造方法
WO2007108151A1 (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置およびその製造方法
KR100872066B1 (ko) 2007-06-18 2008-12-05 (주)엠투엔 프로브 기판 조립체
KR100906495B1 (ko) * 2007-06-18 2009-07-08 (주)엠투엔 프로브 기판 조립체
JP4911169B2 (ja) * 2008-12-25 2012-04-04 三菱電機株式会社 アレイ基板及び表示装置
CN101592804B (zh) * 2009-06-18 2011-07-06 友达光电股份有限公司 一种显示装置母基板、显示装置基板及其制造方法
KR101094289B1 (ko) * 2009-10-14 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 원장 검사 장치 및 그 검사 방법
CN102667679A (zh) * 2009-12-28 2012-09-12 夏普株式会社 显示装置
CN102566168B (zh) * 2010-12-30 2014-11-26 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
TWI484254B (zh) * 2012-04-30 2015-05-11 Au Optronics Corp 光調變面板之母板、光調變面板及立體顯示裝置
CN102879926B (zh) 2012-09-19 2014-12-10 深圳市华星光电技术有限公司 实现两种显示面板共用治具的排版结构及其方法
KR102392889B1 (ko) * 2015-08-07 2022-05-03 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN106501978B (zh) * 2017-01-04 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板不良信息的分析方法和分析装置
CN107068029B (zh) * 2017-06-20 2019-11-22 惠科股份有限公司 一种显示面板的测试电路及测试方法
CN107656642B (zh) * 2017-09-20 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板、基板、触控基板及基板的切割方法
CN109445217A (zh) 2019-01-04 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板母板及显示面板母板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222925A (ja) 1988-11-07 1990-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
JP2728748B2 (ja) 1989-10-30 1998-03-18 松下電子工業株式会社 画像表示装置およびその検査方法
US5406213A (en) 1991-09-10 1995-04-11 Photon Dynamics, Inc. Instrument for testing liquid crystal display base plates
JP3203864B2 (ja) * 1992-03-30 2001-08-27 ソニー株式会社 アクティブマトリックス基板の製造方法、検査方法および装置と液晶表示装置の製造方法
JPH075481A (ja) 1993-06-18 1995-01-10 Fujitsu Ltd 液晶表示パネルおよびその検査方法
JP3247799B2 (ja) 1994-06-09 2002-01-21 シャープ株式会社 液晶表示パネルおよびその検査方法
JP3315834B2 (ja) * 1995-05-31 2002-08-19 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
JP3143592B2 (ja) * 1995-09-14 2001-03-07 キヤノン株式会社 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100338830B1 (ko) 2002-05-31
JP2000029067A (ja) 2000-01-28
TW559684B (en) 2003-11-01
US6172410B1 (en) 2001-01-09
KR20000011657A (ko) 2000-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3481465B2 (ja) アクティブマトリクス基板の集合基板
US7724314B2 (en) Method for repairing a short in a substrate for a display and display repaired according to that method
KR100241487B1 (ko) 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 화소 결함 수정 방법
US8083561B1 (en) Liquid crystal display panel and method for repairing signal line thereof
KR100479525B1 (ko) 다수의 어레이셀을 포함하는 액정표시장치용 기판 및 이의 제조방법
US20090244420A1 (en) Liquid Crystal Display, Array Substrate and Mother Glass Thereof
WO2006064789A1 (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法
KR100235169B1 (ko) 액티브 매트릭스 기판
KR20100130548A (ko) 표시 장치
KR101187200B1 (ko) 스위칭 소자와 연결되는 테스트 라인을 구비하는액정표시장치
CN105786253A (zh) 阵列基板、显示面板、触控中心坐标确定方法及显示装置
US6677171B1 (en) Manufacturing method of collective substrate of active-matrix substrates, manufacturing method of active-matrix substrates, and inspecting method of collective substrates of active-matrix substrates
CN101082706B (zh) 液晶显示装置
JP4725358B2 (ja) カラー液晶表示パネル
CN101726943B (zh) 主动元件阵列基板、液晶显示面板及两者的检测方法
KR20000065730A (ko) 액정표시장치의 tft어레이 기판 및 그 검사방법
JP2006276368A (ja) アレイ基板とその検査方法
JP2002098999A (ja) 液晶表示装置
JPH09138418A (ja) 液晶マトリックス表示パネルの検査方法
KR101294230B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판
KR20040061951A (ko) 액정표시장치의 패드 구조
JPH11119246A (ja) 液晶表示装置の製造方法
JPH11119250A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法
JP2002277896A (ja) 液晶表示装置及び画面表示応用装置
JPH0750278B2 (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071010

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101010

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees