JP2001174828A - 液晶表示装置とその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シール材のしみだし、注入不良による気泡、
ラビング筋、ギャップむらの発生をおさえ、表示品質の
良い狭ギャップパネルを作製する。 【解決手段】 アクティブマトリクスパネルにおいて、
層間絶縁膜１５８、１６０を２層にわけて形成し一層を
除去することで、シール材１６８の直下に段差を設け、
シール材のしみだしをおさえる。段差を必要最低限にお
さえた構成にするため、柱状スペーサー１６２塗布によ
りシール材１６８直下の段差を平坦化でき、均一なセル
ギャップを得る。また、ラビングの上流側をさけて段差
を形成することで、段差によるラビング筋をさけること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関する。より詳細には、セルギャップの
狭い液晶表示装置を形成する時に液晶の表示品質を劣化
させるシール材のしみ出し、気泡、ラビング筋、セルギ
ャップむら等の不良を防ぎ、歩留まり良く液晶表示装置
の製造を行うものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ノートパソコンや液晶モニタ機器
などの、軽量で、コンパクトな液晶表示装置が注目され
てきている。特に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＩ
Ｍ（メタル−インシュレーター−メタル）等の能動素子
を用いて液晶の配向制御を行うアクティブマトリクス型
表示装置は、高精細な表示ができ、プロジェクターや直
視型液晶表示装置に、広く使われている。

【０００３】最近はバックライトがいらず薄型、軽量化
が可能な反射型液晶表示装置や、高速応答が可能な、自
発分極を有するスメクチック液晶（反強誘電性液晶、強
誘電性液晶、無しきい値液晶、反強誘電性液晶と強誘電
性液晶の混合物からなる液晶）を用いた液晶表示装置
が、盛んに開発が進められている。反射型液晶表示装置
や、強誘電性液晶等を用いた液晶表示装置などでは、表
示特性を最適化した結果、１〜３μｍ程度の狭いセルギ
ャップが必要となる場合が多い。

【０００４】従来のＴＮ（ツイステッドネマティック）
モードを利用した液晶表示装置では、セルギャップは３
〜５μｍであり、液晶の応答速度は室温で５ｍｓｅｃ以
上かかる。しかし、動画を表示する場合や、フィールド
シーケンシャル方式を採用する場合には、この応答速度
では不充分なことがある。さらなる高速応答が望まれ、
開発が行われている。セルギャップを２μｍ前後に狭く
することで電界強度を強くし、高速応答をさせる試みが
ある。

【０００５】また、液晶表示装置のセルギャップを制御
する材料として、球状のＳｉＯ₂（二酸化珪素）やポリ
スチレンのような有機樹脂からなるスペーサーがある。
スペーサーの散布方式は窒素ガスの気流でスペーサーを
散布する乾式散布方式と、ＩＰＡ（イソプロピルアルコ
ール）のような低沸点溶媒にスペーサーを混ぜて基板上
に散布する湿式散布方式がある。

【０００６】最近は、感光性樹脂をフォトリソ工程にて
柱状にパターニングしたスペーサー（便宜的に柱状スペ
ーサーと称する）も用いられている。また、スメクチッ
ク液晶を使用する液晶表示装置においては、セルギャッ
プを制御する機能と、配向を制御する機能をあわせもつ
壁状のスペーサー（便宜的に壁スペーサーと称する）も
用いられている。

【０００７】さらに、シール材中に混入して用いられる
フィラーもセルギャップ制御に用いられる。フィラーは
ガラスファイバーからなり、１００〜５００μｍ幅の大
きさである。フィラーはその大きさから、シール材を設
ける領域にあり、画素領域には使われないところが、ス
ペーサーと異なる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置のセルギ
ャップを狭くして、表示品質の良い液晶表示装置をつく
るにはいくつかの問題がある。

【０００９】まず、シール材中の低粘度成分の画素領域
へのしみだしが問題となる。シール材にある充填剤の径
は４〜５μｍであり、３μｍ以下にセルギャップを狭く
するためには、充填剤を圧縮することになる。充填剤を
大きく圧縮すると、シール材の低粘度成分や未硬化樹脂
が画素領域にまでとびだし、表示品質に影響する。

【００１０】図１７のように、シール材１３０１を熱
プレスにより硬化すると、シール材の未硬化樹脂や、低
粘度成分のしみだし１３０２があり、画素領域１３０３
にまでシール材がひろがる。

【００１１】また、セルギャップが狭くなるほど液晶の
注入速度が遅くなる。それだけでなく、セルギャップの
狭い液晶表示装置では特に段差領域で液晶が入りにくく
なる傾向がある。液晶が注入されない部分は気泡となっ
て残り、長期信頼性に影響する。

【００１２】気泡の例を図１７に示す。注入口からは
なれた、シール材１３０１近くに気泡１３０４が残る。

【００１３】また、セルギャップむらがあると、干渉
縞、色むらにより表示品質が損なわれる。特にセルギャ
ップの狭い液晶表示装置では、汎用されているセルギャ
ップ（４〜５μｍ）に比べ、屈折率異方性の大きい液晶
を使うため、セルギャップむらが色むらとなってでてき
やすい。精度の良いセルギャップ精度が求められる。

【００１４】液晶表示装置の白レベルは、液晶層のリタ
デーションつまりΔｎ×ｄ（Δｎ：液晶の屈折率異方
性、ｄ：液晶層の厚さ）で決まる。セルギャップむらが
あると、リタデーションがばらつき、表示むらとなる。
セルギャップが狭いと液晶の屈折率異方性（Δｎ）を大
きくして白レベルをかせぐため、ちょっとしたセルギャ
ップ（ｄ）のむらが、表示むらにつながりやすい。

【００１５】３μｍ以下の液晶表示装置を作製する場
合、シール材に混合するフィラーの径が限られてきてし
まうため、セルギャップに合ったフィラーを使うのが難
しくなる。また、特殊な径のフィラーが必要となってく
るが、径が小さくなるにつれ価格が数倍にもなってしま
い、液晶表示装置の価格に合わなくなってしまう。

【００１６】さらに、シール材中の充填剤の径が４〜５
μｍとセルギャップに対して大きいため、充填剤の圧縮
にも限界があり、熱プレス等でシール材に荷重をかけた
としても、場合によってはシール材が潰れずに、所望の
セルギャップが得られないことがある。セルギャップを
狭くすると、シール材やフィラーの関係で精度の良いギ
ャップ形成が困難である。

【００１７】液晶表示装置のギャップむらの例を図１７
に示す。ギャップむらにより、中心付近の色目１３０
５と、中心から離れたところの色目１３０６が変わる。

【００１８】また、液晶表示装置の問題点として、ラビ
ング筋の問題がある。ラビング工程のラビングロールの
毛先のほつれや、へたり具合によって、図１７のよう
にラビング方向に平行なラビング筋１３０７ができる。

【００１９】図１６に示すように、配向膜をラビングす
るときに、液晶表示装置の基板１２００に段差１２０１
があると、ラビングロールの毛先が段差によって乱れ
て、ラビング状態が変わってしまう。段差をラビング方
向１２０２の下流側にひきずって、ラビング筋１２０３
となってでやすくなる。特に垂直配向膜のように、プレ
チルトが高い配向膜はラビング筋がでやすい。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、第一の基板上
に絶縁膜を二層成膜し、シール材を形成する領域にあた
る絶縁膜をエッチングにより除去し、凹部あるいは段差
を設ける。さらにその上に有機樹脂膜を塗布し凹部ある
いは段差を平坦化し、有機樹脂膜をパターニングする。
そしてシール材を形成する領域と表示領域を含む部分に
スペーサーを形成する。スペーサーは有機樹脂膜の平坦
化効果により基板内において頂点が同一の高さとなるた
め、第二の基板と貼り合わせて液晶表示装置を形成した
ときにセルギャップむらがでにくい構成となる。また最
上層の絶縁膜をエッチングすると、さらにその上に設け
た絶縁膜により段差が平坦化されてしまうことがないた
め、段差の形成が精度良くできる。

【００２１】、本発明は単純マトリクス型液晶表示装置
にもアクティブマトリクス型液晶表示装置にも使うこと
ができる。また第一の基板上に設けた絶縁膜のエッチン
グレートを変えるとエッチングが容易になる。凹部ある
いは段差の形成が容易になる。エッチングレートの違う
膜としてたとえば無機絶縁膜と有機絶縁膜を組み合わせ
て使うことができる。

【００２２】スペーサーとなる有機樹脂材料はポリイミ
ド、ポリアミド、アクリル、ポリビニルシンナメートの
うちいずれか一つを主成分とするものを用いることが可
能である。

【００２３】特にスペーサーとなる有機樹脂材料で良好
な平坦化をするためには、凹部ができるように絶縁膜を
エッチングし、絶縁膜をエッチングする領域の幅
（Ｌ_A）がシール材の幅（Ｌ_B）に対し、Ｌ_B＋０．１ｍ
ｍ≦Ｌ_A≦Ｌ_B＋２ｍｍとなるようにするとよい。

【００２４】また、エッチングする絶縁膜の厚さを必要
最低限におさえることで、スペーサーとなる有機樹脂膜
を塗布するときの平坦化効果が高くなる。シール材は一
般に３．０μｍ以上あればしみだしのない良好な表示が
でき、２．５μｍ以上あれば良好なセルギャップ制御が
できる。シール形成領域のセルギャップを２．５μｍ〜
３．０μｍと制限するようにして、エッチングする絶縁
膜の厚さを調節すると良い。

【００２５】特に、液晶層が自発分極を有するスメクチ
ック液晶である場合に、エッチングする絶縁膜の厚さを
必要最低限におさえると、狭いセルギャップの液晶表示
装置において段差の形成をおさえることができる。これ
は段差による気泡の発生を抑えることにつながる。自発
分極を有するスメクチック液晶は気泡に起因した配向む
らができてしまうので、このように段差の形成をおさえ
ることは重要である。

【００２６】またスペーサーを表示領域に設けないよう
にするとスペーサーに起因する配向欠陥をおさえること
ができる。

【００２７】絶縁膜をエッチングして形成した凹部ある
いは段差の上に有機樹脂膜（Ａ）を形成し、さらにその
上にスペーサーとなる有機樹脂膜（Ｂ）することもでき
る。有機樹脂膜（Ａ）を形成すると、凹部あるいは段差
のテーパーが緩やかになりラビングをしたときに段差に
よる毛先の乱れをへらすことができる。有機樹脂膜
（Ａ）は絶縁膜をエッチングしてできた段差を平坦化し
ない程度の膜厚にする。

【００２８】また、段差を設ける基板としてカラーフィ
ルターを有する対向基板を用いることもできる。対向基
板のオーバーコート材あるいはオーバーコート材とカラ
ーフィルターをシール材を設ける領域において除去して
段差を形成しても良い。表示領域のセルギャップが２．
５μｍ以下である場合に、シール材のしみだしを防止で
き、このような構成は効果的である。シール材を形成す
る領域にスペーサー、フィラーを設けないようにする
と、シール材形成領域の凹凸をシール材がうまく吸収し
てくれる。

【００２９】ラビングの上流側に段差を設けないように
すると、段差に起因するラビング筋をおさえることがで
きる。この場合もシール材を形成する領域にスペーサ
ー、フィラーを設けないようにすると、シール材形成領
域の凹凸をシール材がうまく吸収してくれる。

【００３０】

【発明の実施の形態】［実施形態１］本実施形態では、
セルギャップの狭い液晶表示装置で、液晶表示装置の表
示品質に影響するシール材のしみだしを押さえている。
さらに液晶表示装置の構成を工夫することで微細な段差
に起因する気泡や、ラビング筋をおさえ、同時にセルギ
ャップむらをでにくくしている。

【００３１】本実施形態の、液晶表示装置は垂直配向反
射型プロジェクターである。垂直配向反射型プロジェク
ターは反射型液晶表示装置のため、透過型液晶表示装置
に比べセルギャップを小さくする必要がある。液晶の屈
折率異方性の大きさにもよるが、２〜４μｍ、望ましく
は２〜３μｍのセルギャップが求められる。

【００３２】また、垂直配向膜は、配向膜のアンカリン
グエネルギーが弱いため、液晶注入に時間がかかる。特
にセルギャップの狭い液晶表示装置において、段差があ
るとその部分で液晶が注入されにくい。

【００３３】また、垂直配向のような複屈折効果を利用
する表示モードはセルギャップむらが色目の変化となっ
て見えてくる。特にセルギャップの狭い液晶表示装置で
は、屈折率異方性が大きい液晶を使うため、小さなセル
ギャップむらが色目の変化となって強調される。

【００３４】しかし、本実施形態の構成によって垂直配
向反射型液晶表示装置のような比較的、ラビング筋や段
差に起因する気泡がでやすく、セルギャップ均一性が必
要となる場合においても、表示品質の良い液晶表示装置
を提供することができる。

【００３５】本実施形態の構成のうちアクティブ素子形
成方法を図１〜３を用いて説明する。ここでは画素部の
画素ＴＦＴと、画素部の周辺に設けられる駆動回路のＴ
ＦＴを同一基板上に作製する方法について工程に従って
詳細に説明する。

【００３６】図１（Ａ）において、基板１０１にはコー
ニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに
代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケ
イ酸ガラスなどのガラス基板の他に、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（Ｐ
ＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）など光学的
異方性を有しないプラスチック基板を用いることができ
る。ガラス基板を用いる場合には、ガラス歪み点よりも
１０〜２０℃程度低い温度であらかじめ熱処理しておい
ても良い。そして、基板１０１のＴＦＴを形成する表面
に、基板１０１からの不純物拡散を防ぐために、酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜な
どの下地膜１０２を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ
法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化シ
リコン膜１０２ａを１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０
〜１００ｎｍ）、同様にＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される
酸化窒化水素化シリコン膜１０２ｂを５０〜２００ｎｍ
（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さに積層形成す
る。

【００３７】酸化窒化シリコン膜は従来の平行平板型の
プラズマＣＶＤ法を用いて形成する。酸化窒化シリコン
膜１０２ａは、ＳｉＨ₄を１０ＳＣＣＭ、ＮＨ₃を１００
ＳＣＣＭ、Ｎ₂Ｏを２０ＳＣＣＭとして反応室に導入
し、基板温度３２５℃、反応圧力４０Ｐａ、放電電力密
度０．４１Ｗ／ｃｍ²、放電周波数６０ＭＨｚとした。
一方、酸化窒化水素化シリコン膜１０２ｂは、ＳｉＨ₄
を５ＳＣＣＭ、Ｎ₂Ｏを１２０ＳＣＣＭ、Ｈ₂を１２５Ｓ
ＣＣＭとして反応室に導入し、基板温度４００℃、反応
圧力２０Ｐａ、放電電力密度０．４１Ｗ／ｃｍ²、放電
周波数６０ＭＨｚとした。これらの膜は、基板温度を変
化させ、反応ガスの切り替えのみで連続して形成するこ
ともできる。

【００３８】このようにして作製した酸化窒化シリコン
膜１０２ａは、密度が９．２８×１０²²／ｃｍ³であ
り、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ₄ＨＦ₂）を７．１３
％とフッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）を１５．４％含む
混合溶液（ステラケミファ社製、商品名ＬＡＬ５００）
の２０℃におけるエッチング速度が約６３ｎｍ／ｍｉｎ
と遅く、緻密で硬い膜である。このような膜を下地膜に
用いると、この上に形成する半導体層にガラス基板から
のアルカリ金属元素が拡散するのを防ぐのに有効であ
る。

【００３９】次に、２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜
６０ｎｍ）の厚さで非晶質構造を有する半導体層１０３
ａを、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法
で形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法で非晶質シリコ
ン膜を５５ｎｍの厚さに形成する。非晶質構造を有する
半導体膜には、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜があ
り、非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を
有する化合物半導体膜を適用しても良い。また、下地膜
１０２と非晶質半導体層１０３ａとは両者を連続形成す
ることも可能である。例えば、前述のように酸化窒化シ
リコン膜１０２ａと酸化窒化水素化シリコン膜１０２ｂ
をプラズマＣＶＤ法で連続して成膜後、反応ガスをＳｉ
Ｈ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂からＳｉＨ₄とＨ₂或いはＳｉＨ₄のみに
切り替えれば、一旦大気雰囲気に晒すことなく連続形成
できる。その結果、酸化窒化水素化シリコン膜１０２ｂ
の表面の汚染を防ぐことが可能となり、作製するＴＦＴ
の特性バラツキやしきい値電圧の変動を低減させること
ができる。

【００４０】そして、結晶化の工程を行い非晶質半導体
層１０３ａから結晶質半導体層１０３ｂを作製する。そ
の方法としてレーザーアニール法や熱アニール法（固相
成長法）、またはラピットサーマルアニール法（ＲＴＡ
法）を適用することができる。前述のようなガラス基板
や耐熱性の劣るプラスチック基板を用いる場合には、特
にレーザーアニール法を適用することが好ましい。ＲＴ
Ａ法では、赤外線ランプ、ハロゲンランプ、メタルハラ
イドランプ、キセノンランプなどを光源に用いる。或い
は特開平７−１３０６５２号公報で開示された技術に従
って、触媒元素を用いる結晶化法で結晶質半導体層１０
３ｂを形成することもできる。結晶化の工程ではまず、
非晶質半導体層が含有する水素を放出させておくことが
好ましく、４００〜５００℃で１時間程度の熱処理を行
い含有する水素量を５ａｔｏｍ％以下にしてから結晶化
させると膜表面の荒れを防ぐことができるので良い。

【００４１】結晶化をレーザーアニール法にて行う場合
には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザ
ーやアルゴンレーザーをその光源とする。パルス発振型
のエキシマレーザーを用いる場合には、レーザー光を線
状に加工してレーザーアニールを行う。レーザーアニー
ル条件は実施者が適宣選択するものであるが、例えば、
レーザーパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネ
ルギー密度を１００〜５００ｍＪ／ｃｍ²（代表的には
３００〜４００ｍＪ／ｃｍ²）とする。そして線状ビー
ムを基板全面に渡って照射し、この時の線状ビームの重
ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として
行う。このようにして図１（Ｂ）に示すように結晶質半
導体層１０３ｂを得ることができる。

【００４２】レーザー結晶化の条件は実施者が適宜選択
するものであるが、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーのパ
ルス発振周波数を１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー
密度を２００〜５００ｍＪ／ｃｍ²（代表的には３００
〜４５０ｍＪ／ｃｍ²）として、線状レーザー光をその
長手方向に対し垂直な方向に走査して（或いは、相対的
に基板を移動させて）非晶質半導体層を結晶化させる。
線状レーザー光の線幅は１００〜１０００μｍ、例えば
４００μｍの線状レーザー光を照射する。基板１０１上
にはスリットが設けられ、線状レーザーの長手方向の長
さを調節している。このようなスリットを設けることに
より非晶質半導体層１０３ａの一部のみを結晶化させる
こともできる。

【００４３】このような線状ビームを用い、同じ場所を
複数回照射する。或いは線状ビームを走査しながら複数
回照射する。この時の線状ビームの重ね合わせ率（オー
バーラップ率）を９０〜９９％として行うと良い。実際
には照射パルスを１０〜４０パルスとすると良い。重ね
合わせ率を高くして同一の領域を繰り返し照射すること
により、非晶質半導体層１０３ａの結晶性を高めること
に効果がある。通常、重ね合わせ率を高くすると処理時
間が長くなり、スループットが低下する。しかし、半導
体レーザー励起のＹＡＧレーザー発振器を用いると発振
周波数を本実施形態のように高めることができるので、
スループットを悪くすることはない。このようにして結
晶質半導体層１０３ｂが形成される。

【００４４】そして、結晶質半導体層１０３ｂ上にフォ
トマスク１（ＰＭ１）を用い、フォトリソグラフィーの
技術を用いてレジストパターンを形成し、ドライエッチ
ングによって結晶質半導体層を島状に分割し、島状半導
体層１０４〜１０８を形成しする。ドライエッチングに
はＣＦ₄とＯ₂の混合ガスを用いる。

【００４５】このような島状半導体層に対し、ＴＦＴの
しきい値電圧（Ｖｔｈ）を制御する目的でｐ型を付与す
る不純物元素を１×１０¹⁶〜５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ³ 程度の濃度で島状半導体層の全面に添加しても良
い。半導体に対してｐ型を付与する不純物元素には、ホ
ウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）
など周期律表第一３族の元素が知られている。その方法
として、イオン注入法やイオンドープ法を用いることが
できるが、大面積基板を処理するにはイオンドープ法が
適している。イオンドープ法ではジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を
ソースガスとして用いホウ素（Ｂ）を添加する。このよ
うな不純物元素の注入は必ずしも必要でなく省略しても
差し支えないが、特にｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電
圧を所定の範囲内に収めるために好適に用いる手法であ
る。

【００４６】ゲート絶縁膜１０９はプラズマＣＶＤ法ま
たはスパッタ法を用い、膜厚を４０〜１５０ｎｍとして
シリコンを含む絶縁膜で形成する。例えば、１２０ｎｍ
の厚さで酸化窒化シリコン膜から形成すると良い。ま
た、ＳｉＨ₄とＮ₂ＯにＯ₂を添加させて作製された酸化
窒化シリコン膜は、膜中の固定電荷密度が低減されてい
るのでこの用途に対して好ましい材料となる。勿論、ゲ
ート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定され
るものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または
積層構造として用いても良い（図１（Ｃ））。

【００４７】図１（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜１
０９上にゲート電極を形成するための耐熱性導電層を形
成する。耐熱性導電層は単層で形成しても良いが、必要
に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成る積
層構造としても良い。このような耐熱性導電性材料を用
い、例えば、導電性の窒化物金属膜から成る導電層
（Ａ）１１０と金属膜から成る導電層（Ｂ）１１１とを
積層した構造とすると良い。導電層（Ｂ）１１１はタン
タル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）から選ばれた元素、または前記元素
を主成分とする合金か、前記元素を組み合わせた合金膜
（代表的にはＭｏ−Ｗ合金膜、Ｍｏ−Ｔａ合金膜）で形
成すれば良く、導電層（Ａ）１１０は窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）膜、窒化モリブデン（ＭｏＮ）などで形成する。ま
た、導電層（Ａ）１１０はタングステンシリサイド、チ
タンシリサイド、モリブデンシリサイドを適用しても良
い。導電層（Ｂ）１１１は低抵抗化を図るために含有す
る不純物濃度を低減させることが好ましく、特に酸素濃
度に関しては３０ｐｐｍ以下とすると良かった。例え
ば、タングステン（Ｗ）は酸素濃度を３０ｐｐｍ以下と
することで２０μΩｃｍ以下の比抵抗値を実現すること
ができた。

【００４８】導電層（Ａ）１１０は１０〜５０ｎｍ（好
ましくは２０〜３０ｎｍ）とし、導電層（Ｂ）１１１は
２００〜４００ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）
とすれば良い。Ｗをゲート電極とする場合には、Ｗをタ
ーゲットとしたスパッタ法で、アルゴン（Ａｒ）ガスと
窒素（Ｎ₂）ガスを導入して導電層（Ａ）１１１を窒化
タングステン（ＷＮ）で５０ｎｍの厚さに形成し、導電
層（Ｂ）１１０をＷで２５０ｎｍの厚さに形成する。そ
の他の方法として、Ｗ膜は６フッ化タングステン（ＷＦ
₆）を用いて熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いず
れにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化
を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ以下に
することが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで
低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素などの不
純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化す
る。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．
９％のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中から
の不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成す
ることにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現すること
ができる。

【００４９】一方、導電層（Ａ）１１０にＴａＮ膜を、
導電層（Ｂ）１１１にＴａ膜を用いる場合には、同様に
スパッタ法で形成することが可能である。ＴａＮ膜はＴ
ａをターゲットとしてスパッタガスにＡｒと窒素との混
合ガスを用いて形成し、Ｔａ膜はスパッタガスにＡｒを
用いる。また、これらのスパッタガス中に適量のＸｅや
Ｋｒを加えておくと、形成する膜の内部応力を緩和して
膜の剥離を防止することができる。α相のＴａ膜の抵抗
率は２０μΩｃｍ程度でありゲート電極に使用すること
ができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩｃｍ程
度でありゲート電極とするには不向きであった。ＴａＮ
膜はα相に近い結晶構造を持つので、この上にＴａ膜を
形成すればα相のＴａ膜が容易に得られた。尚、図示し
ないが、導電層（Ａ）１１０の下に２〜２０ｎｍ程度の
厚さでリン（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成してお
くことは有効である。これにより、その上に形成される
導電膜の密着性向上と酸化防止を図ると同時に、導電層
（Ａ）１１０または導電層（Ｂ）１１１が微量に含有す
るアルカリ金属元素がゲート絶縁膜１０９に拡散するの
を防ぐことができる。いずれにしても、導電層（Ｂ）１
１１は抵抗率を１０〜５０μΩｃｍの範囲ですることが
好ましい。

【００５０】次に、フォトマスク２（ＰＭ２）を用い、
フォトリソグラフィーの技術を使用してレジストマスク
１１２〜１１７を形成し、導電層（Ａ）１１０と導電層
（Ｂ）１１１とを一括でエッチングしてゲート電極１１
８〜１２２と容量配線１２３を形成する。ゲート電極１
１８〜１２２と容量配線１２３は、導電層（Ａ）から成
る１１８ａ〜１２２ａと、導電層（Ｂ）から成る１１８
ｂ〜１２２ｂとが一体として形成されている（図２
（Ａ））。

【００５１】導電層（Ａ）および導電層（Ｂ）をエッチ
ングする方法は実施者が適宣選択すれば良いが、前述の
ようにＷを主成分とする材料で形成されている場合に
は、高速でかつ精度良くエッチングを実施するために高
密度プラズマを用いたドライエッチング法を適用するこ
とが望ましい。高密度プラズマを得る手法の一つとし
て、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏ
ｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）エッチング装置を
用いると良い。ＩＣＰエッチング装置を用いたＷのエッ
チング法は、エッチングガスにＣＦ₄とＣｌ₂の２種のガ
スを反応室に導入し、圧力０．５〜１．５Ｐａ（好まし
くは１Ｐａ）とし、誘導結合部に２００〜１０００Ｗの
高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力を印加する。この時、
基板が置かれたステージには２０Ｗの高周波電力が印加
され、自己バイアスで負電位に帯電することにより、正
イオンが加速されて異方性のエッチングを行うことがで
きる。ＩＣＰエッチング装置を使用することにより、Ｗ
などの硬い金属膜も２〜５ｎｍ／秒のエッチング速度を
得ることができる。また、残渣を残すことなくエッチン
グするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング
時間を増しオーバーエッチングをすると良い。しかし、
この時に下地とのエッチングの選択比に注意する必要が
ある。例えば、Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜（ゲー
ト絶縁膜１０９）の選択比は２．５〜３であるので、こ
のようなオーバーエッチング処理により、酸化窒化シリ
コン膜が露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングさ
れて実質的に薄くなった。

【００５２】そして、ｎチャネル型ＴＦＴにＬＤＤ領域
を形成するために、ｎ型を付与する不純物元素添加の工
程（ｎ^-ドープ工程）を行った。ここではゲート電極１
１８〜１２２をマスクとして自己整合的にｎ型を付与す
る不純物元素をイオンドープ法で添加した。ｎ型を付与
する不純物元素として添加するリン（Ｐ）の濃度は１×
１０¹⁶〜５×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度範囲で添
加する。このようにして、図２（Ｂ）に示すように島状
半導体層に低濃度ｎ型不純物領域１２４〜１２９を形成
する。

【００５３】次に、ｎチャネル型ＴＦＴにおいて、ソー
ス領域またはドレイン領域として機能する高濃度ｎ型不
純物領域の形成を行った（ｎ⁺ドープ工程）。まず、フ
ォトマスク３（ＰＭ３）を用い、レジストのマスク１３
０〜１３４を形成し、ｎ型を付与する不純物元素を添加
して高濃度ｎ型不純物領域１３５〜１４０を形成した。
ｎ型を付与する不純物元素にはリン（Ｐ）を用い、その
濃度が１×１０²⁰〜１×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃
度範囲となるようにフォスフィン（ＰＨ₃）を用いたイ
オンドープ法で行った（図２（Ｃ））。

【００５４】そして、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島
状半導体層１０４、１０６にソース領域およびドレイン
領域とする高濃度ｐ型不純物領域１４４、１４５を形成
する。ここでは、ゲート電極１１８、１２０をマスクと
してｐ型を付与する不純物元素を添加し、自己整合的に
高濃度ｐ型不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネ
ル型ＴＦＴを形成する島状半導体膜１０５、１０７、１
０８は、フォトマスク４（ＰＭ４）を用いてレジストマ
スク１４１〜１４３を形成し全面を被覆しておく。高濃
度ｐ型不純物領域１４４、１４５はジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）
を用いたイオンドープ法で形成する。この領域のボロン
（Ｂ）濃度は３×１０²⁰〜３×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ
³となるようにする（図２（Ｄ））。この高濃度ｐ型不
純物領域１４４、１４５には、前工程においてリン
（Ｐ）が添加されていて、高濃度ｐ型不純物領域１４４
ａ、１４５ａには１×１０²⁰〜１×１０²¹ａｔｏｍｓ／
ｃｍ³ の濃度で、高濃度ｐ型不純物領域１４４ｂ、１４
５ｂには１×１０¹⁶〜５×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の
濃度で含有しているが、この工程で添加するボロン
（Ｂ）の濃度を１．５から３倍となるようにすることに
より、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン
領域として機能する上で何ら問題はなかった。

【００５５】その後、図３（Ａ）に示すように、ゲート
電極およびゲート絶縁膜上から保護絶縁膜１４６を形成
する。保護絶縁膜は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン
膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層
膜で形成すれば良い。いずれにしても保護絶縁膜１４６
は無機絶縁物材料から形成する。保護絶縁膜１４６の膜
厚は１００〜２００ｎｍとする。ここで、酸化シリコン
膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法で、オルトケイ
酸テトラエチル（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏｓ
ｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）とＯ２とを混合し、反応圧
力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波
（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ
²で放電させて形成することができる。酸化窒化シリコ
ン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、
Ｎ₂Ｏ、ＮＨ₃から作製される酸化窒化シリコン膜、また
はＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜で
形成すれば良い。この場合の作製条件は反応圧力２０〜
２００Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波
（６０ＭＨｚ）電力密度０．１〜１．０Ｗ／ｃｍ²で形
成することができる。また、ＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂から
作製される酸化窒化水素化シリコン膜を適用しても良
い。窒化シリコン膜も同様にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ
₄、ＮＨ₃から作製することが可能である。

【００５６】その後、それぞれの濃度で添加されたｎ型
またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行
う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニー
ル法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラ
ピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用すること
ができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであ
り、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。
また、基板１０１に耐熱温度が低いプラスチック基板を
用いる場合にはレーザーアニール法を適用することが好
ましい（図３（Ｂ））。

【００５７】活性化の工程の後、さらに、３〜１００％
の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２
時間の熱処理を行い、島状半導体膜を水素化する工程を
行った。この工程は熱的に励起された水素により島状半
導体膜にある１０¹⁶〜１０¹⁸ ／ｃｍ³のダングリングボ
ンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、
プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用い
る）を行っても良い。

【００５８】活性化および水素化の工程が終了したら、
有機絶縁物材料からなる層間絶縁膜１４７を１．０〜
２．０μｍの平均厚を有して形成する。有機樹脂材料と
しては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミ
ドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用する
ことができる。例えば、基板に塗布後、熱重合するタイ
プのポリイミドを用いる場合には、クリーンオーブンで
３００℃で焼成して形成する。また、アクリルを用いる
場合には、２液性のものを用い、主材と硬化剤を混合し
た後、スピナーを用いて基板全面に塗布した後、ホット
プレートで８０℃で６０秒の予備加熱を行い、さらにク
リーンオーブンで２５０℃で６０分焼成して形成するこ
とができる。

【００５９】このように、層間絶縁膜を有機絶縁物材料
で形成することにより、表面を良好に平坦化させること
ができる。また、有機樹脂材料は一般に誘電率が低いの
で、寄生容量を低減することができる。しかし、吸湿性
があり保護膜としては適さないので、本実施例のよう
に、保護絶縁膜１４６として形成した酸化シリコン膜、
酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み合わせ
て用いる必要がある。

【００６０】その後、フォトマスク５（ＰＭ５）を用
い、所定のパターンのレジストマスクを形成し、それぞ
れの島状半導体膜に形成されたソース領域またはドレイ
ン領域に達するコンタクトホールを形成する。コンタク
トホールの形成はドライエッチング法により行う。この
場合、エッチングガスにＣＦ₄、Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスを
用い有機樹脂材料から成る層間絶縁膜をまずエッチング
し、その後、続いてエッチングガスをＣＦ₄、Ｏ₂として
保護絶縁膜１４６をエッチングする。さらに、島状半導
体層との選択比を高めるために、エッチングガスをＣＨ
Ｆ₃に切り替えてゲート絶縁膜をエッチングすることに
より、良好にコンタクトホールを形成することができ
る。

【００６１】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、フォトマスク６（ＰＭ６）によりレ
ジストマスクパターンを形成し、エッチングによってソ
ース配線１４８〜１５１、１５７とドレイン配線１５３
〜１５６、１５２を形成する。図示していないが、本実
施例ではこの電極を、Ｔｉ膜を５０〜１５０ｎｍの厚さ
で形成し、島状半導体層のソースまたはドレイン領域を
形成する半導体膜とコンタクトを形成し、そのＴｉ膜上
に重ねてアルミニウム（Ａｌ）を３００〜４００ｎｍの
厚さで形成して配線とした（図３（Ｃ））。

【００６２】その後、有機樹脂からなる第二の層間絶縁
膜１５８を０．５〜１．５μｍの厚さに形成する。有機
樹脂としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポ
リイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使
用することができる。本実施例では、アクリル樹脂を
０．５μｍ塗布し、２５０℃で焼成する。

【００６３】その上に、無機絶縁膜１５９を１０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さで形成する。無機絶縁膜としては酸化
シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、ま
たはこれらを組み合わせた積層膜で形成すれば良い。本
実施例では酸化シリコン膜を５０ｎｍの厚さで形成す
る。

【００６４】さらに、０．５μｍの厚さになるように第
三の層間絶縁膜１６０としてアクリル樹脂を塗布する。
次にアクリル樹脂をドライエッチングして、シール材の
形成領域に相当する第三の層間絶縁膜１６０を除去して
しまう。無機絶縁膜１５９がドライエッチングのときの
ストッパーとなり、エンドポイントを検出する目安とな
る。有機層間膜を二層に分けて形成して、一層は除去し
てしまうのは、狭ギャップで段差が大きいと注入に時間
がかかってしまうため、これを緩和するためである。層
間膜の最上層のみエッチングすることで、段差が精度良
く形成できる。層間膜をさらに上から塗布すると段差が
平坦化されてしまい所望の段差が形成できない。また、
本実施形態では層間絶縁膜を一層除去したが、エッチン
グレートが同じなら複数層の層間絶縁膜を除去すること
もできる。（図４（Ａ））。

【００６５】本実施形態では、ドレイン配線と画素電極
の間の層間膜をエッチングしてシール形成領域に段差を
形成するが、たとえばドレイン電極が画素電極の役割を
かねるときは、ゲート電極とドレイン電極の間の層間膜
をエッチング選択比の異なる二層以上の膜から形成し、
最上層を除去することでシール形成領域の段差を形成し
ても良い。この場合も最上層の層間膜をエッチングする
と、さらに層間膜を形成することにより段差が平坦化さ
れてしまうことを防ぐことができる。

【００６６】そして、第二の層間絶縁膜１５８と第三の
層間絶縁膜１６０および無機絶縁膜１５９にドレイン配
線１５２に達するコンタクトホールを形成し、画素電極
１６１を形成する。画素電極は、透過型液晶表示装置と
する場合には透明導電膜を用いれば良く、反射型の液晶
表示装置とする場合には金属膜を用いれば良い。本実施
例では透過型の液晶表示装置とするために、酸化インジ
ウム・スズ（ＩＴＯ）膜を１００ｎｍの厚さにスパッタ
法で形成する（図４（Ｂ））。

【００６７】ＴＦＴ素子が形成された基板に柱状スペー
サーを形成する様子を図５を用いて説明する。柱状スペ
ーサー１６２形成のため感光性樹脂をスピン塗布する。
ネガ型感光性材料のアクリル樹脂であるＪＳＲの“ＮＮ
７００”を用いる。“ＮＮ７００”をスピン回転数２０
００ｒｐｍで塗布することで、熱硬化後の柱状スペーサ
ーの高さが画素領域で２．５μｍとなる。

【００６８】もちろん柱状スペーサー１６２の材料は感
光性である必要はなく、非感光性樹脂をパターニングし
てスペーサーとすることも可能である。例えば、ポリイ
ミド、ポリアミド、アクリル、ポリビニルシンナメート
等が使用可能である。いずれにせよ平坦化効果のある有
機樹脂を使うことが望ましい。

【００６９】ところで、感光性樹脂を塗布したときに、
第三の層間絶縁膜１６０の膜厚に起因する段差を平坦化
し、画素領域、駆動回路領域及びシール材を設ける領域
のセルギャップがほぼ等しくなるようにする方が、セル
ギャップむらを防ぐ上で望ましい。

【００７０】図６を用いて説明すると、図６の２０１は
ガラス基板を示す。ガラス基板上の配線パターンは省略
されている。ドライエッチングのストッパーとなる無機
絶縁膜２０２の上に、第三の層間絶縁膜２０３、２０４
がエッチングされている。２０５は感光性樹脂を示す。
感光性樹脂はパターニング後に柱状スペーサーとなる。
画素領域２０７に柱状スペーサー２０６がある。シール
材を設ける領域２０８に柱状スペーサー２０９がある。

【００７１】本実施形態の第三の層間絶縁膜２０３、２
０４をエッチングする領域２１０は、シール材を設ける
領域２０８の周辺のみである。これは、感光性樹脂２０
５を塗布するときに、エッチングによる段差２１１を平
坦化しやすくするためである。

【００７２】シール材を設ける領域とその周辺のみ有機
樹脂膜をエッチングすることで、感光性樹脂の平坦度が
高くなり、画素領域２０７に設けられた柱状スペーサー
２０６と、シール材を設ける領域２０８に設けられた柱
状スペーサー２０９の頂点の高さが、ほぼ等しくなる。

【００７３】本実施形態では、エッチングする領域（Ｌ
_A）２１０はシール材を設ける領域（Ｌ_B）に対しＬ_B＋
０．１ｍｍ≦Ｌ_A≦Ｌ_B＋６ｍｍ望ましくはＬ_B＋０．１
ｍｍ≦Ｌ_A≦Ｌ_B＋２ｍｍとする。たとえばシール材を設
ける領域（Ｌ_B）が１ｍｍのとき、有機樹脂エッチング
する領域６１０の幅（Ｌ_A）をシール形成領域（Ｌ_B）に
対し１ｍｍ大きくして２ｍｍとする。

【００７４】比較のための構成を図７に示す。図７の３
０１はガラス基板示す。ガラス基板上の配線パターンは
省略されている。ドライエッチングのストッパーとなる
無機絶縁膜３０２の上に、第三の層間絶縁膜３０３がエ
ッチングしてある。３０４は感光性樹脂を示す。感光性
樹脂はパターニング後に柱状スペーサーとなる。画素領
域３０６に柱状スペーサー３０５がある。シール材を設
ける領域３０７に柱状スペーサー３１０がある。３０８
は画素領域に設けられた柱状スペーサー３０５とシール
材を設ける領域に設けられた柱状スペーサー３１０の高
さの差を示す。セルギャップむらをでにくくするには、
高さの差３０８はできるだけ小さいほうが望ましい。

【００７５】図７では、エッチング工程後の第三の層間
絶縁膜３０３が、画素領域３０６と駆動回路上にあり、
シール材を設ける領域周辺から液晶表示装置外側にかけ
ては、第三の層間絶縁膜をエッチングしている。第三の
層間絶縁膜のエッチングする領域３０９で示す。

【００７６】つまり、図６、７の断面図の比較からわか
るように、図６のように有機樹脂膜をエッチングする領
域をできるだけ狭くするほうが、感光性樹脂を塗布した
ときに、より確実に段差の平坦化効果が高くなる。これ
により画素領域、駆動回路領域とシール材を設ける領域
でパターニング後の柱状スペーサーの高さを均一にでき
る。もちろん有機樹脂膜の粘度を低くすること、塗布回
数を増やすことで図７の構成でも十分に平坦化をはかる
ことができる。有機樹脂膜を二回にわけて塗布すると段
差の平坦化効果が高くなる。

【００７７】そして、図５に示すように感光性樹脂に紫
外線を照射して、フォトリソグラフィーにより柱状スペ
ーサー１６２を形成する。柱状スペーサー１６２の直径
は１〜１０μｍが望ましい。本実施形態では柱状スペー
サー１６２の直径を２〜３μｍとする。

【００７８】柱状スペーサー１６２は画素領域では、保
持容量の上に形成する。駆動回路領域では、走査線上に
形成する。また、シール材を設ける領域にも柱状スペー
サー１６２を形成し、フィラーの替わりとする。

【００７９】柱状スペーサーをパターニング後、ポスト
ベークにより熱硬化する。ポストベーク温度は２５０℃
とする。こうして、直径２〜３μｍの柱状スペーサーが
形成される。柱状スペーサーの高さは、画素領域、駆動
回路領域で２．５μｍ、シール材を設ける領域で３μｍ
である。素子基板のシール材を設ける領域と、画素領
域、駆動回路領域上に柱状スペーサーを設け、頂点の高
さがほぼ均一になるようにしている。

【００８０】以下に対向基板の作製工程を示す。図５を
用いて説明する。

【００８１】ガラス基板１６３上にスパッタ法で無機材
料のブラックマトリクス１６４としてＣｒ（クロム）を
１２０ｎｍに成膜する。ブラックマトリクスは液晶のデ
ィスクリネーションによる光漏れや、スイッチング素子
が光反応により劣化することを防ぐ。ブラックマトリク
スの材料は金属だけでなく、金属酸化物、金属窒化物で
も良い。無機材料のブラックマトリクスとしては、クロ
ムのほかに、タンタルや、酸化クロム、窒化タンタルな
どがある。無機材料のブラックマトリクスは９０〜３０
０ｎｍのような薄い膜厚でも、４〜６、あるいはそれ以
上の高いＯＤ値（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ；光
学濃度）を示す。ブラックマトリクスの厚みによる段差
の形成を押さえられる。

【００８２】次に透明導電膜１６５として酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）膜をスパッタ法で１００ｎｍに成膜
する。光の干渉効果によりＩＴＯ膜の透過率を高めるた
め、ＩＴＯ膜の膜厚は１００〜１４０ｎｍが望ましい。
こうして、本実施形態の対向基板が完成する。

【００８３】素子基板と、対向基板に配向膜印刷法によ
り配向膜１６６が形成されている。本実施形態では、日
産化学の垂直配向膜“ＳＥ１２１１”を６０ｎｍ印刷す
る。印刷後配向膜をプリベーク、ポストベークする。

【００８４】垂直配向膜はラビングをしなくても、液晶
のプレチルト角を９０°とすることができ、液晶は配向
膜にたいし垂直配向する。

【００８５】しかし、プレチルト角が９０°では、アク
ティブマトリクス型表示装置をライン反転駆動したとき
に、隣接する画素間において、電圧の極性が反転してい
るため、横方向電界によりディスクリネーションがでや
すくなる。ディスクリネーションをおさえるためには、
ラビングをしてプレチルト角８５°〜８９°にしたほう
が良い。

【００８６】ただし、垂直配向膜はラビングによるラビ
ング筋がでやすく、ラビング筋により、表示品質が損な
われやすい。特に、ラビング面に段差があると段差をひ
きずったラビング筋がでてしまう。

【００８７】本実施形態では、素子基板のシール材を設
ける領域の有機樹脂膜をエッチングして段差を設けてい
るが、有機樹脂膜を二層にわけて形成し、一層のみエッ
チングすることで段差の形成を必要最低限におさえてい
る。また、対向基板は１００〜１２０ｎｍの無機材料か
らなるため段差は少ない。このため、段差に起因するラ
ビング筋がでにくい構造となっている。

【００８８】本実施形態では、対向基板と素子基板をラ
ビングし、液晶表示装置を形成したときのラビング方向
が反平行になるようにする。

【００８９】一対の基板間にシール材１６８が形成され
ている。本実施形態ではシール材は熱硬化型エポキシ樹
脂の三井化学のストラクトボンド“ＸＮ−２１Ｓ”を用
いる。充填剤の直径は最大５μｍである。実験ではＸＮ
−２１Ｓは、充填材の直径の関係でシール材が２．５μ
ｍまでしかつぶれなかった。かつ、２．５μｍにまでセ
ルギャップを小さくすると、シール材中の低粘度成分が
画素領域に流出しやすくなった。“ＸＮ−２１Ｓ”で形
成できるセルギャップは２．５μｍ以上、表示品質を考
えるとシール材の低粘度成分の流出をおさえるためには
３．０μｍ以上が望ましいことがわかった。

【００９０】本実施形態では、画素領域のセルギャップ
が２．５μｍであり、０．５μｍの厚さで有機樹脂膜を
エッチングしているため、シール材は３．０μｍとする
ことができる。このためシール材中の未硬化樹脂や低粘
度成分の流出が抑えられ、かつ、所望のセルギャップを
形成できる。段差を必要最低限におさえた構成にするた
め、シールを３．０μmとし、段差を低粘度成分の流出
しない０．５μmとしている。

