JP6161887B2 - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態では、化合物半導体装置として、窒化物半導体のAlGaN/GaN・HEMTを開示する。
図1〜図3は、第1の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
化合物半導体積層構造2は、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eを有して構成される。
SiC基板1上に、AlNを100nm程度の厚みに、i(インテンショナリ・アンドープ)−GaNを3μm程度の厚みに、i−AlGaNを5nm程度の厚みに、Al組成が例えば20%程度のn−AlGaNを30nm程度の厚みに、n−GaNを10nm程度の厚みに順次成長する。これにより、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eが形成される。バッファ層2aとしては、AlNの代わりにAlGaNを用いたり、低温成長でGaNを成長するようにしても良い。
詳細には、化合物半導体積層構造2の素子分離領域に、例えばアルゴン(Ar)を注入する。これにより、化合物半導体積層構造2の少なくとも電子走行層2bに素子分離構造が形成される。素子分離構造により、化合物半導体積層構造2上で活性領域が画定される。
なお、素子分離は、上記の注入法の代わりに、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法を用いて行っても良い。このとき、化合物半導体積層構造2のドライエッチングには、例えば塩素系のエッチングガスを用いる。
詳細には、化合物半導体積層構造2上に、プラズマCVD法又はスパッタ法等により、シリコン窒化物(SiN)を10nm程度〜5000nm程度、例えば100nm程度の厚みに堆積する。これにより、シリコン窒化膜3が形成される。シリコン窒化膜3は、SiN組成がSi3N4よりもSiリッチの状態に形成されている。これにより、後述する熱処理により、シリコン窒化膜3のSiの拡散が促進される。具体的には、Si3+xN4-xとして、0≦x≦1の条件を満たすようにシリコン窒化膜3を形成する。このようにSiリッチの状態にシリコン窒化膜3を形成するには、成膜条件として、例えば成膜時に用いるソースガスであるSiH4/NH3の比率が1以上となるようにすれば良い。
詳細には、先ず、シリコン窒化膜3の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、ソース電極の形成予定領域及びドレイン電極の形成予定領域に相当するシリコン窒化膜3の表面を露出する各開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。
詳細には、シリコン窒化膜3の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに電極用リセス3a,3bを露出する各開口を形成する。以上により、当該各開口を有するレジストマスクが形成される。
詳細には、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において400℃〜900℃程度の温度、例えば580℃程度で熱処理する。これにより、ソース電極4及びドレイン電極5のTi/Alがキャップ層2eとオーミック接触し、オーミック特性が確立する。これと同時に、当該熱処理により、ソース電極4及びドレイン電極5とシリコン窒化膜3との接触部位において、ソース電極4及びドレイン電極5のAlとシリコン窒化膜3のSi,Nとが相互拡散する。これにより、ソース電極4及びドレイン電極5の下部からシリコン窒化膜3の一部に亘ってAl−Si−N化合物を含有するAl−Si−N層6が形成される。
x+y+z=1、且つ、0<x<1
を満たし、更に、
0<y<1、且つ、0<z<1
を満たす化合物である。
詳細には、シリコン窒化膜3の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、ソース電極4とドレイン電極5との間の領域を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
詳細には、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、ソース電極4とドレイン電極5との間の領域を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
SiNは、化合物半導体積層構造2を覆うパッシベーション膜に用いることにより、電流コラプスを低減することができる。
詳細には、先ず、保護絶縁膜7の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、ゲート電極の形成予定領域に相当する保護絶縁膜7の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。
詳細には、先ず、保護絶縁膜7上にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに電極用リセス7aを露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
比較例のAlGaN/GaN・HEMTは、図4(a)に示すように、本実施形態と同様にSiC基板1、化合物半導体積層構造2を有する。化合物半導体積層構造2上にソース電極102、ドレイン電極103、ゲート電極104が形成され、化合物半導体積層構造2を覆うSiNの保護絶縁膜101が形成されている。
本実施形態では、第1の実施形態と同様にAlGaN/GaN・HEMTの構成及び製造方法を開示するが、Al−Si−N層の態様が異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態の構成部材等と同一のものについては、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図7及び図8は、第2の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
詳細には、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において、第1の実施形態でAl−Si−N層6を形成する場合よりも高い900℃〜1200℃程度の温度、例えば900℃程度で熱処理する。これにより、ソース電極4及びドレイン電極5のTi/Alが電子供給層2dとオーミック接触し、オーミック特性が確立する。これと同時に、当該熱処理により、ソース電極4及びドレイン電極5とシリコン窒化膜3との接触部位において、ソース電極4及びドレイン電極5のAlとシリコン窒化膜3のSi,Nとが相互拡散する。これにより、ソース電極4及びドレイン電極5の下部からシリコン窒化膜3の一部に亘ってAl−Si−N化合物を含有するAl−Si−N層11が形成される。本実施形態では、第1の実施形態の場合よりも高温で熱処理するため、Al−Si−N層11におけるAl,Si,Nの相互拡散の分布が第1の実施形態のAl−Si−N層6よりも広い。
