JP3281791B2

JP3281791B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP3281791B2
Application number: JP4367696A
Authority: JP
Inventors: 和人則武
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1995-12-15
Filing date: 1996-02-29
Publication date: 2002-05-13
Anticipated expiration: 2016-02-29
Also published as: JPH09222616A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(ＴＦＴ：thin film transistor）を搭載した液晶表示
装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）に関し、特
に、チャンネル層を多結晶シリコン、即ち、ｐｏｌｙ−
Ｓｉにより形成し、これを用いて駆動回路部を基板上に
一体的に形成した駆動回路一体型を実現するｐｏｌｙ−
ＳｉＴＦＴＬＣＤに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤは小型、薄型、低消費電力などの
利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実用化が
進んでいる。特に、スイッチング素子として、ＴＦＴを
用いたアクティブマトリクス型は、原理的にデュ−ティ
比１００％のスタティック駆動をマルチプレクス的に行
うことができ、大画面、高精細な動画ディスプレイに使
用されている。

【０００３】アクティブマトリスクＬＣＤは、マトリク
ス状に配置された表示電極にＴＦＴを接続形成した基板
（ＴＦＴ基板）と共通電極を有する基板（対向基板）
が、液晶を挟んで貼り合わされた構成となっている。表
示電極と共通電極の対向部分は液晶を誘電層とした画素
容量となっており、ＴＦＴにより選択された電圧が印加
される。液晶は電気光学的に異方性を有しており、画素
容量により形成された電界の強度に対応して光を変調す
る。

【０００４】近年、ＴＦＴのチャンネル層として多結晶
シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を用いることによって、マ
トリクス画素部と周辺駆動回路部を同一基板上に形成し
た駆動回路一体型のＬＣＤが開発されている。一般に、
ｐｏｌｙ−Ｓｉは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）に比べて
移動度が高く、また、ゲートセルフアライン構造による
微細化、寄生容量の縮小による高速化が達成され、ｎ−
ｃｈＴＦＴとｐ−ｃｈＴＦＴの電気的相補接続構造を構
成することにより、高速駆動回路を形成することができ
る。このように、駆動回路部をマトリクス画素部と一体
形成することにより、製造コストの削減、ＬＣＤモジュ
ールの小型化が実現される。

【０００５】図７にこのようなＬＣＤの構成を示す。中
央部の点線で囲まれた部分はマトリスク画素部であり、
ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦを制御するゲートライン（Ｇ１，
Ｇ２，Ｇ３・・・）と画素信号用のドレインライン（Ｄ
１，Ｄ２，Ｄ３・・・）が交差して配置されている。各
交点にはＴＦＴとこれに接続する表示電極（いずれも不
図示）が形成されている。画素部の左右にはゲ−トライ
ン（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３・・・）を選択するゲートドライ
バー（ＧＤ）が配置され、画素部の上下には、映像信号
をサンプリングしてホールドし、ゲートドライバ（Ｇ
Ｄ）の走査に同期して各ドレインライン（Ｄ１，Ｄ２，
Ｄ３・・・）に画素信号電圧を印加するドレインドライ
バ−（ＤＤ）が配置されている。ドレインドライバー
（ＤＤ）は、主としてシフトレジスタ回路、サンプリン
グ回路及びホールド用キャパシターからなり、ゲートド
ライバー（ＧＤ）は主にシフトレジスタからなる。

