JP2008034438A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】2次元電子ガスを使用する電界効果トランジスタ(HEMT)において表面の安定化及び電流コラプスの改善が要求されている。
【解決手段】 本発明に従うHEMTは、電子走行層(9)とn型電子供給層(10)とを含む主半導体領域(1)有する。主半導体領域(1)の一方の主面上にソース電極(3)及びドレイン電極(4)及びゲート電極(5)が形成されている。主半導体領域(1)の一方の主面(11)上に表面安定化用のp型金属酸化物半導体層(7)が設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】 本発明に従うHEMTは、電子走行層(9)とn型電子供給層(10)とを含む主半導体領域(1)有する。主半導体領域(1)の一方の主面上にソース電極(3)及びドレイン電極(4)及びゲート電極(5)が形成されている。主半導体領域(1)の一方の主面(11)上に表面安定化用のp型金属酸化物半導体層(7)が設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は安定化した表面を有する電界効果トランジスタ(FET)、ショットキーバリアダイオード、pn接合ダイオード等の半導体装置に関する。
結晶構造を有する半導体領域の表面には、周知の界面準位が存在する。この界面準位にキャリア(例えば電子)が捕獲されると、半導体領域の表面が電気的に不安定になり、且つリーク電流が増大する。一般的に半導体装置の耐圧はリーク電流に基づいて決定されるので、リーク電流の大きい半導体装置の耐圧は低くなる。
半導体領域の表面の帯電荷に基づく別の問題としてHEMT(High Electron Mobility Transistor)における電流狭窄即ち電流コラプスがある。HEMTは周知のように電子走行層と電子供給層とを備えた主半導体領域と、この主半導体領域の表面上に設けられたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とから成る。電子走行層と電子供給層とのヘテロ接合に基づくピエゾ分極又は自発分極又はこれ等両方に起因して電子走行層中に2次元電子ガス層(2DEG層)が生じ、この2DEG層が電流通路即ちチャネルとして機能する。ところで、例えば、特開2004−214471号公報(特許文献1)に開示されているように、HEMTを交流回路で使用すると、電子供給層の表面における界面準位に負電荷(電子)が捕獲され、この負電荷に起因して2DEG層の電子濃度が減少し、交流動作時の最大ドレイン電流が直流動作時の最大ドレイン電流よりも低減する現象即ち電流コラプスが生じる。
結晶構造を有する半導体領域の表面を安定化させるために、半導体表面の清掃、半導体表面の終端処理即ち原子間の未結合子(ダングリングボンド)を終端させる処理、パッシベーション膜の形成等が行われている。しかし、いずれの方法も一長一短があり、より容易に実行できる方法が要求されている。特に、窒化物半導体のような化合物半導体は、Si半導体に比べて結晶欠陥及び界面準位が多く、表面を容易に安定化することができない。
電流コラプスを抑制するために、電子供給層の上にSiN膜とSiO2膜とを介して電界制御電極を設けることが特許文献1に開示され、又、電子供給層の上にSiN膜とSiO2膜とを介してフィールドプレートを設けることが特開2004−200248号公報(特許文献2)に開示されている。しかし、電界制御電極又はフィールドプレートを設けると、必然的に半導体装置のコストが高くなる。
特開2004−214471号公報
特開2004−200248号公報
特開平1−295459号公報
本発明が解決しようとする課題は、半導体表面を容易に安定化することができなかったことである。また、本発明の別の課題は、半導体表面の安定化と電流コラプスの抑制とを容易に行うことができなかったことである。従って、本発明の目的は、比較的容易に表面の安定化を図ることができる半導体装置を提供することである。また、本発明の別の目的は、表面の安定化及びコラプスの抑制を容易に行うことができる半導体装置を提供することにある。
上記目的を解決するための本発明は、結晶構造を有する主半導体領域と、前記主半導体領域に接続された複数の電極と、前記主半導体領域と異なる材料から成り且つ前記主半導体領域の表面における前記複数の電極間の少なくとも一部上に配置され且つ前記主半導体領域の表面の帯電荷を相殺する機能を有している表面安定化半導体層とを備えていることを特徴とする半導体装置に係わるものである。
なお、請求項2に示すように前記表面安定化半導体層は金属酸化物半導体層であることが望ましい。
また、請求項4に示すように、前記表面安定化半導体層と前記主半導体領域との間に絶縁層を有していることが望ましい。
また、本発明は6〜9に示すようにHEMT,SBD,絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、pn接合を含む素子等の半導体に適用可能である。
また、請求項4に示すように、前記表面安定化半導体層と前記主半導体領域との間に絶縁層を有していることが望ましい。
また、本発明は6〜9に示すようにHEMT,SBD,絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、pn接合を含む素子等の半導体に適用可能である。
各請求項の発明によれば、主半導体領域の上に金属酸化物半導体等の表面安定化半導体層が配置されているので、表面安定化半導体層の電荷又はキャリア(電子又は正孔)によって主半導体領域の表面の帯電荷を相殺即ち消滅させることができる。これにより主半導体領域の表面の安定化を容易に達成できる。
また、請求項6に示すように本発明をHEMTに適用すれば、表面安定化による耐電圧向上効果が得られ他にコラプス抑制効果が得られる。
