JP2001337334A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板厚を低減しても、基板間隙の均一性のよ
い装置を提供する。 【解決手段】 一対の絶縁性基板間に複数個の液晶表示
素子を形成するに当り、この一対の絶縁性基板間に、そ
の各液晶表示素子を囲む個別シール材とこの一対の絶縁
性基板の周囲部分を囲む外周シール材とを形成し、前記
一対の絶縁性基板のうちの少なくとも一方の基板の厚さ
を薄くし、その後前記液晶表示素子毎に分離するように
した液晶表示装置の製造方法において、前記一対の絶縁
性基板のうちの画素電極側基板の画素電極の下 部に平
坦化層を形成する工程と、前記一対の絶縁性基板のうち
の少なくとも一方の基板上に、これらの基板間の間隙を
規定する間隙部材を形成する工程と、前記個別シール材
と前記周辺シール材の少なくとも一方と重なる領域にお
ける前記平坦化層を予め除去する工程と、を有するもの
として構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製造
方法に係り、特に表示パネルの軽量化やマイクロレンズ
等の光学素子基板を装着して高輝度化を達成するように
した液晶表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度且つ大容量でありながら、
高機能で更に高精細を得ることのできる平面表示装置の
実用化が図られている。これらの平面表示装置のうち、
隣接する画素電極間にクロストークがなく、高コントラ
スト表示が得られると共に、透過型表示が可能であり、
且つ、大画面化も容易である等の理由から、ＴＦＴを制
御装置として備えたアクティブマトリクス型液晶表示装
置が多用されている。

【０００３】このような液晶表示装置に用いるアクティ
ブマトリスク基板としては、従来、駆動素子として、ア
モルファスシリコン薄膜トランジスタ（以下ａ−ＳｉＴ
ＦＴと称する）を用いたものと、ポリシリコン薄膜トラ
ンジスタ（以下ｐ−ＳｉＴＦＴと称する）を用いたもの
が開発され製品化されている。これらのうち、ｐ−Ｓｉ
ＴＦＴは、ｐ−ＳｉＴＦＴ中の電子の移動度が高く、ａ
−ＳｉＴＦＴに比し、駆動素子のサイズを小型化でき、
画素電極の開口率向上を計れると共に、その駆動回路が
アクティブマトリクス基板上に一体的に形成可能なもの
である。従って、駆動用のＩＣ等が不要となり、その実
装工程も省力化でき、ひいては装置の低コスト化が実現
でき、その開発が促進されている。そして、このような
ＴＦＴ技術を用いて、高精細な液晶表示装置を作成し、
投射レンズを用いて拡大投影することで、容易に大画面
ディスプレイが達成できる。このような液晶表示装置を
用いて、フロント型のデータプロジェクタやリア型のプ
ロジェションＴＶなどが開発されている。

【０００４】このような、投射型液晶表示装置では、プ
ロジェクタ装置のサイズ・重量・コストの低減が要求さ
れており、これに応じるために、液晶表示装置の小型化
が望まれている。また、画面を明るくするために液晶表
示装置の開口率の改善に加えて、高輝度・高パワーの光
源を用いたり、光学系効率を向上させることも行われて
いる。そして、液晶パネルのサイズを小さくしつつ高精
細化を進めようとすると開口率が小さくなる。このた
め、マイクロレンズアレイ基板を用いて入射光を開口部
に集光させることで、実効的に開口率を改善することが
進められている。さらに、プロジェクター装置のコスト
低減の観点から、カラーフィルターを用いた３板式のも
のに代えて、マイクロレンズと３枚のダイクロイックミ
ラーを用いた単板式のものも注目されてきている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなマイクロ
レンズを用いた装置において、高輝度化を達成するため
には、画素サイズが小さくなるにつれて、レンズ特性と
の関係からも、マイクロレンズを装着する入射側のガラ
ス基板を薄くすることが必要となってきている。この場
合、当初は薄いガラス基板で液晶セルを形成することも
出来たが、次第に基板厚が薄くなるにつれて、直接薄い
ガラス基板を用いて液晶セル（液晶表示板）を形成する
ことが難しくなってきている。また、コスト的にみる
と、大板としてのガラス基板上に複数個の表示装置を形
成し、これらの装置の多数個取りによりコストを低減す
ることが必要である。このコスト低減の観点からは、先
ず一対のガラス基板を対向させ、これらのうちの少なく
とも一方のガラス基板を薄くする製造方法が有効と考え
られるようになってきた。従来、各装置区画を囲むシー
ル材と、これら全体を囲む外周シール材を介して一対の
ガラス基板を対向させ、これらのガラス基板の外面をエ
ッチングする方法が知られている（特開平５−２４９４
２２号公報）。また、７セグメント電極構成の非常に簡
単な液晶表示装置として、基板間の合わせ精度を非常に
ラフでもよいものとし、基板間隙制御もラフでよいもの
として、間隙材も使用せず、さらに対向電極側の電気的
接続も個々の装置に分離された後に外周部で行うように
したものも知られている（特開平５−２４９４２２号公
報）。

