JPH0418525A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH0418525A JPH0418525A JP2123446A JP12344690A JPH0418525A JP H0418525 A JPH0418525 A JP H0418525A JP 2123446 A JP2123446 A JP 2123446A JP 12344690 A JP12344690 A JP 12344690A JP H0418525 A JPH0418525 A JP H0418525A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビジョン受像機やコンピュータ端末機の
表示装置に応用されているアクティブマトリクス型の液
晶表示装置およびその製造方法に関する。
表示装置に応用されているアクティブマトリクス型の液
晶表示装置およびその製造方法に関する。
従来の技術
近年、アクティブマトリクス液晶表示装置は、高精細の
画質を実現するために画素の高集積化が盛んに研究開発
されている。
画質を実現するために画素の高集積化が盛んに研究開発
されている。
以下、従来の液晶表示装置の構成について第３図を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
図において、２１はガラス基板、２２はソース、２３は
ドレイン、２４はゲート絶縁膜、２５はゲート電極、２
６はノンドープシリカガラス（ＮＳＣ）の眉間絶縁膜、
２７はＩＴＯからなる透明画素電極、２８は画素トラン
ジスタに映像信号を与えるアルミニウム等からなるソー
ス信号線、２９は液晶、３０は透明共通電極、３１はガ
ラス基板である。すなわち、ソース信号線２８と画素の
液晶駆動用の透明画素電極２７が平坦なガラス基板２１
上に形成されている。
ドレイン、２４はゲート絶縁膜、２５はゲート電極、２
６はノンドープシリカガラス（ＮＳＣ）の眉間絶縁膜、
２７はＩＴＯからなる透明画素電極、２８は画素トラン
ジスタに映像信号を与えるアルミニウム等からなるソー
ス信号線、２９は液晶、３０は透明共通電極、３１はガ
ラス基板である。すなわち、ソース信号線２８と画素の
液晶駆動用の透明画素電極２７が平坦なガラス基板２１
上に形成されている。
発明が解決しようとする課題
このような従来の液晶表示装置では、手用なガラス基板
上に薄膜トランジスタを形成しているので、画素電極２
７と信号線２８の上面が同じかまたは近接し、そのため
に信号線２８の電位の影響が画素電極２７上まで拡がる
という不都合があった。
上に薄膜トランジスタを形成しているので、画素電極２
７と信号線２８の上面が同じかまたは近接し、そのため
に信号線２８の電位の影響が画素電極２７上まで拡がる
という不都合があった。
本発明はこのような問題を解決するもので、信号線の電
位の影響が画素電極上に拡がりにくい構造にした液晶表
示装置とそれを製造するための方法を提供することを目
的としている。
位の影響が画素電極上に拡がりにくい構造にした液晶表
示装置とそれを製造するための方法を提供することを目
的としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、ガラス基板上にマ
トリクス状に配列された液晶駆動用薄膜トランジスタと
、その薄膜トランジスタの信号線および画素電極とを有
する液晶表示装置において、ガラス基板の表面の一部に
凹部を設け、その凹部に信号線を形成する。
トリクス状に配列された液晶駆動用薄膜トランジスタと
、その薄膜トランジスタの信号線および画素電極とを有
する液晶表示装置において、ガラス基板の表面の一部に
凹部を設け、その凹部に信号線を形成する。
作用
本発明は上記した構成により、画素電極が信号線より高
いところに位置することになり、画素電極自体によって
信号線の影響が遮蔽され、画素の開口率が太き（なり、
高集積画素においても実用的な光透過率が維持される。
いところに位置することになり、画素電極自体によって
信号線の影響が遮蔽され、画素の開口率が太き（なり、
高集積画素においても実用的な光透過率が維持される。
実施例
以下、本発明の実施例の液晶表示装置およびその製造方
法について、第１図および第２図を参照しながら説明す
る。
法について、第１図および第２図を参照しながら説明す
る。
第１図（ａ）に示すように、ガラス基板１をエツチング
工程によって後で、画素のソース信号線を形成する領域
に凹部２を形成する。つぎに、同図（ｂ）に示すように
、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）製造工程により画素のス
イッチングトランジスタを形成する。このＴＰＴは、ソ
ース領域３．ドレイン領域４．ゲート絶縁膜５およびゲ
ート電極６等からなる。
工程によって後で、画素のソース信号線を形成する領域
に凹部２を形成する。つぎに、同図（ｂ）に示すように
、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）製造工程により画素のス
イッチングトランジスタを形成する。このＴＰＴは、ソ
ース領域３．ドレイン領域４．ゲート絶縁膜５およびゲ
ート電極６等からなる。
つぎに、同図（Ｃ）に示すように、ノンドープシリカガ
ラス（ＮＳＣ）の眉間絶縁膜７を形成する。
ラス（ＮＳＣ）の眉間絶縁膜７を形成する。
そして、ＩＴＯ（インジウム・錫オキサイド）の透明画
素電極８、画素トランジスタに映像信号を与えるための
、アルミニウムからなるソース信号線９を形成して、ア
クティブマトリクス液晶表示装置のＴＰＴ回路基板とす
る。この基板に、同図（ｄ）に示すように、透明共通電
極１１を形成したガラス基板１２を、液晶１０を挟んで
張り合わせて、液晶表示装置を完成する。
素電極８、画素トランジスタに映像信号を与えるための
、アルミニウムからなるソース信号線９を形成して、ア
クティブマトリクス液晶表示装置のＴＰＴ回路基板とす
る。この基板に、同図（ｄ）に示すように、透明共通電
極１１を形成したガラス基板１２を、液晶１０を挟んで
張り合わせて、液晶表示装置を完成する。
以上のようにして作製した液晶表示装置の画素は、画素
電極８がソース信号線９より上に位置するよう構成され
る。このため、液晶表示装置を駆動するときにソース信
号線９の電位の影響が画素電極８上にまで及びにくい。
電極８がソース信号線９より上に位置するよう構成され
る。このため、液晶表示装置を駆動するときにソース信
号線９の電位の影響が画素電極８上にまで及びにくい。
なお、ＴＰＴを構成する材料はポリシリコンでもアモル
ファスシリコンでもよい。
ファスシリコンでもよい。
また、本実施例ではソース信号線９を形成する領域の凹
部２を、ＴＰＴの作製工程前に形成しているが、その形
成はこれに限られるものでなく、ソース信号線９作製前
に形成してもよい。たとえば、第２図（ａ）に示すよう
に、ガラス基板１にソース領域３．ドレイン領域４．ゲ
ート絶縁膜５．ゲート電極６．眉間絶縁膜７および画素
電極８を形成した後に、エツチング工程により、同図（
ｂ）に示ずように、ガラス基板１に凹部２ａを設け、そ
の後ソース信号線９を形成してもよい。
部２を、ＴＰＴの作製工程前に形成しているが、その形
成はこれに限られるものでなく、ソース信号線９作製前
に形成してもよい。たとえば、第２図（ａ）に示すよう
に、ガラス基板１にソース領域３．ドレイン領域４．ゲ
ート絶縁膜５．ゲート電極６．眉間絶縁膜７および画素
