JP2003167257A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2003167257A
JP2003167257A JP2001367756A JP2001367756A JP2003167257A JP 2003167257 A JP2003167257 A JP 2003167257A JP 2001367756 A JP2001367756 A JP 2001367756A JP 2001367756 A JP2001367756 A JP 2001367756A JP 2003167257 A JP2003167257 A JP 2003167257A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ギャップムラを十分に抑制することが可能な液
晶表示装置を提供すること。 【解決手段】本発明の液晶表示装置1は、一方の主面に
第1領域21と前記第1領域21に対して隆起した第2
領域22とを有する第1基板2と、前記第1基板2の前
記主面と対向した第2基板3と、前記第1及び第2基板
2,3の少なくとも一方の対向面に設けられ且つ前記第
1及び第2基板2,3間の距離を一定に保つ複数のスペ
ーサ12と、前記第1及び第2基板2,3間に介在した
液晶層4とを具備し、前記複数のスペーサ12のうち前
記第2領域22上に位置したものとそれから最も近くに
位置したものとの間の距離は、前記複数のスペーサ12
のうち前記第1領域21上に位置したものとそれから最
も近くに位置したものとの間の距離に比べてより長いこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特には、少なくとも一方の基板にスペーサが形成さ
れた液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、一般的に用いられている液晶表示
素子では、基板間にプラスチックビーズ等をスペーサと
して散在させることにより、上記基板間の間隔(セルギ
ャップ)を一定に保っている。しかしながら、このよう
な方法では、プラスチックビーズが基板上に不均一に配
置されることがある。この場合、ギャップムラを生じ、
表示不良となることがある。
【0003】このような問題の発生を回避可能な方法と
して、基板上にフォトリソグラフィ技術を用いて柱状ス
ペーサを形成することが知られている。この方法によれ
ば、所望の位置にスペーサを配置することができるた
め、プラスチックビーズに関連して上述した問題は生じ
得ないと考えられる。
【0004】しかしながら、実際には、フォトリソグラ
フィ技術を用いて柱状スペーサを形成した場合であって
も、ギャップムラを生ずることがあった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、ギャップムラを十分に抑
制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、一方の主面に第1領域と前記第1領域に
対して隆起した第2領域とを有する第1基板と、前記第
1基板の前記主面と対向した第2基板と、前記第1及び
第2基板の少なくとも一方の対向面に設けられ且つ前記
第1及び第2基板間の距離を一定に保つ複数のスペーサ
と、前記第1及び第2基板間に介在した液晶層とを具備
し、前記複数のスペーサのうち前記第2領域上に位置し
たものとそれから最も近くに位置したものとの間の距離
は、前記複数のスペーサのうち前記第1領域上に位置し
たものとそれから最も近くに位置したものとの間の距離
に比べてより長いことを特徴とする液晶表示装置を提供
する。
【0007】また、本発明は、一方の主面に第1領域と
前記第1領域に対して隆起した第2領域とを有する第1
基板と、前記第1基板の前記主面と対向した第2基板
と、前記第1及び第2基板の少なくとも一方の対向面に
設けられ且つ前記第1及び第2基板間の距離を一定に保
つ複数のスペーサと、前記第1及び第2基板間に介在し
た液晶層とを具備し、前記複数のスペーサのうち前記第
2領域上に位置したものの径は、前記複数のスペーサの
うち前記第1領域上に位置したものの径に比べてより小
さいことを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【0008】なお、本発明において、複数のスペーサの
うち第2領域上に位置したものから最も近くに位置した
ものは、第1領域上に位置したスペーサ及び第2領域上
に位置したスペーサのいずれであってもよい。同様に、
複数のスペーサのうち第1領域上に位置したものから最
も近くに位置したものは、第1領域上に位置したスペー
サ及び第2領域上に位置したスペーサのいずれであって
もよい。また、本発明で言う「スペーサの径」は、第1
基板と第2基板との中間位置で両基板に平行にスペーサ
を切った断面において、この断面を両基板の法線方向か
ら見たときに、この断面の外径の2点とこの断面の重心
を通る線分のうち最短のものを意味する。
【0009】本発明において、複数のスペーサは、第1
基板の第2基板との対向面に設けられていてもよく、第
2基板の第1基板との対向面に設けられていてもよく、
第1及び第2基板の双方の対向面に設けられていてもよ
い。
【0010】本発明において、第1基板は第2基板との
対向面にスイッチング素子と配線と画素電極とを備えて
いてもよい。この場合、第1領域は画素電極と少なくと
も部分的に重なり合い、第2領域の少なくとも一部は配
線と重なり合っていてもよい。
【0011】本発明において、第1及び第2基板の少な
くとも一方の基板は他方の基板との対向面にカラーフィ
ルタ層を備えていてもよい。この場合、カラーフィルタ
層の着色層を部分的に重ね合わせ、それらの積層部を上
記スペーサの少なくとも一部として利用してもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図に
おいて同様の構成部材には同一の参照符号を付し、重複
する説明は省略する。
【0013】図1は、本発明の第1の実施形態に係る液
晶表示装置を示す断面図である。図1に示す液晶表示装
置1は、TN駆動方式のカラー型液晶表示装置であっ
て、アクティブマトリクス基板2と対向基板3とを対向
させ、それら基板2,3間に液晶層4を介在させた構造
を有している。これら基板2,3間の周縁部には、液晶
材料を注入するための注入口(図示せず)を除いて接着
剤層15が設けられており、その注入口は封止剤を用い
て封止されている。また、この液晶表示装置1の両面に
は偏光板5がそれぞれ貼り付けられており、その背面側
には図示しない光源が配置されている。
【0014】図1に示す液晶表示装置1において、アク
ティブマトリクス基板2は、ガラス基板のような透明基
板6を有している。透明基板6上には、配線7及びスイ
ッチング素子(図示せず)が形成されている。また、透
明基板6の配線7及びスイッチング素子が設けられた面
には、カラーフィルタ層9及び周縁遮光層10が形成さ
れており、カラーフィルタ層9上には画素電極11及び
柱状スペーサ12が積層されている。一方、対向基板3
は、ガラス基板のような透明基板13を有している。透
明基板13上には、共通電極14が形成されている。な
お、図示していないが、アクティブマトリクス基板2及
び対向基板3のそれぞれの対向面には配向膜が設けられ
ている。
【0015】アクティブマトリクス基板2に形成する配
線7は、透明基板6上で格子状に配列した走査線及び信
号線などで構成されている。また、図示しないスイッチ
ング素子は、例えば、アモルファスシリコンやポリシリ
コンを半導体層とした薄膜トランジスタ(以下、TFT
という)である。このスイッチング素子は、走査線及び
信号線などの配線7並びに画素電極11と接続されてお
り、それにより、所望の画素電極11に対して選択的に
電圧を印加することを能としている。
【0016】カラーフィルタ層9は、例えば、画素電極
11に対応してストライプ状に設けられた赤色の着色層
と緑色の着色層と青色の着色層とで構成されている。こ
れら着色層は、感光性樹脂とそれぞれの色に対応した着
色顔料或いは着色染料とを含有する混合物を用いて形成
することができる。
【0017】周縁遮光層10は、一般には額縁層などと
呼ばれ、画面の周縁部に形成される。周縁遮光層10
は、例えば、カーボン微粒子のような黒色顔料や黒色染
料と感光性樹脂との混合物を用いて形成することができ