また、請求項6に示すように本発明をHEMTに適用すれば、表面安定化による耐電圧向上効果が得られ他にコラプス抑制効果が得られる。
次に、本発明の実施形態に従う半導体装置を図1〜図18を参照して説明する。
図1に示す2次元キャリアガス層を有する電界効果トランジスタとしてのHEMTは主半導体領域1と、支持基板2と、ソース電極3と、ドレイン電極4と、ゲート電極5と、絶縁層6と、本発明に従う表面安定化半導体層としてのp型金属酸化物半導体層7とを有している。
主半導体領域1は、結晶構造を有する窒化物半導体から成り、例えば単結晶シリコン半導体から成る支持基板2の上に周知のエピタキシャル成長方法(例えばMOCVD方法)で順次に形成されたバッファ層8と、第1の半導体層としての電子走行9と、第2の半導体層としての電子供給層10とを有している。この主半導体領域1の各層8,9、10は、一方の主面11及び他方の主面12に対して平行即ち横方向に延びている。次に、HEMTの各部を更に詳しく説明する。
支持基板2上に形成されたバッファ層8は、AlN(窒化アルミニウム)から成る第1のサブレイヤーとGaN(窒化ガリウム)から成る第2のサブレイヤーとが交互に積層された多層構造バッファである。このバッファ層8はHEMTの動作に直接に関係していないので、これを省くこともできる。また、バッファ層8の半導体材料をAlN,GaN以外のものに置き換えること、又はバッファ層8を単層構造にすることもできる。
バッファ層8の上に形成された電子走行層9は、チャネル層と呼ぶこともできるものであり、この実施例では不純物無添加のアンドープGaN(窒化ガリウム)で形成されている。この電子走行層9は電子供給層10と異なる半導体材料から成り、隣接する電子供給層10との間にヘテロ接合13が形成されている。このヘテロ接合13に基づいて周知のピエゾ分極又はピエゾ分極と自発分極が電子供給層10に生じ、この分極に基づく電界によって電子走行層9のヘテロ接合13の近傍領域に点線で示す周知の2DEG層14が生じる。
電子供給層10は、電子走行層9の上に配置され、好ましくは次式で示されるn型(第1の導電型)の窒化物半導体から成る。
AlxGa1-xN,
ここで、xは0<x<1を満足する数値であり、好ましくは0.2〜0.4であり、より好ましくは0.3である。
AlGaNから成る電子供給層10には導電型決定不純物が添加されていないが、電子供給層10はn型半導体と同様な機能を有し、nライク半導体と呼ぶことができるものである。但し、電子供給層10をn型不純物が添加された窒化物半導体(例えばAlGaN)に置き換えることもできる。AlGaNから成る電子供給層10の格子定数は、GaNから成る電子走行層9よりも大きい格子定数を有する。従って、電子供給層10と電子走行層9とのヘテロ接合13に基づいて周知のピエゾ分極が電子供給層10に生じる。また、電子供給層10にn型不純物が添加されている場合には、ピエゾ分極と自発分極との両方が生じる。既に説明したように、電子供給層10の分極の電界に基づいて電子走行層9の上部に点線で示す周知の2DEG層14が生じる。この2DEG層14は、半導体基板1の一方の主面11に対して平行な方向に自由度を有する電子(キャリア)を含み、電流通路として機能する。この実施例ではゲート電極5に電圧を印加しない状態で2DEG層14が形成されるので、ノーマリオン型のHEMTが提供される。
AlxGa1-xN,
ここで、xは0<x<1を満足する数値であり、好ましくは0.2〜0.4であり、より好ましくは0.3である。
AlGaNから成る電子供給層10には導電型決定不純物が添加されていないが、電子供給層10はn型半導体と同様な機能を有し、nライク半導体と呼ぶことができるものである。但し、電子供給層10をn型不純物が添加された窒化物半導体(例えばAlGaN)に置き換えることもできる。AlGaNから成る電子供給層10の格子定数は、GaNから成る電子走行層9よりも大きい格子定数を有する。従って、電子供給層10と電子走行層9とのヘテロ接合13に基づいて周知のピエゾ分極が電子供給層10に生じる。また、電子供給層10にn型不純物が添加されている場合には、ピエゾ分極と自発分極との両方が生じる。既に説明したように、電子供給層10の分極の電界に基づいて電子走行層9の上部に点線で示す周知の2DEG層14が生じる。この2DEG層14は、半導体基板1の一方の主面11に対して平行な方向に自由度を有する電子(キャリア)を含み、電流通路として機能する。この実施例ではゲート電極5に電圧を印加しない状態で2DEG層14が形成されるので、ノーマリオン型のHEMTが提供される。
電子供給層10は、比較的薄く形成されているので、主半導体領域1の一方の主面11に対して垂直な方向の抵抗は無視できる程小さく、一方の主面11に平行な方向(横方向)の抵抗は垂直方向よりも大きい。即ち、電子供給層10におけるソース電極3とドレイン電極4との間の横方向の抵抗値は、ソース電極3とドレイン電極4との間の2DEG層14の抵抗値よりも大きい。従って、ソース電極3とドレイン電極4との間の電流は抵抗値の小さい2DEG層14を通って流れる。
第1の電極としてのソース電極3は主半導体領域1の一方の主面11上に配置されている。第2の電極としてのドレイン電極4は、ソース電極3に対して所定の間隔を有して主半導体領域1の一方の主面11上に配置されている。ソース電極3及びドレイン電極4のそれぞれは、例えばチタン(Ti)とアルミニウム(Al)との積層電極から成り、電子供給層10に低抵抗性接触即ちオーミック接触している。
制御電極としてのゲート電極5は、主半導体領域1の一方の主面11上のソース電極3とドレイン電極4との間に配置されたショットキー電極であり、例えばロジウム(Rh)、又はニッケル(Ni)層と金(Au)層との積層から成る。
絶縁層6は、固体絶縁材料即ち誘電体から成り、この実施例では主半導体領域1の一方の主面11上にプラズマCVD法で形成されたSiO2(シリコン酸化物)層から成る。絶縁層6をSiO2で形成する代わりにSiN(シリコン窒化物)やアルミナ(Al2O3)等の別の絶縁物(誘電体)、又はSiN層とSiO2層等との組合せで形成することもできる。
p型金属酸化物半導体層7は絶縁層6の上に形成されている。この実施例のp型金属半導体層7は、電子ビーム蒸着で形成したNiを酸化して得られたNiO(酸化ニッケル)層から成るが、この代わりにFeO2(酸化鉄)、CoO2(酸化コバルト)、MnO(酸化マンガン)、CuO(酸化銅)等で形成することもできる。p型金属酸化物半導体層7の各材料は特別に導電型決定不純物を添加しない状態でp型導電型を示し、正電荷即ち正のキャリア(正孔)を含んでいる。しかし、p型金属酸化物半導体層7は極めて薄い厚み(例えば1nm〜1μm、好ましくは2〜100nm)に形成されているので、電子供給層10と同様に横方向の電気的抵抗は極めて大きい。図1ではp型金属酸化物半導体層7が主半導体領域1の一方の主面11上のソース電極3とゲート電極5との間の全部、ドレイン電極4とゲート電極5との間の全部、ソース電極3よりも外側部分及びドレイン電極4よりも外側部分に形成されている。従って、ソース電極3とゲート電極5との両方にp型金属酸化物半導体層7が接触し、且つドレイン電極4とゲート電極5との両方にp型金属酸化物半導体層7が接触している。しかし、p型金属酸化物半導体層7は極めて薄く、横方向の電気的抵抗が極めて大きいので、p型金属酸化物半導体層7を通る電流は無視できるほど小さい。p型金属酸化物半導体層7はn型半導体から成る電子供給層10の表面即ち主半導体領域1の一方の主面11における負の帯電荷を相殺する量の正電荷即ちキャリア(正孔)を含むことが望ましい。
図2はp型金属酸化物半導体層7の作用を説明するための図である。p型金属酸化物半導体層7は+で示すキャリア即ち正電荷を有する。これにより、絶縁層6が誘電体分極してp型金属酸化物半導体層7側にーで示す負電荷が生じ、電子供給層10側に+で示す正電荷が生じる。絶縁層6の電子供給層10側の正電荷は電子供給層10の界面準位に捕獲されている負電荷(電子)を相殺し、負電荷(電子)が消滅したと等価な状態になる。この結果、主半導体領域1の一方の主面11が安定化し、主半導体領域1の一方の主面11を流れるリーク電流が低減し、HEMTの耐電圧が高くなる。また、電子供給層10の界面準位に捕獲されている負電荷(電子)が2DEG層14のキャリア(電子)を低減するように作用しなくなり、電流コラプスが抑制される。
本実施例は次の効果を有する。
(1)表面安定化及び電流コラプスの抑制が、比較的高融点であり且つ比較的高い安定性を有し且つ比較的安価である金属酸化物から成るp型金属酸化物半導体層7によって達成されている。p型金属酸化物半導体層7を形成時の製造プロセス上の制約が少ないので、表面安定化及び電流コラプスが抑制された半導体装置(HEMT)を容易に形成することができる。
(2)p型金属酸化物半導体層7と主半導体領域1との間に絶縁層6が介在しているので、p型金属酸化物半導体層7を主半導体領域1の上に直接に形成する場合よりも主半導体領域1の表面状態の劣化が少ない。
(3)p型金属酸化物半導体層7と主半導体領域1との間に絶縁層6が介在し、且つp型金属酸化物半導体層7が極めて薄く形成されているので、p型金属酸化物半導体層7と主半導体領域1との電気的接続は弱く、p型金属酸化物半導体層7から主半導体領域1に電流が非常に流れ難い。
(4)p型金属酸化物半導体層7は絶縁層6と共に主半導体領域1の一方の主面11の大部分の上に配置されているので、物理的及び化学的保護膜としても機能する。
(1)表面安定化及び電流コラプスの抑制が、比較的高融点であり且つ比較的高い安定性を有し且つ比較的安価である金属酸化物から成るp型金属酸化物半導体層7によって達成されている。p型金属酸化物半導体層7を形成時の製造プロセス上の制約が少ないので、表面安定化及び電流コラプスが抑制された半導体装置(HEMT)を容易に形成することができる。
(2)p型金属酸化物半導体層7と主半導体領域1との間に絶縁層6が介在しているので、p型金属酸化物半導体層7を主半導体領域1の上に直接に形成する場合よりも主半導体領域1の表面状態の劣化が少ない。
(3)p型金属酸化物半導体層7と主半導体領域1との間に絶縁層6が介在し、且つp型金属酸化物半導体層7が極めて薄く形成されているので、p型金属酸化物半導体層7と主半導体領域1との電気的接続は弱く、p型金属酸化物半導体層7から主半導体領域1に電流が非常に流れ難い。
(4)p型金属酸化物半導体層7は絶縁層6と共に主半導体領域1の一方の主面11の大部分の上に配置されているので、物理的及び化学的保護膜としても機能する。
次に、図3に示す実施例2のHEMTを説明する。但し、図3及び後述する図4〜図18において図1と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
図3のHEMTは、p型金属酸化物半導体層7の配置位置を主半導体領域1の一方の主面11上におけるドレイン電極4とゲート電極5との間のみに変え、この他は図1と同一に構成したものである。図3に示すようにp型金属酸化物半導体層7を限定的に設けても、主半導体領域1の一方の主面11のp型金属酸化物半導体層7に対向する部分の表面安定化が達成され、ドレイン電極4とゲート電極5との間のリーク電流が低減し、ドレイン電極4とゲート電極5との間の耐電圧が高くなる。また、2DEG層11におけるp型金属酸化物半導体層7に対向する部分の電子濃度の低減が抑制され、実施例1と同様に電流コラプスを改善することができる。
図4に示す実施例3のHEMTは、p型金属酸化物半導体層7をドレイン電極4とゲート電極5との間の全部に設けないで、ドレイン電極4側のみに設け、ゲート電極5とp型金属酸化物半導体層7との間に隙間を設けた他は図3と同一に形成したものである。この図4に示す実施例3によっても図2の実施例2と同様な効果を得ることができる。また、図4のp型金属酸化物半導体層7はゲート電極5から分離されているので、ドレイン電極4とゲート電極5との間にp型金属酸化物半導体層7を通る電流通路が全く生じない。従って、p型金属酸化物半導体層7のシート抵抗がたとえ低くなっても、リーク電流が増大しない。このため、p型金属酸化物半導体層7の材料及び厚さの自由度が大きくなる。
図5に示す実施例4のHEMTは、p型金属酸化物半導体層7をドレイン電極4とゲート電極5との間の全部に設けないで、ゲート電極5側のみに設け、ドレイン電極4とp型金属酸化物半導体層7との間に隙間を設けた他は、図4と同一に形成したものである。この図5の実施例4によっても図4の実施例3と同様な効果を得ることができる。
図6に示す実施例5のHEMTは、p型金属酸化物半導体層7をドレイン電極4とゲート電極5との間の全部に設けないで、両者の中間領域のみに設け、この他は図4と同一に形成したものである。この図6の実施例5によっても図4の実施例3と同様な効果を得ることができる。
図7の実施例6のHEMTは図1の実施例1のHEMTに抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15を付加し、この他は図1と実質的に同一に形成したものである。
抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15は、絶縁層6と主半導体領域1の一方の主面11との間に配置され且つドレイン電極4とゲート電極5との間の一部に限定的に配置され且つゲート電極5に接続されている。なお、抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15は特許文献3(特開平1−295459号公報)に開示されているものと同一であって、例えば10kΩ/□以上のシート抵抗を有するチタン酸化物から成り、主半導体領域1の一方の主面11にショットキー接触している。この抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15は、特許文献3と同様にショットキバリア電極から成るゲート電極5の耐圧向上に寄与する。即ち、ドレイン電極4とゲート電極5との間に電界集中箇所が生じることを抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15によって防ぐことができる。従って、図7の実施例6は図1の実施例1と同様な効果を有する他に、ドレイン電極4とゲート電極5との間の耐圧を更に高くすることができる効果を有する。なお、抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15はスパッタリング又は蒸着で形成される。また、抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15をニッケル酸化膜で形成することもできる。
図7の実施例6においてp型金属酸化物半導体層7を絶縁層6の上全部に設けずに図3〜図6に示すように限定的に設けることができる。
図8に示す実施例7のHEMTは、図7の抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15の位置を変更した他は図7と同一に形成したものである。図8のショットキバリア型フィールドプレート15はドレイン電極4に接続され、ドレイン電極4からゲート電極5に向って延びている。ショットキバリア型フィールドプレート15を図8に示すように形成しても、ドレイン電極4とゲート電極5との間の電界集中を緩和することができる。従って、図8の実施例7によっても図7の実施例6と同様な効果を得ることができる。
図8の実施例7においてp型金属酸化物半導体層7を絶縁層6の上全部に設けずに図3〜図6に示すように限定的に設けることができる。
図9の実施例8のHEMTは、変形された主半導体領域1aを設けた他は図1と同一に形成したものである。図9の変形された主半導体領域1aは、変形された電子供給層10´を設け、且つ一般にキャップ層と呼ばれている第1の補助半導体層21と、一般にスペーサー層と呼ばれている第2の補助半導体層22とを追加したものである。変形された電子供給層10´はn型不純物を含むAlGaNから成る。第1の補助半導体層21は電子供給層10´の上に配置された例えばアンドープAlGaNから成り、ゲート電極5を良好にショットキー接触させるために寄与する。ソース電極3及びドレイン電極4は第1の補助半導体層21に低抵抗接触し、ゲート電極5は第1の補助半導体層21にショットキー接触している。第2の補助半導体層22は電子走行層9と電子供給層10との間に配置された例えばアンドープAlGaNから成り、電子供給層10´のn型不純物が電子走行層9に拡散することを阻止する。図9の実施例8によっても図1の実施例1と同様な効果を得ることができる。
図9の実施例8においてp型金属酸化物半導体層7を絶縁層6の上全部に設けずに図3〜図6に示すように限定的に設けることができる。また、図9から第1の補助半導体層21と第2の補助半導体層22とのいずれか一方を省くこともできる。図7及び図8に示す抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15と同様なものを図9の実施例8に付加することができる。
