JP5597581B2 - 窒化物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
その一つとして、窒化物半導体である窒化ガリウム(GaN)と、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)と、を積層したヘテロ接合を形成すると、その界面に2次元電子ガス(2DEG)が発生することが知られている。この2DEGをチャネルとして利用するヘテロ構造電界効果型トランジスタ(HFET:Hetero-structure Field Effect Transistor)は、高耐圧、低オン抵抗の特性を有する。
第1半導体層は、窒化物半導体を含む。
第2半導体層は、前記第1半導体層の上に設けられる。第2半導体層は、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含む。第2半導体層は、凹部の少なくとも一部を有する。
第1電極は、前記凹部内に設けられる。
第2電極は、前記第2半導体層の上に設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続される。
第3電極は、前記第2半導体層の上において、前記第2電極とのあいだに前記第1電極をはさむように設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続される。
第1絶縁膜は、酸素を含有する膜である。第1絶縁膜は、前記第1電極と前記凹部の内壁とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられ、及び前記第1電極と前記第2電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられ、前記第3電極と離間して設けられ、前記第1電極によって前記第3電極側の端部が覆われる。
第2絶縁膜は、窒素を含有する膜である。第2絶縁膜は、前記第1電極と前記第3電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられる。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
図2は、第1実施形態に係る窒化物半導体装置の模式的平面図である。
図1は、図2に示したA−A’線矢視の模式的断面図である。
実施形態では、窒化物半導体として、GaN及びAlGaNのIII−V族窒化物半導体を例とする。
第1半導体層3には、アンドープのAlXGa1−XN(0≦X≦1)が用いられる。ここで、アンドープとは、意図的に不純物をドープしていない状態を言う。一例として、実施形態では、第1半導体層3は、GaNである。第1半導体層3は、チャネル層として機能する。
第1絶縁膜6には、例えば酸化シリコン(SiO2)が用いられる。
第2絶縁膜5には、例えば窒化シリコン(SiNx)が用いられる。
例えば、ゲート絶縁膜であるSiO2と第2半導体層4である窒化物半導体(GaNまたはAlGaN)との界面を安定化させるためには、例えば600℃以上の熱処理を必要とする。この熱処理の際、SiO2の酸素がSiNxの膜内に拡散することがある。
図3に表したように、この窒化物半導体装置111では、図1に表した窒化物半導体装置110に比べて、第1絶縁膜61の第3電極8側の端部61aが相違する。
窒化物半導体装置111の第1絶縁膜61では、第3電極8側の端部61aが第2絶縁膜5の上に設けられていない。第1絶縁膜61は、孔部4aの内壁に沿って形成され、第3電極8側においては、内壁を立ち上がった状態で第2絶縁膜5側に被せられることなく設けられている。
図4に表したように、この窒化物半導体装置112では、図1に表した窒化物半導体装置110に比べて、第1電極10の端部の形状が相違する。
すなわち、窒化物半導体装置112の第1電極10の端部10aは、第3電極8側に延伸されており、第1絶縁膜6の端部6aを覆うように設けられている。
すなわち、ゲート電極である第1電極10と、ドレイン電極である第3電極8との間に印加された電界は、第1電極10の第3電極8側の端部10aに集中する。一方、第1絶縁膜6の第3電極8側の端部6aは、第2絶縁膜5の上に被せられている。この第1絶縁膜6の端部6aでは、SiO2の酸素の影響が窒化物半導体である第2半導体層4に及ぶ可能性があり、ここに高電界がかかると電流コラプスの原因につながる。
図5に表したように、この窒化物半導体装置113では、図1に表した窒化物半導体装置110に比べて、第4電極11が追加されている点で相違する。
すなわち、第4電極11は、第1絶縁膜6の端部6aを覆うように設けられている。第4電極11は、ゲート電極である第1電極10と離間しているが、電気的に導通している。
図6は、第2実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
図6に表したように、第2実施形態に係る窒化物半導体装置120は、第1半導体層3と、第2半導体層4と、第1電極10と、第2電極7と、第3電極8と、第1絶縁膜6と、第2絶縁膜5と、を備える。
第2実施形態に係る窒化物半導体装置120では、第1絶縁膜6が、第1電極10と第2電極7とのあいだにおいて、第2半導体層4に接して設けられている。
本実施形態のように、第1電極10と第2電極7とのあいだにおいて、第2半導体層4と接する絶縁膜を、SiO2である第1絶縁膜6にすることで、SiNxの場合に比べて上記ヒステリシスの影響を抑制することができる。
図7は、第3実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
図7に表したように、第3実施形態に係る窒化物半導体装置130では、図1に表した窒化物半導体装置110と比べて、第1電極10と第2電極7とのあいだの絶縁膜が相違する。
すなわち、窒化物半導体装置130では、第1電極10と第2電極7とのあいだに設けられた第1絶縁膜6が、第2半導体層4に接して設けられている。
第4実施形態は、第1実施形態に係る窒化物半導体装置110、111、112及び113の製造方法である。なお、ここでは、一例として窒化物半導体装置112の製造方法について説明する。
図8〜図9は、窒化物半導体装置112の製造方法の一例を順に説明する模式的断面図である。
また、第2半導体層4の上に、第2絶縁膜5であるSiNxを形成する。第2絶縁膜5の厚さは、例えば10ナノメートル(nm)〜20nm程度である。
第2電極7及び第3電極8を形成した後は、素子領域の周辺に素子分離領域(図示せず)を形成する。
第5実施形態は、第2実施形態に係る窒化物半導体装置120の製造方法である。
図10〜図11は、窒化物半導体装置120の製造方法の一例を順に説明する模式的断面図である。
第2電極7及び第3電極8を形成した後は、素子領域の周辺に素子分離領域(図示せず)を形成する。
第6実施形態は、第3実施形態に係る窒化物半導体装置130の製造方法である。
図12は、窒化物半導体装置130の製造方法の一例を順に説明する模式的断面図である。
第6実施形態に係る製造方法では、第5実施形態に係る製造方法のうち、図10(a)〜(d)に例示した工程は同様であるため、次の工程から説明を行う。
第2電極7及び第3電極8を形成した後は、素子領域の周辺に素子分離領域(図示せず)を形成する。
Claims (10)
- 窒化物半導体を含む第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含み、凹部の少なくとも一部を有する第2半導体層と、
前記凹部内に設けられた第1電極と、
前記第2半導体層の上に設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
前記第2半導体層の上において、前記第2電極とのあいだに前記第1電極をはさむように設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された第3電極と、
酸素を含有する膜であって、前記第1電極と前記凹部の内壁とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられ、及び前記第1電極と前記第2電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられ、前記第3電極と離間して設けられ、前記第1電極によって前記第3電極側の端部が覆われた第1絶縁膜と、
窒素を含有する膜であって、前記第1電極と前記第3電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられた第2絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 前記第1電極は、
前記凹部内に設けられた第1部分と、
前記第1部分に導通し、前記第1部分とは離間し、前記第1絶縁膜の前記第3電極側の前記端部を覆う第2部分と、
を有する請求項1に記載の窒化物半導体装置。 - 前記第1電極、前記第2電極及び前記第3電極のそれぞれは複数設けられ、
前記複数の第2電極と、前記複数の第3電極と、は互いに交互に配置され、
前記複数の第1電極のそれぞれは、前記第2電極と前記第3電極とのあいだで前記第2電極側に寄った位置に配置される請求項1または2に記載の窒化物半導体装置。 - 前記複数の第1電極と導通する第1パッドと、
前記複数の第2電極と導通する第2パッドと、
前記複数の第3電極と導通する第3パッドと、
をさらに備え、
前記複数の第2電極は、前記第2パッドから第1方向に延出し、
前記複数の第3電極は、前記第3パッドから前記第1方向とは反対の第2方向に延出する請求項3記載の窒化物半導体装置。 - 前記第1絶縁膜は、前記第1電極と前記第3電極とのあいだにわたって設けられている請求項1〜4のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1絶縁膜は、酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。
- 前記第2絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1半導体層は、Al x Ga 1−x N(0≦X≦1)を含み、
前記第2半導体層は、Al Y Ga 1−Y N(0≦Y≦1、X≦Y)を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。 - 支持基板上に、窒化物半導体を含む第1半導体層を形成し、前記第1半導体層の上に、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第2半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層の上に、窒素を含有する第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜の一部を除去し、前記第2絶縁膜が除去された部分の前記第2半導体層の一部を除去して凹部を形成する工程と、
前記凹部の内壁、前記凹部からみた一方の側に設けられた前記第2絶縁膜及び前記凹部からみた他方の側の前記第2半導体層を覆い、前記第2半導体層に接するように、酸素を含有する第1絶縁膜を形成する工程と、
前記凹部の前記他方の側に前記第2半導体層と電気的に接続した第2電極を形成し、前記凹部の前記一方の側に前記第2半導体層と電気的に接続した第3電極を形成する工程と、
前記凹部内に前記第1絶縁膜を介して第1電極を形成し、前記第1絶縁膜の前記第3電極側の端部を覆う前記第1電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記第3電極を、前記第1絶縁膜と離間して形成する請求項9記載の窒化物半導体装置の製造方法。
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