JP2009076866A - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
ショットキーバリアダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009076866A JP2009076866A JP2008187476A JP2008187476A JP2009076866A JP 2009076866 A JP2009076866 A JP 2009076866A JP 2008187476 A JP2008187476 A JP 2008187476A JP 2008187476 A JP2008187476 A JP 2008187476A JP 2009076866 A JP2009076866 A JP 2009076866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating layer
- schottky
- barrier diode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 120
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 115
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/0495—Schottky electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/66196—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices with an active layer made of a group 13/15 material
- H01L29/66204—Diodes
- H01L29/66212—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】ショットキーバリアダイオード1は、表面2aを有するGaN自立基板2と、表面2a上に形成されたGaNエピタキシャル層3と、GaNエピタキシャル層3の表面3a上に形成され、開口部が形成されている絶縁層4とを備える。また、電極5を備える。電極5は、開口部の内部に、GaNエピタキシャル層3に接触するように形成されたショットキー電極と、ショットキー電極に接続するとともに、絶縁層4に重なるように形成された、フィールドプレート電極とによって構成されている。GaN自立基板2の転位密度は、1×108cm-2以下である。
【選択図】図1
Description
この構成によれば、絶縁層の端面がエピタキシャル層または窒化ガリウム層の表面に対し傾斜しているために、フィールドプレート構造による電界緩和の効果を増大させることができるので、ショットキーバリアダイオードの逆方向耐電圧を一層向上させることができる。
図1は、本発明の実施の形態1におけるショットキーバリアダイオードの断面図である。図2は、図1に示すショットキーバリアダイオードの斜視図である。図1および図2に示すように、ショットキーバリアダイオード(SBD)1は、窒化ガリウム基板としてのGaN自立基板2と、エピタキシャル層としてのGaNエピタキシャル層3とを備える。GaNエピタキシャル層3は、主表面としてのGaN自立基板2の表面2a上に形成されている。SBD1はまた、絶縁層4を備える。絶縁層4は、GaNエピタキシャル層3の表面3a上に形成されている。
図4は、本発明の実施の形態2におけるショットキーバリアダイオードの断面図である。図4に示すように、本実施の形態におけるショットキーバリアダイオード(SBD)11は、基本的には実施の形態1におけるショットキーバリアダイオード1と同様の構成を備えているが、GaN自立基板2を備えていない点において異なる。
Claims (9)
- 主表面を有する窒化ガリウム基板と、
前記主表面上に形成されたエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表面上に形成され、開口部が形成されている絶縁層と、
前記開口部の内部に、前記エピタキシャル層に接触するように形成されたショットキー電極と、
前記ショットキー電極に接続するとともに、前記絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、
前記窒化ガリウム基板の転位密度は、1×108cm-2以下である、ショットキーバリアダイオード。 - 前記窒化ガリウム基板の前記主表面の反対側の裏面上に形成されたオーミック電極をさらに備え、
前記ショットキー電極および前記オーミック電極の、一方から他方へと電流が流れる、縦型構造を有する、請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。 - 前記絶縁層は、前記開口部に面する端面が、前記エピタキシャル層の表面に対し0.1°以上60°以下の角度で傾斜するように形成されており、
前記フィールドプレート電極は、前記端面に接着するように、前記絶縁層に重ねられている、請求項1または2に記載のショットキーバリアダイオード。 - 表面を有する窒化ガリウム層と、
前記窒化ガリウム層の表面上に形成され、開口部が形成されている絶縁層と、
前記開口部の内部に、前記窒化ガリウム層に接触するように形成されたショットキー電極と、
前記ショットキー電極に接続するとともに、前記絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、
前記窒化ガリウム層において前記ショットキー電極と接触する領域の転位密度は、1×108cm-2以下である、ショットキーバリアダイオード。 - 前記窒化ガリウム層の前記表面の反対側の裏面に形成されたオーミック電極をさらに備え、
前記ショットキー電極および前記オーミック電極の、一方から他方へと電流が流れる、縦型構造を有する、請求項4に記載のショットキーバリアダイオード。 - 前記絶縁層は、前記開口部に面する端面が、前記窒化ガリウム層の前記表面に対し0.1°以上60°以下の角度で傾斜するように形成されており、
前記フィールドプレート電極は、前記端面に接着するように、前記絶縁層に重ねられている、請求項4または5のいずれかに記載のショットキーバリアダイオード。 - 前記ショットキー電極の材質は、金、プラチナ、ニッケル、パラジウム、コバルト、銅、銀、タングステン、およびチタンからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質を含む、請求項1〜6のいずれか1つに記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記絶縁層の厚みは、10nm以上5μm以下である、請求項1〜7のいずれかに記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記フィールドプレート電極の、前記絶縁層と重なる長さは、1μm以上1mm以下である、請求項1〜8のいずれか1つに記載のショットキーバリアダイオード。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008187476A JP2009076866A (ja) | 2007-08-31 | 2008-07-18 | ショットキーバリアダイオード |
US12/516,714 US8581359B2 (en) | 2007-08-31 | 2008-08-22 | Schottky barrier diode |
KR1020097010981A KR20100047822A (ko) | 2007-08-31 | 2008-08-22 | 쇼트키 배리어 다이오드 |
EP08828484A EP2184782A4 (en) | 2007-08-31 | 2008-08-22 | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
CA002671231A CA2671231A1 (en) | 2007-08-31 | 2008-08-22 | Schottky barrier diode |
PCT/JP2008/064985 WO2009028410A1 (ja) | 2007-08-31 | 2008-08-22 | ショットキーバリアダイオード |
CN2008800012143A CN101569014B (zh) | 2007-08-31 | 2008-08-22 | 肖特基势垒二极管 |
TW097132583A TW200929553A (en) | 2007-08-31 | 2008-08-26 | Schottky barrier diode |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007226158 | 2007-08-31 | ||