【００９１】シール材を９０℃３０分で仮焼成後、対向
基板と素子基板を貼り合わせ、熱プレスを行う。熱プレ
スの圧力は０．３ｋｇｆ／ｃｍ²とする。熱プレス後に
スクライバー、ブレーカーで分断を行う。

【００９２】垂直配向反射型液晶表示装置では、環境温
度にもよるが、液晶層のリタデーション（Δｎｄ）は
０．２〜０．３が望ましい。本実施形態ではセルギャッ
プが２．５μｍのため、液晶の屈折率異方性（Δｎ）が
０．１のメルクのネガ型液晶“ＭＬＣ２０３８”を注入
する。

【００９３】液晶１６７注入後、注入口をＵＶ硬化型樹
脂（図示せず）で封止した後、液晶を等方相以上の温度
に加熱して、再配向処理を行う。

【００９４】フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ：Ｆ
ｒｅｘｉｂｌｅ ＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）（図
示せず）を取り付け、外部信号を入力し液晶表示装置を
駆動する。ＴＦＴに接続した画素電極１６１と、対向基
板に設けられた画素電極１６５で液晶１６７、配向膜１
６６に電界がかかる。

【００９５】以上のようにしてアクティブマトリクス型
表示装置が完成する。

【００９６】垂直配向反射型液晶表示装置の表示品質を
確認する。垂直配向反射型プロジェクター液晶表示装置
はＰＢＳ（Ｐｏｌａｒｉｚｅｄ Ｂｅａｍ Ｓｐｌｉｔ
ｔｅｒ；偏光ビームスプリッター）を用いた光学系が必
要となる。図１５に示すように、偏光ビームスプリッ
ター１１０３に入射する光のうち、偏光ビームスプリッ
ター１１０３のスプリッター面１１０４に水平に振動す
る光（Ｓ偏光１１０５）が反射し、Ｓ偏光１１０５と振
動方向が垂直な光（Ｐ偏光１１０６）が透過する。

【００９７】図１５、に垂直配向反射型プロジェク
ターの光学系を示す。光源１１０１は白色光のメタルハ
ライドランプを用いた。光源１１０１から出た光は、リ
フレクター１１０２より反射され平行光線となり、偏光
ビームスプリッター１１０３に入射する。偏光ビームス
プリッターに入射した光のうち、Ｓ偏光がスプリッター
面で反射され、ダイクロイックプリズム１１０５に入射
する。ダイクロイックプリズムにより入射した白色光が
赤、緑、青の３色の光に分光し、垂直配向反射型液晶表
示装置１１０６〜１１０８に入射する。液晶表示装置を
三枚用いてカラー表示を行う三板式の光学系のため、解
像度の高い表示ができる。

【００９８】黒表示では、液晶は垂直配向をしており、
垂直配向反射型液晶表示装置１１０６〜１１０８に入射
した光は液晶により光学変調をうけない。図１５に示
すように液晶表示装置から反射された光はＳ偏光のまま
であるため、偏光ビームスプリッターのスプリッター面
によってＳ偏光が光源側に反射する。このためスクリー
ン１１０９に光は入射しない。

【００９９】白表示のときは、液晶表示装置には所定階
調に対応した電圧が印可されている。図１５に示すよ
うに、垂直配向反射型液晶表示装置１１０６〜１１０８
に入射した光は液晶により光学変調をうけて、偏光状態
を変えるため、液晶表示装置から反射された光は、円偏
光、楕円偏光、あるいはＰ偏光となる。偏光状態に応じ
た明るさで偏光ビームスプリッター１１０３からスクリ
ーン１１０９側へ光が出射する。偏光ビームスプリッタ
ーから出射した光は投射レンズ１１１０によりスクリー
ン１１０９に投影される。

【０１００】図１５の光学系で表示の評価をする。セル
ギャップむら、ラビング筋は表示において問題がない。
液晶表示装置を観察してもシール材付近の段差の形成を
必要最低限におさえる構造のためシール材周辺の気泡は
見られない。

【０１０１】本実施形態の特徴はまず、シール材を設け
る領域の有機樹脂膜をエッチングすることでセルギャッ
プを狭くすることにともなうシール材の未硬化樹脂、低
粘度成分の流出をおさえることである。

【０１０２】また、本実施形態の特徴は、シール材を設
ける領域の段差を、柱状スペーサーにより平坦化し、柱
状スペーサーの頂点の高さを均一にすることである。対
向基板も膜厚が９０〜３００ｎｍと薄いクロム、ＩＴＯ
膜のような無機膜を使っているため平坦性が良い。平坦
性の良い２枚の基板を用いてパネル組立することで均一
なセルギャップが得られる。

【０１０３】また本実施形態の特徴は、有機樹脂膜を二
層に分けて形成し、一層のみエッチングすることで、段
差の形成を必要最低限におさえることである。これによ
り段差に起因する気泡や、ラビング筋をおさえることが
できる。さらに、段差の形成を必要最低限におさえてい
るため、柱状スペーサーにより段差を平坦化しやすい。

【０１０４】段差の形成をおさえた構成は、液晶注入と
いう点では、垂直配向のように配向膜のアンカリングエ
ネルギーが弱く液晶注入に時間がかかる表示モードや、
液晶の粘性が高く液晶注入に時間がかかる表示モードに
有用である。また気泡が残りやすい大型の液晶表示装置
にも有用である。

【０１０５】また、自発分極を有するスメクチック液晶
は、液晶が注入されにくく段差部で気泡となりやすい。
そして気泡を起点として層方向に配向欠陥が広がり、液
晶表示装置全面で均一な配向を得るのが難しくなる。実
験では配向膜（３０〜２３０ｎｍ）や透明電極（９０〜
１４０ｎｍ）に起因する３０〜３７０ｎｍの段差でさ
え、液晶表示装置のサイズや注入条件によっては、液晶
がうまく注入されず気泡となった。このため、段差の形
成を必要最低限におさえた本実施形態の構成は、スメク
チック液晶を使用する液晶表示装置において有用であ
る。

【０１０６】本実施形態の段差の形成を必要最低限にお
さえた構成は、ラビング筋を防ぐという点では、垂直配
向のようにプレチルトが高くラビング筋がでやすい表示
モードや、ディスクリネーション対策に比較的プレチル
トを高くした（５〜１０°）、ラビング筋がでやすい表
示モードに有用である。

【０１０７】またラビングによる段差を防ぐという点で
は、段差形成後に有機樹脂膜を塗布し、段差部に緩やか
なテーパーをつけることも可能である。緩やかなテーパ
ーをつけることでラビングロールの毛先の乱れが少なく
なり、ラビング筋を減らすことができる。

【０１０８】駆動回路一体型のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、対角２〜３インチ以下の小型パ
ネルの場合、駆動回路とシール材を形成する領域にのみ
スペーサーを設け、表示領域には設けないことも可能で
ある。スペーサー周囲の液晶配向が乱れることによる光
漏れを防止できる。石英基板を用いると表示領域にギャ
ップを制御する材料を設けなくても精度の良いセルギャ
ップ制御ができる。

【０１０９】本実施形態を液晶表示装置に応用する場合
は、本実施形態の構成の特徴をすべて備えている必要は
なく、実施者が必要に応じて適宜選択すれば良い。本実
施形態では素子基板の有機樹脂膜をエッチングしたが、
無機膜をエッチングして段差を形成することも可能であ
る。

【０１１０】［実施形態２］本実施形態では、煩雑な工
程をともなわず、均一なセルギャップの液晶表示装置を
形成する方法を説明する。

【０１１１】液晶表示装置では、シール材を設ける領域
と画素領域の段差から、シール材中のフィラー径と画素
領域のスペーサーの径を設定するといった作業をすると
きがある。しかし、測定装置の精度の問題で段差測定値
からフィラー径の最適化をしてもセルギャップむらがで
てしまうことがある。

【０１１２】しかし、本実施形態では、シール材にフィ
ラー、スペーサーを設けない。このためシール材のセル
ギャップは、画素領域、駆動回路領域に形成されたスペ
ーサーにより決められる。このため、アクティブマトリ
クス型表示装置のシール下にあるＦＰＣ配線による段差
により、セルギャップが局所的に厚くなることをおさえ
られる。

【０１１３】図８に実施形態２の構成を示す。素子基板
はガラス基板４０１、真性半導体層４０２、半導体ｎチ
ャネル領域４０３、半導体ｐチャネル領域４０４、ゲー
ト絶縁膜４０５、耐熱性導電体層４０６、保護膜４０
７、第一の層間絶縁膜４０８、ソース配線４０９、４１
１と、ドレイン配線４１０、４１２、第二の層間絶縁膜
４１３、画素電極４１４、柱状スペーサー４２３からな
る。

【０１１４】実施形態２では対向基板にある有機樹脂膜
をシール材を設ける領域においてエッチングしている。
このため、素子基板の層間絶縁膜はシール材形成用にエ
ッチングしていない。

【０１１５】また、本実施形態では柱状スペーサーの高
さを１．０μｍとしている。柱状スペーサー材料として
はＪＳＲの“ＮＮ７００”を希釈して粘度を下げ、スピ
ン塗布し、１．０μｍのセルギャップ形成を行った。

【０１１６】対向基板はガラス基板４１５、無機材料の
ブラックマトリクス４１６、カラーフィルター４１７、
オーバーコート材４１８、透明導電膜４１９からなる。
対向基板の特徴を図１１を用いて説明する。

【０１１７】図１１のように、対向基板のガラス７０
１には、無機材料のブラックマトリクス７０２が成膜さ
れている。本実施形態ではクロム１２０ｎｍが使われ
る。

【０１１８】無機材料のブラックマトリクス７０２の上
にカラーフィルター７０３が形成されている。カラーフ
ィルターは顔料が分散された有機樹脂からなる。カラー
フィルターの厚さは反射型液晶表示装置で０．３μｍ〜
１．５μｍであり、透過型液晶表示装置で０．８μｍ〜
２．０μｍが望ましい。カラーフィルターは各色のカラ
ーモザイクを組み合わせてカラー表示を行う。カラーモ
ザイクとして用いる色の組み合わせは、赤、青、緑のよ
うな加法混色の三原色だけでなく、シアン、マゼンダ、
イエローのような減法混色の三原色も可能である。

【０１１９】本実施形態では赤、青、緑の加法混色の三
原色でカラー表示を行う。カラーフィルターとして感光
性アクリル樹脂が緑、青、赤の順で、それぞれ１．４〜
１．６μｍの厚さでストライプ状に形成されている。図
示してはいないが、ブラックマトリクスを隣接するカラ
ーモザイクの間に設けると、カラーモザイクが重なるこ
とによる混色を防ぐことができる。

【０１２０】本実施形態では、カラーフィルター７０３
のカラーモザイク緑、赤、青のうち、少なくともいずれ
か一色が駆動回路７０８領域にも形成してあるのが特徴
である。これにより、少なくとも、駆動回路領域７０８
と画素領域７０６が同じ高さに平坦化され、セルギャッ
プむらがでにくくなる。駆動回路一体型のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置のうち、デジタル駆動パネルの
ような、駆動回路領域の大きな液晶表示装置にこのよう
な構成は特に有効である。

【０１２１】カラーフィルター７０３にオーバーコート
材７０４を形成する。オーバーコート材の厚さは０．５
〜５μｍが望ましい。オーバーコート材はアクリル、ポ
リイミドのような透明な有機樹脂膜であり、隣接するカ
ラーモザイクの重なりによってできる微細な段差の平坦
化効果がある。本実施形態ではオーバーコート材の厚さ
を１μｍとする。