【０００６】しかしながら、ポリシリコンＴＦＴを用い
た高精細なアクティブマトリクス型液晶表示装置では、
ガラス基板間の合わせにある程度の精度が必要だった
り、基板間隙を均一に制御する必要があったりし、さら
には対向電極の接続についてはガラス張り合わせ組立時
に行う必要がある。さらに、高開口率化の実現のため
に、ポリシリコンＴＦＴを用いた高精細なアクティブマ
トリクス型液晶表示装置においては、画素電極を平坦化
層上に形成する技術や、従来のミクロパール等の間隙部
材による表示品位低下を抑制するために間隙部材をガラ
ス基板上に形成する技術が用いられる。このため、各液
晶表示装置を囲むシール材及びこれら全体の外周シール
材領域の平坦化層の構造、仮止め材領域と外周シール材
領域との位置関係及び仮止め材領域の平坦化層構造、ガ
ラス上に形成する間隙部材の配置を、各液晶表示装置内
のみならず、全体にわたって考慮することが必要となっ
てきた。これを怠ると、一対のガラス基板の張り合わせ
組立時に、基板間隙むらが発生したり、外周シール領域
の細り・切れ、また基板最外周の端面封止部の穴発生等
の問題が生じる。基板厚を低減する方法として化学研磨
法を用いた場合には、上記穴等からエッチング液が侵入
して液晶表示装置部を損傷させるという問題も発生す
る。また、機械研磨時には、前記基板間隙むらをなくさ
ないと、さらに間隙むらが激しくなるという問題も生じ
る。

【０００７】本発明は上記事情を鑑みてなされたもの
で、高品位・高信頼性及び軽量な液晶表示装置の製造方
法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、一対の絶縁性
基板間に複数個の液晶表示素子を形成するに当り、この
一対の絶縁性基板間に、その各液晶表示素子を囲む個別
シール材とこの一対の絶縁性基板の周囲部分を囲む外周
シール材とを形成し、前記一対の絶縁性基板のうちの少
なくとも一方の基板の厚さを薄くし、その後前記液晶表
示素子毎に分離するようにした液晶表示装置の製造方法
において、前記一対の絶縁性基板のうちの画素電極側基
板の画素電極の下部に平坦化層を形成する工程と、前記
一対の絶縁性基板のうちの少なくとも一方の基板上に、
これらの基板間の間隙を規定する間隙部材を形成する工
程と、前記個別シール材と前記周辺シール材の少なくと
も一方と重なる領域における前記平坦化層を予め除去す
る工程と、を有するものとして構成される。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。図１は、いわゆる３２個取りの中間製品として
の装置を透視的に示した平面図である。この図１からわ
かるように、２枚の大きなガラス板が、紙面の厚さ方向
に対向している。これらの２枚のガラス板間には、４隅
に、仮止め材１，１，…が設けられている。さらに、周
囲全体にわたって、外周シール材２が設けられている。
この外周シール材２は一箇所が開口して開口部分２ａと
なっている。この開口部分２ａは、封止材３で封止され
ている。この外周シール材２の内部についてみるに、３
２個の各液晶表示装置（液晶表示素子）ＬＣＤは、それ
ぞれ、個別シール材４，４，…で囲繞されている。つま
り、各個別シール材４で囲まれた部分が、いわゆる１つ
の液晶表示装置となる。ただし、図示の例においては、
図中上下方向に並ぶ８個の液晶表示素子ＬＣＤの個別シ
ール材４，４，…は、一筆書き状につながったものとし
て構成されている。前記各液晶表示装置は、それぞれ複
数の画素を有し、それらは、例えば図２に示される。こ
れは、よく知られたものであるため、簡単に説明すれ
ば、以下の通りである。

