JP2001033820A - 電気光学装置とその製造方法および投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来構造の装置に比べて開口率の向上および
光の利用効率の向上を図ることができ、例えば単板式の
投射型表示装置等に用いて好適な電気光学装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明の液晶装置を構成するＴＦＴアレ
イ基板は、走査線配置領域４０とデータ線配置領域４１
とに囲まれた画素開口領域４２内に、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応
する３つの画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂが設けられ、各走
査線配置領域４０内に１本の走査線３、各データ線配置
領域４１内に上層側データ線６ｃ、下層側データ線６ｄ
の２本のデータ線が配置されている。３つの画素電極９
ｒ、９ｇ、９ｂは、その輪郭の一部が画素開口領域４２
の中心から放射状に延びる３本の線分で分割されたよう
な形状を有し、対向基板側に設けられた各マイクロレン
ズの中心が各画素開口領域４２の中心の位置に略一致し
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置とそ
の製造方法および投射型表示装置に関し、特に、電気光
学装置を一つだけ用いる投射型表示装置に適した電気光
学装置の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】投射型液晶表示装置は、赤、緑、青の３
原色に対応させて液晶パネルを３枚使用する３板式のも
のと、１枚の液晶パネルと色生成手段とから構成される
単板式のものとに大別される。単板式の投射型液晶表示
装置は、構成が複雑かつ高価であるという３板式の欠点
を克服することができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、単板式投射
型液晶表示装置用のＴＦＴアレイ基板と３板式投射型液
晶表示装置用のＴＦＴアレイ基板とを比較した場合、単
板式の場合、３板式に比べて画素数が３倍になることで
開口率が低下する、という問題を抱えている。つまり、
３板式用のＴＦＴアレイ基板であれば、図１５に示した
３つの画素は１つの画素となり、この領域で１つの開口
領域を形成することができるが、単板式の場合、この図
の通り、３原色に対応する各画素毎に画素電極２２５
ｒ、２２５ｇ、２２５ｂに隣接してデータ線２２２が設
けられ、この領域に遮光領域が形成されるために開口率
が低下するのである。ここで画素の開口領域とは隣接す
る２本のデータ線と隣接する２本の走査線とで囲まれた
矩形状の領域であり、逆にデータ線や走査線が配置され
た領域は遮光領域となる。

【０００４】さらに、開口領域が小さくなることに起因
して、光が透過する際に光の回折が生じるようになる。
この影響により、光の透過率（光の利用効率）がさらに
低下するという問題も生じる。

【０００５】また、３原色に対応する３つの画素を合わ
せて正方形状の画素とする関係から、各色毎の画素は長
方形状となる。一方、上述したように、液晶ライトバル
ブにマイクロレンズアレイを備える場合、各マイクロレ
ンズは円形であるため、図１５に示すように、３原色に
対応する３つの画素Ｒ、Ｇ、Ｂを含むように１個のマイ
クロレンズ２２６が配置される（マイクロレンズの外形
を２点鎖線で示す）。ところが、このような構成である
と、図１６に示す配置の場合、中央にある「Ｇ」の画素
に多く、その両側の「Ｒ」および「Ｂ」の画素に少ない
光が入射されることになり、各色毎の透過光量が不均等
になる。この問題を解決するためには、各色毎の画素形
状に対応させて縦長楕円形のマイクロレンズ２２７（そ
の外形を破線で示す）を設けることも考えられるが、こ
のような形状のマイクロレンズでは集光効率が低く、光
の利用効率をあまり上げることが出来ない。

【０００６】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、従来構造の装置に比べて開口率の
向上および光の利用効率の向上を図ることができ、例え
ば単板式の投射型表示装置等に用いて好適な電気光学装
置とその製造方法、およびこれを用いた投射型表示装置
を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置は、一対の基板間に電気光
学材料が挟持されてなり、前記一対の基板のうちの一方
の基板上に、互いに交差する複数の走査線配置領域と複
数のデータ線配置領域と、前記走査線配置領域と前記デ
ータ線配置領域とに囲まれた領域であって基板上にマト
リクス状に配置された複数の画素開口領域とを有し、各
画素開口領域内に、複数の異なる色光にそれぞれ対応す
る複数の画素電極と、これら画素電極の各々にそれぞれ
接続された複数のスイッチング素子とが設けられている
ことを特徴とする。

【０００８】本発明によれば、マトリクス状に配置され
た画素開口領域それぞれに複数の画素電極を配置するよ
うにしたものである。このようにすることにより、遮光
領域を小さくすることができるため、従来に比べて開口
率を向上させることができる。例えば、データ線配置領
域と走査線配置領域において、走査線配置領域には１本
以上の走査線を、データ線配置領域には２本または３本
等のデータ線をまとめて配置し、これらのデータ線から
当該画素開口領域内の複数の画素電極に画像信号を供給
できるようにすれば良い。

【０００９】本発明の電気光学装置は、一対の基板間に
電気光学材料が挟持されてなり、前記一対の基板のうち
の一方の基板上に、互いに交差する複数の走査線配置領
域と複数のデータ線配置領域と、前記走査線配置領域と
前記データ線配置領域とに囲まれた領域であって基板上
にマトリクス状に配置された複数の画素開口領域とを有
し、各画素開口領域内に、３つの異なる色光にそれぞれ
対応する３つの画素電極と、これら画素電極の各々にそ
れぞれ接続された３つのスイッチング素子とが設けられ
た構成となっていることを特徴とするものである。

【００１０】さらに前記各走査線配置領域内に１本以上
の走査線が配置されるとともに前記各データ線配置領域
内に２本または３本のデータ線が配置され、前記３つの
画素電極それぞれに対して、これら画素電極を含む画素
開口領域の両側に隣接する前記データ線配置領域内の２
本または３本のデータ線のいずれかから前記スイッチン
グ素子を介して画像信号が供給される構成となっている
ことを特徴とするものである。

【００１１】従来の電気光学装置においては、例えば単
板式投射型表示装置用として「発明が解決しようとする
課題」の項に提示したように、３つの異なる色光に対応
する各画素毎に画素電極に隣接してデータ線が設けられ
ており、３つの異なる色光に対応する３つの画素を１つ
の単位と見たときに１単位内が遮光領域で分割された３
つの開口領域となっていた。これに対して、本発明の電
気光学装置は、マトリクス状に配置された画素開口領域
それぞれに３つの画素電極を配置するようにしたもので
ある。このようにすることにより、遮光領域を小さくす
ることができるため、従来に比べて開口率を向上させる
ことができる。

【００１２】上記のような画素電極の配置を可能にする
ためには、データ線配置領域と走査線配置領域におい
て、走査線配置領域には１本以上の走査線を、データ線
配置領域には２本または３本のデータ線をまとめて配置
し、これらのデータ線から当該画素開口領域内の３つの
画素電極に画像信号を供給できるようにすれば良い。

【００１３】また上記データ線配置領域内に２本または
３本のデータ線をまとめて配置する点に関して、１つの
画素開口領域内に３つの画素電極が存在するわけである
から、３本のデータ線をまとめて配置するのは考えやす
いが、１つのデータ線配置領域内に２本のデータ線をま
とめる構成でもよい。すなわち、１つの画素開口領域に
注目すれば、その周囲には２本のデータ線と２本の走査
線が配置されている。よって、１つの画素開口領域に隣
接して４つのスイッチング素子を設けることができる
が、そのうちの３つを用いれば、３つの画素電極に対し
て問題なく画像信号を供給することができる。

【００１４】１つのデータ線配置領域内に設ける２本ま
たは３本のデータ線は、同一の配線層上に並列させるよ
うに形成してもよいが、データ線間を互いに短絡させる
ことなく、配線を引き回して同一の配線層上に配置する
のが困難な場合もある。その場合は、上記各データ線配
置領域内に配置するデータ線の数を２本とし、層間絶縁
膜を間に挟む２層の配線層からなる２本のデータ線（上
層側データ線、下層側データ線）としてもよい。