x+y+z=1、且つ、0<x<1
を満たし、更に、
0<y<1、且つ、0<z<1
を満たす化合物である。
詳細には、シリコン窒化膜3の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、ソース電極4とドレイン電極5との間の領域を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
詳細には、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、ソース電極4とドレイン電極5との間の領域を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
詳細には、先ず、保護絶縁膜7の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、ゲート電極の形成予定領域に相当する保護絶縁膜7の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。
詳細には、先ず、保護絶縁膜7上にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに電極用リセス7aを露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
本実施形態では、第1の実施形態と同様にAlGaN/GaN・HEMTの構成及び製造方法を開示するが、高抵抗層の態様が異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態の構成部材等と同一のものについては、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図10及び図11は、第3の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
詳細には、化合物半導体積層構造2上に、スパッタ法等により、アルミニウムシリサイド(Al−Si)を1nm程度〜100nm程度、例えば2nm程度の厚みに堆積する。これにより、Al−Si層12が形成される。
x+y+z=1、且つ、0<x<1
を満たし、更に、
0<y<1、且つ、z=0
を満たす化合物である。
詳細には、先ず、Al−Si層12の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、ソース電極の形成予定領域内及びドレイン電極の形成予定領域内に相当するAl−Si層12の表面を覆うレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。
詳細には、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストにAl−Si層12a,12bを包含する領域を露出する各開口を形成する。以上により、当該各開口を有するレジストマスクが形成される。
詳細には、化合物半導体積層構造2上に、プラズマCVD法又はスパッタ法等により、SiNを10nm程度〜5000nm程度、例えば100nm程度の厚みに堆積する。そして、リソグラフィー及びドライエッチング等により、ソース電極13及びドレイン電極14上に成膜されたSiNを除去する。リソグラフィーに用いたレジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。以上により、化合物半導体積層構造2上のソース電極13とドレイン電極14との間の領域に、保護絶縁膜15が形成される。
詳細には、先ず、保護絶縁膜15の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、ゲート電極の形成予定領域に相当する保護絶縁膜15の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。
本実施形態では、第1の実施形態と同様にAlGaN/GaN・HEMTの構成及び製造方法を開示するが、高抵抗層の態様が異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態の構成部材等と同一のものについては、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図12及び図13は、第4の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
詳細には、化合物半導体積層構造2上に、スパッタ法等により、アルミニウムナイトライド(Al−N)を1nm程度〜100nm程度、例えば3nm程度の厚みに堆積する。これにより、Al−N層17が形成される。
x+y+z=1、且つ、0<x<1
を満たし、更に、
y=0、且つ0<z<1
を満たす化合物である。
詳細には、先ず、Al−N層17の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、ソース電極の形成予定領域内及びドレイン電極の形成予定領域内に相当するAl−N層17の表面を覆うレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。
詳細には、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストにAl−N層17a,17bを包含する領域を露出する各開口を形成する。以上により、当該各開口を有するレジストマスクが形成される。
詳細には、化合物半導体積層構造2上に、プラズマCVD法又はスパッタ法等により、SiNを10nm程度〜5000nm程度、例えば100nm程度の厚みに堆積する。そして、リソグラフィー及びドライエッチング等により、ソース電極13及びドレイン電極14上に成膜されたSiNを除去する。リソグラフィーに用いたレジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。以上により、化合物半導体積層構造2上のソース電極13とドレイン電極14との間の領域に、保護絶縁膜15が形成される。
詳細には、先ず、保護絶縁膜15の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、ゲート電極の形成予定領域に相当する保護絶縁膜15の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、酸素プラズマを用いたアッシング処理、又は所定の薬液を用いたウェット処理により除去される。
(第5の実施形態)
本実施形態では、第1〜第4の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを適用した電源装置を開示する。
図14は、第5の実施形態による電源装置の概略構成を示す結線図である。
一次側回路21は、交流電源24と、いわゆるブリッジ整流回路25と、複数(ここでは4つ)のスイッチング素子26a,26b,26c,26dとを備えて構成される。また、ブリッジ整流回路25は、スイッチング素子26eを有している。
二次側回路22は、複数(ここでは3つ)のスイッチング素子27a,27b,27cを備えて構成される。
本実施形態では、第1〜第4の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを適用した高周波増幅器を開示する。
図15は、第6の実施形態による高周波増幅器の概略構成を示す結線図である。
ディジタル・プレディストーション回路31は、入力信号の非線形歪みを補償するものである。ミキサー32aは、非線形歪みが補償された入力信号と交流信号をミキシングするものである。パワーアンプ33は、交流信号とミキシングされた入力信号を増幅するものであり、第1〜第4の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを有している。なお図15では、例えばスイッチの切り替えにより、出力側の信号をミキサー32bで交流信号とミキシングしてディジタル・プレディストーション回路31に送出できる構成とされている。
第1〜第6の実施形態では、化合物半導体装置としてAlGaN/GaN・HEMTを例示した。化合物半導体装置としては、AlGaN/GaN・HEMT以外にも、以下のようなHEMTに適用できる。
本例では、化合物半導体装置として、InAlN/GaN・HEMTを開示する。
InAlNとGaNは、組成によって格子定数を近くすることが可能な化合物半導体である。この場合、上記した第1〜第5の実施形態では、電子走行層がi−GaN、中間層がi−InAlN、電子供給層がn−InAlN、キャップ層がn−GaNで形成される。また、この場合のピエゾ分極がほとんど発生しないため、2次元電子ガスは主にInAlNの自発分極により発生する。
本例では、化合物半導体装置として、InAlGaN/GaN・HEMTを開示する。
GaNとInAlGaNは、後者の方が前者よりも組成によって格子定数を小さくすることができる化合物半導体である。この場合、上記した第1〜第6の実施形態では、電子走行層がi−GaN、中間層がi−InAlGaN、電子供給層がn−InAlGaN、キャップ層がn−GaNで形成される。
前記化合物半導体層の上方に形成された一対の電極と、
前記一対の電極のうち少なくとも一方の電極の下部に配された、前記電極よりも電気抵抗値の高い高抵抗層と
を含むことを特徴とする化合物半導体装置。
x+y+z=1、且つ、0<x<1
を満たすAlx−Siy−Nz化合物を含有することを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。
前記化合物半導体層の上方に一対の電極を形成する工程と
を含み、
前記一対の電極のうち少なくとも一方の電極の下部に、前記電極よりも電気抵抗値の高い高抵抗層を形成することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
x+y+z=1、且つ、0<x<1
を満たすAlx−Siy−Nz化合物を含有することを特徴とする付記6に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記高圧回路はトランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成された一対の電極と、
前記一対の電極のうち少なくとも一方の電極の下部に配された、前記電極よりも電気抵抗値の高い高抵抗層と
を含むことを特徴とする電源回路。
トランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成された一対の電極と、
前記一対の電極のうち少なくとも一方の電極の下部に配された、前記電極よりも電気抵抗値の高い高抵抗層と
を含むことを特徴とする高周波増幅器。
2 化合物半導体積層構造
2a バッファ層
2b 電子走行層
2c 中間層
2d 電子供給層
2e キャップ層
3, シリコン窒化膜
3a,3b,7a 電極用リセス
4,13,102 ソース電極
5,14,103 ドレイン電極
6,11 Al−Si−N層
7,15,101 保護絶縁膜
8,16,104 ゲート電極
12,12a,12b Al−Si層
17,17a,17b Al−N層
21 一次側回路
22 二次側回路
23 トランス
24 交流電源
25 ブリッジ整流回路
26a,26b,26c,26d,26e,27a,27b,27c スイッチング素子
31 ディジタル・プレディストーション回路
32a,32b ミキサー
33 パワーアンプ
Claims (6)
- 化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成された第1電極及び第2電極と、
前記第1電極の下部に配された、前記第1電極の他の部分よりも電気抵抗値の高い高抵抗層とを含み、
前記高抵抗層は、Alを80%以上含有する部分を有し、
前記第1電極及び前記第2電極は、オーミック電極であり、
前記第1電極は、第1電極端及び第2電極端を有し、前記第1電極端は前記第2電極端よりも前記第2電極に近接し、前記高抵抗層は、前記第1電極端に局所的に設けられることを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記高抵抗層は、
x+y+z=1、且つ、0<x<1
を満たすAlx−Siy−Nz化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。 - 化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層の上方に第1電極及び第2電極を形成する工程と
を含み、
前記第1電極の下部に、前記第1電極の他の部分よりも電気抵抗値の高い高抵抗層が形成され、
前記高抵抗層は、Alを80%以上含有する部分を有し、
前記第1電極及び前記第2電極は、オーミック電極であり、
前記高抵抗層は、前記下部のうち、他方の前記電極に近い電極端に局所的に設けられることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 前記高抵抗層は、
x+y+z=1、且つ、0<x<1
を満たすAlx−Siy−Nz化合物を含有することを特徴とする請求項3に記載の化合物半導体装置の製造方法。 - 変圧器と、前記変圧器を挟んで高圧回路及び低圧回路とを備えた電源回路であって、
前記高圧回路はトランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成された第1電極及び第2電極と、
前記第1電極の下部に配された、前記第1電極の他の部分よりも電気抵抗値の高い高抵抗層とを含み、
前記高抵抗層は、Alを80%以上含有する部分を有し、
前記第1電極及び前記第2電極は、オーミック電極であり、
前記第1電極は、第1電極端及び第2電極端を有し、前記第1電極端は前記第2電極端よりも前記第2電極に近接し、前記高抵抗層は、前記第1電極端に局所的に設けられることを特徴とする電源回路。 - 前記化合物半導体層は、AlN、AlGaN及びGaNから構成されたグループから選択された物質層を備えることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。
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