JP2008187476A JP2009076866A (ja) | 2007-08-31 | 2008-07-18 | ショットキーバリアダイオード |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015029561A Division JP2015119200A (ja) | 2007-08-31 | 2015-02-18 | ショットキーバリアダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009076866A true JP2009076866A (ja) | 2009-04-09 |
Family
ID=40387132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008187476A Pending JP2009076866A (ja) | 2007-08-31 | 2008-07-18 | ショットキーバリアダイオード |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8581359B2 (ja) |
EP (1) | EP2184782A4 (ja) |
JP (1) | JP2009076866A (ja) |
KR (1) | KR20100047822A (ja) |
CN (1) | CN101569014B (ja) |
CA (1) | CA2671231A1 (ja) |
TW (1) | TW200929553A (ja) |
WO (1) | WO2009028410A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191862A (ja) * | 2013-04-26 | 2013-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
US9082884B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-07-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Schottky diode |
JP2015149373A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 住友電気工業株式会社 | ダイオード |
JP2015149374A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 住友電気工業株式会社 | ダイオード |
JP2015204331A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP2017011060A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
US9711661B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-07-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2019057569A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103441140A (zh) | 2008-08-05 | 2013-12-11 | 住友电气工业株式会社 | 肖特基势垒二极管 |
US9029866B2 (en) | 2009-08-04 | 2015-05-12 | Gan Systems Inc. | Gallium nitride power devices using island topography |
WO2011014951A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | John Roberts | Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors |
US9818857B2 (en) | 2009-08-04 | 2017-11-14 | Gan Systems Inc. | Fault tolerant design for large area nitride semiconductor devices |
TWI456770B (zh) * | 2010-03-16 | 2014-10-11 | Nat Univ Tsing Hua | 蕭特基二極體結構及其製造方法 |
CN102054875B (zh) * | 2010-10-29 | 2012-10-17 | 中山大学 | 一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法 |
CN102097492A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-06-15 | 中山大学 | 异质结构场效应二极管及制造方法 |
US8643134B2 (en) * | 2011-11-18 | 2014-02-04 | Avogy, Inc. | GaN-based Schottky barrier diode with field plate |
US8836071B2 (en) * | 2011-11-18 | 2014-09-16 | Avogy, Inc. | Gallium nitride-based schottky barrier diode with aluminum gallium nitride surface layer |
CN103579372A (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-12 | 立锜科技股份有限公司 | 肖特基位障二极管及其制造方法 |
JP2014049616A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Sony Corp | ダイオードおよびダイオードの製造方法 |
KR102099438B1 (ko) * | 2013-10-07 | 2020-04-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
US9368582B2 (en) * | 2013-11-04 | 2016-06-14 | Avogy, Inc. | High power gallium nitride electronics using miscut substrates |
CN103606515B (zh) * | 2013-11-14 | 2016-03-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种宽禁带功率器件场板的制造方法 |
CN103633151A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-03-12 | 天津中环半导体股份有限公司 | 一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法 |
US10283363B2 (en) | 2014-08-29 | 2019-05-07 | University Of Virginia Patent Foundation | Quasi-vertical diode with integrated ohmic contact base and related method thereof |
KR101667669B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2016-10-28 | 전자부품연구원 | 쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조방법 |
US20190280287A1 (en) * | 2016-07-28 | 2019-09-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Secondary battery and method for manufacturing the same |
CN107946353A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-20 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 |
CN107910379A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-13 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 |
KR102060864B1 (ko) | 2017-11-28 | 2019-12-30 | 전라남도 | 노지양식용 해삼 양식장치 |
GB2569196B (en) * | 2017-12-11 | 2022-04-20 | Pragmatic Printing Ltd | Schottky diode |
JP7292295B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2023-06-16 | ヒタチ・エナジー・スウィツァーランド・アクチェンゲゼルシャフト | 自己整合フィールドプレートおよびメサ終端構造を有する高出力半導体デバイスならびにこれを製造するための方法 |