【０００６】図８に、このようなｐ−ＳｉＴＦＴの構造
を示す。石英ガラスなどの基板（１０）上に、島状にパ
タ−ニングされたｐ−Ｓｉ（１１）が形成されている。
ｐ−Ｓｉ（１１）を覆う全面には、ＳｉＯ2などのゲー
ト絶縁膜（１２）が被覆されている。ゲート絶縁膜（１
２）上には、ド−プドｐｏｌｙ−Ｓｉとシリサイドのポ
リサイド層からなるゲ−ト電極（１３Ｇ）が形成されて
いる。ゲート電極（１３Ｇ）は画素部にあっては、走査
線であるゲートラインと一体で形成され、駆動回路部に
あっては、相補接続の結線に接続される。また、ｐ−Ｓ
ｉ（１１）は、ゲ−ト電極（１３Ｇ）をマスクとしたセ
ルフアライン構造で、ｎ型に高濃度にドーピングされた
ソ−ス・ドレイン領域（１１Ｓ，１１Ｄ）と、ゲート電
極（１３）の直下領域でノンド−プあるいはｐ型にドー
ピングされたチャンネル領域（１１Ｎ）が形成されてい
る。また、ゲート電極（１３Ｇ）上には、イオン注入時
にマスクとなる注入ストッパー（１４）が設けられ、ゲ
ート電極（１３Ｇ）及び注入ストッパー（１４）の側壁
には、イオン注入後の不純物の横方向拡散に対するマー
ジンを得るためにサイドウォール（１５）が被着形成さ
れている。これらｐ−Ｓｉ（１１）及びゲート電極（１
３Ｇ）とそのラインを覆う全面にはＳｉＯ2などの第１
の層間絶縁膜（１６）が被覆され、第１の層間絶縁膜
（１６）上には、Ｔｉ／ＡｌＳｉからなるドレイン電極
（１７Ｄ）及びソース電極（１７Ｓ）が設けられ、ゲー
ト絶縁膜（１２）及び第１の層間絶縁膜（１６）中に開
口されたコンタクトホール（ＣＴ）を介して各々ドレイ
ン領域（１１Ｄ）及びソース領域（１１Ｓ）に接続され
ている。画素部にあっては、ドレイン電極（１７Ｄ）
は、信号線であるドレインラインと一体であり、駆動回
路部にあっては、ドレイン電極（１７Ｄ）及びソース電
極（１７Ｓ）は相補接続の結線に延長されている。これ
らドレイン電極（１７Ｄ）及びソ−ス電極（１７Ｓ）を
覆う全面には、ＳＯＧ（Spin On Glass）、あるいは、
ＢＰＳＧ（Boro-Phospho Silicate Glass）即ちボロン
リンガラスなどを用いた平坦化作用のある第２の層間絶
縁膜（１８）が形成されている。

【０００７】画素部にあっては、更に第２の層間絶縁膜
（１８）上にＩＴＯ（Indium TinOxide）からなる表示
電極が形成され、第２の層間絶縁膜（１８）中にコンタ
クトホールを形成してソース電極（１７Ｓ）へ接続する
構造が採られる。このような構成のＴＦＴは、画素部に
おいては、Ｗ／Ｌ値が２μｍ／３．５μｍ、駆動回路部
においては、Ｗ／Ｌ値が４００〜６００μｍ／３〜５μ
ｍ程度であり、配線幅も、画素部では最上層に位置する
ドレインラインが５μｍ程度であるのに対して、駆動回
路部における結線は１００〜２００μｍ程度もある。

【０００８】図９に示すように、画素部（２０Ａ）及び
周辺駆動回路部（２０Ｂ）において各々ＴＦＴ及びその
配線（２１，２２）が形成されたＴＦＴ基板（２０）
は、更に、液晶の初期配向を制御するための配向膜（不
図示）が形成され、同じく、表面に配向膜が形成された
対向基板（３０）と貼り合わされる。対向基板（３０）
側には配向膜の下側に共通電極（３１）が一面に形成さ
れ、表示電極との間で液晶容量を構成する。両基板（２
０，３０）は周縁で樹脂性接着材料からなるシール剤
（４０）により貼り合わされ、両基板（２０，３０）間
の細隙には液晶（５０）が密封されている。この液晶
（５０）層の細隙はシール剤（４０）中及びシール剤
（４０）の内部に散布されたスペーサ（６０）により確
保されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上で述べたように、従
来の液晶表示装置では、画素部（２０Ａ）と駆動回路部
（２０Ｂ）においてＴＦＴ及びその配線（２１，２２）
のサイズが大きく異なっており、各々の領域でＴＦＴ及
びその配線（２１，２２）を覆う第２の層間絶縁膜（１
８）の被着膜厚に差が出て、ＴＦＴ基板（２０）の厚み
の不均一を生じさせる。即ち、第２の層間絶縁膜（１
８）にはＳＯＧやＢＰＳＧ、あるいはアクリル樹脂など
が用いられるが、これらの膜は微細的には平坦化作用が
あるが、グローバルには平坦作用が無効となる。下地の
凹凸パターンが比較的大きい場合、パターンの形状に依
存して平坦化膜の膜厚が変化してしまう。例えば、０．
６μｍ厚のＳＯＧ膜を被着形成した場合、配線幅が２〜
３μｍの時、配線上に着くＳＯＧ膜厚は０．２μｍ、配
線幅が９〜１０μｍの時は０．４μｍ、更に配線幅が２
０μｍ以上では、配線上に着くＳＯＧ膜厚は０．６μｍ
であり、平坦化作用が働かない。また、凸部に対して凹
部の領域が大きい場合は、凸部に対して凹部が狭が狭い
場合よりも凸部上に着くＳＯＧ膜厚は薄くなる傾向があ
る。