【００１０】図２は、アクティブマトリクス型の液晶表
示パネル３０における１つの画素を示す。即ち、駆動素
子としてｐ−ＳｉＴＦＴ３１を用いる第１の電極基板で
あるアクティブマトリクス基板３２と第２の電極基板で
ある対向基板３３との間に、ポリイミドからなる配向膜
（図示せず）を介して、液晶組成物であるネマチック型
液晶３７が保持されるとともに液晶表示装置の入射側及
び出射側の両側に偏光板（図示せず）を有している。ま
た、対向基板３３側には接着層３９を介してマイクロレ
ンズ基板３４が接着されている。これは、図１の中間製
品を個別の液晶表示素子ＬＣＤに分離した後に行う。こ
こで、アクティブマトリクス基板３２は、ガラス基板３
８上に形成されたｐ−ＳｉＴＦＴ３１を有するが、この
ｐ−ＳｉＴＦＴ３１は具体的には次のように形成され
る。

【００１１】即ちガラス基板３８上に、ＣＶＤ法により
アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す）膜を成
膜する。この後、このａ−Ｓｉ膜をレーザーアニール法
により多結晶シリコン（以下ｐ−Ｓｉと称す）膜に変
え、更にマトリクス状にパターニングして複数の島状の
半導体層４０を形成する。

【００１２】ついで、各半導体層４０上に、ゲート絶縁
膜となる第１の絶縁層４１を被覆し、更にｐ−ＳｉＴＦ
Ｔ３１に走査信号を印加する走査線（図示せず）及びそ
の一部としてのゲート電圧を印加するためのゲート電極
４２（走査線）を形成する。この後、半導体層４０にセ
ルフアラインにより不純物を注入してソース領域４０ｓ
及びドレイン領域４０ｄを形成する。この後、第２の絶
縁層４３を被覆する。

【００１３】ここでｐ−ＳｉＴＦＴ３１は、ｎ−ｃｈの
トランジスタで構成する。場合によっては活性層とソー
ス・ドレイン領域４０ｓ，４０ｄとの間に、低不純物濃
度領域（ｎ−領域）（図示せず）を形成していわゆるＬ
ＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とする方が望まし
い。このためｎ−領域の不純物注入はソース・ドレイン
領域とは別工程で行う。また、走査線駆動回路及び信号
線駆動回路は、ｎ−ｃｈ及びｐ−ｃｈのＣＭＯＳ構造で
あることが望ましいため、ソース領域４０ｓ及びドレイ
ン領域４０ｄ形成のための不純物注入は、ｎ−ｃｈ及び
ｐ−ｃｈとに分けて行う。

【００１４】更にｐ−ＳｉＴＦＴ３１に映像信号を印加
するための信号線４４をパターン形成し、これを第１の
コンタクトホール４６を介してドレイン領域４０ｄに接
続し、さらに、信号線４４と同一の材料でソース領域４
０ｓにも別の第１のコンタクトホール４８で接続する。
これらの上に、窒化シリコンから成る第３の絶縁層５１
を形成し、第２のコンタクトホール４９を形成する。そ
の上に、遮光層５２を形成、パターニング後、感光性ア
クリル樹脂からなり平坦化層となる第４の絶縁層５３を
厚さ２μｍだけ形成し、第３のコンタクトホール５４を
介して、前記ソース領域４０ｓをインジウム錫酸化物
（以下ＩＴＯと称する）からなる画素電極４７に接続し
て、マトリクス状のパターン形成を行った。

【００１５】このように、平坦化層を用いることで、信
号線と画素電極とを異なる層に形成可能として、配線の
重ね合わせが可能となり高開口率化が達成でき、アクテ
ィブマトリクス基板上の凹凸を低減することができ、エ
ッジリバースの発生等も抑えられ、高精細な表示素子が
達成できる。