KR102437528B1 (ko) * | 2020-12-22 | 2022-08-29 | 한국과학기술원 | 쇼트키 배리어 다이오드 수동소자 및 그 제조 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021140A1 (fr) * | 1998-10-08 | 2000-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semiconducteur, son procede de fabrication et circuit protecteur de dispositif a semiconducteur |
JP2002009302A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Nippon Inter Electronics Corp | ショットキーバリア型半導体装置とその製造方法 |
JP2005286135A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006100801A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板および半導体素子 |
JP2006278999A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Eudyna Devices Inc | 半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP2006310408A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板 |
WO2007069601A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタ |
JP2007516615A (ja) * | 2003-12-17 | 2007-06-21 | ニトロネックス・コーポレーション | 電極規定層を包含する窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5635474A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Matsushita Electronics Corp | Schottky barrier type semiconductor device and manufacture thereof |
US4412242A (en) * | 1980-11-17 | 1983-10-25 | International Rectifier Corporation | Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions |
US5763904A (en) * | 1995-09-14 | 1998-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-single crystal semiconductor apparatus thin film transistor and liquid crystal display apparatus |
FR2807569B1 (fr) * | 2000-04-10 | 2004-08-27 | Centre Nat Rech Scient | Perfectionnement apportes aux diodes schottky |
FR2837322B1 (fr) * | 2002-03-14 | 2005-02-04 | Commissariat Energie Atomique | DIODE SCHOTTKY DE PUISSANCE A SUBSTRAT SiCOI, ET PROCEDE DE REALISATION D'UN TELLE DIODE |
US6939781B2 (en) * | 2003-06-27 | 2005-09-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component that includes self-aligning a gate electrode to a field plate |
CN100449891C (zh) * | 2003-12-15 | 2009-01-07 | 古河电气工业株式会社 | 制造半导体器件的方法 |
US7901994B2 (en) * | 2004-01-16 | 2011-03-08 | Cree, Inc. | Methods of manufacturing group III nitride semiconductor devices with silicon nitride layers |
GB0401579D0 (en) * | 2004-01-24 | 2004-02-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | Transistor manufacture |
TWI375994B (en) * | 2004-09-01 | 2012-11-01 | Sumitomo Electric Industries | Epitaxial substrate and semiconductor element |
JP2007059711A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フィールドプレート構造の形成方法および半導体装置 |
JP2008103586A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2008
- 2008-07-18 JP JP2008187476A patent/JP2009076866A/ja active Pending
- 2008-08-22 CN CN2008800012143A patent/CN101569014B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-22 WO PCT/JP2008/064985 patent/WO2009028410A1/ja active Application Filing
- 2008-08-22 CA CA002671231A patent/CA2671231A1/en not_active Abandoned
- 2008-08-22 KR KR1020097010981A patent/KR20100047822A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-08-22 EP EP08828484A patent/EP2184782A4/en not_active Withdrawn
- 2008-08-22 US US12/516,714 patent/US8581359B2/en active Active
- 2008-08-26 TW TW097132583A patent/TW200929553A/zh unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021140A1 (fr) * | 1998-10-08 | 2000-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semiconducteur, son procede de fabrication et circuit protecteur de dispositif a semiconducteur |
JP2002009302A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Nippon Inter Electronics Corp | ショットキーバリア型半導体装置とその製造方法 |
JP2007516615A (ja) * | 2003-12-17 | 2007-06-21 | ニトロネックス・コーポレーション | 電極規定層を包含する窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法 |
JP2005286135A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006100801A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板および半導体素子 |
JP2006278999A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Eudyna Devices Inc | 半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP2006310408A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板 |
