WO2012160757A1 - ショットキーダイオード - Google Patents

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layer
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柴田　大輔
義治 按田
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パナソニック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a Schottky diode applicable to, for example, a power device.
  • a group III nitride semiconductor typified by gallium nitride (GaN) is a wide gap semiconductor in which the band gaps of GaN and aluminum nitride (AlN) are as large as 3.4 eV and 6.2 eV, respectively, at room temperature. Therefore, the dielectric breakdown electric field is large, and the saturation drift velocity of electrons is higher than that of a compound semiconductor such as gallium arsenide (GaAs) or silicon (Si) semiconductor.
  • a heterostructure composed of AlGaN / GaN charges are generated by spontaneous polarization and piezopolarization at a hetero interface having a crystal plane of (0001) plane, and a sheet carrier concentration of 1 ⁇ 10 13 cm ⁇ 2 or more is obtained even when undoped. Is obtained.
  • a diode or a heterojunction field effect transistor (HFET) having a higher current density is realized by using a two-dimensional electron gas (2DEG) at the heterointerface. Can do. For this reason, research and development of power devices using nitride semiconductors, which are advantageous for high output and high breakdown voltage, are still actively conducted.
  • the general formula AlGaN represents ternary mixed crystal Al x Ga 1-x N (where x is 0 ⁇ x ⁇ 1).
  • the multi-element mixed crystal is abbreviated with an arrangement of element symbols of each constituent element, such as AlInN or GaInN.
  • a nitride semiconductor Al x Ga 1-xy In y N (where x and y are 0 ⁇ x ⁇ 1 and 0 ⁇ y ⁇ 1) is abbreviated as AlGaInN.
  • One of the diodes used as a power device is a Schottky diode.
  • a Schottky diode As a GaN-based diode, a Schottky diode using a heterostructure made of AlGaN / GaN has been developed. Since the GaN-based Schottky diode uses a two-dimensional electron gas layer generated at the interface between the undoped AlGaN layer and the undoped GaN layer as a channel, it can operate with a large current and low resistance.
  • a Schottky diode has an advantage that it has excellent switching characteristics as compared with a pn diode, but has a disadvantage that a leakage current in a reverse direction is large.
  • a passivation film is formed on the surface of the device as a surface protective film.
  • the passivation film has an effect of suppressing the formation of surface states and reducing a decrease in forward current called current collapse. Further, in terms of reliability, since it has a function of preventing impurities from entering the device, it is indispensable to form a passivation film on the surface of the device.
  • the present inventors have found a phenomenon that when a passivation film is formed on a GaN-based Schottky diode, the reverse leakage current in the Schottky diode is greatly increased. This phenomenon is considered due to the formation of a leak path at the interface between the passivation film and undoped aluminum gallium (i-AlGaN).
  • the problem is to reduce the reverse leakage current, and in particular, the reduction of the leakage current after forming the passivation film is a big problem. .
  • an object of the present invention is to reduce a reverse leakage current without increasing a rising voltage in a Schottky diode made of a nitride semiconductor.
  • the present invention is configured such that a Schottky diode made of a nitride semiconductor has a block layer interposed between the anode and the surface of the i-AlGaN layer.
  • a first Schottky diode includes a substrate, a first nitride semiconductor layer formed on the substrate, and a first nitride semiconductor layer formed on the first nitride semiconductor layer.
  • a block layer formed to be in contact with the second nitride semiconductor layer is provided in a region between the anode electrode and the cathode electrode, and a part of the anode electrode is in contact with the surface of the second nitride semiconductor layer.
  • the barrier height between the anode electrode and the block layer is higher than the barrier height between the anode electrode and the second nitride semiconductor layer. Is also big.
  • a block layer formed so as to be in contact with the second nitride semiconductor layer is provided in a region between the anode electrode and the cathode electrode, and a part of the anode electrode is provided. Is formed on the block layer so as not to contact the surface of the second nitride semiconductor layer. Further, the barrier height between the anode electrode and the block layer is larger than the barrier height between the anode electrode and the second nitride semiconductor layer.
  • the semiconductor layer stack includes a plurality of first nitride semiconductor layers and second nitride semiconductor layers, and the first nitride semiconductor layer and the second nitride semiconductor layer.
  • the physical semiconductor layers may be alternately stacked.
  • each multichannel structure is formed from a plurality of first nitride semiconductor layers and second nitride semiconductor layers, the forward current can be increased. Therefore, it is possible to realize a Schottky diode with low resistance and significantly reduced reverse leakage current.
  • the semiconductor layer stack has a stepped portion where a part of the second nitride semiconductor layer is removed to expose the first nitride semiconductor layer, and the anode electrode is , And may be formed so as to cover the step portion and to be in contact with the block layer.
  • the anode electrode can be brought into direct contact with the two-dimensional electron gas generated from the first nitride semiconductor layer and the second nitride semiconductor layer, so that the rising voltage of the diode can be reduced. It becomes. As a result, it is possible to realize a Schottky diode having a low rising voltage and a significantly reduced reverse leakage current.
  • the block layer may be made of an insulator.
  • an inorganic material such as silicon nitride or silicon oxide, or an organic material such as polyimide or polybenzoxazole (PBO) can be used.
  • the block layer may be made of a semiconductor.
  • the semiconductor aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN), titanium oxide (TiO 2 ), nickel oxide (NiO), zinc oxide (ZnO), or the like can be used.
  • a second Schottky diode includes a substrate, a first nitride semiconductor layer formed on the substrate, and a first nitride formed on the first nitride semiconductor layer.
  • a semiconductor layer stack including a second nitride semiconductor layer having a band gap larger than that of the semiconductor layer; and an anode electrode and a cathode electrode formed on the semiconductor layer stack at a distance from each other.
  • the stacked body has a first step portion and a second step portion where a part of the second nitride semiconductor layer is removed to expose the first nitride semiconductor layer, and the anode electrode and the cathode electrode are The overlap length with the surface of the second nitride semiconductor layer in the anode electrode is formed so as to cover the first step portion and the second step portion, respectively, and the surface of the second nitride semiconductor layer in the cathode electrode Overlap length with Also short.
  • the anode electrode and the cathode electrode are formed so as to cover the first step portion and the second step portion, respectively, and the second nitride semiconductor layer in the anode electrode
  • the overlap length with the surface of the second nitride semiconductor layer in the cathode electrode is shorter than the overlap length with the surface of the second nitride semiconductor layer. For this reason, the leakage current through the surface of the second nitride semiconductor layer of the anode electrode can be reduced. Accordingly, it is possible to realize a Schottky diode in which the reverse leakage current is greatly reduced and the rising voltage is low.
  • the semiconductor layer stack includes a plurality of first nitride semiconductor layers and second nitride semiconductor layers, and the first nitride semiconductor layer and the second nitride semiconductor layer.
  • the physical semiconductor layers may be alternately stacked.
  • each multichannel structure is formed from a plurality of first nitride semiconductor layers and second nitride semiconductor layers, the forward current can be increased. Therefore, it is possible to realize a Schottky diode having a low resistance and a significantly reduced reverse leakage current.
  • the Schottky diode according to the present invention can reduce reverse leakage current without increasing the rising voltage.
  • FIG. 1 is a sectional view showing a Schottky diode according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing the relationship between the reverse leakage current and the applied voltage in the Schottky diode according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a sectional view showing a Schottky diode according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a sectional view showing a Schottky diode according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a sectional view showing a Schottky diode according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a sectional view showing a Schottky diode according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing the relationship between the reverse leakage current and the applied voltage in the Schottky diode according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a sectional view showing a Schottky diode according to a fourth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a sectional view showing a Schottky diode according to a fifth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a sectional view showing a Schottky diode according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a graph showing the dependence of reverse leakage current on the overlap length between the anode electrode and the surface of the AlGaN layer in the Schottky diode according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a Schottky diode according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • the Schottky diode which is a nitride semiconductor device according to the first embodiment, is formed on a substrate 1 made of silicon (Si), for example, and is undoped with a thickness of 200 nm.
  • the semiconductor layer stack includes a buffer layer 2 made of AlN, an undoped GaN layer 3 having a thickness of 2 ⁇ m, and a channel layer 4 having a multichannel structure.
  • sapphire single crystal Al 2 O 3
  • SiC silicon carbide
  • GaN gallium nitride
  • an undoped nitride semiconductor refers to a semiconductor in which an impurity that determines the conductivity type is not intentionally introduced into the nitride semiconductor.
  • the channel layer 4 is formed by alternately laminating an undoped AlGaN layer 4a having a thickness of 25 nm and an undoped GaN layer 4b having a thickness of about 220 nm.
  • the Al composition in the AlGaN layer 4a is 0.25.
  • the layer thickness of the GaN layer 4b may be about 500 nm.
  • a semiconductor such as aluminum nitride (AlN) or titanium oxide (TiO 2 ), silicon nitride (SiN), or silicon oxide (
  • An anode electrode 6 is formed at one end of the semiconductor layer stack. Further, the cathode electrode 7 is formed at the other end so as to cover one side surface of the recess region (stepped portion) 8 reaching the GaN layer 3 of the semiconductor layer stack.
  • the anode electrode 6 is formed so as to be in contact with the surface of the uppermost AlGaN layer 4a by etching the block layer 5 on the semiconductor layer stack.
  • the anode electrode 6 is made of, for example, a metal made of nickel (Ni) or palladium (Pd) having a thickness of 200 nm and in Schottky contact with electrons.
  • anode electrode 6 is formed so that the end portion on the side facing the cathode electrode 7 overlaps the end portion of the block layer 5.
  • the cathode electrode 7 has a laminated structure (Ti / Al) of, for example, titanium (Ti) having a thickness of 20 nm and aluminum (Al) having a thickness of 200 nm, and is in ohmic contact with the two-dimensional electron gas layer. It is formed to do. Thereby, contact resistance can be reduced.
  • the recess region 8 is not necessarily provided.
  • the distance between the opposing surfaces of the anode electrode 6 and the cathode electrode 7 is, for example, 10 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the barrier height between the block layer 5 and the anode electrode 6 is determined by the anode electrode. 6 and the height of the barrier between AlGaN / GaN.
  • the block layer 5 is not limited to the semiconductor or insulator described above, but is a semiconductor material such as n-type AlGaN, undoped AlGaN, p-type AlGaN, nickel oxide (NiO) or zinc oxide (ZnO), or polyimide or PBO. Alternatively, an organic insulating material may be used. As a result, a leak path generated at the interface between the passivation film and the AlGaN layer 4a on the outermost surface of the semiconductor layer stack can be blocked by the block layer 5, so that the leak current in the reverse direction can be reduced.
  • FIG. 2 shows the measurement result of the reverse leakage current in the Schottky diode according to the first embodiment.
  • the horizontal axis of FIG. 2 represents the applied voltage (reverse voltage, the unit is V), and the vertical axis represents the amount of current per unit length (the unit is A / mm).
  • graph A represents the amount of leakage current of the Schottky diode according to the present invention
  • graph B represents the amount of leakage current of the Schottky diode that is a comparative example and does not have a block layer.
  • the measurement is performed in a state where a passivation film made of silicon nitride (SiN) or the like is formed on both the Schottky diode of the present invention and the Schottky diode of the comparative example.
  • a passivation film made of silicon nitride (SiN) or the like is formed on both the Schottky diode of the present invention and the Schottky diode of the comparative example.
  • the leakage current of the Schottky diode according to the present invention is smaller than the leakage current of the Schottky diode according to the comparative example, and the difference becomes significant as the applied voltage increases.
  • the leakage current of the Schottky diode according to the present invention is about 1/100 of the leakage current of the Schottky diode according to the comparative example. From this result, it can be seen that the Schottky diode according to the present invention can reduce the leakage current in the reverse direction.
  • FIG. 3 shows a first modification of the first embodiment.
  • the channel layer 4 has a multi-channel structure in which a plurality of heterostructures made of AlGaN / GaN are stacked has been described.