る。
【0018】画素電極11及び共通電極14は、ITO
のような透明導電材料で構成されている。電極11,1
4は、例えばスパッタリング法などにより形成すること
ができる。
【0019】柱状スペーサ12は、感光性樹脂を用いて
形成することができる。すなわち、柱状スペーサ12
は、例えば、カラーフィルタ層9上に感光性樹脂層を形
成した後、この感光性樹脂層をパターン露光・現像する
ことなどにより得られる。柱状スペーサ12は、その少
なくとも一部を周縁遮光層10と同一の材料で及び同一
の工程で形成することができる。また、カラーフィルタ
層9を構成する各着色層を部分的に重ね合わせて、それ
らの積層部を柱状スペーサ12として利用することもで
きる。
【0020】図示しない配向膜は、ポリイミドなどの透
明樹脂からなる薄膜にラビング処理等の配向処理を施す
ことにより形成され得る。
【0021】さて、上記液晶表示装置1のアクティブマ
トリクス基板2では、カラーフィルタ層9や画素電極1
1の表面に、配線7などの下部構造の形状に対応して、
凹部21と凸部22とが生じている。そのため、スペー
サ12の基板6からの高さは、凹部21と凸部22との
間で互いに異なっている。従来技術でギャップムラを十
分に抑制できなかった理由は、このような凹凸構造に起
因している。これについては、図2を参照しながら説明
する。
【0022】図2(a)は従来の液晶表示装置のアクテ
ィブマトリクス基板を概略的に示す断面図であり、図2
(b)は図2(a)のアクティブマトリクス基板を用い
た液晶表示装置を概略的に示す断面図である。また、図
3(a)は図1の液晶表示装置のアクティブマトリクス
基板を概略的に示す断面図であり、図3(b)は図1の
液晶表示装置を概略的に示す断面図である。なお、図2
(a),(b)及び図3(a),(b)では、基板6,
13、配線7、及び柱状スペーサ12のみを描いてお
り、他の構成部材は省略している。
【0023】スペーサ12はアクティブマトリクス基板
2と対向基板3とを貼り合わせることにより変形する
(潰れる)、しかしながら、図2(a)に示すように、
柱状スペーサ12の数密度や径は凹部21と凸部22と
の間で同一である場合、凹部21と凸部22との間でス
ペーサ12の変形量(潰れ量)に大きな違いはない。そ
のため、従来技術では、図2(b)に示すようなギャッ
プムラを生じていた。
【0024】これに対し、本実施形態では、図3(a)
に示すように、柱状スペーサ12の数密度を凹部21に
比べて凸部22においてより低くしている。そのため、
1つのスペーサに加えられる荷重は凹部21に比べて凸
部22においてより大きくなる。したがって、本実施形
態では、従来技術に比べて、凸部22に位置するスペー
サの変形量がより大きくなり、図3(b)に示すように
ギャップムラを抑制することができる。
【0025】なお、通常、柱状スペーサ12の数密度と
柱状スペーサ12の隣り合うもの同士の間の距離とは相
関している。したがって、上記柱状スペーサ12の数密
度とギャップムラとの間の関係は、柱状スペーサ12の
隣り合うもの同士の間の距離とギャップムラとの間の関
係に置き換えることができる。例えば、柱状スペーサ1
2のうち、凸部22上に位置したものとそれから最も近
くに位置したものとの間の距離を、凹部21上に位置し
たものとそれから最も近くに位置したものとの間の距離
に比べてより長くすることにより、ギャップムラを抑制
することができる。
【0026】本実施形態において、凹部21上に位置し
たスペーサ12とそれから最も近くに位置したスペーサ
12との間の距離D1に対する凸部22上に位置したス
ペーサ12とそれから最も近くに位置したスペーサ12
との間の距離D2の比D2/D 1は1.1〜2の範囲内に
あることが好ましく、1.2〜2の範囲内にあることが
より好ましい。通常、比D2/D1を上記範囲内とした場
合、ギャップムラを十分に抑制することができる。
【0027】次に、本発明の第2の実施形態について説
明する。図4は、本発明の第2の実施形態に係る液晶表
示装置を示す断面図である。図4に示す液晶表示装置1
は、スペーサ12の径が凹部21と凸部22との間で互
いに異なっていること以外は図1に示す液晶表示装置1