図10の実施例9のHEMTは、変形された主半導体領域1bを設けた他は図1と同一に形成したものである。図9の変形された主半導体領域1aは、第1、第2及び第3の凹部(リセス)23,24,25を有し、この他は図1の主半導体領域1と同様に形成されている。図10においてソース電極3及びドレイン電極4は第1及び第2の凹部23,24を通って電子走行層9にオーミック接触している。ゲート電極5は第3の凹部25を介して電子供給層10にショットキー接触している。従って、電子供給層10のゲート電極5と電子走行層9との間の部分は他の部分よりも薄い厚みを有する。これにより、ゲート電極5の電圧が零の状態においてゲート電極5の下に生じる空乏層で2DEG層14を遮断してノーマリオフ型のHEMTを提供することができる。この図10の実施例9によっても図1の実施例1と同様な効果が得られる。
図10の実施例9においてp型金属酸化物半導体層7を絶縁層6の上全部に設けずに図3〜図6に示すように限定的に設けることができる。また、図10から第1、第2及び第3の凹部23,24,25の内のいずれか1つ又は2つを省くこともできる。また、図7〜図9のHEMTにおいても図10の第1、第2及び第3の凹部23,24,25の内のいずれか1つ又は2つを設けることができる。また、図10の実施例9において図7及び図8に示す抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15と同様なものを付加することができる。
図11の実施例10のHEMTは、ゲート絶縁膜26を追加した他は図1と同一に形成したものである。ゲート絶縁膜26はゲート電極5と主半導体領域1との間に配置されている。従って、ゲート電極5に電圧を印加した時に生じる空乏層によって2DEG層14が制御される。従って、図11の実施例10によっても図1の実施例1と同様な効果を得ることができる。
図11の実施例10においてp型金属酸化物半導体層7を絶縁層6の上全部に設けずに図3〜図6に示すように限定的に設けることができる。また、図11の実施例10において図10の第1、第2及び第3の凹部23,24,25の全部又はいずれか1つ又は2つを設けることができる。図11の実施例10において図7及び図8に示す抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15と同様なものを付加することができる。
図12は実施例11に係わるショットキーバリアダイオード(SBD)を示す。このショットキーバリアダイオードは図1の実施例1のHEMTと同一の主半導体領域1の上に第1の電極としてのショットキー電極5aと第2の電極としてのオーミック電極4aとを有する。ショットキー電極5aは図1のゲート電極5と同様に形成されている。オーミック電極4aは図1のドレイン電極4と同様に形成されている。ショットキー電極5aに順方向電圧が印加された時にショットキー電極5a、電子供給層10、2DEG層14、電子供給層10及びオーミック電極4aの経路に電流が流れる。主半導体領域1の上に図1の実施例1と同様に絶縁層6及びp型金属酸化物半導体層7が設けられているので、図12は実施例11は図1の実施例1と同様な効果を有する。
図12は実施例11において、ショットキー電極5aとオーミック電極4aとの間の全部にp型金属酸化物半導体層7を設ける代わりに図4〜図6のゲート電極5とドレイン電極4との間におけるp型金属酸化物半導体層7の配置と同様にこれ等の間の一部に限定的に設けることができる。また、図12のショットキーバリアダイオード(SBD)の主半導体領域1の上にも図7及び図8に示す抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15と同様なものを付加することができる。この場合には、抵抗性ショットキバリア型フィールドプレートをショットキー電極5aとオーミック電極4aとのいずれか一方に接続する。図12の実施例11の主半導体領域1に図9に示す第1の補助半導体層21及び第2の補助半導体層22のいずれか一方又は両方に相当するものを付加することができる。また、図12の実施例11の主半導体領域1に図10の第2及び第3の凹部24,25のいずれか一方又は両方に相当するものを設け、ここにオーミック電極4aとショットキー電極5aとのいずれか一方又は両方を配置することができる。
図13に実施例12に従う絶縁ゲート型電界効果トランジスタが示されている。この絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、変形された主半導体領域1c、ソース電極3b、ドレイン電極4b及びゲート電極5bと、追加されたゲート絶縁膜27とを有する他は図1と同一に形成されている。
図13の主半導体領域1cは、p型半導体から成るボディー領域9aと、ボディー領域9aの中に島状に形成されたn型半導体から成るソース領域10aと、ボディー領域9aの中に島状に形成されたn型半導体から成るドレイン領域10bとから成る。ソース電極3bはソース領域10aに接続されていると共にとゲート電極5bと反対側においてボディー領域9aにも接続されている。ドレイン電極4bはドレイン領域10bに接続されている。ゲート絶縁膜27はボディー領域9aのソース領域10aとドレイン領域10bとの間に露出する部分の上に配置されている。ゲート電極5bはゲート絶縁膜27の上に配置されている。絶縁層6及びp型金属酸化物半導体層7は主半導体領域1cの表面上に配置されている。従って、図13に実施例12に従う絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいても、p型金属酸化物半導体層7による主半導体領域1cの表面安定化が達成され、ソース電極3bとドレイン電極4bとの間のリーク電流が低減し、高耐圧化を図ることができる。
図13の実施例12においてp型金属酸化物半導体層7を絶縁層6の上全部に設けずに図3〜図6に示すように限定的に設けることができる。また、図13の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの主半導体領域1cの上にも図7及び図8に示す抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15と同様なものを付加することができる。