【００１５】この構成によれば、２本のデータ線を同一
の配線層で形成するのではなく、異なる２層の配線層を
用いて形成するため、データ線間を短絡させないための
配線の引き回しが容易になり、配線の設計を容易に行う
ことができる。

【００１６】異なる２層の配線層を用いて２本のデータ
線を形成する場合、前記上層側データ線、下層側データ
線の各々を、平面視した際にこれらデータ線の少なくと
も一部が重なるように配置することが望ましい。

【００１７】この構成によれば、上層側データ線と下層
側データ線が重なる部分を多くすればする程、平面視し
た際のデータ線の占有面積を小さくできるため、遮光領
域を狭くすることができ、開口率を向上することができ
る。

【００１８】また、電気光学装置を構成する基板は、デ
ータ線と走査線の２層の配線層を元来有しているので、
本発明における電気光学装置の上層側データ線、下層側
データ線となる配線層にはこの配線層を用いるとよい。
例えば、スイッチング素子がＴＦＴである場合、通常は
層間絶縁膜を挟んで走査線が下層側、データ線が上層側
にあることになる。そこで、前記下層側データ線は走査
線と同一配線層で形成することができる。ただし、ここ
で言う「同一配線層」とは、同じ層上に位置する配線層
という意味であって、材料までが全く同一の配線層とい
う意味ではない。ところが、ただ単に下層側データ線を
走査線と同一配線層で形成すると、データ線と走査線の
交差点では下層側データ線と走査線とが短絡してしま
う。したがって、下層側データ線と走査線との交差点で
は、下層側データ線を上に持ち上げて上層側データ線と
同一配線層上に形成し、走査線と立体交差する構成とす
ればよい。その時、上層側データ線と下層側データ線は
あくまでも別の画像信号を供給する配線であるから、下
層側データ線の持ち上げた部分を上層側データ線と接触
しないように配置することは勿論である。

【００１９】また、下層側データ線と走査線との交差点
のより具体的な構成としては、下層側データ線を隣接す
る２本の走査線間で分断し、その端部を、層間絶縁膜を
貫通するコンタクトホールを介して、上層側データ線と
同一配線層上に形成するとともに上層側データ線と接触
しないように配置した他の上層側データ線と接続すれば
よい。すなわち、ここで言う他の上層側データ線が、走
査線と同一の層で形成した下層側データ線の走査線との
交差点において、走査線をよけるためのバイパス配線と
なる。この構造を形成するにあたって特に工程を増やす
必要はない。

【００２０】以上、データ線側の構成について説明した
が、走査線側の構成に関しては、１つの画素開口領域内
にある３つの画素電極に対応する３つのスイッチング素
子が、当該画素開口領域を間に挟む２つの走査線配置領
域内の２本の走査線により駆動される構成とすればよ
い。例えば、１つの画素開口領域内の３つのスイッチン
グ素子に対し、平面視した際にその画素開口領域の上側
を通る１本の走査線に２つのスイッチング素子を接続
し、下側を通る１本の走査線に残りの１つのスイッチン
グ素子を接続すればよい。つまり、基板全体で見ると、
１つの画素開口領域内の３つの画素を１．５本の走査線
に割り当てることになる。

【００２１】また、本発明の電気光学装置を構成する一
方の基板上に、各画素開口領域内の３つの画素電極にそ
れぞれ３つの異なる色素層を対応させたカラーフィルタ
ーを設けることもできる。この構成によれば、高い開口
率を有するカラー対応の電気光学装置を実現することが
できる。

【００２２】１つの画素開口領域内に３つの画素電極を
設ける場合、通常、従来通りの矩形状の画素電極を単に
並置することが考えられるが、この構成に代えて、３つ
の画素電極が、画素開口領域に対して、略中心対称な配
置になるようにすることが望ましい。さらに、画素開口
領域全体の形状を略正方形とすることが望ましい。

【００２３】また、上記構成において、本発明の電気光
学装置を構成する一対の基板のうち少なくとも一方の基
板上に、入射光を各画素開口領域に向けて集光するマイ
クロレンズアレイを設けることが望ましい。そしてこの
際、マイクロレンズアレイを構成する各マイクロレンズ
を各画素開口領域に対応して設け、各マイクロレンズの
中心を各画素開口領域の中心に一致するように配置する
ことが望ましい。

【００２４】電気光学装置に入射する光の利用効率を高
めるために、マイクロレンズを備える場合がある。マイ
クロレンズ付きの電気光学装置の従来の考え方では、画
素形状の方が先に規定され、それに合わせてマイクロレ
ンズが配置されていた。このため、上述したような光の
利用効率の低下の問題が発生していた。これに対して、
本願発明者は、最も集光効率の良いマイクロレンズの形
状は円形であるから、このマイクロレンズ形状に画素形
状の方を合致させることによりマイクロレンズの集光効
率の良さを生かす、という従来と逆の発想をするに至っ
た。すなわち、１つの画素開口領域内に３つの画素電極
を設ける場合、例えば円形を１２０°ずつに３等分した
扇形に近い形状に正方形の画素開口領域を３等分し、こ
れを３つの色光に対応する各画素とすれば、各画素の透
過率を略均等化することができ、従来に比べて光の利用
効率を向上することができる。

【００２５】本発明の電気光学装置の電気光学材料とし
ては、ノーマリーブラック型液晶を用いることが望まし
い。

【００２６】それにより、同じ開口領域内に設けられた
３つの画素電極間にある液晶部分を遮光層と同等に扱う
ことができ、表示コントラストを高くすることができ
る。これは画素間部分の液晶には電界が印加されず、初
期配向状態を保つことによる。ノーマリーホワイト型液
晶を用いる場合、画素間は光が透過する状態になるの
で、表示コントラストを高くするに、この部分にも遮光
層を設ける必要が生じる。

【００２７】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなり、前
記一対の基板のうちの一方の基板上に、互いに交差する
複数の走査線配置領域と複数のデータ線配置領域と、前
記走査線配置領域と前記データ線配置領域とに囲まれた
領域であって基板上にマトリクス状に配置された画素開
口領域とを有してなる電気光学装置の製造方法であっ
て、前記一方の基板上に薄膜トランジスタを構成する半
導体層を形成する工程と、該半導体層を覆うゲート絶縁
膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上の前記走査線配
置領域内に前記半導体層の上方を横断する走査線を形成
する工程と、前記ゲート絶縁膜を貫通して前記半導体層
に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と、前
記ゲート絶縁膜上の前記データ線配置領域内に、前記走
査線と接触しないように前記第１のコンタクトホールを
介して前記半導体層に接続される下層側データ線を形成
する工程と、前記走査線および前記下層側データ線を覆
う第１の層間絶縁膜を形成する工程と、該第１の層間絶
縁膜を貫通して前記下層側データ線に達する第２のコン
タクトホールを形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜
上の前記データ線配置領域内に、下層側データ線の延在
方向において１画素おきに配置された下層側データ線同
士を前記第２のコンタクトホールを介して接続する上層
側データ線を形成する工程と、前記上層側データ線を覆
う第２の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２の層間
絶縁膜上の前記画素開口領域内に前記半導体層に電気的
に接続される画素電極を形成する工程とを有することを
特徴とするものである。

【００２８】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、それ程大きなプロセス変更を伴うことなく、データ
線配置領域に２層の配線層を用いて２本のデータ線を形
成したＴＦＴアレイ基板を得ることができる。

【００２９】また、前記半導体層と前記画素電極とを電
気的に接続するにあたって、これらを前記第１の層間絶
縁膜上に形成した導電層を介して電気的に接続すること
ができる。この構成によれば、導電層の一部を例えば蓄
積容量電極とする等、導電層を様々な用途に利用するこ
とができる。

【００３０】また、前記画素電極形成工程においては、
画素開口領域内に３つの画素電極を画素開口領域の中心
から放射状に延びる３本の線分で分割された形状を一部
有するように形成することが望ましい。