とほぼ同様の構造を有している。すなわち、本実施形態
では、凸部22上に位置するスペーサ12の径を凹部2
2上に位置するスペーサ12の径に比べてより小さくし
ている。このような構成によると、第1の実施形態と同
様、従来技術に比べて、凸部22に位置するスペーサの
変形量がより大きくなる。したがって、本実施形態でも
ギャップムラを抑制することができる。
【0028】本実施形態において、凹部21上に位置し
たスペーサ12の径d1と、凸部22上に位置したスペ
ーサ12の径d2との比d1/d2は1.2〜4の範囲内
にあることが好ましく、1.5〜4の範囲内にあること
がより好ましい。通常、比d 1/d2を上記範囲内とした
場合、ギャップムラを十分に抑制することができる。
【0029】なお、上述のように、スペーサ12は、ア
クティブマトリクス基板2と対向基板3とを貼り合わせ
ることにより変形する。すなわち、スペーサ12の径
は、基板2,3を貼り合わせる前後で変化し得る。しか
しながら、通常、スペーサ12は順テーパ状の断面形状
を有しており、そのため、スペーサ12の変形は主とし
てその頂部において為される。換言すれば、スペーサ1
2の径は、スペーサ12の底部或いはその近傍で測定し
た場合、基板2,3を貼り合わせる前後で殆ど変化しな
い。したがって、スペーサ12の底部或いはその近傍を
観察することにより、完成した液晶表示装置1であって
も、スペーサ12の径を凹部21と凸部22との間で異
ならしめたか否かを容易に判別することができ、同様
に、比d1/d2も容易に測定することができる。
【0030】以上説明した第1及び第2の実施形態に係
る技術は、互いに組み合わせることができる。すなわ
ち、上述した液晶表示装置1は、例えば、不等式D1
2に示す関係と不等式d1>d2に示す関係との双方を
同時に満足していてもよい。
【0031】第1及び第2の実施形態では、スペーサ1
2をアクティブマトリクス基板2に形成したが、スペー
サ12は対向基板3に設けてもよく、基板2,3の双方
に設けてもよい。また、第1及び第2の実施形態では、
カラーフィルタ層9をアクティブマトリクス基板2に設
けたが、カラーフィルタ層9は対向基板3に設けてもよ
い。但し、スペーサ12やカラーフィルタ層9をアクテ
ィブマトリクス基板2に設けた場合、基板2,3を貼り
合わせる際の位置合わせが容易である。
【0032】さらに、第1及び第2の実施形態では、ス
イッチング素子を用いた液晶表示装置1について説明し
たが、単純マトリクス駆動方式を採用してカラー型ドッ
トマトリクス表示を行うこともできる。さらに、上記実
施形態では、TN型の液晶表示装置1について説明した
が、表示方式は、GH型、ECB型、或いは強誘電性液
晶を利用したタイプ等であってもよい。
【0033】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【0034】(実施例1)図1に示す液晶表示装置1を
以下の方法により作製した。まず、ガラス基板6上に通
常の方法によりTFT及び配線7を形成して、XGA型
TFTアレイ基板とした。
【0035】次いで、基板6の配線7などを形成した面
に赤色の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レ
ジストCR−2000(富士フィルムオーリン社製)を
スピナーを用いて塗布した。このようにして形成した塗
膜の上方にフォトマスクを配置し、このフォトマスクを
介して上記塗膜に露光量が100mJ/cm2となるよ
うに波長365nmの紫外線を照射した。上述した条件
で露光を終えた後、1%のKOH水溶液を用いて上記塗
膜を20秒間現像することにより厚さ3.2μmの赤色
の着色層を形成した。
【0036】さらに、緑色の顔料を分散させた紫外線硬
化型アクリル樹脂レジストCG−2000(富士フィル
ムオーリン社製)及び青色の顔料を分散させた紫外線硬
化型アクリル樹脂レジストCB−2000(富士フィル
ムオーリン社製)を用いて、赤色の着色層に関して説明
したのと同様の方法により、緑色の着色層及び青色の着
色層を順次形成した。以上のようにして、RGBカラー
フィルタ層9を形成した。
【0037】次に、カラーフィルタ層9上に、スパッタ