図14に実施例13に従うpn接合ダイオードが示されている。このpn接合ダイオードは、変形された主半導体領域1d、カソード電極3c、アノード電極4cを有する他は図1と同一に形成されている。
図14の主半導体領域1dは、n型半導体領域9bと、n型半導体領域9bの中に島状に形成されたn+型半導体領域9cと、n型半導体領域9bの中に島状に形成されたp+型半導体領域10cとから成る。カソード電極3cはn+型半導体領域9cに接続されている。アノード電極4cはp+型半導体領域10cに接続されている。絶縁層6及びp型金属酸化物半導体層7はn型半導体領域9bとp+型半導体領域10cとの間のpn接合の露出部分を覆うように主半導体領域1dの表面上に配置されている。従って、図14の実施例13に従うpn接合ダイオードにおいても、p型金属酸化物半導体層7による主半導体領域1dのpn接合の露出部分の表面安定化が達成され、カソード電極3cとアノード電極4cとの間のリーク電流が低減し、高耐圧化を図ることができる。
図14の実施例13においてp型金属酸化物半導体層7を絶縁層6の上全部に設けずに図3〜図6と同様にカソード電極3cとアノード電極4cとの2つの電極間に限定的に設けることができる。また、図14のpn接合ダイオードの主半導体領域1dの上にも図7及び図8に示す抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15と同様なものを付加することができる。
図15の実施例14のHEMTは、図1のHEMTから絶縁層6を省き、p型金属酸化物半導体層7を主半導体領域1の上に直接に形成し、この他は図1と同一に形成したものである。図1の絶縁層6はp型金属酸化物半導体層7と主半導体領域1との間の結晶的及び電気的に分離するために有意義なものであるが、半導体装置のコストの低減等を考慮して絶縁層6を省くことができる。
図15の実施例14と同様に、図3〜図14の実施例2〜13においても絶縁層6を省くことができる。
図16の実施例15のHEMTは、図1のHEMTにp型有機半導体層30を付加し、この他は図1と同一に形成したものである。p型有機半導体層30はp型金属酸化物半導体層7の上に重ねて形成されている。このp型有機半導体層30はp型金属酸化物半導体層7と同一の導電型を有するので、主半導体領域1の一方の主面11に対してp型金属酸化物半導体層7と同様に機能し、主半導体領域1の一方の主面11の安定化が図られる。なお、p型金属酸化物半導体層7の正電荷とp型有機半導体層30の正電荷との合計が主半導体領域1の一方の主面11の界面準位に捕獲された負電荷を相殺するようにp型金属酸化物半導体層7及びp型有機半導体層30の正電荷量が設定される。
p型有機半導体層30は、好ましくは、ペンタセン(pentacene)誘導体又はテトラセン(tethracene)誘導体又はアントラセン(anthracene)誘導体等から成るアセン(acene)、ペリレン(perylene)、ルブレン(rubrene)、フタロシアニン(phthalocyanine)、Znフタロシアニン等から成り、より好ましくは、テトラセン又はZnフタロシアニンから成る。また、p型有機半導体層30は、好ましくは、蒸着法、スパッタリング法、スピンオン法、又はゾルゲル法によって形成され、より好ましくは、抵抗加熱蒸着法又はスピンオン法で形成される。p型有機半導体層30の好ましい厚みは、10nm〜1μmである。p型有機半導体層30は、p型金属酸化物半導体層7と同様に主半導体領域1の表面安定化作用を有するものであるから、p型金属酸化物半導体層7とp型有機半導体層30との組合せが表面安定化半導体層として機能し、図16の実施例15によっても図1の実施例1と同様な効果を得ることができる。
図3〜図11に示す各HEMT、図12に示すSBD、図13に示す絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、及び図14に示すpn接合ダイオードにおける各p型金属酸化物半導体層7の上にも図16の実施例15のp型有機半導体層30と同様なものを配置することができる。
図17の実施例16のHEMTは、図15のHEMTのp型金属酸化物半導体層7の上にp型有機半導体層30を付加し、この他は図15と同一に形成したものである。観点を変えると、図17の実施例16のHEMTは、図16のHEMTから絶縁層6を省いたものに相当する。図17のp型金属酸化物半導体層7とp型有機半導体層30との組み合わせは図16のこれ等と同様な機能を有するので、図17の実施例16によっても図16の実施例15と同様な効果を得ることができる。
図3〜図11に示す各HEMT、図12に示すショットキーバリアダイオード(SBD)、図13に示す絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、及び図14に示すpn接合ダイオードにおける絶縁層6とp型金属酸化物半導体層7との組み合わせの代わりに図17のp型金属酸化物半導体層7とp型有機半導体層30との組み合わせを配置することができる。
図18の実施例17のHEMTは、図1のHEMTのp型金属酸化物半導体層7の代わりにp型有機半導体層30を設け、この他は図1と同一に形成したものである。p型有機半導体層30はp型金属酸化物半導体層7と同様な機能を有するので、図18の実施例17は図1の実施例1と同様な効果を有する。但し、p型有機半導体層30は図1のp型金属酸化物半導体層7よりも融点が低いので、製造プロセスが容易という点では図1の実施例1の方が優れている。
