JP2010165896A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010165896A JP2010165896A JP2009007397A JP2009007397A JP2010165896A JP 2010165896 A JP2010165896 A JP 2010165896A JP 2009007397 A JP2009007397 A JP 2009007397A JP 2009007397 A JP2009007397 A JP 2009007397A JP 2010165896 A JP2010165896 A JP 2010165896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain electrode
- semiconductor device
- layer
- semiconductor
- multilayer structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、チャネル層14及び電子供給層15を含む半導体積層構造10と、半導体積層構造10上に離間して形成されたソース電極1およびドレイン電極4と、ソース電極1及び前記ドレイン電極4間に形成された絶縁膜22と、絶縁膜上に形成されたゲート電極2とを備え、ドレイン電極4と前記半導体積層構造10との間の逆電流が阻止されたものである。
【選択図】図1
Description
まず、図1を用いて、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成について説明する。図1は、発明の実施の形態1に係る半導体装置の断面構造を示す。この半導体装置は、例えばシリコンなどの基板12上に形成される。基板12上には格子不整合を緩和するための緩衝層13、InxGa1−xN(0≦x≦1)からなるチャネル層14、AlyGa1−yN(0<y≦1)からなる電子供給層15が順に形成され、半導体積層構造10を構成する。チャネル層14の組成として0≦x≦0.2、電子供給層15の組成として0.1≦y≦0.3の範囲がもっとも電力制御用のスイッチングデバイスに適している。
図2(a)を用いて、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の構成について説明する。図2(a)は、発明の実施の形態2に係る半導体装置の断面構造を示す。この半導体装置は、例えばシリコンなどの基板12上に形成される。基板12上には格子不整合を緩和するための緩衝層13、InxGa1−xN(0≦x≦1)からなるチャネル層14、AlyGa1−yN(0<y≦1)からなる電子供給層15、チャネル層14よりもIn組成が高いInzGa1−zN(0≦x<z≦1)からなるコンタクト層32が順に形成され、半導体積層構造11を構成している。チャネル層14の組成として0≦x≦0.2、電子供給層15の組成として0.1≦y≦0.3の範囲がもっとも電力制御用のスイッチングデバイスに適している。
また、発明の実施の形態2におけるドレイン電極は、異なる半導体材料と接触してもよい。具体的には、図3(a)に示すように、ドレイン電極6はドレイン電極6aとドレイン電極6bから構成される。ドレイン電極6aはコンタクト層32と、ドレイン電極6bは電子供給層15と接触している。
前記チャネル層14は、他のGaN系化合物材料を用いることができる。例えば、AlGaN、GaNAs、GaInNAsP、GaInNP、GaNP、AlInGaNなどである。
10、11 半導体積層構造 12 基板 13 緩衝層 14 チャネル層
15 電子供給層
20 フィールドプレート 21 表面保護膜 22 ゲート絶縁膜
32 コンタクト層
101 n型炭化シリコン層 102 ドレイン電極 103 ソース電極
104 ゲート電極 105 半絶縁性基板 106 金属層
Claims (9)
- チャネル層及び電子供給層を含む半導体積層構造と、
前記半導体積層構造上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体積層構造上の前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、
前記ドレイン電極と前記半導体積層構造との間の逆電流が阻止された半導体装置。 - 前記ドレイン電極が前記半導体積層構造とショットキ接触していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体積層構造が、前記ドレイン電極に接触するコンタクト層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ドレイン電極及び前記半導体積層構造が、ピエゾ分極による内部電界を持つことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記ドレイン電極が、前記電子供給層及び前記コンタクト層に接触していることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置。
- 前記半導体積層構造に開口部を備え、
前記ゲート電極が、前記開口部を埋め込むように形成された請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - InxGa1−xN(0≦x≦1)からなる前記チャネル層と、
AlyGa1−yN(0<y≦1)からなる前記電子供給層とがヘテロ接合する界面に、二次元電子層が形成されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト層が、InzGa1−zN(0≦x<z≦1)からなることを特徴とする請求項3乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- チャネル層及び電子供給層を含む半導体積層構造を形成する工程と、
前記半導体積層構造上にソース電極およびドレイン電極を離間して形成する工程と、
前記半導体積層構造上の前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備え、
前記ドレイン電極と前記半導体積層構造との間の逆電流が阻止された半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009007397A JP5549081B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009007397A JP5549081B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010165896A true JP2010165896A (ja) | 2010-07-29 |
JP5549081B2 JP5549081B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=42581834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009007397A Expired - Fee Related JP5549081B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5549081B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212596A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Sharp Corp | 電界効果型トランジスタ |
US9209255B2 (en) | 2013-09-10 | 2015-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including an electrode structure formed on nitride semiconductor layers |
WO2016143265A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2017017253A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
CN111863806A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-30 | 西安电子科技大学 | 双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202870A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2004186558A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電流遮断器付きGaN系半導体装置 |
JP2008103617A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体装置 |
JP2008270521A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2009246045A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-01-16 JP JP2009007397A patent/JP5549081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202870A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2004186558A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電流遮断器付きGaN系半導体装置 |
JP2008103617A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体装置 |
JP2008270521A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2009246045A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212596A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Sharp Corp | 電界効果型トランジスタ |
US9209255B2 (en) | 2013-09-10 | 2015-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including an electrode structure formed on nitride semiconductor layers |
WO2016143265A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JPWO2016143265A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2017-12-21 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置 |
US10249748B2 (en) | 2015-03-11 | 2019-04-02 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor device |
JP2017017253A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
CN111863806A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-30 | 西安电子科技大学 | 双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5549081B2 (ja) | 2014-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5589850B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5678866B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4478175B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8390029B2 (en) | Semiconductor device for reducing and/or preventing current collapse | |
US8076699B2 (en) | Integrated HEMT and lateral field-effect rectifier combinations, methods, and systems | |
JP5530682B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
US8405126B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5696083B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
US9087704B2 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacturing the semiconductor device | |
US20100207164A1 (en) | Field effect transistor | |
WO2010064362A1 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2006032552A (ja) | 窒化物含有半導体装置 | |
JP2009200096A (ja) | 窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置 | |
JP2008034438A (ja) | 半導体装置 | |
JP6244557B2 (ja) | 窒化物半導体デバイス | |
JP2012156332A (ja) | 半導体素子 | |
TW201140839A (en) | Semiconductor device | |
WO2012160757A1 (ja) | ショットキーダイオード | |
JP2010225979A (ja) | GaN系電界効果トランジスタ | |
KR20140133360A (ko) | 노멀리 오프 타입 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
JP5549081B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5415668B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP2011142358A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5545653B2 (ja) | 窒化物系半導体装置 | |
JP2010245240A (ja) | ヘテロ接合型電界効果半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131002 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140307 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140505 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5549081 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |