KR950010135A - 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

쇼트키 전극이 형성된 활성층 일부분 영역과 상기 영역 부근에 형성된 수정층을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판상에 형성된 활성층과 쇼트키접합을 형성하는 쇼트키 전극을 갖는 반도체 소자가 제공되었다.

Description

반도체 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1, 2, 3, 4, 5도는 본 발명에 있어서, 트랜지스터의 단면을 사용하여 GaAsMESFET(실시예 1)의 제조 방법의 한 실시예 단계를 보여주는 도면.

Claims (10)

  1. 화합물 반도체 기판상에 형성된 활성층과 쇼트키 접합을 형성하는 쇼트키 전극을 구비하는 반도체 소자에 있어서, 수정층은 쇼트키 전극이 형성된 활성층 영역의 적어도 일부분과 상기 영역 부근에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수정층은 상기 활성층 보다 더 큰 저항을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수정층은 플라즈마 처리에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 수정층은 쇼트키 전극이 형성되는 면적을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소자는 쇼트키 전극 외에 활성층 상에 두개의 오믹 전극이 형성되는 전계 효과 트랜지스터인 반도체 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 소자는 쇼트키 장벽 다이오드이고, 상기 수정층은 쇼트키 전극의 주변 면적 바로밑 영역과 상기 영역에 근접한 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 소자는 쇼트키 장벽 다이오드이고, 상기 수정층은 쇼트키 전극 전체 바로밑 영역 또는 상기 영역 내의 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 소자는 쇼트키 장벽 다이오드이고, 상기 수정층은 쇼트키 전극 전체 바로밑 영역과 상기 영역으로부터 돌출하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  9. 화합물 반도체 기판상에 활성층을 형성하는 단계와 활성층과 쇼트키 접합을 형성하는 쇼트키 전극을 형성하는 단계를 구비하는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 쇼트키 전극이 형성될 영역의 적어도 부분과 상기 영역의 부근영역은 플라즈마 처리되어 상기 부분을 변형시켜 활성층에 수정층이 형성되고, 다음에 상기 쇼트키 전극은 상기 수정층의 적어도 부분적으로 접하거나 수정층 근처에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 쇼트키 전극이 형성될 영역과 상기 영역의 부근 영역은 플라즈마 처리되어 상기 수정층은 활성층에 형성되고, 다음에 상기 쇼트키 전극이 상기 수정층에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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