JPH10153797A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH10153797A
JPH10153797A JP9069778A JP6977897A JPH10153797A JP H10153797 A JPH10153797 A JP H10153797A JP 9069778 A JP9069778 A JP 9069778A JP 6977897 A JP6977897 A JP 6977897A JP H10153797 A JPH10153797 A JP H10153797A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
display area
gap
crystal display
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Application number
JP9069778A
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English (en)
Inventor
Hiroyoshi Nakamura
弘喜 中村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示領域外周の額縁領域の縮小して小形化を
はかり、液晶セル厚の均一化により良好な表示画質を得
る。 【解決手段】 2枚の基板11、13間を周辺に配置し
たシール剤17でシールし、液晶層14を挟持した液晶
表示パネルにおいて、シール剤のシール領域31に駆動
回路18を配置する。シール剤17内に間隙剤を含有さ
せず、液晶層のある表示領域30、31にスペーサ柱2
2の間隙材を配置する。スペーサ柱はカラーフィルタと
同一材の積層22(R),(G)),(B)で構成する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係わ
り、特に画素電極が形成される同一基板上に駆動回路が
形成される、駆動回路一体型の液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】高密度且つ大容量でありながら高機能更
に高精細を得る液晶表示装置のうち薄膜トランジスタT
FTを制御装置として備えたアクティブマトリクス型液
晶表示装置が、連接する画素電極間のクロストークがな
く、高コントラスト表示が得られると共に、透過型表示
が可能であり且つ、大画面化も容易である等の理由から
多用されている。
【0003】この液晶表示装置に用いるアクティブマト
リクス基板としては従来、駆動素子として、アモルファ
スシリコン薄膜トランジスタ(以下a−SiTFTと称
する)を用いたものと、ポリシリコン薄膜トランジスタ
(以下p−SiTFTと称する)を用いたものが開発さ
れ製品化されている。このうち、p−SiTFTは、p
−SiTFT中の電子の移動度が高く、a−SiTFT
に比し、駆動素子のサイズを小型化でき、画素電極の開
口率向上を計れると共に、その駆動回路がアクティブマ
トリクス基板上に一体的に形成されるものである。従っ
て、駆動用のIC等が不要となり、その実装工程も省力
化でき、ひいては装置の低コスト化が実現でき、更にア
クティブマトリクス基板上の表示領域周縁の額縁領域の
縮小も可能となることからその開発が促進されている。
【0004】すなわち、液晶表示装置は2枚の電極基板
とシール領域とで囲まれた液晶層を有する表示領域と、
シール領域外周の2枚の電極基板の縁辺の額縁領域とか
らなり、さらに、表示領域は実際の表示画面を構成する
有効表示領域とこの有効表示領域とシール領域の間に配
置される余白部分すなわち有効表示領域外周部とからな
る。
【0005】この液晶表示装置は画面の均一表示のため
に有効表示領域全域にわたって液晶層厚が一定でなくて
はならず、2枚の基板の間隔を同一にすることが必須要
件であり、このため、(1)有効表示領域内に微小な球
状の間隙材を分布させる、(2)2枚の基板をシールす
るシール剤内に前記球状間隙材または同径のガラスフア
イバーを混入させる、ことにより間隙材で基板間隔を制
御するようにしている。
【0006】p−SiTFTで画素電極の駆動素子を構
成し、同じp−SiTFTで駆動素子の駆動回路を同一
電極基板上に一体に形成する構成では、駆動回路のシー
ル領域に対する配置関係が問題になる。
【0007】シール領域の外周の額縁領域に配置する構
造は、ガラス基板のサイズをシール領域から大きくはみ
ださせて、ここに駆動回路を形成するので、表示セルの
小形化が難しい。
【0008】駆動回路をシール領域内側の有効表示領域
外周部に配置する構造(特開昭62−251723号公
報など)は、駆動回路全体の上に液晶層が配置されるの
で、液晶に直流電界が印加される部分が広いために信頼
性上問題がある。そこで、シール領域に駆動回路を配置
する提案がなされている(米国特許第5148301号
明細書)。
【0009】この構造はシール領域を有効に利用するの
で液晶セルの小形化に適している。しかし、駆動回路上
に配置されるシール剤にセル厚を制御する間隙材を用い
ることが製造時の歩留まりが低下するという問題が生じ
やすいという問題がある。更に、矩形のアクティブマト
リクス基板上において、駆動回路が、表示領域外周の
縦,横の各一辺にのみ設けられるような場合は、表示領
域外周の駆動回路部上にシール手段を配置して囲むと、
駆動回路が設けられる辺と、これと相対向する駆動回路
のない辺とでは、駆動回路の高さ分だけ、ガラスファイ
バーに規制されるセル厚が異なり、両基板間の間隙が不
均一となり、表示不良を生じるという問題を有してい
た。
【0010】これに関しては、特開平2−242230
号公報で駆動回路がない辺にも疑似駆動回路パターンを
配置することを提案している。この疑似駆動回路パター
ンの形成により駆動回路部上にシール手段を配置しても
セル厚むらを低減できることが示されている。但し、ガ
ラスファイバー等のセル厚制御部材を用いると上記と同
様に駆動回路の歩留まり低下が問題となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来、p−SiTFT
を駆動素子として用いる駆動回路一体型の液晶表示装置
にあっては、アクティブマトリクス基板および対向基板
を接着するシール剤のシール領域を、アクティブマトリ
クス基板上の駆動回路を基板の額縁領域に設けるか、も
しくは駆動回路の外周に設けていた。
【0012】このため、アクティブマトリクス基板上に
駆動回路が一体的に形成されているにもかかわらず、表
示領域周囲の額縁領域が大きくなり、ひいてはこれらを
使用した液晶表示装置の小型軽量化が妨げられると共
に、複数枚の液晶表示パネルを近接設置できず、見開き
型の液晶表示装置や大型液晶表示装置への適用が不能と
されるという問題を生じていた。
【0013】駆動回路をシール領域に設ける構造はシー
ル剤に含まれるセル厚を規制するガラスファイバーによ
り駆動回路が損傷されたり或いは駆動回路の有無に応じ
てセル厚が不均一となる。更に、シール剤に含まれるガ
ラスファイバーが堅く、変形を生じないため、表示領域
から駆動回路に達する間のシール領域を通過する信号線
或いは走査線の引き出し線が、ガラスファイバーに加圧
されて破損され不良を生じるという恐れも有していた。
【0014】そこで、本発明は上記課題を除去するもの
で、駆動回路一体型の液晶表示装置において、表示領域
外周の額縁領域の縮小を図ることにより、小型軽量の液
晶表示装置を得ると共に、更には液晶セル厚の均一化に
より良好な表示画質を有する液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。更に本発明は、セル厚を制御する間隙
材による駆動回路或いは、信号線や引き出し線の破損に
よる不良品の発生を防止することにより、液晶セル形成
時の歩留まり向上によるコストの低減を可能とする液晶
表示装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、有効表示領域
にマトリクス状に配列された複数の画素電極およびこれ
らの画素電極それぞれに接続された駆動素子を有する第
一の電極基板と、この第一の電極基板上で前記有効表示
領域の周囲に設けられ前記駆動素子を駆動する駆動回路
と、対向電極を有し前記第一の電極基板に液晶層を挟持
する間隙を隔てて対向配置される第二の電極基板と、前
記有効表示領域およびこの有効表示領域外周部を囲むシ
ール領域で前記第一電極基板および第二の電極基板を接
着するシール手段とを有する液晶表示装置において、前
記駆動回路の少なくとも一部が前記シール領域内に配置
され、前記シール手段が少なくとも前記駆動回路部分で
前記間隙の厚さを制御するスペーサ柱からなる間隙材を
実質的に含有しておらず、前記間隙材が、前記シール領
域に囲まれる前記間隙内に配置されることを特徴とする
液晶表示装置を提供するものである。また、前記有効表
示領域内の間隙材が、前記第一の電極基板もしくは第二
の電極基板の少なくとも一方の遮光領域に選択的に配置
されることを特徴とする。また、前記間隙材は、円柱
状,角柱状,帯状のいずれかの少なくともーつもしくは
複数の組み合わせで構成されていることを特徴とする。
【0016】また、前記間隙材は、透明部材で形成され
ていることを特徴とする。また、前記間隙材は、着色部
材で形成されていることを特徴とする。また、前記着色
部材からなる間隙材の少なくとも一部は、前記駆動回路
の上の少なくとも一部に配置されていることを特徴とす
る。
【0017】また、前記間隙材の一部は、前記シール手
段に沿って配置されていることを特徴とする。
【0018】また、前記シール手段に沿って配置された
間隙材の一部が、前記シール手段に接していることを特
徴とする。
【0019】また、前記有効表示領域内の間隙材の密度
と、前記有効表示領域とシール手段との間の領域に間隙
材の密度とが異なることを特徴とする。
【0020】また、前記間隙材が、前記有効表示領域内
には形成されていないことを特徴とする。また、前記駆
動回路の信号引き出し線を、前記第一の電極基板の端面
を経由して、前記第一の電極基板の裏面まで延材するこ
とを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明は上記のように構成され、
アクティブマトリクス基板および対向基板間に形成され
る間隙を、間隙の厚さを制御する制御手段を含有しない
シール手段によって駆動回路を含む接着領域にて囲んで
液晶セルを形成することにより、制御手段により駆動回
路の損傷による歩留まりの低減を生じることなくシール
領域外周の額縁領域を縮小し、液晶表示装置の小型軽量
化を図り、更に継ぎ目領域の縮小により複数の液晶表示
装置を近接配置した大画面表示装置或いは複数画面表示
装置への適用を行うものである。
【0022】また本発明は、シール手段のシール領域に
おける駆動回路の有無に関わらずアクティブマトリクス
基板および対向基板間の間隙を均一化でき、表示画質を
向上するものである。
【0023】以下、上記で説明したセル厚制御のための
スペーサ柱を形成する複数の実施の形態について説明す
る。
【0024】まず、対向基板にカラーフィルタを有する
もので、その開口部のカラーフィルタの部材と同一のも
ので非開口部および周辺部にカラーフィルタ層を重ねて
スペーサ柱を形成する実施の形態1を図1を用いて説明
し、次に今度はアクティブマトリクス基板上にカラーフ
ィルタを形成する場合の同じスペーサ柱を形成する実施
の形態2を図2を用いて説明する。そして、更にカラー
フィルタを有しない場合のスペーサ柱を形成する実施の
形態3を図3を用いて説明する。
【0025】(実施の形態1)対向基板側にカラーフィ
ルタを有する場合の本発明の実施の形態1を図1に示
す。
【0026】図1(a)、(b)のように、本実施の形
態では、第一の電極基板すなわち画素電極12を有する
アクティブマトリクス基板11と、第二の電極基板すな
わちカラーフィルタ20を有する対向基板13とが対向
配置され、この2枚の基板間に液晶層14が注入されて
いる。
【0027】対向基板13は有効表示領域30を含んで
画素に対応してストライプ状のR(赤),G(緑),B
(青)の複数色の表示用着色層(カラーフィルタ)20
が形成されている。隣接する画素12の間隙には遮光層
21が配置されており、この遮光層21上に2枚の基板
間距離を保持するための表示用着色層と同材料22
(R)(G)(B)を積層して間隙材22がスペーサ柱
部として形成、配置されている。
【0028】更に、表示用着色層と間隙材が形成された
基板の全面に透明電極15,配向膜16が順次形成され
ている。なお、有効表示領域30とは、液晶表示装置と
したときの光が透過する領域、即ち全画素の開口領域を
含むものである。
【0029】図1は、カラーフィルタ基板13上のスペ
ーサ柱部22と画素開口部30のカラーフィルタ層20
の各々の断面図である。図1(b)に示すように、表示
用着色層と間隙材とは離間して配置され、且つ、間隙材
22は島状に配置されている。間隙材用着色層は、円柱
状もしくは角柱状でかつ各々の間隙材用着色層のサイズ
が異なるように、すなわち、遮光層21側の間隙材用着
色層22(R)から22(G)、22(B)と上層の積
層ほど大きさが小さくなるように形成されている。
【0030】ここで、液晶層の液晶分子は、配向処理さ
れた配向膜により配向が決るが、間隙材22の存在によ
り、間隙材付近の液晶分子の配向は一定でないため、配
向不良となる。このため、開口部領域の間隙、すなわ
ち、遮光領域に、間隙材を配置することにより間隙材付
近の配向不良表示が隠され、表示不良領域が目視されな
いようにすることができる。
【0031】また、上記の間隙材は液晶の注入口付近に
も配置することにより注入口周辺でのセル厚むらを発生
しにくくすることが望ましい。更に、上記の実施の形態
に示したような表示領域のすぐ周辺すなわち有効表示領
域外周部もしくはダミー画素領域にもシール剤に沿って
形成するとよい。その場合の間隙材形状は表示領域内と
同じものに限定されることなく最適化すればよいことは
いうまでもない。また、カラーフィルタ層の一層もしく
は多層、さらには遮光層との重ね合わせで有効表示領域
外に形成してもよいことはいうまでもない。
【0032】次に、カラーフィルタ基板13の製造方法
についてを説明する。
【0033】絶縁基板13として1.1mmの厚みの無
アルカリガラス上にアルカリ現像可能な光硬化型アクリ
ル樹脂にカーボンブラックを分散させた材料をスピナー
で塗布する。これを、90℃,1O分の乾燥後、所定の
パターン形状のフオトマスクを用いて300mj/cm
2 の露光量で露光した後pH11.5のアルカリ性水溶
液にて現像し、200℃,1時間の焼成にて膜厚1.5
μmの格子状パターンの遮光膜を形成した。
【0034】この遮光膜21を形成した絶縁基板13上
に、アルカリ現像可能な市販の赤色着色レジストCR−
2000(富士ハントテクノロジー(株))をスピンナ
ーにより塗布,仮焼成後、表示用着色層パターン,円形
状の間隙材用着色層パターン,液晶注入口付近に対応し
た島状間隙材パターンが形成されたマスクを用いて、1
00mj/cm2 の露光量で露光したあとpH11.5
の現像液で現像する。その後、2OO℃で1時間焼成
し、膜厚1.5μmの表示着色層20(R)、および遮
光膜21上にスペーサ柱となる間隙材用着色層22
(R)を形成した。
【0035】その後、同様にして緑と青の表示用着色層
パターン20(G),20(B)、間隙材用着色層パタ
ーン22(G),22(B)を、各々膜厚1.5μm形
成し、間隙材部22においてはそれぞれの色のパターン
の大きさを変えることにより上記のような間隙材形状を
達成した。
【0036】すなわち、このようにして形成された間隙
材は、遮光層の上に赤色の円柱状間隙材用着色層22
(R)、緑色の円柱状間隙材用着色層22(G)、青色
の円柱状間隙材用着色層22(B)の3色の間隙材用着
色層が積層された錐形形状をして高さ4.5μmであ
る。
【0037】このように積層するに従って間隙材の大き
さを小さくしたのは、積層時のマスクずれを考慮したも
のである。このため、基板の反りがあっても実効的な間
隙材太さを基板面内または、ロット間で一定とすること
ができる。また、間隙材22は3色積層して作成したが
4層以上を積層しても良く、所定の基板間距離を得るた
めに積層を変えても良い。
【0038】さらに、このスペーサ柱22有効表示領域
外周部31にも配置する。
【0039】次に、このカラーフィルタ基板上にITO
からなる透明電極15を前面に形成した。そして、この
透明電極を形成したカラーフィルタ基板の上にポリイミ
ドを塗布、これを配向処理して配向膜16を形成して、
カラーフィルタ基板13を形成した。そして、透明画素
電極12およびTFTスイッチング素子12aをマトリ
クス配置し、外周に駆動回路18を形成したアクティブ
マトリクス基板11にも同様に配向膜(図示せず)を形
成し、液晶注入部を残してシール剤17を駆動回路56
がある有効表示領域外のシール領域32に設けて、各々
の基板を対向配置し張合わせた。シール剤17中に間隙
剤を混入しない。なお、符号12cは保護膜を示す。そ
の後、液晶注入部より液晶を注入して液晶層を設け、液
晶注入部を紫外線硬化樹脂で封止して液晶表示装置を形
成した。
【0040】2枚の基板を張合わせる際に、カラーフィ
ルタ基板側からもっとも遠い間隙材用着色層22
(B)、すなわちアクティブマトリクス基板11側に隣
接する側の間隙材用着色層が、アクティブマトリクス基
板の下層配線である走査線19上に配置されるように、
走査線により2枚の基板の位置決めを行った。このよう
に下層配線上に間隙材22を形成したため、アクティブ
マトリクス基板11側の電極とカラーフィルタ基板13
側の間隙材22上に形成される電極15との間に、下層
配線である走査線の上に形成されている層間絶縁膜や配
向膜16が存在することになり、アクティブマトリクス
基板の走査線とカラーフィルタ基板側の間隙材上に形成
される電極との短絡を防止することができる。
【0041】(実施の形態2)図2により、アクティブ
マトリクス基板41上にカラーフィルタ50を形成する
とともにスペーサ柱51も同時にカラーフィルタ層を用
いて形成する実施の形態2について説明する。
【0042】上記実施の形態1では、カラーフィルタを
有する液晶表示装置において、対向基板13側に形成す
るカラーフィルタ材を用いて間隙材22を形成したもの
であるが、実施の形態2では窒化シリコン膜51と赤、
緑、青各色のカラーフィルタ層50(R),(G),
(B)を用いてアクティブマトリクス基板41上の画素
領域に一色ずつ形成し、第三のコンタクトホールでIT
O画素電極42とTFT42aのソース領域の接続をと
ることによりアクティブマトリクス基板41上にカラー
フィルタを形成するものである。
【0043】この画素電極42による画素の開口領域に
カラーフィルタ層50を形成すると同時に上記の実施の
形態1と同様に3色の着色層52(R),(G),
(B)で遮光領域にスペーサ柱52を形成する。アクテ
ィブマトリクス基板41上に画素電極となるITO層を
成膜し、画素電極部をパタ−ニングする際にスペーサ柱
部52とITO膜はエッチング除去する。
【0044】カラーフィルタ50の形成方法について説
明すると、基板41にp−SiTFT42aを形成した
後にITOからなる画素電極42を形成する前に、第三
の絶縁層としての窒化シリコン膜51を形成し、その後
アクティブマトリクス基板41上に、多官能アクリレー
トの透明感光性樹脂に緑色顔料を分散させた感光性着色
樹脂を塗布し、プリベーク後、カラーフィルタえ50と
して残される部分を露光することにより感光性着色樹脂
が重合する。
【0045】次に、現像を行い未露光部分を除去してポ
ストペークを行い、緑色のパタ−ニング50(G),5
2(G)を完成させた。更に、同様の工程を繰り返して
他の赤色および青色のパタ−ニング50(R),
(B)、52(R),(B)を行った。この工程の前に
図2(a)のように有効表示領域外周部71および駆動
回路部60上を黒色レジスト層61で覆い、さらに有効
表示領域70内の遮光部にスペーサ柱52を形成する際
に、少なくとも青色層52(B)を有効表示領域外周の
黒レジスト層61の上に重ねて配置して有効表示領域7
0と外周部71との境の明確化と駆動回路60の遮光を
達成するようにした。
【0046】この有効表示領域の外周部71はスペーサ
柱の基礎の底辺層として黒レジスト層61および青色層
52(B)が連続して形成されていてもよいことはいう
までもない。
【0047】図5にスペーサ柱の表示領域における断面
形状、配置を示す。図5(a)に示すようにシール剤4
5に接する内側にドット柱状間隙材52aのみならず、
図5(b)の壁状間隙材52b、図5(c)の帯状間隙
材52cを配置している構造であり、スペーサ柱構造が
形成されセル厚が一定に保てるものであればどういう断
面構造であってもよいことはいうまでもない。なお符号
60は駆動回路を示し、シール領域72に配置される。
【0048】また、図2では駆動回路60の上にはスペ
ーサ柱を形成しない構造を示したが、信号線駆動回路お
よび走査線駆動回路の幅がシール幅よりも広い場合やセ
ル厚を正確に制御する目的で駆動回路上にもスペーサ柱
を形成してもよいことはもちろんいうまでもない。この
場合も駆動回路部上の間隙材であるカラーフィルタ層が
堅くないことと駆動回路上に黒レジスト層を含む緩衝層
が配置されていることもあり歩留まりは低下することが
ない。もちろん、駆動回路上は少なくとも一色の着色層
を形成する、もしくは複数層重ねることにより駆動回路
部のパターンにより発生している凹凸を平坦化するとい
う効果もあることはいうまでもない。
【0049】次に、TFT42aのソース領域と繋がる
コンタクトホールを形成し、ITOからなる画素電極4
2を成膜しパタ−ニングを行った。この時、当然ITO
電極は画素のTFT42aのソース部と接続される。
【0050】更に、ポリイミド等からなる配向膜47を
塗布し、配向処理を施し、同様な工程で配向膜を形成
し、かつ、共通電極44を配置した対向基板43を間隙
剤を含有しないシール剤45を介して所望のセル厚を保
って組立てた後に、液晶注入口が液晶を注入し、その後
入口を封止材で封じて液晶パネルを完成させた。
【0051】ここで、カラーフィルタ層が液晶層46と
なるべく接しない方が信頼性的には有効であるため、配
向膜47を塗布するまえにもう一層透明有機層もしくは
透明無機層を少なくとも有効表示領域上に配置後に配向
膜を形成した方が望ましいことはいうまでもない。
【0052】上記の工程で、駆動回路部60にも着色層
50を形成することにより、上記図5(a)のように各
々の駆動回路が表示領域外の片側のみに配置された構造
においても、駆動回路部がある辺62とない辺63での
高さがほぼ等しくするような平坦化が可能であり、駆動
回路幅が大きく駆動回路上にもスぺーサ柱を形成する場
合でも液晶セル形成時にセル厚むらを生じにくい。
【0053】この平坦化効果に加えて、シール領域の内
側すなわち表示領域に間隙材を配置し、駆動回路上にシ
ール領域を設けた場合に生じやすい駆動回路破壊を抑制
する効果や上記駆動回路部に対して上部から入射する光
が着色層で吸収されるために遮光の作用と有効表示領域
を規定する効果も有する。
【0054】また、上記のような構造では対向基板43
には遮光層が不要となるために、対向基板の位置合わせ
が必要なくなり開口率の改善とともに工程削減が可能と
なり歩留まりも改善されるという利点もある。この時、
駆動回路部への光入射を防ぐという効果に対しては、黒
レジスト等の着色層の他にカラーフィルタ層50として
p−Siの吸収係数が高い低波長側の光を低減するため
に青もしくは緑等の低波長側の着色層50(G)、50
(B)の方が望ましい。
【0055】有効表示領域の間隙材密度としては、例え
ば10μm角のスペーサ柱の場合は5000乃至800
00μm2 の面積に1個程度が最適である。この密度に
ついては以下の実施の形態で示すスぺーサ柱の場合も含
め先端部の間隙材断面積に概略比例した密度で考えれば
よい。
【0056】ここで、密度が高すぎると液晶セルの温度
変化等に対する機械変形に対する自由度が減るために特
に、表示サイズが大きい場合に温度サイクルや低温・高
温試験で問題を生じやすいので最適化することが望まし
い。このため、例えばドットサイズとしては80μm×
240μmで1024×3×768の画素を有するXG
Aパネルでは有効表示領域のスペーサ柱としては底辺が
20μm角で各層を重ねて先端部がで10μm角のもの
では2画素に1個の割でスペーサ柱を形成した。
【0057】そして、スペーサ柱は有効表示領域にのみ
形成してもよいが、シール手段と有効表示領域との間の
外周部領域に形成してもよいことはいうまでもなく、更
に液晶表示装置の形状や駆動回路配置等により有効表示
領域の間隙材密度と有効表示領域外の間隙材密度を最適
化するように変えてもよいことはいうまでもない。
【0058】すなわち、有効表示領域の間隙材密度とし
ては有効表示領域よりも高い密度に配置した方が周辺セ
ル厚むらをなくすためには有効である。その場合は、有
効表示領域のスペーサ柱と同様なドット状のスペーサ柱
を図5(a)のように密に配置してもよいが、また図5
(b),(c)のように帯状もしくは壁状のように連続
して長く形成する場合が効果的な揚合もある(有効表示
領域のスペーサ柱は図示せず)。そうすることにより、
よりセル厚むらのない液晶表示装置を歩留よく製造する
ことができ、またセル厚のばらつきも少なくすることが
できる。また、上記のスペーサ柱は液晶の注入口付近も
含めた四隅にも配置することにより注入口周辺でのセル
厚むらや周辺のセル厚むらを発生しにくくすることが望
ましい。
【0059】上記の有効表示領域とシール領域との間の
有効表示領域外周部とは有効表示領域と駆動回路部との
間になり、表示領域内の走査線や信号線の延長領域であ
り駆動回路にそれぞれが接続される途中部分にあたる。
このため、望ましくは各引き出し配線(信号線や走査
線)の隙間に間隙材を配置することが望ましい。もちろ
ん、駆動回路が表示部のそれぞれ一辺にしかない片側駆
動の揚合は駆動回路がない方の表示領域の外側にも配置
するとよい。更に、シール剤に沿って間隙材帯もしくは
間隙材壁を形成する場合には黒レジスト等の遮光層も含
め3色のカラーフィルタを重ねるとよい。また、カラー
フィルタ層と黒レジストとの形成順序を変えてもよいこ
とはいうまでもなく、例えばカラーフィルタ層の上に柱
構造を黒レジストで形成してもよいことは言うまでもな
い。
【0060】(実施の形態3)次に、カラーフィルタが
不要な液晶パネル、例えばプロジェクタ用液晶パネルの
場合のスペーサ柱を形成する本発明の実施の形態3につ
いて説明する。画素のサイズとしては78μm角であ
り、画素数は640×480の2.5インチのVGAパ
ネルである。
【0061】上記のような、カラーフィルタを有しない
液晶パネルの場合には、光硬化性樹脂等を用いてアクテ
ィブマトリクス基板上もしくは対向基板上に間隙材とな
る柱を形成すればよい。
【0062】以下、アクティブマトリクス基板側に形成
する場合の本発明に係わる液晶表示装置の実施の形態
を、図3および図4に基づいて詳細に説明する。
【0063】図において、アクティブマトリクス基板8
1は、ガラス基板上に画素スイッチング用p−SiTF
T82および映像信号電圧を印加するための信号線8
3,p−SiTFTのゲートにゲート電圧を印加するた
めの走査線84、および透明電極をエッチングによりパ
タ−ニングしてなる画素電極85を形成して画素の主要
部を作成するとともに同時に走査線駆動回路86および
信号線駆動回路87を作製する。
【0064】pーSiTFT82は、ガラス基板上にア
モルファスシリコン膜をCVD法で成膜後レーザーアニ
ール法で多結晶シリコン膜を形成し、島状にパタ−ニン
グしてゲート絶縁膜となる第一の絶縁膜88を形成し、
ゲート電極84aをパターン形成し、ソース・ドレイン
領域にセルフアラインで不純物を注入する。そして、こ
のとき、補助容量部は、多結晶シリコン膜の延長部とゲ
ート電極と同じ材料で構成される補助容量線89との間
で形成するようにする。ゲー卜電極84a上に酸化シリ
コンからなる第二の絶縁層90を形成し、ソース、ドレ
イン部とのコンタクトホールを形成しAlからなる金属
配線91を形成した。画素スイッチング用TFT82は
p−チャンネルトランジスタで構成するが、駆動回路部
はn−チャンネルとp−チャンネルのCMOS構造で形
成するためにソース・ドレイン領域形成の不純物注入は
n−チャンネルとp−チャンネルとに分けて行った。
【0065】次に、保護膜としての第三の絶縁層92と
なる窒化シリコン膜を形成し、その上にアクリル樹脂か
らなる第四の絶縁層(第2層間絶縁膜)93を4μm形
成し凹凸を平坦化した。平坦化層の厚さとしては、1〜
6μm程度が望ましい。次に、画素電極85の形成は第
2層間絶縁膜93を形成する前でも後でもよいが、表示
領域も平坦化することが望ましい。そのために平坦化
後、コンタクトホールを形成しITOからなる画素電極
85を形成した。
【0066】平坦化第2層間絶縁膜はアクリル樹脂以外
の有機層でも、またSOG(スピン、オン、ガラス)等
の無機層であっても平坦化が有効に達成されるものであ
ればどちらでもよいことはいうまでもない。また、有機
層と無機層の複合層で形成してもよいことはいうまでも
ない。このとき、複合層とするときは、有機層を形成し
た上で無機層を形成する方が平坦化の観点では望まし
い。また、有機層としては、感光性のものを用いる方が
工程が短縮されるが、感光性を有しないものを用いても