【００１６】次に、アクティブマトリクス基板３２上に
感光性アクリル樹脂を再び用いて、今度は凸状の、例え
ば高さ３．８μｍの、スペーサ柱となる間隙部材５４を
形成した。この間隙部材５５をアクティブマトリクス基
板３２上の配線等の遮光層５２上に配置したので、開口
率を低減させることもない。さらに、従来用いられてい
たミクロバール等を散布した場合には開口部のミクロバ
ールによる表示品位低下（特に、投射型液晶表示装置で
は拡大投影時に輝点のように見える）があったが、本実
施例ではそのような表示品位低下が発生しないという利
点がある。さらに、基板間隙むらの制御性がよく、セル
厚の均一化が容易に達成できる。この間隙部材５５は、
各液晶表示素子ＬＣＤを囲むシール領域内だけではな
く、各液晶表示素子全体を囲むシール領域内全域にも配
置される。これにより、大板基板を張り合わせ時の基板
厚均一化を容易に達成することができる。

【００１７】また、アクティブマトリクス基板３２上の
画素電極４７，４７，…がマトリクス状に配列される各
表示領域の隣接する２辺には、走査線４２，４２，…の
引き出し線（図示せず）に接続される走査線駆動回路、
及び信号線４４，４４，…の引き出し線（図示せず）に
接続される信号線駆動回路が形成されている。

【００１８】一方、対向基板３３は、ガラス基板６０上
に、アクティブマトリクス基板３２上の表示領域に対向
するようにＩＴＯからなる対向電極６２をマスク蒸着に
て成膜・パターニングしたものである。プロジェクタ用
等のカラーフィルタが不要なものは前記のように対向電
極６２だけを形成すればよい。

【００１９】以上には大板基板上の各液晶表示素子ＬＣ
Ｄの形成工程を説明した。実際には、先に述べたよう
に、図１のような１枚のガラス基板上に３２個の液晶表
示素子ＬＣＤが形成されている。そこで、図１の装置を
作るに当り、上記アクティブマトリクス基板（大板）と
対向基板（大板）とを張り合わせて一対のガラス基板
（大板）を作成する際に、その後に行われるガラス板厚
を薄くする工程中に各液晶表示素子を防御する目的で、
各液晶表示素子ＬＣＤを囲むシール材４と前記各液晶表
示素子全体を囲むシール材２を形成して張り合わせるこ
とを行う。

【００２０】さらには、対向基板（大板）とアクティブ
マトリスク基板（大板）との位置合わせ後、これらを仮
止めするに当り、例えば４隅で仮止め材１，１，…によ
り係止する。これらのシール材２，４及び仮止め材１の
うちの少なくとも各液晶表示素子ＬＣＤを囲むシール材
４が、上記平坦化層である第４の絶縁層５３と重なる部
分におけるこの絶縁層５３を除去してシールの確実化を
図っている。これは、図４、図５に示される。これは後
って詳述する。このような第４の絶縁層５３のシール領
域の除去はＩＴＯ画素電極４７との第３のコンタクトホ
ール５４を形成する際に同時に除去すればよい。このよ
うに液晶３７を囲むシール領域（４）の平坦化層５３を
除去しないと、平坦化層としてアクリル樹脂等により構
成したものを用いた場合には、シール性の信頼性的に問
題がある。そこで、本実施例では、上記各液晶表示素子
ＬＣＤを囲むシール材４に当接する平坦化（樹脂）層５
３を除去して、アクティブマトリクス基板３２と対向基
板６２とが、平坦化層５３を介することなく、シール材
４でシールされるようにしている。

【００２１】次に、先に簡単に述べた、平坦化層５３の
部分的な除去について、図１及び図３〜図５を参照しな
がら、説明する。

【００２２】図１と図３〜図５との関係についてみれ
ば、図３（ａ），（ｂ）は従来のもので、それぞれ図１
のＡ，Ｂの部分における断面図であり、図４，図５は本
発明のそれぞれ異なる実施例で、それぞれの（ａ），
（ｂ）は図１のＡ，Ｂの部分の断面図である。