  • the undoped AlGaN layer 4a is formed as a single layer, a two-dimensional electron gas layer (not shown) is formed in the vicinity of the interface with the undoped GaN layer 3, and the channel layer is formed.
  • 4 is a Schottky diode used as 4.
  • FIG. 4 shows a second modification of the first embodiment.
  • the anode electrode 6 is recessed so as to penetrate the block layer 5 and the channel layer 4 and reach the undoped GaN layer 3 in the same manner as the cathode electrode 7. It is formed so as to cover one side surface of region 8.
  • the Schottky diode according to the second modification not only has the same effect as the Schottky diode shown in FIG. 1, but also has a forward rising voltage because the anode electrode 6 is in direct contact with the channel layer 4. Can be reduced.
  • FIG. 5 shows a third modification of the first embodiment.
  • the anode electrode 6 covers one side surface of the recess region 8. It is said.
  • the Schottky diode according to the third modification not only has the same effect as the Schottky diode shown in FIG. 3, but also the anode electrode 6 is in direct contact with the channel layer 4. Can be reduced.
  • the leakage current in the reverse direction can be further reduced.
  • FIG. 6 shows a fourth modification of the first embodiment.
  • the block layer 5 covers a part of the uppermost AlGaN layer 4a. Also in this case, the contact between the anode electrode 6 and the uppermost AlGaN layer 4 a needs to be blocked by the block layer 5.
  • the recess region 8 is not necessarily provided in any of the anode electrode 6 and the cathode electrode 7.
  • FIG. 7 shows a fifth modification of the first embodiment.
  • the block layer 5 covers a part of the AlGaN layer 4a in the third modification shown in FIG. Also in this case, the contact between the anode electrode 6 and the AlGaN layer 4 a needs to be blocked by the block layer 5.
  • the block layer 5 can block the interface leak between the passivation film and the uppermost AlGaN layer 4a during reverse bias, so that the reverse characteristic is not deteriorated.
  • the leakage current in the direction can be reduced. Therefore, it is possible to realize a Schottky diode made of an excellent nitride semiconductor with low loss and low reverse leakage current.
  • the Schottky diode which is a nitride semiconductor device according to the second embodiment, is formed on a substrate 1 made of, for example, silicon (Si) sequentially, and is undoped with a thickness of 200 nm.
  • the semiconductor layer stack includes a buffer layer 2 made of AlN, an undoped GaN layer 3 having a thickness of 2 ⁇ m, and a channel layer 4 having a multichannel structure.
  • sapphire single crystal Al 2 O 3
  • SiC silicon carbide
  • GaN gallium nitride
  • the channel layer 4 is formed by alternately laminating a plurality of undoped AlGaN layers 4a having a thickness of 25 nm and undoped GaN layers 4b having a thickness of about 220 nm.
  • the Al composition in the AlGaN layer 4a is 0.25.
  • An anode electrode 6 and a cathode electrode 7 are formed at both ends of the semiconductor layer stack so as to cover one side surface of a recess region (stepped portion) 8 that reaches the GaN layer 3 of the semiconductor layer stack.
  • the anode electrode 6 is made of, for example, nickel (Ni) or palladium (Pd) having a thickness of 200 nm, and uses a metal that is in Schottky contact with electrons. Thereby, since the two-dimensional electron gas and the anode electrode 6 can be in direct contact with each other, the forward rising voltage can be lowered.
  • the cathode electrode 7 has a laminated structure (Ti / Al) of, for example, titanium (Ti) having a thickness of 20 nm and aluminum (Al) having a thickness of 200 nm, and is in ohmic contact with the two-dimensional electron gas layer. It is formed to do. Thereby, contact resistance can be reduced.
  • the distance between the facing surfaces of the anode electrode 6 and the cathode electrode 7 is, for example, 10 ⁇ m to 15 ⁇ m. Note that the recess region 8 is not necessarily provided in the cathode electrode 7.
  • the important point in the Schottky diode according to the second embodiment is that the contact area between the anode electrode 6 and the surface of the uppermost AlGaN layer 4a is the contact area between the cathode electrode 7 and the surface of the uppermost AlGaN layer 4a. Is smaller than that.
  • the overlap length between the anode electrode 6 and the surface of the uppermost AlGaN layer 4a is smaller than the overlap length between the cathode electrode 7 and the surface of the uppermost AlGaN layer 4a. In this way, since the leakage current through the surface of the uppermost AlGaN layer 4a of the anode electrode 6 can be reduced, the leakage current in the reverse direction can be reduced.
  • FIG. 9 shows the relationship between the overlap length between the anode electrode 6 and the surface of the uppermost AlGaN layer 4a in the Schottky diode according to the second embodiment.
  • the horizontal axis represents the overlap length (unit: ⁇ m) of the anode electrode when the direction along the surface of the uppermost AlGaN layer is positive with the end of the uppermost AlGaN layer as the origin.
  • the vertical axis represents the amount of leakage current in the reverse direction per unit length (unit: A / mm).
  • the voltage (reverse voltage) applied to the Schottky diode is 200V.
  • the reverse leakage current amount decreases as the overlap length between the anode electrode and the surface of the uppermost AlGaN layer decreases. This is considered that the leakage current through the surface of the uppermost AlGaN layer of the anode electrode is reduced by reducing the overlap length between the anode electrode and the surface of the uppermost AlGaN layer.
  • the overlap amount of the anode electrode with the AlGaN layer is preferably as small as possible in order to reduce the leakage current.
  • the optimum overlap amount in the anode electrode is 200 nm or less, more preferably 100 nm or less.
  • the overlap amount of the anode electrode with the AlGaN layer is preferably 20 nm or more. That is, the optimum overlap amount in the anode electrode is 20 nm or more and 200 nm or less, and more preferably 20 nm or more and 100 nm or less.
  • the overlap amount of the uppermost AlGaN layer of the cathode electrode is 0.5 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less. That is, the leakage current can be reduced when the overlap length between the anode electrode and the surface of the uppermost AlGaN layer is smaller than the overlap length between the cathode electrode and the surface of the uppermost AlGaN layer.