よいことは言うまでもない。
【0067】上記のようにして形成したアクティブマト
リクス基板81上に平坦化層に用いた感光性アクリル樹
脂を再び用いて今度は凸状の高さ3.5μmの間隙材9
4を形成した有効表示領域の間隙材密度としては5μm
径のものを3画素に1個の割で形成した。用いた感光性
アクリル樹脂は、厚さが厚いために端而が垂直にはなら
ないことに加えて、露光、現像、エッチング後に加熱・
紫外線照射処理を施すと端面部が更になだらかになると
いう特徴を有している。ここで、感光性の柱形成材料と
してはポジ型でもネガ型でもよいことはいうまでもない
が工程中のゴミの影響が出にくいという観点からはネガ
型の方が望ましい。
【0068】このため、次に配向膜(図示せず)を形成
し配向処理を行う際にラビング不良問題を生じにくい。
もちろん、間隙材94は絶縁性であれば感光性アクリル
以外の有機層でも無機層であってもよく、更には透明で
も非透明でもよいことはいうまでもない。但し、この時
当初のアクリル樹脂の塗布厚よりも間隙材形成後の高さ
が一割程度減少するためそれを考慮しておく必要があ
る。そして、間隙材の側壁はなだらかになっていても液
晶の配向が不十分だったり、正常部の液晶の電界に対す
る挙動と異なる場合があるため、間隙材の周囲も含めて
アレイ基板上の遮光部材を配置した方がよいことは言う
までもない。遮光領域とオーバーラップしない開口部に
配置すると間隙材のスペーサ柱周辺部で光抜けが生じる
ためである。ここで、スペーサ柱を形成する場所は遮光
領域であればよく、図4では画素TFT82の上にスペ
ーサ柱94を形成している断面図を示しているが、例え
ば画素電極のコンタクトホールの上に形成してもよいこ
とは言うまでもない。更に、スペーサ柱を形成する画素
電極の上もしくは下に遮光層を配置してもよいことは言
うまでもない。
【0069】次に、対向電極95を有する対向基板96
上に配向膜(図示せず)を形成し配向処理を行うととも
にシール領域を形成したものをアクティブマトリクス基
板と張合わせて所望のセル厚になるように、かつ、均一
なセル厚を得るために加圧し、その後,微小球のような
間隙材を含まない、エポキシ系樹脂からなるシール剤9
7を硬化させる。
【0070】そして、従来通りシール封着領域の切り目
部分から減圧注入法もしくは吸引注入法でΔn値の大き
な液晶98を注入し、その後注入口を封止材を用いて封
止し液晶表示装置を形成した。ここで、セル厚を3.5
μmと小さくしたのは液晶の応答速度をあげるためであ
る。プロジェクタ用では大画面表示で用いられるために
応答速度の改善が求められているため、セル厚を低減し
それに対応するΔn値の大きな液晶を用いた。
【0071】図3のように、平坦化層93は画素部のみ
形成し駆動回路には形成しなくてもよいが、画素部のみ
ならず信号線駆動回路や走査線駆動回路領域の上にも形
成してもよいことはいうまでもない。その場合は、この
第四絶縁層(平坦化層)94のシール領域と重なる領域
の少なくとも一部はパターンニングにより除去した方が
シール剤との接着性や信頼性の観点から望ましい。例え
ば、第四絶縁層が有機層のようなものである場合、シー
ル剤と密着性が弱かったり、外部からの水分等の不純物
侵入がシール剤の他に第四絶縁層を介する経路が生じる
ためである。もちろん、第四絶縁層とシール剤との接着
性が良好な場合、例えば第四絶縁層が無機絶縁膜等であ
ったり有機絶縁膜でも界面改善処理を施したり、有機絶
縁層と無機絶縁層の多層構造とすることで除去しない構
造にできる場合は除去しないでよいことはいうまでもな
い。
【0072】駆動回路部上に平坦化層(第四の絶縁層)
を複合層で形成する場合、前記のようにアクリル樹脂層
で平坦化層を形成した上でITO画素電極を形成した後
に画素電極上に更に窒化シリコンなどの保護層を形成す
る工程を利用することで、駆動回路部上に保護膜として
の窒化シリコン膜に加え、アクリル樹脂からなる有機層
と更に上部の窒化シリコンなどの無機層を2000オン
グストローム程度形成するようにしてもよい。無機層を
重ねる方が信頼性という観点では望ましい。また、画素
電極上の表示領域の前記窒化シリコンなどの無機層はそ
のまま残してもよいが、望ましいくはITO画素電極部
の無機層をエッチングして取り除いた方がよい。
【0073】また、無機層は有機層を形成した上に形成
し、その後画素電極用のコンタクトホールを形成してI
TOからなる画素電極を形成してもよい。このときの無
機層は有機層の保護の機能も有するが、厚さとしては1
000〜2000オングストローム程度形成すればよ
い。
【0074】また、プロジェクタ用では表示装置は単独
で用いられるために、有効表示領域とシール手段までの
距離すなわち外周部の距離は比較的長く設定することが
できることと、更に高精細化を図る場合は表示サイズも
低下することから、例えば2インチ以下のようなサイズ
となった場合は有効表示領域内にはスペーサ柱を配置せ
ずに有効表示領域とシール領域との間の領域のスぺーサ
柱だけでも十分にセル厚を一定に確保できるようにな
り、この場合も駆動回路の損傷もなく高歩留を達成する
ことができる。もしくは、有効表示領域のスペーサ柱密
度を少なくしてもよいことは言うまでもない。
【0075】また、液晶セルを形成する場合にアレイ基
板よりも対向基板を大きくして形成する場合や、一枚の
基板上に複数のアレイが形成されているものと同等の大
きさの複数の対向基板が形成されている基板で同時に液
晶セルを形成するような場合に、最終的に形成される液
晶パネルのシール剤領域の外側の液晶が充填されない部
分にもスペーサ柱を形成して最後に切り離すようにして
も良いことは言うまでもない。
【0076】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板上にp−SiTFTなどにより駆動素子とともに駆動
回路を形成した一体型の液晶表示パネルを、駆動回路を
損傷する事なく、電極基板問の間隙を一定に保持できる
と共に、額縁領域の縮小を図れる事から、液晶表示装置
の小型軽量化を実現でき、携帯情報端末等の小型の装置
に適用できる。しかも液晶セル形成時の歩留向上により
装置の低価格化も図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施の形態1の断面図、
(b)はその一部を取り出して示す断面図、
【図2】本発明の実施の形態2を示す断面図、(b)は
その一部を取り出して示す断面図、
【図3】本発明の実施の形態3を示す断面図、
【図4】図3の一部を拡大して示す断面図、
【図5】(a)、(b)、(c)はそれぞれ本発明の変
形例を示す平面図。
【符号の説明】
11:アクティブマトリクス基板 12:画素電極 12a:TFT 13:対向基板 14:液晶層 15:対向電極 17:シール剤 18:駆動回路 20:カラーフィルタ 21:遮光層 22:スペーサ柱 30:有効表示領域 31:有効表示領域外周部 32:シール領域

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 有効表示領域にマトリクス状に配列され
    た複数の画素電極およびこれらの画素電極それぞれに接
    続された駆動素子を有する第一の電極基板と、この第一
    の電極基板上で前記有効表示領域の周囲に設けられた前
    記駆動素子を駆動する駆動回路と、対向電極を有し前記
    第一の電極基板に液晶層を挟持する間隙を隔てて対向配