【００１０】駆動回路一体型ＬＣＤにおいて、画素部
（２０Ａ）における、ＴＦＴのサイズ及び最上層となる
ドレイン・ソース電極（１７Ｄ，１７Ｓ）とその配線幅
が、駆動回路部における配線幅よりも格段に小さく、か
つ、画素部では、大半の領域が表示部でありドレイン・
ソースの配線領域の割合が小さいのに対して、ドレイン
・ソース配線の密集度も駆動回路部では大きい。従っ
て、ＳＯＧ膜等からなる第２の層間絶縁膜（１８）は画
素部（２０Ａ）上では比較的薄く着き、駆動回路部（２
０Ｂ）上では厚く着く。

【００１１】このため、ＴＦＴ基板（２０）と対向基板
（３０）を貼り合わせた時、周辺駆動回路部と画素部で
は、基板間の離間距離が異なり、図９に示すように、両
基板（２０，３０）が湾曲し、画素部において、セルギ
ャップ即ち基板間の表面離間距離が不均一になってしま
う。特に、シール剤（４０）は、画素部（２０Ａ）の周
縁で駆動回路部（２０Ｂ）と同じ厚さの領域に設けられ
るため、周縁部に近づくほどセルギャップが大効くな
る。このようなセルギャップの変化は、リタデーション
量の変化を招き、透過率を変化させるため、図の領域
（Ｃ）では、輝度が他の領域と異なってしまい、表示品
位を悪化させていた。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するために成され、対向面上に、複数の多結晶シリコン
薄膜トランジスタが形成され、画素部において、マトリ
クス状に配置された液晶駆動用の表示電極に接続される
とともに、周辺部においては、２つの導電型による電気
的相補構造による駆動回路が形成された一方の基板と、
対向面上に、液晶駆動用の共通電極が一面に形成された
他方の基板と、これら２枚の基板が液晶を挟んで貼り合
わされ、周縁部で接着剤により固定され、内部に液晶が
密封されてなる液晶表示装置において、画素部におい
て、第１のスペーサ粒が前記２枚の基板の間に配設さ
れ、周縁部において、前記接着剤中に前記第１のスペー
サ粒よりも粒径の小さな第２のスペーサ粒が混入され、
前記第１のスペーサ粒の粒径と前記第２のスペーサ粒の
粒径の差分は、画素部において、前記多結晶シリコン薄
膜トランジスタを覆い、前記表示電極の下地となる層間
絶縁膜の膜厚と、周縁部において、前記多結晶シリコン
薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜の膜厚との差分に等
しい構成である。

【００１３】これにより、周縁部において、層間絶縁膜
が厚く、液晶層の層厚が小さくなっている部分では、両
基板の貼り合わせ用の接着剤中に粒径の小さな第２のス
ペーサ粒が配され、画素部の液晶厚の厚い領域には粒径
の大きな第１のスペーサ粒が配され、両スペーサ粒の粒
径の差は、層間絶縁膜が画素部上に着く厚さと駆動回路
部上に着く厚さの差分と同じにされているので、両基板
が湾曲することが無くなり、画素部全域において、液晶
層厚が一定に保たれ、リタデーション量が変化せず、透
過率の変化による輝度むらの発生が防止される。