図3〜図11に示す各HEMT、図12に示すショットキーバリアダイオード(SBD)、図13に示す絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、及び図14に示すpn接合ダイオードにおけるp型金属酸化物半導体層7の代わりに図18のp型有機半導体層30を配置することができる。また、図3〜図11に示す各HEMT、図12に示すショットキーバリアダイオード(SBD)、図13に示す絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、及び図14に示すpn接合ダイオードにおける絶縁層6とp型金属酸化物半導体層7との組み合わせの代わりに図18のp型有機半導体層30のみを配置することができる。換言すれば、図15の実施例14のp型金属酸化物半導体層7と同様に主半導体領域1、1a〜1dの表面にp型有機半導体層30を直接に配置することもできる。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形も可能なものである。
(1)各実施例における各半導体層又は領域10,10´,9a、9b、9c、10a、10b、10c、7,30の導電型を各実施例と逆にすることができる。例えば、HEMTにおいてはn型半導体から成る電子供給層10の代わりにp型半導体から成る正孔供給層を設け、電子走行層9の代わりに正孔走行層を設け、p型金属酸化物半導体層7及びp型有機半導体層30の代わりにn型金属酸化物半導体層及びn型有機半導体層を設ける。なお、n型金属酸化物半導体層はZnO(酸化亜鉛)、In2O3(酸化インジウム)、SnO2(酸化錫)、Y2O3(酸化イットリウム)、SrTiO3(チタン酸ストロンチウム)、SrPbO3(ストロンチウム・鉛酸化物)、及びTiO2(チタン酸化物)から選択された1つ又は複数を含むものであることが望ましい。また、n型有機半導体層は、例えば、フラーレン(Fullerene)又はフラーレン誘導体(好ましくはC60又はC70)、又はCu(銅)フタロシアニン等で形成することができる。このn型有機半導体層は、p型有機半導体層30と同様に周知の蒸着、スパッタリング、スピンオン(塗布)、ゾルゲル法等で形成される。
(2)主半導体領域1、1a〜1dに必要に応じて更に別の半導体層を付加することができる。例えば、ソース電極3及びドレイン電極4の下にオーミックコンタクト用半導体層を付加することができる。
(3)図7及び図8の抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15をゲート電極5とソース電極3との間にも設けることができる。
(4)支持基板2をシリコン以外のシリコン化合物、又はサファイア、又は3−5族化合物半導体で形成することができる。
(5)主半導体領域1,1a〜1dの各層8,9、10,10´、及び各領域9a、9b、9c、10a、10b、10cを、例えばGaN,InGaN,AlGaN,AlInGaN,AlN,InAlN,InN,AlP,GaP,AlInP,GaInP,AlGaP,GaAsP,InP,AlGaAs,GaAs,AlAs,InAs,Si,SiC,C等の結晶構造を有する半導体材料から任意に選択することができる。なお、高耐圧の半導体装置を形成する場合には、主半導体領域を窒化物半導体で構成することが望ましい。
(6)p型金属酸化物半導体層7及びn型金属酸化物半導体層をスパッタリング法以外の蒸着法等で形成することもできる。
(7)金属酸化物半導体層7及び有機半導体層30のいずれか一方又は両方による半導体表面の安定化技術をHEMT,SBD,絶縁ゲート型電界効果トタンジスタ、pn接合ダイオード以外の例えばMESFET,バイポーラトランジスタ、IGBT,サイリスタ等の別の半導体装置にも適用することができる。
(1)各実施例における各半導体層又は領域10,10´,9a、9b、9c、10a、10b、10c、7,30の導電型を各実施例と逆にすることができる。例えば、HEMTにおいてはn型半導体から成る電子供給層10の代わりにp型半導体から成る正孔供給層を設け、電子走行層9の代わりに正孔走行層を設け、p型金属酸化物半導体層7及びp型有機半導体層30の代わりにn型金属酸化物半導体層及びn型有機半導体層を設ける。なお、n型金属酸化物半導体層はZnO(酸化亜鉛)、In2O3(酸化インジウム)、SnO2(酸化錫)、Y2O3(酸化イットリウム)、SrTiO3(チタン酸ストロンチウム)、SrPbO3(ストロンチウム・鉛酸化物)、及びTiO2(チタン酸化物)から選択された1つ又は複数を含むものであることが望ましい。また、n型有機半導体層は、例えば、フラーレン(Fullerene)又はフラーレン誘導体(好ましくはC60又はC70)、又はCu(銅)フタロシアニン等で形成することができる。このn型有機半導体層は、p型有機半導体層30と同様に周知の蒸着、スパッタリング、スピンオン(塗布)、ゾルゲル法等で形成される。
(2)主半導体領域1、1a〜1dに必要に応じて更に別の半導体層を付加することができる。例えば、ソース電極3及びドレイン電極4の下にオーミックコンタクト用半導体層を付加することができる。
(3)図7及び図8の抵抗性ショットキバリア型フィールドプレート15をゲート電極5とソース電極3との間にも設けることができる。
(4)支持基板2をシリコン以外のシリコン化合物、又はサファイア、又は3−5族化合物半導体で形成することができる。
(5)主半導体領域1,1a〜1dの各層8,9、10,10´、及び各領域9a、9b、9c、10a、10b、10cを、例えばGaN,InGaN,AlGaN,AlInGaN,AlN,InAlN,InN,AlP,GaP,AlInP,GaInP,AlGaP,GaAsP,InP,AlGaAs,GaAs,AlAs,InAs,Si,SiC,C等の結晶構造を有する半導体材料から任意に選択することができる。なお、高耐圧の半導体装置を形成する場合には、主半導体領域を窒化物半導体で構成することが望ましい。