WO2007069601A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタ |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
COJOCARI, O. ET AL.: "Micrometer-size GaN Schottky-diodes for MM-wave frequency multipliers", CONFERENCE DIGEST OF THE 2004 JOINT 29TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED AND MILLIMETER WAVES A, JPN6014050797, 2004, pages 317 - 318, XP010796832, ISSN: 0002954223 * |
K.H.BAIK ET AL: "160-A bulk GaN Schottky diode array", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 83, no. 15, JPN7013001547, 13 October 2003 (2003-10-13), pages 3192 - 3194, XP001190210, ISSN: 0002519019, DOI: 10.1063/1.1618022 * |
REMASHAN, K. ET AL.: "Simulation and fabrication of high voltage AlGaN/GaN based Schottky diodes with field plate edge ter", MICROELECTRONIC ENGINEERING, vol. Vol.84, Issue 12, JPN6014050801, December 2007 (2007-12-01), pages 2907 - 2915, ISSN: 0002954224 * |
SANG-SOO HAN ET AL.: "Preparation of a-SiNx Thin Film with Low Hydrogen Content by Inductively Coupled Plasma Enhanced Che", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, vol. 145, no. 2, JPN6015017310, 1998, pages 652 - 658, XP008025873, ISSN: 0003063370 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9082884B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-07-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Schottky diode |
JP2013191862A (ja) * | 2013-04-26 | 2013-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2015149373A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 住友電気工業株式会社 | ダイオード |
JP2015149374A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 住友電気工業株式会社 | ダイオード |
JP2015204331A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
US9711661B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-07-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2017011060A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
JP2019057569A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101569014B (zh) | 2011-01-12 |
US20100059761A1 (en) | 2010-03-11 |
EP2184782A1 (en) | 2010-05-12 |
CA2671231A1 (en) | 2009-03-05 |
US8581359B2 (en) | 2013-11-12 |
TW200929553A (en) | 2009-07-01 |
EP2184782A4 (en) | 2013-03-27 |
CN101569014A (zh) | 2009-10-28 |
KR20100047822A (ko) | 2010-05-10 |
WO2009028410A1 (ja) | 2009-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009076866A (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
JP5531959B2 (ja) | ショットキーバリアダイオードおよびショットキーバリアダイオードの製造方法 | |
JP5582058B2 (ja) | エピタキシャル基板および半導体素子 | |
JP5525940B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US8436365B2 (en) | SiC semiconductor device having Schottky barrier diode and method for manufacturing the same | |
JP2006100801A (ja) | エピタキシャル基板および半導体素子 | |
JP6477106B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009059912A (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
JP5564884B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
US20110001144A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP5445899B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
US20160276497A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5446161B2 (ja) | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 | |
JP4800239B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005005578A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2015119200A (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
JP2009004566A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9236433B2 (en) | Semiconductor devices in SiC using vias through N-type substrate for backside contact to P-type layer | |
KR20160121719A (ko) | 전계완화형 플로팅 메탈링을 가진 sic쇼트키 다이오드 및 그 제조방법 | |
JP3879697B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010245234A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2006196623A (ja) | エピタキシャル基板および半導体素子 | |
JP2004221263A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH08236791A (ja) | ショットキーバリア半導体装置 | |
JP2006128492A (ja) | エピタキシャル基板、および半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150218 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150225 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150501 |