電極８を形成した後に、エツチング工程により、同図（
ｂ）に示ずように、ガラス基板１に凹部２ａを設け、そ
の後ソース信号線９を形成してもよい。
発明の効果
本発明の液晶表示装置は、ガラス基板表面の一部に設け
た凹部に信号線を形成しているので、液晶表示装置を駆
動するときに信号線の電位の影響が画素電極上にまで及
びにくい構造である。
た凹部に信号線を形成しているので、液晶表示装置を駆
動するときに信号線の電位の影響が画素電極上にまで及
びにくい構造である。
また、本発明の方法は、ガラス基板表面の一部に凹部を
設けてから、この凹部に信号線を形成するので、信号線
の電位の影響が画素電極上にまで及びにくい構造の液晶
表示装置を容易に作製することができる。
設けてから、この凹部に信号線を形成するので、信号線
の電位の影響が画素電極上にまで及びにくい構造の液晶
表示装置を容易に作製することができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の液晶表示装
置の製造方法の工程を示す断面図であり、同図（ｄ）は
この方法で作製された液晶表示装置の断面図である。第
２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の他の実施例の液晶表
示装置の製造方法の工程断面図である。第３図は従来の
液晶表示装置の断面図である。 ■・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・凹部、８・
・・・・・画素電極、 ９・・・ ・・信号線。
置の製造方法の工程を示す断面図であり、同図（ｄ）は
この方法で作製された液晶表示装置の断面図である。第
２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の他の実施例の液晶表
示装置の製造方法の工程断面図である。第３図は従来の
液晶表示装置の断面図である。 ■・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・凹部、８・
・・・・・画素電極、 ９・・・ ・・信号線。
Claims (2)
- （１）ガラス基板上にマトリクス状に配列された液晶駆
動用薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタの信号
線および画素電極とを有する液晶表示装置において、前
記ガラス基板の表面の一部に凹部を設け、その凹部に前
記信号線を形成した液晶表示装置。 - （２）ガラス基板上に、マトリクス状の液晶駆動用薄膜
トランジスタとその薄膜トランジスタの信号線および画
素電極とを形成する液晶表示装置の製造方法において、
前記ガラス基板の表面上の前記信号線を形成する領域に
凹部を形成し、その凹部に前記信号線を形成する液晶表
示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12344690A JP2624355B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12344690A JP2624355B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0418525A true JPH0418525A (ja) | 1992-01-22 |
| JP2624355B2 JP2624355B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=14860811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12344690A Expired - Fee Related JP2624355B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2624355B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2821462A1 (de) * | 1977-05-18 | 1978-11-23 | Kyokuto Kaihatsu Kogyo Co | Automatische steuervorrichtung fuer hydraulikzylinder |
| JPH06342171A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Kodo Eizo Gijutsu Kenkyusho:Kk | アクティブマトリクス基板とその製造方法 |
| US5555240A (en) * | 1993-05-21 | 1996-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating a liquid crystal display with switching elements formed in a substrate |
| JPH10213813A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Sony Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2000081636A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2001358140A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US11163182B2 (en) | 2009-04-07 | 2021-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63235983A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 |
| JPH03289137A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP12344690A patent/JP2624355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4693959B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2011-06-01 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US11163182B2 (en) | 2009-04-07 | 2021-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US11243420B2 (en) | 2009-04-07 | 2022-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US11906826B2 (en) | 2009-04-07 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2624355B2 (ja) | 1997-06-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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