(6)p型金属酸化物半導体層7及びn型金属酸化物半導体層をスパッタリング法以外の蒸着法等で形成することもできる。
(7)金属酸化物半導体層7及び有機半導体層30のいずれか一方又は両方による半導体表面の安定化技術をHEMT,SBD,絶縁ゲート型電界効果トタンジスタ、pn接合ダイオード以外の例えばMESFET,バイポーラトランジスタ、IGBT,サイリスタ等の別の半導体装置にも適用することができる。
1、1a、1b、1c、1d 主半導体領域
2 支持基板
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 ゲート電極
6 絶縁層
7 金属酸化物半導体層
2 支持基板
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 ゲート電極
6 絶縁層
7 金属酸化物半導体層
Claims (11)
- 結晶構造を有する主半導体領域と、
前記主半導体領域に接続された複数の電極と、
前記主半導体領域と異なる材料から成り且つ前記主半導体領域の表面における前記複数の電極間の少なくとも一部上に配置され且つ前記主半導体領域の表面の帯電荷を相殺する機能を有している表面安定化半導体層と
を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 前記表面安定化半導体層は金属酸化物半導体層であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記金属酸化物半導体層は、NiO、FeO2、CoO2、MnO、CuOから選択された1つ又は複数を含むp型金属酸化物半導体層、又はZnO、In2O3、SnO2、Y2O3、SrTiO3、SrPbO3、及びTiO2から選択された1つ又は複数を含むn型金属酸化物半導体層であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 更に、前記表面安定化半導体層と前記主半導体領域との間に配置された絶縁層を有していることを特徴とする請求項1又は2又は3記載の半導体装置。
- 前記主半導体領域は、第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に配置され且つ前記第1の半導体層に2次元キャリアガス層を生成することができる材料で形成され且つ第1の導電型を有している第2の半導体層とを備え、
前記表面安定化半導体層は、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有していることを特徴とする請求項1又2又は3又は4記載の半導体装置。 - 前記複数の電極は、前記主半導体領域にオーミック接続しているソース電極と、前記主半導体領域にオーミック接続しているドレイン電極と、前記主半導体領域にショットキー接触しているゲート電極とから成り、
前記表面安定化半導体層は前記主半導体領域の表面における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。 - 前記複数の電極は、前記主半導体領域にショットキー接触しているショットキー電極と前記主半導体領域にオーミック接触しているオーミック電極とから成り、
前記表面安定化半導体層は前記ショットキー電極とオーミック電極との間の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。 - 前記主半導体領域は、第1の導電型を有するボディー領域と、前記ボディー領域の中に形成され且つ前記第1の導電型の反対の第2の導電型を有するソース領域と、前記ボディー領域の中に形成され且つ前記第2の導電型を有しているドレイン領域とを備えており、
前記複数の電極は、前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記ドレイン領域に接続されたドレイン電極と、前記主半導体領域の表面における前記ソース領域と前記ドレイン領域との間にゲート絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極とから成り、
前記表面安定化半導体層は前記主半導体領域の表面における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の少なくとも一部上に形成されていることを特徴とする請求項1又は2又は3又は4記載の半導体装置。 - 前記主半導体領域は、第1の導電型を有する第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域に隣接配置され且つ前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有している第2の半導体領域とを含み、
前記複数の電極は、前記第1の半導体領域に接続された第1の電極と、前記第2の半導体領域に接続された第2の電極とを含み、
前記表面安定化半導体層は前記主半導体領域の表面における前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間のpn接合を覆うように配置されていることを特徴とする請求項1又は2又は3又は4記載の半導体装置。 - 更に、前記主半導体領域の表面上に配置され且つ前記複数の電極の中の1つに接続された抵抗性ショットキバリア型フィールドプレートを有していることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記表面安定化半導体層は有機半導体層、又は有機半導体層と金属酸化物半導体層との組合せから成ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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