【００１４】特に、前記一方の基板の、前記画素部と前
記駆動回路部の間の領域には前記多結晶シリコン薄膜ト
ランジスタの最上部電極と同一の膜からなる台状膜が形
成され、前記接着剤は、この台状膜上を少なくとも通過
するように形成された構成である。これにより、台状層
の線幅と層間絶縁膜の平坦化性能及びその被着膜厚との
関係よりあらかじめ、画素部と台状層での基板間表面離
間距離の差分を調べ、これを基にして、画素部に散布さ
れる第１のスペーサ粒の粒径と接着剤中に混入される第
２のスペーサ粒の粒径の差を決定することができる。こ
れにより、両基板が湾曲することなく貼り合わされるの
で、画素部全域において、液晶層厚が一定に保たれ、リ
タデーション量が変化せず、透過率の変化による輝度む
らの発生が防止される。

【００１５】また特に、前記台状膜の上面の最低線幅
は、前記駆動回路を形成する電気的相補構造の所定の接
続のための結線の最大線幅と同じか、もしくはこれより
も広い構成である。これにより、一方の基板上で層間絶
縁膜が最も厚く着く部分に合わせて、台状膜上の第２の
スペーサ粒の粒径が決定され、基板上の凹凸が全て吸収
されるので、両基板を湾曲すること無く貼り合わせるこ
とが可能となり、輝度むらの無い良好な表示が得られ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態にかかる
液晶表示装置のゲート側の要部拡大平面図であり、図２
はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。これらの図で
は、図７で画素部とゲート側ドライバー（ＧＤ）の間に
位置する領域を示している。図の左方に位置する画素部
のゲート電極（１３Ｇ）から延在されてきたゲートライ
ン（１３Ｌ）が、図の右方に位置するゲートドライバー
（ＧＤ）のシフトレジスタの各段の出力を構成するＴＦ
Ｔのソース電極（１７Ｓ）と一体の引き出し線（１７Ｇ
Ｌ）に接続されている。ゲートライン（１３Ｌ）は画素
部のＴＦＴのゲート電極（１３Ｇ）と一体のポリサイド
により形成され、ゲートドライバーの引き出し線（１７
ＧＬ）は、ＴＦＴのドレイン及びソース電極（１７）と
同じ材料で、Ａｌ、Ｍｏ、あるいは、これらの積層膜
層、または、Ｔｉ／ＡｌＳｉなどにより形成されてい
る。両配線（１３Ｌ，１７ＧＬ）は、第１の層間絶縁膜
（１６）及び注入ストッパー（１４）中に開口されたコ
ンタクトホール（ＣＴ２）を介して接続されている。こ
れら配線（１７ＧＬ）上には、ＴＦＴ部と同様、平坦化
絶縁膜からなる第２の層間絶縁膜（１８）が形成されて
いる。

【００１７】第１の層間絶縁膜（１６）上には、ゲート
ライン（１３Ｌ）上を除き、ゲートライン（１３Ｌ）に
交差する方向に幅１〜５ｍｍにわたって、ドレイン及び
ソース電極（１７）と同じメタルからなる台状膜（１７
ＰＬＧ）が配列形成されている。そして、引き出し線
（１７ＧＬ）とともに、その上面により面積の大きな平
面を形成し、第１の層間絶縁膜（１６）が露出する領域
を小さくしてる。このため、これらの領域を覆う第２の
層間絶縁膜（１８）は、台状膜（１７ＰＬＧ）と引き出
し線（１７ＧＬ）の間隙領域の穴埋めをしながら、台状
膜（１７ＰＬＧ）と引き出し線（１７ＧＬ）の上面によ
り一体的に形成された平面上に厚く被着される。後で説
明するように、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせるた
めのシール剤は、図の破線で挟まれた領域の、この台状
膜（１７ＰＬＧ）及び引き出し線（１７ＧＬ）に迫り上
げられた領域上に形成される。このため、第２の層間絶
縁膜（１８）が下地形状に依存する平坦化膜からなる場
合でも、シール剤は主に、台状膜（１７ＰＬＧ）及び引
き出し線（１７ＧＬ）により形成される平坦な面上で均
一な膜厚に形成された第２の層間絶縁膜（１８）の上方
に形成されることになる。即ち、シール剤は、平坦性の
優れた領域に形成される。