リング法を用いてITO膜を形成し、これをフォトリソ
グラフィ技術とエッチング技術とを用いてパターニング
することにより画素電極11を得た。なお、これら画素
電極11は、それぞれカラーフィルタ層9に設けたコン
タクトホールを介してTFTのソース電極と接続される
ように形成した。
【0038】その後、基板6の画素電極11を形成した
面に、黒色の紫外線硬化樹脂を塗布した。これにより得
られた塗膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングすることにより、周縁遮光層10とスペーサ12と
を同時に形成した。なお、本実施例では、上記塗膜を露
光する際にスペーサ部の開口サイズが15μm×20μ
mのフォトマスクを使用して、凸部22に相当する配線
(補助容量線)7上には9画素に1個の割合でスペーサ
12を形成し、凹部21上には9画素に2個の割合でス
ペーサ12を形成した。また、このような方法で得られ
たスペーサ12の高さは4.8μmであった。
【0039】さらに、基板6の画素電極11を形成した
面に、配向膜材料であるAL−3046(JSR社製)
を600Åの厚さで塗布し、得られた塗膜にラビング処
理を施して配向膜を形成した。以上のようにして、アク
ティブマトリクス基板2を完成した。
【0040】上述した方法でアクティブマトリクス基板
2を作製する一方で、以下の方法により対向基板を作製
した。すなわち、まず、ガラス基板13上に、スパッタ
リング法を用いてITO膜を形成し、共通電極14を得
た。その後、基板13の共通電極14を形成した面に、
配向膜材料であるAL−3046(JSR社製)を60
0Åの厚さで塗布し、得られた塗膜にラビング処理を施
して配向膜を形成した。以上のようにして、対向基板3
を完成した。
【0041】次いで、対向基板3の配向膜を形成した面
の周縁部に接着剤15を注入口が残されるように印刷し
た。さらに、アクティブマトリクス基板2から共通電極
14に電圧を印加するための電極転移材(図示せず)を
接着剤15の周辺部の電極転移材(図示せず)上に形成
した。
【0042】その後、アクティブマトリクス基板2と対
向基板3とを、それらの配向膜同士が対向するように及
びそれらのラビング方向が直交するように貼り合わせ、
さらに加熱して接着剤15を硬化させることによりセル
を形成した。このセル中に液晶材料としてZLI−15
65(MERCK社製)を通常の方法により注入して液
晶層4を形成した。さらに、注入口を紫外線硬化樹脂で
封止し、ガラス基板6,13のそれぞれに偏光板5を貼
り付けた。
【0043】以上のようにして得られた液晶表示装置1
のセルギャップは4.80±0.20μmと非常に良好
な値であった。また、この液晶表示装置1では、ギャッ
プムラは見られず、表示品位は極めて良好であった。
【0044】なお、本実施例では、スペーサ12を形成
する際、スペーサ部の開口サイズが15μm×20μm
のフォトマスクを使用したが、その開口サイズは5μm
2〜40μm2の範囲内にあることが好ましい。また、本
実施例では、スペーサ12を9画素に1個または2個の
割合で形成したが、3画素に1個〜18画素に1個の割
合で形成することが好ましい。
【0045】(実施例2)図4に示す液晶表示装置1を
以下の方法により作製した。まず、実施例1で説明した
のと同様の方法により、ガラス基板6上に、TFT及び
配線7、RGBカラーフィルタ層9、並びに画素電極1
1を形成した。
【0046】その後、基板6の画素電極11を形成した
面に、黒色の紫外線硬化樹脂を塗布した。これにより得
られた塗膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングすることにより、周縁遮光層10と高さ4.8μm
のスペーサ12とを同時に形成した。なお、本実施例で
は、凸部22に相当する配線(補助容量線)7上に9画
素に1個の割合でスペーサ12を形成し、凹部21上に
も9画素に1個の割合でスペーサ12を形成した。ま
た、上記塗膜を露光する際には、スペーサ部の開口サイ
ズが凹部21上で30μm×20μmであり且つ凸部2
2上で15μm×20μmであるフォトマスクを使用し
た。
【0047】その後、基板6の画素電極11を形成した
面に、実施例1で説明したのと同様の方法により配向膜
を形成した。以上のようにして、アクティブマトリクス
基板2を完成した。さらに、このアクティブマトリクス
基板2を用いて、実施例1で説明したのと同様の工程を
実施することにより、図4に示す液晶表示装置1を得
た。
【0048】以上のようにして得られた液晶表示装置1
のセルギャップは4.80±0.15μmと非常に良好
な値であった。また、この液晶表示装置1では、ギャッ
プムラは見られず、表示品位は極めて良好であった。
【0049】なお、本実施例では、スペーサ12を形成
する際、スペーサ部の開口サイズが15μm×20μm
及び30μm×20μmのフォトマスクを使用したが、
その開口サイズは5μm2〜40μm2の範囲内にあるこ
とが好ましい。また、本実施例では、スペーサ12を9
画素に1個の割合で形成したが、3画素に1個〜18画
素に1個の割合で形成することが好ましい。
【0050】(実施例3)図5は、本発明の実施例3に
係る液晶表示装置を概略的に示す断面図である。本実施
例では、図5に示す液晶表示装置1を以下の方法により
作製した。
【0051】まず、ガラス基板6上に、通常の方法によ
り、TFT16及び配線を形成した。次いで、基板6の
TFT16などを形成した面に、ポジ型の紫外線硬化型
樹脂をスピンコート法などにより1μm〜4μm程度の
厚さに塗布した。これにより得られた塗膜をプリベーク
した後、その塗膜のコンタクトホールを形成すべき部分
に露光量が200mJ/cm2〜2000mJ/cm2
なるように波長365nmの紫外線を照射した。さら
に、露光後の塗膜を現像することにより、コンタクトホ
ールが設けられた絶縁膜17を形成した。
【0052】次に、絶縁膜17上に、スパッタリング法
を用いてITO膜を形成した。これをフォトリソグラフ
ィ技術とエッチング技術とを用いてパターニングするこ
とにより画素電極11を得た。なお、これら画素電極1
1は、それぞれコンタクトホールを介してTFT10の
ソース電極と接続されるように形成した。
【0053】次いで、基板6の画素電極11を形成した
面に、ネガ型の紫外線硬化型樹脂をスピンコート法など
により1μm〜4μm程度の厚さに塗布した。これによ
り得られた塗膜をプリベークした後、その塗膜のスペー
サ12を形成すべき部分に露光量が200mJ/cm2
〜2000mJ/cm2となるように波長365nmの
紫外線を照射した。さらに、露光後の塗膜を現像するこ
とにより、高さ4.8μmの柱状スペーサ12を形成し
た。なお、本実施例では、スペーサ12のうち、アクテ
ィブマトリクス基板2と対向基板3とを貼り合わせた際
に凹部に相当する周縁遮光層10上に位置するものの径
は25μm×25μmとし、凸部に相当するカラーフィ
ルタ層9上に位置するものの径は15μm×15μmと
した。また、それらスペーサ12は、9画素に1個の割
合で形成した。
【0054】その後、基板6の画素電極11を形成した
面に、配向膜材料であるAL−3046(JSR社製)
を600Åの厚さで塗布し、得られた塗膜にラビング処
理を施して配向膜を形成した。以上のようにして、アク
ティブマトリクス基板2を完成した。
【0055】このようにして得られたアクティブマトリ
クス基板2と対向基板3とを用いて、実施例1で説明し
たのと同様の工程を実施することにより、図5に示す液
晶表示装置1を得た。なお、ここで使用した対向基板3
は、ガラス基板13上に、赤の着色層9aと緑の着色層
9bと青の着色層9cとを有するカラーフィルタ層9及
び周縁遮光層10を形成し、カラーフィルタ層9上に共
通電極14を形成した構造を有している。
【0056】以上のようにして得られた液晶表示装置1
のセルギャップは4.80±0.15μmと非常に良好
な値であった。また、この液晶表示装置1では、表示領
域と額縁近傍との間でギャップムラは見られず、表示品
位は極めて良好であった。
【0057】(実施例4)凹部21に対する凸部22の
高さ及びスペーサ12間の間隔が異なること以外は実施
例1で説明したのと同様の方法により複数の液晶表示装
置1を作製した。なお、本実施例では、それら液晶表示
装置1の間で、凹部21に対する凸部22の高さを0.
5μm〜2μmの範囲内で互いに異ならしめるととも
に、凹部21上での柱状スペーサ12間の平均間隔に対
する凸部22上での柱状スペーサ12間の平均間隔の比
(ここでは、柱状スペーサ12を周期的に配置したの
で、上記の比D2/D1に相当する)を1〜5の範囲内で
互いに異ならしめた。次に、これら液晶表示装置1のそ
れぞれについて、セルギャップ及びギャップムラ発生の
有無を調べた。その結果を図6に示す。
【0058】図6は、実施例4に係る液晶表示装置1に
おけるスペーサ間隔とギャップムラとの間の関係を示す
グラフである。図中、横軸は比D2/D1を示し、縦軸は
凹部21と凸部22との間のセルギャップの差を示して
いる。また、図中、曲線31は凹部21に対する凸部2
2の高さを0.5μmとした場合のデータを示し、曲線
32は凹部21に対する凸部22の高さを1.0μmと
した場合のデータを示し、曲線33は凹部21に対する
凸部22の高さを2.0μmとした場合のデータを示し
ている。
【0059】図6の曲線31から明らかなように、凹部
21に対する凸部22の高さが0.5μmである場合、
比D2/D1を1.1〜2の範囲内とすることにより、ギ
ャップムラの発生を防止することができた。また、図6
の曲線32,33から明らかなように、凹部21に対す
る凸部22の高さが1.0μmまたは2.0μmである
場合、比D2/D1を1.2〜2の範囲内とすることによ
り、ギャップムラの発生を防止することができた。
【0060】(実施例5)凹部21に対する凸部22の
高さ及びスペーサ12の径が異なること以外は実施例1
で説明したのと同様の方法により複数の液晶表示装置1
を作製した。なお、本実施例では、それら液晶表示装置
1の間で、凹部21に対する凸部22の高さを0.5μ
m〜2μmの範囲内で互いに異ならしめるとともに、上
記の比d1/d2を1〜5の範囲[(15μm×20μ
m)/(15μm×20μm)〜(30μm×50μ
m)/(15μm×20μm)の範囲]内で互いに異な
らしめた。次に、これら液晶表示装置1のそれぞれにつ
いて、セルギャップ及びギャップムラ発生の有無を調べ
た。その結果を図7に示す。
【0061】図7は、実施例5に係る液晶表示装置1に
おけるスペーサ径とギャップムラとの間の関係を示すグ
ラフである。図中、横軸は比d1/d2を示し、縦軸は凹
部21と凸部22との間のセルギャップの差を示してい
る。また、図中、曲線41は凹部21に対する凸部22
の高さを0.5μmとした場合のデータを示し、曲線4
2は凹部21に対する凸部22の高さを1.0μmとし
た場合のデータを示し、曲線43は凹部21に対する凸
部22の高さを2.0μmとした場合のデータを示して
いる。
【0062】図7の曲線41から明らかなように、凹部
21に対する凸部22の高さが0.5μmである場合、
比d1/d2を1.2〜4の範囲内とすることにより、ギ
ャップムラの発生を防止することができた。また、図7
の曲線42,43から明らかなように、凹部21に対す
る凸部22の高さが1.0μmまたは2.0μmである
場合、比d1/d2を1.5〜4の範囲内とすることによ
り、ギャップムラの発生を防止することができた。
【0063】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、凹部
に比べて凸部においてスペーサ間の距離をより長くする
ことや、凹部に比べて凸部においてスペーサの径をより
小さくすることにより、スペーサの変形量を凹部に比べ
て凸部においてより大きくすることができるため、ギャ
ップムラの発生を抑制することができる。すなわち、本
発明によると、ギャップムラを十分に抑制することが可
能な液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置を
示す断面図。
【図2】(a)は従来の液晶表示装置のアクティブマト
