KR940027193A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940027193A KR940027193A KR1019930007843A KR930007843A KR940027193A KR 940027193 A KR940027193 A KR 940027193A KR 1019930007843 A KR1019930007843 A KR 1019930007843A KR 930007843 A KR930007843 A KR 930007843A KR 940027193 A KR940027193 A KR 940027193A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- melting point
- high melting
- thin film
- point metal
- forming
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 TFT-LCD에 관한 것으로 LCD의 개구율 및 화질을 향상시킬 수 있도록 한 TFT 제조방법에 관한 것으로, 기판(5) 위에 게이트(6)을 형성하고 통상적인 방법으로 절연막(7), 활성층(8), 오믹접촉층(9)을 형성하고 소오스/드레인 영역에 실리콘(15)과 고융점금속(16)을 형성하여 열처리 공정으로 상기 실리콘(15)과 고융점 금속(16)을 실리사이드화 한 것이다. 따라서 소오스/드레인은 실리사이드로 형성하므로서 LCD의 개구율 및 화질이 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명의 박막트랜지스터 공정 단면도.
Claims (1)
- 절연기판(5) 위에 게이트(6) 전극을 형성하고 게이트(6) 전극 위에 제 1 절연막(7)을 형성하는 공정과, 제 1절연막(7) 위에 활성층(8)과 활성층(8) 상부 양측에 오믹접촉층(9)을 형성하는 공정과, 소오스/드레인 영역에 실리콘층(15) 및 고융점금속(16)을 형성하는 공정과, 열처리하여 실리콘층(15)과 고융점금속(16)을 실리사이드화 하는 공정을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930007843A KR970003847B1 (ko) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930007843A KR970003847B1 (ko) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940027193A true KR940027193A (ko) | 1994-12-10 |
| KR970003847B1 KR970003847B1 (ko) | 1997-03-22 |
Family
ID=19355089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930007843A KR970003847B1 (ko) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003847B1 (ko) |
-
1993
- 1993-05-07 KR KR1019930007843A patent/KR970003847B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970003847B1 (ko) | 1997-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940027193A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970018720A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960019769A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR960019779A (ko) | 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR950012645A (ko) | 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR950010096A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR950006517A (ko) | 회로내장 티에프티-엘씨디(tft-lcd) 제조방법 | |
| KR970054416A (ko) | 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960026959A (ko) | 저도핑 드레인(ldd) 구조의 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR950033613A (ko) | 티에프티-엘씨디(tft-lcd) 및 그 제조방법 | |
| KR950010116A (ko) | 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터어레이 및 그 제조방법 | |
| KR950009976A (ko) | 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970054507A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR950015664A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR950004599A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR950028011A (ko) | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970003720A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960026976A (ko) | 티에프티-엘씨디(tet-lcd)의 구조 및 제조방법 | |
| KR950015658A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR940010310A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR950015810A (ko) | 자기정열구조의 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR950028014A (ko) | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR940020593A (ko) | 실리콘 온 인슐레이터(soi) 구조의 모스 전계효과 트랜지스터(mosfet) 및 그의 제조방법 | |
| KR950025925A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR950004602A (ko) | 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050607 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |