CN103633151A - 一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法。在中高压肖特基二极管芯片结构中,P型扩散区宽度为25~40um;金属场版的宽度为25~35um;外延厚度为16~30um;电阻率为2~5ohm.cm。本发明同时采取对关键工艺进行调整,以达到提高封装后器件性能的目的。方法是:1、通过湿法氧化,在P型区注入前形成厚度为650埃的牺牲氧化硅。2、在P型区域注入杂质数量1X1014。3、通过湿法氧化、推进形成P型区深度为8um。4、在势垒金属蒸发前,采用双氧水对硅片表面颗粒杂质进行清洗。本发明在不提高生产成本的情况下,使芯片的封装良率以及可靠性性能得到明显提高,从而增强了产品的市场竞争力。
Description
技术领域
本发明涉及肖特基二极管芯片,具体涉及一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法。
背景技术
外延材料规格是肖特基二极管器件的电性参数、可靠性性能的重要影响因素。一般低压肖特基二极管器件采用外延厚度较薄、电阻率较低;中高压肖特基二极管器件采用外延厚度较厚、电阻率较高。如果单纯提高外延电阻率,会导致肖特基二极管器件可靠性性能下降,如静电防护能力、反向浪涌能力等。
目前随着肖特基二极管器件市场与应用的发展,对肖特基二极管的可靠性要求越来越高。与低压肖特基二极管芯片不同,中高压肖特基二极管对划片后芯片的完整程度要求更高,芯片边缘的轻微破损或崩边都有可能产生芯片封装后的失效问题。
发明内容
为了提高封装后中高压肖特基二极管芯片的良率,降低划片对芯片的影响,提高封装后芯片的可靠性性能,本发明提供一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法。本发明采取对芯片结构的金属场版进行加宽技术方案,以减弱划片崩边等芯片损失对电性能带来的劣化影响;通过增加P型区域的宽度以及杂质数量,以提高中高压肖特基二极管芯片的可靠性性能(静电防护能力、反向浪涌能力等)。
在研发过程中,增加金属场版宽度与增加P型区域宽度曾遇到以下问题:
1、增加芯片尺寸,导致芯片出芯数降低,造成价格劣势;
2、若保证芯片尺寸不变,会使芯片的有源区面积变小,导致正向压降升高,功耗升高,降低器件竞争力。
经过综合分析,本发明采取在确保芯片尺寸不变的前提下,通过调整外延参数以抵消有源区变小带来的电性参数的升高,同时有利于提高静电防护能力和反向浪涌能力。
本发明采取的技术方案是:一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:在所述的中高压肖特基二极管芯片结构中,P型扩散区宽度为25~40um;金属场版的宽度为25~35um;硅衬底上表面具有的外延厚度为16~30um;电阻率为2~5ohm.cm。
本发明针对中高压肖特基二极管芯片结构的优化,同时采取对关键工艺进行调整,以达到提高封装后器件性能的目的。
本发明所述的制备方法是:1、通过湿法氧化,在P型区注入前形成厚度为650埃的牺牲氧化硅。2、在P型区域,注入杂质数量1X1014。3、通过湿法氧化、推进形成P型区深度为8um。
4、在势垒金属蒸发前,采用双氧水对硅片表面颗粒杂质进行清洗。
除此之外,本方法还通过版图修改,取消掩蔽层上多余的注入区,避免此注入区表面电场过大,而在反向高压时容易提前击穿,同时取消掩蔽层上多余的注入区,也有利于增强芯片的划片波动的承受能力。
本发明所产生的有益效果是:在不提高生产成本的情况下,使芯片的封装良率以及可靠性性能得到明显提高,从而增强了产品的市场竞争力。
附图说明
图1是中高压肖特基二极管芯片结构平面图;
图2是中高压肖特基二极管芯片结构剖面图;
图3是中高压肖特基二极管芯片工艺流程图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明:本发明将
图1和图2利用失真比例,以突出本发明的关键特征。
参照图1和图2,一种中高压肖特基二极管芯片结构包括硅衬底101上表面具有的外延102、在外延的掩蔽层103、外延102中的P型扩散区104、在外延中的硅化物层105、正面电极106、背面电极107、金属场版108及有源区109。
在中高压肖特基二极管芯片结构中,本发明将P型扩散区104宽度增加至25~40um范围内(增加了20%~80%);将金属场版108的宽度增加至25~35um范围内(增加了10~40%)。对硅衬底101(晶向<100>或<111>)上表面具有的外延102进行电阻率与厚度的调整,调整硅衬底101(晶向<100>或<111>)上表面具有的外延厚度在16~30um范围内;电阻率在2~5ohm.cm范围内。
本发明对于150V肖特基二极管,硅衬底101上表面具有的外延102厚度调整为16~20um;电阻率调整为2~3ohm.cm。
本发明对于200V肖特基二极管,硅衬底101上表面具有的外延102厚度调整为23~30um;电阻率调整为3~5ohm.cm。
实施例1:以150V肖特基二极管为例,将P型扩散区104宽度增至38um;将金属场版108的宽度增至32um;将外延厚度调至18um;将电阻率调至2.3ohm.cm。
实施例2:以200V肖特基二极管为例,将P型扩散区104宽度增至38um;将金属场版108的宽度增至32um;将外延厚度调至28um;将电阻率调至4ohm.cm。
以上实施例的制备方法如下:
1、通过湿法氧化,在P型区注入前形成厚度为650埃的牺牲氧化硅;以尽量减轻注入区域离子沾污以及注入激光对外延表面的损伤。
2、在P型区域,注入杂质数量1X1014;以增强芯片的静电防护能力。
3、通过湿法氧化、推进形成P型区深度为8um;以增强芯片的静电防护能力。
4、在势垒金属蒸发前,采用双氧水对硅片表面颗粒杂质进行清洗(双氧水浓度为39%, H2O和水的体积比例=1:1);其作用是有效清除硅表面的颗粒杂质、轻微有机残留以及聚合物。
参照图3,除上述涉及的制备方法之外,均按照图3给出的工艺流程完成中高压肖特基二极管芯片的制备。在此不再赘述。
经过以上实施例制备出的5安培中高压肖特基二极管芯片经检测的性能指标:抗静电能力可达到4KV(IEC模式),反向浪涌可以达到在5安培电流下2/200us,10个脉冲的能力。
Claims (7)
1.一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:在所述的中高压肖特基二极管芯片结构中,P型扩散区(104)宽度为25~40um;金属场版(108)的宽度为25~35um;硅衬底(101)上表面具有的外延(102)厚度为16~30um;电阻率为2~5ohm.cm。
2.根据权利要求1所述的中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:对于150V的肖特基二极管,硅衬底(101)上表面具有的外延(102)厚度为16~20um;电阻率为2~3ohm.cm。
3.根据权利要求1所述的中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:对于200V的肖特基二极管,硅衬底(101)上表面具有的外延(102)厚度为23~30um;电阻率为3~5ohm.cm。
4.一种根据权利要求1所述的中高压肖特基二极管芯片结构的制备方法,其特征在于:通过湿法氧化,在P型区注入前形成厚度为650埃的牺牲氧化硅。
5.根据权利要求4所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构的制备方法,其特征在于:在P型区域,注入杂质数量1X1014。
6.根据权利要求5所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构的制备方法,其特征在于:通过湿法氧化、推进形成P型区深度为8um。
7.根据权利要求6所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构的制备方法,其特征在于:在势垒金属蒸发前,采用双氧水对硅片表面颗粒杂质进行清洗。
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