リクス基板を概略的に示す断面図、(b)は(a)のア
クティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置を概略的
に示す断面図。
【図3】(a)は図1の液晶表示装置のアクティブマト
リクス基板を概略的に示す断面図、(b)は図1の液晶
表示装置を概略的に示す断面図。
【図4】本発明の第2の実施形態に係る液晶表示装置を
示す断面図。
【図5】本発明の実施例3に係る液晶表示装置を概略的
に示す断面図。
【図6】実施例4に係る液晶表示装置におけるスペーサ
間隔とギャップムラとの間の関係を示すグラフ。
【図7】実施例5に係る液晶表示装置におけるスペーサ
径とギャップムラとの間の関係を示すグラフ。
【符号の説明】
1…液晶表示装置 2…アクティブマトリクス基板 3…対向基板 4…液晶層 15…接着剤層 5…偏光板 6…透明基板 7…配線 9…カラーフィルタ層 10…周縁遮光層 11…画素電極 12…柱状スペーサ 13…透明基板 14…共通電極 21…凹部 22…凸部 9a〜9c…着色層 16…スイッチング素子 17…絶縁層 31〜33…曲線 41〜43…曲線

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の主面に第1領域と前記第1領域に
    対して隆起した第2領域とを有する第1基板と、 前記第1基板の前記主面と対向した第2基板と、 前記第1及び第2基板の少なくとも一方の対向面に設け
    られ且つ前記第1及び第2基板間の距離を一定に保つ複
    数のスペーサと、 前記第1及び第2基板間に介在した液晶層とを具備し、 前記複数のスペーサのうち前記第2領域上に位置したも
    のとそれから最も近くに位置したものとの間の距離は、
    前記複数のスペーサのうち前記第1領域上に位置したも
    のとそれから最も近くに位置したものとの間の距離に比
    べてより長いことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 一方の主面に第1領域と前記第1領域に
    対して隆起した第2領域とを有する第1基板と、 前記第1基板の前記主面と対向した第2基板と、 前記第1及び第2基板の少なくとも一方の対向面に設け
    られ且つ前記第1及び第2基板間の距離を一定に保つ複
    数のスペーサと、 前記第1及び第2基板間に介在した液晶層とを具備し、 前記複数のスペーサのうち前記第2領域上に位置したも
    のの径は、前記複数のスペーサのうち前記第1領域上に
    位置したものの径に比べてより小さいことを特徴とする
    液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記複数のスペーサは前記第1基板の前
    記第2基板との対向面に設けられたことを特徴とする請
    求項1または請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記第1基板は前記第2基板との対向面
    にスイッチング素子と配線と画素電極とを備え、前記第
    1領域は前記画素電極と少なくとも部分的に重なり合
    い、前記第2領域の少なくとも一部は前記配線と重なり
    合っていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のい
    ずれか1項に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記第1基板は前記第2基板との対向面
    にカラーフィルタ層を備えたことを特徴とする請求項1
    乃至請求項4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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