  • the overlap length between the anode electrode and the surface of the uppermost AlGaN layer is not limited to the overlap length between the cathode electrode and the surface of the uppermost AlGaN layer.
  • the leakage current can also be reduced when the contact area with the surface is smaller than the contact area between the cathode electrode and the surface of the uppermost AlGaN layer.
  • FIG. 10 shows a modification of the second embodiment.
  • the channel layer 4 has a multi-channel structure in which a plurality of heterostructures made of AlGaN / GaN are stacked has been described.
  • the undoped AlGaN layer 4a is a single layer, a two-dimensional electron gas layer (not shown) is formed in the vicinity of the interface with the undoped GaN layer 3, and the channel layer 4 Schottky diode used as
  • the Schottky metal constituting the anode electrode 6 preferably contains at least one of nickel (Ni), palladium (Pd), and gold (Au).
  • the leakage current through the surface of the AlGaN layer of the anode electrode can be reduced, and as a result, the reverse leakage current can be reduced without deteriorating the forward characteristics. . Therefore, it is possible to realize a Schottky diode made of an excellent nitride semiconductor with low loss and low reverse leakage current.
  • the Schottky diode according to the present invention can realize a reduction in reverse leakage current without increasing the rising voltage, and is useful as a power device used in a power circuit of a consumer device such as a television. .
  • Substrate 2 Buffer layer 3 GaN layer 4 Channel layer 4a AlGaN layer 4b GaN layer 5 Block layer 6 Anode electrode 7 Cathode electrode 8 Recess region (step)

Abstract

　ショットキーダイオードは、基板（１）の上に形成されたＧａＮ層（４ｂ）及び該ＧａＮ層の上に形成され且つＧａＮ層と比べてバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ層（４ａ）を含む半導体層積層体と、該半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたアノード電極（６）及びカソード電極（７）と、それらの間の領域に、ＡｌＧａＮ層と接するように形成されたブロック層（５）とを有している。アノード電極の一部は、ＡｌＧａＮ層の表面と接しないように、ブロック層の上に形成されている。アノード電極とブロック層との障壁高さは、アノード電極とＡｌＧａＮ層との障壁高さよりも大きい。

Description

ショットキーダイオード
　本発明は、例えばパワーデバイスに適用可能なショットキーダイオードに関する。
　窒化ガリウム（ＧａＮ）に代表されるIII族窒化物半導体は、ＧａＮ及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のバンドギャップがそれぞれ室温で３．４ｅＶ、及び６．２ｅＶと大きいワイドギャップ半導体である。このため、絶縁破壊電界が大きく、電子の飽和ドリフト速度がヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）等の化合物半導体又はシリコン（Ｓｉ）半導体等と比べて大きいという特徴を有している。
　また、ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるへテロ構造において、結晶面が（０００１）面のヘテロ界面において自発分極及びピエゾ分極による電荷が生じ、アンドープであっても１×１０１３ｃｍ－２以上のシートキャリア濃度が得られる。これにより、ヘテロ界面での２次元電子ガス（２ＤＥＧ：2 Dimensional Electron Gas）を利用して、より電流密度が大きいダイオード又はヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ：Hetero-junction Field Effect Transistor）を実現することができる。このため、高出力化及び高耐圧化に有利な窒化物半導体を用いたパワーデバイスの研究及び開発が現在も活発に行われている。
　なお、例えば、一般式ＡｌＧａＮとは、３元混晶ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（但し、ｘは、０≦ｘ≦１である。）を表す。これと同様に、多元混晶は各構成元素の元素記号の配列、例えばＡｌＩｎＮ又はＧａＩｎＮ等でもって略記する。例えば、窒化物半導体ＡｌｘＧａ１－ｘ－ｙＩｎｙＮ（但し、ｘ，ｙは、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である。）は、ＡｌＧａＩｎＮと略記する。
　パワーデバイスとして用いられるダイオードの１つに、ショットキーダイオードがある。ＧａＮ系のダイオードにおいては、ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるへテロ構造を用いたショットキーダイオードが開発されている。ＧａＮ系のショットキーダイオードは、アンドープＡｌＧａＮ層とアンドープＧａＮ層との界面に発生する２次元電子ガス層をチャネルとして用いるため、大電流で且つ低抵抗な動作が可能である。
　一般に、ショットキーダイオードは、ｐｎダイオードと比べてスイッチング特性が優れるという長所がある一方、逆方向のリーク電流が大きいという短所がある。また、通常、デバイスの表面には、表面保護膜としてパッシベーション膜が形成される。パッシベーション膜は、表面準位の形成を抑制し、電流コラプスと呼ばれる順方向電流の低下を低減するという効果を有する。さらに、信頼性の点においても、不純物のデバイスへの侵入を防ぐという機能を有するため、デバイスの表面にパッシベーション膜を形成することは不可欠である。
特開２００９－０７６８６６号公報
　しかしながら、本願発明者らは、ＧａＮ系のショットキーダイオードにパッシベーション膜を形成すると、該ショットキーダイオードにおける逆方向のリーク電流が大幅に増加するという現象を見出した。この現象は、パッシベーション膜とアンドープのアルミニウムガリウム（ｉ－ＡｌＧａＮ）との界面にリークパスが形成されることによると考えられる。
　このように、ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるヘテロ構造を有するショットキーダイオードにおいては、逆方向のリーク電流を低減することが課題であり、特にパッシベーション膜を形成した後のリーク電流の低減が大きな問題である。
　本発明は、前記の問題に鑑み、窒化物半導体からなるショットキーダイオードにおいて、立ち上がり電圧を上昇させることなく、逆方向のリーク電流を低減できるようにすることを目的とする。
　前記の目的を達成するため、本発明は、窒化物半導体からなるショットキーダイオードを、アノードとｉ－ＡｌＧａＮ層の表面との間にブロック層を介在させる構成とする。
　具体的に、本発明に係る第１のショットキーダイオードは、基板と、基板の上に形成された第１の窒化物半導体層、及び該第１の窒化物半導体層の上に形成され且つ第１の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層を含む半導体層積層体と、半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたアノード電極及びカソード電極と、アノード電極とカソード電極との間の領域に、第２の窒化物半導体層と接するように形成されたブロック層とを備え、アノード電極の一部は、第２の窒化物半導体層の表面と接しないようにブロック層の上に形成されており、アノード電極とブロック層との障壁高さ（ポテンシャル障壁の高さ、以下同じ）は、アノード電極と第２の窒化物半導体層との障壁高さよりも大きい。
　本発明の第１のショットキーダイオードによると、アノード電極とカソード電極との間の領域に、第２の窒化物半導体層と接するように形成されたブロック層を備え、且つ、アノード電極の一部は、第２の窒化物半導体層の表面と接しないようにブロック層の上に形成される。さらに、アノード電極とブロック層との障壁高さは、アノード電極と第２の窒化物半導体層との障壁高さよりも大きい。この構成により、ブロック層が界面リーク電流のブロック層として働くため、パッシベーション膜を半導体層積層体及び各電極の上に形成した場合であっても、逆方向のリーク電流を抑制することができる。
　本発明の第１のショットキーダイオードにおいて、半導体層積層体は、第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とを複数層含み、第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とは交互に積層されていてもよい。
　このようにすると、それぞれが複数の第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とからマルチチャネル構造が形成されるため、順方向電流を増加することができる。従って、低抵抗で且つ逆方向のリーク電流が大幅に低減されたショットキーダイオードを実現することができる。
　本発明の第１のショットキーダイオードにおいて、半導体層積層体は、第２の窒化物半導体層の一部が除去されて第１の窒化物半導体層を露出する段差部を有し、アノード電極は、段差部を覆うと共にブロック層と接するように形成されていてもよい。
　このようにすると、アノード電極を第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とから生じる２次元電子ガスと直接に接触させることができるため、ダイオードの立ち上り電圧を低減することが可能となる。これにより、立ち上り電圧が低く且つ逆方向のリーク電流が大幅に低減されたショットキーダイオードを実現することができる。
　本発明の第１のショットキーダイオードにおいて、ブロック層は絶縁体からなっていてもよい。絶縁体には、窒化シリコン若しくは酸化シリコン等の無機材料、又はポリイミド若しくはポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等の有機材料を用いることができる。
　また、本発明の第１のショットキーダイオードにおいて、ブロック層は半導体からなっていてもよい。半導体には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いることができる。
　本発明に係る第２のショットキーダイオードは、基板と、基板の上に形成された第１の窒化物半導体層、及び該第１の窒化物半導体層の上に形成され且つ第１の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層を含む半導体層積層体と、半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたアノード電極及びカソード電極とを備え、半導体層積層体は、第２の窒化物半導体層の一部が除去されて第１の窒化物半導体層を露出する第１の段差部及び第２の段差部を有し、アノード電極及びカソード電極は、第１の段差部及び第２の段差部をそれぞれ覆うように形成され、アノード電極における第２の窒化物半導体層の表面とのオーバラップ長は、カソード電極における第２の窒化物半導体層の表面とのオーバラップ長よりも短い。
　本発明の第２のショットキーダイオードによると、アノード電極及びカソード電極は、第１の段差部及び第２の段差部をそれぞれ覆うように形成され、且つ、アノード電極における第２の窒化物半導体層の表面とのオーバラップ長は、カソード電極における第２の窒化物半導体層の表面とのオーバラップ長よりも短い。このため、アノード電極の第２の窒化物半導体層の表面を介したリーク電流を低減することができる。従って、逆方向のリーク電流が大幅に低減され、且つ、立ち上り電圧が低いショットキーダイオードを実現することができる。
　本発明の第２のショットキーダイオードにおいて、半導体層積層体は、第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とを複数層含み、第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とは交互に積層されていてもよい。
　このようにすると、それぞれが複数の第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とからマルチチャネル構造が形成されるため、順方向電流を増加することができる。従って、低抵抗で且つ逆方向のリーク電流が大幅に低減されたショットキーダイオードを実現できる。
　本発明に係るショットキーダイオードによると、立ち上がり電圧を上昇させることなく、逆方向のリーク電流を低減することができる。
図１は本発明の第１の実施形態に係るショットキーダイオードを示す断面図である。 図２は本発明の第１の実施形態に係るショットキーダイオードにおける逆方向のリーク電流と印加電圧との関係を示すグラフである。 図３は本発明の第１の実施形態の第１変形例に係るショットキーダイオードを示す断面図である。 図４は本発明の第１の実施形態の第２変形例に係るショットキーダイオードを示す断面図である。 図５は本発明の第１の実施形態の第３変形例に係るショットキーダイオードを示す断面図である。 図６は本発明の第１の実施形態の第４変形例に係るショットキーダイオードを示す断面図である。 図７は本発明の第１の実施形態の第５変形例に係るショットキーダイオードを示す断面図である。 図８は本発明の第２の実施形態に係るショットキーダイオードを示す断面図である。 図９は本発明の第２の実施形態に係るショットキーダイオードにおける逆方向のリーク電流のアノード電極とＡｌＧａＮ層の表面とのオーバラップ長依存性を示すグラフである。 図１０は本発明の第２の実施形態の一変形例に係るショットキーダイオードを示す断面図である。
　（第１の実施形態）
　本発明の第１の実施形態について図１を参照しながら説明する。
　図１に示すように、第１の実施形態に係る、窒化物半導体デバイスであるショットキーダイオードは、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる基板１の上に順次形成された、厚さが２００ｎｍのアンドープのＡｌＮからなるバッファ層２と、厚さが２μｍのアンドープのＧａＮ層３と、マルチチャネル構造を持つチャネル層４とから構成される半導体層積層体を有している。なお、基板１には、シリコンに代えて、サファイア（単結晶Ａｌ２Ｏ３）、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等を用いることができる。
　本明細書においては、アンドープの窒化物半導体とは、該窒化物半導体に導電型を決定する不純物が意図的に導入されていない半導体をいう。
　チャネル層４は、厚さが２５ｎｍのアンドープのＡｌＧａＮ層４ａと、厚さが２２０ｎｍ程度のアンドープのＧａＮ層４ｂとを交互に積層して形成されている。ＡｌＧａＮ層４ａにおけるＡｌ組成は、０．２５である。また、ＧａＮ層４ｂの層厚は、５００ｎｍ程度としてもよい。
　第１の実施形態の特徴として、半導体層積層体、すなわちチャネル層４の表面上には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）若しくは酸化チタン（ＴｉＯ２）等の半導体、又は窒化シリコン（ＳｉＮ）若しくは酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の絶縁体からなり、厚さが２００ｎｍのブロック層５が形成されている。
　半導体層積層体における一方の端部にはアノード電極６が形成されている。また、他方の端部には、カソード電極７が半導体層積層体のＧａＮ層３に達するリセス領域（段差部）８の一側面を覆うように形成されている。
　アノード電極６は、半導体層積層体の上のブロック層５をエッチングして、最上層のＡｌＧａＮ層４ａの表面と接するように形成されている。ここで、アノード電極６は、例えば、厚さが２００ｎｍのニッケル（Ｎｉ）又はパラジウム（Ｐｄ）からなり、電子に対してショットキー接触する金属を用いている。
　さらに、アノード電極６は、カソード電極７と対向する側の端部が、ブロック層５の端部の上に重なるように形成されている。
　一方、カソード電極７は、例えば、厚さが２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）と厚さが２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）との積層構造（Ｔｉ／Ａｌ）からなり、２次元電子ガス層に対してオーミック接触するように形成されている。これにより、コンタクト抵抗を低減することができる。なお、リセス領域８は必ずしも設けなくても構わない。
　なお、アノード電極６とカソード電極７との互いの対向面同士の間隔は、例えば１０μｍ～１５μｍである。
　ここで、半導体層積層体におけるアノード電極６とカソード電極７との間に、ブロック層５を設ける際の重要な点は、該ブロック層５とアノード電極６と間の障壁高さを、アノード電極６とＡｌＧａＮ／ＧａＮとの障壁高さよりも大きくすることにある。
　なお、ブロック層５は、上述した半導体又は絶縁体に限られず、ｎ型ＡｌＧａＮ、アンドープのＡｌＧａＮ、ｐ型ＡｌＧａＮ、酸化ニッケル（ＮｉＯ）若しくは酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の半導体材料、又はポリイミド若しくはＰＢＯ等の有機絶縁材料を用いてもよい。これにより、パッシベーション膜と半導体層積層体の最表面のＡｌＧａＮ層４ａとの界面に発生するリークパスをブロック層５によって遮断することができるため、逆方向のリーク電流を低減することができる。
　図２に第１の実施形態に係るショットキーダイオードにおける逆方向のリーク電流の測定結果を示す。ここで、図２の横軸は印加電圧（逆方向電圧、単位はＶ）を表し、縦軸は単位長さ当たりの電流量（単位はＡ／ｍｍ）を表す。また、図２において、グラフＡは、本発明に係るショットキーダイオードのリーク電流量を表し、グラフＢは、比較例であって、ブロック層を設けないショットキーダイオードのリーク電流量を表す。なお、本発明のショットキーダイオードと比較例のショットキーダイオードとの、いずれにも窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなるパッシベーション膜が形成された状態で測定している。
　図２に示すように、本発明に係るショットキーダイオードのリーク電流は、比較例に係るショットキーダイオードのリーク電流よりも小さく、印加電圧が大きくなるにつれてその差が顕著となる。印加電圧が１００Ｖ以上では、本発明に係るショットキーダイオードのリーク電流は、比較例に係るショットキーダイオードのリーク電流の約１００分の１となっている。この結果より、本発明に係るショットキーダイオードは、逆方向のリーク電流を低減できることが分かる。
　（第１の実施形態の第１変形例）
　図３に第１の実施形態の第１変形例を示す。
　図１に示す第１の実施形態においては、チャネル層４として、ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるヘテロ構造を複数積層したマルチチャネル構造の場合を説明した。
　図３に示す第１変形例においては、アンドープのＡｌＧａＮ層４ａを単層とし、アンドープのＧａＮ層３との界面の近傍に２次元電子ガス層（図示せず）を形成し、それをチャネル層４として用いたショットキーダイオードである。
　第１変形例に係るショットキーダイオードにおいても、図１に示すショットキーダイオードと同様の効果を得ることができる。
　（第１の実施形態の第２変形例）
　図４に第１の実施形態の第２変形例を示す。
　図４に示すように、第２変形例においては、アノード電極６を、カソード電極７と同様にブロック層５及びチャネル層４を貫通し、アンドープのＧａＮ層３にまで達するように形成されたリセス領域８の一側面を覆うように形成されている。
　第２変形例に係るショットキーダイオードは、図１に示すショットキーダイオードと同様の効果を有するだけでなく、さらに、アノード電極６がチャネル層４と直接に接触するため、順方向の立ち上り電圧を低減することができる。
　その上、アノード電極６と、最上層のＡｌＧａＮ層４ａの表面との接触を排除できるため、逆方向のリーク電流のさらなる低減が可能となる。
　（第１の実施形態の第３変形例）
　図５に第１の実施形態の第３変形例を示す。
　図５に示すように、第３変形例においては、図３に示す第１変形例に係る単層のＡｌＧａＮ層４ａを有するショットキーダイオードにおいて、アノード電極６をリセス領域８の一側面を覆う構成としている。
　第３変形例に係るショットキーダイオードは、図３に示すショットキーダイオードと同様の効果を有するだけでなく、さらに、アノード電極６がチャネル層４と直接に接触するため、順方向の立ち上り電圧を低減することができる。
　その上、アノード電極６と、ＡｌＧａＮ層４ａの表面との接触を排除できるため、逆方向のリーク電流のさらなる低減が可能となる。
　（第１の実施形態の第４変形例）
　図６に第１の実施形態の第４変形例を示す。
　図６に示すように、第４変形例においては、ブロック層５が最上層のＡｌＧａＮ層４ａの一部を覆う構成としている。この場合にも、アノード電極６と最上層のＡｌＧａＮ層４ａとの接触がブロック層５によって阻止されている必要がある。
　第４変形例に係るショットキーダイオードにおいても、図１に示すショットキーダイオードと同様の効果を得ることができる。
　なお、リセス領域８は、アノード電極６及びカソード電極７のいずれにおいても、必ずしも設ける必要はない。
　（第１の実施形態の第５変形例）
　図７に第１の実施形態の第５変形例を示す。
　図７に示すように、第５変形例においては、図５に示す第３変形例において、ブロック層５がＡｌＧａＮ層４ａの一部を覆う構成としている。この場合にも、アノード電極６とＡｌＧａＮ層４ａとの接触がブロック層５によって阻止されている必要がある。
　第５変形例に係るショットキーダイオードにおいても、図５に示すショットキーダイオードと同様の効果を得ることができる。
　第４変形例及び第５変形例においては、逆バイアス時にはブロック層５によってパッシベーション膜と最上層のＡｌＧａＮ層４ａとの界面リークを遮断することができるため、順方向特性を悪化させることなく、逆方向のリーク電流を低減することができる。従って、低損失で且つ逆方向のリーク電流が少ない優れた窒化物半導体からなるショットキーダイオードを実現することができる。
　（第２の実施形態）
　以下、本発明の第２の実施形態について図８を参照しながら説明する。
　図８に示すように、第２の実施形態に係る、窒化物半導体デバイスであるショットキーダイオードは、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる基板１の上に順次形成された、厚さが２００ｎｍのアンドープのＡｌＮからなるバッファ層２と、厚さが２μｍのアンドープのＧａＮ層３と、マルチチャネル構造を持つチャネル層４とから構成される半導体層積層体を有している。なお、基板１には、シリコンに代えて、サファイア（単結晶Ａｌ２Ｏ３）、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等を用いることができる。
　チャネル層４は、厚さが２５ｎｍのアンドープのＡｌＧａＮ層４ａと、厚さが２２０ｎｍ程度のアンドープのＧａＮ層４ｂとを交互に複数層を積層して形成されている。ＡｌＧａＮ層４ａにおけるＡｌ組成は、０．２５である。
　半導体層積層体における両端部には、アノード電極６及びカソード電極７が、それぞれ半導体層積層体のＧａＮ層３に達するリセス領域（段差部）８の一側面を覆うように形成されている。
　アノード電極６は、例えば、厚さが２００ｎｍのニッケル（Ｎｉ）又はパラジウム（Ｐｄ）からなり、電子に対してショットキー接触する金属を用いている。これにより、２次元電子ガスとアノード電極６とが直接に接触できるため、順方向の立ち上り電圧を低くすることができる。
　一方、カソード電極７は、例えば、厚さが２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）と厚さが２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）との積層構造（Ｔｉ／Ａｌ）からなり、２次元電子ガス層に対してオーミック接触するように形成されている。これにより、コンタクト抵抗を低減することができる。ここで、アノード電極６とカソード電極７との互いの対向面同士の間隔は、例えば１０μｍ～１５μｍである。なお、カソード電極７においては、リセス領域８は必ずしも設けなくてもよい。
　第２の実施形態に係るショットキーダイオードにおける重要な点は、アノード電極６と最上層のＡｌＧａＮ層４ａの表面との接触面積が、カソード電極７と最上層のＡｌＧａＮ層４ａの表面との接触面積よりも小さいことにある。
　言い換えれば、アノード電極６と最上層のＡｌＧａＮ層４ａの表面とのオーバラップ長が、カソード電極７と最上層のＡｌＧａＮ層４ａの表面とのオーバラップ長よりも小さいことが重要である。このようにすると、アノード電極６の最上層のＡｌＧａＮ層４ａの表面を介したリーク電流を低減できるため、逆方向のリーク電流を低減することができる。
　図９に第２の実施形態に係るショットキーダイオードにおけるアノード電極６と最上層のＡｌＧａＮ層４ａの表面とのオーバラップ長との関係を示す。
　図９において、横軸は最上層のＡｌＧａＮ層の端部を原点として最上層のＡｌＧａＮ層の表面に沿う方向を正としたときのアノード電極のオーバラップ長（単位はμｍ）を表す。また、縦軸は単位長さ当たりの逆方向のリーク電流量（単位はＡ／ｍｍ）を表す。なお、ショットキーダイオードに印加される電圧（逆方向電圧）は、２００Ｖとしている。図９に示すように、アノード電極と最上層のＡｌＧａＮ層の表面とのオーバラップ長が小さい程、逆方向リーク電流量が小さくなることが分かる。これは、アノード電極と最上層のＡｌＧａＮ層の表面とのオーバラップ長が小さくなることにより、アノード電極の最上層のＡｌＧａＮ層の表面を介したリーク電流が低減されると考えられる。
　図９から分かるように、アノード電極のＡｌＧａＮ層とのオーバラップ量は、リーク電流の低減にとって、できるだけ小さい方が好ましい。例えば、アノード電極において最適なオーバラップ量は２００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。但し、マスクの合わせずれ等のプロセス上の理由により、オーバラップ長を０とすることは実現が困難であるため、アノード電極のＡｌＧａＮ層とのオーバラップ量は、２０ｎｍ以上であることが好ましい。すなわち、アノード電極において最適なオーバラップ量は、２０ｎｍ以上且つ２００ｎｍ以下であり、より好ましくは２０ｎｍ以上且つ１００ｎｍ以下である。
　これに対し、カソード電極の最上層のＡｌＧａＮ層とのオーバラップ量は、０．５μｍ以上且つ１μｍ以下である。すなわち、アノード電極と最上層のＡｌＧａＮ層の表面とのオーバラップ長が、カソード電極と最上層のＡｌＧａＮ層の表面とのオーバラップ長よりも小さい場合に、リーク電流の低減が可能となる。
　なお、アノード電極と最上層のＡｌＧａＮ層の表面とのオーバラップ長が、カソード電極と最上層のＡｌＧａＮ層の表面とのオーバラップ長よりも小さい場合に限らず、アノード電極と最上層のＡｌＧａＮ層の表面との接触面積が、カソード電極と最上層のＡｌＧａＮ層の表面との接触面積よりも小さい場合にも、リーク電流の低減が可能である。
　（第２の実施形態の一変形例）
　図１０に第２の実施形態の一変形例を示す。
　図８に示す第２の実施形態においては、チャネル層４として、ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるヘテロ構造を複数積層したマルチチャネル構造の場合を説明した。
　図１０に示す一変形例においては、アンドープのＡｌＧａＮ層４ａを単層とし、アンドープのＧａＮ層３との界面の近傍に２次元電子ガス層（図示せず）を形成し、それをチャネル層４として用いたショットキーダイオードである。
　本変形例に係るショットキーダイオードにおいても、図８に示すショットキーダイオードと同様の効果を得ることができる。
　ところで、アノード電極６を構成するショットキーメタルには、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）及び金（Ａｕ）のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。
　第２の実施形態及びその変形例によると、アノード電極のＡｌＧａＮ層の表面を介したリーク電流を低減でき、その結果、順方向特性を悪化させることなく逆方向のリーク電流を低減することができる。従って、低損失で且つ逆方向のリーク電流が少ない優れた窒化物半導体からなるショットキーダイオードを実現することが可能となる。
　本発明に係るショットキーダイオードは、立ち上がり電圧を上昇させることなく、逆方向のリーク電流の低減を実現することができ、テレビ等の民生機器の電源回路等で用いられるパワーデバイス等として有用である。
１　　基板
２　　バッファ層
３　　ＧａＮ層
４　　チャネル層
４ａ　ＡｌＧａＮ層
４ｂ　ＧａＮ層
５　　ブロック層
６　　アノード電極
７　　カソード電極
８　　リセス領域（段差部）

Claims (7)

  1. 　基板と、
    　前記基板の上に形成された第１の窒化物半導体層、及び該第１の窒化物半導体層の上に形成され且つ前記第１の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層を含む半導体層積層体と、
    　前記半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたアノード電極及びカソード電極と、
    　前記アノード電極と前記カソード電極との間の領域に、前記第２の窒化物半導体層と接するように形成されたブロック層とを備え、
    　前記アノード電極の一部は、前記第２の窒化物半導体層の表面と接しないように、前記ブロック層の上に形成されており、
    　前記アノード電極と前記ブロック層との障壁高さは、前記アノード電極と前記第２の窒化物半導体層との障壁高さよりも大きいショットキーダイオード。
  2. 　請求項１において、
    　前記半導体層積層体は、前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層とを複数層含み、
    　前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層とは交互に積層されているショットキーダイオード。
  3. 　請求項１又は２において、
    　前記半導体層積層体は、前記第２の窒化物半導体層の一部が除去されて前記第１の窒化物半導体層を露出する段差部を有し、
    　前記アノード電極は、前記段差部を覆うと共に前記ブロック層と接するように形成されているショットキーダイオード。
  4. 　請求項１～３のいずれか１項において、
    　前記ブロック層は、絶縁体からなるショットキーダイオード。
  5. 　請求項１～３のいずれか１項において、
    　前記ブロック層は、半導体からなるショットキーダイオード。
  6. 　基板と、
    　前記基板の上に形成された第１の窒化物半導体層、及び該第１の窒化物半導体層の上に形成され且つ前記第１の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層を含む半導体層積層体と、
    　前記半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたアノード電極及びカソード電極とを備え、
    　前記半導体層積層体は、前記第２の窒化物半導体層の一部が除去されて前記第１の窒化物半導体層を露出する第１の段差部及び第２の段差部を有し、
    　前記アノード電極及びカソード電極は、前記第１の段差部及び第２の段差部をそれぞれ覆うように形成され、
    　前記アノード電極における前記第２の窒化物半導体層の表面とのオーバラップ長は、前記カソード電極における前記第２の窒化物半導体層の表面とのオーバラップ長よりも短いショットキーダイオード。
  7. 　請求項６において、
    　前記半導体層積層体は、前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層とを複数層含み、
    　前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層とは交互に積層されているショットキーダイオード。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103208534A (zh) * 2013-04-03 2013-07-17 上海安微电子有限公司 一种制程简化的肖特基器件及制造方法
WO2014136250A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 株式会社日立製作所 窒化物半導体ダイオード
WO2015059854A1 (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ゲート駆動装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5506258B2 (ja) * 2008-08-06 2014-05-28 キヤノン株式会社 整流素子
CN104617160B (zh) * 2015-01-28 2017-07-11 工业和信息化部电子第五研究所 肖特基二极管及其制造方法
CN111670501A (zh) * 2020-04-22 2020-09-15 英诺赛科（珠海）科技有限公司 具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法
CN112768512A (zh) * 2021-01-13 2021-05-07 西安电子科技大学 基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法
CN113964192A (zh) * 2021-09-06 2022-01-21 西安电子科技大学 基于非极性GaN的肖特基二极管及其制备方法
CN114023808A (zh) * 2021-11-04 2022-02-08 西安电子科技大学 带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管及制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006279032A (ja) * 2005-03-02 2006-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2011010419A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置
JP2011054845A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Panasonic Corp 窒化物半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7821030B2 (en) 2005-03-02 2010-10-26 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4755961B2 (ja) * 2006-09-29 2011-08-24 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置及びその製造方法
JP2009076866A (ja) * 2007-08-31 2009-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd ショットキーバリアダイオード
JP5566618B2 (ja) * 2008-03-07 2014-08-06 古河電気工業株式会社 ＧａＮ系半導体素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006279032A (ja) * 2005-03-02 2006-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2011010419A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置
JP2011054845A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Panasonic Corp 窒化物半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014136250A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 株式会社日立製作所 窒化物半導体ダイオード
CN103208534A (zh) * 2013-04-03 2013-07-17 上海安微电子有限公司 一种制程简化的肖特基器件及制造方法
WO2015059854A1 (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ゲート駆動装置

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