【００１８】図３は本発明の実施形態にかかる液晶表示
装置のドレイン側の要部拡大平面図であり、図３はその
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図である。これらの図では、図７
に示す画素部とドレイン側ドライバー（ＤＤ）の間に位
置する領域を示している。図の上方に位置する画素部の
ドレイン電極（１７Ｄ）から延在されてきたドレインラ
イン（１７Ｌ）が、図の下方に位置するドレインドライ
バー（ＤＤ）のホールドキャパシタースイッチングＴＦ
Ｔあるいはサンプリング用ＴＦＴのソース電極（１７
Ｓ）から延在された引き出し線（１７ＤＬ）に一体で形
成されている。

【００１９】ゲート側と同様、第１の層間絶縁膜（１
６）上の、ドレインライン（１７Ｌ）間には、ドレイン
ライン（１７Ｌ）と同一材料からなる台状膜（１７ＰＬ
Ｄ）の配列が、ドレインライン（１７Ｌ）に交差する方
向に幅１〜５ｍｍにわたって形成されている。そして、
引き出し線（１７ＤＬ）とともに、その上面により面積
の大きな平面を形成し、第１の層間絶縁膜（１６）が露
出する領域を小さくしてる。このため、これらの領域を
覆う第２の層間絶縁膜（１８）は、台状膜（１７ＰＬＤ
Ｇ）と引き出し線（１７ＤＬ）の間隙領域の穴埋めをし
ながら、台状膜（１７ＰＤＧ）と引き出し線（１７Ｄ
Ｌ）の上面により一体的に形成された平面上に厚く被着
される。後で説明するように、ＴＦＴ基板と対向基板を
貼り合わせるためのシール剤は、図で破線で示すよう
に、この台状膜（１７ＰＬＤ）が配列された領域上に形
成される。このため、第２の層間絶縁膜（１８）が下地
形状に依存する平坦化膜からなる場合でも、シール剤は
主に、台状膜（１７ＰＬＤ）、ドレインライン（１７
Ｌ）及び引き出し線（１７ＤＬ）により形成された平面
上で均一な膜厚で形成された第２の層間絶縁膜（１８）
の上方に形成されることになる。即ち、シール剤は、平
坦性の優れた領域に形成される。

【００２０】また、他の実施形態として、図５に示すよ
うに、ドレイン側の台状膜（１７ＰＬＤ）を、ドレイン
ライン（１７Ｌ）及び引き出し線（１７ＤＬ）と一体で
形成することも可能である。以上、図１から図５に示す
ような構造のＴＦＴ基板は、図６に示すように、液晶表
示装置に組み立てられる。即ち、図において、（１）は
ＴＦＴ基板であり、画素部（１Ａ）には図８に示す構造
のＴＦＴ（２）がマトリクス状に配され、各々液晶駆動
用の表示電極に接続されてなり、周辺駆動回路部（２
Ｂ）ではＴＦＴ（３）が電気的相補構造を形成して配置
されてなる。これら画素部（１Ａ）と周辺駆動回路部
（１Ｂ）の間には、図１から図５で説明した台状膜
（４）が形成されている。（５）は、画素部（１Ａ）に
対向配置された対向基板であり、各表示電極との対向部
で液晶容量を構成する共通電極（６）が形成されてい
る。両基板（１，５）の表面には配向膜（不図示）が形
成されている。（８）は液晶であり、両基板（１，２）
が、樹脂製接着材料からなるシール剤（７）により貼り
合わされてなる細隙に密封されている。この細隙は、画
素部（１Ａ）に散布された第１のスペーサ（９ａ）、及
び、シール剤（７）中に混入された第２のスペーサ（９
ｂ）により確保されている。シール剤（７）は、図１か
ら図５を用いて説明したように画素部（１Ａ）と駆動回
路部（１Ｂ）の間に形成された、台状膜（４）の上方領
域に設けられている。

