JPH01202870A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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Publication number
JPH01202870A
JPH01202870A JP2802088A JP2802088A JPH01202870A JP H01202870 A JPH01202870 A JP H01202870A JP 2802088 A JP2802088 A JP 2802088A JP 2802088 A JP2802088 A JP 2802088A JP H01202870 A JPH01202870 A JP H01202870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
drain
schottky junction
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP2802088A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Miyatake
行夫 宮武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2802088A priority Critical patent/JPH01202870A/ja
Publication of JPH01202870A publication Critical patent/JPH01202870A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7839—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with Schottky drain or source contact

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電界効果トランジスタに関し、特にショットキ
ー接合ゲートを有する電界効果トランジスタに関する。
〔従来の技術〕
従来は、電界効果トランジスタのドレイン部にはオーミ
ックコンタクトを設け、回路素子としてはトランジスタ
単体としての機能を有するのみに留まっていた。また、
例えば、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴをダイオードとして用い
る場合には、ドレインとソースを理路したトランジスタ
を用いていた。トランジスタとダイオードを接続する場
合には、トランジスタとダイオードを別個に設けて接続
する方法を取っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述のように、トランジスタとダイオードを別個に設け
て接続する方法では、２素子分の面積が必要となり、集
積度が上らないという問題がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の電界効果トランジスタは、ショットキー接合を
有するゲートとショットキー接合を有するドレインとオ
ーミックコンタクトを有するソースとからなる。
〔作用〕
トランジスタのドレイン部にショットキー接合を用いる
ことによりドレイン部単独でダイオードの機能をもたせ
、トランジスタとダイオードを接続するような回路にお
いては本発明のトランジスタ単独でその機能を果たすこ
とが可能になる。
〔実施例〕
本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
半導体基板１にＩ　Ｘ　１０　”ｃｍ−２程度で不純物
をイオン注入してｎ＋層２を設け、次に、５×１０１３
ｃｍ−２程度で不純物をイオン注入して１層３を設ける
。ｎ＋層２にソース電極４を、１層３にゲート電極５．
ドレイン電極６を設ける。ソース電極４はｎ＋層２とオ
ーミックコンタクトを形成し、ゲート電極５とドレイン
電極６とは１層３とショットキー接合を形成する。
第２図は第１図に示す第１の実施例の等価回路図である
。
トランジスタ１０のドレインにダイオード９が接続され
た回路になる。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第２の実施例は、第１の実施例のトランジスタのソース
とゲートとの間及びドレインとゲートとの間にｎ＋層７
，８を設けたものである。ｎ＋層７．８は７　Ｘ　１０
１２ｃｍ−２程度で不純物をイオン注入することにより
形成される。ｎ＋層７，８は、ゲートとトレインとの間
の抵抗を減少させるために新たに加えたものである。上
記以外は第１の実施例と同じである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、ドレインにショットキ
ー接合を形成する電極を設けなので、トランジスタとダ
イオードとが接続した回路を素子１個分の面積で実現す
ることが可能となり、集積度の向上が計れるという効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
図に示す第１の実施例の等価回路図、第３図は本発明の
第２の実施例の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・ｎ層層、３・・・ｎ層、
４・・・ソース電極、５・・・ゲート電極、６・・・ド
レイン電極、７．８・・・ｎ層層、９・・・ダイオード
、１０・・・トランジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　ショットキー接合を有するゲートとショットキー接合
    を有するドレインとオーミックコンタクトを有するソー
    スとを有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
JP2802088A 1988-02-08 1988-02-08 電界効果トランジスタ Pending JPH01202870A (ja)

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JPH01202870A true JPH01202870A (ja) 1989-08-15

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5159416A (en) * 1990-04-27 1992-10-27 Nec Corporation Thin-film-transistor having schottky barrier
JP2003007976A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びモジュール装置
JP2010165896A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2010212596A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Sharp Corp 電界効果型トランジスタ
US8552471B2 (en) 2009-01-16 2013-10-08 Nec Corporation Semiconductor apparatus having reverse blocking characteristics and method of manufacturing the same

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