    置される第二の電極基板と、前記有効表示領域およびこ
    の有効表示領域外周部を囲むシール領域で前記第一電極
    基板および第二の電極基板を接着するシール手段とを有
    する液晶表示装置において、 前記駆動回路の少なくとも一部が前記シール領域内に配
    置され、前記シール手段が少なくとも前記駆動回路部分
    で前記間隙の厚さを制御するスペーサ柱からなる間隙材
    を実質的に含有しておらず、前記間隙材が、前記シール
    領域に囲まれる前記間隙内に配置されることを特徴とす
    る液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記第一の電極基板もしくは第二の電極
    基板の少なくとも一方が遮光領域を有し、前記有効表示
    領域内の間隙材が、前記遮光領域に選択的に配置される
    ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記間隙材は円柱状,角柱状,帯状のい
    ずれかのすくなくとものーつもしくは複数の組み合わせ
    で構成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶
    表示装置。
  4. 【請求項4】 前記間隙材は、透明部材で形成されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】前記間隙材は、着色部材で形成されている
    ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】前記着色部材からなる間隙材の少なくとも
    一部は、前記駆動回路の上の少なくとも一部に配置され
    ていることを特徴とする請求項5記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】前記間隙材の一部は、前記シール手段に囲
    まれた有効表示領域外周部に沿って配置されていること
    を特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項8】前記間隙材の一部が、前記シール手段に接
    していることを特徴とする請求項7記載の液晶表示装
    置。
  9. 【請求項9】前記間隙材の少なくとも一部は、前記駆動
    回路の上の少なくとも一部にも配置されていることを特
    徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項10】有効表示領域と有効表示領域外周部に配
    置される前記間隙材の密度が、前記有効表示領域と有効
    表示領域外周部とで異なることを特徴とする請求項1記
    載の液晶表示装置。
  11. 【請求項11】前記間隙材が、前記有効表示領域内には
    形成されていないことを特徴とする請求項1記載の液晶
    表示装置。
  12. 【請求項12】前記駆動回路の信号引き出し線を、前記
    第一の電極基板の端面を経由して、前記第一の電極基板
    の裏面まで延在することを特徴とする請求項1記載の液
    晶表示装置。
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Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000015172A (ko) * 1998-08-27 2000-03-15 김영환 액정 패널
WO2000045360A1 (fr) * 1999-01-28 2000-08-03 Seiko Epson Corporation Panneau electro-optique, affichage de projection, et procede de fabrication associe
JP2001174828A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置とその作製方法
JP2001318384A (ja) * 2000-03-03 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2002040404A (ja) * 2000-07-21 2002-02-06 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2002357834A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
US6504592B1 (en) 1999-06-16 2003-01-07 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US6549259B2 (en) 2000-02-14 2003-04-15 Nec Corporation Liquid crystal display panel and fabrication method of the same
US6671025B1 (en) 1999-02-15 2003-12-30 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and method of manufacturing the same without scattering spacers
JP2004341539A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置
JP2006201779A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Samsung Electronics Co Ltd カラーフィルタ表示板及びこれを備える液晶表示装置
JP2006301048A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
US7133108B2 (en) * 2000-12-08 2006-11-07 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
KR100685949B1 (ko) * 2001-12-22 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100803252B1 (ko) * 2000-01-14 2008-02-13 샤프 가부시키가이샤 액정 표시장치 및 그 제조방법
US7365386B2 (en) 2000-01-26 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP2009109819A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sony Corp 表示装置
US7656496B2 (en) 2004-04-30 2010-02-02 Lg. Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR100981633B1 (ko) * 2003-09-29 2010-09-10 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP2011002807A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US7903207B2 (en) 2004-08-24 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate comprising color filter layers formed in display and peripheral regions
JP2011090183A (ja) * 2009-10-23 2011-05-06 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2011141571A (ja) * 1999-07-06 2011-07-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
WO2012017617A1 (ja) * 2010-08-02 2012-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2012068668A (ja) * 2011-11-15 2012-04-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
CN102830551A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 株式会社日本显示器东 液晶显示装置和母板
JP2013137568A (ja) * 2013-02-27 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2014059583A (ja) * 2013-12-05 2014-04-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8854593B2 (en) 1997-05-22 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US8859353B2 (en) 1999-07-06 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP2015172773A (ja) * 2015-05-25 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN105892166A (zh) * 2016-06-29 2016-08-24 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示装置及电子设备
CN106990622A (zh) * 2017-05-25 2017-07-28 武汉天马微电子有限公司 液晶显示面板及制作方法、液晶显示装置
CN110568656A (zh) * 2019-09-29 2019-12-13 友达光电(昆山)有限公司 显示装置

Cited By (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8854593B2 (en) 1997-05-22 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
KR20000015172A (ko) * 1998-08-27 2000-03-15 김영환 액정 패널
KR100411678B1 (ko) * 1999-01-28 2003-12-18 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 패널, 투사형 표시 장치 및 전기 광학 패널의제조 방법
WO2000045360A1 (fr) * 1999-01-28 2000-08-03 Seiko Epson Corporation Panneau electro-optique, affichage de projection, et procede de fabrication associe
US6636192B1 (en) 1999-01-28 2003-10-21 Seiko Epson Corporation Electrooptic panel, projection display, and method for manufacturing electrooptic panel
US6671025B1 (en) 1999-02-15 2003-12-30 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and method of manufacturing the same without scattering spacers
US7180567B2 (en) 1999-02-15 2007-02-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7139061B2 (en) 1999-02-15 2006-11-21 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7978300B2 (en) 1999-02-15 2011-07-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US6504592B1 (en) 1999-06-16 2003-01-07 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US7212270B2 (en) 1999-06-16 2007-05-01 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US7612848B2 (en) 1999-06-16 2009-11-03 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US6812986B2 (en) 1999-06-16 2004-11-02 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US8049848B2 (en) 1999-06-16 2011-11-01 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
JP2011141571A (ja) * 1999-07-06 2011-07-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
US9069215B2 (en) 1999-07-06 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9786787B2 (en) 1999-07-06 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP2018142021A (ja) * 1999-07-06 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9395584B2 (en) 1999-07-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US8859353B2 (en) 1999-07-06 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9052551B2 (en) 1999-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9343570B2 (en) 1999-07-06 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP2014225044A (ja) * 1999-07-06 2014-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP2001174828A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置とその作製方法
US7697106B2 (en) 2000-01-14 2010-04-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR100803252B1 (ko) * 2000-01-14 2008-02-13 샤프 가부시키가이샤 액정 표시장치 및 그 제조방법
US7365386B2 (en) 2000-01-26 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US6549259B2 (en) 2000-02-14 2003-04-15 Nec Corporation Liquid crystal display panel and fabrication method of the same
JP2001318384A (ja) * 2000-03-03 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2002040404A (ja) * 2000-07-21 2002-02-06 Toshiba Corp 液晶表示装置
US7456926B2 (en) 2000-12-08 2008-11-25 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7826028B2 (en) 2000-12-08 2010-11-02 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7133108B2 (en) * 2000-12-08 2006-11-07 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
JP2002357834A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
KR100685949B1 (ko) * 2001-12-22 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2004341539A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置
KR100981633B1 (ko) * 2003-09-29 2010-09-10 삼성전자주식회사 액정표시장치
US7656496B2 (en) 2004-04-30 2010-02-02 Lg. Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7903207B2 (en) 2004-08-24 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate comprising color filter layers formed in display and peripheral regions
JP2006201779A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Samsung Electronics Co Ltd カラーフィルタ表示板及びこれを備える液晶表示装置
JP2006301048A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2009109819A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sony Corp 表示装置
JP2011002807A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US8564748B2 (en) 2009-06-18 2013-10-22 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US8879031B2 (en) 2009-06-18 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP2011090183A (ja) * 2009-10-23 2011-05-06 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
WO2012017617A1 (ja) * 2010-08-02 2012-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
CN102830551A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 株式会社日本显示器东 液晶显示装置和母板
JP2012068668A (ja) * 2011-11-15 2012-04-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2013137568A (ja) * 2013-02-27 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2014059583A (ja) * 2013-12-05 2014-04-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2015172773A (ja) * 2015-05-25 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN105892166A (zh) * 2016-06-29 2016-08-24 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示装置及电子设备
CN105892166B (zh) * 2016-06-29 2019-08-13 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示装置及电子设备
CN106990622A (zh) * 2017-05-25 2017-07-28 武汉天马微电子有限公司 液晶显示面板及制作方法、液晶显示装置
CN106990622B (zh) * 2017-05-25 2020-05-22 武汉天马微电子有限公司 液晶显示面板及制作方法、液晶显示装置
CN110568656A (zh) * 2019-09-29 2019-12-13 友达光电(昆山)有限公司 显示装置
TWI710825B (zh) * 2019-09-29 2020-11-21 大陸商友達光電(昆山)有限公司 顯示裝置

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