【００３１】本発明の投射型表示装置は、上記本発明の
電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、光源
と、光源から出射された光を変調する電気光学装置と、
電気光学装置により変調された光を投射面に拡大投影す
る拡大投影光学系とを有することを特徴とするものであ
る。

【００３２】本発明の投射型表示装置によれば、上記本
発明の電気光学装置の使用により、光の利用効率が高
く、明るい投射型表示装置を実現することができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００３４】［電気光学装置の実施形態］本発明による
電気光学装置の一実施形態である液晶装置の構成につい
て、図１から図３を参照して説明する。図１は、液晶装
置を構成する一対の基板のうち、データ線、走査線、画
素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の一画素を示す
平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。
図３は、図１のＢ−Ｂ’断面図である。なお、図２およ
び図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な
程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異な
らしめてある。

【００３５】図１に示すように、本実施の形態の液晶装
置のＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の走査線配置領
域４０と複数のデータ線配置領域４１とが互いに交差す
るように設けられ、走査線配置領域４０とデータ線配置
領域４１とに囲まれた領域が画素開口領域４２となり、
この画素開口領域４２が基板上に複数、マトリクス状に
配置されている。そして、各画素開口領域４２内には、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３つの異なる色光にそ
れぞれ対応する３つの画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂと、各
画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂをそれぞれスイッチング制御
する３つのＴＦＴ３０（スイッチング素子）が設けられ
ている。前記各走査線配置領域４０内に１本の走査線３
が配置される一方、前記各データ線配置領域４１内には
それぞれ２本のデータ線６ａ、６ｂなどが配置されてい
る。これら２本のデータ線６ａ、６ｂは、異なる２層の
配線層からなる上層側データ線、下層側データ線で構成
されているが、これらデータ線の構成に関しては、断面
図を参照しながら後で説明する。

【００３６】各画素開口領域４２は略正方形状であり、
この中に配置された３つの画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂ
は、画素開口領域４２に対し略中心対称になるように配
置されており、この例では図１における左上の画素電極
９ｒがＲ用、右上の画素電極９ｇがＧ用、下の画素電極
９ｂがＢ用に割り当てられている。また、各ＴＦＴ３０
においては、基板上に形成されたポリシリコン膜等から
なる平面視Ｌ字状の半導体層１のソース領域に対してコ
ンタクトホールを介してデータ線が接続され、半導体層
１のドレイン領域に対してコンタクトホール８を介して
各画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂが接続されている。そし
て、ゲート絶縁膜を介して半導体層１のチャネル領域上
を走査線３が横断し、ＴＦＴ３０を構成している。すな
わち、ＴＦＴ３０の箇所では走査線３がそのままゲート
電極として機能している。なお、実際には、画素電極９
ｒ、９ｇ、９ｂはバッファとして機能するバリア層（導
電層、図示略）を中継し、第１コンタクトホールおよび
第２コンタクトホールを介して半導体層１のドレイン領
域に電気的に接続されているが、図示を省略する。各画
素電極９ｒ、９ｇ、９ｂ毎に見ると、Ｒ用画素電極９ｒ
の左上に設けられたＴＦＴ３０は、図１中、画素上側の
走査線３によって駆動されるとともに左側の下層側デー
タ線から画像信号が供給され、Ｇ用画素電極９ｇの右上
に設けられたＴＦＴ３０は、画素上側の走査線３によっ
て駆動されるとともに右側の下層側データ線から画像信
号が供給され、Ｂ用画素電極９ｂの右下に設けられたＴ
ＦＴ３０は、画素下側の走査線３によって駆動されると
ともに右側の下層側データ線から画像信号が供給される
ようになっている。

【００３７】その他、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素
電極９ｒ、９ｇ、９ｂに供給される電荷を保持するため
の蓄積容量を構成する容量線や、各種配線やＴＦＴ３０
が形成された領域を覆う遮光膜等が設けられるが、図示
を省略する。

【００３８】次に、図２および図３の断面図を用いて、
本実施の形態の液晶装置の断面構造を説明する。図２
は、図１においてＲ用画素電極９ｒとＧ用画素電極９ｇ
とを横断する線（Ａ−Ａ’線）で切断した状態を示す断
面図であり、図３は、図１において上層側データ線と下
層側データ線を接続するコンタクトホール５を結ぶ線
（Ｂ−Ｂ’線）で切断した状態を示す断面図である。本
実施の形態の液晶装置は、一方の透明基板を構成するＴ
ＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された他方の透
明基板を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴ
アレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述するシ
ール材（図１０および図１１参照）により囲まれた空間
に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５
０が形成されている。液晶層５０は、画素電極９ｒ、９
ｇ、９ｂからの電界が印加されていない状態で配向膜１
６、２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、
例えば一種または数種類のネマティック液晶を混合した
液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０およ
び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、
例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であ
り、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイ
バーあるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）
が混入されている。

【００３９】図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
は例えば石英基板からなり、各画素電極９ｒ、９ｇ、９
ｂに隣接する位置に各画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂをスイ
ッチング制御するＴＦＴ３０が設けられている。さら
に、ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレ
イ基板１０と各ＴＦＴ３０との間には、第１遮光膜（図
示略）が設けられている。第１遮光膜は、好ましくは不
透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏお
よびＰｄのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合
金、金属シリサイド等から構成される。このような材料
から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜
の形成工程後に行われるＴＦＴ形成工程における高温処
理により、第１遮光膜が破壊されたり溶融しないように
できる。特に投射型表示装置などに本液晶装置を用いる
場合、第１遮光膜を形成することにより、ＴＦＴアレイ
基板１０の側からの反射光（戻り光）等が光に対して励
起しやすいＴＦＴ３０のチャネル領域やソース側ＬＤＤ
領域、ドレイン側ＬＤＤ領域に入射する事態を未然に防
ぐことができ、これに起因した光電流の発生によりＴＦ
Ｔの特性が劣化することはない。

【００４０】さらに、第１遮光膜と複数のＴＦＴ３０と
の間には、下地絶縁膜（図示略）が設けられている。下
地絶縁膜は、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１を第１遮
光膜から電気的に絶縁するために設けられるものであ
る。さらに、下地絶縁膜は、ＴＦＴアレイ基板１０の全
面に形成されることにより、ＴＦＴ３０のための下地膜
としての機能をも有する。すなわち、ＴＦＴアレイ基板
１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ
等でＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
下地絶縁膜は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケー
トガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ
（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシ
リケートガラス）などの高絶縁性ガラス、または酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜等からなる。下地絶縁膜によ
り、第１遮光膜がＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に
防ぐこともできる。

【００４１】図３に示すように、下地絶縁膜上にＴＦＴ
３０を構成する半導体層１が形成されている。本実施の
形態のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有しており、走査線
３、当該走査線３からの電界によりチャネルが形成され
る半導体層１のチャネル領域、走査線３と半導体層１と
を絶縁する２層のゲート絶縁膜２ａ、２ｂ、データ線６
ａ、６ｂ、半導体層１の低濃度ソース領域（ソース側Ｌ
ＤＤ領域）および低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤ
Ｄ領域）、半導体層１の高濃度ソース領域および高濃度
ドレイン領域を備えている。走査線３は、例えば導電性
を付与したポリシリコン膜から形成される。高濃度ドレ
イン領域には、画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂがバリア層
（図示略）を中継して接続されている。ソース領域およ
びドレイン領域は、後述のように、半導体層１に対し
て、ｎ型またはｐ型のいずれのチャネルを形成するかに
応じて所定濃度のｎ型用またはｐ型用のドーパントをド
ープすることにより形成されている。ｎ型チャネルのＴ
ＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイ
ッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴとして用
いられることが多い。さらに、図示を略すが半導体層１
の一部は蓄積容量電極を構成することも可能である。

【００４２】本実施の形態では、特に図３に示すよう
に、データ線６ａ、６ｂは上層側データ線６ｃ、下層側
データ線６ｄから構成されている。これらデータ線６
ｃ、６ｄは、ともにＡｌ等の低抵抗な金属膜や金属シリ
サイド等の合金膜などの遮光性と導電性を持つ薄膜から
形成されている。つまり、下層側データ線６ｄは位置的
には走査線３と同一レイヤーにはあるが、材料は異なっ
ており、走査線３はポリシリコン膜、下層側データ線６
ｄは金属膜で形成されている。この下層側データ線６ｄ
は走査線３の両側で分断されるとともに、分断された各
下層側データ線６ｄの一方の端部が２層のゲート絶縁膜
２ａ、２ｂを貫通するコンタクトホール５ａを介して半
導体層１の高濃度ソース領域に接続されている。また、
走査線３および下層データ線６ｄは第１層間絶縁膜８
１、第２層間絶縁膜４で順次覆われ、半導体層１の高濃
度ソース領域に接続された下層側データ線６ｄの一端部
と半導体層１の高濃度ソース領域に接続されない下層側
データ線６ｄの他端部とが、第１層間絶縁膜８１および
第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介し
て上層側データ線６ｃにより電気的に接続されている。
なお、第１層間絶縁膜８１と第２層間絶縁膜４との間に
は半導体層１の高濃度ドレイン領域と画素電極９ｒ、９
ｇ、９ｂとを電気的に接続する介在体となるバリア層が
設けられている。

【００４３】図１に示すように、下層側データ線６ｄは
直線的に延在し、上層側データ線６ｃはコ字状の屈曲部
を有している。すなわち、本実施の形態の場合、下層側
データ線６ｄを走査線３と同一レイヤーで形成している
ため、下層側データ線６ｄと走査線３の交差点では下層
側データ線６ｄと走査線３とが短絡しないような構成と
する必要がある。そこで、下層側データ線６ｄと走査線
３との交差点においては、走査線３の両側に位置する下
層側データ線６ｄの端部を、他の上層側データ線６ａと
接触しないように配置した上層側データ線６ｂによって
接続したわけである。したがって、データ線６ａ、６ｂ
が走査線３を跨ぐ箇所では、上層側データ線が２本並置
された状態となる。

【００４４】図２に示すように、第２層間絶縁膜４上の
画素開口領域４２には、カラーフィルターをなす各色の
色素層が形成されている。図２においては、Ｒ用色素層
４３ｒとＧ用色素層４３ｇが図示されている。そして、
これら上層側データ線６ｃ、カラーフィルターの色素層
４３ｒ、４３ｇを覆うように第２層間絶縁膜４上に第３
層間絶縁膜７が設けられている。第３層間絶縁膜７には
バリア層に達するコンタクトホールが形成されており、
このコンタクトホールを介して、インジウム錫酸化物
（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと記す）からなる画
素電極９ｒ、９ｇ、９ｂがバリア層に電気的に接続され
ており、さらにバリア層を中継してコンタクトホールを
介して半導体層１の高濃度ドレイン領域に電気的に接続
されている。前述の画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂは、この
ように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられて
いる。

【００４５】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域および低濃
度ドレイン領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオ
フセット構造を持っていてもよいし、ゲート電極をマス
クとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的
に高濃度ソースおよびドレイン領域を形成するセルフア
ライン型のＴＦＴであってもよい。

【００４６】また、本実施の形態では、ＴＦＴ３０のゲ
ート電極を高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域
間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、こ
れらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。こ
の際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるよ
うにする。このように、デュアルゲートあるいはトリプ
ルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース
−ドレイン領域接合部のリーク電流を防止でき、オフ時
の電流を低減することができる。これらのゲート電極の
少なくとも１個をＬＤＤ構造あるいはオフセット構造に
すれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチ
ング素子を得ることができる。

【００４７】本実施の形態の液晶装置では、バリア層は
半導体層１と画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂとの間に介在し
ており、高濃度ドレイン領域と画素電極９ｒ、９ｇ、９
ｂとを第１および第２コンタクトホールを経由して電気
的に接続する。このため、画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂか
ら半導体層１のドレイン領域まで一つのコンタクトホー
ルを開孔する場合と比較して、第１および第２コンタク
トホールの径を夫々小さくできる。すなわち、一つのコ
ンタクトホールを開孔する場合には、エッチング時の選
択比が低いとコンタクトホールを深く開孔する程エッチ
ング精度は落ちるため、例えば５０ｎｍ程度の非常に薄
い半導体層１における突き抜けを防止するためには、コ
ンタクトホールの径を小さくできるドライエッチングを
途中で停止して、最終的にウエットエッチングで半導体
層１まで開孔するように工程を組まねばならない。ある
いは、ドライエッチングによる突き抜け防止用のポリシ
リコン膜を別途設けたりする必要が生じてしまうのであ
る。

【００４８】これに対して、本実施の形態では、画素電
極９ｒ、９ｇ、９ｂおよび高濃度ドレイン領域を２つの
直列な第１および第２コンタクトホールにより接続すれ
ばよいので、これら第１および第２コンタクトホールを
夫々、ドライエッチングにより開孔することが可能とな
るのである。あるいは、少なくともウエットエッチング
により開孔する距離を短くすることが可能となるのであ
る。ただし、第１および第２コンタクトホールに夫々若
干のテーパを付けるために、ドライエッチング後に敢え
て比較的短時間のウエットエッチングを行うようにして
もよい。

【００４９】他方、液晶装置の対向基板２０は、例えば
ガラス基板や石英基板からなり、図２に示すように、対
向基板２０には、対向基板２０の側から入射される入射
光をＴＦＴアレイ基板１０側の画素電極９ｒ、９ｇ、９
ｂに集光するマトリクス状に配置された複数のマイクロ
レンズ４４からなるマイクロレンズアレイ４５が設けら
れている。マイクロレンズアレイ４５を構成する各マイ
クロレンズ４４は平面視円形であって、各画素開口領域
４２に対応して設けられ、各マイクロレンズ４４の中心
が各画素開口領域４２の中心に一致するように配置され
ている。そして、複数のマイクロレンズ４４相互の境界
にそれぞれ対向する位置に第２遮光膜２３が形成されて
いる。マイクロレンズアレイ４５の表面全体には、接着
剤４６によりカバーガラス４７が貼り付けられており、
この上（図中下側）に第２遮光膜２３およびＩＴＯ膜な
どの透明導電性薄膜からなる対向電極２１が形成されて
いる。マイクロレンズ４４は感光性樹脂からなり、接着
剤４６は空気に近い屈折率を有するアクリル系の接着剤
からなり、両者間の屈折率の違いにより、マイクロレン
ズ４４は集光レンズとしての機能を果たす。第２遮光膜
２３の存在により、対向基板２０の側から入射光がＴＦ
Ｔ３０の半導体層１のチャネル領域やソース側ＬＤＤ領
域およびドレイン側ＬＤＤ領域に侵入することはない。
さらに、第２遮光膜２３は、コントラストの向上、カラ
ーフィルタを形成した場合における色材の混色防止など
の機能も有している。さらに、対向電極２１（共通電
極）の下側にはラビング処理等の所定の配向処理が施さ
れたポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる配向膜２２
が設けられている。

【００５０】本実施の形態の液晶装置においては、デー
タ線配置領域４１内に上下２層のデータ線６ｃ、６ｄを
配置するとともにデータ線配置領域４１と走査線配置領
域４０とで区画される画素開口領域４２内に３つの画素
電極９ｒ、９ｇ、９ｂを配置したことにより、従来に比
べて開口率を向上することができる。すなわち、従来の
液晶装置の場合は、例えば図１７に示すように、Ｒ、
Ｇ、Ｂの色光に対応する各画素毎に画素電極２１６に隣
接してデータ線２２２が設けられているため、この３画
素を１つの単位（破線で示す）と見たときに１単位内を
２本のデータ線２２２が横断し、遮光領域で分割された
３つの開口領域となっていた。したがって、遮光領域が
占める面積が大きく、開口率が大きく低下していた。こ
れに対して、本実施の形態の電気光学装置は、データ線
配置領域４１内に２層のデータ線６ｃ、６ｄをまとめて
配置し、これらデータ線６ｃ、６ｄから当該画素開口領
域４２内の３つの画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂに画像信号
を供給する構成とした。その結果、従来の構成のように
画素開口領域内に各画素電極に隣接させてデータ線を配
置する必要がなくなるため、従来に比べて開口率を向上
させることができる。

【００５１】本実施の形態の場合、１つのデータ線配置
領域４１内に２本のデータ線６ａ、６ｂを設けている
が、２本のデータ線６ａ、６ｂを同一の配線層上に並列
させるのではなく、第１、第２層間絶縁膜８１、４を間
に挟む上層側データ線６ｃ、下層側データ線６ｄで構成
しているので、データ線間を短絡させないための配線の
引き回しが容易になり、配線の設計を容易に行うことが
できる。さらに、上層側データ線６ｃ、下層側データ線
６ｄの各々を、平面視した際にこれらデータ線６ｃ、６
ｄの少なくとも一部が重なるように配置しているため、
その分データ線の占有面積が小さくなり、遮光領域を狭
くすることができ、開口率をより向上することができ
る。

【００５２】また、本実施の形態の場合、略正方形状の
画素開口領域４２内に配置した３つの画素電極９ｒ、９
ｇ、９ｂの形状を、その輪郭の一部が画素開口領域４２
の中心から放射状に延びる３本の線分で分割したような
形状となっている。すなわち画素開口領域に対して画素
電極が略中心対称になるように配置されている。そし
て、対向基板２０側には入射光集光用のマイクロレンズ
アレイ４５が設けられ、各マイクロレンズ４４の中心が
各画素開口領域４２の中心に一致するように配置されて
いる。この構成により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色光に対応する
各画素の透過率を略均等化することができ、従来に比べ
て光の利用効率を向上することができる。

【００５３】また画素開口領域が大きくなるので、光の
回折の影響も低減でき、光の利用効率をさらに高めるこ
とができる。

【００５４】［電気光学装置の一実施形態における製造
プロセス］次に、上記構成を有する本実施形態の液晶装
置の製造プロセスについて、図４ないし図９を参照して
説明する。なお、図４ないし図９は途中工程におけるＴ
ＦＴアレイ基板１０を平面視したパターンを示す工程図
である。

【００５５】まず、石英基板、ハードガラス、シリコン
基板等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。ここで、好
ましくは、Ｎ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気かつ約９
００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施さ
れる高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じ
る歪みが少なくなるように前処理しておく。すなわち、
製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合
わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ温度かそれ
以上の温度で熱処理しておく。そして、このように処理
されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｔａ、ＭｏおよびＰｄ等の金属や金属シリサイド等
の金属合金膜を、スパッタリングにより１００〜５００
ｎｍ程度の膜厚、好ましくは約２００ｎｍの膜厚の遮光
膜として形成する。なお、遮光膜上には、表面反射を緩
和するためにポリシリコン膜等の反射防止膜を形成して
も良い。

【００５６】次に、形成された遮光膜上にフォトリソグ
ラフィにより第１遮光膜のパターンに対応するレジスト
マスクを形成し、レジストマスクを介して遮光膜に対し
エッチングを行うことにより、第１遮光膜を形成する。

【００５７】次に、第１遮光膜の上に、例えば、常圧ま
たは減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・
オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・
ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキ
シ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、
ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリ
コン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜を形成す
る。この下地絶縁膜の膜厚は、例えば、約５００〜２０
００ｎｍとする。なお、ＴＦＴアレイ基板１０裏面から
の戻り光が問題にならない場合は、第１遮光膜を形成す
る必要はない。

【００５８】次に、下地絶縁膜の上に、約４５０〜５５
０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流
量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジ
シランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０
〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜
を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７０
０℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のア
ニール処理を施することにより、ポリシリコン膜を約５
０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さ
となるまで固相成長させる。固相成長させる方法として
は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal)を使ったアニール
処理でも良いし、エキシマレーザー等を用いたレーザー
アニールでも良い。

【００５９】この際、図１に示したＴＦＴ３０として、
ｎチャネル型のＴＦＴを作成する場合には、当該チャネ
ル領域にＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リ
ン）などのＶ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等
によりドープしても良い。また、ＴＦＴをｐチャネル型
とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉ
ｎ（インジウム）などのIII族元素のドーパントを僅か
にイオン注入等によりドープしても良い。なお、アモル
ファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポ
リシリコン膜を直接形成しても良い。あるいは、減圧Ｃ
ＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオ
ンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、そ
の後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン
膜を形成しても良い。

【００６０】次に、フォトリソグラフィ工程、エッチン
グ工程等により上記ポリシリコン膜をパターニングする
ことにより、所定パターンを有する半導体層１を形成す
る（図４参照）。ここでは図示しないが、画素に保持容
量を設ける場合は、同パターンにて蓄積容量電極を同時
に形成する。

【００６１】次に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１を
約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃
の温度で熱酸化することにより、約３０ｎｍの比較的薄
い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、さらに、減圧ＣＶ
Ｄ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シ
リコン膜からなる絶縁膜を約５０ｎｍの比較的薄い厚さ
に堆積し、熱酸化シリコン膜（第１ゲート絶縁膜２ａ）
および絶縁膜（第２ゲート絶縁膜２ｂ）を含む多層構造
を持つＴＦＴ３０のゲート絶縁膜を形成する。この結
果、ゲート絶縁膜の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚
さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。この
ように、高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８
インチ程度の大型基板を使用する場合に熱による反りを
防止することができる。ただし、ポリシリコン膜を熱酸
化することのみにより、単一層構造を持つゲート絶縁膜
を形成してもよい。

【００６２】蓄積容量電極を設けている場合、ここで、
フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等によりレジ
スト層を蓄積容量電極となる部分を除く半導体層１上に
形成した後、例えばＰイオンをドーズ量約３×１０^１２
／ｃｍ^２でドープして、蓄積容量電極を低抵抗化しても
良い。その後レジスト層は除去しておく。

【００６３】次に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン
膜を堆積し、さらにリン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコ
ン膜を導電化する。または、Ｐイオンをポリシリコン膜
の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いても
よい。ポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍ
の厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。

【００６４】次に、レジストマスクを用いたフォトリソ
グラフィ工程、エッチング工程等によりポリシリコン膜
のパターニングを行い、図１に示したような所定パター
ンの走査線３を形成する（図５参照）。保持容量を設け
る場合は、同時に容量線（図示略）も形成する。走査線
３および容量線は、高融点金属や金属シリサイド等の金
属合金膜で形成しても良いし、ポリシリコン膜等と組み
合わせた多層配線としても良い。

【００６５】次に、図１に示したＴＦＴ３０をＬＤＤ構
造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１
に、先ず低濃度ソース領域および低濃度ドレイン領域を
形成するために、走査線３（ゲート電極）をマスクとし
て、ＰなどのＶ族元素のドーパントを低濃度で（例え
ば、Ｐイオンを１〜３×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量に
て）ドープする。これにより走査線３下の半導体層１は
チャネル領域となる。この不純物のドープにより走査線
３も低抵抗化される。

【００６６】次に、ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース
領域および高濃度ドレイン領域を形成するために、走査
線３よりも幅の広いマスクでレジスト層を走査線３上に
形成した後、同じくＰなどのＶ族元素のドーパントを高
濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１５／ｃｍ^２
のドーズ量にて）ドープする。また、ＴＦＴ３０をｐチ
ャネル型とする場合、半導体層１に、低濃度ソース領域
および低濃度ドレイン領域並びに高濃度ソース領域およ
び高濃度ドレイン領域を形成するために、ＢなどのIII
族元素のドーパントを用いてドープする。なお、例え
ば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦ
Ｔとしてもよく、走査線３をマスクとして、Ｐイオン、
Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライ
ン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより
走査線３もさらに低抵抗化される。

【００６７】次に、多層構造を持つゲート絶縁膜２ａ、
２ｂを貫通して半導体層１表面にまで達し、次工程で形
成する下層側データ線６ｄと高濃度ソース領域とを電気
的接続するためのコンタクトホール５ａを、反応性イオ
ンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドラ
イエッチングにより形成する。このようなドライエッチ
ングは、指向性が高いため、小さな径のコンタクトホー
ル５ａを開孔可能である。あるいは、コンタクトホール
５ａが半導体層１を突き抜けるのを防止するのに有利な
ウエットエッチングを併用してもよい。このウエットエ
ッチングは、コンタクトホール５ａに対し、より良好な
コンタクトをとるためのテーパを付与する観点からも有
効である。

【００６８】次に、ゲート絶縁膜２ａ、２ｂ上に、スパ
ッタリング等により遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属
シリサイド等を金属膜として、約１００〜５００ｎｍの
厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。

【００６９】次に、フォトリソグラフィ工程、エッチン
グ工程等により金属膜のパターニングを行い、下層側デ
ータ線６ｄを形成する（図６参照）。

【００７０】なお、これらのＴＦＴ３０の素子形成工程
と並行して、ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型Ｔ
ＦＴから構成される相補型構造を持つデータ線駆動回
路、走査線駆動回路等の周辺回路をＴＦＴアレイ基板１
０上の周辺部に形成してもよい。このように、本実施形
態において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する
半導体層１をポリシリコンで形成すれば、画素スイッチ
ング用ＴＦＴ３０の形成時にほぼ同一工程で周辺回路を
形成することができ、製造上有利である。

【００７１】次に、レジスト層を除去した後、走査線３
上、およびゲート絶縁膜２ａ、２ｂ上に、減圧ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（Ｈ
ＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜８１
を１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の比較的薄い厚さに堆
積する。ただし、前述のように、第１層間絶縁膜８１
は、多層膜から構成してもよいし、一般にＴＦＴのゲー
ト絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公知技術によ
り、第１層間絶縁膜８１を形成可能である。第１層間絶
縁膜８１の場合には、第２層間絶縁膜４の場合のように
比較的薄くするとデータ線および走査線３間の寄生容量
が大きくなってしまうことはなく、また、ＴＦＴ３０に
おけるゲート絶縁膜２ａ、２ｂのように比較的薄く構成
するとトンネル効果等の特異現象が発生することもな
い。

【００７２】次に、後で形成するバリア層と高濃度ドレ
イン領域とを電気的接続するためのコンタクトホール
を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッ
チング等のドライエッチングにより形成する。このよう
なドライエッチングは、指向性が高いため、小さな径の
コンタクトホールを開孔可能である。あるいは、コンタ
クトホールが半導体層１を突き抜けるのを防止するのに
有利なウエットエッチングを併用してもよい。このウエ
ットエッチングは、コンタクトホールに対し、より良好
なコンタクトをとるためのテーパを付与する観点からも
有効である。

【００７３】次に、第１層間絶縁膜８１およびコンタク
トホールを介して覗く高濃度ドレイン領域の全面に、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、ＭｏおよびＰｄ等の金属や金属シ
リサイド等の金属合金膜をスパッタ処理により堆積し
て、５０〜５００ｎｍ程度の膜厚の導電膜を形成する。
５０ｎｍ程度の厚みがあれば、後に第２コンタクトホー
ルを開孔する時に突き抜ける可能性は殆どない。なお、
この導電膜上には、表面反射を緩和するためにポリシリ
コン膜等の反射防止膜を形成しても良い。また、導電膜
は応力緩和のためにドープトポリシリコン膜等を用いて
も良い。

【００７４】次に、形成された導電膜上にフォトリソグ
ラフィによりバリア層のパターンに対応するレジストマ
スクを形成し、レジストマスクを介して導電膜に対しエ
ッチングを行うことにより、バリア層を形成する。

【００７５】次に、第１層間絶縁膜８１およびバリア層
を覆うように、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ法やＴＥ
ＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２
層間絶縁膜４の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ま
しい。第２層間絶縁膜４の膜厚が５００ｎｍ以上あれ
ば、データ線および走査線３間における寄生容量はあま
り問題とならない。

【００７６】次に、高濃度ソース領域および高濃度ドレ
イン領域を活性化するために約１０００℃のアニール処
理を２０分程度行った後、上層側データ線６ｃに対する
コンタクトホール５を開孔する。この上層側データ線６
ｃに対するコンタクトホール５は第２層間絶縁膜４およ
び第１層間絶縁膜８１を貫通して下層側データ線６ｄの
表面に達するものである。また、走査線３や容量線を基
板周辺領域において図示しない配線と接続するためのコ
ンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の工程に
より第２層間絶縁膜４に開孔することができる。

【００７７】次に、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタ
リング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シ
リサイド等を金属膜として、約１００〜５００ｎｍの厚
さ、好ましくは約３００ｎｍの厚さに堆積する。

【００７８】次に、フォトリソグラフィ工程、エッチン
グ工程等により上記金属膜をパターニングすることによ
り、上層側データ線６ｃを形成する（図７参照）。ここ
で、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上にカラーフ
ィルタを形成する場合、上層側データ線６ｃを形成後、
まず感光性材料に赤色顔料を分散させた有機材料を基板
面にスピンコート法等を用いて塗布する。その後、Ｒの
画素形状になるように、フォトリソグラフィ工程を用い
てパターニングを行う。以降、青色、緑色について同様
の工程を繰り返すことににより、第２層間絶縁膜上にカ
ラーフィルター層が形成される。

【００７９】次に、上層側データ線６ｃまたは図示しな
いカラーフィルター層上を覆うように、例えば、常圧ま
たは減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、
窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶
縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の膜厚は、約５０
０〜１５００ｎｍが好ましい。

【００８０】次に、第３層間絶縁膜７を貫通して次に形
成する画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂとバリア層とを電気的
接続するためのコンタクトホール８を、反応性イオンエ
ッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエ
ッチングにより形成する。また、テーパ状にするために
ウェットエッチングを用いても良い。

【００８１】次に、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタ
処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜を、約５０
〜２００ｎｍの厚さに堆積し、更に、フォトリソグラフ
ィ工程、エッチング工程等により透明導電性薄膜をパタ
ーニングし、画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂを形成する（図
８参照）。なお、当該液晶装置を反射型の液晶装置に用
いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から
画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂを形成してもよい。続いて、
画素電極９ｒ、９ｇ、９ｂの上にポリイミド系の配向膜
の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つよ
うに且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、
配向膜１６（図２および図３参照）が形成される。

【００８２】他方、図２および図３に示した対向基板２
０については、まず、ネオセラム等からなる基板を用意
し、この基板上に感光性樹脂を塗布する。次に、各マイ
クロレンズとなる部分に対応する凸部が残るように所定
パターンを有するマスクを介して、感光性樹脂をマスク
露光し、その後、ウエットまたはドライエッチングによ
り現像する。次に、熱フローを印加し、感光性樹脂の熱
変形および表面張力により、滑らかな各マイクロレンズ
の凸面形状を感光性樹脂からなる、図２に示したような
複数のマイクロレンズ４４を形成する。この際、特に熱
フローを基板面上で制御することにより、所定の集光能
力を有するように複数のマイクロレンズ４４を形成す
る。次に、マイクロレンズ４４の表面にアクリル系接着
剤を塗布してネオセラム等からなるカバーガラスを接着
する。次に、カバーガラスを研磨して、所定の厚みを有
するカバーガラス４７とする。

【００８３】次に、カバーガラス４７上に、第２遮光膜
２３を、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリ
ソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成する。な
お、この第２遮光膜２３は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属
材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した
樹脂ブラック等の材料から形成してもよい。なお、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０上で、データ線６ａ、６ｂ、バリア
層、第１遮光膜等で遮光領域を規定すれば、対向基板２
０上の第２遮光膜２３を省くこともできる。