【０１２２】透明導電膜７０５として酸化インジウム・
スズ（ＩＴＯ）膜をスパッタ法で１００ｎｍに成膜し、
レジスト７０９をパターニングする。

【０１２３】その後、図１１のようにドライエッチン
グにより、シール材を設ける領域７０７にあるオーバー
コート材７０４を透明導電膜７０５と一緒にエッチング
する。エッチング後に剥離液にてレジストを剥離する。

【０１２４】図１１と比較する構成を図１２に示す。対
向基板の駆動回路領域８０８にカラーフィルターがな
い。

【０１２５】ガラス基板８０１があり、無機材料のブラ
ックマトリクス８０２の上にカラーフィルター８０３が
形成されている。本実施形態では赤、青、緑の加法混色
の三原色でカラー表示を行う。カラーフィルターとして
感光性アクリル樹脂が緑、青、赤の順で、それぞれ１．
４〜１．６μｍの厚さでストライプ状に形成されてい
る。図示してはいないが、ブラックマトリクスを隣接す
るカラーモザイクの間に設けると、カラーモザイクが重
なることによる混色を防ぐことができる。カラーフィル
ターは画素領域にある。

【０１２６】カラーフィルター８０３にオーバーコート
材８０４を形成する。オーバーコート材の厚さは０．５
〜５μｍが望ましい。オーバーコート材はアクリル、ポ
リイミドのような透明な有機樹脂膜であり、隣接するカ
ラーモザイクの重なりによってできる微細な段差の平坦
化効果がある。本実施形態ではオーバーコート材の厚さ
を１μｍとする。

【０１２７】透明導電膜８０５として酸化インジウム・
スズ（ＩＴＯ）膜をスパッタ法で１００ｎｍに成膜し、
レジストによりパターニングする。

【０１２８】その後、ドライエッチングにより、シール
材を設ける領域８０７にあるオーバーコート材８０４を
透明導電膜８０５だけをエッチングする。

【０１２９】このように作製した対向基板では、画素領
域８０６と駆動回路領域８０８の間にカラーフィルター
の厚さ起因の段差８０９が残る。段差８０９に起因する
セルギャップむらができやすい。図１１では、画素領域
７０６と駆動回路領域７０８は平坦である。

【０１３０】図１１の対向基板と素子基板を組み合わせ
てパネル組立をする。パネル組立工程を図８を用いて説
明する。配向膜４２０は表示モードに応じて適宜選択す
る。

【０１３１】シール材４２２は熱硬化型エポキシ樹脂の
三井化学のストラクトボンド“ＸＮー２１Ｆ”を使う。
ファインピッチ形成用に市販されている材料であり、充
填材の最大径は４μｍである。実験では、充填材の径の
関係で、ＸＮ−２１Ｆはシール材が２．３μｍまでしか
つぶれなかった。かつ２．５μｍにまでセルギャップを
小さくすると、シール材中の低粘度成分が画素領域に流
出しやすくなった。つまり、“ＸＮ−２１Ｆ”で形成で
きるセルギャップは２．３μｍ以上、表示品質を考える
と２．９μｍ以上が望ましいことがわかった。

【０１３２】シール材を仮焼成後、対向基板と素子基板
を貼り合わせ、熱プレスを行う。貼り合わせ後の対向基
板と素子基板のラビング軸は９０°に交差する。熱プレ
スの圧力は０．３ｋｇｆ／ｃｍ²とする。熱プレス後に
スクライバー、ブレーカーで分断を行う。液晶４２１は
表示モードに応じて適宜選択し、液晶注入後にＵＶ硬化
樹脂で注入口を硬化する。

【０１３３】対向基板シール材を設ける領域の１．０μ
ｍのオーバーコート材４１８と１．５μｍのカラーフィ
ルター４１７をエッチングすることで、本実施形態では
シール材を設ける領域のセルギャップを画素領域のセル
ギャップに比べて２．５μｍ高くすることができる。
１．０μｍのセルギャップの液晶表示装置に対して、シ
ール材を設ける領域は３．５μｍのセルギャップとする
ことができる。これによりシール材の低粘度成分、未硬
化樹脂の流出をおさえることができる。３．５μｍのセ
ルギャップなら、充填材がつぶれることができ、セルギ
ャップ形成が可能である。

【０１３４】本実施形態はシール材に特徴があり、シー
ル材中にフィラー等のセルギャップ制御をする材料がな
いため、駆動回路領域と、画素領域のスペーサーの高さ
で液晶表示装置のセルギャップが決まる。このため、シ
ール材を設ける領域に大きく段差を設けても、フィラー
径の最適化という煩雑な作業がなくても、均一なセルギ
ャップとなる。

【０１３５】また、本実施形態の構成は対向基板に特徴
があり、図１１のように駆動回路領域にもカラーフィル
ターを形成し、画素領域と駆動回路領域にあたる部分を
平坦化してセルギャップむらを出にくくしている。さら
に、対向基板のシール材を設ける領域の有機樹脂膜をエ
ッチングしているためセルギャップを狭くすることにと
もなうシール材のしみ出しが見られない。

【０１３６】本実施形態ではスペーサーとして、柱状ス
ペーサーを用いて説明したが、それに限るものでなく球
状のＳｉＯ₂、有機樹脂のスペーサー、壁スペーサーな
ど自由に使える。

【０１３７】本実施形態の対向基板の構成は、アクティ
ブマトリクス型表示装置だけでなく、単純マトリクス型
表示装置にも適用できる。

【０１３８】［実施形態３］本実施形態では、シール材
の信頼性の関係でシール材を設ける領域の段差を大きく
設けた基板において、段差に起因するラビング筋をおさ
える方法を開示する。

【０１３９】以下に本実施形態の構成を説明する。素子
基板、対向基板は図８に示す基板を用いる。各構成要素
の説明は実施形態２においてすでにした。対向基板はシ
ール材を設ける領域のオーバーコート材、カラーフィル
ターがエッチングされ２．５μｍの段差ができている。
柱状スペーサー４２３としてはＪＳＲの“ＮＮ７００”
が画素領域と駆動回路に１．０μｍの高さで形成されて
いる。本実施形態では実施形態２と異なる点を説明す
る。

【０１４０】本実施形態では、光配向により液晶の配向
制御を行う。光配向は配向膜に対し非接触な工程で、配
向膜に液晶の配向機能を発現させる。このため、シール
材を設ける領域の段差に起因するラビングむらをおさえ
ることができる。

【０１４１】配向膜のラビング工程は、基板の段差を引
きずったラビング筋が現われることがある。しかし、液
晶の配向制御にラビングレスの表示モードを組み合わせ
て使うことで、段差によるラビング筋を防止する。

【０１４２】配向膜は光配向機能を有する配向膜として
感光性樹脂であるポリビニルシンナメート（ＰＶＣｉ）
を用いる。膜厚は３０ｎｍとする。ポリビニルシンナメ
ートはネガ型のフォトレジストであり、光反応により分
子構造が変化し、二量化反応が起こる。

【０１４３】ポリビニルシンナメート（ＰＶＣｉ）の二
量化反応を図１３に示す。ポリビニルシンナメート９０
０の側鎖のスチリル基９０１は、カルボニル基からベン
ゼン環にかけて二重結合の共役系が伸びており、紫外線
を強く吸収する。

【０１４４】側鎖のスチリル基９０１に平行な紫外線の
直線偏光９０２を照射すると、側鎖が紫外線を吸収し
て、スチリル基９０１の炭素−炭素二重結合が開環し、
９０３のようにポリビニルシンナメートが二量化する。

【０１４５】二量化したポリビニルシンナメートは液晶
の配向性を失う。液晶はポリビニルシンナメートの側鎖
方向に配向するため、結果として照射した紫外線の偏光
方向に対し直交する方向に液晶長軸が配向する。

【０１４６】ポリビニルシンナメートを光配向するに
は、図１４に示すように配向膜に対し直線偏光を二回に
わけて照射する。一回目の光照射は配向膜に対し、垂直
方向から行い液晶長軸の配向方向を決める。

【０１４７】二回目の直線偏光の照射は配向膜に対し、
斜め方向からする。二回目の光照射により液晶のプレチ
ルト角が決まる。照射した直線偏光と同一平面で、照射
した直線偏光に対し直行する方向に液晶の長軸が配向す
る。

【０１４８】二回に分けて紫外領域の直線偏光を照射す
ることで、液晶の配向軸１００１とプレチルト角が決ま
る。液晶の配向方向は表示モードに応じて適宜選択す
る。

【０１４９】紫外光の光源としては、水銀ランプ、エキ
シマレーザー、アルゴンイオンレーザー等がある。

【０１５０】光配向後、シール材を塗布する。シール材
仮焼成、基板貼り合わせ、熱プレス、分断を行って液晶
を注入する。液晶注入後に注入口に紫外線硬化材を塗布
し、紫外線照射することで液晶注入口を封止する。フレ
キシブルプリント配線板をパネルにつけて、アクティブ
マトリクス型表示装置ができる。

【０１５１】本実施形態の特徴はセルギャップの狭い液
晶表示装置におけるシール材のしみだしを防止するため
に、シール材を設ける領域をエッチングして段差を設け
ている。さらに段差によりラビング筋がでることを防ぐ
ために光配向処理をほどこしている。

【０１５２】素子基板には図８のように柱状スペーサー
４２３が形成されているが、柱状スペーサーの高さが
１．０μｍと小さいので、柱状スペーサーの影による光
照射むらはそれほど大きくなく、液晶の配向は液晶表示
装置内で均一である。

【０１５３】ラビングレスの表示モードは、光配向法だ
けでなく、電界スリット制御法、垂直配向型液晶表示装
置において微細突起で液晶を配向するＭＶＡ（Ｍｕｌｔ
ｉＶｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎ）モードがある。シー
ル材を設ける領域をエッチングしたような段差の大きい
基板では、これらのラビングレスモードもラビング筋の
防止に有用である。

【０１５４】［実施形態４］配向膜のラビング工程は、
基板上に基板の段差を引きずったラビング筋が現われる
ことがある。本実施形態では、セルギャップを狭くする
ための段差が、ラビング工程に影響しない構成を開示す
る。

【０１５５】本実施形態では、対向基板、素子基板と
も、ラビングの上流方向をさけて、有機樹脂膜のエッチ
ングによる段差を設けて、段差に起因するラビング筋が
画素領域にかからないようにすることを特徴とする。

【０１５６】本実施形態の構成を図９を用いて説明す
る。図９において、対向基板５０１と配向膜のラビング
方向５０２、シール材を設ける領域においてシール材の
しみだし防止のために有機樹脂膜がエッチングされた領
域５０３が図示されている。簡単のために対向基板の画
素電極、ブラックマトリクス、カラーフィルター等は図
示していない。段差によるラビング筋が画素領域にかか
ることを防ぐために、ラビング方向５０２の上流側をさ
けて有機樹脂膜をエッチングしていることが特徴であ
る。本実施形態では、エッチングする領域５０３におい
て、カラーフィルター１．０μｍと、オーバーコート材
１．０μｍを取り去っており、２．０μｍの段差があ
る。

【０１５７】素子基板５０４に、ＦＰＣ配線引出し線５
０５、ゲートドライバー５０６、ソースドライバー５０
７がある。素子基板の配向膜ラビング方向５０８の上流
側をさけて、有機樹脂膜エッチングする領域５０９を設
けている。素子基板では、ＦＰＣ配線を保護するため
に、ＦＰＣ配線側の有機樹脂膜は残してある。本実施形
態では、エッチングする領域５０９において、有機樹脂
膜を２．０μｍ取り去っており、対向基板と同じ段差が
ある。

【０１５８】対向基板にシール材５１１を形成し、対向
基板と素子基板をパネル組立する。パネル組立後のシー
ル材５１１は、対向基板と素子基板に２．０μｍの段差
をもうけた領域５１２にある。本実施形態のラビング方
向では左巻きのツイストのＴＮ型液晶表示装置ができ
る。パネル組立後にＦＰＣ５１０の貼りつけを行い、ア
クティブマトリクス型表示装置が完成する。

【０１５９】本実施形態では、セルギャップを狭くする
ことによるシール材のしみだしを防ぐために、対向基板
と、素子基板の有機樹脂膜をエッチングしている。さら
に、エッチング後の段差に起因するラビング筋を防ぐた
めに、ラビング方向の上流側をさけて有機膜をエッチン
グしている。これによりラビング筋のできにくい良好な
表示品質の液晶表示装置を形成する。

【０１６０】［実施形態５］実施形態５では、ラビング
筋防止のため、ラビングの上流方向を避けるようにして
段差を設けた液晶表示装置の構成を説明する。本実施形
態では、一対の基板に反平行のラビング処理を施す。表
示モードとしては、垂直配向液晶表示装置、反強誘電性
液晶表示装置、強誘電性液晶表示装置のような反平行の
ラビング処理が必要な液晶表示装置に適用できる。

【０１６１】本実施形態では、対向基板、素子基板と
も、ラビングの上流方向に、有機樹脂膜のエッチングに
よる段差を設けないようにして、段差に起因するラビン
グ筋が画素領域にかからないようにすることを特徴とす
る。

【０１６２】本実施形態の構成を図１０を用いて説明す
る。図１０において、対向基板６０１と配向膜のラビン
グ方向６０２、シール材を設ける領域においてシール材
のしみだし防止のために有機樹脂膜がエッチングされた
領域６０３がある。簡単のために対向基板の画素電極、
ブラックマトリクス、カラーフィルター等は図示してい
ない。段差によるラビング筋が画素領域にかかることを
防ぐために、ラビング方向６０２の上流側をさけて有機
樹脂膜をエッチングしていることが特徴である。本実施
形態では、エッチングする領域６０３において、カラー
フィルター１．０μｍと、オーバーコート材１．０μｍ
を取り去っており、２．０μｍの段差がある。

【０１６３】素子基板６０４に、ＦＰＣ配線引出し線６
０５、ゲートドライバー６０６、ソースドライバー６０
７がある。素子基板配向膜のラビング方向６０８の上流
側をさけて、有機樹脂膜エッチングする領域６０９を設
けている。素子基板では、ＦＰＣ配線を保護するため
に、ＦＰＣ配線側の有機樹脂膜は残してある。本実施形
態では、エッチングする領域６０９において、有機樹脂
膜を２．０μｍ取り去っており、対向基板と同じ段差が
ある。

【０１６４】対向基板上にシール材６１１を塗布し、対
向基板と素子基板をパネル組立する。パネル組立後のシ
ール材６１１は、対向基板と素子基板の２．０μｍの段
差をもうけた領域６１２にある。本実施形態では反平行
にラビング処理を施した液晶表示装置ができる。パネル
組立後にＦＰＣ６１０の貼りつけを行い、アクティブマ
トリクス型表示装置が完成する。

【０１６５】［実施形態６］本実施形態では、本発明の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を組み込んだ半導
体装置について図１８、図１９、図２０で説明する。

【０１６６】このような半導体装置には、携帯情報端末
（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話等）、ビ
デオカメラ、スチルカメラ、パーソナルコンピュータ、
テレビ等が挙げられる。それらの一例を図１８と図１９
に示す。

【０１６７】図１８（Ａ）は携帯電話であり、本体９０
０１、音声出力部９００２、音声入力部９００３、表示
装置９００４、操作スイッチ９００５、アンテナ９００
６から構成されている。本願発明は音声出力部９００
２、音声入力部９００３、及びアクティブマトリクス基
板を備えた表示装置９００４に適用することができる。

【０１６８】図１８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
９１０１、表示装置９１０２、音声入力部９１０３、操
作スイッチ９１０４、バッテリー９１０５、受像部９１
０６から成っている。本願発明は音声入力部９１０３、
及びアクティブマトリクス基板を備えた表示装置９１０
２、受像部９１０６に適用することができる。

【０１６９】図１８（Ｃ）はモバイルコンピュータ或い
は携帯型情報端末であり、本体９２０１、カメラ部９２
０２、受像部９２０３、操作スイッチ９２０４、表示装
置９２０５で構成されている。本願発明は受像部９２０
３、及びアクティブマトリクス基板を備えた表示装置９
２０５に適用することができる。

【０１７０】図１８（Ｄ）はヘッドマウントディスプレ
イであり、本体９３０１、表示装置９３０２、アーム部
９３０３で構成される。本願発明は表示装置９３０２に
適用することができる。また、表示されていないが、そ
の他の信号制御用回路に使用することもできる。

【０１７１】図１８（Ｅ）はテレビであり、本体９４０
１、スピーカー９４０２、表示装置９４０３、受信装置
９４０４、増幅装置９４０５等で構成される。実施例５
で示す液晶表示装置や、実施例６または７で示すＥＬ表
示装置は表示装置９４０３に適用することができる。

【０１７２】図１８（Ｆ）は携帯書籍であり、本体９５
０１、表示装置９５０２、９５０３、記憶媒体９５０
４、操作スイッチ９５０５、アンテナ９５０６から構成
されており、ミニディスク（ＭＤ）やＤＶＤに記憶され
たデータや、アンテナで受信したデータを表示するもの
である。表示装置９５０２、９５０３は直視型の表示装
置であり、本発明はこの適用することができる。

【０１７３】図１９（Ａ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体９６０１、画像入力部９６０２、表示装置９
６０３、キーボード９６０４で構成される。

【０１７４】図１９（Ｂ）はプログラムを記録した記録
媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであ
り、本体９７０１、表示装置９７０２、スピーカ部９７
０３、記録媒体９７０４、操作スイッチ９７０５で構成
される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉ
ｇｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等
を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネット
を行うことができる。

【０１７５】図１９（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体９８０１、表示装置９８０２、接眼部９８０３、操作
スイッチ９８０４、受像部（図示しない）で構成され
る。

【０１７６】図２０（Ａ）はフロント型プロジェクター
であり、表示装置３６０１、スクリーン３６０２で構成
される。本発明は表示装置やその他の信号制御回路に適
用することができる。

【０１７７】図２０（Ｂ）はリア型プロジェクターであ
り、本体３７０１、投射装置３７０２、ミラー３７０
３、スクリーン３７０４で構成される。本発明は表示装
置やその他の信号制御回路に適用することができる。

【０１７８】なお、図２０（Ｃ）は、図２０（Ａ）及び
図２０（Ｂ）中における投射装置３６０１、３７０２の
構造の一例を示した図である。投射装置３６０１、３７
０２は、光源光学系３８０１、ミラー３８０２、３８０
４〜３８０６、ダイクロイックミラー３８０３、プリズ
ム３８０７、液晶表示装置３８０８、位相差板３８０
９、投射光学系３８１０で構成される。投射光学系３８
１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施
例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単
板式であってもよい。また、図２０（Ｃ）中において矢
印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機
能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィル
ム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。

【０１７９】また、図２０（Ｄ）は、図２０（Ｃ）中に
おける光源光学系３８０１の構造の一例を示した図であ
る。本実施例では、光源光学系３８０１は、リフレクタ
ー３８１１、光源３８１２、レンズアレイ３８１３、３
８１４、偏光変換素子３８１５、集光レンズ３８１６で
構成される。なお、図２０（Ｄ）に示した光源光学系は
一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に
実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィル
ムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光
学系を設けてもよい。

【０１８０】

【発明の効果】本発明により、セルギャップを狭くする
ことにともなうシール材中の低粘度成分や未硬化樹脂の
流出をおさえる。また、シール材を設ける領域のギャッ
プを２．３〜２．５μｍ望ましくは２．９〜３．０μｍ
以上にすることで良好なセルギャップを形成する。

【０１８１】また、本発明は、セルギャップを狭くする
ことにともなうシール形成領域の段差を必要最低限に小
さくすることで、液晶注入にともなう気泡やラビング工
程にともなうラビング筋をおさえることができる。この
ようにセルギャップ方向の段差の形成を抑えた構成で、
柱状スペーサーを塗布して、シール材を設ける領域と画
素領域の段差を平坦化することで、均一なセルギャップ
が得られる。

【０１８２】本発明のように、１μｍの極端に小さなセ
ルギャップを形成する場合は、対向基板のカラーフィル
ター、オーバーコート材をシール材を設ける領域のみエ
ッチングすることでセルギャップを狭くすることに必要
な段差をつくることができる。さらに、段差にともなう
ラビング筋が表示品質に影響する場合は、光配向のよう
な非接触の配向手段をとることも可能である。

【０１８３】さらに、セルギャップを狭くするために設
けた段差によりラビング工程でラビング筋がでる場合
は、対向基板、素子基板ともラビング方向の上流側をさ
けて段差を形成し、パネル組立することで、ラビング筋
による表示品質の劣化のない液晶表示装置を作ることが
できる。

【０１８４】

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施形態１のアクティブマトリクス型表示装
置の作製工程を示す断面図。

【図２】 実施形態１のアクティブマトリクス型表示装
置の作製工程を示す断面図。

【図３】 実施形態１のアクティブマトリクス型表示装
置の作製工程を示す断面図。

【図４】 実施形態１のアクティブマトリクス型表示装
置の作製工程を示す断面図。

【図５】 実施形態１のアクティブマトリクス型表示装
置の断面図。

【図６】 実施形態１の有機樹脂膜をエッチングする領
域。

【図７】 実施形態１で比較する有機樹脂膜をエッチン
グする領域。

【図８】 実施形態２のアクティブマトリクス型表示装
置の断面図。

【図９】 実施形態４のラビング方向と有機樹脂膜をエ
ッチングする領域の関係。

【図１０】 実施形態５のラビング方向と有機樹脂膜を
エッチングする領域の関係。

【図１１】 実施形態２の対向基板とそ。

【図１２】 実施形態２で比較する対向基板とそ。

【図１３】 光配向におけるポリビニルシンナメートの
二量化反応。

【図１４】 光配向における光照射方向と液晶配向軸の
関係。

【図１５】 垂直配向反射型プロジェクターの光学系。

【図１６】 段差とラビング筋の関係。

【図１７】 液晶表示装置の問題点。

【図１８】 本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の応用例

【図１９】 本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の応用例

【図２０】 本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の応用例

【符号の説明】 １６２ 柱状スペーサー １６６ 配向膜 １６７ 液晶 １６８ シール材 ２０１ ガラス基板 ２０２ 無機絶縁膜 ２０３、２０４ エッチング工程後の第三の層間絶縁膜 ２０５ 感光性樹脂 ２０６ 画素領域に設けられた柱状スペーサー ２０７ 画素領域 ２０８ シール材を設ける領域 ２０９ シール材を設ける領域に設けられた柱状スペー
サー ２１０ 第三層間膜のエッチングする領域 ２１１ 第三層間膜による段差 ３０１ ガラス基板 ３０２ 無機絶縁膜 ３０３ エッチング工程後の第三の層間絶縁膜 ３０４ 感光性樹脂 ３０５ 画素領域に設けられた柱状スペーサー ３０６ 画素領域 ３０７ シール材を設ける領域 ３０８ 柱状スペーサーの高さの差 ３０９ 第三層間膜のエッチングする領域 ３１０ シール材を設ける領域に設けられた柱状スペー
サー ３１１ 第三層間膜による段差 ４１７ カラーフィルター ４１８ オーバーコート材 ４１９ 透明導電膜 ４２０ 配向膜 ４２１ 液晶 ４２２ シール材 ４２３ 柱状スペーサー ５０１、６０１ 対向基板 ５０２、６０２ ラビング方向 ５０３、６０３ 有機樹脂膜がエッチングされた領域 ５０４、６０４ 素子基板 ５０５、６０５ ＦＰＣ配線引出し線 ５０６、６０６ ゲートドライバー ５０７、６０７ ソースドライバー ５０８、６０８ 配向膜のラビング方向 ５０９、６０９ エッチングする領域 ５１０、６１０ ＦＰＣ ５１１、６１１ シール材 ５１２、６１２ エッチングする領域 ７０１、８０１ ガラス基板 ７０２、８０２ 無機材料のブラックマトリクス ７０３、８０３ カラーフィルター ７０４、８０４ オーバーコート材 ７０５、８０５ 透明導電膜 ７０６、８０６ 画素領域 ７０７、８０７ シール材を設ける領域 ７０８、８０８ 駆動回路領域 ７０９ レジスト ８０９ 段差 １１０６〜１１０８ 垂直配向反射型液晶表示装置 １２００ 素子基板 １２０１ 段差 １２０２ ラビング方向 １２０３ ラビング筋 １３０１ シール材 １３０２ シール材のしみだし １３０３ 画素領域 １３０４ 気泡 １３０５ 中心付近の色調 １３０６ 中心から離れたところの色調 １３０７ ラビング筋

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３６０ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３６０Ｄ ３６０Ｋ ３６０Ｎ 9/30 ３２０ 9/30 ３２０ ３３８ ３３８ Ｆターム(参考） 2H089 LA09 LA10 LA12 LA14 LA15 LA16 LA46 LA47 LA48 MA03X NA05 NA12 NA44 QA14 RA13 RA14 SA10 TA05 TA12 UA05 UA09 2H090 HA04 HA05 HB02X HB07X HC13 HD03 HD08 HD14 KA14 KA15 LA02 LA03 MA01 MA06 MA11 MB01 5C094 AA02 AA31 AA42 BA03 BA49 CA19 CA24 DA14 DA15 DB02 EA04 EA07 EB02 EC03 ED03 ED14 ED15 ED20 FB12 FB15 GB01 5G435 AA00 AA17 BB12 BB15 BB16 BB17 CC12 DD02 DD05 DD06 DD07 DD09 EE33 FF03 FF05 FF07 GG03 GG04 GG08 GG28 GG46 HH02 HH12 HH14 KK05 LL04 LL07 LL08 LL14

Claims (33)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の基板と、前記一対の基板に狭持され
   た液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に形成され
   た、第一の絶縁層と、第二の絶縁層とを有し、前記第二
   の絶縁層が選択的に除去されて前記第一の絶縁層が露呈
   された領域に第一のスペーサーとシール材が設けられ、
   前記第二の絶縁層の上方に第二のスペーサーが設けら
   れ、前記第一のスペーサーと前記第二のスペーサーとは
   頂点が同一の高さを有して前記一対の基板間に形成され
   ていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】請求項１において、前記第二の絶縁層上に
   ストライプ状の画素電極が形成されていることを特徴と
   する液晶表示装置。
3. 【請求項３】請求項１において、前記第二の絶縁層上に
   各画素に対応した画素電極が形成されていることを特徴
   とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】請求項１において、前記第一の絶縁層と第
   二の絶縁層のいずれか一方が無機絶縁膜からなり、他方
   が有機絶縁膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】請求項１において、前記第一のスペーサー
   と前記第二のスペーサーはポリイミド、ポリアミド、ア
   クリル、ポリビニルシンナメートのうちいずれか一つを
   主成分とすることを特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記前記第一の絶縁層が露呈された領域の幅（Ｌ_A）が
   前記シール材の幅（Ｌ_B）に対し、Ｌ_B＋０．１ｍｍ≦Ｌ
   _A≦Ｌ_B＋２ｍｍとなることを特徴とする液晶表示装置。
7. 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか一項において、
   第一のスペーサーの高さ（Ｈ_A）を２．５μｍ≦Ｈ_A≦
   ３．０μｍとすることを特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】請求項７において、前記液晶層が自発分極
   を有するスメクチック液晶を含むことを特徴とする液晶
   表示装置。
9. 【請求項９】請求項１乃至８のうちいずれか１項におい
   て、前記第二のスペーサーが表示領域にないことを特徴
   とする液晶表示装置。
10. 【請求項１０】一対の基板と、前記一対の基板に狭持さ
    れた液晶層と、前記一対の基板の一方の基板には、第一
    の絶縁層と、前記第一の絶縁層の上の第二の絶縁層と、
    第二の絶縁層の上の有機樹脂膜（Ａ）があり、前記第二
    の絶縁層がシール材を形成する領域の下方において選択
    的に除去されて、第一の絶縁層と有機樹脂膜（Ａ）が接
    しており、前記有機樹脂膜（Ａ）の上に有機樹脂（Ｂ）
    からなるスペーサーが、前記シール材を形成する領域と
    表示領域に頂点が同一の高さで設けられていることを特
    徴とする液晶表示装置。
11. 【請求項１１】請求項１０において、第二の絶縁層が選
    択的に除去された領域の幅（Ｌ_A）が前記シール材を形
    成する領域の幅（Ｌ_B）に対し、Ｌ_B＋０．１ｍｍ≦Ｌ_A
    ≦Ｌ_B＋２ｍｍとなることを特徴とする液晶表示装置。
12. 【請求項１２】請求項１０または１１において、シール
    材を形成する領域の有機樹脂材料の頂点までの高さ（Ｈ
    _A）を２．５μｍ≦Ｈ_A≦３．０μｍとすることを特徴と
    する液晶表示装置。
13. 【請求項１３】請求項１２において、前記液晶層が自発
    分極を有するスメクチック液晶を含むことを特徴とする
    液晶表示装置。
14. 【請求項１４】請求項１０乃至１３のいずれか１項にお
    いて、前記有機樹脂（Ｂ）からなるスペーサーが前記表
    示領域にないことを特徴とする液晶表示装置。
15. 【請求項１５】一対の基板と、前記一対の基板に液晶層
    を狭持し、前記一対の基板のうち一方の基板に、第一の
    絶縁層を形成し、前記第一の絶縁層の上に第二の絶縁層
    を形成し、前記第一の絶縁層をエッチングのストッパー
    として前記第二の絶縁層を選択的に除去し、さらに有機
    樹脂膜を塗布しパターニングすることで前記第一の絶縁
    層を除去した領域と表示領域にスペーサーを形成し、前
    記第一の絶縁層を除去した領域にシール材を形成するこ
    とを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
16. 【請求項１６】請求項１５において、前記有機樹脂膜は
    ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリビニルシンナ
    メートのうちいずれか一つを主成分とするものを用いる
    ことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
17. 【請求項１７】請求項１５乃至１６のいずれか一項にお
    いて、第二の絶縁層を選択的に除去した幅（Ｌ_A）が前
    記シール材の幅（Ｌ_B）に対し、Ｌ_B＋０．１ｍｍ≦Ｌ_A
    ≦Ｌ_B＋２ｍｍとなるように形成することを特徴とする
    液晶表示装置の作製方法。
18. 【請求項１８】請求項１５乃至１７のいずれか一項にお
    いて、前記第一の絶縁層を除去した領域に形成する有機
    樹脂材料の頂点までの高さ（Ｈ_A）が２．５μｍ≦Ｈ_A≦
    ３．０μｍとなるように形成することを特徴とする液晶
    表示装置の作製方法。
19. 【請求項１９】請求項１８において、前記液晶層を自発
    分極を有するスメクチック液晶で形成することを特徴と
    する液晶表示装置の作製方法。
20. 【請求項２０】一対の基板と、一対の基板に液晶層を狭
    持し、前記一対の基板の一方の基板に、第一の絶縁層を
    形成し、前記第一の絶縁層の上に第二の絶縁層を形成
    し、前記第一の絶縁層をエッチングのストッパーにして
    前記第二の絶縁層を選択的に除去し、さらに有機樹脂膜
    （Ａ）を形成し、前記有機樹脂膜（Ａ）の上に有機樹脂
    膜（Ｂ）を塗布し、前記有機樹脂膜（Ｂ）をパターニン
    グすることで、前記第一の絶縁層を除去した領域の上方
    と表示領域にスペーサーを形成することを特徴とする液
    晶表示装置の作製方法。
21. 【請求項２１】請求項２０において、有機樹脂膜（Ｂ）
    はポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリビニルシン
    ナメートのうちいずれか一つを主成分とするものを用い
    ることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
22. 【請求項２２】請求項２０または２１において、前記第
    一の絶縁層を除去した領域の幅（Ｌ_A）が前記シール材
    の幅（Ｌ_B）に対し、Ｌ_B＋０．１ｍｍ≦Ｌ_A≦Ｌ_B＋２ｍ
    ｍとなるように形成することを特徴とする液晶表示装置
    の作製方法。
23. 【請求項２３】請求項２０乃至２２のいずれか一項にお
    いて、シール材を設ける領域の有機樹脂材料の頂点まで
    の高さ（Ｈ_A）を２．５μｍ≦Ｈ_A≦３．０μｍとなるよ
    うに形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方
    法。
24. 【請求項２４】請求項２３において、前記液晶層に自発
    分極を有するスメクチック液晶を用いることを特徴とす
    る液晶表示装置の作製方法。
25. 【請求項２５】少なくともいずれか一方が透明絶縁性を
    有する一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも一方
    がカラーフィルターと、オーバーコート材を有し、前記
    オーバーコート材あるいは前記オーバーコート材と前記
    カラーフィルターをシール材を設ける領域において除去
    してあることを特徴とする液晶表示装置。
26. 【請求項２６】請求項２５において、表示領域のセルギ
    ャップが２．５μｍ以下であることを特徴とする液晶表
    示装置。
27. 【請求項２７】請求項２５または２６において、シール
    材を形成する領域にスペーサー、フィラーを設けないこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
28. 【請求項２８】一対の基板と、前記一対の基板に設けら
    れた一対の配向層と、前記一対の基板のうち第一の基板
    に設けられた第一の絶縁膜と、前記一対の基板のうち第
    二の基板に設けられた第二の絶縁膜と、第一の基板に設
    けられた配向層のラビング処理の下流側あるいは平行な
    領域と、第二の基板に設けられた配向層のラビング処理
    の下流側あるいは平行な領域において、シール材を形成
    する領域に段差を設けるように第一の絶縁膜と第二の絶
    縁膜が除去されていることを特徴とする液晶表示装置。
29. 【請求項２９】請求項２８において、第一の基板に設け
    られた配向層のラビング処理の上流側と、第二の基板に
    設けられた配向層のラビング処理の上流側は一対の基板
    において、異なる位置にあることを特徴とする液晶表示
    装置。
30. 【請求項３０】請求項２９において、前記一対の基板の
    第一の絶縁膜を除去する領域と、第二の基板を除去する
    領域は互いに重なりあわないことを特徴とする液晶表示
    装置。
31. 【請求項３１】請求項３０において、前記表示領域のセ
    ルギャップが２．５μｍ以下であることを特徴とする液
    晶表示装置。
32. 【請求項３２】請求項３１において、前記シール材を形
    成する領域のセルギャップを３μｍ以上とすることを特
    徴とする液晶表示装置。
33. 【請求項３３】請求項２８乃至３２のいずれか一項にお
    いて、シール材を形成する領域にスペーサー、フィラー
    を設けないことを特徴とする液晶表示装置。