【００２３】図３（ａ）からわかるように、従来は、対
向基板３３とアクティブマトリクス基板３２との間の封
止は、最外周が端面封止材５で封止されているほか、平
坦化層５３に載った前記外周シール材２で封止されてい
る。また、図３（ｂ）からわかるように、各液晶表示素
子ＬＣＤをみると、両者間は、同じく平坦化層５３上に
載った個別シール材４によってシールされている。

【００２４】これに対し、本発明では、図４、図５から
わかるように、シール材２，４のアクティブマトリクス
基板３２に当接する部分における、平坦化層５３を部分
的に又は全体的に除去して、シール材２，４が、平坦化
層５３を介することなく、アクティブマトリクス基板３
２に当接するようにしている。つまり、図４（ａ），
（ｂ）は図３（ａ），（ｂ）に対応し、それぞれ平坦化
層５３を部分的に除去しており、図５（ａ），（ｂ）も
図３（ａ），（ｂ）に対応し、それぞれ平坦化層５３を
全体的に除去している。なお、平坦化層５３の除去の仕
方は図４（ａ），（ｂ）と図５（ａ），（ｂ）を任意に
選択し、又は、組み合わせることができる。即ち、例え
ば、図３（ａ），（ｂ）において、（ａ）のみを図４
（ａ）又は図５（ａ）とすることもできる。また、図４
（ａ）と図５（ｂ）の組み合わせとしたり、図５（ａ）
と図４（ｂ）の組み合わせの態様とすることもできる。

【００２５】次に、以上のことを踏まえつつ、ガラス組
立工程を説明する。

【００２６】アクティブマトリクス基板３２と対向基板
３３にポリイミドからなる配向膜を塗布・焼成する工
程、その後のラビングによる配向処理をする工程、前記
各液晶表示素子ＬＣＤを囲む個別シール材４と前記液晶
表示装置全体を囲む外周シール材２を塗布・乾燥する工
程、仮止め材１を大板基板の４隅に塗布する工程、前記
個別シール材の塗布の前又は後に対向基板３３との導通
を達成する銀ペーストを塗布する工程、両基板３２，３
３を組立・加圧封着・位置合わせ後仮止め材１をＵＶ硬
化させる工程を経ることで一対のガラス基板を形成す
る。ここで、外周シール材２は基板端に空気抜きのため
の開口部を有するように形成し基板封着後に開口部封止
材３で封止した。また、シール材２としては従来のガラ
スファイバー等の間隙材を入れないものを用い、表示領
域及び外周シール内領域に配置されたアクティブマトリ
クス基板３２上の間隙部材で基板間隙を制御するように
した。このようにすれば、図１の装置全体において、外
周シール材２が図３（ａ）のようになっており、個別シ
ール材４が図４（ｂ）のようになっており、平坦化層５
３の高さが異なっていても、基板の厚さむらを低減する
ことができる。そして、基板の４隅の仮止めした周辺で
は、ギャップが大きくなるため外周シール材２は仮止め
材１よりも基板の内側に形成している。これは、仮止め
部の周辺ではギャップが大きくなるために、外周シール
材２を仮止め材１の外側に形成すると、シールのつぶれ
が小さくなりシール切れ等が生じるためである。さら
に、一対のガラス基板の外周端部を、全体的には３重の
封止となるように、端面封止材５で全周封止した。この
端面封止に関していうと、以下に用いる化学研磨法で
は、この封止材５やシール材２，４に穴が空いている
と、エッチング液が侵入してきて液晶表示素子ＬＣＤが
駄目になる可能性があることから、入念に形成しておく
ことが望ましい。

【００２７】次に、この一対のガラス基板のうちの対向
基板３３側のガラス板厚を化学研磨法で０．７ｍｍから
０．３８ｍｍまで薄くした。アクティブマトリクス基板
３２側も同様に化学研磨してもよいが、プラスチック保
護シートを貼って化学研磨することにより、対向基板３
３のみを薄くすることができる。

【００２８】次に、大板基板の各液晶表示素子ＬＣＤを
スクライブによりカッティングして分離し、真空注入法
で液晶を注入し、液晶表示素子ＬＣＤを作成した。つぎ
に、マイクロレンズ基板３４を、紫外線硬化樹脂を介し
て、位置合わせ後接着固定して、マイクロレンズ搭載の
投射型液晶表示装置を製作した。マイクロレンズ搭載用
の液晶表示装置の場合、対向基板３３の厚さ精度は、±
２０μｍ以下と非常に厳しいために、機械研磨よりも化
学研磨の方が精度が出やすい。このために、上記実施例
では、化学研磨を行ったが、もちろん機械研磨を含む薄
板化技術を用いてもよいことは言うまでもない。

【００２９】次に、第２の実施例を説明する。上記第１
の実施例は、高精細な投射型液晶表示装置について説明
したため、第４の絶縁層である平坦化層５３の穴径が６
μｍ以下と小さい。このために、露光器としてはステッ
パが必要である。さらに、感光性アクリルの感度が低い
ことから、画素領域もしくは液晶表示装置の領域以外、
つまり上記実施例では各液晶表示素子ＬＣＤを囲む個別
のシール材４のところでは同時に平坦化層５３を除去し
たが、それ以外の例えば外周シール材２の領域や、仮止
め材１の領域を別ステップで露光する必要があり、非常
に効率が悪い。なぜなら、ステッパでは同時に露光出来
る液晶表示装置数は１〜２個程度であるためである。但
し、各液晶表示素子ＬＣＤを囲む個別シール４の領域の
みで平坦化層を除去しただけでは、外周シール材２や仮
止め材１は平坦化層５３上に配置されるため、ガラス基
板間のシール材の厚さが各液晶表示素子を囲む個別シー
ル材４の領域と外周シール材２の領域とで異なるため、
幾らアクティブマトリクス基板３２上に形成された間隙
部材で間隙厚さむらを制御しようとしても、液晶表示素
子ＬＣＤと外周シール材２や仮止め材１の距離をあまり
近づけると、間隙むらが生じるという問題がある。これ
は、取り数をより増やそうとしたり、表示サイズの大き
なものを、ガラス基板サイズぎりぎりに作ろうとすると
きに問題となる。但し、そのような表示サイズの大きい
液晶表示装置では、画素サイズも大きいことから、前記
第４の絶縁層としての平坦化層５３の穴径を大きくして
も開口率への影響は少ない。そこで、平坦化層５３の露
光をプロキシミティ露光機を用いて、大板を一括露光を
行うことで、図４（ａ），（ｂ）のように上記実施例の
各液晶表示素子ＬＣＤを囲む個別シール材４の領域のみ
だけではなく、外周シール材２の領域や仮止め材１の領
域を含む領域の平坦化層５３を除去することで、さらに
間隙むらを発生しにくくすることができる。さらに、上
記の実施例では、基板の外周部の間隙がどうしても厚く
なり機械研磨にはむかないという問題も解消することが
できる。また、一括露光の時、ガラス基板の外周部の平
坦化層５３も除去するのが望ましく、これにより基板端
からのごみ発生の防止や外周シール材２による封止をし
やすい等のメリットがある。

【００３０】また、上記実施例では平坦化層５３として
は、感光性アクリルからなる透明層を用いた例を説明し
たが、ＴＦＴを形成後、透明層のかわりに緑、青、赤か
らなるカラーフィルタ層を１色ずつ形成した後に画素電
極を形成し、上記と同じように透明もしくは黒色樹脂で
間隙材を形成するか、もしくは、前記のカラーフィルタ
ー層を含む色材層を重ねて間隙部材を形成するようにし
てもよい。この場合も、上記実施例と同様に外周シール
材２の領域や仮止め材１と重なる部分の色材層を一括露
光で除去すればよい。

【００３１】上記のような大型サイズの液晶表示装置に
おいても、基板厚を薄くすることは液晶表示装置の軽量
化のために重要である。このため、軽量化の観点からは
片面のみならず、両面としてのアクティブマトリクス基
板及び対向基板の両側の基板の厚さを薄くする方が望ま
しいことは言うまでもない。

【００３２】以上説明したように本発明によれば、平坦
化層を有する高精細ポリシリコンＴＦＴ液晶表示装置の
応用としての、マイクロレンズ搭載の高精細投射型液晶
表示装置の対向基板厚の高薄型化や、高精細大型パネル
の基板厚の低減に際して、基板間隙の均一性をよくし
て、透過率特性ばらつきや表示むら等の表示品位低下を
生じない装置を提供することができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、上記のような画素電極
の下に平坦化層を有する液晶表示装置、例えば、高精細
ポリシリコンＴＦＴ液晶表示装置の軽量化や、例えばマ
イクロレンズを搭載する高精細・高効率投射型液晶表示
装置を製造するにあたり、基板厚の低減時の基板間隙む
らの発生のない液晶表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における多面どりの大板ガ
ラス基板状態の平面説明図である。