【００８４】その後、対向基板２０の全面にスパッタ処
理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５０〜２
００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を
形成する。さらに、対向電極２１の全面にポリイミド系
の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角
を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等
により、配向膜２２（図２および図３参照）が形成され
る。

【００８５】最後に、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６お
よび２２が対面するようにシール材（図１０および図１
１参照）により貼り合わされ、真空吸引等により、両基
板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混
合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が
形成される。この際、対向基板２０上の各マイクロレン
ズ４４の中心が、ＴＦＴアレイ基板１０上の各画素開口
領域４２の中心に一致するように各基板同士を位置合わ
せする（図９参照。この図においてはマイクロレンズ４
４の輪郭を２点鎖線で示す）。

【００８６】［電気光学装置の全体構成］以上のように
構成された各実施形態における液晶装置の全体構成を図
１０および図１１を参照して説明する。なお、図１０
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素とともに対向基板２０の側から見た平面図であり、
図１１は、図１０のＨ−Ｈ断面図である。

【００８７】図１０において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ
あるいは異なる材料からなる画像表示領域の周辺を規定
する額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シ
ール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号
を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを
駆動するデータ線駆動回路１０１および実装端子１０２
がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられてお
り、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給する
ことにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４
が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならない
のならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いこ
とは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を
画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例え
ば上層側のデータ線は画像表示領域の一方の辺に沿って
配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、下
層側のデータ線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿っ
て配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給する
ようにしてもよい。この様にデータ線を櫛歯状に駆動す
るようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張す
ることができるため、複雑な回路を構成することが可能
となる。

【００８８】さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺
には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路
１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられて
いる。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１
箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０
との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けら
れている。そして、図１１に示すように、図１０に示し
たシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当
該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着され
ている。なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらの
データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加
えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミン
グで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに
所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行し
て各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の
当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路
等を形成してもよい。なお、本実施の形態によれば、対
向基板２０上の第２遮光膜２３はＴＦＴアレイ基板１０
の遮光領域よりも小さく形成すれば良い。また、液晶装
置の用途により、第２遮光膜２３は容易に取り除くこと
ができる。

【００８９】以上、図１から図１１を参照して説明した
本実施の形態では、データ線駆動回路１０１および走査
線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける
代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding)基
板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１
０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電
気的および機械的に接続するようにしてもよい。また、
対向基板２０の投射光が入射する側およびＴＦＴアレイ
基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ
（Twisted Nematic）モード、ＶＡ(Vertically Aligne
d)モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crysta
l)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード
／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィル
ム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置さ
れる。

【００９０】以上説明した本実施形態における液晶装置
は、図１４に示すような単板式の液晶プロジェクタに適
用される。単板式の液晶プロジェクタは、図１４に示さ
れるように、光源２０２から出射された非偏光な光がイ
ンテグレータ光学系３００を構成する第１の光学要素３
２０の複数の微小レンズ３２１及び第２の光学要素３３
０に含まれる集光レンズ３４０の複数の微小レンズ３４
１によって複数の部分光束に分割されて偏光変換素子３
６１の近傍で集光される。偏光変換素子３６１に入射さ
れた複数の部分光束は、１種の直線偏光光に変換され、
液晶ライトバルブ２０７に均一な光を入射する。そし
て、液晶ライトバルブ２０７に入射された光は与えられ
た画像情報に従って変調され、液晶ライトバルブ２０７
から出射された変調光は投射レンズ２０８に出射し、投
射レンズ２０８は変調光を投射スクリーン２０９上に投
射する。このようにプロジェクタの単板化によって必要
な部品点数を少なくすることができるので、光学系の小
型化と、低コスト化を図ることができる。また本実施形
態にある効果により、３板方式に比べて見劣りしない明
るい表示を得ることができる。

【００９１】また、以上のような用途だけではなく、カ
ラーフィルタ層を有しているため、液晶プロジェクタ以
外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液
晶装置に本実施の形態における液晶装置を適用すること
もできる。さらに、ＴＦＴアレイ基板上にカラーフィル
ター層を設ける代わりに、対向基板２０上に、何層もの
屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を
利用してＲＧＢの各色を作り出すダイクロイックフィル
タを画素の形状に対応させて形成してもよい。このダイ
クロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るい
カラー液晶装置が実現できる。

【００９２】以上、説明した各実施形態における液晶装
置では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入
射することとしたが、第１遮光膜１１ａを設けているの
で、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、対
向基板２０の側から出射するようにしても良い。すなわ
ち、このように液晶装置を液晶プロジェクタに取り付け
ても、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’およびソース
側ＬＤＤ領域１ｂ、ドレイン側ＬＤＤ領域１ｃに光が入
射することを防ぐことができ、高画質の画像を表示する
ことが可能である。この場合、ＴＦＴアレイ基板側にマ
イクロレンズを装着してもよい。

【００９３】また、各画素に設けられるスイッチング素
子としては、正スタガ型またはコプラナー型のポリシリ
コンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦ
ＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴ
に対しても、本実施の形態は有効である。

【００９４】［電子機器］次に、以上詳細に説明した液
晶装置１００を備えた電子機器の実施の形態について図
１２および図１３を参照して説明する。

【００９５】まず、図１２に、このように液晶装置１０
０を備えた電子機器の概略構成を示す。図１２におい
て、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処
理回路１００２、駆動回路１００４、液晶装置１００、
クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備
えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯ
Ｍ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memo
ry）、光ディスク装置などのメモリ、画像信号を同調し
て出力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００
８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの
画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に
出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反
転回路、シリアル−パラレル変換回路、ローテーション
回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処
理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づい
て入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、
クロック信号ＣＬＫとともに駆動回路１００４に出力す
る。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動する。
電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給す
る。なお、液晶装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板
の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加
えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。

【００９６】次に、図１３にこのように構成された電子
機器の具体例を示す。

【００９７】図１３において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００が
トップカバーケース内に設けられており、さらに、ＣＰ
Ｕ、メモリ、モデム等を収容するとともにキーボード１
２０２が組み込まれた本体１２０４を備えている。

【００９８】以上、図１３を参照して説明した電子機器
の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型またはモニ
タ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション
装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニア
リング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電話、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等な
どが図１２に示した電子機器の例として挙げられる。

【００９９】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置
を備えた各種の電子機器を実現できる。

【０１００】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、特にデータ線配置領域内に複数本のデータ線を
まとめて配置し、これらのデータ線から当該画素開口領
域内の３つの画素電極に画像信号を供給する構成によ
り、従来の構成のように画素開口領域内にデータ線を配
置する必要がなくなるため、従来に比べて開口率を向上
させることができる。さらに、略正方形の画素開口領域
を中心点を通るように３等分し、これを３つの色光に対
応する各画素としてこれに対応するマイクロレンズを設
けた場合、各画素を透過する光の透過率を略均等化する
ことができ、従来に比べて光の利用効率を向上すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態である液晶装置を構成
するＴＦＴアレイ基板の一画素を示す平面図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。

【図３】 図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。

【図４】 同、液晶装置の製造方法を順を追って示す工
程断面図である。

【図５】 同、工程断面図の続きである。

【図６】 同、工程断面図の続きである。

【図７】 同、工程断面図の続きである。

【図８】 同、工程断面図の続きである。

【図９】 同、工程断面図の続きである。

【図１０】 本実施の形態のＴＦＴアレイ基板をその上
に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た
平面図である。