【００２１】画素部（１Ａ）と周辺駆動回路部（１Ｂ）
では、各々ＴＦＴ（２，３を覆って形成された平坦化膜
からなる第２の層間絶縁膜（１８）の膜厚が異なってい
る。このため、両基板（１，５）間の表面離間距離、即
ち、セルギャップもまた異なっており、液晶（８）の層
厚が、同様に異なっている。本発明では、画素部（１
Ａ）に散布される第１のスペーサ（９ａ）の粒径と、画
素部周縁領域で、シール剤（７）中に混入される第２の
スペーサ（９ｂ）の粒径を異ならせることで、画素部
（１Ａ）と周辺駆動回路部（１Ｂ）の各々のセルギャッ
プに合致した粒径のスペーサ（９ａ，９ｂ）により、液
晶（８）層の細隙を確保している。即ち、画素部（１
Ａ）と周辺駆動回路部（１Ｂ）の各々のＴＦＴサイズ及
び配線幅、そして、平坦化膜の被覆性とと平坦化膜厚か
ら、あらかじめ各々の領域に実際に被着する第２の層間
絶縁膜（１８）の膜厚を測定し、この差分に対応させ
て、第１のスペーサ（９ａ）の粒径と第２のスペーサ
（９ｂ）の粒径の差分を決定する。

【００２２】本実施形態では、画素部（１Ａ）と周辺駆
動回路部（１Ｂ）では、ＳＯＧ膜からなる第２の層間絶
縁膜（１８）が各領域に着く膜厚は約０．４μｍ周辺駆
動回路部（１Ｂ）の方が厚く、この分、セルギャップ
は、画素部（１Ａ）よりも駆動回路部（１Ｂ）の方が小
さくなっている。従って、画素部（１Ａ）に散布される
第１のスペーサ（９ａ）よりも、画素部周縁のシール剤
（７）中に混入される第２のスペーサ（９ｂ）の粒径を
０．４μｍ小さくすることで、両基板（１，５）が均一
に貼り合わされ、基板（１，５）が湾曲することが無く
なる。このため、画素部（１Ａ）の全域において、液晶
（８）の層厚が一定になり、初期状態におけるリタデー
ション量が全画素で同一になり、輝度むらのない良好な
表示が得られる。

【００２３】また、本発明では、特に、画素部（１Ａ）
のシール剤（７）が形成される領域において、第２の層
間絶縁膜（１８）の下層に平坦化のための台状膜（４）
を介在させ、その上にシール剤（７）が形成されるよう
にしたことにより、第２の層間絶縁膜（１８）が、その
下層の配線パターンによって膜厚がばらつき、セルギャ
ップの均一性が低下するのを防いでいる。即ち、周辺駆
動回路部（１Ｂ）に被着する第２の層間絶縁膜（１８）
の最大膜厚に合わせただけの設計では、シール剤（７）
形成領域において、第２の層間絶縁膜（１８）の膜厚が
下層の配線パターンによって変化してしまい、それに伴
って、シール剤（７）部分でのセルギャップがばらつく
ことを防止している。

【００２４】以下、このような液晶表示装置の組立方法
を説明する。まず、ＴＦＴ電極配線及び配向膜が形成さ
れたＴＦＴ基板（１）に、画素部（１Ａ）のみに第１の
スペーサ（９ａ）を散布する。散布法法としては、例え
ば、エタノール水溶液１リットル中に第１のスペーサ
（９ａ）を５０ｍｇを分散させた分散液を、チャンバ内
の上部から噴霧することにより、ＴＦＴ基板上に散布す
る。この時、周辺駆動回路部（１Ｂ）に第１のスペーサ
（９ａ）が付着しないように、シートでカヴァーしてお
くなどの工夫が必要となる。