【図２】本発明の一実施形態に係る１つの液晶表示装置
の断面構造を示す図である。

【図３】従来装置に係る外周シール材及び個別シール材
の領域の断面構造を示す図である。

【図４】本発明の一実施形態に係わる外周シール材及び
個別シール材の領域の拡大の断面構造を示す図である。

【図５】本発明の他の実施形態に係わる外周シール材及
び個別シール材の領域の拡大の断面構造を示す図であ
る。

【符号の説明】

２，４ シール材 ５ 端面封止材 ３２ マトリクス基板 ３３ 対向基板 ５３ 第４の絶縁層 ５５ 間隙部材

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の絶縁性基板間に複数個の液晶表示素
   子を形成するに当り、この一対の絶縁性基板間に、その
   各液晶表示素子を囲む個別シール材とこの一対の絶縁性
   基板の周囲部分を囲む外周シール材とを形成し、前記一
   対の絶縁性基板のうちの少なくとも一方の基板の厚さを
   薄くし、その後前記液晶表示素子毎に分離するようにし
   た液晶表示装置の製造方法において、 前記一対の絶縁性基板のうちの画素電極側基板の画素電
   極の下部に平坦化層を形成する工程と、 前記一対の絶縁性基板のうちの少なくとも一方の基板上
   に、これらの基板間の間隙を規定する間隙部材を形成す
   る工程と、 前記個別シール材と前記周辺シール材の少なくとも一方
   と重なる領域における前記平坦化層を予め除去する工程
   と、を有することを特徴とする液晶表示素子の製造方
   法。
2. 【請求項２】前記個別シール材と前記周辺シール材は共
   に前記間隙部材を含まず、前記間隙部材は前記平坦化層
   上に形成され、この間隙部材によって前記一対の基板間
   の間隙が規定されるようにしたことを特徴とする請求項
   １に記載の液晶表示素子の製造方法。
3. 【請求項３】前記間隙部材は、前記各個別シール材で囲
   まれた領域のほか、前記外周シール材で囲まれた領域に
   も形成するようにしたことを特徴とする請求項１又は２
   に記載の液晶表示素子の製造方法。
4. 【請求項４】前記一対の絶縁性基板を貼り合わせるに際
   し、両者間に仮止め用樹脂を塗布して位置合わせし、そ
   の後に固定することにより、貼り合わせるようにしたこ
   とを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の液晶表示
   素子の製造方法。
5. 【請求項５】前記仮止め用樹脂を塗布する領域において
   も、予め前記平坦化層を除去する工程を有することを特
   徴とする請求項４に記載の液晶表示素子の製造方法。
6. 【請求項６】前記仮止め用樹脂は、前記外周シール部材
   のさらに外側に塗布するようにしたことを特徴とする請
   求項４又は５に記載の液晶表示素子の製造方法。
7. 【請求項７】前記個別シール材の形成の後又は前に、前
   記一対の基板間の導通を達成する導電部材を塗布する工
   程を有することを特徴とする請求項１乃至６の１つに記
   載の液晶表示素子の製造方法。
8. 【請求項８】前記一対の基板の貼り合わせ後、基板を薄
   くする工程の前に、これらの基板間の外周部を封止材で
   封止する工程を有することを特徴とする請求項１乃至７
   の１つに記載の液晶表示素子の製造方法。
9. 【請求項９】前記個々の液晶表示素子に分離した後、こ
   れらの各液晶表示素子の少なくとも一方の絶縁性基板上
   にマイクロレンズ基板を装着する工程を有することを特
   徴とする請求項１乃至８の１つに記載の液晶表示素子の
   製造方法。
10. 【請求項１０】前記絶縁性基板としてガラス基板を用い
    ることを特徴とする請求項１乃至９の１つに記載の液晶
    表示素子の製造方法。