【図１１】 図１０のＨ−Ｈ線に沿う断面図である。

【図１２】 本発明による電子機器の実施の形態の概略
構成を示すブロック図である。

【図１３】 電子機器の一例としてパーソナルコンピュ
ータを示す正面図である。

【図１４】 本発明による単板式の液晶プロジェクタの
一例の概略構成を示す図である。

【図１５】 液晶ライトバルブを構成するＴＦＴアレイ
基板の平面図である。

【図１６】 従来のＴＦＴアレイ基板の平面図であっ
て、従来の問題点を説明するための図である。

【符号の説明】

１…半導体層 ２ａ，２ｂ…ゲート絶縁膜 ３…走査線 ４…第２層間絶縁膜 ５，８…コンタクトホール ６ａ，６ｂ…データ線 ６ｃ…上層側データ線 ６ｄ…下層側データ線 ７…第３層間絶縁膜 ９ｒ，９ｇ，９ｂ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １６，２２…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２３…第２遮光膜 ３０…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子） ４０…走査線配置領域 ４１…データ線配置領域 ４２…画素開口領域 ４３ｒ，４３ｇ…色素層（カラーフィルター） ４４…マイクロレンズ ４５…マイクロレンズアレイ ４６…接着剤 ４７…カバーガラス ５０…液晶層（電気光学材料） ８１…第１層間絶縁膜 １００…液晶装置

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 EA13 FA10 FA18 GA02 GA10 HA13 HA25 JA05 JA10 MA02 MA04 MA06 2H091 FA05Y FA29X FB06 FB12 FC10 FC26 FD04 FD12 FD22 GA02 GA13 HA07 HA18 JA02 LA17 LA18 MA07 2H092 GA13 JA25 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB69 KA04 KA07 KA16 KA18 MA07 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA29 MA35 MA37 MA41 NA04 NA25 PA08 PA10 QA07 QA18 RA05

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に電気光学材料が挟持され
   てなり、前記一対の基板のうちの一方の基板上に、互い
   に交差する複数の走査線配置領域と複数のデータ線配置
   領域と、前記走査線配置領域と前記データ線配置領域と
   に囲まれた領域であって基板上にマトリクス状に配置さ
   れた複数の画素開口領域とを有し、各画素開口領域内
   に、複数の異なる色光にそれぞれ対応する複数の画素電
   極と、これら画素電極の各々にそれぞれ接続された複数
   のスイッチング素子とが設けられていることを特徴とす
   る電気光学装置。
2. 【請求項２】 一対の基板間に電気光学材料が挟持され
   てなり、前記一対の基板のうちの一方の基板上に、互い
   に交差する複数の走査線配置領域と複数のデータ線配置
   領域と、前記走査線配置領域と前記データ線配置領域と
   に囲まれた領域であって基板上にマトリクス状に配置さ
   れた複数の画素開口領域とを有し、各画素開口領域内
   に、３つの異なる色光にそれぞれ対応する３つの画素電
   極と、これら画素電極の各々にそれぞれ接続された３つ
   のスイッチング素子とが設けられていることを特徴とす
   る電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記各走査線配置領域内に１本以上の走
   査線が配置されるとともに前記各データ線配置領域内に
   ２本または３本のデータ線が配置され、前記３つの画素
   電極それぞれに対して、これら画素電極を含む画素開口
   領域の両側に隣接する前記データ線配置領域内の２本ま
   たは３本のデータ線のいずれかから前記スイッチング素
   子を介して画像信号が供給される構成となっていること
   を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記各データ線配置領域内に配置される
   データ線が層間絶縁膜を間に挟む２層の配線層からなる
   ２本のデータ線であり、これら２本のデータ線をなす上
   層側データ線、下層側データ線の各々から前記３つの画
   素電極に対して画像信号が供給されることを特徴とする
   請求項２記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 平面視した際に前記上層側データ線と前
   記下層側データ線の少なくとも一部が重なるように配置
   されたことを特徴とする請求項４記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記下層側データ線の少なくとも一部が
   前記走査線と同一配線層で形成され、前記下層側データ
   線が前記走査線と交差する箇所では前記下層側データ線
   が前記上層側データ線と同一配線層上に形成され該上層
   側データ線と接触しない位置に配置されたことを特徴と
   する請求項４または５記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記下層側データ線が前記走査線配置領
   域間で分断され、該下層側データ線の端部が、前記層間
   絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して、前記上層
   側データ線と同一配線層上に形成され該上層側データ線
   と接触しないように配置された他の上層側データ線と接
   続されたことを特徴とする請求項６記載の電気光学装
   置。
8. 【請求項８】 前記３つの画素電極に対応する３つのス
   イッチング素子が、前記画素開口領域を間に挟む前記走
   査線配置領域内の２本の走査線により駆動されることを
   特徴とする請求項２ないし７のいずれかに記載の電気光
   学装置。
9. 【請求項９】 前記一方の基板上に、前記各画素開口領
   域内の３つの画素電極にそれぞれ３つの異なる色素層を
   対応させたカラーフィルターが設けられたことを特徴と
   する請求項２ないし８のいずれかに記載の電気光学装
   置。
10. 【請求項１０】 前記各画素開口領域内に配置される３
    つの画素電極が、前記画素開口領域に対して、略中心対
    称に配置されていることを特徴とする請求項２ないし９
    のいずれかに記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記画素開口領域の形状が略正方形で
    あることを特徴とする請求項１０記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記一対の基板の少なくとも一方の基
    板上に、入射光を前記各画素開口領域に向けて集光する
    マイクロレンズアレイが設けられたことを特徴とする請
    求項１０または１１記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記マイクロレンズアレイを構成する
    各マイクロレンズが前記各画素開口領域に対応して設け
    られ、前記各マイクロレンズの中心が前記各画素開口領
    域の中心の位置に一致するように配置されたことを特徴
    とする請求項１２記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記電気光学材料がノーマリーブラッ
    ク型液晶であることを特徴とする請求項２ないし１３の
    いずれかに記載の電気光学装置。
15. 【請求項１５】 一対の基板間に電気光学材料が挟持さ
    れてなり、前記一対の基板のうちの一方の基板上に、互
    いに交差する複数の走査線配置領域と複数のデータ線配
    置領域と、前記走査線配置領域と前記データ線配置領域
    とに囲まれた領域であって基板上にマトリクス状に配置
    された画素開口領域とを有してなる電気光学装置の製造
    方法であって、 前記一方の基板上に薄膜トランジスタを構成する半導体
    層を形成する工程と、 該半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、 該ゲート絶縁膜上の前記走査線配置領域内に前記半導体
    層の上方を横断する走査線を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜を貫通して前記半導体層に達する第１
    のコンタクトホールを形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上の前記データ線配置領域内に、前記
    走査線と接触しないように前記第１のコンタクトホール
    を介して前記半導体層に接続される下層側データ線を形
    成する工程と、 前記走査線および前記下層側データ線を覆う第１の層間
    絶縁膜を形成する工程と、 該第１の層間絶縁膜を貫通して前記下層側データ線に達
    する第２のコンタクトホールを形成する工程と、 前記第１の層間絶縁膜上の前記データ線配置領域内に、
    下層側データ線の延在方向において１画素おきに配置さ
    れた下層側データ線同士を前記第２のコンタクトホール
    を介して接続する上層側データ線を形成する工程と、 前記上層側データ線を覆う第２の層間絶縁膜を形成する
    工程と、 前記第２の層間絶縁膜上の前記画素開口領域内に前記半
    導体層に電気的に接続される画素電極を形成する工程
    と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方
    法。
16. 【請求項１６】 前記半導体層と前記画素電極とを前記
    第１の層間絶縁膜上に形成した導電層を介して電気的に
    接続することを特徴とする請求項１５に記載の電気光学
    装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記画素電極形成工程において、前記
    画素開口領域内に３つの画素電極を該画素開口領域の中
    心から放射状に延びる３本の線分で分割された形状を一
    部有するように形成することを特徴とする請求項１５ま
    たは１６に記載の電気光学装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 請求項２ないし１４のいずれかに記載
    の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、光源
    と、該光源から出射された光を変調する前記電気光学装
    置と、該電気光学装置により変調された光を投射面に拡
    大投影する拡大投影光学系とを有することを特徴とする
    投射型表示装置。