【００２５】次に、対向基板（５）側に、第２のスペー
サ（９ｂ）を混入したシール剤（７）を、ディスペンサ
ー、あるいは、スクリーン印刷などにより周縁部に枠状
に塗布する。混入する第１のスペーサ（９ｂ）の量とし
ては、シール樹脂１ｇに対して１ｍｇ程度が適切であ
る。ここで、第１のスペーサ（９ａ）及び第２のスペー
サ（９ｂ）は、ガラスファイバーの切断粉末などが用い
られ、前述の粒径に形成されている。また、図６では、
縦横の倍率の違いのため、スペーサ（９ａ，９ｂ）は楕
円球状に描かれているが実際には球状である。

【００２６】続いて、これら基板（１，５）を、位置合
わせをしながら所定のセルギャップをもって貼り合わ
せ、加圧加熱によりシール剤（７）を硬化し、固定す
る。シール剤（７）には、あらかじめ一部切り欠きを設
けておき、この切り欠きより液晶（８）を注入し、切り
欠きを樹脂性の封止剤により塞ぎ、液晶（８）を密封す
ることにより、液晶表示装置が完成される。

【００２７】

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明
は、周辺駆動回路一体型のｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ液晶表
示装置において、シール剤形成領域に、薄膜トランジス
タ電極と同じ電極膜からなる台状膜を形成して、この上
に着く平坦化層間絶縁膜の膜厚を均一にしたものであ
る。これにより、シール形成領域における液晶セルギャ
ップと画素部における液晶セルギャップの差分を決定
し、シール剤中に混入させるスペーサ粒の粒径と、画素
部に散布するスペーサ粒の粒径の差分を、セルギャップ
の差分と同じにすることで、基板を貼り合わせたときの
湾曲が無くなり、画素部の全域において液晶層厚が均一
になる。従って、全画素についてリタデーション量が同
一になり、輝度むらの無い良好な表示画像が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の要部拡
大平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図３】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の要部拡
大平面図である。

【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

【図５】本発明の別の実施形態に係る液晶表示装置の要
部拡大平面図である。

【図６】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の断面図
である。

【図７】液晶表示装置の構成を示す平面図である。

【図８】ＴＦＴの断面図である。

【図９】従来の液晶表示装置の断面図である。

【符号の説明】

１ＴＦＴ基板２画素部のＴＦＴ及びその配線３周辺駆動回路部のＴＦＴ及びその配線４台状膜５対向基板６共通電極７シール剤８液晶９スペーサ１０基板１１ｐ−Ｓｉ１２ゲート絶縁膜１３ゲート電極１４注入ストッパー１５サイドウォール１６第１の層間絶縁膜１７ソース・ドレイン電極１８第２の層間絶縁膜ＣＴコンタクトホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1339 500

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】対向面上に、複数の多結晶シリコン薄膜
トランジスタが形成され、画素部において、マトリクス
状に配置された液晶駆動用の表示電極に接続されるとと
もに、周辺部においては、２つの導電型による電気的相
補構造による駆動回路が形成された一方の基板と、対向面上に、液晶駆動用の共通電極が一面に形成された
他方の基板と、これら２枚の基板が液晶を挟んで貼り合わされ、周縁部
で接着剤により固定され、内部に液晶が密封されてなる
液晶表示装置において、画素部において、第１のスペーサ粒が前記２枚の基板の
間に配設され、周縁部において、前記接着剤中に前記第
１のスペーサ粒よりも粒径の小さな第２のスペーサ粒が
混入され、前記第１のスペーサ粒の粒径と前記第２のス
ペーサ粒の粒径の差分は、画素部において、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタ
を覆う層間絶縁膜の膜厚と、周縁部において、前記多結
晶シリコン薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜の膜厚と
の差分に等しいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記層間絶縁膜は、画素部において表示
電極の下地となることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。
【請求項３】前記一方の基板の、前記画素部と前記駆
動回路部の間の領域には前記多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタの最上部電極と同一の膜からなる台状膜が形成さ
れ、前記接着剤は、この台状膜上を少なくとも通過する
ように形成されていることを特徴とする請求項１または
請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記台状膜の上面の最低線幅は、前記駆
動回路を形成する電気的相補構造の所定の接続のための
結線の最大線幅と同じか、もしくはこれよりも広いこと
を特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。